Captulo 1

DIODOS

1.1 INTRODUO
Em meados de 1.904 surgiu a primeira vlvula eletrnica. Essa vlvula recebeu o nome
de diodo. A vlvula diodo composta por duas placas metlicas, colocadas numa cpsula
de vidro (parecida com as lmpadas incandescentes) e um filamento que aquece uma das
placas polarizadas negativamente. Essa placa denomina-se ctodo. A outra placa polarizada
positivamente e denomina-se nodo.
Quando as placas so polarizadas negativamente e o ctodo aquecido pelo filamento
ocorre um fluxo de eltrons (corrente) que atinge a outra placa conforme representado na
Figura 1.1. A invero da polarizao das placas interrompe o fluxo de eltrons. Portanto este

Figura 1.1: Vlvula Diodo diretamente polarizada

dispositivo s permite que a corrente eltrica ocorra em um nico sentido.

Com a descoberta dos semicondutores, as vlvulas foram abandonadas na maioria dos
circuitos pois so volumosas e requerem maior quantidade de energia para seu funcionamento
se comparadas aos semicondutores.

1.2 SEMICONDUTORES
1.2.1 Bandas de Energia
Os tomos so formados por eltrons, prtons e neutrons. Os eltrons giram ao redor de
um ncleo formado pelos prtons e neutrons. O nmero de eltrons, prtons e neutrons so

1
2 CAPTULO 1. DIODOS

diferentes para cada elemento qumico.

Os eltrons giram em rbitas ou nveis bem definidos. o modelo de Borhr da Figura 1.2
apresenta estes nveis. Quanto maior a energia do eltron, maior o raio de sua rbita.

Figura 1.2: Modelo de Bohr

A energia de cada uma das rbitas pode ser esquematizada como mostra a Figura 1.3.

Figura 1.3: Nveis de energia

A mecnica quntica estuda a relao entre os raios das rbitas possveis, os nveis de
energia correspondentes e o nmero mximo de eltrons permitido em cada rbita.
Para o estudo de semicondutores necessrio apenas entender que um eltron deve estar
a uma determinada distncia (rbita) do ncleo e com uma determinada velocidade (energia
cintica) para que haja equilbrio entre a fora centrfuga (Fc) e a fora eletromagntica (Fe)
entre o eltron e o ncleo. Esta condio torna o eltron estvel. A Figura 1.4 apresenta estes
conceitos.

Figura 1.4: Equilbrio entre as foras Fc, Fe

Uma maneira de visualizar este conceito a realizao de um experimento simples como

girar uma pedra amarrada a um barbante. Devido a estes fatores existe um nmero mximo
de eltrons para cada rbita. A Figura 1.5 apresenta estes nveis de energia e a quantidade
mxima de eltrons por camada.
1.2. SEMICONDUTORES 3

Figura 1.5: Nmero mximo de eltrons em cada rbita

A valncia de um tomo definida na ltima camada. Atravs da anlise da camada de

valncia podemos definir se um tomo pode liberar, receber eltrons ou mesmo fazer ligaes
covalentes (compartilhar eltrons) com outros tomos. Esta camada recebe o nome de rbita
de valncia ou banda de valncia.
Os eltrons da banda de valncia so os que possuem maior facilidade em se desprender
do tomo por duas razes. Possuem maior energia e esto mais longe do ncleo. Portanto a
fora de atrao eletrosttica menor. Assim basta uma pequena quantidade de energia para
que o eltron pule para a banda de conduo tornando-se um eltron livre sendo capaz de
se movimentar no material. A Figura 1.6 exemplifica este fenmeno.

Figura 1.6: Banda de Conduo e Corrente Eltrica

Quando a camada de valncia no possui o nmero mximo de eltrons permitido1 , po-

der ocorrer ligaes covalentes com outros tomos de maneira a tornar as ligaes atmicas
estveis conforme o exemplo da Figura 1.7.

Figura 1.7: Ligao Covalente: Molcula de Hidrognio

No podemos esquecer que os eltrons esto girando em nveis bem definidos e por isso
no podem circular entre os nveis. Essa regio entre nveis de energia denominado de
banda proibida.
O tamanho da banda proibida da ltima camada define o comportamento eltrico do mate-
rial. Por isso, existe os materiais isolantes, condutivos e semicondutores ver Figura 1.8.
Analisando a Figura 1.8, podemos perceber que nos materiais isolantes o eltron precisa
de muita energia para pular da banda de valncia para a banda de conduo.
Nos materiais condutores praticamente no existe esta banda proibida ou ela to pe-
quena que os eltrons tem extrema facilidade para pular de banda.
1
No podemos esquecer que a camada K completa-se com dois eltrons, para as demais camadas vale a regra
do octeto, gases nobres
4 CAPTULO 1. DIODOS

Figura 1.8: Banda Proibida dos materiais isolante, semicondutor e condutor

Nos materiais semicondutores os eltrons precisam de uma quantidade de energia inter-

mediria para pular de banda se comparado aos materiais isolantes e condutores de energia.

1.2.2 Materiais Semicondutores Intrnsecos

Os materiais semicondutores mais utilizados na fabricao de componentes eletrnicos
so o silcio (Si) e o Germnio (Ge).
Esses dois materiais so elementos tetravalentes ou seja, possuem quatro eltrons na
ltima camada (camada de valncia). Ver Figura 1.9

Figura 1.9: tomos de Germnio e Silcio

1.2.3 Semicondutores tipo N e P

Quando os semicondutores intrnsecos so misturados com materiais (elementos) penta-
valentes ou trivalentes formam semicondutores com caractersticas prprias.

Semicondutor tipo N

Os semicondutores tipo N so formados quando acrescentamos elementos pentavalentes

ao semicondutor intrnseco. Os tomos pentavalentes quando inseridos no material semi-
condutor intrnseco formam ligaes covalentes com quatro tomos vizinhos. Um eltron do
1.2. SEMICONDUTORES 5

tomo pentavalente fica fracamente ligado a estrutura pois no participa das ligaes. Assim
uma pequena quantidade de energia suficiente para torn-lo livre.
Alguns exemplos de elementos pentavalentes usados na produo de semicondutores tipo
N so: o Arsnio (As), Antimnio (Sb) e o Fsforo (P), esses elementos so chamados de
impurezas doadoras.
Os eltrons livres doados pelas impurezas pentavalentes ao material semicondutor so
responsveis pelas cargas negativas no material. Portanto so chamadas de impurezas do
tipo N (N de negativo).

Figura 1.10: Material Semicondutor Tipo N

Podemos observar na Figura 1.10 que o material tipo N possui em sua maioria cargas
negativas. Uma pequena quantidade de cargas positivas tambm esto presentes. As cargas
negativas so os eltrons livres doados pela impureza. Esses eltrons so chamados de
portadores majoritrios no material tipo N. As cargas positivas so geradas pela temperatura
ambiente. Estas cargas positivas so chamadas lacunas e so os portadores minoritrios
no material tipo N.

Material Semicondutor tipo P

Adicionando impurezas trivalentes ao material semicondutor produzimos o semicondutor

tipo P.
Quando introduzimos uma impureza trivalente ao semicondutor intrnseco produzimos fa-
lhas nas ligaes (pois a impureza s tem 3 eltrons na ltima camada). Assim, teremos
cargas positivas no material tipo P.

Figura 1.11: Material Semicondutor Tipo P

Observando a Figura 1.11 podemos verificar que o material tipo P possui em sua grande
maioria cargas positivas (lacunas). Essas lacunas so chamadas de portadores majoritrios
no material tipo P. Tambm podem ser observadas cargas negativas (que so consequncia
do aquecimento do material,temperatura ambiente). Como so poucas as cargas negativas
no material tipo P so chamadas de portadores minoritrios.

Por conterem impurezas os cristais semicondutores tipo N e P so denominados semi-

condutores extrnsecos.

A tcnica de acrescentar impurezas ao material semicondutores aumentando o nmero

de eltrons ou lacunas chamada de dopagem.
6 CAPTULO 1. DIODOS

1.3 Diodo Semicondutor

1.3.1 Juno PN
O diodo semicondutor constitudo de uma juno PN (unio de um material tipo P com
um material tipo N).
Com a unio dos dois materiais o eltrons do material N tendem a migrar para o material P
e combinar com as lacunas desse material (cargas opostas se atraem), buscando o equilbrio
qumico. Esse fenmeno conhecido por recombinao. A Figura 1.12 apresenta um diodo a
onde os elementos dentro de um crculo so os portadores minoritrios e o sinais livres os por-
tadores majoritrios. Percebe-se uma ausncia de portadores majoritrios na regio da juno
PN. A recombinao forma uma regio chamada de camada de depleo (diminuio ou au-
sncia). Como o prprio nome diz nesta camada h uma ausncia de portadores majoritrios.

Figura 1.12: Juno PN e camada de depleo

De que forma isto ocorre?

R: quando os tomos vizinhos a juno fazem a recombinao, os tomos do material

tipo P vizinhos a juno recebem os eltrons do material tipo N. Assim vo sendo formados
ons negativos no material P e ons positivos no material N. Como esses ons no possuem
eltrons livres nem lacunas, torna-se difcil a migrao dos demais eltrons do material N para
o material tipo P. A migrao dos eltrons do material N para o material P barrada pois no
h passagem por estes ons.

1.4 Barreira de Potencial

Com a recombinao a camada de depleo fica ionizada criando uma diferena de poten-
cial na juno que chamada de barreira de potencial, o smbolo V (=gama). Ver Figura
1.13.

Figura 1.13: Diodo de silcio camada de depleo

1.5. POLARIZAO DO DIODO 7

Essa barreira de potencial de aproximadamente 0,7V para os diodos de silcio e de 0,3V

para os de germnio a 25o C. A simbologia do diodo apresentada na Figura 1.14.

Figura 1.14: Simbologia do Diodo

Onde:

K ou C - ctodo (derivado de ction +)

A - nodo (derivado de nion -)

1.5 Polarizao do Diodo

1.5.1 Polarizao Direta
A polarizao direta ocorre quando ligamos o lado P (anodo) ao terminal positivo da bateria
e o lado N (catodo) ao terminal negativo, ver Figura 1.15.

Figura 1.15: Diodo polarizao Direta

Atravs da Figura 1.15 fcil perceber que a fonte est polarizando a juno de uma ma-
neira que os eltrons do material N sero repelidos pelos eltrons da fonte, assim eles ganham
energia suficiente para transpor a barreira de potencial e podem alcanar as lacunas do ma-
terial P que so atradas pelo polo positivo da fonte, estabelecendo uma conduo eltrica.
O diodo oferece nessa circunstncias pouqussima resistncia. Lembrando que a tenso da
fonte deve ser maior que a tenso da barreira de potencial. Ainda em relao a mesma figura
o sentido da corrente (Id) est representada no sentido convencional.

1.5.2 Polarizao Reversa

A polarizao reversa ocorre quando o potencial negativo da fonte encontra-se ligado ao
lado P (anodo) do diodo e o potencial positivo da fonte no material tipo N (catodo).
Por causa da polarizao reversa os eltrons do cristal N so atrados pela fonte aumen-
tando os ons positivos nessa camada. Na camada P as lacunas so atradas para o terminal
negativo da fonte aumentando os ons negativos nessa camada. A barreira de potencial au-
menta at ficar igual ao da fonte no permitindo a passagem de corrente eltrica. Ver Figura
1.16.
8 CAPTULO 1. DIODOS

Figura 1.16: Diodo polarizao Reversa

1.5.3 Corrente Reversa

Mesmo com o aumento da barreira de potencial uma corrente reversa (Ir) persiste em
ocorrer. Ela causada pelos portadores minoritrios (eltrons no cristal P e lacunas no N),
muitos deles criado continuamente pela energia trmica da temperatura ambiente. Como essa
corrente muito pequena para efeitos prticos ela desprezada.

1.5.4 Curva Caracterstica do Diodo

A Figura 1.17 apresenta a curva caracterstica de um diodo.

Figura 1.17: Curva caracterstica do diodo

Onde:

Id Corrente no diodo;

V d Tenso no diodo;

IdM Corrente Mxima do diodo;

V Barreira de potencial (Tenso de Barreira)

VBr Tenso de ruptura ou Breakdown voltage (Tenso reversa mxima);

Ir Corrente de Fuga.

Pelo grfico fica claro que para tenses reversas o diodo apresenta resistncia eltrica
muito alta. A nica limitao a tenso de ruptura (VBr ).
Para Tenses positivas (polarizao direta) o diodo apresenta uma resistncia at o ponto
(V ). Para tenses acima da barreira de potencial a corrente passa a ser muito alta sendo
limitada apenas pela resistncia no circuito em que o diodo est acoplado.
1.5. POLARIZAO DO DIODO 9

Figura 1.18: Circuito com diodo

1.5.5 Reta de carga do diodo

Para anlise da reta de carga vamos considerar o circuito da Figura 1.18.
O ponto de trabalho ou ponto quiescente (Q) do diodo pode ser encontrado traando-se a
curva caracterstica do diodo e a reta de carga do circuito no mesmo grfico. O cruzamento
entre a curva caracterstica e a reta carga determina o ponto Q desse diodo. Ver Figura 1.19

Figura 1.19: Reta de Carga e Ponto Quiescente do diodo

Receita para traar a reta de carga

1. Considerar o diodo aberto e determina-se a tenso de corte (V c).

V c = V cc (1.1)

2. Determinar a corrente de saturao Is (diodo em curto).

V cc
Is = (1.2)
R

3. Traar a reta de carga com os dois pontos.

4. Plotar a curva caracterstica do diodo no mesmo grfico, o ponto Q determinar Id e V d.

5. Podemos calcular a potncia de dissipao do diodo atravs da equao 1.3.

P d = V d Id (1.3)
10 CAPTULO 1. DIODOS

Figura 1.20: Circuito Exemplo 1

Exemplo 1

1. V c = V cc = 5V

Vc 5
2. Id = R = 560 = 8, 9.103 A(mA)

3. Id = 7, 1mA e V d = 1V

4. P d = V d Id = 1 7, 1 103 = 7, 1mW
1.6. MODELOS DE DIODOS 11

1.6 Modelos de Diodos

1.6.1 Modelo 1 (Diodo Ideal)
No modelo ideal o diodo comporta-se como um condutor na polarizao direta e como um
circuito aberto na reversa. Ver Figura 1.21.

Figura 1.21: Modelo 1 (Diodo Ideal)

1.6.2 Modelo 2 Diodo com V (Barreira de Potencial)

Este modelo considera a barreira de potencial. Ela representada por uma bateria de valor
V na polarizao direta. Na polarizao reversa o diodo considerado um circuito aberto. Ver
Figura 1.22.

Figura 1.22: Modelo 2 (Barreira de Potencial V )

1.6.3 Modelo 3 Modelo Linear (V e Rd)

O modelo 3 o mais prximo da realidade. Ele considera o diodo comportando como uma
fonte DC a um resistor em srie. Este resistor (resistncia interna do diodo) corresponde a
inclinao da curva. A equao 1.4 permite o clculo de Rd a partir da inclinao da curva do
diodo (regio linear). A Figura 1.23 apresenta o smbolo e o circuito equivalente do diodo na
regio de conduo e bloqueio segundo o Modelo 3.

V d
Rd = (1.4)
Id
12 CAPTULO 1. DIODOS

Figura 1.23: Modelo 3 (Barreira de Potencial V e Resistncia Rd)

Exemplos

Atravs dos exemplos apresentados a seguir (Circuito 1 e 2) ser possvel comparar os

clculos utilizando os 3 mtodos apresentados:

Figura 1.24: Circuito 1

1. Circuito 1 (Modelo 1 Diodo Ideal)

Vc 50V
Id = = = 167mA
R 300

2. Circuito 1 (Modelo 2)

V c V 50 0, 7
Id = = = 164mA
R 300
1.6. MODELOS DE DIODOS 13

3. Circuito 1 (Modelo 3)
V c V 50 0, 7
Id = = = 159mA
R + Rd 300 + 10
Neste caso, o erro entre os valores encontrados so pequenos e qualquer modelo pode
ser adotado dependendo da preciso desejada. Se considerarmos a margem de erro entre
os componentes de um lote, a diferena entre os valores calculados pelos modelos 1, 2 e 3
torna-se ainda mais irrelevante.

Circuito 2

O circuito 2 possui um diodo com as mesmas caracterstica do Circuito 1 (V = 0, 7V e

Resistncia Rd = 10).

Figura 1.25: Circuito 2

1. Circuito 2 (Modelo 1)

Vc 5
Id = = = 100mA
R 50
2. Circuito 2 (Modelo 2)

V c V 5 0, 7
Id = = = 86mA
R 50
14 CAPTULO 1. DIODOS

3. Circuito 2 (Modelo 3)

V c V 5 0, 7
Id = = = 71, 7mA
R + Rd 50 + 10
Percebe-se que para o Circuito 2 o erro maior e as diferenas entre os resultados chega
a quase 30%. Neste caso, o Modelo 3 o mais apropriado.

Exerccios

1. Por que as vlvulas foram substitudas pelos semicondutores na evoluo da eletrnica?

2. Qual a influncia da Banda Proibida (ltima camada) no comportamento eltrico de um

material? Explique sua resposta.

3. Explique a diferena entre os materiais semicondutores intrnsecos e extrnsecos?

4. Como so formados os semicondutores do tipo N?

5. Como so formados os semicondutores do tipo P?

6. O que recombinao?

7. Explique o que Barreira de Potencial e qual o seu valor para os diodos de slicio e
germnio.

8. Desenhe o smbolo do diodo semicondutor, indique seus terminais o sentido da corrente

(sentido convencional) e a queda de tenso V .

9. O que Camada de Depleo?

10. Explique o comportamento do diodo quando diretamente polarizado.

11. Explique o comportamento do diodo quando reversamente polarizado.

12. Explique a influencia da temperatura aos portadores minoritrios considerando um diodo

semicondutor.

13. O que corrente reversa? Qual a sua causa?

14. Determine a reta de carga, ponto quiescente e a potncia dissipada pelo diodo do circuito
a seguir. Considere a curva caracterstica apresentada.
1.6. MODELOS DE DIODOS 15

Curva do Diodo
6

Id (mA)
3

0
0 0.5 1 1.5 2
Vd (V)

15. Refaa os clculos do exerccio anterior utilizando o Modelo 3 para o diodo. Considerar
V = 0, 5V e Resistncia Rd = 166, 67

16. Identifique a condio das lmpadas do circuito a seguir. Considerar as seguintes con-
venes:

a Lmpada acende;
b Lmpada no acende;
c Lmpada acende com sobrecarga de tenso podendo se danificar.

Especificaes:

V L = 6V (Tenso nominal das Lmpadas);

P L = 120mW (Potncia dissipada pelas Lmpadas).