TRANSISTOR BIPOLAR NPN 2N3904 GRUPO 2 20-6-2016

U.N.M.S.M
FACULTAD DE ING. ELECTRNICA,
ELCTRICA Y TELECOMUNICACIONES

Apellidos y Nombres MATRICULA

Salinas Espinoza Fabricio 15190268

Navarro Pereda Miguel Eduardo 15190084
Patricio Claudio Edwin Jonny 15190022
Hilasaca Muro Juan Gabriel 15190256
Curso Tema
Dispositivos El transistor bipolar NPN. Caractersticas
Electrnicos Bsicas.

Informe Fechas Nota

Final Realizacin Entrega

Numero
13-06-16 20-06-16
7
Grupo Profesor
2 Ing. Luis Paretto Q.

FINAL 7 HORARIO LUNES 10-12PM 1

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CONTENIDO DEL INFORME FINAL 7

1)Objetivos
2)Introduccin terica
3)Material y equipo utilizado
4)Procedimiento
5)Datos obtenidos e Interpretacin
6)Cuestionario final
7)Conclusiones y recomendaciones
8)Bibliografa

TRANSISTOR BIPOLAR NPN 2N3904

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I. OBJETIVOS:

Verificar las condiciones de un transistor bipolar NPN 2N3904.

Comprobar las caractersticas del funcionamiento de un transistor bipolar
NPN 2N3904.

II. INTRODUCION TEORICA:

Qu es un transistor NPN?
Un transistor PNP es uno que controla el flujo de corriente principal,
alterando el nmero de agujeros en lugar del nmero de electrones en la
base. El bajo costo, fiabilidad y el tamao pequeo de los transistores los
ha convertido en uno de los grandes inventos del siglo 20.

Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo

cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta
manera quedan formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.

ESTRUCTURA:

Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones semiconductoras

dopadas: la regin del emisor, la regin de la base y la regin del colector.
Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP

Regin activa directa en cuanto a la polaridad:

Corriente del emisor = ( + 1)Ib ; corriente del colector= Ib
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Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de

corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la
corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de
(ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se
encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta regin es la ms
importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de
seal.

Regin inversa:
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el
transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las
regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayora de
los BJT son diseados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo,
el parmetro beta en modo inverso es drsticamente menor al presente en
modo activo.

Regin de corte: Un transistor est en corte cuando:

Corriente de colector = corriente de emisor = 0, (I c = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje
de alimentacin del circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay cada
de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la
corriente de base = 0 (Ib =0)
Forma simplificada, se puede decir que el la unin CE se comporta como un
circuito abierto, ya que la corriente que lo atraviesa es cero.

Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:

Corriente de colector corriente de emisor = corriente mxima, (I c Ie = Imx)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin
del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en
ambos, ver Ley de Ohm. Se presenta cuando la diferencia de potencial entre
el colector y el emisor desciende por debajo del valor umbral VCE,sat. Cuando
el transistor esta en saturacin, la relacin lineal de amplificacin I c=Ib (y
por ende, la relacin Ie=(+1)Ib ) no se cumple.

III. MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO:

Un miliampermetro DC.
Un multmetro digital.
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Un micro ampermetro DC.

Un voltmetro de C.C.
Un transistor 2N3904.
Un osciloscopio.
Resistores: Re=220, Rc=1K, R1=56K, R2=22K.
Condensadores Cb=0.1F, Cc=0.1F, Ce=3.3F.
Una fuente de C.C variable.
Un potencimetro de un 1M.
Cables conectores.

IV. PROCEDIMIENTOS:

i. Verificar el estado operativo del transistor, usando el ohmmetro. Llenar la

tabla 1.

RESISTENCIA DIRECTA() INVERSA()

Base emisor 0.907 K >>30 M
Emisor colector 0.899 K >>30 M
Colector -Emisor >>30 M >>30 M

ii. Armar el circuito:

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a) Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base (Ib).
Obtener el (usar P1=0).
b) Medir los voltajes entre el colector-emisor (Vce), entre base-emisor
(Vbe) y entre emisor-tierra (Ve).
c) Colocar los datos obtenidos en la tabla 2.

Valores (R1= 56K) Ic(mA) Ib(A) Vce (v) Vbe(v) Ve (v)

Tericos 3.695 123.148 30 7.492 0.6 0.839
Medidos 6.6 240 27.5 3.96 0.68 1.39

d) Cambiar R1 a 68K, repetir los pasos (a) y (b) y anotar los datos en
la tabla 3 (por ajuste de P1).

Valores (R1= 68K) Ic(mA) Ib(A) Vce (v) Vbe(v) Ve (v)

Tericos 2.986 99.522 30 8.357 0.6 0.876
Medidos 5.4 200 27 5.24 0.68 1.16

e) Aumentar las resistencias de P1 a 100K, 250K, 500K y 1M.

observar lo que sucede con las corrientes Ic, Ib y con el voltaje Vce.
Llenar la tabla 5.

P1 100 K 250 K 500 K 1 M

Ic (mA) 1.4 0 0 0
Ib(uA) 5.02 0 0 0

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Vce (v) 10.08 11.63 11.63 11.64

(Q3) (Q4) (Q5) (Q6)

iii. Ajustar el generador de seales a 50mv.pp, 1KHz., onda senoidal. Observar

la salida de Vo con el osciloscopio. Anotar en la tabla 4.

TABLA Vi(mv.pp) Vo(v.pp) Av Vo(sin Ce) Av(sin Ce)

2(Q1) 1.1 7.12 154.5 3.2 343.8

V. CUESTIONARIO FINAL:

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(a) Explicar el comportamiento del transistor al hacer su verificacin

operativa con el Ohmmetro.

En la tabla 1 se observa que las resistencias base-emisor, base-

colector y colector-emisor en polarizacin directa son bajas, ya que en
polarizacin directa el transistor conduce corriente. En polarizacin
inversa se observa que las resistencias son muy altas lo cual est
bien ya que en polarizacin inversa el transistor no conduce corriente.

(b) Representar la recta de carga en un grfico Ic VS Vce del circuito

del experimento. Ubicar los puntos correspondientes a las Tabla 2, 3
y 5.

Ic (A) vs Vce(v)
7

0
3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13

(c) En qu regiones de trabajar se encuentran los puntos de las Tabla

2 y 3?

Los puntos de la tabla 2 y 3 se encuentran en la regin activa

(d) Qu sucedera con el punto de operacin si cambios R1 a 150k?

Explicar lo ocurrido e indicar sus valores tericos.

Si aumentamos el R1 el punto de operacin se desplazar hacia la

regin de corte.

(e) Indicar las diferencias ms importantes entre el circuito de este

experimento (transistor NPN) con respecto al anterior (transistor
PNP).

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La diferencia que hay entre un transistor NPN y otro PNP radica en la

polaridad de sus electrodos
Una forma de identificar un transistor NPN o PNP es mediante un
polmetro: Este dispone de dos orificios para insertar el transistor, uno
para un NPN y otro para el PNP. Para obtener la medida de la ganancia
es necesario insertarlo en su orificio apropiado, con lo que queda
determinado si es un NPN o un PNP.

VI. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES:

En el experimento notamos que si aumentamos el valor de R1 el punto de

operacin se desplaza hacia la regin de corte ya que la corriente de
colector y la corriente de base empez a disminuir y el voltaje de colector-
emisor a aumentar cuando aumentamos R1.

Tambin notamos lo mismo en el caso de la Re ya que cuando hicimos

Re=0 el punto de operacin se desplaz hacia la regin de saturacin.

Se recomienda adquirir el transistor y los condensadores; no confiarse en

que est disponible en el almacn para evitar retrasos.

VII. BIBLIOGRAFIA:

http://hacedores.com/identifica-transistores-npn-y-pnp-con-este-sencillo-circuito/
http://www.ecured.cu/Transistor_2N3904
http://www.datasheetcatalog.net/es/datasheets_pdf/2/N/3/9/2N3904.shtml
http://www.futurlec.com/Transistors/2N3904.shtml

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