Vous êtes sur la page 1sur 5

UNIVERSIDAD TECNOLGICA EQUINOCCIAL

SEDE SANTO DOMINGO

FACULTAD DE CIENCIAS DE LA INGENIERA

ELECTRNICA BSICA

CONSULTA DE ELECTRONICA

ESTUDIANTE:
Marcelo Catota

DOCENTE:
ING. HENRY IZA

SANTO DOMINGO- ECUADOR


JULIO - 2017
MOSFET
Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son dispositivos de
efecto de campo que utilizan un elctrico para crear una canal de conduccin.
El Mosfet controla el paso de la corriente entre una entrada o terminal llamado fuente
sumidero (source) y una salida o terminal llamado drenador (drain), mediante la
aplicacin de una tensin (con un valor mnimo llamada tensin umbral) en el terminal
llamado puerta (gate).
Mosfet Tipo N Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensin
positiva se debe aplicar en la compuerta.
Mosfet Tipo P En el caso del MOSFET de canal P, se da una situacin similar a la que
sucede en los de tipo N.

Caractersticas.
Controlados por una tensin de alta impedancia de entrada (1012 ohmios).
Consumo bajo de energa.
Sensibilidad esttica.
Usados como amplificadores y conmutadores.
Poseen dos tipos N y P.
Es un dispositivo unipolar: la conduccin slo es debida a un tipo de portador
Aplicaciones
La forma ms habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS,
consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS complementarios. Las
aplicaciones de MOSFET discretos ms comunes son:
Resistencia controlada por tensin.
Circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).
Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.
Circuito
Ejemplo prctico: Para el circuito dado en la siguiente figura, calcular VGS, ID y VDS.
BJT

El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, y como los diodos, puede ser
de germanio o silicio.
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del flujo de la corriente
en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el grfico de cada tipo de transistor.
El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B),
colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la
flecha en el grfico de transistor.
El transistor es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos
una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregar por otra (emisor),
una cantidad mayor a sta, en un factor que se llama amplificacin. Este factor se llama
b (beta) y es un dato propio de cada transistor.

Caractersticas
La variacin de la corriente de salida es mayor.
Son menos estables a la temperatura.
Construccin ms grande.
Aplicaciones
El transistor como INTERRUPTOR: El transistor funciona como interruptor
CERRADO cuando aplicamos una corriente a la base.
El transistor funciona como interruptor ABIERTO cuando NO aplicamos una corriente
a la base.
El transistor como AMPLIFICADOR: Por medio de una pequea corriente aplicada a la
base se pueden gobernar otra mucho ms intensa entre colector y emisor
Esto significa que pequeas corrientes se pueden transformar en otros mas fuertes
Circuito
IGBT
El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia hbrido que combina los atributos
del TBJ y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y por consiguiente tiene
una alta impedancia de entrada. El gate maneja voltaje como el MOSFET. El smbolo
ms comnmente usado se muestra en la figura . Al igual que el MOSFET de potencia,
el IGBT no exhibe el fenmeno de ruptura secundario como el TBJ.

Caractersticas
ICmax Limitada por efecto Latch-up.
VGEmax Limitada por el espesor del xido de silicio.
Se disea para que cuando VGE = VGEmax la corriente de cortocircuito sea entre 4 a
10 veces la nominal (zona activa con VCE=Vmax) y pueda soportarla durante unos 5 a
10 us. y pueda actuar una proteccin electrnica cortando desde puerta.
VCEmax es la tensin de ruptura del transistor pnp. Como es muy baja, ser
VCEmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200, 1.700,
2.100 y 3.300 voltios.
La temperatura mxima de la unin suele ser de Existen en el mercado IGBTs
encapsulados que soportan hasta 400 o 600 Amp.
En la actualidad es el dispositivo mas usado para potencias entre varios kW y un par de
MW, trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz.

Aplicaciones
El IGBT es un dispositivo electrnico que generalmente se aplica a circuitos de
potencia. Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. Se usan
en los Variadores de frecuencia, as como en las aplicaciones en mquinas elctricas y
convertidores de potencia que nos acompaan cada da y por todas partes, sin que
seamos particularmente conscientes de eso: Automvil, Tren, Metro, Autobs, Avin,
Barco, Ascensor, Electrodomstico, Televisin, Domtica, Sistemas de Alimentacin
Ininterrumpida o SAI (en Ingls UPS), etc.

Circuito
Transistor Darlington
El transistor Darlington es un tipo especial de transistor que tiene
una muy alta ganancia de corriente. Est compuesto internamente
por dos transistores bipolares comunes que se conectan es cascada.
Los transistores Darlington se utilizan ampliamente en circuitos en
donde es necesario controlar cargas grandes (corrientes grandes)
con corrientes muy pequeas. Muy importante: La cada
de tensin entre la base y el emisor del transistor Darlington es 1.4
voltios que resulta de la suma de las cadas de tensin de base a
emisor del primer transistor B1 a E1 (0.7 voltios) y base a emisor
del segundo .
Caractersticas
Transistor Darlington NPN de propsito general
-IC max: 5 A
-IC pico max: 8 A
-IB max: 0.12 A
-PTOT: 65 W
-VCEO: 100 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V
-Bajo voltaje de saturacin colector-emisor
-Encapsulado: TO-220
Aplicacin
Es til para conmutar seales por el contacto de los dedos o para detectar la presencia de
esttica y amplificacin de audio.
Circuito

Bibliografa:

http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/el-transistor-mosfet
http://www.areatecnologia.com/electronica/mosfet.html
http://www.monografias.com/trabajos100/transistores-bjt-y-aplicaciones/transistores-
bjt-y-aplicaciones.shtml
https://www.ecured.cu/Transistor_IGBT
http://unicrom.com/transistor-darlingt
http://www.monografias.com/trabajos100/transistores-bjt-y-aplicaciones/transistores-
bjt-y-aplicaciones.shtml

Vous aimerez peut-être aussi