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2. PROPSITO
Resultado de aprendizaje u objetivo de trabajo
1. Identificar los principios de operacin de un transistor bipolar en conmutacin en los estados de corte y
saturacin.
2. Identificar las magnitudes relativas en corte y saturacin de los valores de voltaje base-emisor, corriente de
base, corriente de colector y voltaje colector-emisor.
3. Identificar las cuatro especificaciones ms importantes para transistores en conmutacin.
4. Especificar todos los elementos necesarios en un circuito de salida a LED con un transistor NPN.
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Servicio, justicia y transparencia en el Proceso de Enseanza - Aprendizaje
Especifica todos los elementos necesarios en un circuito de salida a LEO con un transistor NPN.
OPERACION BASICA:
En saturacin, la salida (el colector-emisor) es un corto- circuito virtual, permitiendo slo una pequea cada de
voltaje a travs de ella, usualmente de 0.2 Volt. En el corte, la salida del transistor es un circuito abierto con alta
resistencia, lo que usualmente resulta en una gran cada de tensin a travs del colector-emisor. Esta cada de
tensin generalmente se aproxima al voltaje de la fuente de alimentacin.
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BETA
Cuando el transistor est en saturacin, o en el estado "ON", circula una corriente de colector que es
directamente proporcional a la corriente de base multiplicada por el factor BETA. Debido a esa relacin, puede
aplicarse una pequea corriente desde un circuito integrado lgico para conmutar una carga de alta corriente. La
corriente de colector es igual a la ganancia de corriente (representada por beta) por la corriente de base, como se
muestra en esta frmula.
RESISTORDE BASE
Un transistor en conmutacin nunca se utiliza aislado; se necesita un nmero de elementos para construir un
circuito de transistor de conmutacin. Se requiere un RESISTOR DE BASE, abreviado R (B), porque la juntura base-
emisor slo necesita 0.7 voltios para polarizarse directamente (forward-bias, en ingls) y, los voltajes tpicos de
entrada son considerablemente ms altos. Adems, el resistor de base limita la cantidad de corriente de base a
solamente la necesaria para saturar al transistor y, tambin protege las salidas del circuito integrado que la
maneja.
RESISTORDE COLECTOR
Debe incluirse tambin un RESISTOR DE COLECTOR, abreviado R (C), para limitar la circulacin de la corriente de
colector a slo la necesaria para hacer funcionar la carga. Esto es importante para proteger tanto al transistor
como a la carga. Adems, el resistor de colector hace caer cualquier voltaje no utilizado por el transistor o la carga.
El valor del resistor de colector necesario para un circuito dado, puede determinarse despus de calcular la cada
de voltaje en l. Para determinar la carda de voltaje a travs del resistor de colector, rstele al voltaje de fuente de
alimentacin el voltaje que cae en la carga (denominado "LOAD" en ingls) ms el voltaje colector-emisor en
saturacin. Esta es la frmula para obtener el voltaje del resistor de colector:
Los circuitos de conmutacin con transistores pueden construirse utilizando transistores PNP, as como tambin
transistores NPN. Se aplican los mismos principios, excepto que todas las fuentes de voltaje y V(CC) estn
invertidas. Un transistor PNP conmuta a "ON" cuando su entrada es un voltaje bajo, justamente lo opuesto a un
transistor NPN.
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Para seleccionar el transistor de conmutacin apropiado para una aplicacin dada, deben examinarse cuatro
especificaciones crticas. Estas son: mxima tensin de ruptura, mxima corriente de colector, tiempo de
conmutacin y factor beta.
El rgimen de MAXIMO VOLTAJE DE RUPTURA (Maximum Breakdown Voltage, en ingls) especifica el voltaje ms
alto que puede aplicarse entre dos terminales del transistor antes de provocar la falla del dispositivo. Los
regmenes de mximo voltaje se dan para las Junturas colector-emisor, colector-base y base-emisor. El rgimen de
mximo voltaje colector-emisor es particularmente importante para la condicin de corte del transistor, ya que en
el corte prcticamente se aplica la tensin de alimentacin mxima a la salida del transistor entre el colector y el
emisor.
El rgimen de CORRIENTE MAXIMA DE COLECTOR es particularmente importante para tener en cuenta cuando el
transistor est en saturacin. Esto es porque durante la saturacin, circula la mayor cantidad de corriente de
colector y, est limitada slo por el resistor del colector y la resistencia de la carga. Si se excede este rgimen, el
transistor ser destruido.
Es una prctica comn operar al transistor del 25% al 50% por debajo de los regmenes de mximo voltaje y
mxima corriente. Esta prctica de disminucin (correccin o de clasificacin) de la potencia es conocida como
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DE-RATING en ingls.
TIEMPO DE CONMUTACION
En una aplicacin tpica es necesario saber que la corriente de salida del dispositivo utilizado ser capaz de
conmutar lo suficientemente rpido para seguir al voltaje de entrada. El TIEMPO DE CONMUTACION (Switching
Time, en ingls) de un transistor puede dividirse en cuatro perodos caractersticos de tiempo. (Refirase al grfico
de tiempo de conmutacin.)
El TIEMPO DE DEMORA, t(d), es el tiempo que se necesita para que la corriente de salida llegue al 10% de su valor
mximo de saturacin (Denominado Delay Time, en ingls). El TIEMPO DE SUBIDA, t(r), es el tiempo necesario
para que la corriente de salida vaya del 10 al 90% de su mximo (Conocido como Rise Time, en ingls). Entonces,
para que la salida conmute del O al 90%, donde llega la saturacin, deben tenerse en cuenta dos Intervalos de
tiempo: tiempo de demora y tiempo de subida. Se describen a menudo a estos dos intervalos de tiempo como el
TIEMPO DE ENCENDIDO, t(ON), que se refiere a la cantidad de tiempo que le insume al dispositivo la llegada a la
saturacin, esto es, encenderse.
El TIEMPO DE ALMACENAMIENTO, t(s), es el tiempo que tarda la salida para caer desde el 100% al 90% de su valor
mximo (Storage Time, en ingls). El TIEMPO DE CAIDA, t(f), es el tiempo que tarda la salida para caer del 90% al1
0% de su valor mximo (Fall Time; en ingls). Tomados Juntos, estos dos intervalos de tiempo son denominados
TIEMPO DE APAGADO, t(OFF), que es la cantidad de tiempo que tarda el dispositivo para llegar al corte o
apagarse.
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BETA
Las hojas de especificacin para un transistor de conmutacin tambin documentarn la constante de ganancia de
corriente BETA. Ntese que BETA tambin puede ser denominado h(FE). Con una beta grande, la corriente de base
puede ser muy pequea y an producir una gran corriente de saturacin en la salida. Las buenas prcticas
requieren la utilizacin de un dispositivo con una beta grande, por lo menos de 100.
Para construir un circuito con transistor de conmutacin, debe seguirse un procedimiento paso a paso para tomar
en cuenta todos los valores examinados hasta aqu:
3. Con esta informacin, examinar las especificaciones del dispositivo para seleccionar al transistor de
conmutacin apropiado.
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10. Dibujar el esquema final del circuito que ser utilizado para la construccin del circuito real.
Se toman todos estos pasos para disear el circuito de conmutacin de un LED que se muestra a continuacin.
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TERMINOS CLAVES
Observe estos trminos importantes a medida que son presentados en la leccin de video. Si despus de mirar la
leccin de video, usted necesita ms ayuda para entender los Trminos Clave, consulte el Glosario al final de esta
Gua de Estudio.
CONCEPTOS CLAVES
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PRUEBA
Cuando usted haya completado esta leccin, resuelva la siguiente prueba para verificar su comprensin del
material presentado. Usted puede acudir al Resumen y al Glosario si necesita ayuda.
Parte I: Marque la letra de la opcin que usted considera que es la mejor respuesta a cada pregunta. Luego
compare sus elecciones con la Clave de Respuestas para esta leccin.
A. Saturado
B. Cortado.
C. Abierto
4. Un transistor de conmutacin NPN con una V(CE) de 0.17 voltios y una V(BE) de 0.7 voltios est:
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A. Defectuoso.
B. Al corte.
C. Saturado
D. Prcticamente saturado.
A. Beta.
C. Tiempo de conmutacin.
6. Cuando se utiliza un transistor para conmutacin, una buena precaucin es tomar un factor de seguridad para
sus voltajes de ruptura mximos de:
A. 10 a 20%
B. 25 a 50%
C. 50 a 100%
8. El circuito de salida de un driver de un LED tpico posee las siguientes especificaciones cuando el transistor
bipolar est saturado: V(LED) es 1.6 voltios, V(CC) es 15 voltios, I(C) es 20 mA. El resistor de colector necesario
en este circuito tiene un valor cercano a:
A. 390 Ohms.
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B. 470 Ohms.
C. 560 Onms.
D. 660 Ohms.
9. El transistor de conmutacin que maneja un LEO a 20 mA posee una beta mnima de 200. Con un factor de
seguridad tpico, I(B) debe ser de alrededor de:
A. 20 microamps.
B. 100 microamps.
C. 110 microamps.
D. 200 microamps.
10. El transistor de conmutacin que maneja un LEO a 10mA posee una beta de 150. El voltaje de manejo de base
es de 0 a 7 voltios. Su resistor de base debe ser cercano a:
A. 15K ohms.
B. 33K ohms.
C. 47K ohms.
D. 65K ohms..
Parte II: Complete los siguientes ejercicios escribiendo sus respuestas en el espacio provisto.
1. Cules son las magnitudes relativas del voltaje base-emisor, corriente de base, corriente de colector y voltaje
colector-emisor en corte yen saturacin?
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2. Examine el diagrama del circuito que se muestra abajo y luego complete las magnitudes esperadas. (Asuma
que V(IN) es igual a 5 voltios).
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Las siguientes tres preguntas estn basadas en un circuito de manejo para un LED, cuyo rgimen es de 1.6
voltios, que llegar al brillo deseado cuando est conduciendo una corriente de 13mA. Hay una fuente de
colector de 6 voltios disponible, el pulso de entrada vara de 0 a +6 voltios y, el transistor a utilizarse es un
2N5334 NPN con los siguientes regmenes:
Ssbbnb
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5. Calcule el valor del resistor de base. (Asuma que el voltaje de fuente de 6 voltios se utiliza como el voltaje de
manejo de base.).
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