Informe N 11

Laboratorio De Circuitos Electrnicos

Preparado por:

JUAN ESTEBAN SIERRA AGUILAR

ALEXIS LEANDRO ZAPATA ZAPATA

Profesor:
JUAN DAVID GALLEGO GOMEZ

Departamento De Ingeniera Elctrica

Facultad De Ingeniera
Universidad De Antioquia

MEDELLN
2015-1
 Conceptos tericos de apoyo

Distribucin de tensiones en polarizacin: A la hora de disear se recomienda

empricamente distribuir el resto de la tensin entre la resistencia de colector y la de
emisor de las siguiente formas.
Caso 1)
Donde no existe la resistencia de retroalimentacin.

Caso 2) donde hay resistencia de emisor y colector.

Tngase en cuenta que entre el emisor y el colector siempre caen Vcc/2 debido a que se
quiere ubicar el punto Q en medio de la recta de carga.
 Desarrollo.
El procedimiento para los clculos es el mismo sea PNP o NPN, por tal motivo solo se
describe la forma en la que se hicieron los primeros clculos para cada caso de
polarizacin.
Valores conocidos
B=256, Vcc=9, Icsat=20mA.

Autopolarizacin.
Circuito a disear:

En el circuito mostrado se calcula primero R2, ya que su clculo se hace suponiendo

saturacin ideal, es decir en el transistor caen 0V, as entonces:
V cc 9V
Rc = = =450
I csat 20 mA
Una vez hecho esto, como deseamos tener el punto Q en medio tendremos:
V cc
V ceq = ; I cq=10 mA
2
Conocemos la tensin y la resistencia de colector, por tanto podemos hallar la corriente de
colector y a su ve la de base con la siguiente relacin.
Ic
I b=

Ahora si realizamos la malla de base podremos hallar el valor de la resistencia de base.
V cc0.7
I b=
Rb
Una vez realizados el procedimiento se tiene que:
Rb=212.48 K
Ya tenemos todos lo necesario para la Autopolarizacin, procedamos a simular.
-Para este punto basta con una simple simulacin donde se aprecie que entre el colector y
emisor cae aproximadamente la mitad de la tensin de alimentacin (aprox. 4.5V).

Ahora procedamos a la parametrizacin para grafica la corriente y tensin de colector

contra beta.
El punto de cruce entra la recta de la tensin (verde) y la corriente (azul), corresponde al
valor del beta usado en los clculos (aprox. 256).

Ahora graficaremos los diferentes puntos de Q.

Para graficar estos, necesitamos la recta de carga completa, por lo cual se ajustan los
lmites de los ejes manualmente; se hace la simulacin con el .op
Y luego el eje X se cambia a la variable que contenga la tensin colector emisor.
Se aprecia que el punto Q usado, corresponde a la mitad de la recta de carga.
Para conocer el cambio de Q construimos la siguiente ecuacin:

Q
100 =
2 2
( X finalX inicial ) + ( Y finalY inicial )
100
Q Q Q
X 2
+ Y 2

Donde:
X Q =V ceQ ; Y q=I bQ
Tenemos entonces que la variacin en este caso es:
( 6.78 v277.96 mV ) + ( 4.93 mA19.38 mA ) 100 454
2 2

4.52 +10 mA 2

Ahora tenemos el mismo circuito, pero con un transistor PNP

Se tiene el mismo anlisis en las ecuaciones, por tanto los valores de las resistencias son
los mismos.
De la grfica se puede apreciar que en el punto de interseccin, es decir en el valor de beta
usado se cumplen los valores supuestos en el diseo.
Procedamos pues a hacer la recta de los puntos Q, la cual debe ser idntica a la del otro
transistor.
La recta es bastante similar, por tanto podemos afirmar que su varacipon porcentual de
carga es aprox. Del 454%

Autopolarizacin con resistencia de emisor.

Lo primero es dadas las condiciones de saturacin hallar la resistencia Rc y Re a usar.

Como el anlisis es similar al primer puntos, tenemos: Rc+Re=450 Ohms.
Luego como estamos diseando repartimos la tensin como se muestra.
Una vez hechas estas consideraciones, se conoce la corriente de colector, se conoce el
beta, y con la ecuacin de la malla de emisor se hallar la resistencia de base.
Para el primer caso es decir el transistor NPN, se tiene:
Rc + Re =450
Ic
I cQ=10 mA ; I b= =39.063 A

Como ya distribuimos tensin al ser diseo, podemos hallar las resistencias.
3V 1.5 V
Re = =300 ; R c = =150
10 mA 10 mA
En caso de usas el otro transistor estas resistencia se invierten, es decir la de emisor es la
de colector y viceversa.
Se procede a continuacin con la malla de base:
Vcc0.7 V V
Rb=
Ib
Obsrvese que se obtendr valores diferente puesta que la cada sobre la resistencia de
emisor cambia segn el transistor usado (NPN o PNP)
En el primer caso se muestran en la siguiente imagen las resistencias usadas.

La resistencia de base se redondeo.

Ahora las grficas de tensin contra beta, y corriente contra beta.
El punto de interseccin debe ser cercano al beta usado en los clculos.
Este difiere del real debido a las aproximaciones y modelos usado tanto en simulacin,
como tericos para desarrollar los clculos.
Ahora veamos las variaciones del punto Q, en esta configuracin.
Se puede apreciar que la recta disminuy su longitud, es decir se tiene menos
dependencia del parmetro beta, calculemos esta.

( 1.51 v6.5542V ) +( 16.63 mA5.42 mA ) 100 122

2 2

4.5 2+10 mA 2
Sigue siendo una variacin bastante grande, sin embargo observando los valores extremos
de la recta podemos afirmar que con esta configuracin antes los cambias de beta hechos,
el transistor siempre oper en regin activa.

Usando el transistor PNP:

Vase que la resistencia de base es diferente.

A continuacin se presenta la grfica de Vce, Ic contra beta.
El punto de interseccin se acerca bastante al calculado; anteriormente se mencion a que
se deben estos errores.
Procedamos con la recta de las Q.

Se observa la misma reduccin, pero ahora los valores son mejores con este transistor,
mostrmoslo porcentualmente.
 ( 2.72 v 6.43V ) +( 16.96 mA 5.72 mA ) 100 82
2 2

4.52+ 10 mA 2
Ahora el porcentaje de variacin empieza a mejorar comparndolo con los dems.

Divisor de tensin rgido y no rgido.

Estos montajes difieren entre s en las resistencias base, son alteraras por la condicin de
rigidez, por tanto los clculos para las resistencias de colector y de emisor solo se haran
una vez, pero puesto que el anlisis para estas resistencias es repetitivos, y no se han
cambiado las condiciones, de entrada sabemos que la suma entre las resistencia de
colector y la de base debe ser 450Ohms, los valores como tal dependen del transistor
usados, pero son bsicamente la expuesta en el enunciado anterior.
Procedimiento.
1) Asumir la corriente de base de base despreciable, respecto a la corriente de
emisor.
2) Se aplica el criterio emprico de Vcc/2, Vcc/3 y Vcc/6.
3) Hecho esto se conocen todas las tensiones, y segn el paso uno, se puede asumir
por tanto que IcIe
4) Se usa el criterio de rigidez, puesto que se conoce la resistencia de emisor, hecho
esto se escoge un valor para R2 de acuerdo al mismo criterio, y se calcula R1 con el
divisor de tensin.
Circuitos a implementar.
Nota: los valores correctos se muestran en cada punto.
NPN no rgido:

Los valores se aproximan a los calculados; ahora se aprecia un error mayor.

Lo ms notable es que ahora no hay rectas, y el beta encontrado no corresponde al usado,
esto puede deberse a las aproximaciones usadas, adems, el criterio de rigidez es tambin
un criterio emprico.
Punto Q:
La grafica no tiene sentido respecto a lo explicado anteriormente, el punto Q, no est
contenido en la recta, por tanto no tiene sentido hallar la variacin de Q, pese a ello
podemos observar que la variacin es bastante imperceptible.
Se podra usar otro modelo aproximado para calcular esta variacin.
Asumimos que el cambio en la corriente es despreciable. Y comparamos respecto al
centro, es decir a Vcc/2.
Esto podra darnos un resultado aproximado, pero como no es el mismo criterio para todas
las simulaciones, se puede dudar a la hora de comprar resultados.
6.05 V 5.27 V
100=17.33
4.5 V
Hagamos el mismo tratamiento pera usando el transistor PNP.
Las apreciaciones para las rectas y el beta son las mismas hechas anteriormente.
La variacin ac tambin es minscula, e igual que en el circuito anterior, el punto Q usado
no est contenido en la recta.
Teniendo en cuenta los criterios para hallar la variacin de Q usados anteriormente, el
error ac es del 9.11%, bastante menor que con el NPN

Diviso rgido.

Para este circuito se aplica el criterio usado en el punto anterior, pero se invierte la
desigualdad, estos circuitos que se mostrarn son lo ms sugeridos a crear en la prctica.
Transistor NPN:
Se aprecia que entre el colector y el emisor caen aproximadamente lo 4.5V, lo que asegura
que el transistor este en regin activa.

El beta difiere bastante del calculado. Para poder ser ms concluyentes observemos las
variaciones de Q.
El cambio es despreciable, y el punto Q calculado, no se encuentra en la recta, por tanto
usamos el mismo criterio de clculo que en los 3 montajes anteriores.
54.93
100=1.6
4.5
Cercano al 2% es decir un muy buen amplificador respecto a los anteriores.
Ahora con el transistor PNP:
El beta encontrado no corresponde al calculado, sin embargo, los betas en la configuracin
de divisor rgido son iguales, al menos en simulacin.
Esto nos dice que independientemente del transistor, esta es una buena configuracin
para un amplificador usando transistores.

La variacin es ahora an ms insignificante, es casi inmune a los cambios de beta.

4.754.7
100=1.1
4.5
La variacin es cercana al 1%. Se puede concluir que la ltima configuracin con la
condicin de divisor de tensin rgido es la mejor para usar en estos casos.

Implementacin fsica.

i) Autopolarizacin con retroalimentacin.

Se realiz el montaje mostrado a continuacin en el cual se obtuvieron las siguientes

tensiones.

elemento Voltajes resistencias corrientes

CE 4,355
Rc 3,14 296,4 10,59m
Re 1,572 148,8 10,6m
b 6,788 168800 40,21u
Beta 263,61
calculado
beta medido 276
Luego se cambi el transistor y obtuvimos los siguientes datos.

elemento Voltajes resistencias corrientes

CE 4,943
Rc 2,785 296,4 9,4m
Re 1,401 148,8 9,41m
b 6,99 168800 41,41u
Beta 227
calculado
beta medido 234

Conclusiones del punto Q respecto a este montaje:

Vara mucho el beta medido del calculado, por las variables fsicas que presenta el
transistor, aun midindolo si se deja un tiempo en el multmetro se podr observar que
este valor cambia de manera impredecible.
Al hacer el cambio de transistores se observan grandes variaciones, ms de las esperadas
en la corriente de colector y el voltaje de colector emisor, entre un transistor y otro el
cambio entre estos punto solo teniendo en cuenta las tensiones de es de 0.588 ante una
variacin de beta calculado en 50, para nuestro fines este cambio es considerable, ya que
el punto Q se mover bastante.
 ii) Polarizacin con divisor de tensin rgido.

Montaje realizado con los valores reales de las resistencias y las respectivas tensiones
medidas.

Los datos se exponen en la tabla a continuacin.

elemento Voltajes resistencias corrientes

CE 4,567
Rc 2,73v 297,8 9,18m
Re 1,512 148.6 10,24m
Rb1 6,891 1470 4,69m
Rb2 2,183 464 4,7m
Beta
918
calculado
beta medido 233
Ib=Ib1-Ib2
Luego al cambiar de transistor obtuvimos:

elemento Voltajes resistencias corrientes

CE 4,555
Rc 3,041 297,8 10,22m
Re 1,52 148,6 10,23m
Rb1 6,881 1470 4,68m
Rb2 2,235 464 4,7m
Beta 102.1 4,81m
calculado
beta medido 273
Este circuito a simple vista de los datos obtenidos se puede decir que es un buen
amplificador ya que su variacin en tensin del punto Q es de 0.012, bastante poco ante
una variacin de betas medidos de 645.
Tngase en cuenta que el parmetro beta varia demasiado y la medida depende del
momento en el que se haga dicha medicin.
En general para fines de amplificacin anloga, esta ltima configuracin es la ms
recomendable.