Vous êtes sur la page 1sur 2

Pr. A.

SDAQ : Facult sciences ibn Zohr (Agadir_Maroc) 22 Transistor bipolaire

Chapitre 5
Transistor bipolaire en rgime continu (ou statique)
Soit le montage transistor mont en metteur commun:
IC
C
IB B RC

Figure 1 RB E
VCC
IE
VBB

On se propose de dterminer l'tat de fonctionnement, appel aussi "point de fonctionnement ou de point


de repos". Pour cela, il faut dterminer les quatre variables (IB0, VBE0, IC0, VCE0) qui sont fixes de faon unique
par RB, RC, VBB et VCC.
VBE
1. Dtermination du point de repos
1.1 Droite d'attaque statique VBB
La loi des mailles applique au circuit d'entre donne:
VBE=VBB-RB IB.
Dans le plan (IB, VBE), cette relation constitue l'quation
de la droite d'attaque statique. Elle constitue l'ensemble des IB
points de fonctionnement du circuit d'entre.(figure 2)
V BB
Figure 2
RB
1.2 Droite de charge statique IC
La loi des mailles applique au circuit de sortie donne:
VCE=VCC-RC IC. VCC
Dans le plan (VCE , IC,), cette relation constitue l'quation RC
de la droite de charge statique. Elle constitue l'ensemble des
points de fonctionnement du circuit de sortie (figure 3).
VCE
VCC
1.3 Mthode de dtermination du point de repos Figure 3
Le point de repos l'entre
IC
Pentre(VBE0, IB0) est l'intersection
entre la droite d'attaque et la
caractristique d'entre VBE=f(IB)
dans le plan (IB, VBE).
La valeur de IB0, permet de Psortie
connatre le point de repos Ptransfert IC0
Ptransfert(IB0, IC0) sur la
caractristique de transfert en IB=0
courant dans le plan (IC, IB). IB VCE0
IB0
Le courant de sortie IC0 tant
connu, le point de fonctionnement
Psortie(VCE0, IC0). appartient la VBE0
droite de charge statique. On en Pentre
Figure 4
dduit par projection, le point de
repos dans le rseau de sortie.
VBE
Pr. A.SDAQ : Facult sciences ibn Zohr (Agadir_Maroc) 23 Transistor bipolaire

2. Diffrents rgime de fonctionnement d'un transistor bipolaire


2.1 Rgime normal
C'est le cas o les deux jonctions du transistor sont polarises en sens contraire (effet transistor).
Le point de repos est gnralement sur la partie rectiligne horizontale des caractristiques de sortie (rgion
linaire).

2.2 Rgime bloqu IC

Ds que la tension d'entre VBE (ou VBB) est infrieure VCC


la tension seuil Vd de la jonction E-B, cette dernire est RC
bloque. Le courant IB est quasiment nul et le point de repos
est Q (figure 5) de coordonnes IC 0 et VCE VCC.

Remarque : Q
Pour bloquer un transistor, il suffit de polariser en
IB=0
inverse les deux jonctions E-B et C-B. VCC VCE
Figure 5
2.3 Rgime satur IC
Lorsqu'on augmente la tension d'entre, le courant IB VCC S0
augmente et le point de repos est dplac jusqu' sa position
RC
limite S0 figure 6). Les courants IC et IB tant limits
uniquement par RB et RC. Le transistor est satur et on a IC
VCC/RC et VCE 0.

Remarque : IB=0
On dit que le transistor fonctionne en commutation (ou VCC VCE
Figure 6
en tout ou rien) sil prend les seuls tats :
bloqu : Ic=0 et IB=0, VCE=VCC.
Satur : IC=IC sat=VCC/RC et VCE=0.

3. Autre montages de polarisation courants:


En pratique, on peut utiliser d'autre circuit de polarisation (moins coteux) et qui prsentent le mme
fonctionnement.
Dans les montages usuels, on utilise rarement une source de tension spare VBB pour polariser en direct la
jonction E-B. On alimente la base partir d'un gnrateur unique VCC:
soit par une rsistance srie RB (figure 7-a);
soit par un pont diviseur rsistance R1 et R2 (figure 7-b).

IC IC
RC RC
R1
C C
RB VCC
VCC
IB B IB B

E R2 E
IE IE

Figure 7-a Figure 7-b