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TESIS
PRESENTA:
DIRECTORES DE TESIS:
A Dios,
A mi madre,
por ser mi amiga, mi apoyo, gracias por todos los buenos consejos que me han hecho
ser la persona que soy.
A mi padre,
A mi hermano,
que siempre ha estado a mi lado, y que juntos hemos aprendido el valor de la familia y
el esfuerzo por lograr las metas.
que juntos logramos lo que ahora somos, ingenieros. Gracias por todos esos momentos
en los cuales aprendimos a trabajar en equipo y sobre todo por su amistad.
Especialmente a Jess que siempre estuvo a mi lado ensendome a superarme da
con da y por todo el cario que me brindo y su confianza.
por su enseanza, comprensin y paciencia. Gracias por su ayuda ya que sin ustedes
no hubiera sido posible llegar a la meta.
iii
La realizacin de esta tesis fue un trabajo constante lleno de sacrificios, pero no
solo fue nuestro el tiempo invertido, existen personas en mi vida que aportaron mucho.
A DIOS
Por poner a las personas exactas en mi camino, porque cada vez que se
hacia difcil el camino el me daba la fuerza para seguir adelante.
A MIS PADRES
Quienes con su amor y sus sabias palabras supieron orientarme a ir por
buenos pasos. Gracias por todos su sacrificios y sus llamados de atencin
muchas veces incomprendidos por mi, me mostraron el camino. Pap
gracias por compartir tu sabidura, por darme tu amor incondicional y por ser
un ejemplo digno de imitar, Mam gracias porque siempre supiste
transmitirme un mensaje lleno de amor. Los amo mucho!!!
A MIS HERMANOS
Quienes fueron siempre el ejemplo a seguir, se encargaron de que nunca me
faltara nada. Gracias Liz porque por ti entre en esta carrera tu fuiste mi
inspiracin gracias por siempre apoyarme y tambin por darnos la alegra de
tener a Naty, Ricardo eres un ejemplo a seguir una fuente de inspiracin,
Armando sabes que eres mi hermano mayor. Los amo mucho, todos son
como unos segundos padres para mi, gracias por siempre cuidar de m.
A MIS COMPAERAS
Gracias chicas por su apoyo porque cuando una aflojaba las otras
presionaban, fuimos un gran equipo, hicimos un excelente trabajo!!!
A NUESTROS ASESORES
Quiero agradecer su orientacin y sobre todo su paciencia con nosotras tres.
Gracias al Dr. Luis Manuel Rodrguez Mndez quien aparte de apoyarnos se
convirti en un amigo, Dr. Mauro Alberto Enciso Aguilar por darnos la
oportunidad de ser parte de este proyecto y tambin el apoyo que recibimos
de la Seccin de estudios de Posgrado e Investigacin (SEPI).
Gracias a todos por poner ese extra en mi vida y ayudarme a realizar este sueo!
iv
La presente Tesis es uno de mis mas grandes esfuerzos, en el cual participaron
distintas personas directa o indirectamente ya sea opinando, corrigiendo, leyendo,
apoyndome o acompandome en todo momento.
Por esta razn, agradezco a toda mi familia por haber confiado en m, por el
apoyo que me brindaron para que yo pudiera salir adelante en mi carrera, y en especial
con este trabajo.
A mis paps, Marcos Rivera y Mara Luisa Vzquez ya que me dieron todo su
apoyo incluso en momentos difciles, por haberme tenido la suficiente paciencia, por
ensearme el gusto por el trabajo, ensearme que puedo cumplir todas mis metas, por
apoyarme, por corregirme en todos los errores que cometa y especialmente por todo el
cario que me han brindado.
A mis hermanos Luis y Abel que me acompaaron en todo momento, por sus
consejos y por su cario brindado hacia mi persona.
Al Dr. Luis Manuel por aceptar ser mi tutor durante toda la tesis, por haberme
proporcionado sus conocimientos para que pudiera llevar a cabo este trabajo, por
tenerme toda la paciencia, por su gran apoyo y su tiempo brindado.
AL Dr. Mauro Alberto de igual forma por ser mi tutor en la tesis, por su tiempo y
apoyo proporcionado, por haber confiado en m, por su paciencia, por sus consejos y
sobre todo por la direccin de este trabajo.
A todos mis amigos, y compaeros con los que conviv en los 4 aos y medio
que duro la carrera, por su amistad, por sus apoyo, por sus consejos, por el animo que
me brindaron en todo momento, por su confianza, y por ayudarme y apoyarme sin
condiciones.
Gracias a todos.
v
NDICE
Tabla de contenido
RESUMEN.......................................................................................................................................xi
ABSTRACT ....................................................................................................................................xii
PROLOGO ....................................................................................................................................xiii
OBJETIVO ....................................................................................................................................xiv
OBJETIVOS PARTICULARES ......................................................................................................... xiv
JUSTIFICACIN ............................................................................................................................xv
HIPTESIS ...................................................................................................................................xvi
METODOLOGA ..........................................................................................................................xvii
ORGANIZACIN DE LA TESIS .................................................................................................xviii
Captulo 1. ANTECEDENTES Y PLANTEAMIENTO DEL PROBLEMA ....................................20
1.1 Antecedentes ...........................................................................................................................20
1.2 Amplificadores de bajo ruido comerciales ..........................................................................21
1.2.1. Amplificadores...........................................................................................................................23
1.2.2 Modelos de Transistores FET y Bipolar..................................................................................25
1.3 Planteamiento del Problema ...............................................................................................26
Captulo 2. Amplificadores de Bajo Ruido: Marco Terico .....................................................28
2.1 Transistores Bipolares de Unin ..............................................................................................28
2.2 Transistores de Efecto de Campo con Unin ..........................................................................29
2.3 Parmetros de dispersin o parmetros S ..............................................................................30
2.3.2. Parmetro S11. ...........................................................................................................................31
2.3.3. Parmetro S12. ...........................................................................................................................32
2.3.4. Parmetro S22. ...........................................................................................................................32
2.3.5. Parmetro S21. ...........................................................................................................................32
2.4 Definiciones de ganancia de dos puertos...............................................................................32
2.4.1. Discusin adicional de los dos puertos de Ganancia de Potencia ....................................34
2.5 Estabilidad ................................................................................................................................35
2.5.1. Crculos de Estabilidad ............................................................................................................35
2.5.2. Pruebas para la Estabilidad Incondicional ............................................................................38
2.6 Diseo del amplificador de bajo ruido usando parmetros S y parmetros de ruido del
transistor .........................................................................................................................................39
2.6.1. Diseo del Amplificador de Bajo Ruido .................................................................................39
vi
2.6.2 Factor de Ruido y Figura de Ruido .........................................................................................39
Captulo 3. Diseo del amplificador de bajo ruido ...................................................................42
3.1 Construccin del amplificador de bajo ruido ...........................................................................42
3.2 Anlisis de estabilidad..............................................................................................................43
3.3 Crculos de estabilidad .............................................................................................................45
3.4 Acoplamiento mediante Lneas y Stubs (codo) .......................................................................45
3.4.1 Redes de acoplo para mnimo ruido. ................................................................................46
3.4.2 Redes de acoplo a la salida. ..............................................................................................48
3.5 ADS ..........................................................................................................................................49
3.6 Diseo y simulacin del amplificador de bajo ruido ................................................................50
Captulo 4. Mediciones y Resultados ........................................................................................57
4.1 Caracterizacin ........................................................................................................................57
4.2 Ganancia ..................................................................................................................................59
4.3 Parmetros S ...........................................................................................................................60
4.3.1. PARAMETRO S11. Acoplamiento de entrada ........................................................................60
4.3.2. PARAMETRO S12 Coeficiente de transmisin inverso o aislamiento ...............................61
4.3.3. PARAMETRO S22 Coeficiente de reflexin a la salida ........................................................62
4.4 Ruido ........................................................................................................................................63
4.4.1. Parmetros de ruido en los circuitos y transistores .............................................................63
4.4.2. Medicin de la figura de ruido .................................................................................................63
Captulo 5. Conclusiones. ...........................................................................................................69
5.1 Conclusiones ............................................................................................................................69
BIBLIOGRAFA .............................................................................................................................71
ANEXO 1.Mtodo de construccin del amplificador ...............................................................72
ANEXO 2.Simulacin del amplificador de bajo nivel de ruido ...............................................78
APNDICE .....................................................................................................................................86
vii
NDICE DE TABLAS
Tabla de contenido
CAPTULO 1. ANTECEDENTES Y PLANTAMIENTO DEL PROBLEMA
CAPTULO 5. CONCLUSIONES
Tabla A.1. Resultados del determinante y factor K estimados para una frecuencia de 1.5 GHz 81
viii
NDICE DE FIGURAS
Tabla de contenido
CAPTULO 1. ANTECEDENTES Y PLANTAMIENTO DEL PROBLEMA
Figura 2.2. Red arbitraria de dos puertos conectada a una fuente y a impedancias de carga 33
Figura 4.7. Diagrama de figura de ruido en cascada del analizador Anritsu MS4624B 66
ix
ANEXO 1. MTODO DE CONSTRUCCIN DEL AMPLIFICADOR
Figura A.4. Revelado de la pelcula foto-resistente para la impresin del diseo en la placa 75
Figura A.1. Red de dos puertos con sus terminales y fuentes de alta frecuencia 78
Figura A.2. Archivo Touchstone con los parmetros S y de ruido del transistor MGA-62563 79
Figura A.5. Amplificador LNA con redes de acoplamiento de entrada y salida, tapers,
Figura A.6. Mdulo donde se configuran los parmetros de las lneas de transmisin 84
x
RESUMEN
xi
ABSTRACT
Despite this, in Mexico there has been a major development in research and
construction of devices for these frequencies because they do not have many specialists
in this area and the infrastructure required is very expensive. The primary purpose of
this work is to implement the basic knowledge for the design of an amplifier that meets a
certain extent that demand for satellite services.
For the design use the commercially available software Agilent Advanced Design
System (ADS), a program that generates the circuit layout. Also provides a useful
information concerning the S-parameters, gain and noise figure required for the LNA
conception.
Theoretical results coming from modeling have been compared with experimental
data obtained by the LNA characterization. In measuring a gain of 18.3 dB and a noise
figure of 0.55 dB in the frequency of the design. The device used is a BJT having a base
silicon germanium alloy and carbon using E-pHEMT technology.
xii
PROLOGO
Los circuitos estn descritos en funcin de la relacin seal a ruido que explica
su comportamiento, esta relacin es conocida como la figura de ruido del circuito y es
definida con ms detalle en el captulo 2 de este trabajo.
xiii
OBJETIVO
OBJETIVOS PARTICULARES
xiv
JUSTIFICACIN
Desde los satlites Morelos Mxico emple esta banda de frecuencias, con los
satlites Solidaridad la explotacin de esta banda se increment. A mediados de los
aos 90 se inici el proyecto de desarrollo de satlites experimentales mexicanos como
el SATEX I, en el cual participan instituciones de investigacin como el CICESE (Centro
de Investigacin Cientfica y de Educacin Superior de Ensenada Baja California) en
colaboracin con La Benemrita Universidad Autnoma de Puebla (BUAP), el Instituto
Nacional de Astrofsica, ptica y Electrnica (INAOE), la Universidad Nacional
Autnoma de Mxico (UNAM) y el Instituto Politcnico Nacional (IPN). A pesar de que
el satlite no fue lanzado por razones extra cientficas y acadmicas, la generacin de
conocimiento as como la adquisicin de experiencia en esta materia resulta indudable.
xv
HIPTESIS
xvi
METODOLOGA
Para desarrollo del amplificador de bajo ruido se llevaran a cabo los siguientes
mtodos y tcnicas:
xvii
ORGANIZACIN DE LA TESIS
xviii
Captulo 1
ANTECEDENTES Y
PLANTEAMIENTO DEL PROBLEMA
xix
Captulo 1. ANTECEDENTES Y PLANTEAMIENTO DEL
PROBLEMA
En esta seccin se presenta una breve introduccin a los antecedentes de
amplificadores de microondas as como los aspectos fundamentales de la tecnologa de
GPS. Se muestra una comparacin de los dispositivos en el mercado mostrando sus
caractersticas y comparndolas esto con el objetivo de tener un panorama de los
amplificadores de bajo ruido existentes, por ltimo se realiza el planteamiento del
problema que se pretende satisfacer con ste trabajo.
1.1 Antecedentes
Algunas limitaciones que tiene GPS son que es el nico sistema de navegacin
disponible en la actualidad y no debera ser el nico ya que adems de estropearse, el
departamento de defensa de USA puede interrumpir, modificar o degradar las seales
cuando lo considere apropiado. Lo cual nos deja vulnerables a la disposicin de otros,
esto nos crea la necesidad de buscar disear una red de posicionamiento referencial
propio. En la maestra de Telecomunicaciones de la ESIME Zacatenco se han
desarrollado otros LNA para otras bandas de frecuencias, la intencin de utilizar la
banda L1 es crear dicha red que provea este servicio a Mxico.
20
1.2 Amplificadores de bajo ruido comerciales
Por tal razn hay muchos tipos de receptores en los que se encuentra integrado
un LNA, existen diversos amplificadores en el mercado a diferentes frecuencias o con
distintas caractersticas.
LOW
HD Spectrum GPS
Fabricante RFHIC NOISE PROCOM
communications Microwave Source
FACTORY
WL2208- 3010- PRO-
Modelo HD24854 1535-TS LNR1_11B
L 024107-021 LNA-GPS
Ganancia
15 55 34 41 32 27
(dB)
Figura de
1.5 2.0 2.5 2.2 0.70 3
ruido (dB)
Acoplamiento
de entrada -10 -13 -40 -35 -13 -----
(dB)
Margen de
Frecuencia 0.05-2.2 0.950-2.15 1.57 1.22-1.57 1-11 1.57
(GHz)
Dimensiones
102X118 162X76 55.88X54.61 63.5X102 22X19.6 138X152
(mm)
Impedancia
50 50 50 50 50 50
21
La ganancia con la que cuentan vara entre los 15 y 55 dB, dependiendo del
modelo y marca del amplificador. Se puede observar que la figura de ruido mayor tiene
un valor de 3 dB, para este caso se requiere que la figura de ruido sea lo ms mnima
posible para que no degradar significativamente la seal deseada.
Las dimensiones de dichos amplificadores son del orden de los milmetros, con
esto se creara un diseo final pequeo y si dicho circuito forma parte de un sistema que
requiere ms componentes, el tamao es importante.
22
1.2.1. Amplificadores
( ) (1.1)
23
Dnde:
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) (1.2)
Dnde:
24
1.2.2 Modelos de Transistores FET y Bipolar
25
1.3 Planteamiento del Problema
En este caso el amplificador debe estar construido con una tecnologa de microcintas
para tener una reduccin en las perdidas, alcanzar un nivel de ruido mnimo inferior a
1 dB, una ganancia superior a los 15 dB a un ancho de banda de operacin de 40 MHz.
El amplificador debe tener un acoplamiento en la entrada y en la salida de 50 ohms.
26
Captulo 2
AMPLIFICADORES DE BAJO
RUIDO: MARCO TEORICO
27
Captulo 2. Amplificadores de Bajo Ruido: Marco Terico
28
formada por dos semiconductores, como por ejemplo un diodo, un transistor de efecto
de campo o un la unin emisor-base o base colector de transistor bipolar.
Las tcnicas F50 requieren la medida del factor de ruido para un nico coeficiente
de reflexin a la entrada del dispositivo, en diferentes puntos de frecuencia. Los
parmetros de ruido se calculan a travs de una matriz de correlacin. Estas tcnicas
son menos costosas ya que no requieren el uso de sintonizadores (tuners) y el tiempo
de medida es menor. Para obtener la matriz de correlacin total de ruido, se emplean
modelos de ruido de la parte activa de transistor o transistor intrnseco. Estos modelos
de ruido consideran dos modelos, una debida a la compuerta y otra al drenador, que
pueden presentarse en diferentes configuraciones: admitancia, hbrida o de
temperaturas.
30
TRANSISTOR
(2.1a)
(2.1b)
| (2.2)
31
2.3.3. Parmetro S12.
| (2.3)
| (2.4)
| (2.5)
32
Considerando una red arbitraria de dos puertos con matriz de dispersin S
conectada a una fuente y a impedancias de carga y , respectivamente, como se
muestra en la figura 2.2. Se pueden definir y derivar las expresiones para los tres tipos
de ganancia en trminos de los parmetros S de una red de dos puertos y los
coeficientes de reflexin y , de la fuente y la carga. [3]
( )
(2.6a)
(2.6b)
(2.7a)
(2.7b)
(2.8a)
(2.8b)
33
2.4.1. Discusin adicional de los dos puertos de Ganancia de Potencia
(2.9a)
(2.9b)
(2.9c)
(2.10a)
(2.10b)
(2.10c)
34
2.5 Estabilidad
| | ( )
| | ( )
35
Si el dispositivo es unilateral ( ), estas condiciones reducen a los simples
resultados que | y son suficientes para la estabilidad incondicional.
Por otro lado las desigualdades de (2.6) definen un rango de valores para y
donde el ampificador ser estable. Encontrar este rango para y puede ser
facilitado mediante el uso de las cartas de Smith, as como las soluciones para formar
los crculos de estabilidad de entrada y de salida. Los crculos de estabilidad son
definidos en el plano (o ) para el cual (o ). Por lo tanto los crculos
de estabilidad definen los lmites entre las regiones estable y potencialmente inestable
de los valores de y .
| | (2.12)
( )
(2.13)
(2.13)
| | ( ) (2.15b)
36
Los resultados para el crculo de estabilidad en la entrada (fuente) se pueden
obtener con las ecuaciones anteriores tan solo cambiando por y por :
( )
( ) (2.16a)
| | ( ) (2.16b)
(2.17)
| | (2.18a)
| | (2.18b)
(2.19)
(2.20)
38
2.6 Diseo del amplificador de bajo ruido usando parmetros S y
parmetros de ruido del transistor
El factor de ruido (F) y la figura de ruido (NF, de Noise Figure) son cifras que
indican cuanto se deteriora la relacin de seal a ruido cuando una seal pasa por un
circuito o una serie de circuitos. El factor de ruido no es ms que un cociente de
relaciones de potencia de seal a ruido en la entrada entre la relacin de potencia de
seal a ruido en la salida. La definicin matemtica del factor de ruido es:
( )
39
Dnde:
Dnde:
( )
( )
40
Captulo 3
DISEO DEL AMPLIFICADOR DE
BAJO RUIDO
41
Captulo 3. Diseo del amplificador de bajo ruido
Este captulo habla paso a paso del diseo del amplificador, los clculos necesarios
para obtener las lneas y stubs de entrada y salida, comprobar si el amplificador es
estable o no, tambin se explica el proceso que se llev a cabo para la construccin del
amplificador como el proceso de simulacin y optimizacin.
42
A continuacin se describe de manera breve los pasos que se siguieron para el
desarrollo de este trabajo:
2. Se elige un transistor que opere en altas frecuencias y que tenga bajo nivel de ruido
en la frecuencia de diseo
4. Se trazan los crculos de ganancia y de ruido, para elegir el punto de mnimo ruido y
ganancia aceptable.
5. Diseo de las redes de acoplo a la entrada y salida con el fin de reducir la reflexin.
9. Comparacin de resultados
43
Tabla 3.1. Tabla comparativa de transistores de bajo nivel de ruido a una frecuencia de 1.5GHz
Modelo del Ganancia (dB) (dB) Tecnologa
Transistor
ATF-541M4 17.5 0.5 PHEMT GaAs
ATF-34143 17.5 0.5 PHEMT GaAs
MGA-635P8 18 0.56 PHEMT GaAs
ATF-38143 16 0.4 PHEMT GaAs
MGA-62563 17.7 0.76 PHEMT GaAs
44
3.3 Crculos de estabilidad
El uso de una lnea y stub como red de acoplamiento a la entrada y salida del
transistor permite obtener el menor ruido posible con una ganancia aceptable. Esta
tcnica de acoplamiento es muy comn en el diseo de amplificadores [3].
La fuente, antena receptora o filtro pasa banda se asume que presentan una
impedancia de 50, as como la carga en la salida (preamplificadores, mezclador, filtros
etc.).
45
Se puede hacer uso de la carta de Smith para determinar las dimensiones de los
puertos de entrada y salida. El procedimiento para resolver esto se puede encontrar en
la mayora de los libros de texto dedicados al diseo de circuitos de microondas [3],
[12], [5].
46
Figura 3.2 Crculos de ruido y ganancia.
( | | )
Donde
| |
47
En el punto 3 sealado en la carta de Smith se traza el crculo para la ganancia
GS de 2.4 dB.
(3.1)
( )
( )
(3.2)
( )
Donde
( ) (3.3)
L = 0.153 -164.02
48
material conductor. Las longitudes de las lneas se encontraron mediante el mtodo
clsico descrito en diferentes trabajos [3], [12], [5]. En la figura 3.3 se pueden observar
las redes de acoplamiento que se han obtenido.
17.83mm
15.24 mm
6.20mm
4.91 mm
(3.1)
Con una figura de ruido de 0.76 dB a 1.5 GHz. Para tener un panorama ms
completo del comportamiento del dispositivo a otras frecuencias, bajo otras condiciones
de operacin o simplemente para conocer las reflexiones de entrada y salida, es
importante el uso de programas de simulacin que nos apoyen con esta laboriosa tarea.
3.5 ADS
49
Advanced Design System es un programa de simulacin para el diseo de una
gran variedad de dispositivos de telecomunicaciones como osciladores, amplificadores,
redes de banda ancha, sistemas de radiocomunicacin por satlite, microondas, etc.
Este programa es producido por Agilente EEsof EDA, propiedad de Agilent
Technologies.[6]
Caractersticas importantes.
50
Parmetros iniciales
Substrato RF-30
Conductor Cu
S11 <-10 dB
S22 <-10 dB
S21 15 dB< G <17 dB
NF50 < 1.0 dB
Tambin se colocan metas, las cuales indican que a la frecuencia de 1.5 GHZ los
parmetros que se desean optimizar tienen los valores deseados. Aqu es forzada la
grfica de los parmetros a colocar en el punto que se desea.
14.0mm
16 mm
5.0mm
5.49 mm
Comparando la figura 3.3 con la figura 3.4 se puede observar que despus de la
optimizacin la longitud de las redes de acoplamiento cambiaron, esto se debe a que se
dejaron variables para que el programa de simulacin escogiera los valores adecuados
para que los parmetros S y la figura de ruido tuvieran la caractersticas mencionadas
anteriormente. El alambre que se encuentra debajo del transistor representa
tericamente los barrenos que se hacen al plano de tierra para la reduccin de
admitancias.
52
Figura 3.5 Red de polarizacin del transistor MGA-62563
La red tambin debe contar con los planos de tierra suficientes para aterrizar el
transistor, y para que dentro de estos se realicen los barrenos suficientes para eliminar
las admitancias generadas en la construccin.
53
Figura 3.6. Layout
En la figura 3.7 se puede apreciar el LNA con los componentes soldados sobre la
placa, del lado izquierdo y derecho tenemos los puertos de entrada y salida
respectivamente, las lneas de entrada y salida estn formadas por una lnea de
transmisin y un stub, tambin en la parte central de la placa esta soldado el transistor
E-pHEMT GaAs y su red de polarizacin en DC.
54
Figura 3.7. Diseo del LNA terminado tamao 4X1.5 cm2
55
Captulo 4
MEDICIONES Y RESULTADOS
56
Captulo 4. Mediciones y Resultados
En este captulo se presentan las mediciones obtenidas para comprobar el
funcionamiento del amplificador. La calibracin del analizador de redes es un proceso
de alta precisin el cual es importante para poder conocer las propiedades de las redes
elctricas, por tal motivo en este captulo se presenta todo el proceso, adems de
comparar los resultados obtenidos con los resultados de la simulacin.
4.1 Caracterizacin
57
2.- Potencia. El analizador mide los componentes utilizando una seal de RF
cuya potencia debe ser fijada. Su valor suele estar comprendido entre 0 y 10dBm.
Una vez calibrado el equipo se puede medir cualquier parmetro del componente
a travs del men de medida (MEAS) desde donde se despliega una lista con los
distintos parmetros S que podemos medir (S11, S21, S12 y S22). Tambin se puede
elegir el formato de representacin a travs del men FORMAT. En este equipo se
dispone de una lista con los distintos formatos (lineal, logartmico, retardo, fase, etc.).
Las grficas resultantes de esta nueva medicin son muy parecidas a los
resultados de la simulacin, obteniendo as la ganancia deseada y la figura de ruido
mnima.
58
4.2 Ganancia
Uno de los factores que intervienen en el desempeo del parmetro S 21 son las
dimensiones de las lneas de microcinta y las caractersticas del material elegido en el
diseo. El parmetro S21 de la figura 4.1, nos indica la ganancia del dispositivo. Durante
el proceso de optimizacin, se busc que la ganancia fuera siempre mayor a 17 dB en
todo la frecuencia de diseo de 1.5 GHz. La medicin de ganancia ha sido de 18 dB.
Se observa que la ganancia medida (lnea con cuadros) muestra la misma tendencia
que la obtenida de la simulacin (lnea con crculos), esto se debe a que se ha dado un
mayor peso en la optimizacin a la ganancia, por esta razn los resultados simulados y
medidos son muy parecidos. Tambin se puede ver que este amplificador presenta una
ganancia aceptable en la banda de frecuencias que van de 100 MHz a los 3.0 GHz,
alcanzando valores de 21 a 11 dB de ganancia respectivamente, tambin se puede
observar que a medida que aumenta la frecuencia, la ganancia tambin decrece, lo cual
se debe a que el dispositivo activo est alcanzando su frecuencia mxima de operacin.
Figura 4.1 Ganancia o coeficiente de transmisin directo (S21 simulado y medido) bajo
un voltaje de alimentacin de 3 V.
59
4.3 Parmetros S
Figura 4.2. Coeficiente de reflexin a la entrada (parmetro S11) medido y simulado para
la banda de 0.5 a 3.0 GHz.
60
4.3.2. PARAMETRO S12 Coeficiente de transmisin inverso o aislamiento
61
4.3.3. PARAMETRO S22 Coeficiente de reflexin a la salida
Figura 4.4. Coeficiente de reflexin a la salida S22 medido y simulado con un voltaje de
alimentacin de 3V.
62
4.4 Ruido
NF50 NF Z
S 50
(4.1)
La es una figura muy importante para los transistores de bajo ruido.
Obviamente, no puede ser menor a . Si es cercana a , significa
que el coeficiente de reflexin de la entrada o fuente es cercano al coeficiente de
reflexin ptimo que tiene el dispositivo. El coeficiente de reflexin ptimo es el que se
debe presentar a la entrada del dispositivo a fin de obtener la figura mnima de ruido y
que no necesariamente tiene que ser de 50 Ohms.
63
Sin
F (dB) 10 log in
N (4.2)
S
out
N out
Las mediciones de figura de ruido emplean el mtodo del factor Y. Este mtodo
usa una fuente de ruido de banda ancha calibrada por el Instituto Nacional de
Estndares y Tecnologa (NIST), con la finalidad de aplicar al DUT diferentes niveles de
ruido. La fuente de ruido est formada por un diodo avalancha, cuando se le aplica una
polarizacin, el ruido generado y calibrado se eleva (caliente). Cuando no se aplica
polarizacin, el ruido generado es reducido (frio). Obsrvese que puede haber cambios
de impedancia (causados por el cambio de impedancia con la polarizacin) entre estos
dos estados caliente y frio. La potencia de ruido asociada con la temperatura caliente
(TH) es N2 y la potencia de ruido asociada con la temperatura frio (T C) es N1. La relacin
de la potencia medida de estos dos estados nos da el factor Y:
N2
Y (4.3)
N1
TH TC
1 Y 1
F O TO
T
(4.4)
Y 1
TH TO
ENR (4.6)
TO
65
Figura 4.7 Diagrama de la figura de ruido en cascada del analizador MS4624B
La figura de ruido NF50 estimada en los clculos a 1.5 GHz ha sido de 0.75 dB
(lnea con rombos), sin embargo en la medicin se ha alcanzado un valor de 0.55 dB
(lnea con crculos). Tambin se puede apreciar un excelente comportamiento en ruido
en toda la banda de frecuencias de medicin, alcanzando a 3 GHz una figura de ruido
mxima de 1 dB, lo cual demuestra las bondades de la tecnologa GaAs en ruido.
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Figura 4.8 Figura de ruido a 50 Ohms medido & simulado y NFmin proporcionado por el
proveedor.
67
Captulo 5
CONCLUSIONES
68
Captulo 5. Conclusiones.
5.1 Conclusiones
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Se incursion en la utilizacin de lneas de microcinta para la construccin del
diseo sobre substratos de RF-30. Para un anlisis ms seguro se tendr que hacer
uso del estudio de la propagacin electromagntica en las lneas de microcinta.
Acoplamiento de
-11.3 -10 -13 -40 ----- -35
entrada (dB)
Rango de
0.50-3.0 0.05-2.20 0.950-2.15 1.57 1,57 1.22-1.57
Frecuencia (GHz)
Impedancia 50 50 50 50 50 50
70
BIBLIOGRAFA
[3] David M. Pozar, Microwave and RF Design of Wireless Systems, John Wiley & Sons INC
[5] Davendra K. Mishra, Radio Frecuency and Micriwave Communications Circuits, John Wile & Sons
INC.
[9] Vicente Liarte Martnez, Transistores Unipolares y Transistores de Efecto de Campo, Universidad de
Murcia.
[10] Jos Miguel Miranda, Ingeniera de Microondas Tcnicas Experimentales, Editorial Prentice
Prcticas.
[12] Guillermo Gonzlez, Microwave Transistor Amplifiers. Analysis and Design, Prentice Hall.
[13] C. Gentile, Microwave Amplifiers and Oscillators, McGraw-Hill, New York, 1987
71
ANEXO 1.Mtodo de construccin del amplificador
Eleccin de la placa.
Se eligi una placa cuyo material es RF-30. Este material presenta una ventaja la
cual es su bajo costo, exige un alto rendimiento de microondas y aplicaciones de
radiofrecuencia. RF-30 tiene una excelente fuerza de adherencia para el montaje a alta
temperatura y buen manejo de potencia. Este material cuenta con una constante
dielctrica de 3 y una tangente de prdidas de 0.0014. El grosor del material es de 0.5
mm y un grosor de conductor igual a 35 .
72
Ajustar la placa de acuerdo a las medidas del circuito amplificador.
Una vez que se tiene la placa, esta debe ser acondicionada, es decir deber ser
recortada al tamao del circuito amplificador, pulir los bordes, limpiar perfectamente la
superficie para eliminar la grasa, esto puede hacerse con removedor de xido para
placas como se muestra en la figura A.2.
a) b)
Figura A. 2. Proceso de limpieza de la placa a) Placa ajustada y pulida. b) Placa limpiada con
el removedor de xido.
Para realizar este proceso la placa es cubierta con la pelcula seca foto-
resistente, se coloca entre la pelcula y la placa un mnimo de agua que ayuda a fijar la
pelcula sobre la placa. Despus se calienta la pelcula con ayuda de una pistola de
calor a una temperatura promedio de 150C, esto para que los residuos de agua se
evaporen y la pelcula quede fija de una manera ms segura como se observa en la
figura A.3.
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a) b)
Una vez fija la pelcula a la placa se coloca el diseo del amplificador impreso en
acetato, para lograrlo el acetato es pegado con cinta o con un mnimo de agua para
evitar que se mueva y provoque que las pistas no sean las obtenidas con el simulador
ADS (Advance Desing System). Si las pistas no llegaran a ser de las medidas correctas
afectara demasiado al diseo del circuito, sobre todo en las lneas de entrada y salida
que tienen una medida especfica.
Colocar la placa con el diseo del circuito de bajo de una lmpara de luz ultravioleta.
Una vez fijo el diseo sobre la placa junto con la pelcula, se coloca bajo una
lmpara de luz ultravioleta que provoca que la pelcula foto-resistente se revele
marcando el diseo del amplificador a la placa, este proceso se lleva a cabo durante un
tiempo aproximado de 20 a 35 min (no es recomendable que se sobrepase este periodo
de tiempo ya que si es as puede provocar deformaciones en el diseo de las pistas).
Despus de este tiempo se retira la placa de la luz ultravioleta quitando el acetato de la
misma. Como resultado se observa en la figura A.4 que las pistas estn reveladas
sobre la placa.
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Figura A.4. Revelado de la pelcula foto-resistente para la impresin del diseo en la placa.
Este proceso puede tardar aproximadamente 30 min. Una vez que se observa
que el exceso de pelcula es eliminado, se saca la placa del lquido revelado.
a) b)
Figura A.5. a) Proceso del retiro de exceso de la pelcula foto-resistente. b) vista de la placa
despus de someterla al lquido revelador.
75
Colocar la placa en cloruro frrico.
La placa debe ser colocada en cloruro frrico para retirar el exceso de cobre y
dejar nicamente las pistas del amplificador cubiertas por la pelcula foto-resistente.
Este proceso dura aproximadamente 40 min. Cuando se observa que el exceso de
cobre es eliminado se retira la placa del cloruro. La placa debe ser limpiada para
eliminar los residuos del lquido. En la figura A.6 se pueden observar los resultados de
este proceso.
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Nota: El valor de los capacitores a la entrada (pin 3) y salida del amplificador (pin 6)
fueron cambiados por otros con valor de 68 pF. Esto debido a que los valores que el
fabricante propone para estos capacitores no son los adecuados para este diseo. Con
la colocacin de estos nuevos capacitores se obtuvo la ganancia deseada, en este caso
18 dB.
TIERRA SALIDA
TIERRA TIERRA
ENTRADA VOLTAJE
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ANEXO 2.Simulacin del amplificador de bajo nivel de ruido
Como primer paso dentro del sistema de simulacin se debe crear una red de
dos puertos donde deben cargarse los parmetros S y la figura de ruido mnima del
transistor a usar. Las cargas de las fuentes que alimentan al dispositivo de dos puertos
son de 50 .
Figura A.1. Red de dos puertos con sus terminales y fuentes de alta frecuencia
78
Figura A.2. Archivo Touchstone con los parmetros S y de ruido del transistor
MGA-62563
79
Ya que fueron cargados los datos en el simulador es necesario agregar las
caractersticas del material a usar, en este caso se utiliza un material ideal para operar
a altas frecuencias sin agregar prdidas importantes a la seal. El material es RF-30
con un grosor de 0.5 mm, una constante dielctrica de 3, una conductividad del cobre
de 4.7X107 y un factor de disipacin en el dielctrico de 0.0014.
80
Para comprobar las condiciones de estabilidad del transistor y verificar con los
datos tericos previamente calculados, se debe calcular el determinante de la matriz de
dispersin la cual debe ser menor a 1 y el factor de estabilidad K el cual debe ser mayor
a 1 como se muestra en la tabla A.1, tambin se pueden graficar los crculos de
estabilidad de entrada y salida.
Tabla A.1 Resultados del determinante y factor K estimados para una frecuencia de
1.5 GHz
81
Figura A.4. Conversin de unidades.
Figura A.5. Amplificador LNA con redes de acoplamiento de entrada y salida, tapers,
capacitores de desacoplo de DC y puertos de entrada y salida.
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Cada lnea y stub tiene su longitud y ancho adecuados para tener una relacin
aceptable de ganancia sobre figura de ruido. Los capacitores de desacoplo se
seleccionan de un valor elevado, suficiente para dejar pasar la seal de RF de diseo
pero que sea capaz de limitar la seal de alimentacin de DC y que no se transfiera
hacia los puertos de entrada y salida, evitando polarizar las etapas vecinas.
Para realizar la optimizacin es necesario configurar cada lnea y stub para que
sea optimizable, estableciendo un rango de sintonizacin controlable por el diseador.
En la figura A.6 se muestra el mdulo donde se configuran los parmetros de cada
microcinta.
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Figura A.6. Mdulo donde se configuran los parmetros de las lneas de transmisin.
Una vez que se configuran todas las lneas de transmisin para que sean
optimizables, se establecen las metas de diseo que se desean tener en cada
parmetro S y en ruido como se muestra en la figura A.7. Este mdulo perteneciente al
ADS, permite establecer en un rango de frecuencias especfico un coeficiente mximo o
mnimo esperado. En este caso para la figura aqu mostrada, se desea que el
parmetro S11 en la banda de frecuencias de 1.45 a 1.5 GHz tenga un coeficiente entre
-14.7 a 14.8 dB.
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Una vez establecidas las metas deseadas se ejecuta la simulacin y se observa
la respuesta debida al ajuste de las lneas. Si el resultado es aceptable entonces se
procede a realizar un ajuste fino.
En este tipo de diseos es comn que las metas de ganancia y la figura de ruido
se alcancen sin problema alguno, pero que los acoplamientos de entrada y/o salida no
se cumplan necesariamente. Para paliar esto, en ocasiones es necesario sacrificar
alguna de las otras metas. Si esta solucin no resulta conveniente para el diseador
entonces se puede optar por otro tipo de topologa en las redes de acoplo.
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APNDICE
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