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UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA. CIRCUITOS DE RF. AMPLIFICADOR DE RF. NOVIEMBRE DE 2016.

Amplificador de RF
Universidad Nacional de Colombia Sede Bogot
Departamento de Ingeniera Elctrica y Electrnica
Aguilar Ricardo, Guerrero Anderson D.
iraguilard@unal.edu.co
adguerreroc@unal.edu.co

como caracterstica su alta ganancia, y una etapa de emisor


AbstractIn the following report the results obtained after comn, donde a pesar de que no provee una alta ganancia, si
carrying out the design and implementation for an RF amplifier garantiza la frecuencia de operacin a altas frecuencias.
shown. the corresponding design shown in DC operation and then
the results obtained for the amplifier operating in the frequency Basados en lo anterior se procedi a realizar el diseo
range and gain specified. inicialmente pensado para que cumpliera el punto de operacin
Index TermsAmplificador, ancho de banda, frecuencia de en DC y as garantizar el funcionamiento de los transistores
operacin, ganancia. en la regin activa. Para este caso se decidi hacer uso del
transistor 2N3904, se consultaron los datasheets de varios
I. I NTRODUCCIN fabricantes y se lleg a la conclusin de que para una corriente
de colector (Ic ) de 10mA, el beta () era de aproximadamente
En el presente informe se especifican los parmetros de
150. Para la polarizacin tambin se asumi que Ic ' IE . Para
diseo para realizar la implementacin de un amplificador que
el caso de las tensiones se tom un VCC = 12V y VCE = 1V
operar en la banda de RF. Inicialmente se debe garantizar
para los dos transistores.
el correcto punto de operacin en DC, esto con el fin de
asegurar que los transistores usados se encuentren en el modo Con las consideraciones anteriores se realiz el clculo de
activo de operacin. Posteriormente se realizar el clculo las resistencias necesarias para la polarizacin del circuito. En
de las capacitancias de alta frecuencia que se encargarn de la Figura 1 se muestra el circuito implementado para garantizar
limitar el ancho de banda y la frecuencia de banda media. la polarizacin:
Finalmente se realiza la implementacin del circuito en fsico
luego de realizar las simulaciones pertinentes y cumplir con
los parmetros de diseo establecidos.

II. P ROCEDIMIENTO
El procedimiento realizado fue el diseo de un amplificador
lineal con las siguientes especificaciones:
Una sola fuente de tensin de alimentacin, tal que Vcc
20V.
Frecuencia de operacin dentro de la banda de 1MHz
1% f 50MHz 1%.
Ganancia 30dB 2dB.
Amplitud de salida de 2.5Vp, acoplada a una carga ZL
= 1k.

III. D ISEO
Durante la primera sesin para esta prctica se haba optado
por desarrollar un amplificador emisor comn, el cual cumpla Figura 1. Diseo propuesto para punto de operacin DC.
con la especificacin de ganancia requerida, pero no garanti-
zaba la frecuencia de operacin que se necesitaba. Luego de
esto se decidi realizar un amplificador en configuracin de
cascodo, pues este tiene una etapa de base comn que tiene Cabe resaltar que estos valores de resistencia fueron ajus-
tados para que se pudieran conseguir a nivel comercial. Las
caractersticas de operacin del amplificador se muestran a
continuacin, obtenidas mediante el software LTSpice.
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Es importante mencionar que el valor de capacitancia para


C4, tuvo que ser ajustado de acuerdo a los valores comer-
ciales que se encuentran en el mercado, y garantizando que
a este valor se mantuviera el amplificador en el rango de
frecuencias establecido, de acuerdo a esto se tom este valor
de 47nF. Finalmente en trminos de la ganancia de acuerdo
a los parmetros establecidos se piden 30dBs, que en veces
equivale a 31.62 veces, para verificar el cumplimiento de esta
especificacin se realiz la simulacin como se muestra a
continuacin:

Figura 2. Caractersticas de operacin amplificador.

Pese a que la corriente de colector planteada inicialmente


fue de 10mA, se observa que en la simulacin este valor es
de 7mA, esto se explica debido a que el modelo del transistor
que usa el simulador es mucho ms especfico en cuanto a los
parmetros internos del transistor, y en el clculo terico se
tomaron determinaciones basados en las especificaciones del
fabricante para el comportamiento de Ic vs , sin embargo
se garantiza la correcta operacin de los dos transistores y
los valores de tensin se acercan bastante a los calculados
tericamente. Figura 4. Ganancia del amplificador.
Posteriormente se procedi a considerar los valores de
capacitancia para el amplificador, basados en la frecuencia baja
de operacin. y se tom como referencia que la frecuencia baja Como se aprecia en la grfica para un vi = 2.5mV, se obtivo
est dada por:[3] un vo = 71.67mV, siendo la ganancia (vo /vi ) de 28.8 veces
(29.18dB) lo cual garantiza la operacin en las especifica-
1 ciones brindadas.
FL = (1)
2()CR
De lo anterior se establece que FL = 1MHz, siendo este
el lmite inferior de acuerdo a las especificaciones del diseo, IV. R ESULTADOS Y ANLISIS DE RESULTADOS
luego se realiz el clculo de la resistencia interna del cascodo
a partir del modelo de pequea seal, obteniendo Rin = 16.73
. Finalmente de la ecuacin 2 se despeja C, esto es:[3] Despus de tener el diseo, se procedi a las simulaciones
en LTSpice IV, para lograr hacer una comparacin con los
1 1 clculos previos y por ende llevar el diseo a la implementa-
C= = = 9.513nF. (2) cion. Se realizo una simulacin en frecuencia para observar
2()FL Rin 2()1M Hz16.73
que rango de frecuencias las seales que sean estimulados al
Para efectos prcticos el valor de capacitancia que se va a transistor corresponda a las especificaciones del diseo.
tomar ser de 10nF. El diseo completo del amplificador se
muestra a continuacin.

Figura 5. Banda de frecuencias del amplificador

Despus de haber encontrado un rango de frecuencia aprox-


imado, se procedio a implementar el circuito y estimularlo con
una seal de 20mV y frecuencia de 3MHz como se muestra
Figura 3. Diseo completo del amplificador. en la figura:
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En la figura anterior se puede observar que la entrada de


tensin no se refleja demasiado en comparacin a la primera
medida, pero las ganancia si se ve afectada.

Figura 6. Seal aplicada al circuito

Los resultados medidos a la salida del amplificador fueron


las siguientes:
Figura 9. Seal de salida a 10MHz

En esta ultima prueba, se observa que la seal comienza a


perder ganancia significativamente de acuerdo a los parmetros
calculados y simulados.

V. C ONCLUSIONES
Con respecto a lo propuesto, se logr hacer una determi-
nacin con los parmetros mas prximos, pese a que no
se logro un diseo optimo, este de alguna manera trabaja
en alta frecuencia a una ganancia deseada.
No se tuvo en cuenta un diseo correctamente acoplado,
con respecto a su impedancia de entrada, por lo cual
presento una una reflexin significativa que de alguna u
otra manera afectara la elevacin de tensin en diferentes
Figura 7. Seal de entrada y salida medida en el osciloscopio frecuencias, siendo este el factor fundamental de un
diseo a una banda deseada.
En la figura anterior se logra apreciar que la seal de entrada
La principal diferencia entre los resultados obtenidos
no es exactamente los 20mv aplicados desde el generador, esto
de manera terica, simulacin y experimental, es que
puede deberse a que no hay un buen acople entre generador y
en cada uno de los casos los parmetros internos del
la entrada del amplificador, y de lo cual se puede deducir que
transistor varan, as como los valores de capacitancias
existe una reflexin del transistor hacia la fuente de voltaje.
e inductancias, pues estos no son ideales. As mismo el
Por ultimo se verifico el ancho de banda a la cual deseamos
uso del cable para realizar las conexiones entre com-
que opere el dispositivo, esto se llevo a cabo haciendo un
ponentes tiene un papel fundamental, pues este genera
muestreo de varias frecuencias, y como variaba la ganancia a
capacitancias parsitas a altas frecuencias y esto hace que
medida que hacamos los cambios.
la respuesta de frecuencia principalmente se vea afectado.
Para efectos prcticos al generar seales del orden de
los 10mV en el generador de seales, no es posible
realizar una visualizacin correcta de la seal, pues no
es posible establecer diferencia entre la seal y el ruido
generado, por esta razn se usaron amplitudes superiores
a los 20mV.

R EFERENCIAS
[1] Christopher Bowick, John Blyler and Cherylagjuni. RF Circuit Design,
2nd Edicin, Oxford University, 2008, pginas 3-11.
[2] Jos A Garca Souto.Componentes y Circuitos Electrnicos,Tcnicas
de medida en laboratorios de electrnica , Universidad Carlos III de
Madrid, 2004, pginas 3-8.
[3] Sedra. A, Smith. K. Circuitos microelectrnicos. 5ed. Pginas 497-503.

Figura 8. Seal de salida a 5MHz