Universidad Nacional de Ingeniera

Facultad de Ingeniera Elctrica y

Electrnica

Informe previo del laboratorio N1 de

circuitos

Curso:
Laboratorio de circuitos 1

Integrante:

Saca Ordoez, Kevin Oscar

Cdigo:
20162119H

1.- MARCO TERICO:

1.1.- Biografa:
 Imagen1. Gustav Robert Kirchhoff (1824 1887)

Gustav Robert Kirchhoff naci un 12 de marzo del 1824 (Knigsberg Prusia -

Alemania), sus padres fueron Friedrich Kirchhoff y Johanna Henriette, ellos pensaban
que la carrera perfecta donde alguien con muchas habilidades poda servir a Prusia
era siendo un profesor universitario.

Kirchhoff estudi en la Universidad de Albertus, que fue fundada en el ao 1554 por el

primer duque de Prusia (Albert). Kirchhoff asisti a seminarios de fsico-matemticas
desde el ao 1843 al 1846, y en ausencia de Carl Gustav Jacob Jacobi fue Neumann
quien influy en Kirchhoff de manera muy positiva. Gracias a esto Kirchhoff formul
sus leyes en el ao 1845 mientras an era estudiante.

Kirchhoff se gradu en la universidad en el ao de 1847, la primera contribucin de

Kirchhoff a la investigacin fue cuando estaba estudiando con Neumann quin a su
vez hizo que este se interesara por unos estudios anteriores sobre la corriente
elctrica.

En 1875 fue nombrado catedrtico de fsica-matemtica en la Universidad de Berlin, 2

aos despus obtuvo la medalla Matteucci otorgada por la Academia Nacional de
Ciencias de Italia y la medalla Davy otorgada por la Royal Society de Londres.

Falleci el 17 de Octubre del 1887 a los 63 aos en Berln.

1.2.- Leyes de Kirchhoff:

Las leyes de Kirchhoff se basan en la carga de los circuitos elctricos y en la
conservacin de energa. Ests leyes de circuitos suelen derivarse de las ecuaciones
de Maxwell, pero Kirchhoff precedi a Maxwell y junto a Georg Ohm su gran trabajo
fue generalizado.

Primera Ley de Kirchhoff:

Llamada tambin ley de nodos, formula que la corriente entrante a un nodo es
igual a la suma de corrientes que salen de este.
Observacin: Los nodos no acumulan cargas.

Imagen 2. Representacin grfica de un nodo

Segunda ley de Kirchhoff:

Llamada tambin ley de las mallas, enuncia que la suma de cadas de tensin
en un tramo es igual a la tensin total suministrada, en forma general la
sumatoria de potenciales elctricos en un lao es igual a cero.

Imagen 3. Representacin grfica de una malla

4

= 0
=1
 1.3.- Aplicacin de las leyes de Kirchhoff:

Primera ley de Kirchhoff:

- Se utiliza para saber la forma de distribucin de las intensidades de corriente que

salen de un nodo.
- Para hallar la potencia que posee cada componente electrnico.
- Generar determinadas intensidades de corriente para un circuito.
externo-dependiente.

Segunda ley de Kirchhoff:

- Comprobar el perfecto funcionamiento de un circuito.
- Hallar un la cantidad de potencial suministrado en circuitos muy complejos.
- Generar cadas de potencial para la alimentacin de circuitos externos.

2.- SIMULACIN:
2.1.- Cdigo de la maqueta:

El cdigo de la maqueta a analizar es: E3 MDULO 3

Fuente de 17.3 Voltios

Imagen 4. Foto de la maqueta a analizar

 Resistencias Valor en ohmios ()

R1 22

R2 47

R3 15

R4 47

R5 22

Tabla 1. Representacin de resistencias.

2.2.- Simulacin:

2.2.1.- Simulacin para el clculo de las intensidades por cada tramo

Imagen 5. Simulacin del circuito con los ampermetros.

Tabla de intensidades:

INTENSIDAD AMPERIO (A)

Intensidad total 550 mA

Intensidad de R1 340 mA

Intensidad de R2 210 mA

Intensidad de R3 140 mA

Intensidad de R4 210 mA

Intensidad de R5 340 mA

Tabla 2. Representacin respectiva de intensidades.

2.2.2.- Simulacin para el clculo de la diferencia de Potencial:

Imagen 5. Simulacin del circuito con los voltmetros.

 Tabla de potenciales:

VOLTAJE VOLTIOS (V)

Voltaje de R1 7.58 V

Voltaje de R2 9.66 V

Voltaje de R3 2.08 V

Voltaje de R4 9.66 V

Voltaje de R5 7.58 V

Tabla 3. Representacin respectiva de voltajes.

3.- CLCULOS:
Aplicando la segunda ley de Kirchhoff podemos obtener las siguientes ecuaciones:
Para la primera malla:
47(IR1 ) 15(IR3 ) 47(Itotal ) + 22(IR1 ) = 0

69(IR1 ) 47(Itotal ) 15(IR3 ) = 0 ...()

Para la segunda malla:
22(IR3 ) + 47(IR3 ) + 47(IR1 ) 22(Itotal ) + 22(IR1 ) + 15(IR3 ) = 0
69(IR1 ) 47(Itotal ) 15(IR3 ) = 0 ()
Para la malla total:
17.3 + 47(IR3 ) + 47(IR1 ) + 22(IR1 ) = 0
69(IR1 ) + 47(IR3 ) = 17.3 ....()

De (), () y () se obtiene:
1 = 346mA
3 = 139mA
= 552mA

Como las intensidades de las resistencias 2, 4 y 5 estn relacionadas con las halladas
anteriormente, podremos obtener dichas intensidades.
3.1.- Tabla de datos obtenidos por ecuaciones:

INTENSIDAD AMPERIO (A)

Intensidad total 552 mA

Intensidad de R1 346 mA

Intensidad de R2 207 mA

Intensidad de R3 139 mA

Intensidad de R4 206 mA

Intensidad de R5 345 mA

Tabla 4. Representacin respectiva de intensidades de los clculos.

Para obtener los potenciales solo tenemos que multiplicar dichos valores de intensidad
por sus respectivas resistencias:

VOLTAJE VOLTIOS (V)

Voltaje de R1 7.612 V

Voltaje de R2 9.729 V

Voltaje de R3 2.085 V

Voltaje de R4 9.682 V

Voltaje de R5 7.59 V

Tabla 5. Representacin respectiva de voltajes de los clculos.

3.2.- Comparacin de resultados:
Datos obtenidos mediante el simulador:

INTENSIDAD AMPERIO (A)

Intensidad total 550 mA

Intensidad de R1 340 mA

Intensidad de R2 210 mA

Intensidad de R3 140 mA

Intensidad de R4 210 mA

Intensidad de R5 340 mA

Tabla 6. Representacin de intensidades de simulacin.

Datos obtenidos mediante clculos:

INTENSIDAD AMPERIO (A)

Intensidad total 552 mA

Intensidad de R1 346 mA

Intensidad de R2 207 mA

Intensidad de R3 139 mA

Intensidad de R4 206 mA

Intensidad de R5 345 mA

Tabla 7. Representacin de intensidades de los clculos.

Podemos observar que ambos valores son distintos con los siguientes porcentajes de
error:
% error para la intensidad total = 0.36%
% error para la intensidad de R1 = 1.76%
% error para la intensidad de R2 = 1.42%
% error para la intensidad de R3 = 0.71%
% error para la intensidad de R4 = 1.9%
% error para la intensidad de R5 = 1.47%
PARA LOS POTENCIALES:
Datos obtenidos mediante el simulador:

VOLTAJE VOLTIOS (V)

Voltaje de R1 7.58 V

Voltaje de R2 9.66 V

Voltaje de R3 2.08 V

Voltaje de R4 9.66 V

Voltaje de R5 7.58 V

Tabla 8. Representacin de voltajes de simulacin.

Datos obtenidos mediante clculos:

VOLTAJE VOLTIOS (V)

Voltaje de R1 7.612

Voltaje de R2 9.729

Voltaje de R3 2.085

Voltaje de R4 9.682

Voltaje de R5 7.59

Tabla 9. Representacin de voltajes de los clculos.

Podemos observar que ambos valores son distintos con los siguientes porcentajes de
error:
% error para el voltaje de R1 = 0.42%
% error para el voltaje de R2 = 0.71%
% error para el voltaje de R3 = 0.24%
% error para el voltaje de R4 = 0.227%
% error para el voltaje de R5 = 0.13%

4.- OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES:

Observaciones:
- Al analizar los clculos no se toman en cuentas las resistencias de los aparatos.
- El circuito en la simulacin es ideal, estos valores variarn en la parte
experimental.
Conclusiones:
- Al comparar ambos resultados se concluye que la primera y segunda ley de
Kirchhoff s son verificadas despreciando las resistencias internas de los
ampermetros y voltmetros con un rango de error menor al 2%.
- Hay un rango de error pequeo ya que al realizar los clculos se omiten los
factores que modifican dichas lecturas.