LIGAO METLICA

Ligao metlica a ligao entre metais e metais. Formam as chamadas ligas metlicas que so
cada vez mais importantes para o nosso dia-a-dia.
No estado slido, os metais se agrupam de forma geometricamente ordenados formando as clulas,
ou grades ou retculo cristalino.
Uma amostra de metal constituda por um grande nmero de clulas unitrias formadas por
ctions desse metal.
Na ligao entre tomos de um elemento metlico ocorre liberao parcial dos eltrons mais
externos, com a conseqente formao de ctions, que formam as clulas unitrias.
Esses ctions tm suas cargas estabilizadas pelos eltrons que foram liberados e que ficam
envolvendo a estrutura como uma nuvem eletrnica. So dotados de um certo movimento e, por
isso, chamados deeltrons livres. Essa movimentao dos eltrons livres explica por que os metais
so bons condutores eltricos e trmicos.

A considerao de que a corrente eltrica um fluxo de eltrons levou criao da Teoria da Nuvem
Eletrnica ou Teoria do Mar de eltrons.
Pode-se dizer que o metal seria um aglomerado de tomos neutros e ctions, mergulhados numa
nuvem ou mar de eltrons livres. Esta nuvem de eltrons funcionaria como a ligao metlica,
que mantm os tomos unidos.

Figura geomtrica do NaCl (cloreto de sdio)

Um cristal ou retculo cristalino de NaCl aumentado 300 vezes

So estas ligaes e suas estruturas que os metais apresentam uma srie de propriedades bem
caractersticas, como por exemplo, o brilho metlico, a condutividade eltrica, o alto ponto de fuso
e ebulio, a maleabilidade, a ductilidade, a alta densidade e a resistncia trao.
As ligas metlicas so a unio de dois ou mais metais. s vezes com no-metais e metais. As ligas
tm mais aplicao do que os metais puros.
Algumas ligas:
- bronze (cobre + estanho) usado em esttuas, sinos
- ao comum (ferro + 0,1 a 0,8% de carbono) com maior resistncia trao, usado em
construo, pontes, foges, geladeiras.

- ao inoxidvel (ferro + 0,1 de carbono + 18% de cromo + 8% de nquel) no enferruja (diferente

do ferro e do ao comum), usado em vages de metr, foges, pias e talheres.

- lato (cobre + zinco) usado em armas e torneiras.

- ouro / em jias (75% de ouro ou prata + 25% de cobre) usado para fabricao de jias. Utiliza-
se 25% de cobre para o ouro 18K. E o ouro 24K considerado ouro puro.
As substncias metlicas so representadas graficamente pelo smbolo do elemento:
Exemplo: Fe, Cu, Na, Ag, Au, Ca, Hg, Mg, Cs, Li.

A ligao metlica a que se estabelece entre os metais. Os tomos metlicos possuem baixa
eletronegatividade, e grande tendncia a perderem eltrons da ltima camada, transformando-se em
ctions. Em um slido metlico, os tomos esto agrupados geometricamente ordenados, por clulas
unitrias que se repetem ao longo da cadeia,formando um retculo cristalino. Os eltrons mais externos
de um tomo, por estarem longe do ncleo, movimentam-se livremente, formando uma nuvem eletrnica
dentro do retculo. A ligao metlica o resultado da interao entre esses eltrons livres e os ctions
fixos, ou seja, um aglomerado de ctions mergulhados em um mar de eltrons. A existncia de eltrons
livres confere estrutura cristalina dos metais propriedades caractersticas como:
Boa condutibilidade eltrica e trmica;
Maleabilidade;
Ductibilidade (grau de deformao que um material suporta at o momento de sua fratura);
Altos pontos de fuso e ebulio;
Resistncia trao;
Brilho metlico.
Como os metais so formados por tomos do mesmo tipo, a frmula das substncias metlicas
representada pelo prprio smbolo do elemento, como por exemplo, a frmula da substncia prata Ag,
da substncia ferro Fe, da substncia ouro Au, e assim por diante. A ligao metlica no possui
frmula eletrnica.

LIGAS METLICAS
As ligas metlicas so resultado da unio de metais entre si ou de metal com outra substncia. Para a
indstria, os metais puros (na maioria das vezes) no apresentam as caractersticas necessrias para
determinadas aplicaes. As ligas so criadas para modificar ou acrescentar propriedades diferentes as
originais do metal puro, podendo ser utilizadas mais largamente.
Ao ligar um metal a outro elemento possvel, por exemplo, aumentar o ponto de fuso, a resistncia
mecnica, diminuir a condutividade eltrica, conferir resistncia corroso, entre outros. Por exemplo,
para aumentar a dureza do material, utiliza-se o ouro de 18 quilates para fabricar joias, que uma liga de
ouro, prata e cobre. Para diminuir a maleabilidade do material, adiciona-se uma pequena quantidade de
cobre prata pura, resultando na prata de lei.
As ligas metlicas podem ser classificadas em ligas ferrosas e ligas no ferrosas. As ligas ferrosas so as
que apresentam o ferro (Fe) como constituinte principal. Alguns exemplos:
Ao: liga de ferro e carbono. Com resistncia trao elevada, pode ser utilizada em peas que sofrem
elevada trao como, por exemplo, em pontes e construes. Apresentam teor de carbono abaixo de 1%.
Ao inoxidvel: liga de ferro, carbono, cromo e nquel. Por no sofrer oxidao, amplamente utilizada
em equipamentos para indstria, na fabricao de utenslios domsticos e peas de carros.

As ligas no ferrosas so as que no apresentam o ferro como principal constituinte. Alguns exemplos:
Lato: liga de zinco e cobre. So resistentes corroso, inclusive gua do mar. utilizada em torneiras,
navios, armas, e devido a sua flexibilidade tambm utilizado na fabricao de instrumentos musicais.

Mdulo III: A viso quanto-mecnica da ligao covalente

Aula 8: Teoria dos orbitais moleculares (TOM) parte II.

Ligao metlica

Os metais exibem uma srie de propriedades em comum: todos so slidos nas

condies ambientes (exceto Hg), tm brilho metlico, maleabilidade (possibilidade
de se moldar em chapas), ductilidade (capacidade de formar fios), boa
condutividade trmica e eltrica. D uma olhada na Aula 1 para relembrar as
propriedades fsicas dos metais.

Para haver condutividade eltrica, necessrio o movimento de eltrons atravs do

meio. A boa condutividade dos metais sugere que existam eltrons semilivres,
fracamente ligados, nas estruturas metlicas, que possam ser forados a se mover
ao longo de todo retculo.
Para compreender qualitativamente as diversas propriedades dos metais,
utilizado o modelo conhecido como gs de eltrons.

Imagine o que acontece quando dois tomos de sdio se aproximam: cada um dos
tomos tem um eltron mais externo que fracamente atrado pelo respectivo
ncleo (eltron 3s). Se a distncia entre os tomos for diminuindo, os eltrons 3s
sero atrados simultaneamente pelos dois ncleos.

O que ocorreria se, ao invs de dois, milhares de tomos de sdio se aproximassem

para formar uma substncia metlica?

Nesse caso, teramos uma situao na qual cada eltron 3s seria atrado por um
grande nmero de ncleos e, assim, poderia se movimentar livremente nas regies
prximas a todos os ncleos. Em conseqncia disso, no seria mais possvel
atribuir um determinado eltron a um certo ncleo. No modelo do gs de
eltrons, todos os tomos so considerados ons positivos que compartilham entre
si um igual nmero de eltrons que podem se movimentar livremente ao longo de
toda a estrutura metlica.

E a repulso entre os ons positivos?

Como na estrutura metlica, segundo o modelo do gs de eltrons, todos os ons

compartilham eltrons, a repulso entre os ctions compensada pela atrao
eletrosttica entre os eltrons livres e os ons positivos. Os eltrons livres
funcionam como uma cola eletrosttica, ligando os ctions metlicos.

Modelo do gs de eltrons. Os eltrons de valncia no esto ligados aos tomos,

mas deslocalizados por todo o cristal, movendo-se livremente em todas as direes
e sendo compartilhados por todos os ctions com igual probabilidade.

No caso dos metais maleveis (facilmente deformveis), como sdio, chumbo,

mercrio e outros, os eltrons livres podem se ajustar rapidamente s mudanas
na estrutura metlica provocadas por perturbaes externas. Voc pode bater
numa lata para tirar um som e mesmo assim no destruir a ligao metlica, pois,
sob a influncia de uma ao mecnica, um plano de tomos pode se deslizar sobre
outro, mantendo as ligaes entre os planos. Isso explica as propriedades de
maleabilidade e ductilidade (formao de fios) dos metais.
 Deslocamento entre planos de ctions numa substncia metlica.

Os tomos de um metal no estado slido esto arranjados de modo a formar

figuras geomtricas bem definidas os retculos cristalinos. Observe o arranjo
estrutural dos metais sdio, ltio e brio. Cada tomo tem ao seu redor oito tomos
vizinhos, formando uma estrutura cbica de corpo centrado (ccc).

Estrutura ccc.

O ponto de fuso e de ebulio dos metais varia de acordo com a estrutura

cristalina e intensidade das ligaes metlicas. Por exemplo, o sdio funde a
97,8oC; o magnsio funde a 6.500oC; e o tungstnio funde a 3.410oC.

Como justificar o comportamento diferenciado dos metais? Existe um modelo mais

elaborado para descrever as ligaes qumicas em metais?

At agora voc pde compreender as caractersticas dos metais utilizando o modelo

do gs de eltrons. Chegou o momento de utilizar um modelo mais aperfeioado.

O desenvolvimento da teoria dos orbitais moleculares (TOM) permite descrever as

propriedades dos metais. Considerando quatro tomos de ltio (Li 4) (lembre-se dos
OMs do Li2, representados na Figura 4 da Aula 7). Se cada tomo do metal
contribuir com um orbital atmico do tipo 2s e um do tipo 2p para a formao de
OMs, oito orbitais moleculares (4 ligantes e 4 antiligantes) sero formados. Se
forem 400 tomos de ltio contribuindo com orbitais 2s e 2p, formam-se 1.600
OMs. medida que o nmero de tomos aumenta, o nmero de orbitais
moleculares tambm aumenta. Num cristal de ltio com 1g de massa existem cerca
de 9x1022 tomos, que podem formar 36x1022 OMs.

Os orbitais moleculares numa substncia metlica esto deslocalizados por todo o

retculo cristalino e podem se reunir numa banda de orbitais moleculares cujas
energias so muito prximas. Uma banda quase contnua construda por tantos
nveis quantos forem os orbitais atmicos participantes. Cada nvel pode conter dois
eltrons despins opostos.

Voc vai comear agora a estudar a Teoria de Bandas.

Bandas de orbitais moleculares no sdio metlico (Nan).

As bandas so constitudas de nveis discretos, muito prximos em energia. No

limite inferior das bandas (menor energia), os OMs so totalmente ligantes; no
limite superior, so totalmente antiligantes. Uma regio de orbitais moleculares
vazios ou incompletos chamada banda de condutividade. A regio contendo
orbitais preenchidos chamada banda de valncia.

Como os orbitais vizinhos tm energias muito prximas, eles precisam de pequena

energia adicional para excitar um eltron do orbital molecular de mais alta energia
(chamado HOMO) para o orbital vazio localizado logo acima (chamado LUMO).
Esses eltrons podem se movimentar livremente ao longo do slido, conferindo ao
metal as propriedades da condutividade eltrica e trmica.

Quando a absoro de um fton provoca a promoo de um eltron do metal para

um estado de energia mais elevado, h um fenmeno de excitao eletrnica. Logo
aps a excitao, pode haver emisso espontnea do fton absorvido, fazendo com
que o eltron retorne ao seu nvel fundamental. Por causa dessa rpida emisso de
luz, a superfcie de um metal refletora e tem brilho tpico.

A resistncia dos metais aumenta com a temperatura porque, quando aquecidos, os

tomos vibram mais vigorosamente. Os eltrons em movimento colidem com os
tomos, dificultando sua movimentao, diminuindo a condutividade eltrica.

Como a teoria de bandas explica a formao de um isolante e de um semicondutor

eltrico?
Um isolante eltrico, como o diamante, tem a banda de valncia completamente
preenchida, e os nveis vazios (banda de conduo) exibem energias muito
elevadas, impossibilitando a promoo de um eltron banda de conduo. Assim,
no h surgimento de corrente eltrica no existe deslocamento de cargas.

Bandas num isolante.

Existem elementos qumicos semicondutores que apresentam banda de conduo

vazia com energia prxima banda de valncia completa. Quando o semicondutor
aquecido, eltrons podem ser excitados da banda de valncia para a de
conduo. Assim, a resistncia de um semicondutor diminui com o aumento da
temperatura.

A capacidade de um semicondutor de transportar corrente eltrica pode ser

ampliada com a adio de eltrons na banda de conduo ou com a remoo de
eltrons da banda de valncia. Esses processos so feitos espalhando pequenas
quantidades de impurezas nos slidos. Este procedimento chamado de dopagem.

Como exemplo, voc pode estudar o caso do silcio de alta pureza, que um
semicondutor. Uma dopagem que pode ser feita ao Si (Z = 14; 4 eltrons de
valncia) a incluso de uma quantidade de elemento do grupo 15, como arsnio,
que tem cinco eltrons de valncia. Os eltrons adicionais entram na banda de
conduo do silcio e permitem que ele conduza a corrente eltrica mais facilmente.
Este um exemplo de semicondutor do tipo n, porque tem excesso de eltrons.
 Semicondutor tipo n.

Quando o silcio dopado com ndio (grupo 13), a estrutura ter menos eltrons de
valncia a banda de valncia no estar completamente preenchida. Neste caso,
tem-se um semicondutor do tipo p, que apresenta buracos positivamente
carregados na banda de valncia. A migrao de eltrons dentro da banda de
valncia responsvel pela condutividade num semicondutor do tipo p.

Semicondutor tipo p.

Clique aqui para ler mais sobre teoria de bandas.

De maneira geral, ligaes em slidos podem ser descritas em termos de bandas

(conjuntos) de orbitais moleculares. Em metais (condutores), as bandas de
conduo so orbitais no totalmente preenchidos que permitem que os eltrons
fluam. Nos isolantes, as bandas de valncia esto completas e a grande distncia
energtica entre as bandas de conduo e valncia evita o deslocamento dos
eltrons para os orbitais vazios. Nos semicondutores, nveis vazios esto prximos,
em energia, aos nveis completos.
ATIVIDADE I

O germnio um semicondutor, incluindo pequenas quantidades de impurezas.

Considere o fsforo (grupo 15) e o glio (grupo 13). Qual deles far com que o
germnio se transforme em:

a) semicondutor do tipo p?
b) semicondutor do tipo n?

Condutores e isolantes
Quando falamos em processos de eletrizao, fundamental lembrar que temos oscorpos
condutores e isolantes.
Condutores:
So corpos no qual existe o deslocamento das cargas eltricas, metais e solues
aquosas de cidos so exemplos de condutores de cargas eltricas.
Para quem esta estudando o assunto, no pode esquecer de algumas caractersticas dos
condutores:
Em todo condutor eletrizado, o excesso das cargas eltricas ficam localizadas em sua
superfcie externa;
Caso o condutor venha a possuir um formato esfrico, lembre-se que a distribuio das
cargas eltricas uniforme;
Poder das pontas: Em condutores no esfricos, a maior concentrao de cargasser
localizada nas regies pontiagudas do corpo.
Isolantes:
Diferentemente dos condutores, os corpos isolantes ou dieltrico no permitem o
deslocamento de cargas eltricas, o vidro, a madeira a borracha so exemplos de materiais
isolantes.
Essa uma comparao bastante simplista, entre os condutores e isolantes, uma vez
quequalquer corpo permite o deslocamento de cargas eltricas, sendo que alguns mais,
como o caso dos condutores e outros menos, que o caso dos isolantes.
Semicondutores e supercondutores
Semicondutores:
Quem esta iniciando seus estudos em eletricidades, no deve esquecer que existe
umacategoria intermediria entre os condutores e isolantes que so os semicondutores.
Utilizao dos semicondutores: O silcio e o germnio so exemplos de materiais
semicondutores amplamente utilizados em equipamentos eletrnicos, o silcio em especial,
um dos elementos mais abundante da crosta terrestre utilizado para produo de ligas
metlicas e componentes eletrnicos, os processados dos computadores so exemplos de
componentes eletrnicos que utilizam o silcio.
Supercondutores:
E para finalizar, ainda existem os corpos supercondutores, cuja a resistncia para o
deslocamento de cargas eltricas praticamente nula.

Heike Kamerlingh Onnes

A descoberta da supercondutividade se deu no ano de 1911, quando o fsico
holands Heike Kamerlingh Onnesobservou que o mercrio na forma slida se resfriado a
uma temperatura extremamente baixa, aproximadamente -270C, perde praticamente toda
a resistncia eltrica.

Atualmente existe diversas pesquisas e desenvolvimento de materiais com caractersticas

supercondutoras a temperaturas mais elevadas.

A condutividade eltrica baseia-se no fato de os eltrons da ltima camada de cada tomo

terem facilidade em saltar entre tomos vizinhos (funes de onda comuns).

Para entender melhor o que um condutor e um isolante, importante ter claro em

mente a idia de semicondutores.
Vamos ver o que acontece quando diferentes materiais so atritados com um tecido de l
e depois aproximados a um outro basto mvel de vidro previamente eletrizado
positivamente.

O plstico move o basto de vidro. Isso prova que ele, aps o atrito, se carrega. O metal,
porm, no exerce nenhuma fora sobre o vidro. Isso nos mostra que ele no permanece
eletrizado.

Atravs desta experincia, vemos que as cargas fornecidas ao metal (pelo atrito)
conseguem fluir por este escapando pelo corpo da pessoa que o segura e as cargas
fornecidas ao plstico no.
Conclui-se, ento, que o metal um bom condutor de eletricidade, pois deixou as cargas
escaparem. E o plstico um mau condutor pois nele as cargas no se moveram.

Condutores
O que caracteriza o material bom condutor o fato de os eltrons de valncia (por
exemplo, o cobre possui um eltron na ltima camada) estarem fracamente ligados ao
tomo, podendo ser facilmente deslocados do mesmo. Ora, consideremos, por exemplo,
uma barra de cobre que possui um nmero extremamente elevado de tomos de cobre e
apliquemos uma diferena de potencial entre os extremos desta barra. Os eltrons da
camada de valncia de todos os tomos facilmente se deslocaro sob a ao do campo
eltrico produzido pela diferena de potencial aplicada, originando-se uma corrente eltrica
no material.

Outros materiais que possuem uma constituio semelhante do cobre, com um nico
eltron na camada de valncia, so o ouro e a prata, dois outros excelentes condutores de
eletricidade.

Isolantes
Obviamente, os materiais isolantes devem corresponder aos materiais que apresentam os
eltrons de valncia rigidamente ligados aos seus tomos. Entre os prprios elementos
simples, existem vrios que apresentam os eltrons de valncia rigidamente ligados aos
tomos. Entretanto, verifica-se que se consegue uma resistividade muito maior com
substncias compostas, como o caso da borracha, mica, teflon, baquelite etc. ( mais ou
menos intuitivo que os tomos se combinam, formando estruturas complexas, os eltrons
ficam mais fortemente ligados a estas estruturas)

A resistividade dos semicondutores

Todo material, seja ele isolante ou condutor apresenta uma resistividade, ou seja,
resistncia ao fluxo de corrente. Essa resistividade o oposto da condutividade: quanto
maior a resistividade, menor a condutividade.
Usa-se o termo resistividade quando se quer comparar nveis de resistncia dos materiais.
A unidade de resistividade de um material o ohm-m ou ohm-cm.

Semicondutores
Assim como existem materiais condutores e materiais isolantes, existe um tipo de material
que um meio termo entre esses dois primeiros. Esse material o semicondutor.
O semicondutor, portanto, possui um nvel de condutividade entre os extremos de um
isolante e um condutor.

Os materiais semicondutores mais usados na indstria eletrnica so o Germnio (Ge) e o

Silcio (Si), apesar do Silcio predominar a produo atualmente. Seu comportamento se
deve sua ligao qumica, chamada ligao covalente (por compartilhar eltrons).

Cada tomo do silcio se liga a quatro tomos vizinhos atravs da ligao covalente, ou
seja, pares de eltrons (da ltima camada do Si) so compartilhados entre dois tomos.
Os eltrons das camadas internas giram em torno do ncleo.

Um fato importante que tanto o germnio como o silcio apresentam exatamente o

mesmo tipo de estrutura que o diamante, variando apenas a dimenso (constante da
rede).

Banda proibida
Origem: Wikipdia, a enciclopdia livre.

O limite Shockley-Queisser para a eficincia mxima possvel de uma clula solar. O eixo x a
banda proibida da clula solar, o eixo y a maior eficincia possvel (relao entre a produo
deenergia eltrica a entrada de energia de luz).

Nos materiais semicondutores temperatura de zero Kelvin (zero absoluto),

todos eltrons encontram-se na banda devalncia. Neste estado o semicondutor tem
caractersticas de um isolante, i.e., no conduz eletricidade. A medida que sua
temperatura aumenta, os eltrons absorvem energia passando para a banda de conduo.
Esta "quantidade" de energia necessria para que o eltron efetue essa transio
chamada de gap de energia (em ingls band gap), ou banda proibida. medida que a
temperatura do semicondutor aumenta, o nmero de eltrons que passam para a banda
de conduo tambm aumenta, passando o semicondutor a conduzir mais eletricidade,
caso seja exposto a uma diferena de potencial.[1]
Para entendermos como se d a conduo eltrica em um semicondutor primeiramente
precisamos entender como se comportam os tomos num slido. Dois tomos separados
possuem, cada um, seus estados de energia quantizados, conforme descreve a mecnica
quntica. Ao aproximarmos esses dois tomos suas funes de onda comeam a se
sobrepor. As camadas mais internas desses tomos so pouco influenciadas pela
proximidade entre eles devido ao fato dos eltrons estarem mais ``presos" ao ncleo.
Entretanto as camadas mais externas so bastantes influenciadas pela distncia, fazendo
com que as autofunes dos tomos se sobreponham, e, ao se sobrepor, os nveis de
energia se modificam.
Um slido composto de vrios tomos muito prximos um ao outro, de maneira que as
autofunes de cada tomo influencia a do tomo vizinho. O efeito da aproximao faz
com que os eltrons das camadas mais externas de um tomo compartilhem nveis de
energia. Quando consideramos tomos de uma mesma espcie, o efeito da
proximidade faz com que seus nveis de energia se desdobrem vezes. A distncia entre
os tomos vai ser responsvel pela sobreposio dos nveis de energia, sendo assim,
devido ao grande nmero de tomos prximos num slido, os nveis de energia vo ser
to prximos um do outro que na verdade parecero uma banda contnua de energia.
Os eltrons afetados so aqueles que esto na banda de valncia, ou seja, aqueles menos
ligados ao ncleo. A sobreposio das funes de onda dos eltrons faz com que os nveis
de energia se alarguem, fazendo surgir bandas de energia e bandas proibidas, ou seja,
intervalos de energia proibida entre uma banda e outra. No slido trabalha-se com a
configurao da clula unitria de uma rede cristalina, com a anlise desta clula podemos
entender o comportamento do slido. Vamos a um exemplo de como se efetua essa idia.
O diamante formado por tomos de carbono, cada um com quatro eltrons de valncia (
), e cada clula unitria do diamante possui dois carbonos. A ltima camada
do carbono corresponde a , onde o orbital s desta camada pode suportar dois
eltrons de spin oposto e o orbital pode suportar at seis eltrons devido a sua tripla
degenerncia proveniente do nmero quntico espacial , que pode assumir os
valores . Sendo assim, a proximidade entre dois tomos de carbono vo
fazer com que o orbital d origem a dois nveis de energia e o orbital a seis nveis de
energia, e estes nveis sero ocupados por oito eltrons de valncia, quatro de cada
tomo. Devido a proximidade, o orbital do carbono dar origem a uma banda de energia,
enquanto o orbital dar origem a trs bandas de energia, onde em cada banda pode
conter dois eltrons. Sendo assim, a banda de valncia da clula unitria do diamante
estar completamente cheia.
Ao aplicarmos uma diferena de potencial no diamante, esta dar energia aos eltrons da
banda de valncia, mas como a camada est cheia, no h espaos para os eltrons
"andarem", j que cada banda s pode ter dois eltrons devido ao princpio da excluso, e
como a proximidade entre os tomos fazem com que os nveis de energia se alarguem, as
camadas mais energticas acima esto separadas da banda de valncia por uma regio
proibida, ento se a energia no for suficiente para fazer o eltron pular para estes nveis,
no ocorrer a formao de corrente, ento o diamante considerado isolante. Para um
slido conduzir corrente, ele no pode ter sua camada de valncia cheia, assim haver
espaos dentro da banda para ele se mover. Ento para dizer se um slido condutor ou
no, deve-se levar em conta a estrutura da rede e seus respectivos constituintes.[2]
Um semicondutor se comporta como um isolante, a diferena que a regio da banda
proibida, tambm conhecida como GAP, muito pequena. A zero graus Kelvin, o
 semicondutor se comporta como um isolante perfeito, mas devido ao pequeno GAP, a
agitao trmica devido ao aumento da temperatura capaz de fazer com que os eltrons
da banda de valncia pulem para a banda superior, denominada banda de conduo. Ao
passar para a banda de conduo esses eltrons deixam buracos na camada de valncia,
e esses buracos tambm so responsveis pela condutividade do material.[3]

ndice
[esconder]

1 Materiais
o 1.1 Lista de tpicos em eletrnica
2 Ver tambm
3 Referncias

Materiais[editar | editar cdigo-fonte]

Nitreto de boro
Arsenieto de glio
Nitreto de glio
Germnio
Hidrognio metlico

Referencias

https://pt.wikipedia.org/wiki/Banda_proibida

http://www.coladaweb.com/quimica/eletroquimica/condutores-e-isolantes-semicondutores

http://seusaber.com.br/fisica/condutores-e-isolantes-eletricos-semicondutores-e-
supercondutores.html

http://200.156.70.12/sme/cursos/EQU/EQ20/modulo1/aula0/aula08/01.html

http://www.soq.com.br/conteudos/ef/ligacoesquimicas/p3.php

http://educacao.globo.com/quimica/assunto/ligacoes-quimicas/ligacao-metalica.html