Fabricacin casera de un transistor FET

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Fabricacin casera de un transistor FET a partir de un LDR de sulfuro de

cadmio.

Por Nyle Steiner K7NS 7 de mayo 2009.

La imagen de arriba muestra cmo la accin del transistor se logra improvisando una
compuerta aislada sobre un LDR de sulfuro de cadmio.
La foto fue tomada en luz normal, pero el experimento tena que llevarse a cabo en la
oscuridad.

La fotoclula utilizada en la foto de arriba. Es un tipo muy comn que compr de Radio
Shack, hace muchos aos.
Siempre he sospechado que si un transistor hecho en casa tendra xito iba a ser
probablemente con al forma de un FET.
He ledo de FET de fabricacin casera por Roger Baker en junio de 1970 en la columna
Scientific American, cientfico aficionado, en numerosas ocasiones han pensado en la
arquitectura sencilla que puede poseer un FET.
Este artculo muestra que un FET se puede hacer simplemente mediante la aplicacin de
corriente a travs de una delgada pelcula sobre un semiconductor.
Si un conductor plano se pone muy cerca de la pelcula de semiconductora y aislada de
ella, las variaciones de tensin entre el conductor y el plano de la pelcula causar
cambios en la cantidad de corriente que fluye a travs de la pelcula.

Hace poco se me ocurri que si este es el caso, podra ser capaz de crear la accin del
transistor a travs de una fotoclula de sulfuro de cadmio (en realidad una resistencia
foto sensible), ya que bsicamente consisten en un semiconductor de pelcula delgada
entre dos electrodos.
Este simple experimento sera un primer paso lgico antes de tratar de crear mis propias
pelculas delgadas de semiconductores.
Funcionara la fotoclula como un transistor si pongo una puerta aislada cerca de l?
Mi primer intento fue simplemente para observar si hay algn cambio en curso a travs
de la fotoclula mientras se mueve un peine cargado o tubo de PVC cerca de l.
La emocin de ver el cambio actual es de corta duracin despus de darse cuenta de
que la luz que incide sobre la clula fotoelctrica tambin se vio afectada por el peine en
movimiento.
Necesitaba un poco de luz en la habitacin para ver el medidor.
Hace varios aos tambin haba intentado mover un peine cargado (Peine para gatos)
cerca de algunos dispositivos para ver si la conduccin ha cambiado.
Al ver algunos cambios en curso en ese momento, fue emocionante hasta que me di
cuenta de que la atraccin electrosttica de la peine cargado era fsicamente tirando de
la peine para gatos.

Me han preguntado si simplemente poner un objeto cargado cerca de una de

semiconductores u otro tipo de pelcula, podra tener un efecto sobre la corriente
elctrica que fluye a travs de la pelcula. Por ahora, esa pregunta sigue sin respuesta.
Era el momento para tratar de improvisar una especie de puerta de conductor, cerca de
la superficie de la clula fotoelctrica.
Hice esto por poner un pedazo de cinta adhesiva en la cara de la clula fotoelctrica
para que acte como aislante.
Para realizar una capa conductora en estrecho contacto, que a continuacin, poner una
gota de agua en la parte superior de la cinta adhesiva lo suficientemente grande para
cubrir la mayor parte del rea de clula fotoelctrica.
Us el agua debido a su capacidad para ajustarse estrechamente a la superficie de la
cinta. Nada de lo necesario para ser agregado al agua debido a la resistencia del agua
normal es muy bajo en comparacin a la resistencia casi infinita de la improvisada
puerta.
Un pedazo de alambre tocando la gota de agua fue el electrodo de puerta.

De mis observaciones, la configuracin descrita anteriormente definitivamente produce

la accin del transistor.
Este experimento tuvo que llevarse a cabo en la oscuridad, por razones obvias, aunque
me encontr con que un poco de luz que cae sobre la clula fotoelctrica a veces puede
mejorar el rendimiento. No hubo accin de transistor poco o nada a la luz normal,
porque estaba saturado de la fotoclula.

Este transistor tiene ganancia de potencia considerable, pero la ganancia de voltaje muy
bajo debido a las excursiones de tensin de ancho requerido en la puerta para producir
un cambio significativo a travs de la corriente fotoelctrica.
La intuicin dice que la puerta podra ser ms sensibles al poner la puerta de ms cerca,
pero el grosor de la cinta adhesiva y el recubrimiento transparente en el frente de la
clula fotoelctrica descartado.
La resistencia de entrada de la puerta es a efectos prcticos, infinito. La nica corriente
que fluye a travs de la puerta es lo que actualmente puede filtrarse a travs de un
trozo de cinta adhesiva.

Detalle del esquema:

La batera B suministra corriente a travs de la clula fotoelctrica y R2. Corriente a
travs de la fotoclula se mide por I2. Batera B se vari entre 9 VDC a 175 VDC.

La tensin se vari entre 75 VDC y 175 VDC y estaba conectado a travs de un

interruptor para poder invertir la polaridad del voltaje aplicado a la puerta.

Cada vez que se ha cambiado el interruptor, la polaridad del voltaje a travs de la

puerta que invertir, dando lugar a una variacin de corriente a travs de I2.

R1 y R2 se usa principalmente para limitar la corriente y proteger los medidores de

corriente en caso de una alta corriente.
Dado que la impedancia de entrada es tan alto, R1 podra oscilar entre cero y 10 megas
sin notar ninguna diferencia significativa.

Este dispositivo acta como una mejora de agotamiento FET puerta aislada. Un voltaje
positivo aplicado a la puerta provoc un aumento de la corriente a travs de I2 y una
tensin negativa aplicada a la puerta provoc una disminucin en la corriente a travs
de I2.

El echo de poseer tan alta impedancia es lo que provoca la alta ganancia de potencia de
este dispositivo.
Un cambio de hasta varios cientos de voltios a travs de la puerta por lo general causa
en la mayora de una fraccin pequea de un MICROAMP el movimiento de la aguja es
apenas perceptible en el micro-ampermetro (50 uA a fondo de escala).
Esto se traduce en un cambio muy pequeo de la energa que se disipa en el circuito de
entrada. Este cambio de voltaje en la puerta puede causar un cambio de muchos
microamperios a travs de la fotoclula. Esto se traduce en un cambio significativo de la
potencia disipada en el circuito de salida a travs de R2.

La respuesta de este dispositivo tambin pareca tener un carcter dinmico. Es decir,

cuando el interruptor de marcha atrs se ha activado, la corriente a travs de R2 cambia
de repente y luego lentamente hacia la fluencia el valor anterior.
Mediante la ejecucin de una forma de onda de diente de sierra en la puerta sin
embargo, pude comprobar a mi satisfaccin, que de hecho la corriente de salida fue la
respuesta a la tensin de entrada.

La forma de onda de diente de sierra en la salida a travs de R2 fue de arriba abajo.

Esta garanta adicional proporcionada a m que este experimento era de hecho la
produccin real de la accin del transistor. Las ondas de entrada y salida se pueden ver
en las fotos de abajo.
La forma de onda de salida fue en mucho menor amplitud, aunque parece lo mismo en
la parte inferior del cuadro. La ganancia del osciloscopio se estableci superior para
compensar la disminucin de la variacin.

De entrada de forma de onda de diente de sierra

De salida se invierte de forma de onda de diente de sierra

La punta pequea en la parte inferior de la forma de onda es una pequea cantidad de

la seal de entrada de alimentacin directamente a la salida a travs de la capacitancia
parsita.

El Transistor FET Homemade se utiliza para hacer un amplificador de potencia.

Las lecturas del medidor y las seales de osciloscopio son excelentes para la evaluacin
de los dispositivos de este tipo de transistor de fabricacin casera, pero la evaluacin no
sera completa sin la construccin de un circuito amplificador real y tratando de escuchar
una seal amplificada. Yo tuve xito en hacer eso.

Un variacin de gran tensin se requiere para activar la puerta de este transistor de

crudo.
Esto hace que sea inadecuado para amplificar las seales de pequeo nivel.
Una variacin de voltaje dbil, pero de gran tamao (muy alta impedancia) de la seal
es ms adecuada para conducir este amplificador de transistor de fabricacin casera.
Afortunadamente, este tipo de seal es muy til en nuestras manos.
El zumbido de 60 Hz que nuestros cuerpos recoger alrededor de la casa es slo una
seal y es perfecto para las pruebas de este amplificador.

Con el fin de hacer una comparacin entre la seal amplificada y la seal amplificada, he
utilizado el circuito que se muestra en la figura 1.
Al tocar el "toque" el punto en la figura 1, el 60 HZ zumbido apenas si se escucha por el
derecho de poner la oreja en el altavoz.
Al tocar el "toque" el punto del circuito amplificador, el rumor puede ser fcilmente
escuchada por sentado cerca del altavoz.
A pesar de que la seal del habla es todava blando, el aumento en el volumen puede
ser claramente odo.
Por lo general, no se preocupan mucho de tener una seal como esta amplificada, pero
es muy emocionante escuchar que amplifica en esta situacin.

El transistor de fabricacin casera requiere una pequea cantidad de luz para un

funcionamiento ptimo.

Los 160 VDC es normalmente positiva, pero el amplificador pareca funcionar tan bien
cuando los 160 VDC fueron negativos. Con el voltaje negativo, tuve que invertir el
capacitor de 10 UF.

A pesar de que la ganancia de voltaje de este circuito es muy baja (hasta ahora acerca
de 1 / 10), la ganancia de potencia es considerable y creo que este experimento
demuestra claramente la accin del transistor de un simple transistor de efecto de
campo hechos en casa.
Este experimento con una clula fotoelctrica es positiva primer paso.
Es fascinante pensar en tratar de fabricacin casera pelculas delgadas, y los resultados
que podran obtenerse, como Roger Baker en 1970 ..

Hurtado pero con buenas intenciones de la pgina de Jos Pino

Texto original

Traducido por Google y yo

Si est bien es gracias a mi, y si esta mal es culpa de Google

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07/11/2009 #2

Respuesta:
CRONOS1970
Fabricacin
casera de un
transistor
FET

Exelente
Fogonazo!!

Nunca
imagine que
se pudiera
 hacer en
casa algo
as.

Y como
siempre, tus
traducciones
son
buenisimas!
Google...
naaa..!

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07/11/2009 #3

Respuesta: Fabricacin casera de un transistor FET

Tacatomon
Moderador Yuuuujuuu, ahora podr hacermis propios IRFP250 usando SiO2 en lugar del la
cinta.

Exelente articulo Fogonazo, como siempre, interesantisimos.

Saludos!!!

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07/11/2009 #4

Respuesta: Fabricacin casera de un transistor FET

electrodan
Moderador Curiosamente, los FETs de verdad sin su encapsulado tambin son sensibles a la
luz.

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07/11/2009 #5

Respuesta: Fabricacin casera de un transistor FET

CRONOS1970
Ciertamente!! Y de hecho, la mayoria de los transistores son sensibles a la luz una
vez que se les ha retirado su encapsulado..
Es ms algunos de ellos estan diseados de manera similar al LDR.

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08/11/2009 #6

Respuesta: Fabricacin casera de un transistor FET

jorger
CRONOS1970 dijo:

Ciertamente!! Y de hecho, la mayoria de los transistores son sensibles a la luz una vez que
se les ha retirado su encapsulado..
Es ms algunos de ellos estan diseados de manera similar al LDR.

Eso si que no lo saba .

Buen post fogonazo .

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08/11/2009 #7

Respuesta: Fabricacin casera de un transistor FET

arrivaellobo
De hecho, un profesor de electrnica nos dijo que si cogemos un transistor del tipo
2N3055, le quitamos la cubierta metlica y lo ponemos a la luz, se comporta como
una celda solar y produce 0,7 V.
Buen artculo.

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08/11/2009 #8

Respuesta: Fabricacin casera de un transistor FET

fernandob
Excluido fogonazo , me parece muy pero muy interesante.
no hace mas que aumentar mis dudas respecto de algunas cosas.

si de verdad hoy dia la teoria y la tecnologia esta al alcande de la mano , por

que hay naciones que no quieren estirarla ?

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08/11/2009 #9

Respuesta: Fabricacin casera de un transistor FET

CRONOS1970
Ser que los gobiernos viven de la ignorancia de sus gobernados.. porqu ms?

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03/06/2011 #10
 elPediRnR holas soy nuevo, muy bueno el post...
ahora una pregunta, esto no me serviria con una fuente de 15 v no? porqe no
puedo conseguir ninguno de los FET qe se podrian usar en el preamp del cabezal
gallien krueger qe saque de este foro, es lo unico qe me falta para poder
terminarlo... desde ya muchas gracias

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05/06/2011 #11

arrivaellobo dijo:
DavidGuetta
De hecho, un profesor de electrnica nos dijo que si cogemos un transistor del tipo 2N3055,
le quitamos la cubierta metlica y lo ponemos a la luz, se comporta como una celda solar y
produce 0,7 V.
Buen artculo.

Esta como para comprar un lote de 2n3055 y hacerme un buen panel solar

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05/06/2011 #12

arrivaellobo dijo:
Xander
De hecho, un profesor de electrnica nos dijo que si cogemos un transistor del tipo 2N3055,
le quitamos la cubierta metlica y lo ponemos a la luz, se comporta como una celda solar y
produce 0,7 V.
Buen artculo.

Ahora entiendo que hacia un 3055 en ESTE proyecto del foro