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GUIA N 01
SOLUCION:
SOLUCION:
Por ser C.C.C el cobre presenta difraccin en planos hkl que cumplan
h,k,l = 2n
h, k, l = 2n 1n = 1, 2, 3
Es decir, para los planos, en orden creciente, de ndices: (111), (200),
(220), (331), (222)
De donde:
3, 616
111 = = 2, 088
3
3, 616
200 = = 1,808
4
3, 616
220 = = 1,278
5
3,616
311 = = 1,090
6
Por lo que resulta evidente que = 1, 419 no puede corresponder a
difraccin sobre planos del cobre, confirmado la existencia de otras fases
diferentes en la estructura.
GUIA N 03 ESTRUCTURA CRISTALINA
Datos:
SOLUCION:
a)
4
20 4 0 = (1)
2
Sustituyendo los datos:
b)
( /)( )
= (2)
( )( )
= . /
04. El galio tiene una estructura ortorrmbica, con a0=0.45258 nm,
b0=0.45186 nm y c0=0.76570 nm. El radio atmico es 0.1218 nm. La
densidad es de 5.904 g/cm3 y la masa atmica es de 69.72 g/mol.
Determine a) el nmero de tomos en cada celda unitaria y b) el factor de
empaquetamiento de la celda unitaria.
Datos:
SOLUCION:
a)
( /)( )
=
( )( )
( )( )
= (1)
Volumen de celda = 0 0 0
Volumen de la celda =
0.45258 107 0.45186 107 0.76570 107
Entonces el volumen de la celda ser:
Vol. Celda = .
Ahora sustituyendo los valores en (1)
(5.904 3 )(1.5659 1022 3 )6.021023
=
69.72 /
= .
b) Factor de empaquetamiento:
( ) ( )
. = (2)
( )
Se calcula el volumen del atomo, considerando que estn como
esferas rigidas:
4
= 3
3
4
= (0.76570 107 )3
3
= 7.58751024 3
(8)(7.58751024 3 )
. =
1.5659 1022 3
. = 0.3876
Datos:
:
:
:
:
:
SOLUCION
0.2866
= = = 0.1013
2 + 2 + 2 22 + 22 + 02
(1)(0.1790)
= = = 0.884
2 2(0.1013)
= 1 (0.884)
= 62.13
para el conjunto de planos (311) est a los 36.12 (para una reflexin de
SOLUCION
a)
(1)(0.0711 )
311 = = = .
2 36.12
(2)( )
2
b)
0.3804
= = = .
22 22
GUIA N 05 IMPERFECCIONES O DEFECTOS CRISTALINOS
= . /
En un diseo de tratamiento trmico que proporcione 1000 veces mas vacancias en el cobre de
las que estn normalmente presentes a temperatura ambiente. Se requieren aproximadamente
20.000 cal/mol para producir una vacancia en el cobre.
20.000
= 8.47 1022 [ ]
(1.987)(298)
= 1.815 1011 /3
Se desea calcular la temperatura de tratamiento trmico que produzca una concentracin de
vacancias 1000 veces mayor que este nmero: es decir, = 1.815 1011 /3 .
= 1.815 1011 = . ( )
20.000
= 8.47 1022 exp ( )
1.987
20.000 1.815 1011
( )= 22
= 0.214 1011
1.987 8.47 10
20.000
= ln(0.214 1011 ) = 26.87
1.987
20.000
= (1.987)(26.87)
= 375 = C
a) la densidad
b) el numero de vacantes por gramo de Pb
SOLUCION
a)
( /)( )
=
( )( )
(499/500)(4)(207.19 /)
= 8 3 23
= 11.335 /3
(4.949 10 ) (6.0210 )
b)
El plomo tiene 500/4 = 125 celdas unitarias
1 1
[ ]
125 11.335 /3
( )
(4.949 108 )3
= . /
GUIA N 06
09.-