Pr. A.

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Chapitre 6
Transistor bipolaire en rgime variable (ou dynamique)
L'une des applications essentielle des transistors est l'amplification des signaux lectriques. Le principe
est de fixer le point de fonctionnement dans une rgion o l'amplification sera la plus linaire possible (c'est
dire pas de distorsion du signal amplifi).

1. Le transistor bipolaire en rgime dynamique (ou variable)

Ajoutons l'entre du montage du transistor en metteur commun en rgime statique, un gnrateur de
tension sinusodale Ve (t ) = Vm sin( t ) - figure 1-
Le point de repos en rgime statique (en absence de Ve(t)) est repr par les points P0(VCE0, IC0), P'0(IB0, IC0) et
P"0(IB0, VBE0) figure-2-
IC
VCC
IC RC
C P0
P'0 IBO
IB B RC VBB IC0
RB IB=0
RB
E IB VCE0
VCC IB0 VCC
VBB
IE
Ve(t) VBE0
P''0
Figure 2
Figure 1 VBB
VBE
1.1 Principe de l'amplification (sans distorsion)
Pour un fonctionnement en petit signaux (Vm faible), on peut crire:
I B ( t ) = I B 0 + ib ( t ) V BE ( t ) = V BE 0 + v be ( t )

I C ( t ) = I C 0 + i c ( t ) VCE ( t ) = VCE 0 + v ce ( t )
O ib(t), ic(t), vbe(t) et vce(t) reprsentent de petites variations autours des courants et des tensions continues
IB0, IC0, VBE0 et VCE0 correspondants au point du repos.

Supposons que le gnrateur Ve(t) induit une faible variation sinusodale de ib (t ) = ibm sin( t ) .
Caractristique d'entre
Le point de repos P"0 va se dplacer entre P"1 et P"2 (sur la partie linaire de la caractristique d'entre
pour simplifier le raisonnement figure 3-):
P1" : I B = I B 0 + ibm
"
P2 : I B = I B 0 ibm
Caractristique de transfert en courant
A la suite, le point de repos P'0 se dplace entre P'1 et P'2 figure 3-. Comme la caractristique est linaire
I C ( t ) I B ( t ) , on en dduit:
ic ( t ) ibm sin( t ) P1' : I C = I C 0 + i cm
= icm sin( t ) Et
P2' : I C = I C 0 i cm
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Caractristique de sortie
On a VCE=-RC IC+VCC VCE0+vce(t) = -RC(IC0+ic(t) )+VCC et donc vce(t)=-RC ic(t)

Le dplacement de P'0 induit donc le dplacement du point de repos P0 sur la droite de charge entre
P : VCE =VCE 0 v ce

les points P1 et P2 : 1
max

P2 : VCE =VCE 0 +v ce max

Ainsi, le montage amplificateur ( transistor) est constitu priori de deux circuits indpendants:
un circuit de base dans lequel le courant inject est faible niveau ib(t);
un circuit collecteur parcouru par un courant fort niveau ic(t).
IC

P'1 P1
P'0 IC0 P0 ic(t) t
P'2 P2

VCE0
IB IB0
VCE
vce(t)
P''0 P''2 t
P''1 t
vbe(t) Figure 3
VBE0
ib(t)
t
VBE

i (t )
Le gain en courant est donn par : Ai = c =
ib (t )
v (t )
Le gain en tension est donn par : Av = ce
v be (t )
En ne s'intressant qu'aux petites variations, on montre facilement que vce(t)=-Rc ic(t) (figure 4)

ic
ICm
Figure 4 vce
0
-ICm ( pente
1
)
RC
D'autre part on a: vbe(t)=rd ib(t) (partie linaire de la caractristique d'entre) avec rd la rsistance
dynamique de la jonction E-B.
R R
On en dduit Av = C = C Ai
rd rd
R
En gnral >> 1 et C >> 1
rd
En conclusion: Le montage base de transistor en metteur commun permet une amplification en
courant et en tension.
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Remarques importantes:
Le courant de sortie ic(t) et d'entre ib(t)sont en phase : i c (t ) = ib (t ) .
La tension d'entre vbe(t) et de sortie vce(t) sont en opposition de phase :
R
v ce ( t ) = C vbe ( t ) .
rd
L'amplification d'un petit signal alternatif la base se fait sans distorsion au niveau du collecteur
lorsque le point de repos est situ au milieu de la droite de charge statique. C'est dire
VCE 0 VCC 2 .

1.2 Commande d'un transistor- Commande en courant et en tension

Supposons que le gnrateur d'entre a une impdance interne ngligeable. Le signal fournie est
sinusodal: V e ( t ) = V m sin( t ) .
Analysons uniquement les composantes alternatives du courant et de la tension. On a-figure 5-:
vbe(t) rd ib(t) (partie linaire de la caractristique d'entre).
Ve(t) RB ib(t)+ vbe(t)
= (RB +rd ) ib(t)
rd
D'o vbe ( t ) Ve ( t ) RB
R B + rd
1er cas: RB<<rd (commande en tension)
vbe ( t ) Ve ( t ) . vbe (t) est sinusodale (mme
forme que Ve(t). Par contre, ib(t) n'est pas forcement rd
sinusodale. Ve(t) vbe(t)
En effet, si on s'approche du coude, vbe (t)est
bien sinusodale alors que ib(t) est dform.(figure 6)
Figure 5
IB

P"2
Figure 6
P"0
P"1 vbe(t)

VBE
ib(t)
Consquence:
La dformation de ib(t) entrane la dformation de ic (t) donc de tension de sortie au niveau collecteur!!.
La commande en tension du transistor (RB trs faible) est rarement utilise.

2me cas: RB>>rd (commande en courant)

Ve (t ) V (t )
ib (t ) = e
R B + rd RB
ib(t) est sinusodal (mme forme que Ve(t)).
vbe (t) n'est pas forcement sinusodale (dforme au niveau du coude), mais ceci n'a aucune influence
sur le signal de sortie au niveau du collecteur vce (t) car ib(t) n'est pas dform.

Conclusion:
La commande en courant (RB trs grand ) entrane un minimum de distorsion de signaux de sortie.