Miguel Sandoya Man Ging

Trabajo de Investigacin
Estructura del Par Diferencial
Todo amplificador diferencial, sea cual sea cual sea su complejidad, est basado en una
estructura llamada par diferencial. El par diferencial est compuesto por los siguientes
elementos:

1. Dos transistores idnticos (o al menos, muy bien apareados) cuyos emisores (o

fuentes, si son FET) estn conectados al mismo nodo. Pueden ser de cualquier tipo: NPN,
PNP, NMOS, PMOS, N-JFET, P-JFET, ...

2. El nudo donde se conectan los dos emisores/fuentes se drena (alimenta) por medio
de una fuente de corriente, IQ.

3. Las entradas del par diferencial, cuyas tensiones se restarn, son las bases/puertas de
los transistores.

4. Dos cargas se conectan a los colectores/drenadores de los transistores. Estas cargas

pueden ser simples resistencias o fuentes de corriente con elevada impedancia de
salida.

Par diferencial con carga resistiva

En este caso, se conecta al colector/drenador de cada transistor dos resistencias
exactamente iguales. Suele tomarse la salida como la diferencia de tensin entre los dos
colectores/drenadores.

Tecnologa CMOS/Transistores JFET

Pueden darse cuatro posibilidades, mostradas en Fig. 8: Par NMOS (a), par PMOS (b),
par JFET de canal N (c) y par JFET de canal P (d). Las ecuaciones derivadas de un transistor
MOS son idnticas a las del JFET con la misma polaridad, cambiando la tensin umbral
por la tensin de pinch-off.
Miguel Sandoya Man Ging

Supondremos que VS es la tensin del nudo de fuente, comn a ambos transistores. Es

fcil ver entonces que:

Par diferencial con carga activa

Estos pares se caracterizan por utilizar las dos ramas de un espejo de corriente como
cargas de los dos transistores del par diferencial. En general, estos dispositivos se
disean como transconductores, que convierten la tensin de entrada en corriente de
salida, tienen una ganancia extraordinariamente alta y no requieren de grandes valores
de resistencia para obtener una ganancia muy alta. Por ello, son muy populares al
disear circuitos integrados como amplificadores operacionales o comparadores. Por
otro lado, cuanto ms eficaz sea la reflexin de corriente del espejo y cuanto mayor sea
su impedancia de salida, mejor caracterstica tendr el par diferencial.

Tecnologa CMOS
La construccin de esta estructura es similar a la de con la salvedad de que los NPN se
reemplazan por NMOS y los PNP por PMOS.

Siendo VTH la tensin umbral de los transistores, la trasconductancia, VC la tensin del

modo comn y VS la tensin del nudo comn a los dos terminales de fuente.
Miguel Sandoya Man Ging

Amplificador Clase A
Son amplificadores que consumen corrientes continuas altas de su fuente de
alimentacin, independientemente de la existencia de seal en la entrada. Esta
amplificacin presenta el inconveniente de generar una fuerte y constante cantidad de
calor, que ha de ser disipada. Esto provoca un rendimiento muy reducido, al perderse
una parte importante de la energa que entra en l.
Tiene una corriente de polarizacin igual a aproximadamente la mitad de la corriente de
salida mxima que pueden entregar. Los amplificadores de clase A a menudo consiste
en tres transistores de salida, conectado directamente un terminal a la fuente de
alimentacin y el otro a la carga. Cuando no hay seal de entrada la corriente fluye
directamente del negativo al positivo de la fuente de alimentacin, consumindose
potencia sin resultar til.

Amplificador Clase B

Los amplificadores de clase B se caracterizan por tener intensidad casi nula a travs de
sus transistores cuando no hay seal en la entrada del circuito. sta es la que polariza
los transistores para que entren en zona de conduccin, por lo que el consumo es menor
que en la clase A, aunque la calidad es algo menor debido a la forma en que se transmite
la onda.
Los amplificadores de clase B tienen etapas de salida con corriente de polarizacin
infinita. Tienen una distorsin notable con seales pequeas, denominada distorsin de
cruce por cero, porque sucede en el punto que la seal de salida cruza por su nivel de
cero volt a.c. y se debe justamente a la falta de polarizacin, ya que en ausencia de esta,
mientras la seal no supere el nivel de umbral de conduccin de los transistores estos
no conducen.