Académique Documents
Professionnel Documents
Culture Documents
Realizado por:
.......................... 7
Bibliografa .......................................................................................................................................... 9
RAM ESTATICA (SRAM)
Construccin
La celda bipolar est formada por dos transistores bipolares que constituyen un biestable que
representa un 1 cuando Q1 conduce y Q2 est cortado, y un 0 en caso contrario. Para poder
acceder a la cerda de memoria y leer su contenido debe activarse la lnea de seleccin
correspondiente mediante los decodificadores de direcciones. Una vez se ha seleccionado la celda,
la corriente que circulaba por el emisor del transistor conectado a la lnea de seleccin se
transfiere al emisor conectado a las lneas de datos.
Funcionamiento
Escribir un dato en la celda exige un proceso similar, se selecciona la celda y luego empleando las
lneas de datos se establece cul de los dos transistores conduce y cual permanece cortado. En la
celda MOS los transistores Q1 y Q2 constituyen un biestable, igual que en la celda bipolar,
mientras que Q3 y Q4 se emplean como resistencias. Una vez seleccionada la celda mediante los
decodificadores de filas, los transistores Q5 y Q6 permiten a las lneas de datos accede a ellas para
leerlas o escribirlas.
Memoria RAM Esttica HM3-6116L-5
Memoria SRAM esttica 2 K X 8 120 nS.
RAM Dinmica (DRAM)
Construccin
Conjuntos de transistor-condensador, y es el estado cargado/descargado de este condensador, el
que representa los bits individuales 1 o 0. La volatilidad se debe precisamente a que los
condensadores tienden a perder la carga.
Funcionamiento
Operacin de lectura
http://www.zator.com/Hardware/H5_3_2.htm
http://www.iuma.ulpgc.es/~roberto/asignaturas/EI/transparencias/EI_Tema_7.6.Memorias_ROM
-RAM.pdf
http://html.alldatasheet.es/html-pdf/166198/ETC1/HM3-6116L-5/206/2/HM3-6116L-5.html