Sonido

1 INTRODUCCIN

Sonido, fenmeno fsico que estimula el sentido del odo. En los seres humanos, esto
ocurre siempre que una vibracin con frecuencia comprendida entre unos 15 y 20.000
hercios llega al odo interno. El hercio (Hz) es una unidad de frecuencia que corresponde
a un ciclo por segundo. Estas vibraciones llegan al odo interno transmitidas a travs del
aire, y a veces se restringe el trmino sonido a la transmisin en este medio. Sin
embargo, en la fsica moderna se suele extender el trmino a vibraciones similares en
medios lquidos o slidos. Los sonidos con frecuencias superiores a unos 20.000 Hz se
denominan ultrasonidos

2 CARACTERSTICAS FSICAS
Cualquier sonido sencillo, como una nota musical, puede
describirse en su totalidad especificando tres caractersticas de su percepcin: el tono, la intensidad y el
timbre. Estas caractersticas corresponden exactamente a tres caractersticas fsicas: la frecuencia, la
amplitud y la composicin armnica o forma de onda. El ruido es un sonido complejo, una mezcla de
diferentes frecuencias o notas sin relacin armnica.

2.1 Frecuencia

Existen distintos mtodos para producir sonido de una frecuencia deseada. Por ejemplo,
un sonido de 440 Hz puede crearse alimentando un altavoz con un oscilador sintonizado a
esa frecuencia (vase Grabacin de sonido y reproduccin). Tambin puede interrumpirse un chorro
de aire mediante una rueda dentada con 44 dientes que gire a 10 revoluciones por segundo; este mtodo
se emplea en las sirenas. Los sonidos de un altavoz y una sirena de la misma frecuencia tendrn un timbre
muy diferente, pero su tono ser el mismo, equivalente al la situado sobre el do central en un piano. El
siguiente la del piano, la nota situada una octava por encima, tiene una frecuencia de 880 Hz. Las notas
situadas una y dos octavas por debajo tienen frecuencias de 220 y 110 Hz respectivamente. Por definicin,
una octava es el intervalo entre dos notas cuyas frecuencias tienen una relacin de uno a dos.

2.2 Amplitud

La amplitud de una onda de sonido es el grado de movimiento de las molculas de aire en la onda, que
corresponde a la intensidad del enrarecimiento y compresin que la acompaan. Cuanto mayor es la
amplitud de la onda, ms intensamente golpean las molculas el tmpano y ms fuerte es el sonido
percibido. La amplitud de una onda de sonido puede expresarse en unidades absolutas midiendo la
distancia de desplazamiento de las molculas del aire, o la diferencia de presiones entre la compresin y el
enrarecimiento, o la energa transportada. Por ejemplo, la voz normal presenta una potencia de sonido de
aproximadamente una cienmilsima de vatio. Sin embargo, todas esas medidas son muy difciles de realizar,
y la intensidad de los sonidos suele expresarse comparndolos con un sonido patrn; en ese caso, la
intensidad se expresa en decibelios.

2.3 Intensidad

La distancia a la que se puede or un sonido depende de su intensidad, que es el flujo medio de energa por
unidad de rea perpendicular a la direccin de propagacin. En el caso de ondas esfricas que se propagan
desde una fuente puntual, la intensidad es inversamente proporcional al cuadrado de la distancia,
suponiendo que no se produzca ninguna prdida de energa debido a la viscosidad, la conduccin trmica u
otros efectos de absorcin. Por ejemplo, en un medio perfectamente homogneo, un sonido ser nueve
veces ms intenso a una distancia de 100 metros que a una distancia de 300 metros. En la propagacin real
del sonido en la atmsfera, los cambios de propiedades fsicas del aire como la temperatura, presin o
humedad producen la amortiguacin y dispersin de las ondas sonoras, por lo que generalmente la ley del
inverso del cuadrado no se puede aplicar a las medidas directas de la intensidad del sonido.

2.4 Timbre

Si se toca el la situado sobre el do central en un violn, un piano y un diapasn, con la

misma intensidad en los tres casos, los sonidos son idnticos en frecuencia y amplitud,
pero muy diferentes en timbre. De las tres fuentes, el diapasn es el que produce el tono
ms sencillo, que en este caso est formado casi exclusivamente por vibraciones con
frecuencias de 440 Hz. Debido a las propiedades acsticas del odo y las propiedades de
resonancia de su membrana vibrante, es dudoso que un tono puro llegue al mecanismo
interno del odo sin sufrir cambios. La componente principal de la nota producida por el
piano o el violn tambin tiene una frecuencia de 440 Hz. Sin embargo, esas notas
tambin contienen componentes con frecuencias que son mltiplos exactos de 440 Hz,
los llamados tonos secundarios, como 880, 1.320 o 1.760 Hz. Las intensidades concretas
de esas otras componentes, los llamados armnicos, determinan el timbre de la nota.

Velocidad del sonido

La velocidad de propagacin del sonido en aire seco a una temperatura de 0 C es de

331,6 m/s.

La velocidad del sonido en agua es de unos 1.500 m/s a temperaturas ordinarias, Al

aumentar la temperatura aumenta la velocidad del sonido; por ejemplo, a 20 C, la
velocidad es de 344 m/s. Los cambios de presin a densidad constante no tienen
prcticamente ningn efecto sobre la velocidad del sonido.pero aumenta mucho cuando
sube la temperatura. La velocidad del sonido en el cobre es de unos 3.500 m/s
2.6

OBJETIVO DE APRENDIZAJE.- Como resultado que obtengas en esta leccin, sers

capaz de advertir la importancia de los dispositivos de estado slido.
El descubrimiento de la vlvula electrnica trajo como consecuencia, importantes
avances tcnicos en los procesos de la grabacin y reproduccin del sonido y permiti,
adems, logros extraordinarios en las comunicaciones elctricas y en otros campos de la
electrnica.

Durante mucho tiempo los equipos electrnicos dependieron principalmente de la vlvula

para operar; sin embargo, el advenimiento de los dispositivos de estado slido inici una
nueva etapa en la electrnica ya que su empleo transformo totalmente la tecnologa de
esta industria.

En la actualidad estos dispositivos realizan la mayor parte de las tareas que en el pasado
se le encomendaron a la vlvula electrnica y por esta razn es importante conocer sus
orgenes, desarrollo y principios de operacin.

En electrnica los dispositivos de estado slido estn representados principalmente por

los diodos semiconductores y transistores.

El trmino diodo tiene su origen en la palabra electrodo, nombre con que se design a las
terminales de los aparatos elctricos en los inicios de la electricidad.

Conforme a lo anterior cuando hablamos de diodos semiconductores, nos referimos a los

dispositivos de dos terminales o electrodos, constituidos por materiales cuya resistencia
elctrica se mantiene entre la de los conductores y la de los aislantes.

El trmino transistor a su vez, proviene de la simplificacin de las palabras inglesas

transfer resistor (resistor de transferencia), nombre que se tom de los principios de
funcionamiento que los rigen. En su construccin se utilizan materiales semiconductores
de propiedades semejantes a los empleados en la fabricacin de diodos.

Aunque el uso de los diodos semiconductores no es muy reciente en electrnica, ya que

los primeros receptores de radio utilizaron cristal de galena (sulfuro de plomo), como
detectores (separaban la informacin audible de la seal de radiofrecuencia que serva de
portadora) y, posteriormente se emplearon otros tipos de semiconductores para realizar
diversas tareas; su empleo no estaba tan generalizado como en la actualidad y la vlvula
electrnica segua ocupando un lugar preponderante en la operacin de los circuitos
electrnicos. No fue sino hasta la dcada de los cuarentas cuando como resultado de las
investigaciones realizadas con algunos materiales, se obtuvo un DIODO DE GERMANIO
que ofreci ciertas ventajas como detector.
OBJETIVO DE APRENDIZAJE.- Como resultado de las informaciones que obtengas
en esta leccin sers capaz de explicar la estructura y comportamiento de los
diodos semiconductores en un circuito elctrico.

Para poder entender como funcionan los diodos semiconductores, es necesario

explicar aunque sea de una manera breve, como estn constituidos.

El germanio y el silicio son los elementos qumicos utilizados principalmente en la

construccin de los dispositivos de estado slido empleados en electrnica, ya sean
diodos semiconductores o transistores.

Las estructuras atmicas del germanio y el silicio tienen cierta semejanza entre si, en
cuanto a su ltima rbita u rbita externa cuentan con cuatro electrones de valencia.

Lo anterior le permite aceptar, proporcionar o compartir dichos electrones al entrar

en combinacin qumica con otros tomos estabilizando de esta manera su rbita exterior
con ocho electrones. El germanio y el silicio en estado slido, poseen una estructura
cristalina en la cual sus tomos se encuentran unidos en enlaces covalentes con tomos
vecinos. Esto hace que dichos tomos establezcan ligaduras muy estrecha entre ellos.

Los cristales de germanio y silicio constituyen de este modo elementos estables desde el
punto de vista qumico y buenos aislantes desde el punto de vista elctrico, en virtud de
que no disponen de electrones libres.

Sin embargo la alta resistencia, de estos materiales al paso de la corriente elctrica puede
disminuirse aadindoles cantidades controladas de elementos qumicos a las cuales se
les da el nombre de impurezas.

Esto pude explicarse de la siguiente manera: una de las impurezas comnmente utilizada
es el arsnico cuentan con cinco electrones de valencia en su ltima rbita. Al penetrar en
la estructura cristalina de germanio o del silicio, establecen enlaces covalentes
compartiendo cuatro electrones de su rbita externa, quedando libre uno de sus
electrones. De este modo las impurezas proporcionan al germanio y al silicio electrones
libres, los cuales pueden ser fcilmente desplazados por la accin de una fuerza
electromotriz, permitiendo as el paso de una corriente.

El cristal de germanio y de silicio tratado de esta manera recibe el nombre de cristal N, en

virtud de que la conduccin se hace por electrones libres los cuales como ya se dijo,
cuentan con una carga negativa la impureza utilizada para obtener cristales N se le
conoce con el nombre de donante o donadora ya que sta proporciona los electrones.
Existe otro procedimiento para lograr que el germanio y el silicio permitan el paso de una
corriente elctrica, el cual es semejante al anterior debido a que se utilizan impurezas.
Sin embargo las estructuras atmicas de las impurezas empleadas en este caso tales
como el indio, el boro y el galio, cuentan con tres electrones de valencia en su ltima
rbita. Al establecer enlaces covalentes con los tomos de los tomos de germanio y de
silicio y poder estabilizar de esta manera en su rbita externa, requieren de un electrn el
cual es tomado de las ligaduras atmicas vecinas, producindose as desequilibrios
elctricos en los tomos que componen dichas ligaduras los cuales reciben el nombre de
huecos.
Estos huecos actan como cargas positivas y la presencia de los mismos hace posible la
conduccin de la corriente elctrica debido a que los electrones al circular, ocupan
transitoriamente dichos huecos o espacios vacios como si fueran saltando de un hueco al
otro. El germanio o el silicio tratados de esta manera se les conoce con el nombre de
cristales P

A la impureza utilizada para obtener cristales P se le denomina aceptadora.

Como puede observarse, las impurezas que se aaden a los cristales de germanio y de
silicio, modifican la estructura cerrada y dura que guardan los tomos por la accin
covalente de las rbitas externas y permiten que estos cristales conduzcan corriente
elctrica.

Las propiedades elctricas de los cristales N y P son aprovechadas en la construccin

de los diodos semiconductores y transistores.

Un diodo semiconductor est constituido por la unin o juntura de un cristal N y de un

cristal P, la cual se denomina juntura o unin NP o PN.

Estas uniones se logran mediante la fusin trmica o por contacto. En el primer caso se
obtienen aleaciones debido a las altas temperaturas a las que son sometidos
conjuntamente los cristales de germanio tratados y las impurezas utilizadas en la
construccin de la juntura . En el segundo caso se emplean alambres de fabricacin
especial los cuales hacen contacto en uno de sus extremos con el material
semiconductores producindose en este punto de contacto la unin o juntura.

En la zona de unin o juntura entre el cristal N y el cristal P, se produce una barrera de

potencial que impide que los electrones excedentes en el cristal N pasen a llenar los
huecos que existen en el cristal P. Esto se debe en parte al rechazo que los tomos de
las impurezas donantes presentes en el cristal N, ejercen sobre los huecos que existen en
el cristal P. No debemos olvidar que los tomos donantes en el cristal N adquieren una
carga positiva debido a la perdida de un electrn.

Por otra parte los tomos de las impurezas aceptadoras existentes en el cristal P, han
adquirido una carga negativa debido a que cuentan con el excedente de un electrn y
esto hace que rechacen a los electrones libres que existen en el cristal N de tal manera
que en estas condiciones los electrones del cristal N, no pueden ocupar los huecos
existentes en el cristal P como podra suponerse, es decir, no pueden superar por s solos
la barrera de potencial existente en la juntura.
Como resultado de las informaciones que se obtenga en esta leccin, sers capaz
de explicar la funcin que realizan los dispositivos electroacsticos en la
amplificacin del sonido.

Como se mencion en las primeras lecciones de nuestro curso, los sonidos pueden
amplificarse, grabarse, y reproducirse mediante sistemas electrnicos. En estos procesos
intervienen de manera muy importante los micrfonos y altavoces, los cuales reciben el
nombre de dispositivos electroacsticos, ya que debido a ellos, es posible convertir la
energa acstica en energa elctrica y viceversa.
En electrnica existe una variedad de estos dispositivos, la mayora de ellos trabaja con
diferentes principios, pero esencialmente su funcin es la misma.

Para entender la funcin que estos dispositivos realizan en la amplificacin del sonido, es
necesario recordar que el sonido es una forma de energa producida por cuerpos en
vibracin, la cual se propaga, a travs de un medio que generalmente es el aire, en forma
de ondas.

La energa acstica puede ser transformada a su vez, en energa elctrica y esta tarea
como ya se dijo,es la funcin principal de los dispositivos elctroacusticos en los sistemas
electrnicos de amplificacin del sonido. Para poder comprender mejor lo anterior
tomemos como ejemplo dos de los dispositivos de uso comn en dichos sistemas: el
micrfono y el altavoz.

Las ondas sonoras se transforman por la accin de un micrfono en impulsos elctricos

los cuales son amplificados electrnicamente y convertidos de nuevo en ondas sonoras
por medio de un altavoz o bocina. En este principio se basa el funcionamiento de todos
los amplificadores de sonido.

Es necesario sealar aqu que en otros casos, la conversin de la energa acstica y

viceversa, puede ser realizada por diferentes dispositivos electroacsticos, tales como el
fonocaptor o pastilla usado en los tocadiscos y los audfonos o auriculares que en
algunas ocasiones se emplean en vez del altavoz.

En las siguientes lecciones estudiaremos detenidamente como dos de los dispositivos

electroacstios de mayor uso el micrfono de cristal y el altavoz dinmico.