Politechnika Biaostocka

Wydzia Elektryczny
Katedra Automatyki i Elektroniki

Instrukcja
do wicze laboratoryjnych z przedmiotu:
Elektronika 2
Kod: ES1C400 026

Optoizolacja cyfrowa

Opracowa:
dr hab. in. Jakub Dawidziuk, prof. PB
Biaystok 2017
Program szczegowy laboratorium

1. Wprowadzenie przepisy BHP, regulamin laboratorium, zapoznanie studentw ze

stanowiskami laboratoryjnymi i aparatur pomiarow. (2 godz.)

2. Badanie diod i tranzystorw. (2 godz.)

3. Optoizolacja cyfrowa. (2 godz.)
4. Ukad rnicowy. (2 godz.)
5. Tranzystory jako ukady dwustanowe. (2 godz.)
6. Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych w ukadach liniowych. (2 godz.)
7. Trjkocwkowe stabilizatory napicia. (2 godz.)
8. Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych w ukadach nieliniowych. (2 godz.)
9. Stabilizator impulsowy. (2 godz.)
10. Podstawowe bramki logiczne. (2 godz.)
11. Ukady formowania impulsw. (2 godz.)
12. Przetworniki cyfrowo analogowe i analogowo cyfrowe. (2 godz.)
13. Ukady uzalenie czasowych. (2 godz.)
14. Zastosowania wybranych ukadw scalonych. (2 godz. )
15. Zaliczenie. Odrabianie zalegoci. (2 godz.)

Literatura podstawowa

1. Tietze U., Schenk Ch. Ukady pprzewodnikowe. WNT, 2009.

2. Horowitz P., Hill W. Sztuka elektroniki, cz. I i II. WKi, 2006.
3. Stepowicz W., Elementy pprzewodnikowe i ukady scalone. Gdask1999.
4. Filipkowski A. Ukady elektroniczne analogowe i cyfrowe. WNT, 2007.
5. Nosal Z., Baranowski J. Ukady elektroniczne cz.I - Ukady analogowe liniowe. WNT,
2003.
6. Antoszkiewicz K., Z.Nosal Z., Zbir zada z ukadw elektronicznych liniowych.
WNT, 1998.
7. Grecki P., Wzmacniacze operacyjne. Wydaw. BTC, 2002.
8. Platt Ch., Elektronika. Od praktyki do teorii (ebook). 2012.
9. Barlik R., Nowak M., Energoelektronika. Elementy, podzespoy, ukady. WPW,
Warszawa, 2014.

Literatura specjalistyczna oraz pimiennictwo pomocnicze podane s w instrukcjach do

wicze laboratoryjnych.
 Wydzia Elektryczny

INSTRUKCJA STANOWISKOWA BHP

Katedra Automatyki i Elektroniki

dotyczy zasad uytkowania stanowiska do wicze laboratoryjnych

z zakresu elektroniki.

Dotyczy zasad uytkowania nastpujcych urzdze:

Lp. Nazwa urzdzenia Oznaczenie

1. Oscyloskop cyfrowy Tektronix
2. Generator funkcyjny
3. Zasilacz stabilizowany

Aby unikn obrae, poraenia prdem elektrycznym lub uszkodzenia uytkowanych

urzdze, zaleca si uwane przeczytanie i przestrzeganie poniszych uwag eksploatacyjnych
z zakresu bezpieczestwa pracy.
Uytkowanie urzdzenia lub stanowiska powinno by zgodne z jego instrukcj obsugi
oraz odrbnymi instrukcjami obsugi elementw skadowych, jeeli takie wystpuj.
Wszelkie czynnoci serwisowe (naprawy, regulacje, wymiany bezpiecznikw, itp.)
powinny by wykonywane jedynie przez odpowiednio wykwalifikowane osoby.

Przed przystpieniem do pracy na stanowisku naley:

Zapozna si z instrukcj obsugi wykorzystywanych urzdze.
Zapewni poprawne uziemienie przyrzdu, poprzez poczenie przewodu ochronnego
kabla sieciowego do sprawnego gniazdka sieciowego z kokiem uziemiajcym.
Uywa waciwego kabla sieciowego zaprojektowanego dla danego urzdzenia,
speniajcego odpowiednie normy krajowe.
Przed wykonaniem jakichkolwiek pocze wyj i wej urzdzenia naley upewni
si, czy urzdzenie jest prawidowo uziemione.
Zapewni wymagane chodzenie przyrzdu poprzez prawidowy obieg powietrza
chodzcego przyrzd.
Aby unikn ryzyka poaru lub poraenia prdem, naley zwraca uwag na wszelkie
ostrzeenia na obudowie przyrzdu oraz nie przekracza podanych w instrukcji i na
obudowie maksymalnych dopuszczalnych wartoci napicia i prdu w gniazdach
urzdzenia.

Podczas pracy na stanowisku laboratoryjnym naley:

Zachowa ad i porzdek. Przyrzdy powinny by tak ustawione, aby nie mogy spa.
Wykonywa poczenia tak, aby nie zagraay uytkownikom stanowiska.
 Poczenia wykonywa moliwie najkrtszymi przewodami, unika pocze
przewodami zwisajcymi.
Nie naley podcza lub odcza sond lub przewodw pomiarowych, gdy one lub
punkt podczenia s pod napiciem.
Nie pracowa ze zdjtymi elementami obudowy lub zdemontowanymi panelami.
Nie dotyka metalowych elementw obwodu (gniazd, stykw, podzespow,
nieizolowanych przewodw mogcych znale si pod napiciem, itp.), gdy wczone
jest zasilanie urzdzenia.
Jeeli zachodzi podejrzenie uszkodzenia urzdzenia lub jego nieprawidowej pracy,
naley wyczy zasilanie i fakt ten zgosi osobie prowadzcej zajcia. Przed
przystpieniem do dalszej pracy urzdzenie takie powinno by sprawdzone przez
odpowiednio wykwalifikowan osob.
Nie uywa przyrzdu w miejscach o duej wilgotnoci, w atmosferze zawierajcej
gazy wybuchowe i agresywne korozyjnie.
Dba, aby powierzchnia przyrzdu bya zawsze czysta i sucha.

Po skoczeniu pracy na stanowisku naley:

Wyczy urzdzenia zasilane energi elektryczn.
Uporzdkowa stanowisko.

Czynnoci zabronione:
Uywanie urzdze niezgodnie z ich przeznaczeniem i instrukcj obsugi.
czenie elektrycznych obwodw pomiarowych znajdujcych si pod napiciem.
Samowolne otwieranie obudw i naprawianie urzdze zasilanych energi
elektryczn.

Pierwsza pomoc:
W przypadku poraenia prdem elektrycznym naley uwolni osob poraon spod
dziaania prdu elektrycznego przez natychmiastowe wyczenie napicia za pomoc
przycisku bezpieczestwa na tablicy zasilajcej.
Udzieli pomocy przedlekarskiej osobom poszkodowanym.
Przy nieszczliwych wypadkach naley bezzwocznie wezwa Pogotowie Ratunkowe
(tel. 999, kom. 112).

W przypadku poaru:
Odczy zasilanie urzdze, rozpocz ewakuacj ludzi z zagroonego obszaru.
Gasi urzdzenia dostpnymi rodkami ochrony p.po., a w koniecznym przypadku
wezwa Stra Poarn (tel. 998, kom. 112).

Instrukcja przygotowana na podstawie dokumentacji technicznych ww. urzdze.

1. Cel i zakres wiczenia
Celem wiczenia jest poznanie jednego z podstawowych elementw optoelektronicznych
transoptora, stosowanego w ukadach cyfrowych i analogowych oraz weryfikacja informacji
dotyczcych jego funkcjonowania w zastosowaniach praktycznych. Zakres wiczenia dotyczy
bada waciwoci dynamicznych transoptora.

2. Wprowadzenie
Transoptor jest pprzewodnikowym elementem optoelektronicznym skadajcym si
z fotoemitera (nadajnika) i fotodetektora (odbiornika), umieszczonych we wsplnej
obudowie. Fotoemiterem jest najczciej dioda LED pracujca w zakresie podczerwieni. Role
detektorw peni rne elementy wiatoczue, w tym fotodioda, fototranzystor, fototyrystor,
fotorezystor (rys. 1), fototriak, fotodioda z tranzystorem, bramki cyfrowe oraz transoptory
analogowe.

Rys.1. Symbole graficzne transoptorw z rnymi fotodetektorami: a) fotorezystorem, b) fotodiod,

c)fototyrystorem, d) fototranzystorem, e) fototranzystorem z wyprowadzon baz, f) fototranzystorem w
ukadzie Darlingtona

Gwne zastosowanie transoptorw (inaczej optoizolatorw) to galwaniczna separacja czci

obwodw elektronicznych, czsto pracujcych na ekstremalnie rnych potencjaach.
Sprzenie strony wtrnej z pierwotn realizowane jest na drodze optycznej. Transoptory
wykorzystywane s powszechnie w technice pomiarowej, ukadach automatyki, a take w
specjalizowanych urzdzeniach, np. w aparaturze medycznej, do oddzielenia obwodu
pacjenta od sieci elektrycznej.
Transoptory stosowane s do przenoszenia zarwno sygnaw cyfrowych, jak
i analogowych. Najszersze pasmo przenoszenia, sigajce kilkudziesiciu megahercw, maj
transoptory z fotodiod jako detektorem, najwsze transoptory z fotorezystorem. Wrd
pozostaych parametrw transoptora naley wymieni:
maksymalny (dopuszczalny) prd diody nadawczej,
maksymalny (dopuszczalny) prd fotodetektora,
maksymalne napicie w obwodzie wejciowym i wyjciowym,
wspczynnik wzmocnienia prdowego, przekadnia prdowa transoptora,
napicie przebicia,
rezystancja izolacji,
 parametry dynamiczne czas zaczenia i wyczenia,
zakres temperatury pracy.

Kady element elektroniczny generuje opnienie midzy sygnaem wejciowym

i wyjciowym oraz znieksztaca amplitud. Charakterystyki przeczania mog by okrelone
przez porwnanie przebiegw czasowych prdu wejciowego IF z prdem wyjciowym IC.
Bardzo istotnym parametrem jest czas przeczania. Zaley on od prdu diody oraz ukadu
pracy i wartoci elementw zewntrznych tranzystora. Czas przeczania ogranicza
maksymaln czstotliwo pracy.
Wanym parametrem transoptora jest wspczynnik wzmocnienia prdowego CTR (ang.
current transfer ratio), nazywany rwnie przekadni prdow, zdefiniowany w ukadzie z
fototranzystorem nastpujco:

IC
CTR ,
IF

gdzie: IC oznacza prd kolektora fototranzystora (prd wyjciowy), natomiast IF to prd diody
LED spolaryzowanej w kierunku przewodzenia (prd wejciowy). Warto wspczynnika
wzmocnienia CTR moe by mniejsza od 1, a w przypadku uycia fotodiody w charakterze
fotodetektora, jest znacznie mniejsza (czsto wspczynnik ten jest podawany w procentach -
mnoony przez 100).
Warto CTR zaley od wspczynnika wzmocnienia prdowego tranzystora hFE (),
napicia pomidzy kolektorem a emiterem UCE, prdu przewodzenia diody LED IF oraz
temperatury pracy. Przy projektowaniu naley sprawdzi i zweryfikowa swoje zaoenia
i obliczenia uwzgldniajc warunki pracy elementu.

3. Wpyw rodzaju wczenia fototranzystora na czas zaczenia i wyczenia

Przy wczeniu fototranzystora ze wsplnym kolektorem czas narastania jest znacznie krtszy
dziki braku efektu Millera, ni przy wczeniu ze wsplnym emiterem (rys. 2).

Rys. 2. Ukady wczenia transoptora z fototranzystorem: a) ze wsplnym emiterem, b) ze wsplnym kolektorem

W typowej konfiguracji ze wsplnym emiterem pojemno kolektor-baza CCB jest

pojemnoci sprzenia zwrotnego, postrzegana przez wejcie jest znacznie wiksza

C WE CCB 1 g m R0 CCB ,
gdzie, gm jest transkonduktancj fototranzystora. W wyniku duej wartoci CWE ulega
zwikszeniu czas narastania, a zmniejszeniu pasmo czstotliwoci. Proces wyczenia jest
znacznie szybszy.
W konfiguracji wsplnego kolektora efekt Millera nie ma miejsca. Czas narastanie jest
krtki, wydua si czas opadania (rys. 3). Pasmo czstotliwoci jest wysze ni w ukadzie
wczenia ze wsplnym emiterem. Czas przeczania ogranicza maksymaln czstotliwo
przesyania sygnaw. Czasy przeczania transoptorw mog rni si o dwa lub wicej
rzdw wielkoci (np. CNY17 jest wolnym, a HCPL2631 szybkim transoptorem).

Rys. 3. Wymuszenie i odpowied transoptora oraz parametry dynamiczne: tp - czas trwania impulsu, td czas
opnienia, tr czas narastania, ts czas magazynowania, tf czas opadania, ton czas zaczenia, toff czas
wyczenia

Fototranzystor zazwyczaj dziaa w obwodzie przedstawionym na rys. 4. W wikszoci

zastosowa rezystor RB moe by pominity. W niektrych fototranzystorach baza nie jest
wyprowadzona na zewntrz obudowy. Rezystor RB moe by wykorzystany do zmniejszenia

Rys. 4. Fototranzystor z doczonym rezystorem w obwodzie bazy

wpywu otaczajcego ta poprzez ustawienie wartoci progowej promieniowania (patrz

rwnania 1 i 2). Due wartoci rezystora bazy RB zabezpieczaj ukad przed wzrostem prdu
kolektora przy maym owietleniu, w ten sposb zapewniajc bardziej niezawodn prac
wyjcia cyfrowego.

Vo Vs e S RL (1)
 0,6
Vo Vs e S RL (2)
RB

gdzie: wspczynnik wzmocnienia prdowego tranzystora, e moc promieniowania [W],

S() czuo detektora [A/W].

4. Optoizolacja cyfrowa
Rysunek 5 przedstawia symbol graficzny transoptora, najbardziej popularnego ukadu
stosowanego do separacji galwanicznej sygnau cyfrowego.

Rys.5. Obudowa z wyprowadzeniami transoptora dioda LED - fototranzystor

Rozdzielenie galwaniczne, czyli oddzielenie elektryczne dwch czci urzdzenia, to

jedna z najwaniejszych funkcja transoptora. Stosuje si je, gdy na przykad czci urzdzenia
pracuj na rnych napiciach, w szczeglnoci, gdy jednym z nich jest np. napicie 230 V.
Sygna z wejcia do wyjcia jest przekazywany za pomoc wiata, a nie prdu.
Transoptor mona rozpatrywa jak tranzystor z rezystorem w bazie, gdzie warto
rezystora w mniejszym lub wikszym stopniu ogranicza prd bazy, powodujc mniejsze lub
wiksze wysterowanie tranzystora. Podobnie jest w transoptorze. Dioda LED moe wieci
mocniej lub sabiej. Natenie wiecenia reguluje si to prdem przepywajcym przez LED,
czyli prd kolektora tranzystora zaley od prdu diody LED. Rwnie od prdu diody zaley
maksymalna czstotliwo przesyanego sygnau, poniewa szybko dziaania tranzystora
zaley od stanu jego nasycenia (przesterowania).
Warunki pracy tranzystora w obszarze aktywnym i w stanie nasycenia okrelaj ponisze
rwnania:
w obszarze aktywnym I c RL Vs ,
w stanie nasycenia I c RL Vs .
Przykadowe zastosowanie transoptora do separacji sygnau cyfrowego zamieszczono na
rys. 6. Zwr uwag na dwa rne oznaczenia mas, ktre s rozdzielone galwanicznie (nie
maj poczenia metalicznego). Wicej o izolacji galwanicznej moesz znale w pliku
Vademecum do laboratorium elektroniki na stronie internetowej Katedry Automatyki i
Elektroniki.
Rezystor R5 naley tak dobra, aby przyoenie napicia odpowiadajcego logicznej 1
spolaryzowao wystarczajco duym prdem (ok. 15 mA) diod wiecc. W wyniku emisji
wiata przez diod LED, fototranzystor przechodzi w stan przewodzenia, co z kolei
powoduje przejcie w stan przewodzenia tranzystora T1 i pojawienie si na pinie P3 napicia
bliskiego +5 V.
Po przyoeniu na wejcie ukadu logicznego 0, w wyniku maej rnicy potencjaw
pomidzy pinami P1 i P3 dioda nie emituje wiata, fototranzystor pozostaje w stanie
zatkania, podobnie tranzystor T1 i w konsekwencji pin P9 zwarty jest do masy przez rezystor
R2.

Rys. 6. Przykad zastosowani transoptora do separacji galwanicznej sygnau cyfrowego

Powyszy ukad mona zastosowa np. do sterowania sekcjami w silniku krokowym za

pomoc cyfrowych portw wyjciowych mikrokontrolera. Transoptor wprowadza izolacj
galwaniczn pomidzy obydwoma obwodami: sterujcym i wykonawczym. Ewentualne
uszkodzenie tranzystora T1 moe w najgorszym przypadku spowodowa zniszczenie
fototranzystora przez zbyt due napicie zasilajce UCC (np. UCC= 24 V). Napicie to nie
przedostanie si na diod nadawcz LED. W klasycznym transoptorze warto napicia
przebicia pomidzy diod LED i fototranzystorem wynosi ok. 3,5 kV.
Rezystory R1 i R2 naley dobra w taki sposb, aby 1 na wejciu nie wprowadzaa
w zbyt gbokie nasycenie tranzystora T1. Im gbiej jest nasycony tranzystor, tym
duej wychodzi z tego stanu. Nieodpowiednie dobranie R1 moe w znaczcy sposb
opni czas narastania zbocza przy przechodzeniu sygnau na wyjciu P9-P11 ze
stanu 0 do stanu 1.
Dobr rezystora R4. Zbyt maa warto rezystancji R4 powoduje, e dla uWEJ = 0 V na
wyjciu moe pojawi si niskie napicie, np. 0,5 V, ktre jest wynikiem obecnoci
szumw w bazie fototranzystora. Natenie tych prdw jest na tyle due, e
fototranzystor pracuje w stanie aktywnym. Zbyt maa warto rezystora R4 powoduje,
e wszystkie noniki adunku generowane przez wiato w bazie fototranzystora s
odprowadzane do masy i tranzystor jest cay czas zatkany lub pracuje aktywnie, ale
nie jest w stanie nasyci tranzystora T1. W konsekwencji tego, dla uWEJ = 1 napicie
na wyjciu wynosi 0 V lub osiga warto napicia poredni pomidzy 0 i 1.
Rezystancja wyjciowa powyszego ukadu zaley od stanu pracy tranzystora T1. Gdy
tranzystor jest nasycony, rezystancja wyjciowa ukadu jest bardzo maa. Bardziej
niekorzystna sytuacja zachodzi, gdy na wyjciu jest 0. Wwczas T1 jest zatkany
i rezystancja wyjciowa jest rwna wartoci R2. Zmniejszenie tej rezystancji jest
korzystne z punktu widzenia dopasowania napiciowego, ale moe take spowodowa
niespenienie warunku nasycenia w ukadzie fototranzystor tranzystor T1.
 Dobierajc warto R2 naley zauway, e rezystor ten jest jednoczenie elementem
ograniczajcym prd w kolektorze tranzystora T1. Zbyt maa warto tej rezystancji
moe uszkodzi prdowo T1.

Rys. 7. Widok pytki laboratoryjnej

5. Zadanie domowe
Korzystajc z not katalogowych transoptora 4N35 i tranzystora 2N2905 oblicz wartoci
rezystorw R1, R4 i R5 zapewniajce maksymaln czstotliwo przesyanego sygnau dla
obcienia R2=2 k, R3=.

6. Pomiar parametrw dynamicznych transoptorw

Pomiary parametrw dynamicznych transoptorw wykonuje si w ukadzie przedstawionym
na rys. 6, z zastosowaniem pytki laboratoryjnej rys. 7. Do wejcia JP1 doprowad sygna
z generatora impulsw prostoktnych o regulowanej amplitudzie i czasie trwania tych
impulsw. Do pomiarw wykorzystaj oscyloskop dwukanaowy, do kanau CH1 podcz
sygna wejciowy, a do kanau CH2 sygna wyjciowy (rys. 8).
Do badanego ukadu zamontuj rezystory o wartociach obliczonych w zadaniu
domowym. Fototranzystor i tranzystor bipolarny powinny pracowa w nasyceniu.
Dokonaj pomiarw czasw przeczania transoptorw i czstotliwoci pracy dla kilku
rodzajw (obcienie R, RC i RL) i wartoci obcienia oraz czasw trwania
impulsw.
Okrel czstotliwo powodujc znieksztacenia przebiegw wyjciowych.

7. Zawarto sprawozdania
Sprawozdanie powinno by wykonane starannie, jednak bez zbdnej formalistyki. Powinno
zawiera schematy pomiarowe, wyniki pomiarw oraz oscylogramy z dat wykonanego
wiczenia, wykonane obliczenia wstpne i projektowe oraz ich weryfikacj z wynikami
pomiarw.
 a) Na przebiegach oscyloskopowych (dla kilku wartoci obcienia) zaznacz czasy
narastania, opadania i przeczania transoptora.
b) Porwnaj otrzymane wartoci czasw z danymi katalogowymi.
c) Oce wpyw obcienia i czasu trwania impulsu na wasnoci dynamiczne badanego
transoptora.
d) Przedstaw nieznieksztacony przebieg wyjciowy dla niskiej czstotliwoci
wejciowej oraz znieksztacony przebieg wyjciowy przy wysokiej czstotliwoci
wejciowej.
e) We wnioskach opisz szczegowo i wyjanij wyniki pomiarw oraz rozbienoci
pomidzy teori a badaniami eksperymentalnymi.

Rys. 8. Przykad konfiguracji aparatury pomiarowej z pytk laboratoryjn

Dane katalogowe transoptora i tranzystora s dostpne na stronach internetowych

producentw, np.:
http://teslabs.com/meteotek08/fitxers/datasheets/4N28.pdf
http://html.alldatasheet.com/html-pdf/15070/PHILIPS/2N2905/495/2/2N2905.html