ampRF Pequehna Senhal

AMPLIFICADORES DE RF DE
PEQUEA SEAL
DISEO USANDO PARMETROS Y y S
POLARIZACIN
REDES TPICAS DE ADAPTACIN EN LA ENTRADA Y
SALIDA
ING. RAFAEL SOTELO

Amplificadores de Radiofrecuencia de Pequea Seal
INTRODUCCIN
El presente trabajo aborda la problemtica del diseo de amplificadores de

radiofrecuencia de pequea seal, dando un proceso sistemtico para llevarlo
adelante.
Est basado en la siguiente bibliografa, tanto desde el punto de vista terico como
de los ejemplos e imgenes que se incluyen:
RF CIRCUIT DESIGN Chris Bowick Howard W. Sams & Co., Inc. 1982
ISBN 0-672-21868-2
MICROWAVE TRANSISTOR AMPLIFIERS, Analysis and Design Guillermo

Gonzlez Prentice-Hall, Inc. 1984 ISBN 0-13-581646-7
AN215A RF Small Signal Design Using Two-Port Parameters Motorola

Semiconductors
AN-267 Matching Network Design With Computer Solutions Motorola

Semiconductors
Ing. Rafael Sotelo 2

POLARIZACIN
Comenzamos nuestro trabajo sobre amplificadores de radiofrecuencia estudiando

su comportamiento en corriente continua. El lector podr preguntarse por qu lo
hacemos justamente por el extremo opuesto a las frecuencias de inters.
La respuesta es que la polarizacin de continua tiene un efecto importante sobre
el comportamiento en RF. Esto se debe a que los parmetros relevantes en RF de
un transistor son muy dependientes de su polarizacin de continua, en particular
de su corriente de colector.
Debemos conseguir una polarizacin estable frente a cambios de temperatura.
Hay dos caractersticas importantes que tienen un efecto profundo sobre el punto
de funcionamiento de continua del transistor: VBE y
Pretendemos minimizar los efectos de estos parmetros.
El voltaje base emisor baja cuando la temperatura sube 2,5 mV/C. Recordamos
que un transistor de silicio tiene VBE=0,7V a 25C.
Veamos el proceso: si VBE baja, se permite fluir ms corriente de base, lo que
produce ms corriente de colector. Buscaremos mtodos para evitar este
comportamiento porque tal como dijimos deseamos mantener estable la corriente
de colector para mantener estables los parmetros del transistor aunque cambie la
temperatura.
En primer lugar, veamos el efecto del voltaje de emisor, VE. (Ver Fig. 1). El
descenso en VBE con la temperatura causara un aumento en la corriente de
emisor, y as un aumento en VE. Este aumento en VE constituye una
realimentacin negativa que tiende a polarizar en reversa la unin base emisor,
logrando un descenso en la corriente de colector.
Tngase en cuenta que tampoco es deseable un VE demasiado alto ya que puede
causar prdida de potencia y una seal de AC menor.
Puede agregarse un capacitor en paralelo con RE para anular su comportamiento
en RF y mejorando la ganancia de AC.
Como norma general Ve se puede elegir entre 2 y 4 V.
El segundo factor es la ganancia de corriente en continua del transistor, .

Se debe tener una polarizacin estable frente a los cambios de . stos pueden
provenir de:
- cambios en temperatura. Puede variar alrededor de 0,5% por C.
- dispersin en fabricacin. Variacin entre unidad y unidad producida del mismo
modelo.
El cambio en la corriente de colector respecto de es:

Ecuacin 1
RB
I C I C1 1
1 2 RE
Donde,
IC1= la corriente de colector en = 1,
1= el valor menor de
2= el valor mayor de
= 2 - 1
RB = el paralelo entre R1 y R2 (en Fig. 1)
RE= la resistencia del emisor.
Vemos que para disminuir la influencia de debemos mantener pequeo RB/ RE.
Debemos notar que de esta forma se disminuye adems la ganancia de corriente
del amplificador. A grandes rasgos, esa relacin debe ser menor de 10.
Veamos algunos ejemplos de polarizaciones en transistores:
Ejemplo
Figura 1. Red de polarizacin 1
1. Escoger el punto de operacin para el transistor.
IC = 10 mA, VC = 10V, VCC = 20 V, = 50
2. Asumir un valor para VE que considere estabilidad de polarizacin.
VE = 2,5 volts.
3. Asumir IE IC para transistores de alto beta.
4. Conociendo IE y VE, se calcula RE.

RE = VE / IE
= 2.5 / (10 x 10-3)

= 100 ohms.
5. Conociendo VCC, VC e IC, se calcula RC
RC = (VCC - VC) / IC
= (20 - 10) / 10 x 10-3
= 1000 ohms.
6. Conociendo IC y , se calcula IB.
IB = I C /
= 0, 2 mA.
7. Conociendo VE y VBE, se calcula VBB.
VBB = VE + VBE
= 2.5 + 0.7
= 3.2 volts.
8. Asuma un valor para IBB, cuanto ms grande mejor.
IBB = 1. 5 mA
9. Conociendo IBB y VBB, se calcula R1
R1 = VBB / IBB
= 3.2 / 1.5 x 10-3 ohms
= 2133 ohms
10. Conociendo VCC, VBB, IBB e IB, se calcula R2.
R2 = (VCC - VBB) / (ICC - IB)

= (20 - 3.2) / (1.7 x 10-3)
= 9882 ohms.
Ejemplo
Figura 2. Red de polarizacin 2.

IC = 10 mA, VC = 10V, VCC = 20 V, = 50
2. Asumir valores para VBB e IBB para proveer una corriente constante, IB.
VBB = 2 volts.
IBB = 1 mA.
IB = I C /
= 0.2 mA.
4. Conociendo VBB, VBE = 0.7 V, e IB, se calcula RE.
RB = (VBB - VBE) / IB
=(2 - 0.7) / (0.2 x 10-3)
= 6500 ohms.
5. Conociendo VBB e IBB, se calcula R1.
R1 = VBB / IBB
= 2 / (1 x 10-3)
= 2000 ohms
6. Conociendo VBB, IBB, IB, y VC, se calcula RF.
RF = (VC - VBB) / (IBB + IB)

= (10 - 2) / (1.2 x 10-3)
= 6667 ohms
7. Conociendo VCC, VC, IC, IB, e IBB, se calcula RC.

RC = (VCC - VC) / (IC + IB + IBB)

= (20 - 10) / (11.2 x 10-3)
= 893 ohms
Ejemplo
1. Escoger el punto de operacin para el transistor (VC, IC).
IC = 10 mA, VC = 10V, VCC = 20 V, = 50
IB = I C /
= 0.2 mA.
3. Conociendo VC, VB = VBE = 0.7 V, e IB, se calcula RF
RF = (VC - VB) / IB
= (10 - 0.7) / (200 x 10-6)
= 46.5 K
4. Conociendo IB, IC, VCC y VC, se calcula RC.
RC = (VCC - VC) / (IB + IC)

= (20 - 10) / (10.2 x 10-3)
= 980 ohms.
Veamos una red de polarizacin de DC activa:

Se usa un transistor bipolar pnp para estabilizar la polarizacin del transistor de

RF. Los transistores de bypass C1 y C2 son tpicamente de 0,01 uF. Las bobinas
de radiofrecuencia (RFC) son tpicamente hechas con dos o tres vueltas de
alambre No. 36 en un ncleo de aire de 0.1 pulgadas.
Funciona as: Si IC2 tiende a crecer, la corriente I3 aumenta y el voltaje emisor a
base de Q1 decrece. Esto hace que baje IE1, que a su vez decrece IC2 y IB2. Esta
disminucin produce la estabilidad de polarizacin deseada.
La seleccin del punto de operacin para un transistor bipolar depende de la

aplicacin.
Para aplicaciones de bajo ruido y baja potencia se recomienda el punto A ya que

el transistor trabaja a valores bajos de la corriente de colector.
Para aplicaciones de bajo ruido y ganancias de potencia altas se recomienda el
punto B.
Para gran potencia de salida, en operacin clase A, se recomienda el punto C.
Para potencia de salida alta y mejor eficiencia, el transistor trabaja en clase AB o B
usando el punto D.
En el FET, tenemos un caso similar. Nos basamos en la frmula

Ecuacin 2
V
I D I DSS 1 GS
Vp

Donde, ID es la corriente drain

IDSS es la corriente drain con VGS=0
VGS es el voltaje gate a source
VP es el voltaje de pinch-off
Ejemplo
ID = 10 mA, VD = 10V, VCC = 20 V
2. Conociendo VCC, VD, e ID, se calcula Rd.
Rd = (VCC - VD) / ID
= 10 V / 10 mA
= 1000 ohms.
3. Determinar VP e IDSS desde la hoja de datos.
VP = -6 volts.
IDSS = 5 mA.
4. Conociendo ID, IDSS, y VP, se calcula VGS.
VGS = VP ( 1 - ID / IDSS )
= -6 ( 1 - 10x10-3 / 5x10-3)
= 2.48 volts.
5. Asumir un valor para VS en el rango de 2 a 3 volts.

VS = 2.5 volts
6. Conociendo VS e ID, se calcula RS.
RS = VS / ID
= 2.5 / 10 x 10-3
= 250 ohms.
7. Conociendo VS y VGS, se calcula VG
VG = VGS + VS
= 2.48 + 2.5
= 4.98 volts.
8. Asumir un valor para R1 basado en las necesidades de resistencia de entrada

en DC.
R1 = 220 K
9. Conociendo R1, VG, y VCC, se calcula R2.
R2 = [R1 ( VCC - VG)] / VG

= [220 x 103 (20 - 4.98)] / 4.98
= 664 K
Ejemplo
Figura 5. Red de polarizacin 5
1. Escoger un punto de operacin para el transistor.

ID = 10 mA, VD = 10V, VCC = 20 V
2. Conociendo VCC, VD, e ID, se calcula RD.
RD = (VCC - VD) / ID
= (20 - 10) / (10 x 10-3)
= 1000 ohms
3. Determinar VP, e IDSS usando la hoja de datos del transistor.
VP = - 6 volts
IDSS = 5 mA
4. Conociendo ID, IDSS, y VP, se calcula VGS.
VGS = VP ( 1 - ID / IDSS )
= -6 ( 1- 10x10-3 / 5x10-3 )
= 2.48 volts.
5. Conociendo IG = 0, VGS = VS, e ID, se calcula RS.
RS = VS / ID
= VGS / ID
= 2.48 / (10 x 10-3)
= 248 ohms
6. Como IG = 0, RG puede ser elegido con un valor alto aproximadamente 1

megohm.
En la siguiente figura se muestran cinco redes de polarizacin tpicas para FETs.

La columna How indica la polaridad de las fuentes y la secuencia de aplicacin

de las mismas para prevenir que el FET se queme en el encendido.
En las polarizaciones (d) y (e) hay una resistencia en el source, que provee
automticamente proteccin en transitorios. Tener en cuenta que esta resistencia
puede degradar la figura de ruido, y el capacitor de bypass en la fuente pued
causar oscilaciones de baja frecuencia.
Los capacitores de desacople a veces son puestos en paralelo con un diodo zener
para otorgar proteccin adicional contra transitorios, polarizacin inversa y
sobrevoltajes.
En la siguiente figura se observan distintos puntos de operacin para un FET,

cada uno se selecciona segn la aplicacin.

Para aplicaciones de bajo ruido, baja potencia se usa el punto A. El FET acta en
un valor bajo de corriente.
Para bajo ruido y ganancia de potencia ms alta, se recomienda B.
Para potencia ms alta, aunque aun usando clase A, punto C.
Para mayor eficiencia, operando en clase AB o B, la corriente drain a source se
debe decrecer, punto D.
En la siguiente figura se muestra una red de polarizacin activa para un FET.

DISEO UTILIZANDO PARMETROS DE REDES DE DOS PUERTOS
Describiremos un proceso sistemtico y matemtico para el diseo de

amplificadores de RF de pequea seal. Es un procedimiento exacto. Las posibles
fuente de error en el diseo ser la incertidumbre de las medidas y de la
dispersin en los parmetros de los transistores del mismo modelo.
Usaremos resultados obtenidos en el trabajo de Linvill (Transistors and Active
Circuits., by Linvill and Gibbons, McGraw-Hill, 1961), Stern (Stability and Power
Gain of Tuned Transistor Amplifiers. By Arthur P. Stern, Proc.IRE, March, 1957 ) y
otros.
El requerimiento habitual es el de una ganancia especfica a una frecuencia dada.
Otros objetivos pueden ser ancho de banda, estabilidad, aislacin entrada-salida y
bajo ruido.
Los circuitos se pueden categorizar como realimentacin (neutralizacin,
unilateralizacin, o sin realimentacin) y adaptacin en las terminales del transistor
(admitancias de circuito adaptadas o no a las admitancias de entrada y salida del
transistor).
USANDO PARMETROS Y
Un factor muy importante en el diseo es la estabilidad potencial del transistor.

Puede calcularse por el factor de estabilidad de Linvill:
Ecuacin 3
yr y f
C
2 g i g o Re y r y f
Donde,
= la magnitud del producto entre corchetes
yr = admitancia de transferencia reversa,
yf = admitancia de transferencia directa,
g1 = conductancia de entrada,
g0 = conductancia de salida
Re = la parte real del producto entre parntesis.
Cuando C<1 el transistor es estable incondicionalmente. Cuando C>1 el transistor

es potencialmente inestable.
El factor C es una prueba de estabilidad bajo la condicin de peor caso, es decir
con las terminales de entrada y salida del transistor en circuito abierto. Sin
realimentacin externa, un transistor estable incondicionalmente no oscilar con
ninguna combinacin de de fuente y carga. Por el contrario, si es potencialmente
inestable, algunas combinaciones de fuente y carga producirn oscilacin.
Se debe tener en cuenta que si C es menor pero cercano a 1, cambios en la
polarizacin DC (debidos por ejemplo a la temperatura) pueden causar que pase a

ser mayor que 1, tornndose potencialmente inestable. Recordemos que los

parmetros Y estn especificados a un punto de polarizacin determinado.
Por lo tanto, cuanto menor sea C, mejor es.
A pesar de que el factor C puede ser usado para determinar la estabilidad

potencial de un transistor, las condiciones de circuito abierto en fuente y carga no
son aplicables a un amplificador real. Por ello Stern defini un factor de estabilidad
k que toma en cuenta admitancias finitas en fuente y carga conectadas al
transistor.
Ecuacin 4
2g i G S g o G L
K
y r y f Re y r y f
donde,
GS = La conductancia de la fuente
GL = La conductancia de la carga
ECUACIONES GENERALES DE DISEO
GANANCIA DE POTENCIA
La ecuacin general es:
2
yf Re(YL )
G
yr y f
YL yo Re( yi
2
)
yo YL
Dicha ecuacin se aplica a circuitos sin realimentacin. Tambin puede ser usado
con circuitos con realimentacin externa si son usados los parmetros Y
compuestos.
Se puede apreciar:
a) No tiene en cuenta prdidas en la red. No computa prdidas por desadaptacin
a la entrada ni a la salida del transistor.
b) La ganancia es independiente de la admitancia de la fuente.
Si quisiramos incluir los efectos de la adaptacin de la entrada en el clculo de

ganancia de potencia podramos contemplar el uso de GT (Ganancia de
Transductor). Se la define como la potencia de salida enviada a una carga por el
transistor dividida por la mxima potencia de entrada disponible desde la fuente.
2
4G S G L y f
GT
y i YS y o YL y f y r
2

YL es la admitancia vista por el transistor hacia la salida. Incluye la red de

adaptacin y la carga.
Anlogamente YS es la admitancia vista por el transistor hacia la entrada.
Definimos Ganancia Mxima Disponible (MAG por su sigla en ingls) como:
Ecuacin 6
2
yf
MAG
4 gig o
Es la ganancia de potencia terica de un transistor con yr=0 y cuando YL y YS son

las conjugadas complejas de yo e yi.
yr=0 se debe a que en condiciones normales yr acta como una realimentacin
negativa. Teniendo yr=0 no hay realimentacin y por lo tanto la ganancia est al
mximo.
En la prctica, no se puede obtener yr=0 y por lo tanto no se puede conseguir una
ganancia como la MAG. Por ello la MAG es una figura de mrito.
Sin embargo, se obtienen valores cercanos a travs de la adaptacin conjugada
simultnea. Por lo que este valor se nos revela como til.
TRANSISTOR ESTABLE INCONDICIONALMENTE
Cuando el factor de estabilidad de Linvill es menor que uno nos asegura que el
transistor es incondicionalmente estable. No van a ocurrir oscilaciones para
ninguna combinacin de fuente y carga que sean utilizadas. As que la estabilidad
se elimina como un requerimiento para el resto del diseo.
AMPLIFICADORES SIN REALIMENTACIN

Como el transistor es incondicionalmente estable es lgico pensar en un
amplificador sin realimentacin debido a menos componentes y un simple
procedimiento de sintonizacin.
Para obtener la mxima ganancia elegimos YS e YL adaptados conjugadamente a
yi e yo. Lo llamamos adaptacin conjugada simultnea.
Ecuacin 7
2 g g
i o
Re y f y r y f y r
2 2
GS
2g o

Ecuacin 8
Im y f y r
BS jbi
2go
Ecuacin 9
2 g g
i o
Re y f y r y f y r
2 2
GL
2 g1
Ecuacin 10
GS g o
gi
Ecuacin 11
Imy f y r
BL jbo
2g i
Donde,
GS = la conductancia de la fuente.
BS = la susceptancia de la fuente.
GL = la conductancia de la carga.
BL = la susceptancia de la carga.
Im = la parte imaginaria del producto entre parntesis.
Veamos un ejemplo
Ejemplo 1.
Un transistor tiene los siguientes parmetros Y a 100 MHz, con VCE = 10 volts e IC
= 5 mA.
y1 = 8 + j5.7 mmhos
y0 = 0.4 + j1.5 mmhos
yf = 52 - j20 mmhos
yr = 0.01 - j0.1 mmho
Disee un amplificador el cual provea ganancia de potencia mxima entre una

fuente de 50-ohm y una carga de 50-ohm a 100 MHz.

Solucin
Primero, calcular la estabilidad Linvill utilizando la ecuacin 3
C = |yfyr| / [2g1g0 - Re (yfyr)]
= |(52 - j20) (0.01 - j0.1)| / { 2(8)(0.4) - Re [(52 - j20)(0.01 - j0.1)]}
= 5.57 / [6.4 - (-1.47)]
= 0.71
Como C es menor que 1, el dispositivo es incondicionalmente estable, y podemos

proceder con el diseo. Si C hubiera sido mayor que 1, sin embargo, tendramos
que haber sido extremadamente cautelosos al adaptar el transistor a la fuente y la
carga ya que podra aparecer inestabilidad.
El MAG del transistor se computa con la Ecuacin 6:
MAG = |yf|2 / 4g1g0
= |52 - j20|2 / [4(8)(0.4)]
= 242.5
= 23.8 dB
La ganancia real que podemos lograr ser un poco menor que esto debido a yr y a
prdidas en los componentes.
Utilizando las ecuaciones 7 a 11, se calculan las admitancias de la fuente y la
carga para adaptacin simultnea conjugada.
Para la fuente, usando la Ecuacin 7:
GS = {[2g1g0 - Re(yfyr)]2 - |yfyr|2} / 2g0
= {[6.4 + 1.47]2 - (5.57)2} / 2(.4)
= 6.95 mmhos
Y, con la Ecuacin 8:
BS = -jbi + [Im (yfyr) / 2go]
= j5.7 - j [-5.37 / 2(.4)]
= j12.41 mmhos
Por consiguiente, la admitancia de la fuente que el transistor debe "ver" para

transferencia de potencia ptima es 6.95 - j12.41 mmhos.
La admitancia de entrada real del transistor es el conjugado de este nmero, o
6.95 + j12.1 mmhos. Para la carga, utilizando la Ecuacin 10:
GL = (GSg0) / g1
= (6.95)(0.4) / 8
= 0.347 mmho
Y, con la Ecuacin 11:
BL = jb0 +[Im (yfyr) / 2g1]
= -j1.5 + [-5.37 / 2(8)]
= -j1.84 mmhos
De este modo, para transferencia de potencia ptima, la admitancia de la carga

debe ser 0.347 - j1.84 mmhos. La admitancia de salida real del transistor es el
conjugado de la admitancia de la carga, o 0.347 + j1.84 mmhos.
El prximo paso es disear las redes de adaptacin de impedancias de entrada y

salida que va a transformar la fuente y carga de 50 ohms a la impedancia que el
transistor le gustara ver para transferencia de potencia ptima. El diseo de la
adaptacin de la entrada se muestra en el primer baco de Smith del ejemplo.
Este baco es normalizado de modo que el centro del mismo representa 50 ohms
o 20 mmhos. Por lo tanto, el punto, YS = 6.95 - j12.42 mmhos, est normalizado
en:
YS = 50 (6.95 - j12.41) mmhos

= 0.34 - j0.62 mho
Esta admitancia normalizada se muestra graficada en dicho baco.

Ntese que su correspondiente impedancia puede ser leda directamente desde el
baco como ZS = 0.69 + j1.2 ohms. La red de la adaptacin de la entrada debe
transformar la impedancia de la fuente de 50 ohm a la impedancia representada
por este punto. Como es sabido, existen numerosas redes de adaptacin de
impedancia disponibles para resolver el problema. Aqu se eligi la red L de dos
elementos por simplicidad y conveniencia.
Arc AB = C en serie = -j1.3 ohms

Arc BC = L en paralelo = -j1.1 mhos
El circuito de salida es diseado y graficado en el segundo baco de Smith.

Ya que los valores de admitancia necesarios en el circuito de salida son tan

pequeos, este baco debi ser normalizado a 200 ohms (5mmhos). Por lo tanto,
la admitancia normalizada en el baco es:
YL = 200 (0.347 - j1.84) mmhos

= 0.069 - j0.368 mho
o,
ZL = 0.495 + j2.62 ohms
La carga normalizada de 50 ohm debe ser transformada a esta impedancia para

transferencia mxima de potencia. Nuevamente, los dos elementos de la red L
fueron elegidos para hacer la adaptacin.
Arc AB = C en serie = -j1.9 ohms

Arc BC = L en paralelo = -j0.89 mho
Las redes de adaptacin de la entrada y la salida se muestran en la Figura 8. Para

mayor claridad, el circuito de polarizacin no es mostrado.
Figura 8.
C1 = 1 / XN
= 1 / [2 (100 x 106) (1.3) (50)]
= 24.5 pF
y,
L1 = N / B
= 50 / [2 (100 x 106) (1.1)]
= 72 nH
De forma similar, para la red de salida:
C2 = 1 / [2 (100 x 106) (1.9) (200)]

= 4.18 pF
y,
L2 = 200 / [2 (100 x 106) (0.89)]
= 358 nH
El circuito final, incluyendo la red de polarizacin, puede aparecer como se

muestra en la Figura 9. Los condensadores de 0.1F son un by-pass para la RF
de 100 MHz.
Figura 9



Ejemplo 2
Encontrar la ganancia del circuito que fue diseado en el Ejemplo 1. No tomar en

cuenta prdidas en los componentes.
Solucin.
La ganancia de transductor para el amplificador se determina sustituyendo los

valores dados en el Ejemplo 1 en la Ecuacin 5.
GT= 4(6.95)(0.347) |52 - j20|2 /

{|(8 + j5.7 + 6.95 - j12.41)(0.4 + j1.5 + 0.347 - j1.84) - (52 - j20)(0.01 - j0.1)|2}
= 29943 / [|8.88 - j10.1 +1.47 + j5.37|2]
= 231. 2
= 23.64 dB
EL AMPLIFICADOR UNILATERALIZADO
La unilateralizacin consiste en el empleo de una red externa de realimentacin Yf

para oponerse a yr. Yf =-yr. As la admitancia de transferencia-reversa yrc se hace
cero.
En general se utiliza para convertir un transistor potencialmente inestable en
estable incondicionalmente.
Pero tambin puede ser buscado por otros aspectos interesantes como la
aislacin entre la entrada y la salida.
Admitancia de entada caso unilateralizado:
YIN=yi+yr
Admitancia de salida caso unilateralizado:

YOUT=yo+yr
Ganancia de potencia caso unilateralizado:

GPU=|yf-yr|2.GL/|YL+yo+yr|2gi
Ganancia de potencia caso unilateralizado con YL adaptado conjugadamente con

YOUT:
GU=|yf-yr|2/4(gi+gr)(go+gf)
Ganancia de transductor caso unilateralizado:

GTU=4GSGL|yf-yr|2/|(YS+yi+yr) (YL+yo+yr)|2

Estas ecuaciones se han dado en trminos de los parmetros y del transistor, no

de los de la red de realimentacin ni de los compuestos.
Vemos que YIN es completamente independiente de YL e YOUT independiente de
YS. Esto significa que en un amplificador de mltiples etapas unilateralizados, el
hecho de sintonizar una etapa no afectar la sintona de las otras.
NEUTRALIZACIN
Es similar a unilateralizacin. Se usa una realimentacin para reducir yr pero no

llega a cancelarlo. Tpicamente cancela la parte imaginaria. Bf=-br.
En muchos transistores gr<<br por lo que la neutralizacin sirve en la prctica para
eliminar yr. Y es ms fcil de conseguir que la unilateralizacin.
Veamos circuitos de neutralizacin:
Figura 10. Circuitos de neutralizacin.
(A) Para yr =+jb. (B) Para yr = -jb.
EL TRANSISTOR POTENCIALMENTE INESTABLE
Tenemos tres maneras de tratarlo:

1) Buscar otro punto de polarizacin.
2) Realimentacin: Unilateralizar o neutralizar el transistor.
3) Elegir una combinacin de admitancias de fuente y carga que provean
estabilidad.
1) Como los parmetros Y (y los S) del transistor son dependientes de la

polarizacin, cambios en sta ocasionarn un funcionamiento distinto del transistor
en RF. De esta forma se puede conseguir fcilmente la estabilidad.
Se debe ser cuidadoso recordando que cambios en la temperatura pueden afectar
la polarizacin.

2) La unilateralizacin y la neutralizacin fueron discutidas anteriormente.
3)Proviene del hecho que el factor de Stern es dependiente de GS y GL y

hacindolas los suficientemente grandes se consigue un circuito estable ms all
del grado de inestabilidad potencial del transistor.
Para conseguir un circuito estable con un transistor potencialmente inestable
podemos hacer el siguiente proceso.
Se selecciona un valor para el factor de estabilidad K.
Podemos elegir:
a.- GS adaptada y GL desadaptada
b.- GL adaptada y GS desadaptada
c.- GS y GL desadaptadas
Una vez elegidas GS y GL el resto del diseo sigue por el procedimiento ya visto
para el amplificador sin realimentacin.
Existe un mtodo ms sistemtico para determinar las admitancias carga y fuente

para circuitos que exigen mxima ganancia de potencia por grado de estabilidad
del circuito. Stern analiz este problema y desarroll ecuaciones para calcular la
conductancia y susceptancia de YS y de YL para mxima ganancia de potencia
para un factor de estabilidad particular. Son las ecuaciones que siguen.
GS

k y r y f Re y r y f

gi
gi
2 go
GL


go
go
2 gi
BS
GS g i Z o
bi

BL
GL g o Z o bo

Donde,
BS bi GL g o BL bo k L M 2GL g o
Z
k L M
L yr y f
M Re y r y f

Definiendo D como el denominador en la ecuacin que define GT:
Z 4 k L M 2M Z 2
D 2 NZ k L M A2 N 2
4 2
Donde,
k L M
A M,
2
N Im yr y f ,
y,
Z0= el menor valor de Z que resulta en el menor mnimo de D, calculado a partir de

igualar a cero la siguiente expresin:
Z 3 k L M 2M Z 2 N k L M
dD
dZ
El clculo de YS y de YL usando las ecuaciones anteriores es tedioso para hacerlo

frecuentemente. Sin embargo, se pueden utilizar ciertos atajos:
A) CLCULO SLO DE GS Y DE GL. Si para BL se elige el valor bo, la YL
resultante estar muy cerca de la YL de mxima ganancia. El YIN del
transistor puede ser calculado a partir de YL usando
yr y f
YIN yi
yo YL
y BS puede ser tomada como igual a Im(YIN).
Esto permite obviar la parte ms compleja del clculo de Stern (BS y BL)
obteniendo una solucin muy cercana. Adems el circuito puede ser
realizado con elementos ajustables creando as en la prctica la posibilidad
de obtener valores para BS y BL que den la mxima potencia.
B) Desadaptar GS a gi y GL a go por un mismo ratio conduce a una solucin

verdadera de Stern para GS y GL.
A partir de las ecuaciones anteriores obtenemos
GL GS

go gi
Si un ratio de desadaptacin, R, se define as

G L GS
R
go gi
R se puede calcular para cualquier factor de estabilidad usando la ecuacin:
y f yr Re y f yr
1 R 2 k
2 gi go
Obteniendo R se despejan GS y GL. BS y BL se pueden obtener de la misma

manera que en el mtodo (A).
Este segundo mtodo puede ser ventajoso si se quieren las admitancias de fuente
y carga y ganancias de potencia para muchos valores de K diferentes. Una vez
determinado R para un K particular, R para cualquier otro K se calcula as:
1 R1 2 k1
1 R2 2 k2
C) Diseo por computadora. Hoy en da es muy fcil realizar clculos
programados en computadora, lo nos da soluciones exactas a la solucin
de Stern.
SENSITIVIDAD
Salvo en el caso del amplificador unilateralizado, YIN es funcin de la admitancia

de carga. Cualquier cambio de sintonizacin en la salida causar cambios en YIN,
lo que puede ser molesto. Por eso puede ser interesante calcular cunto vara YIN
con cambios en YL. Definimos entonces la sensitividad
YL g K
i
yo YL yi yo YL g i
Ke j
go yi
donde,
y f yr
K
gi go
arg y f yr
Ke j K cos j sin

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AMPLIFICADORES DE RF DE

ING. RAFAEL SOTELO

El presente trabajo aborda la problemtica del diseo de amplificadores de

MICROWAVE TRANSISTOR AMPLIFIERS, Analysis and Design Guillermo

AN215A RF Small Signal Design Using Two-Port Parameters Motorola

AN-267 Matching Network Design With Computer Solutions Motorola

Ing. Rafael Sotelo 2

Comenzamos nuestro trabajo sobre amplificadores de radiofrecuencia estudiando

El segundo factor es la ganancia de corriente en continua del transistor, .

El cambio en la corriente de colector respecto de es:

Ing. Rafael Sotelo 3

Veamos algunos ejemplos de polarizaciones en transistores:

Figura 1. Red de polarizacin 1

1. Escoger el punto de operacin para el transistor.

IC = 10 mA, VC = 10V, VCC = 20 V, = 50

2. Asumir un valor para VE que considere estabilidad de polarizacin.

3. Asumir IE IC para transistores de alto beta.

4. Conociendo IE y VE, se calcula RE.

Ing. Rafael Sotelo 4

= 2.5 / (10 x 10-3)

5. Conociendo VCC, VC e IC, se calcula RC

6. Conociendo IC y , se calcula IB.

7. Conociendo VE y VBE, se calcula VBB.

8. Asuma un valor para IBB, cuanto ms grande mejor.

9. Conociendo IBB y VBB, se calcula R1

10. Conociendo VCC, VBB, IBB e IB, se calcula R2.

R2 = (VCC - VBB) / (ICC - IB)

Ing. Rafael Sotelo 5

1. Escoger el punto de operacin para el transistor.

IC = 10 mA, VC = 10V, VCC = 20 V, = 50

3. Conociendo IC y , se calcula IB.

4. Conociendo VBB, VBE = 0.7 V, e IB, se calcula RE.

5. Conociendo VBB e IBB, se calcula R1.

6. Conociendo VBB, IBB, IB, y VC, se calcula RF.

RF = (VC - VBB) / (IBB + IB)

7. Conociendo VCC, VC, IC, IB, e IBB, se calcula RC.

Ing. Rafael Sotelo 6

RC = (VCC - VC) / (IC + IB + IBB)

1. Escoger el punto de operacin para el transistor (VC, IC).

IC = 10 mA, VC = 10V, VCC = 20 V, = 50

2. Conociendo IC y , se calcula IB.

3. Conociendo VC, VB = VBE = 0.7 V, e IB, se calcula RF

4. Conociendo IB, IC, VCC y VC, se calcula RC.

RC = (VCC - VC) / (IB + IC)

Veamos una red de polarizacin de DC activa:

Ing. Rafael Sotelo 7

Se usa un transistor bipolar pnp para estabilizar la polarizacin del transistor de

La seleccin del punto de operacin para un transistor bipolar depende de la

Para aplicaciones de bajo ruido y baja potencia se recomienda el punto A ya que

En el FET, tenemos un caso similar. Nos basamos en la frmula

Ing. Rafael Sotelo 8

Donde, ID es la corriente drain

1. Escoger el punto de operacin para el transistor.

ID = 10 mA, VD = 10V, VCC = 20 V

2. Conociendo VCC, VD, e ID, se calcula Rd.

3. Determinar VP e IDSS desde la hoja de datos.

4. Conociendo ID, IDSS, y VP, se calcula VGS.

5. Asumir un valor para VS en el rango de 2 a 3 volts.

6. Conociendo VS e ID, se calcula RS.

7. Conociendo VS y VGS, se calcula VG

8. Asumir un valor para R1 basado en las necesidades de resistencia de entrada

9. Conociendo R1, VG, y VCC, se calcula R2.

R2 = [R1 ( VCC - VG)] / VG