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Chapitre 6 : physique des capteurs utiliss

pour la photographie numrique


0 plan
1 Gnralits sur limage numrique
2 Description de la chane dacquisition numrique
3 Capteurs numriques, introduction
A1 Physique de leffet photolectrique externe
A2 Physique des semiconducteurs
A3 La jonction pn
A4 La photodiode
4 Lien entre grandeurs lumineuses et grandeurs lectriques
5 Dtecteur Photomos, lment de base des capteurs numriques
6 Architecture et fonctionnement des capteurs CCD
7 Architecture et fonctionnement des capteurs CMOS
8 Fonctionnement des capteurs couleurs
9 Signal et bruit
10 Comparatifs des technologies numriques et argentiques
1 Gnralits
1.1 Dfinition et place du capteur dans la chane numrique

Un capteur photographique est un composant lectronique


servant convertir un rayonnement (UV, visible ou IR)
compos de photons en un faible signal lectrique
analogique.

Ce signal analogique, amplifi,


sera ensuite numris et cod en
binaire grce un Convertisseur
Analogique-Numrique (CAN)
pour obtenir un fichier image
numrique.
L'acquisition par capteur CCD de type appareil photo numrique se droule en 5 tapes :

1. La lumire parvient sur l'appareil pendant un certain temps (exposition)


2. Sous forme dondes (ou de rayons), la lumire passe travers le systme d'optique photo
form de lentilles et atteint le capteur sous forme d'nergie lumineuse (photons)
3. Les cellules du capteur transforment ces impulsions photoniques en impulsions lectriques
4. Ces impulsions lectriques sont transformes en codes numriques
5. Les codes sont organiss en matrices et stocks sur la mmoire de l'appareil
Toute la partie analogique de lappareil photo numrique comprise entre lobjectif et le
convertisseur Analogique/Numrique sappuie sur les mmes principes que les appareils
argentiques si ce nest le remplacement de la pellicule argentique par un capteur lectronique.

Ce nest qu la sortie de lamplificateur que les informations analogiques sont transformes


en donnes numriques.
1.2 Dfinition de l'image numrique et de la numrisation

Le terme dimage numrique dsigne, dans son sens le plus gnral, toute image qui a t
acquise, traite et sauvegarde sous une forme code reprsentable par des nombres (valeurs
numriques).

Cest cette forme numrique qui permet une exploitation ultrieure par des outils logiciels sur
ordinateur.

La numrisation est le processus qui permet de passer de ltat dimage physique (image
optique par exemple) qui est caractrise par laspect continu du signal quelle reprsente (une
infinit de valeurs dans lintensit lumineuse par exemple), ltat dimage numrique qui est
caractrise par laspect discret (lintensit lumineuse ne peut prendre que des valeurs
quantifies en un nombre fini de points distincts).
1.3 De limage analogique limage numrique
Du point de vue mathmatique une image optique est gnralement reprsente par une
fonction despace bidimensionnelle reprsentant des caractristiques particulires du signal
lumineux (intensit, couleur,) de limage en chaque point de son espace.

Cette fonction est dfinie en tout point de lespace et peut prendre des valeurs continues pour
une image analogique.
What is an Image
and how is it characterized ?
A two dimensional spatial structure of varying light levels and colors.
It is characterized by measuring physically realizable light intensities over a two dimensional
space. These variations can occur over short distances, like edges, (high spatial frequencies) or
larger distances or areas, like sky or facial features (low spatial frequencies).

x
Le passage une reprsentation numrique de limage se fait tout dabord en ralisant une
discrtisation des coordonnes spatiale de ce signal dans les deux dimensions de limage
(donnant la dfinition de limage) : cest ltape dchantillonnage.

Le principe du capteur d'image est d'chantillonner l'image du plan image dans les deux
directions X et Y.

Le point lmentaire d'chantillonnage est le pixel , ce point lmentaire est, par exemple,
une surface rectangulaire ou carre.

Le pixel effectue une opration d'chantillonnage qui consiste prlever la valeur du signal
pour des valeurs discrtes de l'espace.
Les valeurs discrtises sont ensuite codes numriquement (tape de quantification) avec
une certaine prcision (nombres cods sur un certain nombre de bits).

Limage numrique est donc constitue par un ensemble rgulier dlments appels pixels
(contraction du terme anglo-saxon picture elements ) et est elle-mme gnralement
appele image bitmap (contraction du terme anglo-saxon bits mapped ) .
1.4 De lanalogique au numrique, gnralits

Les phnomnes qui nous entourent sont quasiment tous continus, c'est--dire que lorsque
ces phnomnes sont quantifiables en fonction dune variable (temps, espace ou autre), ils
passent d'une valeur une autre sans discontinuit.

Ainsi, lorsque l'on dsire reproduire les valeurs du phnomne, il s'agit de l'enregistrer sur un
support, afin de pouvoir l'interprter pour reproduire le phnomne original de la faon la
plus exacte possible.
Lorsque le support physique peut prendre
des valeurs continues, en nombre infini, on
parle d'enregistrement sur support
analogique. Par exemple une cassette
vido, une cassette audio ou un disque
vinyle sont des supports analogiques.

Par contre, lorsque le signal ne peut


prendre que des valeurs bien dfinies, en
nombre limit, on parle alors de signal
numrique.

La reprsentation d'un signal analogique en fonction de la variable est donc une courbe,
tandis qu'un signal numrique pourra tre visualis par un histogramme.
La transformation d'un signal analogique en signal numrique est appele numrisation.

C'est une tape ncessaire pour pouvoir enregistrer, analyser et traiter un signal par
ordinateur, car celui-ci ne peut traiter que des nombres.

La numrisation comporte deux activits parallles :

l'chantillonnage (en anglais sampling) ;


la quantification.

L'chantillonnage consiste prlever priodiquement (cest--dire intervalle de temps


rgulier) des chantillons d'un signal analogique en capturant des valeurs (ici temps est
prendre au sens large et s'applique tout signal).

On appelle priode dchantillonnage la dure entre la prise de 2 chantillons successifs, et


elle est note T ou te. Son inverse est appel cadence dchantillonnage ou taux
dchantillonnage ou frquence dchantillonnage et sera not fe = 1/T=1/te.
La quantification consiste affecter une valeur numrique chaque chantillon prlev.

Le codage ou quantification peut tre plus ou moins prcis selon le nombre de bits utiliss.

Par exemple, si un capteur dlivre des courants variant de 0 1 Volt, un CAN travaillant en 8
bits gnrera une valeur de 0 pour 0 Volt (noir), 127 pour 0,5 Volt (gris moyen) et 255 pour 1
Volt (blanc). En effet, l'informatique tant binaire, on dispose de 8 '0' ou '1' pour coder
l'information, soit 28 = 256 possibilits. Un codage sur 8 bits donne donc 28=256 valeurs
intermdiaires.

Un codage sur 10 bits par exemple ne permet dobtenir quun millier de valeurs
intermdiaires (210=1024 exactement) alors quun codage en 14 bits permettra den obtenir
16 fois plus (214=16384 exactement) mais va crer des fichiers plus lourds traiter.

Un pixel d'une image en couleur est compos de trois couches de couleurs, Rouge Vert Bleu,
chaque couche pouvant contenir un certain nombre de nuances. En 8bits, chaque couche est
donc code sur 8bits (ou 8bpc, pour Bits Per Channel), soit 256 nuances de rouge, de vert, et
de bleu. Sur trois couches, on obtient donc 2563 = 16 777 216 de couleurs, soit 24bpp (Bit
Per Pixel).

Par exemple, en 16bits, on a 216= 65536 nuances de couleurs par couches, soit 6553633 =
281 trillions de couleurs, ou 48bpp. Pour information, lil humain discerne autour de 12
millions de couleurs, notre image 8bpc suffit donc, comme format final.
Echelles de gris codes sur un nombre de bits variables.
1.5 Qualit du signal numrique

La qualit du signal numrique dpendra de deux facteurs :

la frquence d'chantillonnage : plus celle-ci est grande (c'est--dire que les chantillons
sont relevs de petits intervalles de la variable temps ou espace) plus le signal numrique
sera fidle l'original ; on appelle rsolution linverse du pas dchantillonnage.

le nombre de bits (profondeur dchantillonnage) sur lequel on code les valeurs : il s'agit en
fait du nombre de valeurs diffrentes qu'un chantillon peut prendre. Plus celui-ci est grand,
meilleure est la qualit.
Dores et dj, on se rend bien compte que plus le pas
dchantillonnage est fin, plus le signal chantillonn
sera proche du signal dorigine.

Nanmoins, si le pas dchantillonnage est trop fin, on


ne gagnera plus grand-chose (signal chantillonn trs
fidle au signal analogique dorigine) mais on
multipliera inutilement la quantit de donnes
stocker.

Le bon chantillonnage est celui qui permet de


restituer toute l'information contenue dans le signal
analogique d'origine.

Cest l quintervient le thorme de lchantillonnage


de Nyquist-Shannon.

Il nous dit que le pas dchantillonnage doit tre entre


2 et 3 fois plus petit que le plus petit dtail
enregistrable.
Lexemple classique est celui de la numrisation dun signal sonore : loreille humaine est
sensible des frquences pouvant atteindre 16 22 kHz, selon les individus. Pour bien
restituer toute linformation que loreille est capable dentendre, il faut donc chantillonner
une frquence 2 3 fois plus leve. Cest la raison pour laquelle lindustrie du disque a choisi
comme standard dchantillonnage une frquence de 44 kHz.
Le thorme de Shannon dfinit l'chantillonnage optimum d'un signal.

Une fonction continue f(x) est parfaitement connue en tout point, si l'on possde un
chantillon de ses valeurs espaces avec un pas rgulier p valant :

c tant la borne suprieure du spectre de frquence du signal.

La fonction f(x) s'obtient partir des chantillons f(kp) par la formule suivante :

Ce thorme se gnralise aisment aux fonctions plusieurs dimensions (dont les images f(x,
y)) par sparation de variables.
1.6 chantillonnage et quantification de limage numrique
2 Description de la chane dacquisition numrique
2.1 Le capteur photosensible
Du point de vue lectronique, un capteur photosensible convertit le rayonnement (les
photons) en lectricit grce une multitude agences en matrices de cellules photosensibles.
Il ralise galement un chantillonnage spatial de limage numrique.

On appelle communment ces cellules photosensibles des pixels (de l'anglais picture
elements , lments d'image) mais le terme est trompeur car il caractrise en fait les
constituants de l'image rsultante (celle d'un cran ou d'un tirage sur papier par exemple).
Nous continuerons toutefois l'utiliser car il est entr dans le langage courant.

Les cellules photosensibles du capteur devraient tre appeles photosites et leur


fonctionnement est bas sur l'effet photolectrique interne.

Leffet photolectrique permet aux photons incidents de dplacer des lectrons au sein de
chaque lment actif de la matrice de capteurs lmentaires.
Le capteur ragit l'intensit lumineuse lors de
l'insolation, et produit des signaux analogiques sous
la forme de charges faibles converties en tensions
faibles.

Par exemple, si un capteur dlivre des tensions


variant de 0 1 Volt, 0 Volt correspond au noir et 1
Volt au blanc.
2.2 Amplification et bruit

En sortie du capteur, un amplificateur permet d'augmenter le niveau du signal.

Un gain d'amplification de 4 x permet de monter un capteur de 100 ISO une sensibilit


apparente de 400 ISO.

Lamplificateur joue ainsi le rle de correcteur de sensibilit; le capteur ne pouvant pas


changer de sensibilit intrinsque, cest un circuit lectronique qui permet daugmenter le
niveau du signal recueilli la sortie du capteur.

Chaque palier damplification exprim en ISO double la luminosit et gnralement les


appareils proposent entre 6 et 8 paliers.

La sensibilit de l'appareil peut ainsi varier de 100 1600 ISO (pour chaque prise de vue, si
ncessaire) selon l'amplification du signal, le capteur, lui-mme, ne changeant pas de
sensibilit.

Plus le signal est amplifi, plus la sensibilit ISO augmente et plus la puret de l'image est
affecte par le bruit , phnomne comparable au grain argentique ou plutt la neige
sur un tlviseur lors d'une mauvaise rception.
2.3 Convertisseur analogique numrique

A la sortie de l'amplificateur, le signal lectrique analogique est traduit en valeurs numriques


par le CAN : le convertisseur analogique/numrique transforme les valeurs de tensions
lectriques en valeurs numriques codes.

A la fin de cette tape, le signal est devenu numrique.


2.4 Fichier RAW ou fichier JPEG
Sur le botier, selon le choix de lutilisateur llectronique peut :

soit gnrer directement un fichier RAW (fichier brut, qui conserve toutes les informations
numriques de limage),

soit envoyer les donnes interprter un processeur spcialis, le DSP (Digital Signal
Processor) et dans ce cas, cest un fichier JPEG qui sera envoy vers la carte mmoire.

Dans le premier cas, le fichier RAW, auquel aucun traitement n'a t appliqu, est directement
copi sur la carte mmoire et devra alors tre dvelopp sur un ordinateur grce un
derawtiseur , qui permettra d'ajuster au mieux chaque rglage, contrairement aux rglages
prenregistrs dans le botier pour un JPG.

Dans ce second cas, on entre alors dans la phase traitement du signal ; le DSP qui d
matricera les donnes RAW et appliquera les paramtres du botier en terme de balance des
blancs, saturation, contraste, etc, et fournira ainsi un fichier JPG dj trait.
2.5 Dveloppement des fichiers RAW

Le RAW est donc un fichier brut de capteur, non d matric (matrice de Bayer), non interprt
par le DSP du botier. Il est ainsi exempt de tout traitement de nettet, saturation, antibruit
etc. Il est de plus cod sur 12bits (14 ou 16 sur certains botiers), au contraire des fichiers JPG
o les valeurs sont compresses en 8bits par le DSP selon une courbe propre au fabricant.

Le JPG n'est donc qu'une partie du RAW, partie choisie par le DSP du botier et non par vous !

Le RAW offre ainsi un vritable ngatif numrique, que l'on peut dvelopper avec un
derawtiseur en ajustant l'exposition, la balance des blancs, les courbes tonales, la saturation
de certaines couleurs, le contraste, etc., sa guise !

Il va donc falloir raliser soi-mme les tches ralises par le DSP du botier quand on travaille
en JPG. Pour cela, de nombreux outils existent, qu'on appelle des derawtiseurs, ou d
matrieurs.
Il va donc falloir trouver un logiciel, un derawtiseur, pour dvelopper vos fichiers RAW. Si le
choix tait assez restreint il y a quelques annes, il est aujourd'hui plthorique, chacun
ayant ses avantages et inconvnients, mais au final c'est surtout une histoire de got, et/ou
de cot !

Voici une liste, non exhaustive, des principaux derawtiseurs. Sachez aussi que la plupart des
fabricants de botiers fournissent leur propre derawtiseur, comme DPP (Digital Photo
Professional) pour Canon ou CaptureNX pour Nikon.
2.6 Traitement du signal par le DSP

Le DSP est charg, entre autres, de traiter le cas des pixels teints , pixels qui ne dlivrent
pas d'information et produisent donc des trous dans l'image. Ces dfauts sont lis au
processus de fabrication des capteurs.

Pour chacun de ces pixels teints , identifis pour chaque capteur par le constructeur, le
DSP affecte des informations obtenues par interpolation des valeurs fournies par les
photosites voisins. Ainsi, un trou dans un ciel bleu sera combl par un pixel bleu semblable
son voisinage. La qualit, et le prix d'un capteur dpendent, entre autres, du nombre de
pixels teints identifis.

Le DSP se charge galement :

 de l'analyse et de l'interpolation de la couleur pour chaque matrice de 4 photosites,


 du contrle du gamma de l'image,
 de la balance de couleurs par rapport la temprature de couleur choisie
 de la compression des fichiers en JPEG.

L'essentiel de la plus-value de l'appareil et tout le savoir-faire du constructeur se situent dans


la partie logicielle de ce composant. Toutes les autres fonctions de l'appareil sont gres par
un microprocesseur classique .
Le fait de travailler sur 12bits ou plus en raw permet, en terme d'exposition mais aussi de
nuances, de choisir dans ces 12bits, les 8bits que l'on va conserver, voire mme de compresser
ces 12bits dans les hautes lumires et les basses lumires pour les faire rentrer dans les
8bits de notre format final. C'est ce qui permet de rcuprer des hautes lumires brles
et/ou des basses lumires bouches, en travaillant sur les courbes. Car mme si on ne voit
pas ces infos l'cran, elles existent, et les derawtiseurs permettent justement de dcaler ces
infos dans le visible, nous offrant le choix. Alors que sur un jpg 8bit, ce travail a dj t fait
avec plus ou moins de succs par le DSP, vous ne disposez donc plus d'informations
supplmentaires en dehors de ces 8bits. Le jpg ne contient donc qu'une partie des
informations captes par le capteur, au contraire du raw.

Exemples de retouches, identiques, sur un fichier 12bpc et 8bpc


En jpg, on a beau assombrir un peu pour tenter de rcuprer les hautes lumires crames,
comme on n'a pas plus d'informations dans le fichier, on tombe sur un gris clair.
En raw, on voit qu'on rcupre des infos en dehors des 8bits, qui amnent des dtails sans
passer les blancs en gris.
2.7 Gestion des images
Les images traites doivent ensuite tre enregistres.

Afin de permettre au photographe de procder le plus vite possible de nouvelles prises de


vues, les images sont achemines vers une zone de stockage temporaire accs ultra-rapide
appele mmoire-tampon (buffer).

Cette mmoire est libre ds que le photographe arrte de prendre des clichs et les
images sont alors automatiquement transfres vers le support dfinitif : la carte-mmoire.

Les cartes-mmoire se comportent comme des disques durs. Elles ont un temps d'accs lev
mais elles sont permanentes : les fichiers ne sont pas effacs lors de l'extinction du
botier.
2.8 Carte mmoire

Le capteur est donc le composant de base des appareils photographiques numriques,


l'quivalent du film en photographie argentique mais les images ne sont pas stockes sur le
capteur comme elles l'taient sur la pellicule : cest le fichier qui est enregistr sur la carte
mmoire.

La carte mmoire joue le rle dun disque dur qui conserve les fichiers-images. Ceux-ci ne sont
jamais effacs lors de lextinction de lappareil photo. La rapidit dcriture est un critre aussi
important que la taille de la mmoire.
3 Capteurs numrique : introduction
3.1 Effet lectrique interne, photoconduction et photo dtection
Le principe fondamental de dtection de la lumire (photo dtection) par un capteur
photographique est du l'effet photolectrique interne qui modifie la conductivit lectrique
du matriau semi-conducteur dont est fait le capteur ; on parle de photoconduction.

Leffet photolectrique interne peut aussi faire apparatre une diffrence de potentiel aux
bornes dun semi-conducteur et est donc aussi la base de la cellule photovoltaque.
3.2 Le silicium la base de la dtection

Les capteurs d'images auxquels nous nous intressons ici sont bases sur la dtection
photonique dans le silicium, qui est un matriau semi-conducteur.

Le silicium, matriau de base de la quasi-totalit des circuits intgrs analogiques et


numriques, s'avre en effet tre aussi un dtecteur optique performant.

La fonction de ce matriau est de convertir les photons rpartis sur le plan image en lectrons
(ou photolectrons).

Il existe deux types de capteurs dans les appareils photographiques numriques :

les CCD (Charge-Coupled Device) ;

les CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor).

Dans les deux cas, il s'agit de composants lectroniques surfaciques qui transforment l'image
relle forme par l'objectif en une information lectrique analogique.
3.3 Technologies CCD et CMOS

Ces deux cellules de phototransduction sont la base des technologies d'imagerie CMOS et
CCD. Elles sont exploites au sein d'architectures matricielles qui permettent un
chantillonnage spatial et temporel du flux lumineux.

Munies d'un circuit de lecture de l'information (squentiel) ces composants constituent un


imageur.

Les technologies d'imagerie CMOS et CCD diffrent la fois par la nature des cellules de
photodtection utilises et par le mode d'accs l'information visuelle utilis. Leurs
caractristiques sont dveloppes dans les sections suivantes.
Les premiers capteurs matriciels ont t les CCD, dispositifs transfert de charge, qui ont t
invents par les Bell Laboratories en 1969.

Les premires technologies CMOS sont connues, en thorie, depuis les annes 1960 mais leur
ralisation et leur utilisation relle datent du dbut des annes 1990.

Le CCD, plus chers produire, fonctionnent la chane : le transfert de l'information se fait


en effet photosite par photosite jusqu' la sortie.

Avec un CMOS, capteur de plus en plus utilis dans les matriels photographiques depuis la
sortie du Canon EOS D30 en 2000, chaque photosite dlivre son information simultanment.

Ces deux technologies ne sont pas strictement quivalentes :


 le CCD est plus fin, plus prcis et plus rapide, mais plus cher produire,
 le CMOS est une solution conomique, mais ses performances sont infrieures.

Les CCD sont surtout utiliss dans les appareils compacts et de plus en plus dlaisss dans les
reflex.

Les appareils reflex quant eux, utilisent majoritairement des capteurs CMOS
3.4 Mcanisme de la photo dtection : la photo conduction

Lorsque le silicium est soumis un clairement, la dtection de la lumire se produit par effet
photolectrique interne lorsqu'un photon d'nergie h est absorb par un atome de silicium.

L'effet photolectrique interne fait apparatre une paire lectron/trou dans le semi-conducteur
chaque fois quun photon d'nergie h est absorb par un atome de silicium.

L'effet photolectrique interne se produit lorsqu'un


photon est absorb par un atome de silicium qui
libre ainsi un de ses lectrons de valence par une
transition de bande

Il y a alors passage dun lectron entre la bande de


valence et la bande de conduction, ce qui modifie
la conductivit du matriau (do le terme de
photo conduction).

Cette transition de bande est l'origine de la


photo dtection dans le silicium.
La transition de bande par effet photolectrique n'est possible en toute rigueur que si
l'nergie du photon est suprieure ou gale la largeur de la bande interdite (Eg = Ec - Ev) du
semi-conducteur considr (Si).

Pour le silicium, Eg est gal 1,12 eV.

L'nergie d'un photon est gale h, h


tant la constante de Planck et la
frquence lectromagntique du photon.

Si l'nergie h du photon absorb est


suprieure E , une paire lectron-trou
est gnre et l'nergie supplmentaire
(h) - Eg) est dissipe dans le semi-
conducteur.
Connaissant la valeur de Eg du silicium, il est possible de calculer la longueur d'onde maximale
() des photons incidents pour qu'ils puissent gnrer une paire lectron-trou par effet
photolectrique interne :

Eg = largeur de la bande interdite du silicium (1,12 eV).

On peut donc constater que la dtection par effet photolectrique dans le silicium n'est plus
possible au del de 1,1 m, c'est--dire dans le proche infrarouge.

Pour tre sensible un flux lumineux dont la longueur d'onde est suprieure cette valeur, il
faut utiliser un matriau avec une valeur de Eg plus petite, par exemple, le germanium (Ge),
qui a une bande interdite gale 0,7 eV et qui est donc sensible jusqu' = 1,8 m.

Aujourd'hui, il existe relativement peu de capteurs utilisant le germanium ou d'autres


matriaux avec Eg < 1,12 eV, car le silicium est trs bien matris au niveau de la technologie
de fabrication, et permet d'obtenir des dispositifs de bonne qualit faible cot.
3.5 De la photo conduction la photo dtection
Afin d'exploiter ce phnomne physique pour traduire le signal lumineux en un signal
lectrique, il faut collecter les photolectrons gnrs par effet photolectrique. Pour ce faire,
un champ lectrique doit tre appliqu.
Celui ci peut se raliser :
 travers une jonction PN mtallurgique (pour une photodiode) ou
sous une jonction induite par le champ form par une grille d'un MOS (pour un
photoMOS).
Annexe 1 : physique de leffet photolectrique externe
A1.1 Dfinition

On appelle effet photolectrique externe l'extraction dlectrons de la matire sous leffet de la


lumire.
A1.2 Brve histoire de la dcouverte de l'effet photolectrique

Divers phnomnes d'origine photolectrique ont t dcouverts tout au long du dix-


neuvime sicle :

En 1839, Alexandre Edmond Becquerel dcouvre que si on illumine une lectrode d'un
dispositif compos de deux lectrodes identiques plonges dans un lectrolyte, il peut
apparaitre dans certains cas une diffrence de potentiel entre ces deux lectrodes (d'environ
10-4V). Le mcanisme exact, qui peut tre effectivement bas sur une photomission,
ou plus simplement sur une modification photochimique sans mission d'lectron, n'a
cependant jamais t tabli avec certitude.

En 1873, W. Smith dcouvre la photorsistance du Slnium.

En 1887, H. Hertz dcouvre que la tension ncessaire pour produire une dcharge dans un
gaz rarfi est rduite lorsque la cathode est illumine par de la lumire ultra-violette.
Une anne plus tard, un tudiant de Hertz, W. Hallwachs, montre qu'une plaque de zinc
isole prend, sous l'action d'un clairage UV, une charge positive.
Inversement, une plaque de zinc initialement charge ngativement et mme lorsqu'elle est
place dans un vide pouss, se dcharge par insolation UV.
Suite la dcouverte de l'lectron par J.J. Thomson en 1899, P. Lenard est le premier
suggrer au cours de la mme anne, que les rayons produits dans les expriences de Hertz
et Hallwachs correspondent l'mission d'lectrons par la cathode.

Lenard dtermine ainsi en 1902 le rapport e/m entre la charge et la masse de l'lectron.

Ltude de Lenard
A1.3 Lnard dcouvre les lois de leffet photolectrique

Une enceinte vide renferme une cathode dun matriau dont on veut faire letude et une
anode lentourant. La forme de lanode est tudie pour assurer une collection maximale des
lectrons mis par la cathode.

Par la fentre de quartz pntre une lumire ultraviolette monochromatique. La lumire est
incidente sur la cathode (aussi appele photocathode) et libre des lectrons (aussi appels
photolectrons). Avec une diffrence de potentiel V entre anode et cathode positive, nous
pouvons collecter les lectrons sur lanode, ce qui donne lieu un courant dtectable.
Avec de dispositif, Lnard dcouvre les lois fondamentales suivantes, qui caractrisent l'effet
photolectrique :

 Premire loi : le phnomne napparat que lorsque la frquence de la lumire incidente est
suprieure une frquence prcise, 0, appele seuil photolectrique, dpendant de la nature
du mtal ; en dautres mots, si < 0 , leffet photolectrique ne se produit pas, quelle que soit
lintensit lumineuse.

Existence dun seuil pour leffet photolectrique


Le curseur du potentiomtre nous permet de varier cette diffrence de potentiel et donc
dobtenir diffrentes tensions de polarisation de la cathode et de relever la caractristique
(cest--dire le courant i) en fonction de la tension V pour des intensits lumineuses I
diffrentes.

Les deux caractristiques dessines sur la figure correspondent deux intensits lumineuses
I1 et I2 avec I1 = 2 I2, dune mme source de lumire (la frquence est la mme).
On constate que :

 Les valeurs de saturation du courant i sont


proportionnelles aux intensits lumineuses I1 et I2. Ces
valeurs de saturation correspondent aux cas o tous les
lectrons arrachs la photocathode sont collects sur
lanode.

 On observe un courant des diffrences de potentiels


mme ngatives V < 0. Ceci correspond au fait que certains
lectrons mis ont assez dnergie cintique pour
remonter le champ lectrique qui leur est oppos et
pour arriver lanode.

 Toutefois, si une diffrence de potentiel trop ngative est


applique, au del de Vstop, plus aucun courant nest
recueilli. Vstop est appel potentiel darrt et ne dpend
pas de lintensit de la lumire incidente sur la cathode.
Variation du photocourant en fonction de la tension pour diffrentes
intensits lumineuses (la frquence lumineuse tant fixe)
Mise en vidence du potentiel darrt
Le potentiel d'arrt peut tre considr comme l'expression directe de l'nergie cintique
maximale des lectrons mis par la cathode.

En effet, si nous multiplions la valeur du potentiel darrt par la charge de llectron, nous
obtenons lnergie cintique maximale de llectron arrach la photocathode ; ject de la
cathode avec une nergie cintique de :

Ekmax = e Vstop,

llectron aura tout juste lnergie cintique ncessaire pour remonter le champ lectrique
jusqu lanode sans latteindre.

Lnergie cintique des lectrons varie de 0 Ekmax suivant que llectron a t arrach plus ou
moins profondment dans la matire de la cathode.
 Deuxime loi : l'intensit du courant de saturation (courant maximal) est proportionnelle
lintensit lumineuse du faisceau incident.

Si 0 , leffet photolectrique se produit et on constate que :

lmission dlectrons est quasi instantane, mme faible intensit lumineuse ;

la variation dintensit lumineuse nintroduit pas de variation de la vitesse des


lectrons mis ou photolectrons (comme Vstop est indpendant de lintensit
lumineuse I), mais bien de leur nombre (comme lintensit du photocourant i
augmente avec lintensit lumineuse I).
 Troisime loi : le potentiel darrt est une fonction affine de la frquence du rayonnement
incident.

On peut galement tudier comment varie le potentiel d'arrt Vstop en fonction de la


frquence de la lumire incidente.

Pour cela, on fait plusieurs courbes de i en fonction de V, chacune une frquence donne,
et on dtermine Vstop pour chaque frquence.

Variation du photocourant en fonction de


la tension pour une intensit lumineuse
fixe et diffrentes frquences lumineuses
En dessous de la frquence limite f0, il ny a pas deffet photolectrique .

On constate une augmentation linaire du potentiel darrt et donc de lnergie cintique


maximale des photolectrons en fonction de la frquence.
La reprsentation du potentiel darrt Vstop en fonction de la frquence pour des plaques
constitues de mtaux diffrents donne des droites parallles

la vitesse maximale des photolectrons


augmente quand la frquence lumineuse
augmente (comme Vstop est de plus en
plus grand lorsque augmente)
A1.4 Tentative dexplication : chec de la thorie lectromagntique
La thorie lectromagntique est insuffisante pour expliquer ces faits.

Elle stipule en effet que :

 Lnergie transporte par londe est proportionnelle son intensit ; lmission de


photolectrons devrait tre observe pour toute frquence pourvu que lintensit soit
suffisante, ce qui est contradictoire avec lobservation de lexistence dune frquence seuil.

 Si lintensit lumineuse est faible, lnergie transmise aux lectrons est faible, et leur
amplitude doscillation galement ; il faudrait quun lectron reoive pendant longtemps une
faible nergie avant que lnergie accumule soit suffisante pour lextraire du mtal, ce qui est
contradictoire avec le caractre quasi instantan de lmission.

 Quand on envoie, sur un mtal, une onde lumineuse dintensit croissante, la quantit
dnergie absorbe crot ; les lectrons, recevant une plus grande quantit dnergie,
devraient tre mis avec une vitesse croissante.

 Dans la thorie classique, lnergie de londe lumineuse ne dpend pas de sa frquence ;


ceci est contradictoire avec laugmentation de la vitesse maximale des lectrons lorsque la
frquence augmente.
A1.5 Succs de la thorie dEinstein
En 1905, Einstein proposa comme hypothse une thorie corpusculaire de la lumire :

Lors de lmission et de labsorption dun rayonnement de frquence par la matire,


lnergie lumineuse nest pas rpartie uniformment sur le front donde, mais bien
concentre en une srie de grains dnergie spars par du vide.

Ces grains , ou quanta, de lumire sont appels photons.

Le photon reste localis dans lespace (il na pas une extension infinie, comme londe).

Lnergie dun photon est donne par :

o h = 6.626176.10-34 J.s = 4, 14.1015 eVs est la constante introduite par Planck en 1900 dans
la thorie du rayonnement du corps noir.

Cette hypothse permet dexpliquer leffet photolectrique.

En effet, si le photon reste localis, il peut tre entirement absorb par un lectron lors dun
effet photolectrique. Llectron aura gagn une nergie E = h quil utilisera pour sortir de la
cathode avec une nergie cintique Ekmax.
Pour pouvoir sortir, llectron devra encore vaincre un travail dextraction W : en effet, il faut
une nergie minimale pour pouvoir extraire un lectron de la surface du mtal (o il est
soumis des forces intermolculaires) et pour quil chappe la force attractive qui,
normalement, retient les lectrons dans le milieu.

Lnergie cintique de llectron qui schappe du mtal scrit donc

Cest lquation dEinstein pour rendre compte de leffet photolectrique.

On peut interprter W de la manire suivante : quand llectron quitte le mtal, il laisse celui-
ci charg positivement et y est rappel par un champ lectrique. Ce dernier est le rsultat
dune diffrence de potentiel, et on peut dfinir le travail dextraction comme le travail
ncessaire llectron pour vaincre la barrire de potentiel V entre le mtal et un point
immdiatement voisin :

o V est le potentiel dextraction (qui varie dun mtal lautre).


Lquation dEinstein explique les phnomnes incomprhensibles par la physique classique :

- existence dun seuil photolectrique : en dessous dune frquence limite 0, il ny a plus deffet
photolectrique pour une cathode dun matriau donn. En effet, si lon pose h0 = W, lorsque
<0, quel que soit le nombre de photons incidents, il ne peut y avoir deffet photolectrique,
les lectrons ne pouvant tre arrachs la matire !

- effet dimmdiatet : il ny a pas de retard entre larrive de la lumire et ljection du


photolectron. Lnergie E = h est amene dun coup ; elle nest pas disperse dans lespace
comme le prvoit la thorie classique, toute lnergie lumineuse est concentre dans le
photon.

- Lnergie cintique des lectrons mis naugmente pas avec lintensit lumineuse mais bien
avec la frquence de la lumire : si vm est la vitesse dun photolectron nayant pas subi de
freinage, son nergie cintique est :

la vitesse maximale des photolectrons augmente donc quand la frquence augmente, mais
ne dpend pas de lintensit lumineuse.

Augmenter lintensit revient augmenter le nombre de photons, cest--dire augmenter le


courant photolectrique. Cela ne revient pas du tout changer lnergie h de chaque
photon, donc ne peut pas changer lnergie cintique des lectrons mis.
- Il y a une dpendance linaire entre Vstop et la frquence , ce qui est bien confirm par
lexprience de Millikan.
A1.6 Vrification exprimentale de la thorie dEinstein

Millikan vrifia, en 1916, lquation dEinstein de la manire suivante :

Il envoya sur un mme mtal un rayonnement de frquence dcroissante, jusqu ce quil


nobserve plus dlectrons arrachs (lintensit du courant dans le circuit reli la plaque est
nul). A ce moment, = 0 pour le mtal considr.

En traant un graphique de Ek en fonction de , il obtient une droite dont la pente gale h et


qui coupe laxe des Ek en W. Lexprience rpte avec dautres mtaux donne des droites
parallles.
En 1916, R.Millikan publie une tude trs dtaille de l'mission photolectrique , qui tablit
que la constante h dans l'quation d'Einstein est bien gale la constante de Planck
introduite pour l'tude du corps noir (la valeur obtenue exprimentalement tait h = 6.56
0.04.1-34 J.s).

Il est instructif de voir le jugement de Millikan sur ses rsultats, obtenus aprs 10 annes
d'efforts exprimentaux :

" I spent ten years of my life testing the 1905 quation of Einstein's, and contrary to ail rny
expectations, I was compelled in 1915 to assert its unambiguous exprimental vrification in
spite of its unreasonableness, since it seemed to violate everything that we knew about the
interference of light. "
Exprience de Millikan (1916)

La pente donne h/e . O h est la constante de Planck = 6,626 x 10-34 J.s


Enfin, en 1929, E. Lawrence et J. Beams montrent que l'intervalle de temps sparant
l'illumination de la photomission est infrieur 10-9s.

En tout, trois prix Nobel ont t attribus pour des travaux relis l'tude de l'effet
photolectrique : Lenard en 1905, Einstein en 1921 et Millikan en 1923.
Annexe 2 : physique des semiconducteurs
A2.1 Les liaisons molculaires et cristallines

Considrons un atome de silicium Si isol, les niveaux nergtiques de ses lectrons sont
discrets (voir le modle de Bohr pour l'hydrogne).
Lorsquon rapproche suffisamment deux atomes, le franchissement des barrires de potentiel
peut produire un agrgat qui constitue lamorce de la molcule ou du cristal.

Ces assemblages obissent des rgles de rorganisation des lectrons les plus loigns des
noyaux pour leur permettre datteindre un minimum de leur nergie. On peut aussi dire que le
nouvel ensemble form tend donner ltat final une plus grande stabilit lectronique.

Il existe cinq types de liaisons inter atomiques :

ionique,
covalente,
mtallique,
de Van der Waals,
hydrogne.

En ce qui concerne les capteurs mettant en uvre des conducteurs et semi-conducteurs, nous
naborderons que la liaison de covalence, qui fixe tous les lectrons priphriques la maille
cristalline, et la liaison mtallique, qui au contraire laisse de nombreux lectrons dlocaliss et
forment une sorte de gaz.
A2.2 Stabilit lectronique des molcules et des cristaux

On sait que pour les lments simples du tableau priodique la stabilit des lectrons
priphriques est assure lorsque les couches lectroniques priphriques appeles s (2
lectrons) et p (6 lectrons) sont satures. Ceci signifie que les 2+6 tats lectroniques
priphriques de llment doivent tre occups (rgle de loctet).

Pour les atomes isols, ce rsultat nest obtenu que pour les gaz rares (He, Ne, Ar, Kr, Xe, Ra).
Tous les autres lments tendent sassembler, cest dire mettre en commun des lectrons
priphriques de faon ce que les couches s et p soient compltes comme celles des gaz
rares (8 lectrons s et p).

Exemple : les liaisons chimiques dans le dioxyde


de carbone (CO2).
Tous les atomes sont entours de 8 lectrons
comme prdit par la rgle de l'octet . CO2 est
donc une molcule stable.
Par exemple, dans le cas du carbone (C, numro atomique Z = 6), il ny a que 4 lectrons
priphriques s et p. Il en manque 4 pour atteindre la stabilit chimique identique celle du
non (Z = 10). Le carbone tend ainsi sassocier avec des atomes capables de lui cder
4 lectrons. Ceci peut ce raliser par une mise en commun dlectrons quon appelle liaison
covalente.

Tentons, par exemple, une association avec latome H, qui ne possde quun seul lectron et
qui tend donc en gagner un deuxime pour atteindre la stabilit de He. La molcule CH4
ralise la structure recherche en prtant llectron de chaque atome H latome central C, ce
dernier prtant lui mme chacun de ces 4 lectrons priphriques aux atomes H placs autour
de lui.

Nous verrons quen ralit, lors de la formation dune telle molcule covalente, les niveaux
dnergie se rorganisent et on parle dorbitale ou groupement dtats nergtiques des
lectrons de la molcule.
Dans dautre cas, lassemblage destin atteindre la stabilit chimique met en jeu un nombre
trs lev datomes qui se regroupent alors sous forme dun solide : cest le cas du silicium
lorsquon prpare un monocristal partir dun bain fondu.

Le silicium (Z=14) contient 14 lectrons dont 4 lectrons priphriques s et p ce qui est une
situation tout fait analogue celle du carbone. Il tend sassocier avec des atomes qui lui
fournissent les 4 lectrons s et p manquants pour atteindre la saturation de la couche
priphrique (stabilit de largon).

Lorsque lon prpare un monocristal de


silicium, les atomes de Si sassemblent dans la
configuration du diamant (cristal de C dont la
structure est de type cubique faces centres)
dcrite par la figure ci-contre.

On remarque sur cette structure que lon


retrouve la mme disposition ttradrique du
CH4, mais dans le monocristal cette figure
lmentaire se reproduit linfini (en pratique
jusqu la surface o, de fait, la stabilit
chimique nest plus assure).
A2.3 Structure cristalline des semi conducteurs

Les semi-conducteurs comme le silicium ou le germanium ont une structure cristalline de type
diamant .

Un cristal de type diamant ou blende est une forme drive du cristal cubique faces
centres (cfc).

Un cristal est dit cubique faces centres (CFC) lorsque les nuds de son rseau sont situs :

aux 8 sommets d'un cube ;


au centre de chacune des faces de ce cube.
La maille lmentaire cubique faces centres comporte deux types de sites interstitiels o peut
se loger, si l'espace est suffisant, un atome (en gnral) plus petit :

sites ttradriques :

Situs dans le ttradre form par un atome de coin et les 3 atomes


centraux des faces se coupant ce mme coin. Chaque coin est li
un site ttradrique, qui sont tous internes la maille, ce qui fait
8 sites ttradriques.

sites octadriques :
La maille lmentaire cubique faces centres comporte un site
octadrique au centre de la maille, donc interne la maille (compte
pour 1). Elle comporte aussi un site au centre de chaque arte,
partag par 4 mailles, ce qui fait au total 12 x 1/4 = 3 sites. La
maille lmentaire cfc comporte donc 4 sites octadriques par
maille.
La structure diamant peut se dcrire de diffrentes faons, notamment par l'enchevtrement
de deux rseaux cubiques faces centres, translats l'un par rapport l'autre d'un quart de la
diagonale du cube, ou plus simplement par la maille lmentaire d'un cristal cfc dont quatre
des huit sites ttradriques sont occups.
La structure cristalline de type diamant
comporte donc :

8 atomes aux coins, partags par 8 mailles et qui


comptent donc pour 1/8 = 1 atome pour la maille ;

6 atomes au centre des 6 faces, partags par 2


mailles et qui comptent pour 1/2 = 3 atomes pour
la maille ;

4 atomes l'intrieur du cube et donc de la


maille, dans 4 des 8 sites ttradriques qui
comptent pour 1 = 4 atomes pour la maille.

La structure de type diamant compte donc 8


atomes par maille (contre 4 pour une structure de
type cubique faces centres classique).
A2.4 Niveaux nergtiques des molcules et bandes dnergie des solides
Lorsque l'on rapproche dun atome un deuxime atome identique, les niveaux nergtiques
discrets de ses lectrons se scindent en deux sous l'interaction rciproque des deux atomes.

Si l'on considre par exemple la structure lectronique du Germanium :

1s22s22p63s23p63d104s24p2,

(ou de tout lment de la colonne IV), on remarque que les lectrons des couches
priphriques (dits de valence) 4s24p2, sont ceux qui forment la structure lectronique utile
la liaison chimique.

Rapprochons deux atomes de la colonne IV. A faible distance de sparation, le couplage entre
niveaux conduit la division et au recouvrement des orbitales s et p. Le rsultat de la mise en
interaction est le remplissage complet des niveaux s et p infrieurs (dits liants) par les 8
lectrons de valence disponibles alors que les niveaux s et p suprieurs (dits anti-liants)
restent vides. La figure suivante illustre ce rsultat.

Formation dune liaison


covalente entre deux atomes
de la colonne IV par
hybridation sp3 dtats
atomiques s2et p6.
Dans un cristal, chaque atome de silicium est ainsi entour de quatre premiers voisins qui
forment un ttradre. Il forme avec chacun des premiers voisins une liaison covalente.
Chaque couple dlectrons mis en commun entre deux atomes Si voisins se trouve dans une
orbitale (dite sp3 par rfrence aux tats s et p de latome isol dont elle est issue). La
structure du cristal est fige par ces liaisons (appeles s) qui correspondent des nergies
fortement ngatives (on dit quelles sont fortes car il faut beaucoup dnergie pour les briser).

HYBRIDATION DES ORBITALES ATOMIQUES

Hybridation sp3 :
Combinaison de lorbitale s
avec les trois orbitales p pour
donner 4 orbitales hybrides
sp3 quivalentes et de mme
nergie
A prsent considrons des atomes de silicium Si arrangs aux nuds d'un rseau priodique,
(structure cristalline) mais avec une maille trs grande de telle manire que les atomes
puissent tre considrs comme isols. Les deux niveaux les plus nergtiques sont reprs
par E1 et E2.

Rapprochons homothtiquement les atomes les uns des autres, en diminuant la taille de la
maille cristalline, fixe par la distance interatomique d.

Lquation de Schrdinger qui rgissait les tats permis de latome Si isol est alors modifie
et les tats propres de cette quation sont beaucoup plus nombreux que pour latome isol (Z
fois le nombre datomes dans le cristal). Les nergies se regroupent par bandes lintrieur
desquelles les niveaux sont trs proches les uns des autres.
De faon gnrale, lorsque l'on approche N atomes, les niveaux nergtiques se scindent en N
niveaux. Ces N niveaux sont trs proches les uns des autres et si la valeur de N est grande, ce
qui le cas pour un cristal, ils forment une bande d'nergie continue.

Formation de bandes d'nergie dans un solide, partir des niveaux d'nergie


de valence des atomes individuels. Les orbitales de cur (profonds), localises
plus prs des noyaux, n'interagissent pas et les niveaux correspondants ne sont
donc pas modifis.
Dans le cas des semi-conducteurs, les tats nergtique lectronique se scindent et forment
deux bandes continues d'nergie. On appelle bande de valence (BV) la bande de plus basse
nergie (grande nergie ngative), bande de conduction (BC) celle dont les valeurs absolues
sont les plus faibles et bande interdite (ou gap) la zone d'nergie inaccessible aux lectrons car
sans tat autoris ; sa largeur Eg est caractristique du matriau. Notons que l'nergie du bas
de la bande de conduction est note EC et que celle du haut de la bande valence est note EV
ainsi nous avons l'galit Eg=EC-EV.

La figure ci-dessous montre la formation de ces bandes en fonction de la distance


interatomique.

Pour les lectrons d'un cristal de silicium, la distance interatomique vaut :


Sur lexemple typique de la figure ci-dessus, correspondant des lments de la colonne IV,
les lectrons issus des orbitales externes (ns2 et np2) se retrouvent sur les deux niveaux issus
des couplages liants ; ces niveaux offrant 8 places eux deux sont entirement occups, alors
que les deux niveaux provenant des couplages anti-liants sont entirement vides.

Les orbitales liantes offrent 4N places et sont donc entirement occupes ; elles forment la
bande de valence. Les orbitales anti-liantes offrent galement 4N places qui sont donc
entirement vides ; elles forment la bande de conduction. Bande de conduction et bande de
valence sont spares par une bande interdite.
Dans une telle disposition, les lectrons de valence ne sont plus lis un atome particulier
mais bien lensemble du rseau cristallin. Dune manire gnrale, dans un solide
quelconque, cest la disposition et le remplissage des bandes permises qui dterminent les
proprits lectriques du matriau, et qui permettent de le classer en mtal, isolant ou semi-
conducteur.
Prcisons que les bandes continues d'nergie BC et BV ne sont qu'une reprsentation
simplifie et partielle de la densit d'tats lectroniques et des nergies accessibles par les
lectrons, ceci ne prsage en rien de l'occupation effective de ces bandes par ces derniers. Les
lectrons du solide se rpartissent dans les niveaux d'nergie autoriss ; cette rpartition
dpend de la temprature et obit la statistique de Fermi-Dirac.
A2.5 Isolant, semi-conducteur, conducteur
Les matriaux solides peuvent tre classs en trois groupes que sont les isolants, les semi-
conducteurs et les conducteurs selon leur conductivit lectrique : la conductivit lectrique
mesure l'aptitude d'un matriau (ou d'une solution) laisser les charges lectriques se
dplacer librement, autrement dit permettre le passage du courant lectrique. Son unit
dans le SI est le siemens par mtre (S/m). C'est le rapport de la densit de courant par
l'intensit du champ lectrique. La conductivit est linverse de la rsistivit .
On considre comme :

isolants les matriaux de conductivit (diamant 10-14S/cm),


semi-conducteurs les matriaux tels que (silicium 10-5S/cm 103S/cm)
conducteurs les matriaux tels que (argent 106S/cm)
Les proprits lectriques d'un matriau sont fonction des populations lectroniques des
diffrentes bandes permises.

La conduction lectrique rsulte du dplacement des lectrons l'intrieur de chaque bande.


Sous l'action du champ lectrique appliqu au matriau l'lectron acquiert une nergie
cintique dans le sens oppos au champ lectrique.

Considrons prsent une bande d'nergie vide, il est vident de par le fait qu'elle ne
contient pas d'lectrons, elle ne participe pas la formation d'un courant lectrique.

Il en est de mme pour une bande dnergie pleine. En effet, un lectron ne peut se dplacer
que si il existe une place libre (un trou) dans sa bande d'nergie.

Ainsi, un matriau dont les bandes d'nergie sont vides ou pleines est un isolant.

Une telle configuration est obtenue pour des nergies de gap suprieures ~9eV, car pour de
telles nergies, l'agitation thermique 300K, ne peut pas faire passer les lectrons de la
bande de valence celle de conduction par cassure de liaisons lectronique. Les bandes
d'nergie sont ainsi toutes vides ou toutes pleines.
Un semi-conducteur est un isolant pour une temprature de 0K. Cependant ce type de
matriau ayant une nergie de gap plus faible que l'isolant (~1eV), aura de par l'agitation
thermique (T=300K), une bande de conduction lgrement peuple d'lectrons et une bande
de valence lgrement dpeuple. Sachant que la conduction est proportionnelle au nombre
d'lectrons pour une bande d'nergie presque vide et qu'elle est proportionnelle au nombre
de trous pour une bande presque pleine, on dduit que la conduction d'un semi-conducteur
peut tre qualifie de mauvaise.

Pour un conducteur, l'interpntration des bandes de valence et de conduction implique qu'il


n'existe pas d'nergie de gap. La bande de conduction est alors partiellement pleine (mme
aux basses tempratures) et ainsi la conduction du matriau est leve .
A2.6 Conduction du silicium : notion de trou

A une temprature proche du zro absolu, les quatre lectrons de valence des atomes de
silicium participent aux liaisons covalentes. Aucun lectron nest disponible pour la conduction
lectrique. Le cristal est alors un isolant lectrique.

Lorsque la temprature augmente, certaines liaisons se brisent et librent des lectrons dans
le cristal, ceux-ci deviennent des porteurs de charge libres.

Supposons que lon soit temprature non nulle et quun lectron soit excit vers la bande
de conduction, ce qui laisse une place vide dans la bande de valence. Cet lectron a donc t
dtach dune liaison covalente et il peut transporter un courant, par exemple en prsence
dun champ lectrique, et ce dautant plus facilement quil voit beaucoup de places vides
dnergie proche autour de lui.

Lexistence dune place vide dans la bande de valence


signifie quil manque un lectron dans une liaison
covalente. En prsence dun champ lectrique cette
place vide peut tre comble par un lectron provenant
de la rupture dune autre liaison covalente. Ainsi, la
place vide se dplace dans le sens du champ lectrique,
comme une particule de charge positive que lon appelle
trou. On peut attribuer au trou toutes les
caractristiques dune vraie particule que lon traitera
effectivement comme telle.
A2.7 Semi-conducteurs intrinsques

Un semi-conducteur intrinsque est un semi-conducteur non dop, c'est dire qu'il contient
peu d'impurets (atomes trangers) en comparaison avec la quantit de trous et d'lectrons
gnrs thermiquement.
La figure ci-contre montre que pour un semi-
conducteur intrinsque (sans impurets),
chaque lectron de la bande de conduction
correspond un trou dans la bande de valence.

De cette constatation, nous dduisons que les


densits d'lectrons et de trous sont identiques
pour ce type de semi-conducteur.
La concentration des lectrons librs la temprature T est appele la concentration
intrinsque ni(T), et varie de la faon suivante avec la temprature :
Pour mieux apprhender le comportement des semi-conducteurs, nous devons tudier plus
en dtail les populations d'lectrons et de trous dans chacune des bandes de conduction et de
valence.

Aussi, nous allons raliser un bilan lectronique des semi-conducteurs intrinsques.


A2.8 Remplissage des bandes dnergie

L'un des lments importants est la comprhension des mcanismes de remplissage de ces
bandes d'nergie.

Un assemblage de N atomes de Z lectrons va donc disposer de NZ cases rparties en plusieurs


bandes d'nergie, mais les nombres quantiques peuvent prendre une infinit de valeurs ce qui
signifie que le nombre de cases possibles est lui-mme infini.

Comment se fait la rpartition entre les niveaux vritablement occups ?

Plaons nous tout d'abord au zro absolu, c'est dire dans les conditions nergtiques
minimales. Le bon sens nous indique que ce sont les cases quantiques de moindre nergie qui
seront occupes et qu'il y aura ncessairement une case au del de laquelle toutes les cases
seront vides, et en de de laquelle toutes seront occupes par 2 lectrons de spins opposs.

Ce niveau limite est dit niveau de Fermi.


Notons que deux cas sont possibles :

Soit ce niveau se trouve l'intrieur d'une bande d'nergie et au dessus de ce niveau la


bande est vide, ce sera le cas des mtaux.

Soit, au zro absolu, la dernire bande contenant des lectrons sera totalement remplie et
bien entendu celle immdiatement suprieure sera compltement vide et ce sera le cas des
semi-conducteurs.

Dans ce dernier cas on dmontre que le niveau de Fermi, se trouve (au zro absolu) au milieu
de la bande interdite immdiatement suprieure la dernire bande remplie.
A toute temprature autre, c'est dire suprieure au zro absolu, par hypothse l'tat
nergtique est suprieur ce qui implique qu'un certain nombre de cases infrieures au niveau
de Fermi seront libres tandis qu'un nombre quivalent des niveaux suprieurs seront occupes
puisque le nombre d'lectrons reste videmment le mme.

Il est assez intuitif de penser que ce sont principalement les lectrons au voisinage du niveau
de Fermi (donc les plus priphriques) qui vont voir leur tat nergtique crotre.

La mcanique quantique utilise la notion de densit d'tats nergtique D(E) ou N(E). Cette
grandeur, dpendante de l'nergie lectronique E, correspond la place disponible pour les
lectrons dans la bande de conduction Nc(E) et la place disponible pour les trous dans la
bande de valence Nv(E).

La mcanique quantique permet de calculer la densit des niveaux occupables possibles en


fonction de l'nergie De(E) et tout particulirement au voisinage des limites infrieures (telle Ec
pour la bande dite de conduction) et suprieures (telle Ev pour la bande dite de valence) des
bandes d'nergie : pour des nergies proches des extrema de ces deux bandes, le trac de la
densit de niveaux est parabolique :
o est la constante de Planck normalise (h=6.626.10-34J.s) et mc (resp. mv) la masse
effective de densit d'tats dans la bande de conduction (resp. dans la bande de valence).
Pour un semi-conducteur gap direct, mc (resp. mv) vaut la masse effective d'un l'lectron me
(resp. d'un trou mh) dans le cristal.

Le concept de masse effective introduit dans les expressions prcdentes permet de traiter les
lectrons (et les trous) qui sont dans le cristal des particules quasi-libres, comme des quasi-
particules libres. Le semi-conducteur devient alors un gaz d'lectrons et de trous spcifiques
de par leur masse effective parfois trs diffrente de celle de la particule libre. A titre
d'exemple pour le GaAs mc/m0=0,066 avec m0=0,911.10-30kg la masse de l'lectron libre.
Pour connaitre le remplissage des niveaux et donc obtenir le nombre effectif d'lectrons et de
trous dans chacune des bandes, la densit d'tats ne suffit pas, il faut aussi connatre la
probabilit de prsence d'un lectron sur un niveau d'nergie E. Cette probabilit est donne
par la fonction de Fermi-Dirac : elle donne la probabilit d'occupation d'un niveau d'nergie en
fonction de l'nergie de ce niveau et de la temprature.

Dans tous les solides, lorsque la temprature augmente les lectrons peuvent occuper des tats
nergtiques plus levs (moins ngatifs) quau zro absolu. Il apparat alors des places
inoccupes dans les niveaux dnergies infrieurs. La statistique de Fermi- Dirac doccupation
des tats nergtiques des lectrons exprime leur probabilit P(E) doccuper un tat dnergie
comprise entre E et E+dE:

o dn est le nombre dlectrons dont lnergie et comprise entre E et E+dE et dN est le


nombre dtats nergtiques possibles (tats propres de lquation de Schrdinger) entre E et
E+dE. Le niveau de Fermi EF est donc lnergie pour laquelle la probabilit dexistence dun
lectron ce niveau (fictif ventuellement) est 1/2. Bien entendu au zro absolu, le niveau de
Fermi donne lnergie la plus leve quun lectron pourrait atteindre sil tait tat propre,
autrement dit, tous les tats dnergies infrieures Ef sont occups et tous les tats
suprieurs sont vides.
o k=1,38.10-23 JK-1 est la constante de Boltzmann, T la temprature et EF l'nergie de Fermi
considre comme le potentiel chimique en semi-conducteurs.

Il va de soit que la probabilit d'occupation d'un niveau d'nergie E par un trou est 1-f(E) car
l'absence d'un lectron implique la prsence d'un trou et vice versa.
On peut alors calculer le nombre d'lectrons prsents dans une tranche d'nergie entre E et
E+dE qui s'exprime par :

ce qui intgr entre Ec et l'infini permet de dterminer la concentration n d'lectrons dans une
bande de conduction suppose s'tendre jusqu' l'infini.
Mais, ainsi que le montre la figure ci-dessous, dans la bande dite de conduction Bc les niveaux
effectivement occups sont en nombre trs vite voisin de zro ds qu'on s'loigne un peu du
bas de la bande de conduction.

Notons que la surface correspondant aux niveaux occups dans la bande de conduction est
quivalente celle correspondant aux niveaux vides de la bande de valence.

Une avant dernire remarque, dans un semiconducteur pur (intrinsque) le niveau de Fermi se
trouve sensiblement au milieu de la bande interdite.

On remarque aussi que, ds lors que la temprature augmente, le nombre de niveaux occups
dans la bande de conduction augmente (en raison de l'volution de la fonction de rpartition)
ce qui revient dire que des lectrons sont passs de la bande de valence celle de
conduction et donc que la conductibilit du semiconducteur s'est amliore.
La densit d'lectrons n [cm-3] dans la bande de conduction est alors obtenue en sommant sur
toute la plage d'nergie couverte par cette bande, la place disponible Nc(E) pour les
lectrons l'nergie E pondre par la probabilit f(E) de trouver un lectron ce mme
niveau d'nergie :

De mme pour la densit des trous p [cm-3] dans la bande de valence:

Pour un semi-conducteur dont le niveau de Fermi EF est distant des extrema de plus de 3kT, la
fonction de Fermi se simplifie sous une forme exponentielle et on obtient pour criture des
densits de porteurs :

o Nc et Nv sont les densits quivalentes (ou effectives) d'tats. Elles reprsentent en


quelque sorte le nombre d'tats utiles, la temprature T, dans leur bande d'nergie
respective.
Remarquons que la relation donne par le produit des densits de porteurs est indpendante
du niveau de Fermi. Elle est donc valable pour les semi-conducteurs intrinsques mais aussi
extrinsques (cf paragraphe suivant).

o ni sera la densit de porteurs intrinsques (pour le silicium 300K, ni = 1010cm-3).


Notons qu'elle s'apparente une loi d'action de masse comme celle de l'quilibre d'auto-
ionisation de l'eau ([H+][OH-]=Ke.
Pour un semi-conducteur intrinsque (sans impurets), chaque lectron de la bande de
conduction correspond un trou dans la bande de valence. De cette constatation, nous
dduisons que les densits d'lectrons et de trous sont identiques pour ce type de semi-
conducteur.

En remplaant les densits de porteurs par leurs expressions respectives, l'galit prcdente
nous permet de calculer le niveau de Fermi pour un semi-conducteur intrinsque EFi.

Sachant qu' temprature ambiante, kT est trs infrieur au gap, ce niveau se trouve trs
proche du milieu de la bande interdite :
La figure suivante donne graphiquement le bilan lectronique pour un semi-conducteur
intrinsque.

Semi-conducteur intrinsque. a) Diagramme des bandes d'nergie b) Densits d'tats


nergtique c) Distributions de Fermi-Dirac d) Densits nergtiques de porteurs
A2.9 Dopage des semi-conducteurs : gnralits

La formation des bandes interdites tant due la rgularit de la structure cristalline, toute
perturbation de celle-ci tend crer des tats accessibles l'intrieur de ces bandes
interdites, rendant le gap plus permable .

Le dopage consiste implanter des atomes correctement slectionns (nomms


impurets ) l'intrieur d'un semi-conducteur intrinsque afin d'en contrler les proprits
lectriques.

La technique du dopage augmente la densit des porteurs l'intrieur du matriau semi-


conducteur.

Si elle augmente la densit d'lectrons, il s'agit d'un dopage de type N. Si elle augmente la
densit des trous, il s'agit d'un dopage de type P. Les matriaux ainsi dops sont appels
semi-conducteurs extrinsques.
A2.10 Semi-conducteurs de type P

Un semi-conducteur type P est un semi-conducteur intrinsque (ex : silicium Si) dans lequel on
a introduit des impurets de type accepteurs (ex : Bohr B). Ces impurets sont ainsi appeles
parce qu'elles acceptent un lectron de la bande de conduction pour raliser une liaison avec le
cristal semi-conducteur .

Reprsentation schmatique des liaisons lectroniques pour le semi-conducteur silicium


(Si) dop P par du Bohr (B).
a) Cas du semi-conducteur intrinsque
b) Sur la base de la reprsentation a), l'impuret (B) accepte un lectron de conduction
en baissant la densit d'lectrons n
c) Sur la base de la reprsentation a), l'impuret (B) accepte un lectron de valence en
augmentant la densit de trous p
Un atome de la colonne III a 3 lectrons priphriques. En position substitutionnelle dans un
rseau Si, il ne peut engager que 3 liaisons de valence avec 3 des 4 atomes Si voisins. Mais par
lintermdiaire dun niveau EA introduit proximit de la bande de valence, il peut facilement
capturer un lectron de valence dun autre atome Si pour finalement changer une 4me
liaison de valence avec ses voisins. Cette capture dun lectron de la bande de valence vers le
niveau EA cre donc un trou dans la bande de valence symbolis par Si+ sur la figure. Les
atomes de la colonne III, permettant de doper en trous le semi-conducteur, qui est alors de
type P, sont dits accepteurs.

Effet dun atome de bore substitutionnel dans un rseau Si. Cration dun
niveau accepteur EA dans la bande interdite. Il suffit de fournir lnergie EA - EV pour que ce
niveau capture un lectron de la bande de valence du cristal Si, cest--dire pour quil cre
un trou.
Dopage de type P

De la mme faon , on dope le matriau semi-


conducteur par un lment de valence moins
importante (lments trivalents, comme le
Bore), afin de diminuer le nombre dlectrons
de la bande de valence.

Ses trois lectrons vont assurer les liaisons


covalentes avec trois atomes voisins mais
laisser un trou au quatrime. Ce trou se
dplace de proche en proche dans le cristal
pour crer un courant.

Ici le nombre de trous est trs suprieur au


nombre dlectrons libres du cristal
intrinsque.

La conduction est alors assure par le


dplacement de porteurs chargs
positivement (trous correspondant au
manque dlectrons)

On obtient donc un cristal dop P (positif).


Pour les semi-conducteurs extrinsques, la densit de dopant est toujours trs suprieure
densit de porteurs intrinsques NA>>ni.

Dans le cas d'un type P, la densit de trous est donc proche de celle du dopant accepteur NA.

La loi daction de masse tant toujours vrifie, nous obtenons pour les densits de porteurs :

Le niveau de Fermi pour un semi-conducteur type P ou potentiel chimique est alors :

Ainsi plus la densit d'accepteurs est leve plus le niveau de Fermi se rapproche de la bande
de valence.

A la limite si NA=Nv le niveau de Fermi entre dans la bande de valence, on dit alors que le semi-
conducteur est dgnr.
La figure ci-dessous donne graphiquement le bilan lectronique pour un semi-conducteur dop
P.

La figure d) ci-dessous met en vidence qu'un semi-conducteur dop P a une densit


d'lectrons n plus faible et une densit de trous p plus leve que le mme semi-conducteur
pris dans sa configuration intrinsque. On dit alors que les lectrons sont les porteurs
minoritaires et les trous, les porteurs majoritaires.

Semi-conducteur type P.
a) Diagramme des bandes d'nergie
b) Densits d'tats nergtique.
c) Distributions de Fermi-Dirac
d) Densits nergtiques de porteurs (les densits de
porteurs n et p correspondent aux surfaces hachures)
A2.11 Semi-conducteurs de type N
Un semi-conducteur type N est un semi-conducteur intrinsque (ex : silicium Si) dans lequel on
a introduit des impurets de type donneurs (ex : arsenic As). Ces impurets sont ainsi appeles
parce qu'elles donnent un lectron la bande de conduction pour raliser une liaison avec le
cristal semi-conducteur.

Reprsentation schmatique des liaisons lectroniques pour le semi-conducteur silicium (Si)


dop P par de l'arsenic (As).
a) Cas du semi-conducteur intrinsque
b) Sur la base de la reprsentation a), l'impuret (As) donne un lectron de conduction en
augmentant la densit d'lectrons n
c) Sur la base de la reprsentation a), l'impuret (As) donne un lectron de conduction en
baissant la densit de trous p
Un atome de la colonne V possde 5 lectrons priphriques. Plac en site substitutionnel
dans un rseau Si, il engage 4 de ces lectrons dans des liaisons de valence avec 4 atomes Si
voisins. Ces lectrons participent ainsi la bande de valence du semi-conducteur.

Le 5me lectron est faiblement li ; il occupe un niveau ED peu profond de la bande interdite
et peut tre facilement arrach limpuret. Il alimente ainsi la bande de conduction du
cristal. Tous les atomes de la colonne V fournissent la bande de conduction de Si en lectrons
; ce sont des donneurs, permettant de doper en lectrons le semi-conducteur qui est alors dit
de type N.

Effet dun atome de phosphore substitutionnel dans un rseau Si. Cration dun niveau donneur
ED dans la bande interdite. Il suffit de fournir lnergie EC - ED pour librer llectron en excs
qui occupe ce niveau vers la bande de conduction du cristal Si.
Dopage de type N

Pour obtenir un matriau de type n, on dope le


matriau semi-conducteur (gnralement du
silicium) avec un lment de valence suprieure
(possdant plus dlectrons que le semi-
conducteur), comme le phosphore, afin
dajouter des lectrons la bande de conduction.

En effet, quatre lectrons de limpuret assurent


les liaisons avec les atomes voisins de silicium et
le cinquime lectron, rest disponible va tre
excit vers la bande de conduction trs
facilement par lagitation thermique.

Do le nombre dlectron libre qui va fortement


augmenter : dans ce cas le nombre de trou est
trs infrieur au nombre dlectron libre.

La conduction est alors assure par le


dplacement de ces lectrons.

On obtient ainsi un cristal dop N (ngatif).


Par analogie avec les semi-conducteurs de type P et en notant ND la densit de donneurs, les
densits de porteurs pour un semi-conducteur de type N sont :

Le niveau de Fermi pour un semi-conducteur type N est alors :

Ainsi plus la densit d'accepteurs est leve plus le niveau de Fermi se rapproche de la bande de
conduction.

A la limite si ND=Nc le niveau de Fermi entre dans la bande de conduction, on dit alors que le
semi-conducteur est dgnr.
La figure d) ci-dessous met en vidence qu'un semi-conducteur dop N a une densit
d'lectrons n plus leve et une densit de trous p plus faible que le mme semi-conducteur
pris dans sa configuration intrinsque. On dit alors que les lectrons sont les porteurs
majoritaires et les trous, les porteurs minoritaires.

Semi-conducteur dop N
a) Diagramme des bandes d'nergie
b) Densits d'tat nergtique
c) Distributions de Fermi-Dirac
d) Densits nergtiques de porteurs (les
densits de porteurs n et p
correspondent aux surfaces hachures)
A2.12 Comparaison des deux types de dopage
Le dopage du semi-conducteur introduit des niveaux intermdiaires, ce qui rduit le gap et
augmente donc la longueur donde seuil.
Ainsi, en dopant une concentration donne, on impose une conductivit constante jusqu'
une certaine temprature.

Exemple d'un dopage de type N une concentration N=1.E14 cm-3, en pointill l'volution
de la concentration des porteurs libres "intrinsques" dus l'agitation thermique.
Annexe 3 : la jonction PN
A3.1 Jonction pn, dfinition
Durant la mise l'quilibre, la diffrence de concentration entre les porteurs des zones P et N
au niveau de la jonction cre un courant qui tend galiser ces concentrations.

Mais il se cre galement un champ lectrique, d aux charges fixes, qui s'oppose ce courant.

La situation se stabilise et il apparat une zone de charges d'espace, dpourvue de porteurs


mobiles.
Une jonction PN est laccolement dune rgion dop P et dune rgion dope N. Lors de cet
assemblage les porteurs de charges libres sattirent et se recombinent dans la zone de jonction
o les porteurs libres disparaissent : cest la zone de transition.

Il ne reste donc plus que les ions fixes dans cette zone qui vont crer un champ lectrique
interne au niveau de la jonction dirig de N vers P et qui empche la diffusion des charges libres
restantes dans chaque zone travers la jonction pour se recombiner. Ce champ lectrique
maintient donc la sparation des trous ct P et des lectrons ct N.

En raison de la prsence, dans cette zone, d'un champ lectrique intense, la densit de
porteurs libres dans cette rgion est ngligeable l'quilibre thermodynamique. En outre les
frontires entre la zone dpeuple et les zones neutres de la jonction sont trs abruptes.
Par ailleurs cause de cette double couche, le potentiel lectrostatique varie brusquement
dans la zone de la jonction et la d.d.p. Vd, appele tension de diffusion, atteint des valeurs non
ngligeables (ex : 0,8V pour le silicium).
Cependant, le champ lectrique E n'interdit pas le passage des porteurs minoritaires prsents
dans les segments de type P et N (courant de saturation Is).

Ce mouvement est toutefois quilibr par les porteurs majoritaires qui possdent l'nergie
ncessaire au franchissement de la barrire de potentiel (Wo = eVo).
Sans polarisation un quilibre lectrostatique stablit entre les deux rgions que spare la
jonction ; il se traduit par lgalisation des niveaux Fermi des rgions P- N.

Les nergies WVP et WVN du haut des bandes de valence dune part, et du bas des bandes de
conduction WCP et WCN dautre part, se dplacent dans les rgions P et N et on obtient :

cest--dire :

le potentiel lectrostatique de la rgion P est devenu infrieur celui de la rgion N. Il


apparat un champ lectrostatique E dirig de N vers P. Les porteurs majoritaires de chaque
rgion sont, pour la plupart, incapables de franchir cette barrire de potentiel. En revanche,
les porteurs minoritaires de chaque rgion franchissent la barrire, lancs par le champ E vers
la rgion adjacente.

On peut encore dire que lquilibre se traduit par lgalit des deux courants (de sens opposs)
de porteurs majoritaires dont lnergie cintique est suffisante pour franchir la barrire dune
part, et de porteurs minoritaires lancs par E dautre part.
Au niveau de la jonction les potentiels chimiques s'galisent, formant ainsi une structure de
bandes caractristique, avec une barrire de potentiel entre les deux zones.
Le potentiel (chimique) d'un semi-conducteur tant donn par l'nergie de Fermi, la tension
de diffusion est proportionnelle la diffrence des niveaux de Fermi des semi-conducteurs non
joints:

Pour la jonction et l'quilibre thermodynamique, le niveau de Fermi cot dop P et cot dop
N est identique. Le diagramme d'nergie de la jonction PN comporte donc une courbure des
bandes de conduction et de valence. Cette courbure fait apparatre une diffrence d'nergie
potentielle lectrostatique de qVd.
Lutilisation dune jonction PN se fait en lui appliquant une polarisation.

Il y a deux possibilits :

- Une polarisation directe : le potentiel de la zone P est suprieur celui de la zone N.

- Une polarisation en inverse : le potentiel de la zone N est suprieur celui de la zone P.


A3.2 Jonction PN en polarisation directe

Si l'on applique une tension positive du ct de la rgion P (polarisation directe), les porteurs
majoritaires du ct P (les trous positifs) sont repousss vers la jonction.

Dans le mme temps, les porteurs majoritaires ngatifs du ct N (les lectrons) sont attirs
vers la jonction.

Arrivs la jonction :

soit les porteurs se recombinent (un lectron tombe dans un trou) en mettant un photon
ventuellement visible (LED),

soit ces porteurs continuent leur course au travers de l'autre semi-conducteur jusqu'
atteindre l'lectrode oppose : le courant circule, son intensit varie en exponentielle de la
tension.
Une polarisation directe rduit la barrire de potentiel.
Ainsi, un courant de porteurs majoritaires (trous dans le
type p et lectrons dans le type n) va s'installer.

Plus la diffrence de potentiel applique est leve, plus


le courant positif va tre important.
A3.3 Jonction PN en polarisation inverse

Si la diffrence de potentiel est inverse, les porteurs majoritaires des deux cts s'loignent
de la jonction, bloquant ainsi le passage du courant son niveau.

Ce comportement asymtrique est utilis notamment pour redresser le courant alternatif.


Une polarisation inverse augmente la barrire de
potentiel (largissement de la zone de dpltion par
recombinaison).

Cela va provoquer un courant de porteurs minoritaires


(trous dans le type n et lectrons dans le type p).

L'intensit de ce courant va donc tre ngative et


rester faible, quelle que soit la tension.
A3.4 Caractristique de la jonction PN non claire

On obtient ainsi cette caractristique pour la jonction PN :

Pour crer un courant utilisable dans cette jonction p-n, deux moyens sont possibles :

Soit abaisser la barrire de potentiel (grce une polarisation directe). La jonction est alors
rceptrice (diodes de redressement).

Soit, fournir une nergie supplmentaire (dorigine lumineuse, thermique) aux porteurs de
la bande de valence. La jonction est alors gnratrice.

Il ne reste alors plus qu collecter les charges avant leur recombinaison.


A3.5 Jonction pn claire

En fonctionnement, quand un photon arrache un


lectron la matrice, il cre un lectron libre et un trou ;
sous l'effet du champ lectrique existant la transition
entre zone n et zone p, llectron et le trou partent
chacun l'oppos : les lectrons s'accumulent dans la
rgion N (qui devient le ple ngatif ), tandis que les
trous s'accumulent dans la couche dope P (qui devient
le ple positif ).

Ce phnomne est plus efficace dans la ZCE, o il n'y a


pratiquement plus de porteurs de charges (lectrons ou
trous) puisqu'ils se sont annihils, ou la proximit
immdiate de la ZCE : lorsqu'un photon y cre une paire
lectron-trou, ils se sparent et ont peu de chance de
rencontrer leur oppos, alors que si la cration a lieu
plus loin de la jonction, l'lectron (resp. le trou)
nouveau conserve une grande chance de se recombiner
avant d'atteindre la zone N (resp. la zone P). Mais la ZCE
est forcment trs mince, aussi n'est-il pas utile de
donner une grande paisseur la cellule.
A4 La photodiode
A4.1 Dfinition

La photodiode est une jonction P/N polarise en inverse, dont on peut clairer la jonction et
qui gnre un courant lorsqu'elle est claire par un flux photonique.

La technologie CMOS permet de concevoir des photodiodes simples bases sur une structure
N+/P. La rgion P correspond au substrat et la rgion N+ est fabrique de la mme manire
qu'un drain ou une source de transistor NMOS.

Structure d'un pixel photodiode


A4.2 Equation de la diode (photodiode en labsence dclairement)
Quelle que soit la tension VA applique aux bornes de la diode, le courant est toujours la
somme du courant des porteurs majoritaires et du courant des porteurs minoritaires :

On a donc :

Enfin on sait que pour VA = 0, lquilibre impose I = 0, soit:

et lquation de la diode scrit finalement :


A4.3 Dtection par photodiode
Le processus d'absorption des photons conduit la gnration de charges lectriques sous la
forme de paires lectrons/trous (photoconduction).

La dtection photonique est ralise en polarisant la diode en inverse. La polarisation cre


une zone de charge d'espace autour de la jonction.

Le champ lectrique prsent dans la zone de charge d'espace permet de sparer les charges
positives et ngatives qui font apparatre un courant lectrique proportionnel l'clairement
incident de la diode.
A4.4 La photodiode claire
A4.4.1 Principe de ralisation de la photodiode

Plusieurs conditions doivent tre respectes pour que les photodiodes soient correctement
ralises :

- la photodiode doit avoir un champ de jonction E important pour sparer efficacement les
porteurs photo crs. De ce fait, il est clair que si on souhaite polariser la diode, il est
absolument ncessaire de le faire en sens inverse.
- pour que les photons pntrent en grand nombre dans la zone de champ, il faut que le flux
incident ne soit que faiblement absorb par la rgion P.

Soit x lpaisseur de la rgion P et son coefficient dextinction optique la frquence des


photons du flux monochromatique considr, la partie de 0 qui arrive dans la jonction aprs
rflexion sur la face avant et transmission par la zone dope P est gale :

o Ropt est le coefficient de rflexion de la surface de la photodiode. Ce flux transmis sera


dautant plus grand que que et x seront plus faibles.

- la totalit du flux arrivant dans la jonction doit y tre absorb.

Pour cela, il faut construire une rgion de champ suffisamment paisse.

Ceci est possible, par exemple, en crant une structure de type (P-intrisque-N) quon appelle
souvent type jonction PIN.
A4.4.2 Influence de lclairement : caractristiques de la photodiode

L'effet du rayonnement lorsquil fournit assez d'nergie (si celle-ci est suprieure la largeur de
la bande interdite) fait apparatre des paires supplmentaires dlectrons-trous porteur
(apparition simultane d'un porteur n et d'un porteur p) dans la jonction.

Les porteurs p ainsi crs ont tendance migrer vers le matriau p et les porteurs n vers le
matriau n (mme sens que les porteurs minoritaires) renforant la barrire de potentiel et
donc le courant inverse.

Une partie des porteurs gnrs par le rayonnement sera elle aussi soumise divers
phnomnes de recombinaison (disparition simultane d'un porteur n et d'un porteur p).
Si on visualise la caractristique de cette photodiode on constate l'existence d'un seuil et un
courant inverse ngligeable.

En augmentant l'clairement, le courant inverse prend une valeur non-nulle et pratiquement


indpendant de la tension inverse.

Le courant inverse est celui des paires lectrons-trous cres au niveau de la jonction p-n, qui
sont spares par le champ lectrique rgnant dans la jonction.
A4.4.3 Equation et caractristique de la photodiode

Le courant de lumire Ir est finalement gal au nombre dlectrons (ou au nombre de trous)
qui ont t crs par effet photolectrique et qui sont arrivs jusqu la limite de la zone de
champ par seconde multipli par la charge q de llectron :
Ce courant se retranche du courant de la diode puisquil est cr par des porteurs
minoritaires.

Lquation (ou caractristique) de la photodiode est donc :

ce qui revient translater la caractristique courant tension dune diode dune quantit
proportionnelle -Ir cest dire 0.
A4.4.4 Modes photoconducteur et photovoltaque de la photodiode
D'aprs les conventions choisies pour l'orientation de I et V (convention rcepteur) :

 si le produit I.V (courant fois tension) est positif, le diple reoit de l'nergie et fonctionne
donc en rcepteur ;

 si le produit I.V est ngatif alors le diple fournit de l'nergie: il se comporte comme un
gnrateur.

Les diffrents quadrants de


fonctionnement d'une photodiode.
Le quadrant gnrateur est appel domaine photovoltaque. Ce mode de fonctionnement est
exploit pour raliser des photopiles aux applications diverses. La plus connue est bien sr
l'installation de panneaux solaires sur une maison ou un satellite afin de leur assurer leur
autonomie nergtique. Une autre application concerne la protection des structures en mtal
contre la corrosion. Une petite tension applique sur une structure en mtal l'empche de
s'oxyder ou de se rouiller.

Le mode photoconducteur (rcepteur) est celui des opticiens . Dans ce quadrant, les
caractristiques sont trs bien spares les unes des autres et permettent des mesures
quantitatives de flux.
A4.5 Utilisation dune photodiode en mode photovoltaque
La figure ci-dessous prsente une cellule monocristalline typique de 10x10cm dont on a trac la
variation du courant par rapport la tension ainsi que la courbe de puissance par rapport la
tension.

On remarque que la courbe de puissance passe par un maximum environ 0.45 volt, valeur
typique dans cette technologie; cette tension V(MPP), on fait correspondre un courant I(MPP).
La puissance dbite par le module photovoltaque dpend du point de fonctionnement de
cette dernire ; cest le produit de lintensit de courant et de la tension entre ses bornes. Le
point M reprsente la puissance maximale dbite par le module
Sous un clairement donn, toute cellule photovoltaque est caractrise par une courbe
courant-tension (I-V) reprsentant l'ensemble des configurations lectriques que peut prendre
la cellule.

Trois grandeurs physiques dfinissent cette courbe:

 Sa tension vide : Vco. Cette valeur reprsenterait la tension gnre par une cellule
claire non raccorde.
 Son courant de court-circuit : Icc. Cette valeur reprsenterait le courant gnr par une
cellule claire raccorde elle-mme (sans rsistance de charge).
 Son point de puissance maximale : MPP (en anglais : maximal power point) obtenu pour
une tension et un courant optimaux : Vopt, Iopt (parfois appels aussi Vmpp, Impp).
La figure suivante prsente une mme cellule de 10 x 10 cm diffrents niveaux dclairage.

On remarque que le courant est directement proportionnel lirradiance ces niveaux


dclairement.

La tension par contre nest pas trs dgrade lorsque la lumire baisse ; dans une cellule
monocristalline la cellule peut fournir une tension correcte mme petits clairages.

Pour une cellule polycristalline la tension peut parfois baisser de manire importante ds que
la lumire est en dessous de 30 50 W /m (3 5% du maximum).
Ipv Influence de la temprature Ipv Influence de lclairement
Icc

Vc0 Vpv

Une augmentation de la temprature Icc est directement proportionnel


va rduire la puissance (MPP ou PPM lclairement mais la f.e.m. reste
en franais) disponible en diminuant un quasiment indpendante sauf trs
peu la tension des cellules. faible clairement o elle peut tre
plus beaucoup plus faible
La caractristique fondamentale du gnrateur photovoltaque donne pour un clairement et
une temprature donne, nimpose ni le courant ni la tension de fonctionnement ; seule la
courbe I(V) est fixe. Cest la valeur de la charge aux bornes du gnrateur qui va dterminer le
point de fonctionnement du systme photovoltaque.

La figure reprsente trois zones essentielles :

- La zone (I) : o le courant reste constant


quelle que soit la tension, pour cette rgion, le
gnrateur photovoltaque fonctionne comme
un gnrateur de courant.

- La zone (II) : correspondant au coude de la


caractristique, la rgion intermdiaire entre
les deux zones, reprsente la rgion prfre
pour le fonctionnement du gnrateur, o le
point optimal (caractris par une puissance
maximale) peut tre dtermin.

- La zone (III) : qui se distingue par une variation


de courant correspondant une tension
presque constante, dans ce cas le gnrateur
est assimilable un gnrateur de tension.
A4.6 Utilisation dune photodiode en mode photoconduction
A4.6.1 Comportement statique de la photodiode en mode photoconducteur

L'utilisation d'une photodiode dans le mode photoconducteur ncessite d'appliquer une


polarisation, une tension inverse.

Un montage typique est de placer en srie de la photodiode polarise une rsistance (dite
rsistance de charge) qui convertit le courant en tension.

La tension Vs (=-RI) est directement proportionnelle au


photocourant gnr par la photodiode.

Pour trouver les points de fonctionnement (I,V) du montage, il faut


superposer au rseau de caractristique de la photodiode la
droite de charge . Cette dernire est obtenue en crivant la loi
des mailles:
Les points de fonctionnement sont donns par les intersections de la droite de charge avec les
caractristiques de la photodiode.

On constate sur le schma suivant que, tant que le flux n'est pas trop grand, les points de
fonctionnement sont bien distincts pour des flux diffrents. Le courant varie linairement avec
le flux : une mesure quantitative est donc possible.

Par contre, pour des flux plus importants, les points de fonctionnement se rapprochent jusqu'
se confondre. Ce phnomne est appel saturation .

Le courant n'est plus linaire avec le flux et tend vers une valeur limite. Une mesure dans ce
rgime conduirait des valeurs totalement errones.

Mode photoconducteur. Un phnomne


de saturation se produit aux forts flux
Les deux paramtres libres que sont la rsistance de charge et la tension de polarisation ont
des effets trs importants sur ce comportement et ne doivent donc pas tre choisis au
hasard.

Augmenter la rsistance peut tre intressant puisque pour un photocourant donn la


tension de sortie sera d'autant plus grande que la rsistance de charge sera grande (cela
revient augmenter le gain). Un flux faible sera ainsi plus facile dtecter.

Cependant, augmenter R acclre le phnomne de saturation : la plage o le courant est


linaire avec le flux est rduite.

Le schma ci-dessous illustre l'influence de la valeur de la rsistance sur la saturation. R


impose la pente de la droite de charge : plus R est grand, plus la pente est petite. Les points de
fonctionnement se confondent ainsi d'autant plus vite que R est grand.

Augmenter R acclre la saturation.


De la mme manire, la tension de polarisation de la photodiode influe sur le phnomne de
saturation.

Plus la polarisation est grande, plus la saturation est retarde.

Le schma ci-dessous illustre cette dpendance.

Les droites de charge sont parallles (mme valeur de R, donc mme pente) mais l'abscisse
l'origine est diffrente. Attention! La tension de polarisation ne peut pas tre indfiniment
augmenter. Le data-sheet prcise la valeur maximale appliquer (20V dans l'exemple choisi)
Rsum :
A4.6.2 Dtection de trs faibles flux

L'utilisation d'une photodiode dans le mode photoconducteur ncessite d'appliquer une


tension inverse ( polarisation ).

Comme nous l'avons vu prcdemment, une telle polarisation se traduit par un courant
d'obscurit qui augmente avec elle.

Ce courant est bien sr nfaste la mesure prcise d'un trs faible flux puisqu'il s'ajoute au
photocourant. De plus, il fluctue beaucoup avec la temprature et il est donc trs difficile
contrler.

La solution est alors d'utiliser la photodiode en court-circuit : la tension ses bornes est
toujours nulle et il n'y a donc pas de courant d'obscurit.

Ce fonctionnement est la limite du mode photovoltaque et du mode photoconducteur.

Mme pour des valeurs trs faibles du flux incident, le courant est proportionnel au flux
lumineux.
La figure ci-dessous permet de visualiser les diffrents points de fonctionnement en
fonction du flux.

Fonctionnement en court-circuit pour les trs faibles flux.


La tension V est toujours nulle
Comment exploiter ce courant de court-circuit ? Un simple montage convertisseur Courant-
Tension Amplificateur Oprationnel permet de visualiser une tension image de ce courant.

La photodiode est bien en court-circuit car l'entre - de l'AO est une masse virtuelle.

Convertisseur courant-tension. La photodiode est en court-circuit.


Pour aller plus avant dans la description de ce mode, il faut ajouter au schma quivalent
d'une photodiode une rsistance parallle de court-circuit dite Shunt Rsistance Rsh
gnralement de grande valeur et qui dpend de la fabrication de la diode.

Cette rsistance serait infinie pour une photodiode idale. Plus cette rsistance est grande, plus
la photodiode sera sensible aux faibles signaux. C'est donc le paramtre important lors du
choix d'une photodiode pour travailler dans ce rgime.

Une photodiode prsente en parallle une


rsistance de grande valeur dite shunt
resistance

Cette rsistance dpend trs fortement de


la temprature. Le data-sheet donne donc
en colonne cette rsistance pour une
temprature typique de 25C et prsente
ensuite un graphe donnant sa dpendance
avec la temprature. Il n'est pas utile de
connatre la rsistance pour diverses
tensions de polarisations car c'est un
paramtre important uniquement dans ce
mode de fonctionnement (court-circuit).
4 Lien entre grandeurs lumineuses et grandeurs lectriques
4.1 Efficacit quantique ou rendement quantique dun capteur

L'efficacit quantique QE (Quantum Efficiency en anglais) est le rapport entre le nombre de


charges lectroniques collectes et le nombre de photons incidents sur une surface
photoractive. Ce paramtre permet de caractriser un composant photosensible, comme un
film photographique ou un capteur CCD, en termes de sensibilit lectrique la lumire.

L'efficacit quantique est parfois appele aussi IPCE (Incident-Photon-to-electron Conversion


Efficiency).

Comme l'nergie d'un photon dpend de sa


longueur d'onde, l'efficacit quantique est
gnralement reprsente sous la forme d'un
spectre en fonction d'une plage de longueurs
d'onde pour un capteur donn.

En intgrant l'efficacit quantique obtenue sur


tout le spectre du rayonnement lumineux, on
peut valuer le courant produit par un capteur.
Lefficacit quantique QE paramtre dpend de la longueur d'onde, reprsente par l'indice :

o N = nombre de photons absorbs, Ne = nombre d'lectrons produits.

Ces deux grandeurs sont calcules de la faon suivante :

avec :
o = puissance optique incidente en watts,
 = puissance optique absorbe en watts,
= nergie d'un photon de longueur d'onde ,
t en secondes.

Avec les photons d'un niveau d'nergie situ au-dessous de la bande interdite, le QE est gal
0.
Les pellicules photographiques ont gnralement un QE infrieur 10%, tandis que celui de
capteurs CCD peut jusqu' dpasser 90% sur certaines longueurs d'onde.

Les capteurs sont nettement plus efficaces que la pellicule : jusqu' 99% (en thorie) et prs
de 50% (en pratique) des photons reus permettent de collecter un lectron, contre environ
5% de photons qui rvlent un grain photosensible, d'o leur essor initial en
astrophotographie.
4.2 Facteur de remplissage dun capteur
4.3 Premire mthode : conversion de la lumire en courant lectrique

o F est le flux nergtique lumineux (en Watt W), Ad est la surface sensible du pixel et R est la
rponse lectrique du capteur (en Ampre par Watt A/W).
4.3 Premire mthode : conversion des photons en lectrons

Premire partie
Deuxime partie
Rsum de la seconde mthode et lien entre les deux mthodes
4.4 Longueur donde limite de dtection ou longueur donde de coupure

Nous avons dj vu plusieurs reprises que dans le cas des matriaux semi-conducteurs
l'nergie de gap - et donc la nature du matriau - impose une valeur limite aux longueurs
d'onde pouvant tre dtectes.

Cette valeur limite se calcule facilement partir de l'nergie de gap:


4.5 Rponse lectrique ou sensibilit du dtecteur

Chaque photon incident de longueur d'onde plus faible donne naissance un lectron avec
une probabilit . Cette probabilit appele efficacit quantique est plus petite que 1 car des
photons sont parfois absorbs sans donner d'lectrons.

Considrons un flux nergtique Fe parvenant sur la surface du dtecteur. Le flux de photons


Fp est alors le rapport du flux nergtique par l'nergie d'un photon.

Cette dernire est relie la longueur d'onde du photon: E = h.

Le flux Fp s'exprime donc :

Chaque photon donne naissance un lectron au rendement quantique prs.

Un flux nergtique Fe cre donc en sortie du dtecteur un photocourant :


i = e Fe = R( ) Fe
hc
o e est la charge de llectron et R() est appel facteur de rponse spectral en courant ou
rponse lectrique ou encore sensibilit du dtecteur.
Il se mesure en A/W. Cette grandeur augmente linairement avec jusqu' la longueur d'onde
de coupure du matriau (cf. figure ci-dessous).

Allure thorique de la sensibilit d'une


photodiode. c est la longueur d'onde de coupure.

La rponse relle diffre de l'allure thorique car le rendement quantique n'est pas constant
sur toute la plage de longueur d'onde et la coupure est moins franche.

Le graphe suivant prsente le facteur de rponse spectral rel de diffrents semi-conducteurs


couramment employs.

Rponse spectrale de divers matriaux


4.6 Sensibilit du dtecteur parfait

Pour certains auteurs, la sensibilit du dtecteur est par dfinition la rponse lectrique
quaurait le capteur s'il tait parfait, cest--dire s'il possdait un rendement quantique QE
gal 1 (une paire lectron-trou pour un photon de longueur d'onde infrieure 1.1 m,
< C).

Donc, par la formule prcdente, S gale R lorsque = 1 :

S tant exprime en A/W et en microns

Cette valeur de la sensibilit est une limite fondamentale, un maximum absolu d la


quantification de l'nergie lumineuse.

La valeur de S varie linairement en fonction de et vaut typiquement 0,4 A/W =0,5 m.


4.7 Le coefficient d'absorption

La valeur de la sensibilit donne au paragraphe prcdent est celle dun dtecteur parfait
(QE=1).

Un des paramtres qui rend le QE du silicium infrieur 1 est l'absorption des photons.
Supposons qu'un bloc de silicium reoive un flux
photonique Fo (photons/cm2s). Au fur et mesure
que le flux se propage dans le silicium (au pas x),
une fraction proportionnelle l'intensit du flux
est absorbe.

Par consquent, le nombre de photons absorbs sur une distance lmentaire x est gal
.F(x).x o est une constante de proportionnalit nomme coefficient d'absorption du
matriau considr.

De plus, ce coefficient dpend la fois de la longueur d'onde au premier ordre et de la


temprature au second.
On peut donc montrer que l'intensit du flux dans le silicium suit une loi exponentielle :

o F(x) est lintensit du flux photonique la profondeur x (photons/cm2.s), Fo lintensit du


flux la surface du silicium (photons/cm2.s), le coefficient d'absorption du matriau (cm-1).

On en dduit qu' x = 1/, soixante-trois pour cent du flux entrant a t absorb, et il reste
donc trente-sept pour cent du flux qui continue se propager plus profondment. Egalement,
la distance x = 2/, il ne reste que treize pour cent du flux. On peut donc considrer que la
plus grande partie de la lumire t absorbe sur une paisseur de x = 2/.
Le coefficient d'absorption dpend fortement de la longueur d'onde du rayonnement. Cela est
illustr par la relation suivante, qui exprime en fonction de la partie imaginaire de l'indice de
rfraction du milieu (Silicium) :

k() est la partie imaginaire de l'indice de rfraction du matriau.

La figure ci-dessous montre l'volution de en fonction de la longueur d'onde , pour le


silicium : On voit, par exemple, que pour
une longueur d'onde de 0,5m,
le coefficient d'absorption est
environ gal 104 cm-1, ce qui
veut dire que 63% du flux est
absorb une profondeur de 1
m. On en dduit donc que si
l'on souhaite optimiser la
sensibilit du capteur pour =
0,5 m, il faut que la zone
photosensible ait une paisseur
d'au moins 1 m.
Les photons de faible nergie (grande longueur donde, par exemple les infrarouges) sont
moins facilement dtects et tendent traverser lintgralit du cristal de silicium sans
gnrer de paire lectron/trou.

A linverse les photons de forte nergie (courte longueur donde, par exemple les ultraviolets)
sont absorbs trs prs de la surface et natteignent donc pas la zone active ne produisant pas
de paire lectron/trou.

Un capteur CCD possde donc une bande passante lintrieur de laquelle celui-ci
transforme les rayonnements lumineux en charges lectriques. La nature et lpaisseur des
matriaux des grilles et de lisolant dterminent les frquences haute et basse (ou les
longueurs donde basse et haute) de la sensibilit spectrale (de 0.4m 1m , en gnral
centre sur le spectre visible).
5 Dtecteur photoMOS, lment de base des capteurs numriques
5.1 Structure

Alors que la photodiode utilise une jonction PN, permettant une conversion directe des charges
en tension, le dtecteur photoMOS est bas sur une structure MOS ou jonction par effet de
champ.

MOS signifie Mtal/Oxyde/Semi-conducteur , conformment lempilement des matriaux


qui la composent. Le mtal constitue ce quon appelle la grille (G), loxyde (O) est un matriau
isolant, et le semi-conducteur est souvent du silicium, dop p.
Un photocapteur MOS est constitu de bas en haut :

 dun substrat en silicium dop positivement (Si-p), riche en trous (carences dlectrons).
 ce substrat est recouvert dune mince couche isolante de dioxyde de silicium (SiO2) et
d'une fine zone dope ngativement (Si-n), le canal enterr (buried channel), qui constitue
une jonction avec la zone p.
 au-dessus se trouve une lectrode ou grille de polarisation transparente la lumire en
polysilicium, cest--dire en silicium polycristallin fortement dop (phosphore) et ainsi
rendue fortement conductrice. Elle remplace llectrode en aluminium des photocapteurs
MOS de premire gnration.
 lensemble est gnralement protg dune couche ultrafine de nitrure de silicium
(Si3N4).
5.2 Principe de la photodtection dans le Photomos

L'application d'une tension positive sur la grille provoque lapparition sous la grille dune zone
de dpeuplement profond, c'est--dire hors de l'quilibre thermodynamique.

Cette zone, appele la zone de charge d'espace (ZCE), constitue un puits de potentiel qui
permet de collecter et de retenir des charges photoniques, la lumire qui traverse la grille de
la capacit MOS gnre la cration de paire lectron/trou suivant le processus d'absorption.

Sous l'effet du champ lectrique prsent dans la ZCE, les photolectrons sont attirs sous la
grille du dtecteur photoMOS. Ainsi, le nombre de charges accumules est proportionnel
l'clairement.
Lensemble (sous une grille) se comporte comme un condensateur.

Structure de base d'un CCD et son


quivalent
Le transistor MOS peut tre assimil un interrupteur command en tension par sa grille, qui
laisse passer un courant entre le drain et la source comme le montre la figure ci-dessous :
Structure physique interne d'un pixel (horloge 2 phases)
5.3 Bandes dnergie

Il est possible de calculer le potentiel lectrostatique l'intrieur du substrat en fonction de la


tension applique la grille du MOS. Cela se fait en rsolvant l'quation de Poisson une
dimension dans une direction perpendiculaire l'lectrode.

On en dduit l'allure des bandes d'nergie dans les diffrents cas de polarisation. On sait que
l'nergie potentielle d'un lectron est dfinie par la relation :

E=-eV

e tant la charge de l'lectron, V le potentiel lectrostatique.

On rappelle aussi que la thorie des bandes d'nergie dit que l'lectron cherche toujours une
position correspondant la plus faible nergie potentielle (ou au potentiel lectrostatique
maximal).

La figure suivante donne les diagrammes de bandes d'nergie d'une capacit MOS dans les
conditions suivantes :

aprs application d'une tension positive sur la grille ;


aprs que les porteurs minoritaires (lectrons) se soient accumuls l'interface
isolant/semi-conducteur.
Diagrammes de bandes dnergie dune capacit MOS
5.4 Principe du transfert de charges

La capacit MOS peut assurer une fonction de conversion optolectronique (photocapacit),


mais elle peut aussi constituer un lment des organes de transfert d'un analyseur d'images.

Cette proprit est la base de la structure des capteurs CCDs.


Si une srie de plusieurs capacits MOS sont couples
latralement, comme indiqu sur la figure ci-contre,
de telle sorte que leurs zones de dpltion se
rejoignent, les paquets de charges minoritaires vont
s'accumuler dans les endroits o le potentiel de
surface est le plus lev (nergie la plus faible).

On conoit donc aisment que cette structure offre la


possibilit de transfrer un paquet de charges,
l'interface silice-silicium, par simple action sur les
grilles de commande des capacits adjacentes (en
appliquant une squence de polarisation approprie
sur les grilles de dtecteurs photoMOS voisins) et
donc de transfrer l'information lumineuse de proche
en proche vers un circuit de lecture.

Cependant, elle prsente un rendement quantique


infrieur la photodiode.
Un paquet de charges qui aura t cr optiquement sous une grille donne maintenue un
certain potentiel pourra migrer le long de l'interface SiO2-Si jusque sous la grille voisine
lorsque celle-ci aura t polarise un potentiel gal ou suprieur celui de la grille
adjacente.

Si le potentiel de la grille sous laquelle la charge tait initialement stocke est annul, la
charge se trouve compltement transfre sous la grille voisine comme indiqu sur la figure
prcdente.

Ces dispositifs constituent donc des organes de transfert des charges stockes dans une
photocapacit MOS vers un dispositif de lecture. Ils peuvent tre compars des registres
dcalage analogique commands par des signaux logiques squentiellement appliqus sur les
grilles des capacits MOS.

Dans ces dispositifs, le transfert s'effectue l'interface Si-SiO2 et dans un canal limit par des
diffusions latrales.

Pour cette raison, le registre CCD est dit transfert en surface.


Pour des raisons lies la prsence, dans la couche d'oxyde, d'tats nergtiques permis
pour les porteurs minoritaires (piges d'interfaces), le transfert d'une cellule la voisine ne
se faisait pas intgralement.

Cette limitation a t leve par l'introduction d'un mode de transfert plus profond dans le
substrat de silicium appel transfert en volume.

Le MOS canal en volume (figure ci-


contre) se diffrencie du prcdent par la
prsence, entre la couche d'oxyde et le
substrat de Si, d'une implantation de type
oppos celui du substrat, soit une
couche de type N (lectrons majoritaires).

Cette couche prsente une paisseur de


l'ordre de 1 m. Bien que lgrement
plus complexe raliser, la structure
canal en volume s'est pratiquement
impose tous les analyseurs d'images
CCD produits industriellement.

Les principes de stockage et de transfert dcrits prcdemment restent valables.


La figure ci-dessous montre la nouvelle allure des bandes d'nergie en prsence de la couche
N. On voit que le maximum de potentiel S se situe maintenant l'intrieur de la couche N et
que le canal de transfert est loign de l'interface Si-SiO2. Le rsultat est une efficacit de
transfert considrablement amliore compatible avec la ralisation d'analyseurs d'images de
grandes dimensions.

Bandes d'nergie dans une capacit


MOS canal en volume
Dans un registre transfert de charge, les transistors sont monts en srie, avec une
lectrode commune. Le fonctionnement est alors simple dcrire :

La charge du condensateur C1 va se dplacer vers la droite travers les transistors de la faon


suivante :

1) On ferme l'interrupteur K1 (une tension est applique sur la grille du transistor), les
charges prsentes dans le condensateur C1 se dplacent travers le transistor T1 pour
aboutir dans le condensateur C2. Ce transfert s'effectue sens unique et quasiment toute
la charge est transfre.
2) On ouvre l'interrupteur K1 et on ferme K2, les charges passent de
C2 C3.
3) On ouvre K3 et on ferme K4, les charges passent de C3 C4.
4) Le processus se rpte autant de fois qu'il y a de cellules.
5.5 Pixel dun capteur bas sur un photoMOS
6 Architecture et fonctionnement du capteur CCD
6.1 Dfinitions

Le CCD (Charge-Coupled Device, ou dtecteurs couplage de charge) est le capteur le plus


simple fabriquer,

Mis au point par George E. Smith et Willard Boyle dans les Laboratoires Bell en 1969 (cette
invention leur rapportera le Prix Nobel de physique en 2009) il a rapidement t adopt pour
des applications de pointe (imagerie astronomique) puis popularis sur les camras et
appareils photo numriques.
6.2 Un seul composant de base, deux usages

Au sein des imageurs CCD, chaque pixel est compos d'une zone photosensible, de type
photoMOS ou photodiode connecte une capacit MOS.

Le capteur CCD est donc compos dun trs grand nombre de cellules lmentaires
analogues, appeles capacits MOS, mais utilises de deux manires diffrentes :

 soit comme photocapteur, transformant lnergie lumineuse reue (les photons) en


charges lectriques quelle accumule dans son puits de potentiel pendant lexposition

 soit en tant que cellule de stockage et de transfert des charges masque la


lumire. Organises en registres dcalage, ces dernires permettent dacheminer
vers ltage de sortie du capteur les paquets de charges accumules par les
photocapteurs pendant lexposition.
6.3 Fonctionnement gnral du CCD

Un CCD transforme les photons lumineux qu'il reoit en paires lectron-trou par effet
photolectrique dans le substrat semi-conducteur, puis collecte les lectrons dans le puits de
potentiel maintenu chaque photosite.

Le nombre d'lectrons collects est proportionnel la quantit de lumire reue.

Aprs un temps d'accumulation des photocharges, elles sont transfres de capacit en


capacit par registre transfert de charges analogiques.

Ce registre permet d'vacuer l'information d'clairement sous forme de charges qui sont
ensuite converties en tension partir d'une capacit de lecture externe la matrice. Ensuite,
cette tension est amplifie et enfin numrise.
 la charge de chaque photodiode est transfre vers une ou plusieurs broches de sortie mais
gnralement une seule broche situe dans un coin du CCD,
 le signal est alors converti en tension,
le signal est bufferis et transmis au systme comme n'importe quel signal analogique.
 Une fois lu et mesur, le signal est amplifi puis converti en signal numrique.
 Il peut alors tre manipul par le processeur d'image pour ensuite tre enregistr.
Le capteur CCD a une bonne sensibilit mais, du fait de son principe, le transfert de charges,
est relativement lent.
6.4 Conversion photon-lectron au sein de la capacit MOS
Le capteur dimage est, dans sa forme de base, construit sur
un substrat de silicium dop P et chaque photosite est
dlimit par une fine lectrode mtallique.

Le substrat dop P contient des porteurs positifs (trous)


majoritaires.

a : le substrat dop P contient des porteurs positifs (trous) majoritaires.


b et c : on applique une tension de polarisation positive sur llectrode mtallique ; il se cre
une zone de dpltion.
Si on applique une polarisation positive sur llectrode mtallique (cest--dire si on polarise
dans le sens inverse la jonction), llectrode induit partir de la frontire SiO2/Si-p et
lintrieur du substrat un champ lectrique qui repousse les charges positives (les trous) vers le
fond du substrat et sur les parois de la cellule.

Les porteurs positifs seront repousss et il se cre une zone dserte par les trous, une zone de
dpltion, cest--dire un puits de potentiel dautant plus profond que la tension de
polarisation est leve.
En pntrant dans le substrat de silicium, chaque photon incident cre, par effet
photolectrique, une paire lectron-trou, qui se spare sous laction du champ lectrique :

Les lectrons sont attirs par llectrode positive, quils ne peuvent atteindre cause de la
barrire isolante en oxyde de silicium : les lectrons saccumulent donc dans le rservoir
quest la zone de dpltion.

Suivant un chemin inverse, les trous sont absorbs dans le substrat Si-p.
Laccumulation des lectrons se poursuit tant que le
courant de polarisation est appliqu la cellule.

Ce laps de temps (temps dintgration) est analogue


au temps de pose dtermin par lobturateur dun
appareil photo.
Fonctionnement dun photosite

d : chaque photon de lumire cre une paire dlectron-trou. Llectron est attir par llectrode
positive et se trouve pig dans la zone de dpltion, comme de leau dans un seau.
e : le photosite se charge au cours du temps sous leffet de lclairement.

Chaque photosite se comporte donc comme un condensateur de faible valeur qui se charge
au cours du temps sous leffet de lclairement.

Le nombre dlectrons confins dans le puits est directement proportionnel au nombre de


photons incidents ayant frapp la cellule pendant le temps dintgration.
6.5 Principe du transfert des charges
Aprs lexposition, o les photons incidents ont
provoqu lapparition dun paquet dlectrons,
provisoirement contenus dans la zone de dpltion de
chaque pixel, la phase suivante consiste extraire et
transfrer la charge des millions de pixels du capteur
vers la sortie de limageur.

La quantit de charges ngatives ainsi accumule la fin du temps dintgration doit


maintenant tre transfre dans un registre pour tre lue, mesure et participer
llaboration du signal.

Tous les capteurs CCD transfrent les charges via des registres de cellules MOS.
la fin de l'exposition, les charges sont transfres de photosite en photosite par le jeu de
variations de potentiel cycliques appliques aux grilles (bandes conductrices horizontales,
isoles entre elles par une couche de SiO2) jusqu'au registre horizontal.

Pour transfrer une charge une cellule adjacente, il suffit de polariser la cellule destination
une tension plus leve sur commande dune impulsion de dclenchement. Tous les
registres de transfert fonctionnent selon ce principe de base.
Le dplacement de la charge de la cellule 2 la cellule 3 seffectue de la faon suivante :

on applique une polarisation plus importante la cellule de destination, ici la cellule 3
celle ci aura une zone de dpltion plus profonde
il en rsulte un champ lectrique local qui fait bouger les lectrons de la zone 2 la zone 3
la polarisation de la cellule 3 revient sa valeur nominale
l'instant initial, V1 est positif tandis que les potentiels des lectrodes voisines sont nuls. Les
lectrons sont localiss par influence sous l'lectrode E1. l'instant t1, V2 augmente
rapidement, V1 diminue lentement: les charges localises sous E1 sont progressivement
transfres sous E2. l'instant t2, les potentiels sont inverss par rapport la situation initiale
et toutes les charges sont sous E2. On a ralis un transfert de charge.
Cette opration lmentaire peut tre rpte de proche en proche en agissant sur les
potentiels des lectrodes successives afin d'amener le paquet de charges l'lectrode de
sortie du circuit intgr.

En appliquant des signaux comparables des horloges dcales des lectrodes contigus,
on peut donc dplacer les charges travers un grand nombre de cellules, avec une perte de
charge trs faible.

Ce qui est remarquable est l'extrme efficacit du processus : la probabilit pour qu'une
charge lmentaire soit perdue lors d'un transfert entre deux lectrodes voisines est de l'ordre
de 10-6.
Principe daccumulation des charges Principe du transfert des charges
dans un photoMOS dun pixel CCD vers un autre

CCD avec transfert de charges trois


phases
6.6 La lecture des charges dans le capteur CCD
Dans un capteur CCD, chaque photosite est associ une cellule de stockage :

les cellules de stockage sont organises en colonnes formant des registres verticaux, qui
alternent avec les colonnes de photocapteurs ;

les cellules photosensibles sont spares par des stoppeurs de canal (CSG : Channel Stopper
Gate) empchant la diffusion des charges d' une cellule vers les voisine et par des drains
d'vacuation (OFD ou Overflow Drain) dans lesquels sont coules les charges en excs
produites par une forte illumination ;

chaque cellule photosensible est isole de sa cellule de stockage par une porte de lecture
(ROG : Read Out Gate) au travers de laquelle les charges vont circuler.
Etape 1 : pendant la dure dintgration (dure
de la trame pour un camscope) l'nergie
lumineuse fournie par l'optique est traduite en
nergie lectrique et les charges s'accumulent
dans les cellules photosensibles
proportionnellement la lumire reue.

Etape 2 : durant un bref instant (dans un


camscope : intervalle de suppression trame
sparant la fin de l'analyse d'une trame et le
dbut de la suivante) une impulsion de forte
amplitude est applique simultanment sur les
lectrodes de toutes les cellules de stockage.

Etape 3 : la diffrence de potentiel tablie


entrane alors un dplacement latral simultan
de toutes les charges des photocapteurs vers les
registres de transfert, qui sont videmment
masqus de la lumire.

Etape 4 : lissue de l' intervalle de suppression


trame, les zones de dpltion des photocapteurs
sont vides, et donc prtes recevoir de
nouvelles charges provenant de lanalyse de
limage suivante.
Dans tous les cas, le dplacement de la charge contenue dans un pixel se fait par dcalage,
cest--dire simultanment avec les pixels de la colonne et de la range dont il fait partie. En
dautres termes, les registres verticaux vident paralllement les charges des ranges de
pixels dans le registre horizontal (une seule ligne de cellules MOS) qui les conduisent jusqu
ltage de la sortie.

Selon les types et modles de capteurs, il existe diffrents modes de transfert caractriss par
le nombre de phases de la squence de pilotage horloge des signaux de commande (tensions)
appliqus aux rseaux dlectrodes ou portes (de 1 4 par pixel) assurant le dcalage
progressif des charges dans les registres.
6.6.1 Capteur image entire (FF)
Le capteur image entire (FF pour Full Frame) est le plus simple fabriquer. Il est constitu
dun rseau matriciel de cellules photocapacit MOS servant galement de registres CCD
verticaux, dun registre CCD horizontal, et dun tage amplificateur de sortie.
Aprs lexposition, le contenu des ranges de pixels
est successivement transfr dans le registre
horizontal, lequel achemine les informations vers la
sortie sous forme dun flux de donnes srie.

Le processus est rpt jusqu ce que la charge de


tous les pixels ait t amplifie et convertie en signal
modul en tension par ltage de sortie du capteur.
Principe du transfert trois phases dans un CCF-FF

Chaque pixel du capteur 3F comporte trois portes


(1, 2, 3) recevant des impulsions de
commandes orchestres par un
gnrateur/squenceur (signaux horloges).

Au dpart, la charge est contenue dans le puits de


potentiel cr par 1 (au niveau haut), tandis que
les portes 2 et 3 sont la tension barrire
(niveau bas).

Pour le transfert, 2 est port au niveau haut,


immdiatement suivi du niveau bas de 1. De la
mme manire, les signaux appliqus aux portes 2
et 3 dplacent la charge qui se trouvait sous la
porte 2 sous la porte 3.

Un cycle de transfert est complet quand toute la


charge du pixel Pn [Pixel Pn] se trouve sous la porte
1 du pixel voisin [Pixel Pn+1]
Avantages et inconvnients

Lavantage principal de ce type de capteur est sa sensibilit : toute la surface du capteur est
ici utilise pour recevoir la lumire. Le Fill factor est proche de 100 %.

Le rendement global est donc intressant.

Un de ses dsavantages et la ncessit dutiliser pour ce type de capteur un obturateur


mcanique, masquant les pixels la lumire pendant le transfert de charges.

En effet, pendant la lecture, les photosites sont continuellement irradis et il peut en rsulter
une image avec des tranes. Cette trane ( smear ) sera dans la direction du transport de
la charge dans la partie image de la matrice.

Un obturateur mcanique ou lectronique externe peut tre utilis pour isoler la matrice
durant la lecture afin d'viter le smear . Si on utilise un clairage stroboscopique pour
obtenir l'image, l'obturateur ne s'avre pas ncessaire si le transfert s'effectue entre les
flashes. Si le temps d'intgration est beaucoup plus long que le temps de lecture, alors le
smear peut tre considrablement lev. Cette situation se produit trs souvent lors des
observations astronomiques.

Le transfert de charge est aussi beaucoup plus long que dans le cas du capteur interligne.

On sait aujourd'hui (2005) fabriquer des CCD pleine trame de 40 mgapixels (surface utile
de 4054 mm).
6.6.2 Capteur CCD transfert de bloc (CCD-FT)
Un systme transfert de bloc (FT pour Frame Transfer ) consiste en deux matrices (X
colonnes fois Y lignes) quasi identiques, l'une dvolue aux pixels image et l'autre au stockage.

La structure dun capteur transfert de bloc FT (Frame Transfer) diffre donc de celle du CCD-
FF par lexistence dun deuxime registre parallle, identique la cible, mais masqu la
lumire, appel zone de stockage ou zone mmoire.

Les cellules de stockage sont structurellement identiques aux cellules sensibles mais sont
recouvertes par un blindage optique mtallique pour viter toute exposition la lumire.
Son principe de fonctionnement est le transfert rapide de limage capture par la cible vers la
zone mmoire.

A la fin du temps de pose, aprs le cycle d'intgration, la charge est transfre rapidement des
cellules sensibles aux cellules de stockage et il y a transfert rapide de l'image lectronique
acquise dans la matrice photosensible vers la matrice aveugle.
Avantages et inconvnients

Ce systme permet ensuite de recommencer une acquisition, pendant que la matrice aveugle
transmet l'image vers la sortie au rythme normal .

Le temps de transfert vers la partie blinde dpend de la taille de la matrice mais est
typiquement infrieur 500 s.

Le smear est limit par le temps pris pour transfrer l'image vers la zone de stockage. Tout ceci
requiert bien moins de temps qu'un systme transfert de bloc complet

Lextraction du signal de la zone mmoire, pendant que la zone image en intgre une nouvelle,
seffectue de la mme manire que pour le FF.

Pour les applications de type vido, lavantage de cette architecture est que lacquisition des
images ou trames peut se faire en continu, sans obturateur mcanique, cest--dire avec une
frquence leve.

Ce systme, adopt en vido haute-frquence et pour des instruments scientifiques, nest


pratiquement plus utilis en photographie, surtout en raison de son prix onreux.
6.6.3 Capteur transfert interligne (CCD-IT)
Dans chaque pixel, le photodtecteur est accol une cellule MOS de stockage et de
transfert. Ces cellules, masques la lumire, sont alignes en colonnes, et forment les
registres verticaux, alternant avec les colonnes de photocapteurs.

Aprs lexposition, les charges affrentes chaque pixel sont transfres simultanment dans
les cellules des registres verticaux, avec lesquelles elles communiquent par des portes puis
dans le registre horizontal, form dune seule range de cellules, enfin vers ltage dtecteur
et pramplificateur de sortie du signal.
Les charges accumules pendant un certain temps sont transfres dans des cellules de
stockage puis sorties ensuite via un registre dcalage analogique verticale et enfin via un
registre dcalage horizontal.

La lecture du registre horizontal permet llaboration du signal.


Avantages et inconvnients

Ce principe, par sa rapidit de transfert, permet une utilisation dynamique (vido, avec une
frquence leve). Aprs intgration, la charge gnre par les photodiodes est transfre
vers les registres CCD verticaux en 1 s environ et le smear est donc minimis. Il n'y a donc pas
besoin d'obturer la lumire incidente. Ceci est communment appel obturation
lectronique .

Le dsavantage de ce systme est sa faible sensibilit ; en effet, il laisse moins de place aux
capteurs actifs. Le blindage agit comme un store vnitien qui obscurcit la moiti de
l'information prsente dans la scne. Plus de 50% de la surface du capteur est occupe par les
cellules de stockage et le facteur de remplissage surfacique ( area fill factor ) peut tre aussi
bas que 20%.
Ce dfaut est partiellement corrig par un rseau de microlentilles convergentes places juste
devant la surface du capteur, afin de rediriger la lumire vers les cellules sensibles, ce qui
amliore le rendement quantique de 15% 35-45%.
Les CCD interlignes rcents ont des photosites au pas de 8 micromtres capables de stocker
jusqu' 100 000 lectrons.

Aujourdhui, le photodtecteur nest plus une capacit MOS mais une photodiode.

On sait aujourd'hui (2005) fabriquer des CCD interligne de 12 mgapixels (surface utile de
2436 mm).
6.7 La production du signal vido
A la lecture d'une ligne aprs l'autre, le registre horizontal est vid et les paquets de charges
sont transfrs sur la grille d'un transistor MOS servant de convertisseur charge-tension.

Principe de la conversion charge-tension


L'information niveau vido n'est pas disponible en permanence sur la source du
transistor, il faut donc prvoir un dispositif d'chantillonnage, qui va s'affranchir galement
des drives possibles du niveau de rfrence.

Elaboration du signal vido


Le signal vido ainsi produit correspond alors ,ligne par ligne, l'clairement des diffrents
photosites. Grce au masquage de certains photosites en bordure de la surface sensible, le
niveau du noir est parfaitement connu.
6.8 L'obturateur lectronique
Dans des conditions d'clairement intense, ou pour des objets de dplaant rapidement, il
est ncessaire de diminuer le temps d'intgration.
Le capteur d'image CCD permet de raliser lectroniquement l'quivalent de l'obturateur
mcanique de l'appareil photo traditionnel.

Le principe de l'obturateur lectronique


Le principe de l'obturateur lectronique consiste empcher la charge du photosite
pendant une fraction de la dure d'analyse de la trame :

les pixels restent continuellement soumis la source lumineuse, mais seules les charges
emmagasines au cours de la priode utile d'intgration sont transfres vers les registres
de stockage. Les charges cres pendant la priode d' obturation sont limines.

l'analyse est toujours ralise au rythme de 50 trames par seconde, mais chacune de ces
trames est saisie avec un temps de pose plus court.

il est vident que plus la dure d' obturation est leve, plus il faut de lumire pour
maintenir un mme niveau de luminosit d' image. La perte de sensibilit inhrente la
mise en service de l'obturateur lectronique impose donc de travailler avec une ouverture
de diaphragme plus leve, au dtriment de la profondeur de champ.

en mode normal, le temps d'exposition en intgration trame est de 1/50 s. Toutes les
camras possdent aujourd'hui des vitesses d'obturation de 1/100, 1/250, 1/500, 1/1000 et
1/2000 me s.
Performances et caractristiques du CCD
- Robustesse
La rtine photosensible du CCD peut-tre soumise des forts clairement sans subir le
moindre dommage.
- Rendement quantique

Il est gnralement infrieur 50% (et dpend de la longueur d'onde du rayonnement


reu).

- Linarit
Les CCD sont gnralement linaires: S=kE avec S le signal de sortie et E l'clairement sauf
aux faibles et forts clairements.

- Signal d'obscurit
Ce signal est du aux charges engendres dans le silicium suite l'agitation thermique du rseau
cristallin. Pour des expositions de plusieurs secondes, correspondant des clairements faibles,
les CCD sont refroidis l'aide de cellules Peltier.
- Niveau de gris
La sortie du CCD est numrise. Elle est dlivre l'utilisateur en niveaux de gris (dans le cas des
images 'noir et blanc'). Ces niveaux s'tendent de 0 (noir) 255 (blanc), soit 256=28 niveaux
diffrents.
7 Architecture et fonctionnement du capteur CMOS
7.1 Historique
Bien quil ait t commercialis (pour la vido) un peu avant le capteur CCD, le capteur
CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor) a t longtemps dlaiss pour lemploi
scientifique et photographique en raison de ses mdiocres performances dimageur. En
revanche, son faible cot en avait fait un produit de choix pour les applications grand public
peu exigeantes (jouet, appareil photo numrique rudimentaire, tlphone mobile,
webcam). Le CMOS prit un nouveau dpart suite la mise en uvre de la technologie APS
(capteur pixel actif) par le JPL (Jet propulsion Laboratory) de la Nasa.

Dix ans plus tard, le CMOS avait suffisamment progress pour remplacer valablement le
CCD sur des systmes photographiques labors (comme le reflex Canon Eos D30). En 2003,
la mise sur le march de deux reflex capteur CMOS (le Canon Eos 1 11 MP et le Kodak
DCS 14n 14 MP) a dfinitivement valid son emploi pour la photographie de haute qualit
technique.
7. 2 Principe de fonctionnement du capteur CMOS, gnralits
Les processus de dtection de la lumire et de photoconversion dun CMOS sont
identiques ceux dun CCD.

Cest par les oprations suivantes, de lecture des pixels et de cration du signal image
quils se diffrencient :

 Dans un capteur CCD, les charges recueillies sont transfres en srie par le registre
horizontal jusqu ltage de sortie o la conversion en tension sopre.

 Dans un CMOS, au contraire, la charge est dtecte et convertie en tension dans


chaque pixel, grce un dtecteur/amplificateur transistors.

Cette particularit permet galement de supprimer de nombreux transferts et d'accroitre


la vitesse de lecture.
On distingue deux types de capteurs CMOS :

 CMOS pixels passifs (CMOS-PPS). Dans cette configuration dorigine la plus simple, il
ny a quun amplificateur de charge par colonne de pixels (V), les pixels eux-mmes tant
dots dun unique transistor servant de commutateur de charge vers cet amplificateur. Il
fonctionne en somme la manire dune mmoire DRAM (avec cependant la diffrence
que la cellule dune RAM ne mmorise que des bits 0 ou 1n alors que le pixel dun
imageur accumule un nombre variable dlectrons.

CMOS pixels actifs (CMOS-APS). Ici, le dtecteur/amplificateur de charge est


implant dans chaque pixel, ce qui ncessite un minimum de trois transistors.

Seule la technologie CMOS-APS apparat comme capable de rpondre aux besoins de


limagerie photographique de haut niveau.
Dans un capteur CMOS, il existe toujours une photodiode comme capteur lmentaire de
lumire, mais la lecture de la charge ne se fait plus squentiellement travers un registre de
transfert mais par analyse matricielle, c'est--dire en adressant la cellule par balayage
horizontal et vertical.
Le fonctionnement est trs simple : un bit "1" (prsence d'un niveau logique haut) est
envoy dans la premire cellule du registre dcalage horizontal. Ce bit a pour effet de
rendre passant le transistor de commutation verticale et donc de relier entre elles
toutes les lectrodes de source des transistors MOS qui lui sont relies.

Dans le mme temps, un bit se dplace dans les cellules du registre dcalage vertical
et porte donc un niveau appropri les grilles de tous les transistors horizontaux qui y
sont relis.

La combinaison synchronise de ces deux niveaux a pour effet de rendre passant un


seul transistor la fois (T6 dans l'exemple) ce qui permet l'acheminement des charges
stockes dans la jonction de la photodiode vers la rsistance de sortie aux bornes de
laquelle on trouve une tension proportionnelle la quantit de lumire reue.
Le gros avantage du systme est la simplification des signaux de commande et la possibilit
d'intgrer tous les composants ncessaire sur la mme puce, d'o gain de place et facilit de
fabrication.
Le gros inconvnient est le mlange entre signal de commande et grandeur mesure source de
bruit (parasites) dans l'image finale. C'est la raison pour laquelle on a intgr dans la cellule un
lment actif qui permet de diminuer cet effet. Le capteur possdant cette structure est dit
pixel actif et l'oppos, un capteur ne possdant aucun circuit de correction est dit passif.
L'intgration d'un lment actif dans la cellule (le photosite) a pour inconvnient de rduire
d'autant la surface sensible offerte. Le rapport entre la surface totale du photosite et la surface
du photo dtecteur (la photo diode) est appele taux de remplissage fill factor en anglais. Les
meilleurs capteurs actuels arrivent un taux de 30%, ce qui signifie 70% de surface opaque.
Ceci est illustr ci-dessous :
7.3 Technologie CMOS-APS
Au sein mme de chacun de ses pixels,
un CMOS-APS intgre un circuit
transistors assurant la conversion de la
charge dlectrons en tension
lectrique et son amplification. Le
principe autorise laccs alatoire en
XY aux pixels la manire des
cellules mmoire dune RAM.
Cette capacit daccs alatoire
permet de slectionner les pixels par
groupes (au lieu de la totalit du
rseau matriciel). Un capteur CMOS
peut donc sous-chantillonner
intelligemment (pour rduire le
format dune image la capture, par
exemple).

Compar au CCD, il offre galement une vitesse de lecture plus leve. Outre lamplification
du signal dans le site mme du pixel, dautres circuits amplificateurs peuvent tre placs
ailleurs dans la chane du signal. Ces tages multiples daugmentation du gain permettent
notamment daugmenter la sensibilit globale du capteur en faible lumire.
Il existe plusieurs types fondamentaux de photosites concevables dans un pixel APS, et ce,
contrairement au CCD scientifique, qui ne fonctionne qu'avec un systme de pixels
PhotoMos.

Les pixels base de photodiodes


Le pixel photogate ou photoMOS
La dtection des photons issus de la photodiode peut se raliser de deux faons : le mode
photocourant et le mode prcharge (ou intgration).
7.4 Pixel bas sur une photodiode en mode intgration
Le pixel intgration ou pixel standard est le plus courant. Il
comporte un dispositif photosensible (une photodiode) et
trois transistors.

Le transistor M1 permet de rinitialiser le pixel ou d'tablir


une phase de reset, il joue le rle dun interrupteur dont le
but est d'initialiser la diode en mode inverse la tension Vo,
ce qui fixe la tension aux bornes de la capacit de la diode
polarise en inverse ; le transistor M2 permet l'amplification
du signal de sortie du pixel (premire partie d'un
amplificateur suiveur) et le transistor M3 permet de
slectionner le pixel pour envoyer le signal sur le bus
colonne.

Une fois l'interrupteur ouvert, et sous l'action du courant


photonique, la capacit de diode inverse tend se
dcharger. A ce moment, la diode est flottante et vu le sens
de Iphot, une accumulation d'lectrons ct N+ et de trous
ct P s'opre, ce qui fait que la tension Vd aux bornes de la
diode diminue.
Pour connatre le niveau de signal reu par la photodiode, la tension V1 est mesure aprs
l'ouverture de S1, puis on intgre pendant un temps t durant l'exposition la lumire de la
diode, aprs l'exposition le signal V2 est obtenu, le signal utile sera la diffrence V1-V2.

De manire plus formelle, si Iphot(t) est le courant photonique dans la diode l'instant t et
en supposant que la capacit de la diode soit constante, on peut exprimer la tension aux
bornes de la photodiode de la manire suivante :
En supposant que l'intensit du flux lumineux soit constante durant l'intgration, Iphot est
constant et la tension aux bornes de la diode diminue avec une pente constante telle
qu'illustre dans la figure ci-dessous.

Allure de la tension aux bornes de la


photodiode (substrat P)

Le chronogramme du pixel peut se rsumer ainsi : au dbut de l'intgration, le transistor M1


est mis en position ferm pour initialiser la photodiode, ensuite ce transistor est relch et la
mesure du niveau de reset est effectue (Vref), l'intgration fait chuter la tension de la diode
et en fin d'intgration le signal (Vsig) est mesur.
Ainsi, le signal utile Vd en fonction du temps de pose, ou temps d'intgration int, s'exprime
de la manire suivante :

On en dduit que, si la capacit Cd reste constante dans la plage de tensions entre Vref et
Vd(int), la rponse de la photodiode est proportionnelle au courant photonique et au temps
de pose.
7.5 Pixel bas sur une photodiode en mode photocourant (pixel fonctionnement continu)

Le mode en photocourant est le plus simple, la gnration des photolectrons cre un courant
inverse dans la diode. Il suffit alors de mesurer ce courant pour obtenir une information sur la
quantit de lumire qui arrive sur le pixel. De plus, il n'y a pas besoin d'intgrer le flux
photonique, puisque l'information est prsente instantanment.

L'expression au premier ordre de ce courant est (sans tenir compte des courants thermiques) :
Un des grands avantages du mode photocourant est sa dynamique importante. La rponse
reste linaire sur une large gamme d'intensit lumineuse, car la tension de polarisation ne
change pratiquement pas, quel que soit le niveau du signal. En effet, le volume de la zone de
charge d'espace reste le mme tant que la tension de polarisation ne change pas.

Par exemple, le rapport d'intensit de la lumire entre le jour et la nuit est de l'ordre de 108
(160 dB) ou plus, et peu de capteurs sont capables de couvrir une telle dynamique.

La photodiode en mode photocourant peut rester linaire sur cette gamme d'intensit, c'est la
plupart du temps la chane d'acquisition associe qui limite la dynamique du systme.
Pour viter que la chane d'acquisition ne limite la dynamique, une implmentation d'une
photodiode en mode log photocourant a t ralise chez Imec.

Ce pixel comprend trois transistors :

M3 : le but de ce transistor est de "connecter" sur le bus colonne analogique de la matrice


APS, le signal issu du pixel. L'activation de cette commande (Ysel) se ralise par le dcodeur
d'adresses Y et active en parallle la lecture du signal des pixels de toute la ligne.

M2 : C'est le cur du principe APS: le rle de ce transistor est d'amplifier la


tension de la diode et permettre une sortie du signal en basse impdance, bien plus basse,
que s'il n'y avait pas ce transistor.

Ml : c'est un transistor de charge dont le but est de convertir le courant photonique en une
tension sa source. Ce transistor opre dans la rgion de faible inversion.
La structure et le fonctionnement du pixel fonctionnement continu sont montrs sur la
figure ci-dessous :

Structure du pixel fonctionnement continu (a) et son fonctionnement (b)


Contrairement aux pixels intgration, les pixels fonctionnement continu n'ont pas besoin
de phase de reset ni de phase d'intgration de la lumire.
Ce type de pixels est aussi appel logarithmique car la sortie traduit la luminosit par une
tension travers une relation logarithmique :

o n est un facteur qui dpend des impurets, UT = kT/q= 26 mV temprature ambiante et I0


dpend de certains paramtres technologiques comme la longueur et la largeur des
transistors, l'paisseur d'oxyde, etc.

Cette caractristique permet de convertir plusieurs ordres de grandeur de courant photo-


gnr en un seul ordre de grandeur en tension.
8 Fonctionnement des capteurs couleur
Par construction, les capteurs sont monochromes.

Pour obtenir une image en couleur, il faut analyser la scne filme selon les 3 couleurs
primaires RVB.

8.1 La camra couleur tri-CCD

Une premire solution possible est de placer derrire lobjectif un sparateur optique quip
de miroirs semi-transparents dichroques qui acheminent vers 3 capteurs CCD identiques les
parties du spectre lumineux correspondant chaque couleur.

Les 3 capteurs CCD fournissent les 3 signaux


vido RVB, partir desquels il sera facile de
fabriquer le signal de luminance et les 2
signaux de couleur R-Y et B-Y.

Cette technique donne les meilleurs rsultats,


mais reste rserve au matriel haut de
gamme, car lutilisation de 3 capteurs CCD
rend la solution onreuse.
Le sparateur optique est constitu de miroirs, de miroirs semi-transparents, de miroirs
dichroques, et de filtres colors.

Il est caractris par un trs faible taux dabsorption et un comportement entre lumire
transmise et lumire incidente de type passe-bande.
Les rayons pntrant dans le sparateur traversent le premier prisme et sont filtrs sa sortie
par le miroir dichroque vert.

Un filtre dichroque agit la fois comme un miroir (qui rflchit une partie des rayons) et
comme verre transparent (qui laisse passer le restant).

Le premier filtre dichroque vert rflchit la lumire


verte, qui est enregistre par le capteur vert. La lumire
restante (bleue et rouge) traverse le filtre.

Le second filtre dichroque bleu rflchit la composante


bleue (qui est enregistre par le capteur bleu) et la
lumire restante (qui ne se compose que de tons
rouges) traverse le filtre pour atteindre le capteur
rouge.

Un filtre dichroque rcupre donc les couleurs non-


dsires: ici rien ne se perd. Une camra vido quip
d'un systme 3-CCD est nettement plus sensible qu'un
capteur classique.
On peut observer le filtrage de rayon par les miroirs dichroques grce aux courbes ci-dessous.
8.2 Prise de vue couleur avec un capteur CCD unique

Si, pour des raisons de cot, on ne souhaite utiliser quun seul capteur, il faudra surmonter
chaque photosite dun filtre pour laffecter une couleur donne.
Afin de recueillir les informations couleur, chaque pixel achrome du capteur reoit la lumire
travers un lment de filtre qui est cr lors de la fabrication.

On parle de filtre mosaque.

Il existe deux sortes de filtres mosaques :

les filtres RVB additifs ou filtres couleurs primaires


les filtres JMCV soustractifs ou filtres couleurs secondaires.

Le choix du type de filtre influence fortement les caractristiques du capteur, plus


particulirement la manire dont il recueille et traite les informations couleur et sa sensibilit
intrinsque.
Les topographies des filtres dans les deux types requirent un bloc de quatre lments de
filtres (quadruplet) distribus sur deux lignes adjacentes pour lacquisition de linformation
couleur de chaque pixel.
8.3 Capteur CCD couleurs primaires : filtre mosaque RVB
Il sagit de filtres RVB additifs, bande
passante rduite, ce qui veut dire quils ne
transmettent que la rgion du spectre
correspondant leur propre couleur et
absorbent les deux tiers de la lumire
blanche atteignant le photosite du pixel
correspondant.

Le capteur filtre RVB est donc a priori moins sensible que le capteur JMCV. Toutefois, puisque
la composante en lumire verte reprsente elle seule 59% de lnergie lumineuse capturer,
on utilise normalement deux filtres verts pour un filtre rouge et un filtre bleu.
Aujourdhui, les fabricants nutilisent plus que deux schmas de distribution des filtres RVB :
quadruplet orthogonal RV/VB cheval sur deux ranges de pixels conscutives (structure de
Bayer) ou en quinconce avec dcalage dun demi-pixel (Super CCD de Fuji)

Filtre RVB structure de Bayer


Ce type de filtre couleurs primaires a t historiquement le premier filtre en mosaque
utilis dans les capteurs CCD.

Puis il a t une peu dlaiss au profit des filtres couleurs complmentaires, qui donnent au
capteur une sensibilit lgrement suprieure.

Avec les progrs introduits entre autres par Sony sur le plan de la sensibilit, on assiste
actuellement un retour en force des capteurs couleurs primaires qui permettent une
analyse des couleurs proche de la perfection.
Exemple de capteur Sony muni dun filtre RVB de Bayer.
Lintroduction dun filtre RVB de Bayer appel aussi filtre en mosaque conduira
invitablement une perte de dfinition au niveau de chaque couleur :

 le nombre de photosites sensibles au vert est deux fois plus lev que ceux sensibles au
bleu ou au rouge, ce qui correspond la sensibilit de lil
 le dmatriage permet dabord de sparer les informations correspondant aux 3 couches de
couleurs
 une tape suivante dinterpolation utilisant des algorithmes mathmatiques plus ou moins
labors permet alors daffecter une valeur RVB chaque pixel
Le schma suivant illustre la correspondance photosites - pixels (tous les pixels n'ont pas t
dessins...) et montre qu'il y a autant de pixels que de photosites malgr qu'un pixel
quelconque soit calcul partir de 4 photosites. En effet, un mme photosite peut tre utilis
pour le calcul de 4 pixels diffrents...
L'algorithme de restitution est moins compliqu comprendre que celui ncessit par les
filtres mosaques couleurs secondaires et se base sur l'application de formules simples. La
dmonstration se base sur l'arrangement suivant :

Les pixels sont obtenus par dcalage des photosites d'un rang horizontal ou vertical et en
extrapolant celles des photosites se situant aux points cardinaux (haut, bas, droit, gauche ).
Voici donc les formules pour le calcul des valeurs R'V'B' d'un pixel (I,J) de l'image finale,
partir des valeurs (i,j) des photosites du capteur.

Ces formules s'appliquent sur un pixel central, les formules pour les pixels situs aux coins et
sur les bords sont diffrentes car ces photosites correspondants sur le capteur n'ont pas de
voisin.

Les formules des coins et des bords dpendent du type de capteur et de la faon dont est
organise la matrice. En rgle gnrale, on prend les valeurs directes des trois photosites
alentours et une moyenne sur deux valeurs de vert. Les bords subissent le mme traitement
avec quelques variations.

Une autre solution consiste ne pas utiliser les photosites situs ces endroits et appliquer
l'algorithme avec un dcalage de 2 photosites.
8.4 Capteur CCD couleurs secondaires : filtre mosaque JMCV
Le principe danalyse trichrome adopt par la plupart des camscopes et des appareils photo
numriques grand public utilise un filtre mosaque JMCV, structur lui aussi en quadruplets.
La mosaque des filtres colors, qui privilgie toujours le vert, est dispose de la faon
suivante :

Exemple de capteur muni dun filtre G-Mg-Ye-Cy.


Chaque quadruplet est compos de trois filtre
soustractifs large bande passante (J,M et Cy),
le quatrime filtre tant un filtre primaire de
couleur verte (V).

 le filtre jaune absorbe partiellement la composante


bleue de la lumire blanche et transmet intgralement
les composantes verte et rouge ;

 le filtre magenta M absorbe partiellement le vert et


transmet le bleu et le rouge,

 le filtre Cy absorbe partiellement le rouge et transmet


le vert et le bleu.
Grce llment de filtre V, comme pour le filtre de Bayer, on recueille deux fois plus de
lumire pour le vert que pour le rouge et le bleu.

Ces filtres tant plus transparents que les RVB, une plus forte proportion de la lumire
atteignant le capteur est effectivement convertie en lectrons (un capteur avec filtre JMCV est
environ 35% plus sensible que le mme capteur quip du filtre RVB).
De la figure prcdente on peut aussi tirer les quations suivantes :

qui vont nous permettre l'tude du principe mis en uvre pour obtenir les couleurs primaires.
La reconstitution des couleurs primaires, seules exploitables pour l'affichage sur moniteur
RVB, exige en effet un algorithme spcial appliqu par le processeur (le DSP) aprs conversion
analogique/numrique.

Les calculs sont appliqus des valeurs binaires, donc numriques, stockes sous forme de
matrice (tableau deux dimension) en mmoire RAM.

Considrons donc les photosites de la


matrice ci-contre :

Il faut ainsi huit photosites du capteur pour obtenir un pixel de l'image, mais la structure
alterne de la mosaque permet le dcalage d'un rang horizontalement ou d'un rang
verticalement, l'obtention d'un nouveau pixel.

Ceci prouve que le nombre de pixels de l'image est approximativement gal au nombre de
photosites du capteur, avec une lgre diffrence due aux bords et aux coins.
Algorithme :

1) Les valeurs des photosites sont ajoutes


verticalement, deux par deux. Les combinaisons
primaires ainsi obtenues possdent une
structure rptitive alterne qui ajoutes
donnent toujours le mme terme : 2R+3V+2B.

Ce terme se retrouvant deux fois par pixel, il dtermine sa luminosit qui permet ainsi le calcul
de la LUMINANCE :

Y= 1/2 (2R+3V+2B)

2) Les quatre termes primaires spars seront assimils des valeurs de CHROMINANCE .

Seulement trois termes sur quatre sont indispensables :

Pour chaque pixel, un seul terme est obtenu directement, les deux autres seront dduits par
extrapolation, en effectuant une moyenne arithmtique des pixels cardinaux situs dessus,
droite, au-dessous et gauche.
3) Le Terme2 est lu directement pour le pixel considr et prend la valeur
VAL2.

4) La valeur du Terme1 est obtenu par extrapolation horizontale des pixels


voisins situs gauche et droite, en effectuant la moyenne des Terme1
de chaque pixel :

5) On prend ensuite la moyenne pour chaque pixel droit et gauche des valeurs suivantes :

6) On divise le Terme1 du pixel par cette valeur M1 pour obtenir la valeur finale Val1:

7) Le Terme3 est obtenu par extrapolation verticale des pixels situs au-dessus et au-dessous.
Pour cela on calcule la moyenne entre les rapports suivants de chaque pixel voisin :

On calcule ensuite la valeur Val3 finale du pixel en effectuant la multiplication suivante :


8) Aprs ces calculs, on obtient pour le pixel cherch trois valeurs numriques Val1, Val2 et
Val3 qui combines aux trois termes Terme1, Terme2 et Terme3 fournissent un systme de
trois quations trois inconnues :

partir duquel on en dduit les trois composantes RVB :


Dans la structure de filtre mosaque gnralement adopte, lextraction des signaux se fait
de la manire suivante :
 comme le montre la figure ci-contre, les charges
affrentes aux pixels sont lues par paires, sur deux lignes
conscutives (A1 et A2 dans la trame A, ou B1 et B2 dans la
trame B) et sont extraites ainsi par le registre horizontal
(Hreg) : cest le binning logiciel.
 pour extraire le signal de luminance (Y), on somme les
informations conscutives dune ligne. Bien que les lignes
A1 et A2 soient diffrentes, le rsultat est le mme.
 le signal de chrominance (C) est compos de deux signaux de diffrence de couleur ;
dans notre exemple, la composante (R-Y) sobtient par soustraction de signaux adjacents
des lignes A1 et la composante -(B-Y) par soustraction de signaux adjacents des lignes A2.
 la composante V peut se calculer puisque Y=R+V+B
9 Signal et bruit
9.1 Dfinition du bruit dun capteur
Une capteur numrique est avant tout un instrument de mesure, la grandeur physique observe
tant le flux lumineux.

Le lot commun des instruments de mesure est d'tre imparfaits et d'entacher d'une erreur plus
ou moins grande les rsultats qu'ils fournissent

Durant lexposition, le puits de potentiel de chaque photosite du capteur accumule un certain


nombre dlectrons. A la lecture, cette charge est reprsente (en sortie des circuits de
traitement, et avant numrisation) par un signal lectrique de sortie dont la tension (en mV) est
idalement proportionnelle au nombre de photons convertis en photo lectrons, cest--dire
lexposition qui vaut :

Le signal de sortie peut tre amlior en augmentant le temps d'intgration, et des temps
d'intgration longs sont gnralement utiliss pour les applications faible niveau lumineux.
En ralit, le signal total de sortie (Stotal) est constitu de laddition de deux composantes : le
signal utile (Sutile) image mlang un certain nombre dlectrons de diverses origines qui
dtriorent la puret du signal utile.

Ces lectrons (indiscernables des photolectrons) reprsentent le bruit total (Btotal) accumul
par le pixel durant lexposition :

Stotal= Sutile + Btotal.


9.2 Mesure du bruit
Le fonctionnement de tout systme lectronique engendre du bruit.

Pour rendre plus parlant l'importance du bruit relativement au signal mesur et rendre
compte des effets ngatifs du bruit sur les performances du systme, il est avantageux de
parler en terme de rapport signal sur bruit s/n ou S/B.

Une forte valeur du rapport signal sur bruit signifie que la confiance attribue aux valeurs
mesures est elle-mme forte.

Le rapport signal sur bruit est donc un outil commode pour dcider si une mesure ou si un
signal observ est significatif.

Pour obtenir le meilleur rapport s/n, il faut prendre en compte les principales sources de bruit
du systme imageur.
SNR (Signal to noise ratio) >>10000
SNR = 1
SNR = 0.5
9.3 Deux catgories de bruits
Une exprience simple permet de bien mettre en vidence l'existence du bruit dans une camra
CCD.

Ralisez une premire image avec un temps de pose trs bref dans l'obscurit totale. Relevez
l'intensit d'un pixel de coordonnes (x,y).

Faites une nouvelle acquisition dans les mmes conditions, puis notez l'intensit du mme pixel
(x,y). A moins d'avoir beaucoup de chance les deux intensits n'auront pas la mme valeur.

Recommencez cette exprience plusieurs fois successivement, la dispersion des intensits


successives autour d'une valeur moyenne est vidente.

Ces diffrences dintensit traduisent le bruit temporel alatoire.

Dans les conditions d'acquisition de notre exprience, la valeur du bruit temporel (mesure
comme nous le verrons par son cart-type) a toutes les chances d'tre semblable d'un pixel
l'autre.

En revanche, pour une image donne la manifestation du bruit de pixel pixel n'est pas
identique compte tenu de son caractre alatoire, d'o l'aspect granuleux caractristique de
l'image.

Ceci traduit lexistence du bruit spatial fixe.


Il faut se mfier cependant des apparences, car si la diffrence d'intensit de deux pixels
voisins dans une image peut tre la signature de la prsence du bruit, cela peut aussi tre la
manifestation d'une diffrence physique intrinsque entre ces deux pixels. D'un cot l'erreur
est alatoire, de l'autre elle est systmatique et donc corrigible.
On distinguera donc deux types de bruits :

 le bruit de nature temporelle alatoire (Random noise) ;

 le bruit spatial fixe (FPN ou Fixed Pattern Noise).

Le bruit temporel alatoire comprend principalement : le bruit de recharge de la diffusion


flottante de sortie (bruit de reset), le bruit de en 1/f o f est la frquence centrale du spectre
(flicker noise), le bruit thermique du MOSFET de sortie, le courant dobscurit.

Le bruit spatial fixe rsulte principalement des non-uniformits du courant dobscurit des
pixels, des non-uniformits de rponse des pixels saturation, des bruits dhorloges induits.
9.4 Bruits temporels alatoires
9.4.1 Dfinition du bruit temporel alatoire dans le cas de la photo dtection

Envoyons sur un dtecteur un faisceau lumineux dont la valeur moyenne reste constante au
cours du temps.

La tension image mesure par exemple aux bornes d'une rsistance est visualise
l'oscilloscope. C'est une droite horizontale.

Cependant, une observation plus attentive, sur un calibre plus sensible, rvle de lgres
fluctuations autour de cette valeur moyenne : en augmentant le calibre de l'oscilloscope, ces
fluctuations deviennent trs visibles

Le bruit temporel alatoire peut ainsi se dfinir comme une fluctuation imprvisible se
superposant au signal utile. L'information extraire sera d'autant plus difficile dchiffrer que
ces variations alatoires ne seront pas ngligeables devant le signal utile. Sans outil de
traitement, ce bruit rend impossible la dtection d'un signal plus petit que les fluctuations.
L'image que l'on peut en donner est celle d'une conversation dans un environnement bruyant.
Le message peut ne plus tre compris si le bruit ambiant l'emporte.
9.4.2 Comment caractriser le bruit temporel alatoire ?

La valeur moyenne du bruit n'est pas un bon critre pour le caractriser : le bruit tant une
fluctuation alatoire, sa valeur moyenne est nulle. Il faut donc trouver un autre critre.

Par exemple, si nous regardons le bruit thermique aux bornes dune rsistance R, d
lagitation des lectrons, avec un oscilloscope trs sensible et de grande bande passante la
tension b(t) aux bornes dune rsistance R, nous voyons ceci :

Bruit thermique produit par lagitation


thermique des lectrons.

Les fluctuations tant alatoires, il est clair quen moyenne, b(t) est aussi souvent positive que
ngative.

Nous en dduisons un premier rsultat important :


Par contre, si nous levons cette tension au carr avant de prendre la valeur moyenne, le
rsultat ne sera plus nul.

Nous en dduisons que :

Une tension de bruit sera donc caractrise par sa valeur efficace.

Valeur efficace dune tension


de bruit.

Cest de cette faon que fonctionne le voltmtre RMS et donc quon pourra mesurer une
tension de bruit.
9.4.3 Rappel : notions de statistique

Quelle que soit la grandeur mesure x (une tension


lectrique en volts, une longueur en mtres, un flux
photonique en nombre de photons par seconde, )
nous pouvons tracer un graphe dans lequel l'axe des
abscisses x est subdivis en intervalles rguliers qui
dcoupent en autant de tranches la gamme des valeurs
mesures. Portons sur l'axe des ordonnes y le nombre
d'occurrences des mesures dans chacune des tranches.
Si les subdivisions de l'axe x sont troites, la courbe
tend devenir continue.

Ce type de courbe reprsente la distribution des valeurs mesures. Il apparat que cette
distribution est symtrique par rapport la valeur moyenne des mesures et qu'elle tend
s'annuler lorsque l'on s'loigne de cette moyenne. La courbe a une allure gaussienne et on
l'appelle parfois courbe en cloche. Elle traduit la distribution des mesures en fonction de leur
valeur.

Les statisticiens dsignent par distribution normale la courbe que nous venons de tracer
partir des donnes de mesures. Elle illustre la densit de probabilit de nos mesures.
L'interprtation gomtrique de la distribution normale est simple : la valeur situe au pic de
la courbe n'est autre que la moyenne de toutes les mesures. C'est cet endroit que la densit
de probabilit est maximale, ce qui signifie que la valeur moyenne est bien la valeur la plus
probable de la quantit mesure. En s'loignant de la valeur moyenne, le nombre de points
mesurs diminue rgulirement pour s'annuler quasi totalement.

La dispersion des mesures autour de la valeur moyenne traduit la valeur du bruit. Si les points
se regroupent, ce concentrent, autour de la valeur moyenne, le bruit de mesure est faible. Au
contraire, si les points s'talent largement, l'incertitude de mesure est grande, ou ce qui
revient au mme, le bruit est important. Donc, un moyen pour quantifier le bruit consistera
dterminer un critre li la largeur de la distribution. Il nous faut faire pour cela un petit peu
de mathmatique.
Prcisons tout d'abord ce que l'on entend par valeur moyenne.

Soit N le nombre de mesures indpendantes que nous venons de raliser d'une mme
grandeur et soit S(i) les valeurs mesures avec i = 1, ..., N.

La moyenne est :

On appelle alors variance ou puissance de bruit la quantit :

La variance est la somme de la diffrence quadratique des mesures lmentaires et de la


valeur moyenne de ces mesures, le tout normalis par le nombre de mesures (au premier
ordre).

La valeur effective du bruit dans l'chantillon est fournie par l'cart-type, reprsent par le
symbole (sigma), et qui vaut :
On appelle bruit efficace ou encore bruit RMS (de l'anglais Root Mean Square) la quantit :

On voit que le bruit efficace est quivalent l'cart-type condition que la moyenne soit
nulle et que N soit grand.

Cependant, mme si ces conditions ne sont pas remplies, il est fort courant de confondre le
bruit RMS avec l'cart-type, en donnant au premier la mme dfinition qu'au second, ce qui
est en toute rigueur un abus de langage.
L'expression mathmatique de la courbe de densit de probabilit de la loi normale est :

Traons cette courbe pour une moyenne nulle et pour = 1.

La densit de probabilit donne la probabilit qua une mesure de se trouver dans un certain
intervalle centr autour de la valeur moyenne.

Par exemple crire x 1 signifie que si on mesure de nombreuse fois la quantit x, les
rsultats se trouvent 68% du temps dans un intervalle compris entre - 1 et + 1 autour de la
moyenne. A un intervalle de 2 correspond 95% des valeurs mesures, et ainsi de suite.
Le pourcentage d'occurrence dans un intervalle s'appelle une esprance mathmatique.

Le tableau suivant montre la valeur de cette dernire pour divers cart-types usuels.

Gnralement l'erreur d'une mesure s'exprime 1 (esprance mathmatique de 68%).

Un intervalle de 3 (esprance de 99.7%) contient la quasi-totalit des chantillons mesurs.


Pour bien appuyer ce point, on dsigne un bruit 3 par l'expression bruit crte crte. Le
bruit crte crte vaut donc trois fois la valeur du bruit RMS.
L'expression du rapport signal sur bruit dun bruit temporel alatoire est :
9.4.4 Spectre dun bruit alatoire
Le caractre alatoire du bruit explique que les composantes dun bruit temporel peuvent
avoir toutes les valeurs du continu jusqu des frquences trs leves.

Le spectre dun tel bruit est par consquent constant et continu sur toute la gamme des
frquences et a lallure suivante :

Spectre uniforme caractristique


dun bruit blanc.

Un tel bruit est appel bruit blanc par analogie avec la lumire blanche qui est aussi un
mlange de toutes les frquences.
Lorsque la lumire contient davantage de radiations dune certaine longueur donde, elle est
colore devient rouge si elle contient de grandes longueurs donde (frquences basses) ou
bleue si elle contient des radiations de longueur donde basse ( frquences leves).

De la mme faon et par analogie avec la lumire, lorsquun bruit traverse un filtre, certaines
composantes sont attnues. Le spectre nest donc plus constant et on dit que le bruit est
color.
9.4.5 Types de bruits temporels alatoires

Les divers bruits temporels alatoires gnrs par un systme CCD peuvent tre subdiviss en
3 catgories :

1/Les bruits externes, que nous limiterons ici au bruit de signal.

Nous pourrions en effet ajouter dans cette catgorie les bruits lectromagntiques, dont les
sources peuvent tre un tlviseur en marche proximit de la camra, un metteur radio
voisin du site dobservation, la propre alimentation de la camra, lordinateur lui-mme, etc.
Tous ces parasites sont capts par les liaisons lectriques qui constituent llectronique de la
camra. Nous allons laisser de cot les perturbations lectromagntiques car leurs effets sont
terriblement dpendants de lenvironnement de la camra et de la manire dont celle-ci est
conue. Nous supposerons ici que cette conception est suffisamment seine pour ne pas savoir
ce type de problme (botier faisant office de bonne cage de Faraday, plan de masse du
schma lectronique correctement dessin, alimentations correctement filtres, etc.).

2/ Les bruit intrinsques, produits par la chane de dtection : le CCD, les divers tages
damplification, les circuits lectroniques du systme de double chantillonnage corrl, le
numriseur, etc.

3/ Les bruits de traitement numrique des images.


9.4.6 Bruits externes : le bruit de signal

 le bruit de signal ou bruit photonique ou bruit quantique est d l'arrive alatoire des
photons.

Plus prcisment, lmission et la rception de la lumire est rgie par les lois de la Mcanique
quantique. Du fait de la nature corpusculaire de la lumire, si dans un laps de temps donn
nous comptons les photons en provenance dune source rpute stable en moyenne, nous
nobtiendrons pas le mme rsultat dune exprience lautre. Pour une mme exposition
(source lumineuse constante et rgulire), le nombre de photons dtects par un photosite
nest jamais le mme, il varie alatoirement autour dune valeur moyenne.

L'intervalle entre photons successifs est gouvern par une loi de Poisson, l'incertitude sur le
nombre de photons collects en un temps T est simplement gale la racine carre du signal :

B phot = S
o Bphot est le bruit photonique et S le signal, les deux exprims en nombre dlectrons.

Le rapport signal/bruit est donc gal la racine carre du nombre de photons dtects. En
effet, si N est le nombre de photons dtects par un photosite, le bruit quantique sera
proportionnel N et le rapport signal/bruit proportionnel N /N = N
La proportion de bruit quantique dans le signal diminue avec le temps dexposition.
9.4.6.a Rappel : statistique de Poisson

La statistique de Poisson va tre aborde via un cas concret : l'analyse de l'arrive de photons
d'un signal lumineux de moyenne constante.

Lorsqu'une moyenne de N quanta par unit de temps est attendue, un dtecteur idal
(rendement unit) en comptera un nombre plus ou moins voisin de N.

La distribution des valeurs dpend du nombre N.


Plus N est grand, plus la distribution apparat pique en valeur relative, quand bien mme elle
est plus tale en valeur absolue.
Un rayonnement monochromatique de frquence de luminosit L, observ pendant une
dure T, apporte une nergie L.T.

Ce rayonnement est vhicul par un nombre moyen de photons N obissant :

La discrtisation du flux en quanta d'nergie implique que le nombre de photons arrivant par
intervalle de temps fluctue autour de cette valeur moyenne.

La probabilit de dtecter n photons larrive lorsque N sont attendus en moyenne s'crit :

C'est la loi de Poisson de moyenne N.

Il faut retenir que :

La probabilit maximale est obtenue pour n=N et par consquent la valeur moyenne est la
plus probable.

L'cart-type de la distribution vaut N.


Pour les grandes valeurs de N, on peut montrer que cette loi se confond trs rapidement
avec la gaussienne :

On en conclut alors, en se basant sur la statistique gaussienne, que pour une valeur
moyenne N, l'cart-type vaut N .

Il en rsulte un point important : lorsque N crot, l'cart-type crot, mais le rapport cart-
type/moyenne du signal dcrot.
9.4.6.b Bruit de signal en terme de photons
Un flux de photons est assimilable un flux de particules arrivant avec un taux nph (nombre de
photons par seconde) sur le dtecteur (un pixel). Ce flux gnre donc pendant la dure tINT un
nombre de photons Nph gal :

La probabilit de dtecter n photons durant le temps d'intgration tINT suit une distribution de
Poisson, c'est dire que :

La valeur moyenne de ce signal est gale :

et la variance de la statistique est :

La fluctuation de photons est donc en racine du nombre de photons.


*) The definitions of excellent and acceptable SNR origin from ISO 12232
9.4.6.c Bruit de signal en termes de photolectrons

Pour un flux lumineux incident sur le pixel nous en dduisons le nombre de photo lectrons
du bruit de photons exprim par :

avec :

 h = constante de Planck = 6,6256x10-34 J.s


 c = vitesse de la lumire = 299792458 m.s-1
 =efficacit quantique du pixel
 = longueur d'onde de la lumire
9.4.6.d Bruit de signal en termes du courant
9.4.7 Les bruits intrinsques

9.4.7.a le bruit ou courant dobscurit

Certains lectrons apparaissant dans les photosites ne proviennent pas des photons reus lors
de l'exposition la lumire mais sont forms ici de manire alatoire, et viennent se
confondre avec les bons lectrons au sein du signal cr issus de laction de la lumire.

Ce phnomne se manifeste mme lorsque le capteur n'est pas expos, c'est pour cela qu'on
le nomme courant d'obscurit .

Il est donc plus visible sur les zones sombres, o le rapport signal/bruit est son minimum.

Sur l'image, cela se traduit par des pixels colors ou non, mais dans l'ensemble plus clairs, ce
qui augmente au final la luminosit de l'image.

Le courant d'obscurit peut tre mesur en capturant des images divers temps d'obturation
avec le capteur ferm par son bouchon.

Certains capteurs incluent la mesure du courant d'obscurit en utilisant des pixels


supplmentaires, jouxtant la surface image et blinds, appels pixels sombres ( dark pixels ).
Le courant d'obscurit a pour origine le bruit thermique, ou bruit de Johnson-Nyquist, est d
l'agitation naturelle des lectrons, qui augmente avec la temprature du capteur.

Le bruit ou courant dobscurit est donc engendr par la variation statistique des lectrons
dorigine thermique dans les couches de silicium, une temprature interne donne.
Influence de la temprature du capteur sur le bruit thermique. De gauche droite, ces 4 photos
ont t prises une sensibilit identique de 400 ISO, et des tempratures voluant
progressivement de 4 C 25 C
Les fabricants de camras quantifient le courant dobscurit laide du nombre d'lectrons
thermiques..

La valeur du courant dobscurit dpend du temps d'accumulation des charges, c'est dire
du temps d'intgration du capteur tINT, et du nombre d'lectron d'obscurit par seconde du
capteur nobs. Nous avons ainsi :

Son niveau moyen ne dpend pas de l'intensit du signal : lors de l'exposition, il reste constant.

Il suit une loi de Poisson, et le bruit associ ce signal est gal la racine carre du nombre de
charges thermiques Nd :

Par exemple, un CCD KAF-0400 refroidi 10C produit en moyenne 0.1 lectron par seconde.
En 5 minutes de pose, le nombre de charges thermiques est de 30 lectrons, soit un bruit
thermique de 5 lectrons.
Le courant d'obscurit s'exprime en densit de courant [A/m2] ou en lectron/pixel/seconde
[e-/pix/s].

Les densits de courant d'obscurit varient de manire significative avec les fabricants et dans
une gamme comprise entre 0,1nA/cm2 10nA/cm2 pour les CCD base silicium.
Pour un grand pixel (24 x 24m2), on peut atteindre une densit de courant d'obscurit de
1000pA/cm2, qui produit 36000 lectrons/pixel/seconde. Si le systme a une capacit puits
plein (FWC) de 360000 lectrons, le puits est rempli en 10 secondes.

Ce bruit est ngligeable dans des conditions de prise de vue normales (comme le temps de
pose est infrieur la seconde), mais il devient prpondrant dans les applications de longue
pose, caractrises par un faible clairement, pour lesquelles on est amen refroidir le
capteur.

Le courant d'obscurit est seulement apprciable lorsque tint est grand.

Ceci peut tre le cas dans des applications scientifiques bas niveau lumineux (tude de
plasmons, photomission, matriau peu rflchissant, astronomie ...).
Sur des appareils fixes de laboratoire ou de studios professionnels, ce bruit peut tre
rduit efficacement par refroidissement du capteur, en utilisant l'effet Peltier, ou bien par
ventilation afin d'assurer le maintien temprature ambiante. En astronomie, certains
quipements sont mme refroidis -60 C grce l'azote liquide.

En principe, la densit de courant d'obscurit peut


tre rendue ngligeable grce un refroidissement
suffisant.

La densit de courant d'obscurit dcrot


approximativement d'un facteur deux pour chaque
diminution de 7 8C de la temprature de la
matrice, et inversement.

Le refroidissement est surtout prpondrant lors d'applications scientifiques bas niveau


lumineux o l'on dsire une prcision leve sur le niveau de charge des diffrents puits
(niveau de gris).

Les refroidisseurs thermolectriques, TEC ( ThermoElectric Cooling ), sont des systmes


Peltier pilots par un courant lectrique qui pompe la chaleur du CCD vers un radiateur. Le
radiateur est refroidi l'air (puls ou non), ou par un liquide en circulation (eau, azote
liquide...).
Sur les appareils-photos grand public, les fabricants rduisent l'impact de ce bruit en
adoptant lune de ces solutions :

ajout d'un filtre infrarouge juste devant le capteur, ce qui limite l'agitation lectronique,
soustraction du courant d'obscurit moyen fourni par des pixels de calibrage situs au
bord du capteur et ne recevant aucune lumire.
soustraction des pixels chauds, reprs par une pose obturateur ferm, faite
automatiquement aprs une pause longue : aucune lumire n'entrant, les pixels envoyant
un signal sont ceux qui doivent tre affaiblis sur la photographie.
9.4.7.b Bruit de transfert et de lecture
La charge est transfre successivement de porte porte, puis est finalement convertie au
nud de sortie.

La qualit du signal de sortie dpend directement de deux paramtres vitaux :

l'efficacit de transfert de la charge ( Charge Transfer Efficiency CTE)

l'efficacit de conversion en sortie.

 Bruit de transfert

Une fois l'intgration acheve, les charges accumules sont transfres de proche en proche
dans les registres du CCD.

Malheureusement, chaque transfert, une petite fraction des charges dun photosite est
perdue lors de la rcupration par le photosite suivant.
L'efficacit de transfert de charge permet de quantifier la qualit de passage de la charge d'une
porte l'autre d'un photosite ou d'une ligne/colonne l'autre, ainsi qu' travers les portes du
registre dcalage de lecture.

L'efficacit de transfert de charge d'une porte est trs souvent proche de 1, toutefois le moindre
cart peut avoir des rpercussions normes sur le signal final en fonction de la taille et du
nombre de transfert de proche en proche. On peut la comparer avec la quantit d'eau qu'il
resterait dans un seau aprs le transfert de tout son contenu dans un seau voisin. Le
pourcentage de la quantit initiale d'eau transfr dans le second est la CTE. Les CCD de bonne
qualit ont une CTE proche de 99,999%.

Si la CTE d'un CCD est trs mauvaise, des rayures ( streaks ) peuvent mme apparatre sur
l'image.
En moyenne la fraction perdue dpend du nombre de charges Ns contenues dans le pixel et de
l'inefficacit de transfert .

Le taux de charges laisses en arrire varie autour dune valeur moyenne dun transfert
lautre.

Le bruit associ ce phnomne, en lectrons, est :

o n est le nombre de transferts ncessaires pour amener les charges dun pixel donn dans
ltage de sortie.

Supposons que le CCD ait une efficacit de transfert de 0,99999 (valeur typique aujourdhui).
Linefficacit de transfert est alors 1-0,99999=1.10-5. Supposons dautre part que les pixels
contiennent 10000 lectrons (soit 1/8 de la saturation dun CCD KAF-0400). Un paquet de
charges gnr au centre du CCD subit n=(768+512)/2=640 transferts. Le bruit caus par
linefficacit de transfert est alors de :
 Bruit de lecture

A la fin de son parcours travers les diffrentes portes, la charge est finalement convertie en
une tension par une diode flottante ou une diffusion flottante.

Le principe de conversion des charges en tension dans ltage de sortie dun CCD est trs
spcifique.

Dans un premier temps, une petite capacit C est charge un niveau de rfrence,
correspondant une tension Vreset, puis dans un second temps le paquet de charges
correspondant un pixel dcharge cette capacit dune quantit proportionnelle au nombre
dlectrons contenu dans le paquet.

La diffrence de tension entre l'tat final de la diode et sa valeur pr charge est


linairement proportionnelle au nombre d'lectrons ne.

La tension de signal VS aprs la source est :


Le gain G est approximativement gal 1, q est la charge de l'lectron et le taux de
conversion de charge Gq/C varie typiquement entre 0,1V/e- et 10V/e-.

Le signal est ensuite amplifi, trait, et numris par des lectroniques externes au
dtecteur CCD.
Vu de lextrieur, le signal vido se prsente donc sous la forme dun palier dit de rfrence
correspondant au niveau de prcharge, suivi dun palier dit vido, de valeur ngative par
rapport au palier de rfrence.

Le capteur est donc toujours associ :

 un circuit gnrateur dhorloge qui lui fournit les signaux de synchronisation dont il a
besoin
 un pramplificateur, qui ajuste le gain pour avoir un niveau de signal correct malgr les
variations du niveau dclairement
 un chantillonneur-bloqueur qui prend les chantillons du signal sortant du capteur et du
niveau de rfrence qui peut fluctuer

Le bruit de lecture, erreur de comptage engendre principalement par le pramplificateur


intgr en sortie du capteur.
Le circuit lectronique intgr dans la puce CCD qui ralise la pr charge nassure
malheureusement pas une amplitude du niveau de rfrence rigoureusement gale dun pixel
lautre.

Lorigine du problme est rechercher dans le circuit rsistif qui produit le courant de charge
durant un bref instant, ce courant tant plus ou moins bruit en fonction de la temprature de
fonctionnement (bruit dit Johnson), et dans les couplages capacitifs.

Aprs la pr charge, le bruit est gel, de mme amplitude et de mme signe sur le palier de
rfrence et le palier vido. La solution optimale pour mesurer le signal optique qui a frapp
un pixel consiste donc dterminer la diffrence entre ces deux paliers.
Une solution plus expditive serait de ne mesurer que lamplitude du palier vido par rapport
une rfrence lectrique quelconque, mais suppose stable. Cest ce que lon fait dans la
plupart des camras vido bas de gamme. Malheureusement en procdant ainsi, le bruit de
pr charge se retrouve intgralement dans le signal mesur (bruit de reset).

La fluctuation de charge aux bornes de la capacit C est donne par :

avec k la constante de Boltzmann (= 1,380662.10-23 J.K-1) et T la temprature en Kelvin.

Le nombre d'lectrons thermiques gnrs dans C constitue le bruit de lecture ou bruit de


reset.

La valeur du bruit de lecture ou bruit de reset en valeur rms est donc :


o :
k est la constante de Boltzmann.
T est la temprature absolue.
Cl est la capacit de la diode de sortie.
q est la charge de l'lectron.

Par exemple, la temprature ambiante (300 K) et en remplaant k, q et T par leurs valeurs, le


bruit de reset, exprim en lectrons, s'crit en fonction de la capacit de lecture (en picofarad) :

La valeur Cl pour le CCD KAF-0400 est de l'ordre de 0,012 pF, d'o un bruit de reset de 44
lectrons.
Par exemple, si nous avons C = 50 pF, alors on a :

lec= 2840 lectrons T = 230 K


lec = 2709 lectrons T = 273 K
lec = 2503 lectrons T = 233 K
lec = 46 lectrons T = 77 K
lec = 10 lectrons T = 4 K

On constate qu' temprature ambiante, le nombre d'lectrons du bruit de lecture est


considrable et que nous avons intrt refroidir le capteur afin de limiter sa valeur.

Le bruit de lecture conditionne la dynamique de stockage par pixel. En effet, la capacit de


stockage est gale :

La dynamique de stockage est alors dfinie par :

La dynamique de stockage est proportionnelle la tension applique sur le pixel.


Les CCD prsentent typiquement un bruit de lecture compris entre 10 et 100 lectrons par
pixel.

Le bruit de lecture ou bruit lectronique, est indpendant du temps dexposition mais


augmente fortement si la cadence de lecture augmente. Il est du des incertitudes de mesure
ralises lors de la quantification du signal par la CCD. Il suit une distribution Gaussienne.
9.4.7.c Bruit de quantification ou de numrisation

Le bruit q associ au convertisseur analogique/numrique sappelle le bruit de quantification.


Il prend vie ds que l'on discrtise un signal continment variable. Il traduit lapproximation
ralise lors de lopration de numrisation, une troncature en quelque sorte et correspond
l'erreur moyenne commise en chantillonnant le signal analogique (courant lectrique associ
chaque pixel) sur un nombre fini dincrments (erreur constante).

Le bruit de numrisation dpend du nombre d'lectrons saturation (Nsat) et du nombre de


bits de numrisation (Nbits).

Le nombre de niveaux de quantification est gal 2Nbits-1 .

Lchelon de quantification q qui est le nombre dlectrons correspondant un niveau de


quantification est donc gal :

Pour un chelon de quantification q, la statistique de l'erreur de quantification est une loi


uniforme sur [-q /2, q /2] dont la variance est q2/12.

Le gain de la camra g en nombre dlectrons par pas codeur vaut :


9.4.8 Rsum : les sources de bruits alatoires
9.5 Bruit structurel permanent ou Fixed Pattern Noise (FPN)

Aprs les bruits alatoires, le deuxime type de bruit est provoqu par une rponse non
homogne du capteur.

La structure physique du capteur fait que certains photosites sont plus sensibles la lumire
que d'autres, et crent un signal plus fort partir de la mme exposition.

Sur l'image, on obtiendra des pixels chauds au mme endroit sur toutes les photos, crant
une sorte d'image fantme.

Le bruit structurel permanent rsulte des diffrences de sensibilit entre les pixels du capteur
(non-uniformit de la photorponse PRNU). Il peut tre limin par soustraction dune image
noire.

Ce bruit structurel permanent reste en effet identique chaque exposition. Il est donc plus
facile corriger que le bruit de fond alatoire.
Ceci concerne particulirement les capteurs de type CMOS (que l'on trouve sur les
photophones et les reflex Canon), gnrant une trs forte irrgularit de par leur structure.
chaque prise de vue, l'appareil fait simultanment une lecture du capteur au noir pour
mesurer l'effet du bruit, qui est soustrait la capture effective. C'est le mme principe qui est
adopt lors des photos en poses longues (plus d'une seconde en gnral) : le systme de
rduction du bruit propos sur les appareils experts consiste effectuer une seconde capture
avec l'obturateur ferm aprs la prise de vue, pour nettoyer ensuite le signal par
comparaison.
Ce bruit est directement proportionnel au signal dentre et est donc caractris par une
pente gale 1 dans un diagramme du bruit en fonction du signal :
9.6 Bruit de puits plein
Lorsque lexposition augmente, arrive une limite au-del de laquelle un pixel ne peut plus
accumuler de charges supplmentaires sans dborder dans les pixels voisins.

Un pixel est satur lorsque sa capacit puits plein (FWC) est atteinte. Quand un puits de
potentiel est rempli, la charge excdentaire peut dborder sur les puits voisins des pixels
adjacents.

ce niveau, le bruit alatoire tombe brutalement, parce quil est maintenant insparable du
signal.

9.6.1 Eblouissement horizontal ( Blooming )


Dans ce cas, le dbordement de charges se produit dans les colonnes adjacentes. Pour l'viter,
seuls des drains relatifs chaque pixel ou chaque colonne peuvent empcher la collection
des charges voisines. Pour les systmes transfert interligne, ce procd s'appelle drain
vertical de dbordement ( VOD ), reprsent en orange sur la figure ci-dessous.
http://www.ccd-sensor.de/assets/images/blooming.jpg
9.6.2 Eblouissement vertical Traine ( Smear )
Dans certains cas, l'exposition des capteurs peut persister pendant le transfert le long de la
colonne. Dans ce cas, si la capacit puits plein est dpasse, les charges vont couler au cours
de leur transfert en gnrant des lignes verticales, appeles traines ( smear ).
9.6.3 Cross-talk
9.7 Bruit alatoire total dans un dtecteur
9.7.1 Sommer les bruits
Pour chaque bruit alatoire, la valeur effective du bruit dans l'chantillon est fournie par
l'cart-type, reprsent par le symbole (sigma), et qui vaut :
1 n
( xi m )
2 2

n i =1
o m est la moyenne, n le nombre de mesures indpendantes de la variable x et les xi les
valeurs mesures individuelles.
Si x et y sont deux variables indpendantes, la variance de la somme (ou de la diffrence) est
la somme des variances :
tot2 = x2 + y2
Le bruit alatoire total dans un capteur CCD est la moyenne quadratique des diffrents bruits,
en faisant lhypothse que tous ces bruits sont alatoires et dcorrls.
9.7.2 Calcul SNR et rponse totale

Etape 1 : calcul du bruit total N (pour un pixel), pour une frquence de lecture f donne
 Bruit de lecture
 Bruit du courant dobscurit (statistique de Poisson)
 Bruit de photons (statistique de Poisson)

o :
 lec : Bruit de lecture en e-
dark : Bruit de courant dobscurit en e-
photons : Bruit de photons en e-
T : temprature dtecteur (K)
t : temps de pose ou intgration (s)
I : Flux de photons (irradiance)
Dc(T) : courant dobscurit (e-/Pix/sec).
tape 2 : calcul SNR et rponse totale

Signal S = Photon_electrons(t,I)

o :
 Qe() : rendement quantique (e-/photon) en fonction de
 I() : irradiance incidente (J/sec/cm/m) en fonction de
 () : transmission (filtres, optique, atmosphre) en fonction de
 So : Surface de la pupille en cm
 fc : Facteur de concentration de toute la pupille sur un seul pixel (qualit
optique)
 t : temps de pose en sec

La formule du calcul du nombre de photon par pixel varie en fonction du systme optique
associ.
Le rapport signal/bruit (SNR : Signal to Noise Ratio) peut tre calcul de la faon suivante :
9.8 Bruit total dans un dtecteur

On mesure le bruit avec la courbe de


transfert photonique (PTC) qui a cette
allure (avant soustraction du bruit
structurel permanent FPN) :

Et cette allure aprs soustraction du FPN:

Remarque : dans ces graphiques, on a port le logarithme de lcart type (ou cart
quadratique moyen) du bruit en fonction du logarithme de la valeur moyenne du signal
(diagramme log-log). Cette valeur montre ltalement du bruit en fonction de laugmentation
de la valeur moyenne.
10 Comparatifs des technologies numriques et argentiques
Avec, E le signal de pleine chelle l'entre du
convertisseur en volt, G le gain damplificateur
de la chane lectronique du signal vido, S la
sensibilit de l'tage de sortie du CCD en
volt/e- et n le nombre de bits utiliss pour la
numrisation.

d'o l'on peut dduire l'expression du bruit de


quantification :

Il.
Si g est le gain de la camra, on montre que :