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Servicio, justicia y transparencia en el Proceso de Enseanza - Aprendizaje

GUIA TALLER DE APRENDIZAJE O


PRCTICA DE LABORATORIO Electrnica Industrial
Acreditada

1. IDENTIFICACION DE LA GUIA N.3: TRANSISTORES BIPOLARES EN CONMUTACIN


1.1 Nombre del Profesor o Instructor: 1.2 Fecha de Ejecucin:
Carlos Alberto Ventura Tantalen 13 de septiembre del 2017.
1.3 Nombre del estudiante 1.4 Lugar 1.5 Horas pedaggicas
Moises Vera Medina Laboratorio 08 Horas
1.6 Carrera Profesional 1.7 Unidad Didctica
Electrnica Industrial Sistemas Digitales
1.8 Ciclo 1.9 Ao Lectivo
II 2017- II

2. PROPSITO
Resultado de aprendizaje u objetivo de trabajo
1. Identificar los principios de operacin de un transistor bipolar en conmutacin en los estados de corte y
saturacin.
2. Identificar las magnitudes relativas en corte y saturacin de los valores de voltaje base-emisor, corriente de
base, corriente de colector y voltaje colector-emisor.
3. Identificar las cuatro especificaciones ms importantes para transistores en conmutacin.
4. Especificar todos los elementos necesarios en un circuito de salida a LED con un transistor NPN.

3. ESPECIFICACIONES DE LA ACTIVIDAD (Criterios de Evaluacin y Presentacin)


Presentacin: El tcnico en Electrnica Industrial necesita un entendimiento completo sobre los Transistores
Bipolares en Conmutacin, esta gua incluye los siguientes temas:
Transistores en Conmutacin
o Operacin Bsica.
o Voltaje Colector Emisor
o Beta.
o Resistor de Base.
o Resistor de Colector.
o Circuitos de Conmutacin con Transistores NPN.
o Especificaciones del Transistor de Conmutacin.
o Mximo Voltaje De Ruptura.
o Corriente Mxima de Colector.
o Tiempo De Conmutacin.
o Diseo de Un Circuito Con Transistor De Conmutacin
Criterios de Evaluacin:
Identifica los principios de operacin de un transistor bipolar en conmutacin en los estados de corte y
saturacin.
Identifica las magnitudes relativas en corte y saturacin de los valores de voltaje base-emisor, corriente
de base, corriente de colector y voltaje colector-emisor.
Identifica las cuatro especificaciones ms importantes para transistores en conmutacin.

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Especifica todos los elementos necesarios en un circuito de salida a LEO con un transistor NPN.

4. DESARROLLO DE LA ACTIVIDAD Y BREVE DESCRIPCIN DEL PROCEDIMIENTO


TRANSISTORES EN CONMUTACION

El estudio de los dispositivos semiconductores se concentra tpicamente en la utilizacin de transistores como


amplificadores lineales. En los circuitos digitales, donde es esencial la conmutacin a alta velocidad de un estado
a otro, los transistores se utilizan comnmente como conmutadores electrnicos. Mientras el transistor en
conmutacin es la regla dentro de los circuitos integrados lgicos, los TRANSISTORES BIPOLARES DISCRETOS de
conmutacin se utilizan cuando las corrientes requeridas son mayores que las que pueden ser manejadas por
circuitos integrados. Un transistor de conmutacin provee la interface entre la circuitera lgica y las cargas de
alta corriente.

Circuito del Transistor Bipolar en Conmutacin

OPERACION BASICA:

En un transistor en conmutacin, los extremos de operacin de SATURACION y CORTE determinan si el


dispositivo est conectado o desconectado. La entrada es la juntura base-emisor, la salida es la juntura colector-
emisor. Cuando se polariza directamente a la juntura base-emisor con 0.7 Voltios, circula una gran corriente de
base y, circula una corriente de colector proporcional- mente ms grande - el transistor est saturado, o est en
el estado "ON". Cuando el voltaje base-emisor es menor de 0.7 Voltios, el transistor ya no est polarizado en
directa. La corriente de base deja de circular y, por lo tanto, la corriente de colector deja de circular - el transistor
de conmutacin est en el corte, o en el estado OFF.

VOLTAJE COLECTOR - EMISOR:

En saturacin, la salida (el colector-emisor) es un corto- circuito virtual, permitiendo slo una pequea cada de
voltaje a travs de ella, usualmente de 0.2 Volt. En el corte, la salida del transistor es un circuito abierto con alta
resistencia, lo que usualmente resulta en una gran cada de tensin a travs del colector-emisor. Esta cada de
tensin generalmente se aproxima al voltaje de la fuente de alimentacin.

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BETA

Cuando el transistor est en saturacin, o en el estado "ON", circula una corriente de colector que es
directamente proporcional a la corriente de base multiplicada por el factor BETA. Debido a esa relacin, puede
aplicarse una pequea corriente desde un circuito integrado lgico para conmutar una carga de alta corriente. La
corriente de colector es igual a la ganancia de corriente (representada por beta) por la corriente de base, como se
muestra en esta frmula.

RESISTORDE BASE

Un transistor en conmutacin nunca se utiliza aislado; se necesita un nmero de elementos para construir un
circuito de transistor de conmutacin. Se requiere un RESISTOR DE BASE, abreviado R (B), porque la juntura base-
emisor slo necesita 0.7 voltios para polarizarse directamente (forward-bias, en ingls) y, los voltajes tpicos de
entrada son considerablemente ms altos. Adems, el resistor de base limita la cantidad de corriente de base a
solamente la necesaria para saturar al transistor y, tambin protege las salidas del circuito integrado que la
maneja.

RESISTORDE COLECTOR

Debe incluirse tambin un RESISTOR DE COLECTOR, abreviado R (C), para limitar la circulacin de la corriente de
colector a slo la necesaria para hacer funcionar la carga. Esto es importante para proteger tanto al transistor
como a la carga. Adems, el resistor de colector hace caer cualquier voltaje no utilizado por el transistor o la carga.

El valor del resistor de colector necesario para un circuito dado, puede determinarse despus de calcular la cada
de voltaje en l. Para determinar la carda de voltaje a travs del resistor de colector, rstele al voltaje de fuente de
alimentacin el voltaje que cae en la carga (denominado "LOAD" en ingls) ms el voltaje colector-emisor en
saturacin. Esta es la frmula para obtener el voltaje del resistor de colector:

CIRCUITOS DE CONMUTACION CON TRANSISTORES NPN Y PNP

Los circuitos de conmutacin con transistores pueden construirse utilizando transistores PNP, as como tambin
transistores NPN. Se aplican los mismos principios, excepto que todas las fuentes de voltaje y V(CC) estn
invertidas. Un transistor PNP conmuta a "ON" cuando su entrada es un voltaje bajo, justamente lo opuesto a un
transistor NPN.

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ESPECIFICACIONES DEL TRANSISTOR DE CONMUTACION

Para seleccionar el transistor de conmutacin apropiado para una aplicacin dada, deben examinarse cuatro
especificaciones crticas. Estas son: mxima tensin de ruptura, mxima corriente de colector, tiempo de
conmutacin y factor beta.

MAXIMO VOLTAJE DE RUPTURA

El rgimen de MAXIMO VOLTAJE DE RUPTURA (Maximum Breakdown Voltage, en ingls) especifica el voltaje ms
alto que puede aplicarse entre dos terminales del transistor antes de provocar la falla del dispositivo. Los
regmenes de mximo voltaje se dan para las Junturas colector-emisor, colector-base y base-emisor. El rgimen de
mximo voltaje colector-emisor es particularmente importante para la condicin de corte del transistor, ya que en
el corte prcticamente se aplica la tensin de alimentacin mxima a la salida del transistor entre el colector y el
emisor.

CORRIENTE MAXIMADE COLECTOR

El rgimen de CORRIENTE MAXIMA DE COLECTOR es particularmente importante para tener en cuenta cuando el
transistor est en saturacin. Esto es porque durante la saturacin, circula la mayor cantidad de corriente de
colector y, est limitada slo por el resistor del colector y la resistencia de la carga. Si se excede este rgimen, el
transistor ser destruido.

Es una prctica comn operar al transistor del 25% al 50% por debajo de los regmenes de mximo voltaje y
mxima corriente. Esta prctica de disminucin (correccin o de clasificacin) de la potencia es conocida como
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DE-RATING en ingls.

TIEMPO DE CONMUTACION

En una aplicacin tpica es necesario saber que la corriente de salida del dispositivo utilizado ser capaz de
conmutar lo suficientemente rpido para seguir al voltaje de entrada. El TIEMPO DE CONMUTACION (Switching
Time, en ingls) de un transistor puede dividirse en cuatro perodos caractersticos de tiempo. (Refirase al grfico
de tiempo de conmutacin.)

El TIEMPO DE DEMORA, t(d), es el tiempo que se necesita para que la corriente de salida llegue al 10% de su valor
mximo de saturacin (Denominado Delay Time, en ingls). El TIEMPO DE SUBIDA, t(r), es el tiempo necesario
para que la corriente de salida vaya del 10 al 90% de su mximo (Conocido como Rise Time, en ingls). Entonces,
para que la salida conmute del O al 90%, donde llega la saturacin, deben tenerse en cuenta dos Intervalos de
tiempo: tiempo de demora y tiempo de subida. Se describen a menudo a estos dos intervalos de tiempo como el
TIEMPO DE ENCENDIDO, t(ON), que se refiere a la cantidad de tiempo que le insume al dispositivo la llegada a la
saturacin, esto es, encenderse.

El TIEMPO DE ALMACENAMIENTO, t(s), es el tiempo que tarda la salida para caer desde el 100% al 90% de su valor
mximo (Storage Time, en ingls). El TIEMPO DE CAIDA, t(f), es el tiempo que tarda la salida para caer del 90% al1
0% de su valor mximo (Fall Time; en ingls). Tomados Juntos, estos dos intervalos de tiempo son denominados
TIEMPO DE APAGADO, t(OFF), que es la cantidad de tiempo que tarda el dispositivo para llegar al corte o
apagarse.

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BETA

Las hojas de especificacin para un transistor de conmutacin tambin documentarn la constante de ganancia de
corriente BETA. Ntese que BETA tambin puede ser denominado h(FE). Con una beta grande, la corriente de base
puede ser muy pequea y an producir una gran corriente de saturacin en la salida. Las buenas prcticas
requieren la utilizacin de un dispositivo con una beta grande, por lo menos de 100.

DISEO DE UN CIRCUITO CON TRANSISTOR DE CONMUTACION

Para construir un circuito con transistor de conmutacin, debe seguirse un procedimiento paso a paso para tomar
en cuenta todos los valores examinados hasta aqu:

1. Definir la carga en trminos de requerimientos de voltaje y corriente.


2. Especificar el voltaje de la fuente de alimentacin.

3. Con esta informacin, examinar las especificaciones del dispositivo para seleccionar al transistor de
conmutacin apropiado.

4. Dibujar un esquema elemental para el circuito.

5. Especificar la corriente de colector que necesita la carga.

6. Determinar el valor del resistor de colector.

7. Determinar la corriente de base que se necesita para la saturacin.

8. Especificar la amplitud de la seal de entrada.

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9. Determinar el valor del resistor de base.

10. Dibujar el esquema final del circuito que ser utilizado para la construccin del circuito real.

Se toman todos estos pasos para disear el circuito de conmutacin de un LED que se muestra a continuacin.

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TERMINOS CLAVES

Observe estos trminos importantes a medida que son presentados en la leccin de video. Si despus de mirar la
leccin de video, usted necesita ms ayuda para entender los Trminos Clave, consulte el Glosario al final de esta
Gua de Estudio.

TRANSISTOR BIPOLAR DE CONMUTACION TIEMPO DE CONMUTACION


SATURACION TIEMPO DE DEMORA
CORTE TIEMPO DE SUBIDA
RESISTOR DE BASE TIEMPO DE ALMACENAMIENTO
RE81STOR DE COLECTOR TIEMPO DE CAIDA
MAXIMO VOLTAJE DE RUPTURA TIEMPO DE ENCENDIDO
MAXIMA CORRIENTE DE COLECTOR TIEMPO DE APAGADO
DERATING BETA

CONCEPTOS CLAVES

1. Cundo est polarizado en directo un transistor bipolar de conmutacin?


Cuando est en polarizacin directa cuando se le aplica 0.7 v
2. Qu magnitudes relativas poseen la corriente de base y la corriente de colector en corte y en saturacin?
El voltaje de base a emisor es menor a 0.0v esto se crea siendo el voltaje de base = al voltaje del emisor, como
resultado la corriente de base deja de circular y cuando la corriente de base deja circular la corriente de
colector deja de circular, sin corriente de colector en la salida el dispositivo est cortado y la salida es un
circuito abierto.
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AHORA VEA LA LECCION DE VIDEO 3 TRANSISTORES BIPOLARES EN CONMUTACIN

PRUEBA

Cuando usted haya completado esta leccin, resuelva la siguiente prueba para verificar su comprensin del
material presentado. Usted puede acudir al Resumen y al Glosario si necesita ayuda.

Parte I: Marque la letra de la opcin que usted considera que es la mejor respuesta a cada pregunta. Luego
compare sus elecciones con la Clave de Respuestas para esta leccin.

1. Un transistor bipolar en conmutacin acta como un interruptor abierto cuando:

A. Su juntura base-colector no est polarizada en directa.

B. Su V(CE) es muy bajo.

C. Su juntura base-emisor no est polarizada en directa.

2. Si el V(CE) de un transistor bipolar de conmutacin es de alrededor de 0.2 voltios, el dispositivo est


seguramente:

A. Saturado

B. Cortado.

C. Abierto

D. Sobre la mxima V(CE) de ruptura.

3. Un transistor bipolar de conmutacin que est al corte tiene:

A. Una beta de cerca de cero.

B. Una juntura base-emisor polarizada en directa.

C. Prcticamente ningn voltaje entre colector y emisor.

D. Un gran voltaje colector- emisor.

4. Un transistor de conmutacin NPN con una V(CE) de 0.17 voltios y una V(BE) de 0.7 voltios est:
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A. Defectuoso.

B. Al corte.

C. Saturado

D. Prcticamente saturado.

5. Cul de estas especificaciones es Importante al seleccionar un transistor de conmutacin?

A. Beta.

B. Corriente mxima de colector

C. Tiempo de conmutacin.

D. Todas las respuestas anteriores son correctas.

6. Cuando se utiliza un transistor para conmutacin, una buena precaucin es tomar un factor de seguridad para
sus voltajes de ruptura mximos de:

A. 10 a 20%

B. 25 a 50%

C. 50 a 100%

7. Un transistor de conmutacin no funcionar correctamente si:

A. Los tiempos de conmutacin requeridos son muy rpidos.

B. El transistor est algunas veces polarizado en directa.

C. El transistor est polarizado en directa mucho tiempo.

D. El transistor es manejado con polarizacin (bias) inversa.

8. El circuito de salida de un driver de un LED tpico posee las siguientes especificaciones cuando el transistor
bipolar est saturado: V(LED) es 1.6 voltios, V(CC) es 15 voltios, I(C) es 20 mA. El resistor de colector necesario
en este circuito tiene un valor cercano a:

A. 390 Ohms.
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B. 470 Ohms.

C. 560 Onms.

D. 660 Ohms.

9. El transistor de conmutacin que maneja un LEO a 20 mA posee una beta mnima de 200. Con un factor de
seguridad tpico, I(B) debe ser de alrededor de:

A. 20 microamps.

B. 100 microamps.

C. 110 microamps.

D. 200 microamps.

10. El transistor de conmutacin que maneja un LEO a 10mA posee una beta de 150. El voltaje de manejo de base
es de 0 a 7 voltios. Su resistor de base debe ser cercano a:

A. 15K ohms.

B. 33K ohms.

C. 47K ohms.

D. 65K ohms..

Parte II: Complete los siguientes ejercicios escribiendo sus respuestas en el espacio provisto.

1. Cules son las magnitudes relativas del voltaje base-emisor, corriente de base, corriente de colector y voltaje
colector-emisor en corte yen saturacin?
_____________________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________________

2. Examine el diagrama del circuito que se muestra abajo y luego complete las magnitudes esperadas. (Asuma
que V(IN) es igual a 5 voltios).

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Las siguientes tres preguntas estn basadas en un circuito de manejo para un LED, cuyo rgimen es de 1.6
voltios, que llegar al brillo deseado cuando est conduciendo una corriente de 13mA. Hay una fuente de
colector de 6 voltios disponible, el pulso de entrada vara de 0 a +6 voltios y, el transistor a utilizarse es un
2N5334 NPN con los siguientes regmenes:

V(CEO): 60.0 V CD I(C): 3.0 A CD

V(CB): 60.0 V CD 1(8): 0.5 A CD

V(BE): 8.0 V CD h(FE): 30 min

3. Calcule el valor del resistor de colector.

Ssbbnb

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4. Calcule el valor de la corriente de base.

5. Calcule el valor del resistor de base. (Asuma que el voltaje de fuente de 6 voltios se utiliza como el voltaje de
manejo de base.).

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