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Resistividad
Mise-a-la-masse
Potencial espontaneo (SP)
Polarizacin inducida (IP)
= RA/L
R = V/I
= 2 V / I K
K = factor
geomtrico
Schlumberger
Dipolo-dipolo
Efecto ms significativo
para menas diseminadas
Cargabilidad
M = Vp / Vo (mV/V o %)
Cargabilidad aparente
Ma = A / Vo (ms)
A mayor frecuencia,
la resistividad aparente es menor
(el sistema tiene menos tiempo de
acumular y/o equilibrar el sobrevoltaje, el
transporte de cargas es inconcluso)
Efecto frecuencia
Factor metlico
FE = a0 a1 / a1 (sin unidades)
MF = A (a0 a1) / (a1 a1) (Siemens/m)
Porcentaje de efecto frecuencia
MF = A * FE / a0
PFE = 100 * FE
Mise-a-la-masse
Parmetro fsico medido Campo elctrico
Unidades Milivoltios
Potencial espontneo
Parmetro fsico medido Campo elctrico natural
Unidades Milivoltios
Susceptibilidad 0,02-0,04 SI