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VDD 12 V
VDS 6V
3 Clculos
Para realizar de una manera precisa y eficiente se
procede a realizar el clculo de los datos fsicos del
transistor a usar para usarlo en los posteriores tems,
los cuales dan usando configuracin de la
polarizacin de un transistor FET que se encuentre
en la figura 4 con fuente en el gate y fuente drain Figura 5: Parametros reales del transistor
source los cual variando los parmetros de la fuente
de control VGS obteniendo los valores que se
encuentran en la tabla 3 que se presenta a
continuacin siguiendo el patrn que se muestra en
Laboratorio Electrnica Analgica 2 Grupo 1
2.42
= (1 ) (2.70) (3) Ecuaciones de comportamiento
4.84
2
= 0.79 (4) = (1 ) (11)
= + (5)
= (1 ) (12)
12 = (2.42) + 6 (6)
126
= 2.42 (7) = (1
2.42
) (2.70) (13)
4.84
= 2.47 2.4 (8)
= 0.79 (14)
= (9)
+ = 0 (15)
= 2.4 2.42 = 5.8 (10)
= (16)
La tabla 4 resume los datos importantes para su
posterior aplicacin 0.79
= 2.42 (17)
CALCULADO = 326.45 330 (18)
VGS -0.79V = (19)
RD 2.4K
= 12 6 (330 2.42) (20)
= 5.20 (21)
VRD 5.8V
5.20
= 2.42 = 2.15 2.2 (22)
VCE 6V
ID 2.42mA
= 979.4 1 (36)
RS 330
2
= 1+2 (37)
VRD 5.20V
2
3 = 12 90 (38)
VDD 12V
2 = 22.5 (39)
ID 2.42mA 1 = 90 22.5 68 (40)
La tabla 6 resume los datos importantes para su
VCE 6V
posterior aplicacin
Tabla 5: Resumen para la aplicacin en la prctica
3.3 Polarizacin de un transistor FET CALCULADO
con divisor de tensin.
En las ecuaciones 23 hasta la ecuacin 40 se puede VGS -0.79V
observar el comportamiento de la polarizacin de
un transistor FET con divisor de tensin como se RD 1K
indica en la figura 8.
RS 1.5K
R1 68K
R2 22.5K
VRD 2.37V
VDD 12V
ID 2.42mA
2.42
= (1 ) (2.70) (26)
4.84
= 0.79 (27)
= = 3 (0.79) (28)
= 3.79 (29)
Laboratorio Electrnica Analgica 2 Grupo 1
= (1 ) (41)
2.42
= (1 4.84
) (2.70) (42)
= 0.79 (43)
Figura 10: Polarizacin de un transistor FET con
12 = 0 (44)
fuente doble simtrica.
= 12 + 0.79 (45)
= 12.79 (46)
= + (53)
12.79
= = 2.42 (47) = = 4 (54)
RD 2.2K VGS 4V
RS 5.1K VDS 4V
VDS 6V RS 1.33K
PRESUPUESTO MATERIALES
HERRAMIENTAS CANTIDAD
MULTIMETRO 2
FUENTE DOBLE 1
SIMETRICA
PROTOBOARD 1
PELACABLES 1
PINZAS 2
ID 2.42mA 2.54mA
VCE 6V 6.32
CALCULADO MEDIDO
RD 2.2K 2.2K
RS 330 330
CALCULADO MEDIDO
VDS 6V 5.76V
ID 2.42mA 2.51mA
VDS 6V 5.76V
Figura 17: Recta de carga aplicado la regresin lineal Tabla 14: Comparativa de valores para la generacin
de la grfica de la recta de carga.
5.2.3 Polarizacin de un transistor FET con divisor
de tensin.
CALCULADO MEDIDO
RD 1K 1K
RS 1.5K 1.5K
Figura 19: Recta de carga aplicado la regresin lineal
R1 68K 68K
CALCULADO MEDIDO
RD 2.2K 2.2K
9 Bibliografia