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MATERIALES AVANZADOS Y NANOTECNOLOGA UTN - FRRQ

Herramientas para la nanofabricacin

Los avances tecnolgicos alcanzados en las ltimas dcadas hoy nos permiten
observar la materia a escala nanomtrica. Esta posibilidad despert el inters en adquirir
la habilidad de construir estructuras de dimensiones diminutas. Una estructura a escala
nanomtrica o nanoestructura puede ser una partcula, una pelcula delgada, un
alambre, cuya forma tiene dimensiones entre 1 y 100 nanmetros. Estos son lmites
arbitrarios, por ejemplo, el lmite inferior es para distinguir entre nano-objetos y un
pequeo nmero de tomos o tomos individuales. En la literatura, frecuentemente se
habla de dimensiones al hacer referencia a nanoestructuras elementales, es decir, cero-
dimensional (0-D), unidimensional (1-D) y bidimensional (2-D); y estas piezas elementales
se utilizan para construir materiales nanoestructurados ms complejos. Las dimensiones
hacen referencia de manera intuitiva a los grados de libertad de movimiento de sus
partculas cargadas a travs de la estructura (por ejemplo electrones). Ejemplos de las
nanoestructuras ms pequeas son los puntos cunticos y las nanopartculas, de 0-D. El
movimiento de las cargas en estas estructuras est inhibido en todas direcciones. Otras
nanoestructuras, como un nanotubo de carbono o un nano-alambre de silicio, son 1-D.
Los nanoalambres tiene 2 dimensiones dentro de la nanoescala y la tercera (el largo del
tubo) puede pertenecer a la micro- o macro-escala. Por ltimo, pelculas delgadas,
recubrimientos o capas, son 2-D. Pertenecen a la nanoescala en una sola dimensin
(espesor) y permiten el pasaje de cargas a travs de las otras dos dimensiones. La
variedad de materiales nanoestructurados y sus potenciales aplicaciones es enorme, sin
embargo, la construccin real es una ciencia emergente.

Avances recientes en tcnicas para la manufactura permitieron crear estructuras cada


vez ms pequeas. Mediante una aproximacin de tipo top-down se puede moldear un
material hasta transformarlo en formas ms pequeas. Es posible gastar y grabar
pequeas formas en una planchuela de silicio para hacer un chip de computadora. Las
mejoras continuas en computacin (velocidad, capacidad de almacenamiento) de los
ltimos 60 aos ocurrieron principalmente gracias a la miniaturizacin. Las limitaciones
que presentan las tcnicas top-down actuales son una de las principales razones por las
cuales muchos cientficos estn investigando cmo manufacturar a partir de
aproximaciones del tipo bottom-up. Es as que estamos extrapolando los principios de la
biologa, las reacciones qumicas y las fuerzas fsicas, que son las tcnicas de
manufactura que utiliza la naturaleza para construir a escala nanomtrica. Al manipular
tomos y molculas individuales, tenemos la posibilidad de crear estructuras ms grandes
de una manera ms precisa. Una de las tcnicas de tipo bottom-up ms prometedoras es
la denominada auto-ensamblaje. En la tcnica de auto-ensamblaje, nano-objetos
elementales, tales como molculas y nanopartculas, se unen espontneamente para
formar estructuras ms grandes, sin la intervencin directa del hombre. Esta seccin

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describe las principales herramientas y tcnicas utilizadas para fabricar estructuras a


escala nanomtrica.

Aproximaciones Top-down y Bottom-up

Las tcnicas para fabricar nanoestructuras pueden dividirse en dos grupos principales:
las metodologas top-down y bottom-up.

Top-down se refiere a los mtodos en los que se comienza con una cantidad grande
de material y se lo reduce para obtener objetos ms pequeos. Las cantidades de
material de partida son aquellas que se pueden observar al microscopio o a escala
humana. Un rbol podra ser un material de partida, y escarba-dientes son ejemplos de
estructuras ms pequeas manufacturadas a partir de l.

La aproximacin top-down generalmente incluye varios pasos direccionados. Como un


escultor que talla una losa en partes ms pequeas, los mtodos top-down transforman
objetos grandes cavando, gastando, moliendo, cortando y reduciendo su tamao. Las
tcnicas de fabricacin top-down se originaron como una continuacin de las tcnicas
para microfabricacin utilizadas en la industria de semiconductores, y se basan
principalmente en mtodos pticos o fotolitogrficos. Fueron impulsadas al intentar
conectar un gran nmero de transistores individuales y otros componentes para fabricar
dispositivos electrnicos tales como computadoras. En 1959, Jack Kilby de Texas
Instruments y Robert Noyce de Fairchild Semiconductor lograron hacer estos
componentes a partir de una nica pieza de material, que luego se llamara circuitos
integrados. La fotolitografa es un proceso top-down desarrollado para crear circuitos
integrados.

Por el contrario, las tcnicas bottom-up comienzan con materiales a escala atmica o
nanomtrica. Utilizando grupos de tomos y molculas como bloques de construccin, las
tcnicas bottom-up forman partculas ms grandes, pelculas delgadas e incluso
materiales nanoestructurados y patrones. Por ejemplo, del mismo modo en que una pared
se hace con ladrillos y cemento, la tcnica de auto-ensamblaje une enlaces qumicos y
fuerzas fsicas como si fueran el cemento que une a los materiales nanomtricos.

El auto-ensamblaje requiere poca intervencin humana, aunque generalmente


creamos las condiciones para poner el proceso en marcha, los patrones y
nanoestructuras que se forman posteriormente son de efecto local. Empleamos
meramente comportamientos fsicos, qumicos y biolgicos para formar de manera
automtica estructuras ordenadas ms grandes a partir de nano-objetos de menores
dimensiones. Las sntesis qumica y biolgica no requieren nuestra intervencin directa
una vez desencadenadas. Por ejemplo, los tomos de oro en una solucin adecuada -
se adhieren unos a otros espontneamente para formar nanopartculas de oro. Tales
reacciones qumicas permiten originar materiales con formas de dimensiones
nanomtricas. La creacin de materiales macroscpicos tambin es posible mediante
mtodos bottom-up.

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Con tcnicas bottom-up tambin es posible ubicar uno a uno molculas o tomos
individuales. Inclusive podemos escribir palabras o frases que luego se pueden leer con
un microscopio electrnico. Aunque muchas herramientas y tcnicas demuestran que los
mtodos bottom-up son factibles, an es un desafo poder llevar estas tcnicas a escalas
mayores. Para avanzar desde la fabricacin en el laboratorio hasta la manufactura a gran
escala, los mtodos bottom-up deben demostrar su viabilidad comercial. El hecho de que
toda la vida est hecha de auto-ensamblaje bottom-up hace que esta va tenga un
potencial extraordinario.

Listado de tcnicas de nanofabricacin:

Tcnica Top-down Bottom-up Paralelo


Fotolitografa X X
Litografa de haz de electrones X
Litografa de haz de iones focalizados X
Litografa por nano-impresin X X
Litografa blanda X X X
Nanolitografa dip pen X X X
Auto-ensamblaje X X
Manipulacin atmica por SPM X

A continuacin se resumen estas tcnicas y se explica cmo crean, moldean o forman


nanoestructuras y materiales.

Litografa

La litografa es una tcnica de manufactura comn que consiste en transferir un patrn


y grabarlo sobre una superficie. En publicidad, la impresin offset es una tcnica
litogrfica que transfiere una imagen a una hoja de papel mediante una serie de moldes.
En la industria de semiconductores, la fotolitografa y la litografa de haz de electrones se
utilizan para fabricar chips de computadoras. Fotolitografa, litografa de haz de
electrones, litografa de haz de iones focalizados, litografa de nanoimpresin y litografa
blanda son slo algunas de las tcnicas litogrficas relevantes para la nanotecnologa.

Fotolitografa y litografa de haz de electrones

La fotolitografa y la litografa de haz de electrones son tcnicas de manufactura top-


down, a nanoescala. Ambas se utilizan ampliamente en la industria de los
semiconductores.

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La fotolitografa utiliza una


fotomscara (generalmente hecha
por litografa de haz de electrones),
una fuente de luz de longitudes de
onda en un rango estrecho, y una
capa resistente sobre la superficie
donde se va a transferir el patrn.
La fotomscara (protective mask en
el esquema de la derecha) es una
plantilla del patrn que se quiere
transferir a la superficie, similar a un
estncil. Las regiones transparentes
de la fotomscara exponen a la luz
la capa protectora (resist), mientras
que las regiones opacas no dejan
pasar la luz. Al irradiar una
fotomscara con luz visible,
ultravioleta o rayos X, la luz crea el
patrn sobre la capa resistente. La
capa protectora es un material
sensible a la luz que ayuda a
transferir una imagen del patrn
sobre la superficie,
temporariamente. La capa
protectora puede ser positiva o
negativa. Si es positiva, las reas
de esa capa que fueron irradiadas
se disolvern al ser lavadas con
agente qumico revelador. En caso
de ser negativa, se disolver en
todas partes, excepto donde fue
irradiada. El patrn remanente,
apantalla la superficie que est
debajo, al mismo tiempo que se
revelan las otras partes de la Figura 1. Fotolitografa. Representacin esquemtica
superficie. Estas reas expuestas de las etapas.
posteriormente se pueden grabar,
bombardear con iones, rellenar con metales, tratar qumicamente para crear el patrn
deseado en la superficie. Una vez que se cre el patrn en la superficie, se puede
remover la capa protectora, dejando as la superficie grabada. Estos pasos se pueden
repetir tantas veces como sea necesario para manufacturar patrones ms complejos,
tales como los chips de computadoras.

La fotolitografa se emplea para crear chips de memoria y de procesamiento para una


amplia gama de dispositivos electrnicos. Originalmente la fotolitografa utilizaba luz

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visible, luego, la luz de una lmpara de mercurio, y actualmente lseres excimer, con
longitudes de onda de slo 193 nm, que constituyen la fuente de radiacin para
manufacturar los chips de computadoras. La fotolitografa ofrece numerosas ventajas,
como ser la habilidad de imprimir grandes reas al mismo tiempo, lo que se suele
denominar procesamiento paralelo.

A medida que las tcnicas fotolitogrficas fueron mejorando, los circuitos integrados
fueron disminuyendo de tamao. Esta tendencia se conoce como Ley de Moore. La Ley
de Moore no es una ley en el sentido cientfico, sino una observacin que se transform
en una gua para la industria de semiconductores. Lo que Gordon Moore (de Intel)
observ, fue una tendencia en la que se duplicaba la densidad de transistores cada dos
aos. Otra versin de la Ley de Moore se enuncia diciendo que el nmero de transistores
de un chip de CPU se duplicar cada 18 a 24 meses.

Con la ayuda de fotolitografa y tcnicas conocidas como litografa de inmersin e


impresin de doble exposicin, los fabricantes de chip semiconductores ya han logrado
realizar estructuras tan pequeas como de 32 nanmetros a escala de produccin y de 22
nanmetros en el laboratorio. Nuevas tcnicas como la litografa ultravioleta extrema
(EUV, por su sigla en ingls), tambin llamada litografa de rayos-X blanda, promete llegar
a figuras de 16 nanmetors. EUV es diferente a las tcnicas de fotolitografa antes
descriptas. Debido a que utiliza luz de longitudes de onda cortas, los espejos se pueden
usar solamente para enfocar, a diferencia de las lentes que utilizan los mtodos ms
convencionales. Si la Ley de Moore continuara, lograr la nueva marca de 11 nanmetros y
menos, requerir nuevos mtodos y debern ser diferentes a litografa que ha servido a la
industria por ms de 40 aos.

La fotolitografa sirve para construir mquinas sencillas, imprimiendo y corroyendo


pequeas partes tales como engranajes. Estos sistemas micro-electromecnicos
(comnmente denominados MEMS), son generalmente ms grandes que 100 nm, con
engranajes de 1 micrn de dimetro o ms. Si se combina la litografa con otras tcnicas
de manufactura especializadas, se pueden crear sistemas nano-electromecnicos
(NEMS). Los NEMS son estructuras nanomtricas que combinan circuitos electrnicos
con dispositivos mecnicos, como por ejemplo una bomba nanofludica.

La litografa de haz de electrones no requiere una fotomscara. Este tipo de litografa


utiliza un haz concentrado de electrones, generado a partir de un microscopio de barrido
(SEM) en vez de una fuente de luz ptica. El haz de electrones directamente traza un
patrn sobre un material protector. Aunque el SEM existe desde los aos 1930, recin en
los aos 1960 se desarrollaron los materiales adecuados para ser grabados con
electrones, haciendo posible la litografa de haz de electrones. Al igual que con la
fotolitografa, existen capas protectoras positivas y negativas. Como en la fotolitografa,
una vez que la capa protectora ha sido expuesta al haz de electrones, sta se debe lavar
con un revelador qumico, dejando atrs el patrn protector. Luego, se realiza un
subsecuente paso de desgaste, corrosin o bombardeo para grabar la superficie
descubierta. Finalmente, la capa protectora remanente se remueve dejando la superficie
grabada.

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La litografa de haz de electrones tiene una mejor resolucin que la fotolitografa. Como
utiliza electrones con longitudes de onda mucho menores que las de la luz visible, la
litografa de haz de electrones puede crear patrones de 10 nanmetros o menos. A
diferencia de la fotolitografa, el haz de electrones no puede exponer el patrn completo
de una sola vez; en cambio, debe ir trazndolo de manera secuencial. Lo que limita la
resolucin de la litografa de haz de electrones ya no es la longitud de onda de los
electrones, sino el efecto de dispersin de los electrones en el material de la capa
protectora. Las altas energas necesarias tambin dificultan focalizar el haz a medida que
los electrones se repelen ms entre s. La litografa de haz de electrones es una tcnica
til para fabricar las fotomscaras que se utilizan en fotolitografa y las fotomscaras de
otras tcnicas, como la litografa de nanoimpresin. A pesar de que hacer una mscara
por este mtodo lleva tiempo, sta se puede utilizar una y otra vez con las otras tcnicas
litogrficas. La litografa de haz de electrones tambin se puede utilizar para crear otros
patrones nanomtricos, como por ejemplo puntos cunticos y nano-alambres. Estas nano-
estructuras generalmente se hacen de silicio o arseniuro de galio (GaAs).

La velocidad y el costo de la litografa de haz de electrones limitan su uso en la


industria. Los sistemas comerciales cuestan millones de dlares y producir materiales
demanda un largo tiempo. Los procesos de manufactura actuales se apoyan en la
litografa de haz de electrones solamente para hacer las fotomscaras, pero no para la
fabricacin de otros dispositivos.

Litografa de iones focalizados / Focused ion beam (FIB) lithography.

Otro mtodo top-down es la litografa FIB, que utiliza iones (en vez de electrones o luz)
para crear patrones en superficie. El ion comnmente elegido para trabajar en FIB es
galio. Se lo prefiere porque permite minimizar los reemplazos de la fuente de iones. Las
fuente tpicas que se utilizan en FIB pueden producir haces de iones de 5 nm de dimetro.
Al utilizar iones galio, que son mucho ms grandes que los electrones, la litografa FIB
puede desgastar la superficie directamente, sin necesidad de utilizar una capa de
proteccin. Debido al tamao de los iones, se puede lograr un grabado de muy poca
profundidad, removiendo unos pocos nanmetros de material. Un problema que puede
presentar el FIB es que los iones de galio pueden quedar incrustados en el material que
se est imprimiendo. De manera similar a la litografa de haz de electrones, FIB imprime
haciendo lneas, y en este sentido no puede competir con el rendimiento de la
fotolitografa. Los equipos ms nuevos combinan las mejores propiedades de un SEM y
de un FIB en un hbrido denominado FIB de haz dual. En un sistema de haz dual, el haz
de electrones se puede utilizar por ejemplo para tomar imgenes y analizar la muestra,
mientas el haz de iones va eliminando las capas de tomos de la superficie.

Litografa de nanoimpresin / nanoimprint lithography (NIL)

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NIL tambin es una tcnica de manufactura top-down. Consiste en estampar un patrn


bi-dimensional directamente en un material protector. Como si fuera un marcador metlico
que deja una impresin en una hoja de papel, NIL transfiere un patrn en relieve en una
capa protectora usando una estampa maestra ms dura. Durante la fabricacin, la
estampa maestra se imprime mecnicamente en el material protector. La estampa
maestra empuja el material no deseado fuera de su camino y copia el patrn en el
material protector, funcionamiento como si fuera un cortador para hacer galletitas.

Esa estampa ms dura est generalmente hecha de silicio, nitruro de silicio, dixido de
silicio, metales o polmeros sintticos como el vidrio acrlico, que pueden ser calentados
antes de tocar la capa protectora. El mtodo estndar para fabricar la estampa maestra
que usa NIL, es la litografa de haz de electrones. Para transferir el patrn al material se
utiliza un mtodo llamado desgaste por iones reactivos. Como el nombre lo sugiere, el
desgaste por iones reactivos utiliza un plasma (gases cargados) que reacciona
qumicamente y a la vez bombardea fsicamente la superficie expuesta, corroyndola.

Figura 2. Litografa de nanoimpresin. Representacin esquemtica de las etapas.

Las estampas se pueden hacer mediante fotolitografa, siempre que las formaciones
requeridas sean mayores a 100 nm. Para diseos ms pequeos, se puede emplear la
nanolitografa Dip-Pen.

A menudo el material protector es un polmero que, una vez impreso, es curado con
calor o por irradiacin de luz ultravioleta. La remocin de la estampa maestra es un paso
crtico para el xito de esta tcnica. Si la estampa maestra deja una impresin pobre o si
no se separa de manera limpia de la capa protectora, aparecern defectos y/o
impresiones difusas. De hecho, esta tcnica simple y barata est limitada por ese tipo de
fallas a niveles de alta produccin. Una vez que se remueve la capa maestra, un paso
secundario de desgaste por iones reactivos se utiliza a veces para limpiar reas
presionadas o residuos de capa protectora.

La litografa de nanoimpresin tiene una resolucin muy fina. Esta tcnica puede crear
patrones con una resolucin de 10 nanmetros. NIL no se limita a reas pequeas. Al
utilizar una tcnica de impresin paralela, NIL puede imprimir grandes reas en un solo
paso. De manera similar a una impresora offset que hace miles de copias a partir de una
bandeja impresa, NIL puede realizar una superficie con patrones repetitivos. El potencial
de este mtodo puede verse en la versin microscpica de la litografa de impresin

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utilizada para estampar los patrones de datos de discos compactos comerciales (CDs),
discos de video digital (DVDs) y discos blu-ray (BDs).

A diferencia de la fotolitografa y la litografa de haz de electrones, NIL puede imprimir


patrones en una amplia gama de materiales. Las pelculas de polmeros son las
superficies ms comunes, pero cultivos celulares, copolmeros, dispositivos magnticos,
pelculas delgadas orgnicas, recubrimientos plsticos fluoro-polimricos son otros
ejemplos. NIL ofrece el potencial de manufacturar una amplia gama de dispositivos
electrnicos, pticos, magnticos y biolgicos, que requieren detalles de nanoescala.

Litografa blanda

La litografa blanda utiliza un molde blando para


imprimir la superficie, lo que la diferencia de la
litografa de nanoimpresin que utiliza un patrn
maestro rgido. El molde elstico de la litografa
blanda est hecho generalmente de un polmero
orgnico basado en silicio, el polidimetilsiloxano
(PDMS). Una ventaja clave de la litografa blanda es
la naturaleza flexible del molde. La litografa blanda
puede imprimir sobre superficies desiguales, curvas,
duras o blandas.

De manera similar a un sello de goma, el molde es


capaz de aplicar una tinta hecha a partir de
soluciones qumicas varias. El molde deposita la
solucin en la superficie, dejando un patrn en las
reas que toca. Se puede colocar la tinta en la
estampa de maneras diferentes. La estampa blanda
puede absorber tintas (tales como alcanotioles) y por
ende servir como reservorio. Aunque es til, se debe
tener cuidado de no dejar desparramar la tinta fuera
de los futuros bordes. Las tintas tambin se pueden
aplicar directamente al hacer tocar la estampa primero
sobre una almohadilla embebido en tinta, y luego
sobre la superficie. La litografa blanda tambin se
suele llamar impresin de microcontacto, para
estresar la habilidad de impresin directa sobre la
Figura 3.Litografa blanda.
superficie, as como tambin la diferencia con otras
tcnicas de litografa que transfieren primero un patrn a una capa protectora. El patrn
resultante se adhiere a la superficie mediante atracciones moleculares, tales como la
quimisorcin entre las molculas de la tinta y de la superficie. Las tintas se basan
comnmente en alquil-tioles, alquil-silanos, ADN, protenas y metales.

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La presencia de tinta residual sobre la superficie muchas veces afecta la calidad de la


impresin. El molde blando tambin puede ser una fuente de distorsiones, haciendo que
por ejemplo los patrones aumenten de tamao.

La litografa blanda puede ser tanto una tcnica bottom-up como top-down. El caso de
funcionar como una tcnica bottom-up, una monocapa se deposita sobre la superficie a
ser impresa. Una monopaca es una pelcula tal que su espesor es el de una sola capa de
molculas. Estas monocapas se pueden depositar sobre superficies varias, como ser
metlicas, de vidrio o semiconductoras. Los estos patrones as realizados se pueden
utilizar como una capa protectora para cubrir o dejar expuesta una regin de la superficie
en el caso de grabados y tratamientos top-down.

La litografa blanda es una tcnica relativamente barata. Fabricar los moldes no es caro
y stos generalmente se descartan luego de poco uso. La variedad de tinas y superficies
compatibles es otro beneficio. Los investigadores siguen indagando cmo transferir una
amplia gama de molculas a diferentes superficies por medio de esta tcnica.

Manipulacin mediante microscopios de sonda

Los microscopios de sonda pueden mover tomos y molculas. La punta de un


microscopio de fuerza atmica (AFM) o de uno de efecto tnel (STM) se puede utilizar
para acomodar tomos o molculas sobre una superficie.

En el caso de un mtodo top-down, se desgasta fsicamente la superficie con un AFM


ya que la punta del AFM es capaz de rayar la superficie. Puntas extremadamente duras
de platino-iridio o diamante son particularmente efectivas, aunque la agudeza y dureza de
las puntas limita esta tcnica. Al igual de un cuchillo que pierde filo, con el tiempo la punta
pierde agudeza, lo que reduce su exactitud y su habilidad para crear nanoestructuras y
patrones. Rayar la superficie con la punta de un AFM o acomodar molculas individuales,
es un proceso lento que resulta til con fines cientficos, pero no es una buena tcnica de
manufactura a gran escala.

Otra firma de trabajo es utilizar una punta de STM recubierta con un metal. Cuando se
aplica el voltaje adecuado a la punta, los tomos del recubrimiento metlico se pueden
transferir al sustrato. Tambin se pueden transferir materiales del sustrato a la punta. De
esta manera, los investigadores han podido depositar y remover montculos nanomtricos
de metales, como oro, platino y plata.

Otro mtodo que se vale del STM, consiste en remover selectivamente los tomos de
una superficie previamente preparada para tal fin. Una capa delgada de tomos de
hidrgeno se puede ubicar sobre un disco de silicio. A esto se le llama pasivacin por
hidrgeno de la superficie. Al ubicar la punta del STM cerca de la superficie del silicio y
aplicar un voltaje, los cientficos pueden remover selectivamente los tomos de hidrgeno.
Se pueden introducir molculas varias en el STM, las que reaccionan para formar
patrones sobre la superficie de silicio.

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En 1989, Don Eigler, un fsico de IBM, demostr el espectacular uso del STM como
una herramienta de fabricacin bottom-up. l acomod 35 tomos de xenn sobre una
superficie de nquel, para escribir el nombre de la empresa. Sus esfuerzos demostraron
que la manipulacin atmica es posible. Al ubicar lentamente los tomos y molculas
individuales, un STM puede deletrear palabras, dibujar pictogramas y crear patrones, que
pueden incluso confinar ondas electrnicas en corrales atmicos.

La precisin atmica de un STM tambin es su desventaja si se quiere aplicar a la


manufactura en gran escala. Como en el caso de la litografa por haz de electrones, que
utiliza un nico haz de electrones, la punta individual del STM trabaja de manera
secuencial, paso a paso, y necesita muchsimo tiempo para imprimir grandes reas.

Nanolitografa Dip-Pen (DPN)

Tal como lo sugiere su nombre, DPN trabaja de manera similar a un lapicera a pluma,
pero en micro- o nano-escala. Una o ms nano-plumas con molculas de tinta escriben
directamente un patrn sobre la superficie. La nano-pluma generalmente toma la forma de
una punta de AFM que termina teniendo un radio de unos 15 nm. Arreglos MEMS de 8 a
55.000 puntas se pueden utilizar para imprimir en paralelo, lo que permite hacer patrones
grandes. DPN se puede utilizar tanto como un mtodo de fabricacin top-down o bottom-
up. Por ejemplo, los patrones de capas protectoras positivas o negativas se pueden
escribir para cubrir superficies, que sern desgastadas por tcnicas top-down. Como
tcnica bottom-up, permite construir directamente patrones de molculas.

En la DPN se puede utilizar muchos tipos de tintas. Las tintas ms comunes incluyen
molculas y nanopartculas. Algunas de las ms utilizadas son alcanotioles, lpidos,
protenas, ADN y nanopartculas metlicas. Algunas tintas se utilizan secas sobre la punta
y otras en estado lquido. Incuso algunas tintas lquidas se pueden aplicar a la punta
utilizando tinteros diminutos (micromtricos). Las superficies sobre las que DPN puede
trabajar son igualmente variadas, y
van del vidrio al oro. La gran variedad
de plumas, tintas y superficies
compatibles hace que la DPN sea un
mtodo muy prometedor para la
nanofabricacin.

Cuando una punta afilada se


aproxima a la superficie, el vapor de
agua del aire circundante se condensa
naturalmente y se forma un puente de
agua (menisco) entre la punta y la
superficie. El menisco transporta la
tinta desde la punta hasta la
superficie. De esta manera, incluso las

Figura 4. Nanolitografa Dip-Pen. Representacin de


la punta de un AFM que escribe con molculas, las
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que se auto-ensamblan a la superficie.
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molculas de una tinta seca pueden difundir a travs del agua del menisco hasta la
superficie. Controlando la humedad relativa se controla el tamao del menisco. Esto
afecta la cantidad de tinta (lquida o seca) que se transfiere. Niveles de humedad ms
elevados causan que ms tinta fluya durante un perodo de tiempo menor. Niveles de
humedad ms bajos causan que se transfiera menos tinta.

A medida que la punta se mueve por la superficie, la tinta escribe un patrn. La DPN se
puede utilizar para imprimir lneas o pequeos puntos similares a esos hechos por las
impresoras de matriz de puntos. El tamao de los patrones resultantes depende del
movimiento de la punta, de la humedad relativa y de las propiedades conjuntas de la tinta
y la superficie. La viscosidad de la tinta puede cambiar el tamao de las partes del patrn.
Una tinta ms viscosa tardar ms en transferir molculas a la superficie. El tiempo que la
punta toca la superficie tambin afecta la resolucin. Cuanto menor es el tiempo que la
punta est en contacto con la superficie, menos tinta se transferir.

La DPN puede escribir en forma directa patrones arbitrarios sobre una superficie sin
una capa protectora. DPN tambin puede utilizar mltiples puntas para crear un patrn
complejo en un solo paso. Puntas individuales ubicadas apropiadamente pueden utilizar
diferentes tintas al mismo tiempo. Los arreglos de puntas mltiples ofrecen mayor
rendimiento y flexibilidad. En este sentido, supera las limitaciones de otros mtodos que
trabajan de manera secuencial o punto a punto.

Auto-ensamblaje

El auto-ensamblaje es una tcnica de fabricacin bottom-up. Es la construccin


espontnea de estructuras a partir de bloques ms pequeos. El auto-ensamblaje se vale
de procesos qumicos, fsicos y biolgicos para crear patrones y manufacturar estructuras.

El auto-ensamblaje biolgico es un proceso que ocurre naturalmente en todos los


organismos vivientes. Al utilizar molculas como bloques de construccin, la naturaleza
ensambla clulas, que son las unidades bsicas de la vida. Carbohidratos, protenas,
lpidos y cidos nucleicos son los bloques de construccin que dan forma y estructura a la
vida.

El conocimiento cientfico de los bloques de construccin biolgicos se increment


muchsimo desde el descubrimiento de la estructura del ADN, en los aos 1950` y del
cdigo gentico en los 1960`. Nuestro mayor conocimiento nos condujo a poder alterar,
replicar o controlar los mtodos de fabricacin de la propia naturaleza. La ingeniera
gentica de los vegetales es un ejemplo de la modificacin humana a los procesos de
auto-ensamblaje de la naturaleza. La continua exploracin de las tcnicas de auto-
ensamblaje biolgicas nos ayuda a conocer ms sobre los mtodos que utiliza la
naturaleza. Por ejemplo, el plegamiento de las protenas un proceso que ocurre
naturalmente, crea estructuras biolgicas de remarcada complejidad. Las clulas y los
tejidos se forman a partir de esta manera. Los lpidos se auto-ensamblan en doble capas,

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que forman las pareces celulares. La anemia de clulas falciformes, los tumores
cancergenos, y otras enfermedades tambin son el resultado de defectos estructurales
que estn causados por el plegamiento incorrecto de las protenas. Develar los secretos
de la naturaleza nos podra ayudar a reparar los defectos de las clulas o ingeniar
ensamblajes de protenas y circuitos moleculares que estn construidos con sus tcnicas.

El auto-ensamblaje qumico tambin puede crear nanoestructuras complejas. Las


monocapas auto-ensambladas (self-assembled monolayers, SAM) son un ejemplo del
auto-ensamblaje qumico. Una SAM es una capa de molculas orgnicas que se unen a
una superficie slida. Cada molcula tiene un grupo funcional que se une a la superficie.
El resto de la molcula (o parte de ella) queda expuesto en la superficie, sirviendo de
base para unir otras molculas o materiales. En el captulo 4 del curso Materiales
Avanzados y Nanotecnologa se profundizar este tema.

El auto-ensamblaje fsico es igualmente importante. Se basas en atracciones a nivel


molecular, tales como fuerzas de Van der Waals, interacciones electrostticas y puentes
de hidrgeno. Estas fuerzas son las responsables de la biodiversidad en la naturaleza.
Sustancias biolgicas, compuestos inicos y materiales en general, se mantiene unidos
por estas atracciones a nivel molecular. Son stas las fuerzas que combinan cadenas de
ADN en estructuras de doble hlice, y las que forman granos de sal a partir de sodio y
cloro. Las mismas fuerzas que atraen molculas tambin pueden romperlas. Por ejemplo,
los investigadores han ensamblado cadenas peptdicas para suministrar frmacos.
Nuestro cuerpo puede romper los pptidos y reciclar el envoltorio del frmaco. El auto-
ensamblaje fsico puede ayudarnos a crear sistemas ms eficientes para el suministro de
drogas. Los principios del auto-ensamblaje fsico tambin podran contribuir a otros
rubros, como tecnologa solar y produccin de energas.

Bibliografa _____________________________________________________________________________

Texto adaptado de: Introduction to Nanoscale Science and Technology. Version 1. NanoInk, Inc. (2010).
ISBN 978-0-9837896-0-4.

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