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1. ETAPAS DE SALIDA.

AMPLIFICADORES DE POTENCIA

1.1 Transistores BJT y MOSFET (revisin)

1.2 Etapas de salida en clase A. Etapas de salida en clase B y AB

1.3 Transistores BJT y MOSFET de potencia. Consideraciones


trmicas

1.4 Protecciones contra cortocircuitos. Protecciones trmicas

1
1.1 TRANSISTORES BJT y MOSFET (revisin)

Organizacin:

(i) Modelos en continua y para gran seal (BJT)


(ii) Modelos para pequea seal (BJT)
(iii) Transistores MOSFET

Objetivos:
revisar los modos de operacin de los transistores BJT y MOSFET
revisar los modelos para analizar circuitos
- en continua y en gran seal
- en pequea seal

Referencias:
(1) A. Hambley, Electrnica, Prentice Hall, 2000
(2) A. Sedra, K.C. Smith, Microelectronic Circuits , 5 ed., 2004

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(i) Modelos en continua y para gran seal (BJT)

Estructura C
(BJT planar de tipo npn) C
iC iC
Emisor Base Colector
n +
iB
B
iB
+
vCE
n p B
p vBE - -
iE iE
n E
n

E Smbolo

Operacin en regin activa (unin BE en directa, unin BC en inversa):


iC = iE : 0.9 0.999, valor tpico 0.99 la mayor parte de iE se debe a iC
iC = iB : 10 1000, valor tpico 100 iC es una versin amplificada de iB

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(i) Modelos en continua y para gran seal (BJT)

Operacin en regin activa (unin BE en directa(*), unin BC en inversa(**)):


modo normal de operacin del BJT como amplificador
C
El emisor (n+) est ms fuertemente dopado que la base (p) y el colector (n)

iC Unin base-emisor directamente polarizada:


n  inyeccin de electrones desde el emisor (n+) hacia la base (p)
 inyeccin de huecos desde la base hacia el emisor (en menor cantidad)
B
iB Unin base-colector inversamente polarizada:
p
- se ven favorecidas las corrientes de huecos de C a B y de electrones de B a C
- los portadores son transportados por arrastre (por la accin del campo elctrico creado en la unin)
iE
n+

E + p (*) Polarizacin
n directa
-

-
p (**) Polarizacin
+ n inversa

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(i) Modelos en continua y para gran seal (BJT)

Operacin en regin activa (unin BE en directa(*), unin BC en inversa(**)):


modo normal de operacin del BJT como amplificador

Corriente iE en trminos de vBE: iE = ISE e vBE ( VT


1) (la misma expresin se utiliza con el diodo)
ISE (corriente inversa de saturacin): 10-16 --- 10-12 A
Voltaje trmico: VT 26 mV, T = 300K;
Razn entre iC e iE: = iC i E Tambin se suele aceptar VT = 25 mV

iC = ISE (evBE VT
1) = IS (evBE VT
1) IS = ISE (IS: corriente de escala,
proporcional al rea de la unin BE)

iC IS e vBE VT
(si vBE algunas decenas de mV)

iE = iB + iC
iB = (1 )iE = (1 )ISE (e BE 1)
v VT

iC = iE
+ p (*) Polarizacin
n directa
-

iC
= =
iB 1 1+ -
p (**) Polarizacin
+ n inversa

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(i) Modelos en continua y para gran seal (BJT)

Transistor PNP E

Para que el transistor PNP opere en regin activa


(como amplificador) las tensiones aplicadas deben ser p
opuestas a las del NPN B
As, la unin EB debe operar en directa y la CB en
n
inversa
Las corrientes circulan entonces en sentido contrario p
Smbolo: vemos que la flecha apunta hacia el
dispositivo, en el mismo sentido que la corriente de C
emisor (en regin activa)

Las relaciones en regin activa son ahora: E


iE
iC = iE
iB = (1 )iE iB
iC = iB
i E = i B + iC B

iE = ISE (e vBE VT
1) = ISE (e vEB VT 1) iC
iB = (1 )ISE (e vBE VT
1) = (1 )ISE (e vEB VT 1) Smbolo C

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(i) Modelos en continua y para gran seal

+
iC Curvas caractersticas en emisor comn (ver ref. 1):
iB
vCE El emisor es el terminal comn en la entrada y la salida
+
vBE
- - Regin de
iC saturacin
(iC < iB) Regin activa
iB (iC = iB)

Regin activa o iB
de saturacin

Regin de corte
(iC = iB = 0)
0 0.5 V vBE
CE
Regin de 0 VCE(sat)) vCE
corte 0.2 0.3 V
Caracterstica de entrada Caractersticas de salida
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(i) Modelos en continua y para gran seal (BJT)

UNIN EMISORA
Regiones de operacin (Tr. NPN: unin BE; Tr. PNP: unin EB)
Directamente Inversamente
Polarizada Polarizada

UNIN Directamente Saturacin Activa inversa


COLECTORA Polarizada
(Tr. NPN: unin BC;
Tr. PNP: unin CB) Inversamente Activa directa Corte
Polarizada

Aproximaciones:

Suele admitirse que una unin PN no conduce una corriente apreciable por debajo de 0.5 V (tensin umbral, V).
Cuando un diodo de unin conduce, suele admitirse tambin que la cada de tensin es constante (la tensin de
codo) y algo mayor (0.6 V o 0.7 V).

Transistor NPN:
- Operacin en regin activa directa: supondremos vBE constante e igual a 0.6 V o 0.7 V (VBE(on)).
- Operacin en saturacin: supondremos vCE constante e igual VCE(sat).
Si vBE = 0.7 V y vBC = 0.5 V, entonces VCE(sat) = 0.2 V

Nota: valores orientativos para transistores de silicio de pequea seal (transistores de seal) a 300 K
Transistor PNP: mismos valores pero referidos a VEB y VEC

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(i) Modelos en continua y para gran seal (BJT)

C
NPN C
PNP
C C

B IC B IC
E E
IB IB
IB IB
B B
+ - - +
0.7 V IiE 0.7 V IiE

E E
IB > 0 IB > 0
VCE > 0.2 V Regin activa VEC > 0.2 V

Si el transistor opera en modo activo se cumple: IC = IB IE = (+1)IB


Notacin.- En los circuitos de corriente continua las magnitudes se expresan en mayscula: IB, IC, VCE,
Si a los circuitos se les aplica seales, los valores totales (parte AC+ parte DC) se expresan: iB, iC, vCE,
Fuente: A.R. Hambley, "Electrnica", 2 ed., Prentice Hall, 2000.
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(i) Modelos en continua y para gran seal (BJT)

C
NPN C
PNP

C C
B B

E IC E IC

+ -
0.2 V 0.2 V
IB - IB +
B B
+ - - +
0.7 V IiE 0.7 V IiE

E E

IB > 0 IB > 0
IB > IC > 0 Saturacin IB > IC > 0

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(i) Modelos en continua y para gran seal (BJT)

C NPN C PNP

B B

E E
C C

B B

E E

VBE < 0.5 V VEB < 0.5 V


VBC < 0.5 V Corte VCB < 0.5 V

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(i) Modelos en continua y para gran seal (BJT)
Generalizacin
Modelo de Ebers-Moll (transistor NPN): se puede emplear para los cuatro modos de operacin
Una versin extendida de este modelo (modelo de Gummel-Poon) se emplea en el simulador SPICE

iDE = ISE (evBE VT


1); iDC = ISC (evBC VT
1) F I SE = R I SC = I S

F: parmetros en directa (forward) R: parmetros en inversa (reverse)

iE =
IS
F
(e vBE VT
1) I S (e vBC VT 1)
F R
iC = I S (e 1) (e 1)
vBE VT IS vBC VT F = ; R =
R 1 F 1 R

iB =
IS
(e vBE VT
1)
IS
(e vBC VT
1)
F R

Operacin en regin activa directa: i C I S e v BE VT

IS iC
iE evBE VT
iC F i E
F F
IS iC
iB = evBE VT
iC F iB
F F
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(i) Modelos en continua y para gran seal (BJT)
Curvas caractersticas de salida de un transistor NPN tpico
Fuente: P.E. Allen, Analog Integrated Circuits and Systems (ECE4430); http://users.ece.gatech.edu/~pallen

IC (mA)

IB = 0.04 mA Regin
5
activa
directa
4
Saturacin 0.03 mA
3

2 0.02 mA

0.01 mA IB = 0
Corte 1
-8 -6 -4 -2

0.01 mA 10 20 30 40 VCE (V)


0.02 BVCEO
IB = 0 Corte
0.03
-0.05
0.04 mA
Regin Saturacin
activa
inversa
-0.10

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(i) Modelos en continua y para gran seal (BJT)
Curvas caractersticas de salida de un transistor NPN tpico (cont.)

Regin activa directa


IC (mA)
Los tramos de las curvas:
IB = 0.04 mA
- No son lneas horizontales
5 Regin
activa - Tampoco estn equiespaciados
4
directa La ganancia de corriente no
Saturacin 0.03 mA tiene un valor constante
3
iC crece rpidamente con vCE
2 0.02 mA
cerca de BVCEO
0.01 mA IB = 0
Corte 1
-8 -6 -4 -2 BVCEO: breakdown voltage,
0.01 mA 10 20 30 40 VCE (V) collector-emitter, base open
0.02 BVCEO
IB = 0 Corte
0.03 Tensin de ruptura colector-emisor con
-0.05 la base abierta
0.04 mA
Regin Saturacin
activa
inversa
-0.10

Regin activa inversa


El BJT funciona como en regin activa directa, pero habiendo intercambiado
los papeles de emisor y colector

La razn iC/iB ( inversa) toma valores mucho menores que en directa


 Modo de operacin inadecuado para amplificar seales

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(i) Modelos en continua y para gran seal (BJT)
Correccin por efecto Early

Idealmente iC no vara con vCE

Caractersticas de salida de un BJT (NPN): se observa que en


regin activa los tramos estn inclinados
Se modifica la expresin de iC
iC en la regin activa:
vCE vBE VT
iC = IS 1 + e =
vBE VA
v
= iC ,ideal 1 + CE
vCE VA
VA
VA: tensin de Early
iC IC
Conductancia de salida: go = =
vCE Q
VA

VA
Resistencia de salida: ro =
IC
IC: corriente en el punto de trabajo

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(ii) Modelos para pequea seal (BJT)
Los modelos para continua o gran seal no siempre son adecuados para analizar con precisin
los circuitos en presencia de seales alternas.

Con seales de amplitud pequea se pueden emplear otros modelos:


Modelos en parmetros h (configuraciones EC, BC y CC) Parmetros especificados en catlogos
Modelo hbrido-

B ib C B C
+
r ib ro v r gmv ro
-

E E

IC Relacin con parmetros h en EC


gm = (transconductancia)
VT 1
r hie ; ro ; h fe
VA VT VT hoe
ro = r = = =
IC IB IC gm (suponiendo hre = 0)

IC: corriente en el punto de trabajo


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