Esercizio 1

Il grafico seguente riporta la relazione a Tamb tra tensione diretta e capacit differenziale in un diodo al silicio
+ 2
a giunzione brusca n -p , la cui sezione (circolare) ha diametro 0,5 mm . 1/C
2
a) Quale il potenziale di barriera di questo diodo a giunzione ?
+
b) Quale il drogaggio dela zona n e quello della zona p? 20 -2
2,5 x 10 F
Per ognuna delle quantit richieste ricavare dapprima una
espressione analitica e poi calcolare i valori.
15 -3 17 -3
[NA= 1,5x10 cm , ND=4,9x10 cm ]

0,75 V Vd
Esercizio 2
Determinare lespressione della capacit statica cs in un diodo p-n a giunzione brusca in funzione della
capacit differenziale cd . [ cs = 2 cd ]

Esercizio 3
++
Per un diodo al silicio a giunzione brusca p -n viene misurata a Tamb una capacit differenziale per sezione
unitaria di 100 pF/cm2, con una tensione inversa di 10V, e di 10000 pF/cm2 con una tensione diretta di 0,2V.
Sapendo che per tale diodo il potenziale di barriera di 0,5V calcolare:
a) Il valore che deve avere la tensione applicata affinch la capacit di barriera risulti minore, rispetto la
capacit di diffusione, almeno di un fattore pari a 2.
b) Le concentrazioni NA ed ND usate per realizzare la giunzione.
c) La lunghezza di diffusione delle lacune Lp.
16 -3 12 -3 -3
[V= 0,14V; N A = 3,7 x 10 cm ; ND = 1,3 x 10 cm ; Lp = 4,5 x 10 cm]

Esercizio 4
In figura rappresentato il modello equivalente per piccolo segnale di un circuito
in cui presente un diodo al germanio polarizzato direttamente con Vd = 0,3V (il Es
circuito di polarizzazione statica per il diodo non ovviamente riportato in figura). R =10
16 -3 2
Siano NA = ND = 10 cm , Dn/Ln = 20000 cm/s, Dp/Lp = 8000 cm/s, A = 0,5 mm .
Determinare il valore della capacit differenziale di diffusione mostrata dal diodo.
Determinare inoltre il valore della frequenza del generatore di segnale
sinusoidale Es per la quale il segnale presente ai capi del diodo diventa il 70% di
quello presente a frequenze molto basse. [cd = 1,6 F, f = 520 kHz]

Esercizio 5
Per il circuito di figura calcolare la corrente che lo attraversa e la tensione ai capi
dei due diodi, sapendo che D1 un diodo al germanio con corrente di saturazione D1 D2
IS = 10 A e D2 un diodo al silicio con IS = 1 A

10V 10 k
Esercizio 6
+
Progettare due diodi al silicio a giunzione brusca p -n aventi rispettivamente tensione di rottura pari a 6V e
19 -3
2V. Assumendo NA= 10 cm ed un campo elettrico critico pari a 500kV/cm, determinare per ciascun diodo il
drogaggio nella zona n e la larghezza della zona svuotata alla tensione di rottura.
Ripetere lo svolgimento considerando dei diodi al germanio ed assumendo in tal caso un campo critico pari
a 100kV/cm.

Esercizio 7
Un diodo a giunzione p-n ha una corrente inversa IS(27) = 50A quando la temperatura della giunzione Tj
pari a quella ambiente (27C). Si supponga che la I S sia indipendente dalla tensione, ma che il suo valore
aumenti linearmente con la temperatura Tj secondo un coefficiente = 0,11/C, quindi sia I S= IS(27) (1+ T).
Sapendo che la resistenza termica tra giunzione ed ambiente Rj-a di 200C/W, determinare la corrente di
regime nel diodo quando esso viene polarizzato con tensioni inverse di 50V e di 500V. [T=0,5C e 11C]

Esercizio 8
I due diodi Zener D1 e D2 di figura hanno rispettivamente corrente di
saturazione Is1 = 1 A e Is2 = 2 A ed una eguale tensione di rottura Vz = 100V.
Determinare la corrente nel circuito e la tensione ai capi di ciascun diodo per D1 D2
E = 90V ed E = 110V. Ripetere i calcoli precedenti supponendo di porre in
parallelo a ciascun diodo un resistore da 10M.

E
Esercizio 9
Il circuito di figura impiega due diodi al silicio D1 e D2 uguali, con corrente D2
di saturazione IS = 0,1 A a Tamb e tensione inversa di rottura VR= 10V.
Determinare le tensioni ai capi di R2 e di D2 nel caso in cui le temperature
di giunzione per i due diodi siano eguali e pari a Tamb. Si supponga poi di R1 R2
D1
porre il diodo D2 in un fornetto la cui temperatura di 30C superi ore a 100 M 10 M
quella ambiente. Determinare le variazioni delle tensioni ai capi di R2 e di
D2 per effetto della variazione della temperatura di giunzione di D2,
trascurando la variazione di VR e considerando IS = IS(amb) (1+ T), con
= 0,08/C. E =20V
Cosa succede nel caso sia E = 5V?

Esercizio 10 D2
Il circuito di figura impiega due diodi al silicio D1 e D2 uguali, con
tensione di soglia V = 0,6V, corrente di saturazione Is = 10nA e
resistenza dinamica r = 100 costante per V>V. A C
Tracciare landamento della tensione tra i punti C e D quando la 1 k 10
tensione tra i punti A e B varia linearmente tra 2V e 2V (si
1 k
trascurino gli effetti capacitivi nei diodi). Si studi il circuito anche D1
nel caso in cui venga invertito il diodo D1.
B D

Esercizio 11 10 k 1 k
Il circuito di figura impiega un diodo al germanio (D1 con B A
V = 0,2V) ed uno al silicio (D2 con V = 0,6V). Si supponga che
in conduzione essi abbiano una resistenza dinamica trascurabile, 1 k
D1
mentre in interdizione si comportino da interruttori aperti D2
(resistenza dinamica infinita). Determinare i valori della tensione
VAB tra i nodi A e B del circuito per i seguenti valori della tensione
E: 0V, 6V, 12V. 5V E
[VAB = -4,37V; -4,2V; -5,7V]