Universidad del Valle Informe 1

POLARIZACIN DEL TRANSISTOR DE UNIN

BIPOLAR (BJT)
Ricardo Vivas Guerrero. 1525442 - Nicols Pea Rueda. 1524791- Vctor Ordoez Dorado. 1524622

Abstract This paper presents the theory and calculations

of the pre-report required for the realization of bipolar II. MARCO TEORICO
transistor bias polarization (BJT) practice, showing the Punto de operacin
table data and the basic logic gates.
La polarizacin del BJT se realiza mediante tensin continua y
Key words transistor, active region, saturation, cut-off. consiste en preparar el transistor para que trabaje en la regin
activa dentro de un circuito en el cual se le quiere utilizar, se
Resumen: En el presente informe se presenta la teoria y busca que a travs del colector circule una cantidad de
calculos del pre-informe, tablas de datos obtenidos con su corriente IC, y a su vez se obtenga una tensin entre el
analisis, ademas su uso en compuertas logicas. colector y el emisor VCE para esa cantidad de corriente IC, a
esto se le llama obtener el punto de operacin o punto Q del
Palabras clave: transistor, polarizacin, transistor. La corriente IC va depender de la corriente en la
laboratorio,compuertas logicas. base IB que exista en la malla de entrada, esto porque
IC=*IB, la VCE depender de la malla de salida del circuito,
para ver esto ser de utilidad uso de las curvas caractersticas y
I. INTRODUCCIN la ecuacin de recta de carga.
Los transistores son un dispositivo electrnico de estado
slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s,
que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje,
adems de controlar el paso de la corriente a travs de sus
terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la
conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de
portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones
negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de
aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su
impedancia de entrada bastante baja. El transistor es
considerado un componente electrnico activo, pues el nivel
de salida de AC es mayor que el de entrada, esto es debido a
una transferencia de energa proporcionada por las fuentes de
DC utilizadas, por esta razn el anlisis y diseo de circuitos
con transistores requiere un anlisis en DC y otro en AC. Esta
separacin es posible gracias a que el teorema de Figura 2. Recta de carga y punto de operacin
superposicin es aplicable. Sin embargo, debe tenerse en
cuenta que la seleccin de los parmetros para los niveles de Circuito de polarizacin fija
DC requeridos afectarn la respuesta de AC y viceversa.
Este circuito representa una configuracin simple, cuyo
anlisis en DC se puede simplificar considerando un circuito
de entrada y uno de salida.

Figura 1.Transistor BJT

Figura 3. Circuito de polarizacin fija

 2

Para el circuito de entrada tenemos que: Para su anlisis se calcula la resistencia y voltaje Thvenin
equivalentes, cuyos valores se definen por las siguientes
ecuaciones:

Para el circuito de salida tenemos las siguientes ecuaciones:

Y el voltaje Thvenin viene dado por el voltaje de la

resistencia R2 as:

En donde es evidente que el nivel de la corriente de colector

depende de la resistencia de base y no de la resistencia de
colector (Rc).
El circuito se puede re dibujar de la forma:

Circuito de polarizacin estabilizada de emisor.

Esta configuracin es similar a la anterior con la diferencia

que se ha adicionado una resistencia en el emisor; ste cambio
contribuye a mejorar la estabilidad.
Figura 6. Autopolarizacin universal re dibujado.

De tal forma que se puede calcular la corriente de base y el

voltaje colector emisor as:

Figura 4.Circuito de polarizacin estabilizada de emisor. MATERIALES Y MTODOS.

Para el desarrollo de la prctica y montaje de todos los
Ahora, el circuito se describe por las siguientes ecuaciones: circuitos de la gua estn compuestos por los siguientes
elementos y/o dispositivos:

1 Osciloscopio de dos canales.

1 Fuente de DC.
Donde podemos observar que Ib ya no depende nicamente de 1 Multmetro.
Rb, ahora esta relacionada con la ganancia del transistor y Re. 4 Transistores 2N2222A
Resistencias 330K, 1K, 10K, 330, 4.7K, 2.7K, 330,
Polarizacin con divisor de voltaje- Autopolarizado 680,1.5K, 3K, 110K, 1.14M.
universal. Protoboard
2 pulsadores.
Esta configuracin tiene la gran ventaja de que la corriente de Puntas de fuente (Caimanes), pinzas, pelacables.
polarizacin Icq y el voltaje de polarizacin Vcq son 4 diodos LED.
independientes de la ganancia, la cual depende de la
temperatura.

Figura 5. Autopolarizado universal.

 3

III. CLCULOS Y SIMULACIONES Dibujo recta y punto de carga

A. Circuito de polarizacin fija

Recta de carga

Corte:
IC = 0

12 + 1K I C + V CE = 0

V CE = 12V

Saturacion:
V CE = 0

12 + 1K I C + V CE = 0

I C = 12mA

Figura 6. Recta de carga y punto de operacin.

a. Para el circuito de la figura 3, indique el punto de operacin Simulacin:
y calcule la corriente de base, la corriente de colector y el
voltaje de colector emisor. Dibuje la recta de carga y ubique el
punto de operacin.

Malla de entrada:

12 + 330K I B + V BE = 0

IC
IB =
, V BE 0.7, = 200

330K
I C = (12 0.7)/( 200 )

I C = 6.84mA

6.84mA
IB = 200 = 34.24A

Malla de salida:

12 + 1K I C + V CE = 0

V CE = 12 1K(6.84mA) = 5.16V

Punto de carga: Figura 7. Simulacin del circuito 1.

V CEQ = 5.16V I C = 7.334mA

I CQ = 6.84mA I B = 34.49A

V CE = 4.66V

b. Calcule un nuevo valor para la resistencia Rb para obtener

 4

el triple de la corriente de base inicial y repita el punto a. Simulacin

12 + RB 3IB + V BE = 0

120.7
RB = 3(34.24) = 110K

Malla de entrada:

12 + 110K I B + V BE = 0

110K
I C = (12 0.7)/( 200 )

I C = 20.54mA

20.54mA
IB = 200 = 102.7A

Malla de salida:

12 + 1K I C + V CE = 0

V CE = 12 1K(20.54mA) = 8.54V
Figura 9 .Simulacin del circuito 1.2

Punto de carga: I C = 11.89mA

V CEQ = 8.54V
I B = 103.3A
I CQ = 20.54mA
V CE = 112.2mV
Dibujo recta y punto de carga
B. Circuito de polarizacin estabilizada de emisor

Recta de carga

Corte:
IC = 0

12 + 330 I C + V CE + 1K I E = 0, IC I E

V CE = 12V

Saturacion:
V CE = 0

12 + 330 I C + V CE + 1K I E = 0

12
IC = 330 + 1K = 9.02mA

Figura 8. Recta de carga y punto de operacin .

 5

a. Para el circuito de la figura 4, indique el punto de operacin

y calcule la corriente de base, la corriente de colector y el
voltaje de colector emisor. Dibuje la recta de carga y ubique el
punto de operacin.

Malla de entrada:

12 + 470K I B + V BE + 1K I E = 0

IC
IB =
, V BE 0.7, = 200

470K
I C = (12 0.7)/( 200 + 1K)

I C = 3.37mA

3.37mA
IB = 200 = 16.86A

Malla de salida:

12 + 330 I C + V CE + 1K I E = 0

V CE = 12 330 (3.37mA) 1K(3.37mA) = 7.51V

Figura 11. Simulacin del circuito 2
Punto de carga:
V CEQ = 7.51V I C = 3.622mA

I CQ = 3.37mA I B = 16.51A

Dibujo recta y punto de carga V CE = 7.166V

b. Calcule un nuevo valor para la resistencia Rb para obtener

la mitad de la corriente de colector inicial y repita el punto a.

IC
12 + RB 2 + V BE + 1K I C = 0

IC IC
RB = (12 0.7 2 1K)/( 2 ), IC = 3.37mA

RB = 1.14M

Malla de entrada:

12 + 1.14M I B + V BE + 1K I E = 0

1.14M
I C = (12 0.7)/( 200 + 1K)

I C = 1.686mA

3.37mA
IB = 200 = 8.433A
Figura 10. Recta de carga y punto de operacin

Simulacin:
 6

Malla de salida: I C = 1.885mA

12 + 330 I C + V CE + 1K I E = 0 I B = 8.354A

V CE = 12 330(1.686mA) 1K(1.686mA) = 9.757V V CE = 9.484V

C. Circuito de polarizacin estabilizada de emisor
Punto de carga:
V CEQ = 9.757V Equivalencias:
V th = (R2 V cc)/(R2 + R1)
I CQ = 1.686mA
V th = (2.7K V cc)/(2.7K + 4.7K)
Dibujo recta y punto de carga
V th = 4.378V

Rth = (R2 R1)/(R2 + R1)

Rth = (2.7K 4.7K)/(2.7K + 4.7K)

Rth = 1.715K

Recta de carga

Corte:
IC = 0

12 + 330 I C + V CE + 680 I E = 0, IC I E

Figura 12. Recta de carga y punto de operacin. V CE = 12V

Simulacin
Saturacion:
V CE = 0

12 + 330 I C + V CE + 680 I E = 0

12
IC = 330 + 680 = 11.88mA

a. Para el circuito de la figura 5, indique el punto de operacin

y calcule la corriente de base, la corriente de colector y el
voltaje de colector emisor. Dibuje la recta de carga y ubique el
punto de operacin.

Malla de entrada:

4.378 + 1.715K I B + V BE + 680 I E = 0

IC
IB =
, V BE 0.7, = 200

1.715K
I C = (4.378 0.7)/( 200 + 680)

I C = 5.341mA
Figura 13. Simulacin del circuito 2.1.
5.341mA
IB = 200 = 26.701A
 7

I C = 5.450mA
Malla de salida:
I B = 25.06A
12 + 330 I C + V CE + 680 I E = 0
V CE = 6.478V
V CE = 12 330 (5.341mA) 680(5.341mA) = 6.605V
b. Calcule nuevos valores de R1 y R2 para obtener el doble de
Punto de carga: la corriente de colector inicial y repita el punto a.
V CEQ = 6.605V
Si reducimos nuestra resistencia de thevenin, Rth, hay menos
oposicin a que los electrones se muevan, es decir, habr un
I CQ = 5.341mA
incremento de corriente tanto de base como colector, por tanto
se ponen las siguiente condiciones para que cumpla el
Dibujo recta y punto de carga objetivo.

(R2 R1)/(R2 + R1) = 1K = Rth nueva

(R2 V cc)/(R2 + R1) + Rth nueva I B + V BE + 680 I E = 0

IC
sea, IB =
, I E I C y I C = 2 5.341mA

Se resuelve el sistema de ecuaciones de dos variables en el

programa Mathematica 11.0 student edition de tal modo que
obtenemos lo siguiente:

R1 = 1497.04

R2 = 3011.9

1K = Rth nueva

Figura 14. Recta de carga y punto de operacin V th nuevo = (R2 V cc)/(R2 + R1) 8.0158V
Simulacin:
Malla de entrada:

8.0158 + 1K I B + V BE + 680 I E = 0

1.K
I C = (8.0158 0.7)/( 200 + 680)

I C = 10.68mA

10.68mA
IB = 200 = 53.4A

Malla de salida:

12 + 330 I C + V CE + 680 I E = 0

V CE = 12 330 (10.68mA) 680(10.68mA) = 1.213V

Punto de carga:
V CEQ = 1.213V
Figura 15. Simulacin del circuito 3
I CQ = 10.68mA
 8

Dibujo recta y punto de carga

IV. TABLA DE DATOS

Tabla 1. Datos circuito de polarizacin fija.

Corriente de Corriente de
Voltaje de
base [IB] colector [Ic]
colector-emi
[ A] [mA]
sor [VCE]
DATOS [V]

TERICOS 34,24 6,84 5,16

SIMULACIN 34,49 7,33 4,66

EXPERIMENTA
LES 33,29 5,01 6,52

Figura 16. Recta de carga y punto de operacin Tabla 1.1. Datos circuito de polarizacin fija cambiando Rb

Simulacin
Corriente de Corriente de
Voltaje de
base [IB] colector [Ic]
colector-em
[ A] [mA]
isor [VCE
DATOS [V]

TERICOS 102,7 20,54 -8,54

SIMULACIN 103,3 11,89 112,2

EXPERIMENTA
LES 100,9 11,69 108,6

Tabla 2. Datos circuito de polarizacin estabilizada de emisor.

Corriente de Corriente de
Voltaje de
base [IB] colector [Ic]
colector-emi
[ A] [mA]
sor [VCE]
DATOS [V]

Figura 17. Simulacin del circuito 3.1 TERICOS 16,86 3,37 7,51
I C = 10.73mA

I B = 52.83A SIMULACIN 16,51 3,62 7,16

EXPERIMENTAL
V CE = 1.130V
ES 16,52 3,28 7,29
 9

TABLA 2.1 Datos circuito de polarizacin estabilizada

cambiando Rb.
V. ANALISIS
Corriente Corriente de
Voltaje de En esta primera prctica se logra analizar el comportamiento
de base colector [Ic]
colector-emisor del transistor BJT en DC, primeramente se lleva a cabo un
[IB] [mA]
[VCE] anlisis en papel, se realizan los clculos a los circuitos
[ A]
DATOS [V] planteados identificando las caractersticas y datos pertinentes.
Despus se comparan los valores con los simulados en donde
se puede ver una similitud en las respuestas aunque se tiene
TERICOS 8,43 1,68 9,75
que tener en cuenta que en el simulador se tienen en cuenta
muchos datos para que esta sea una aproximacin acertada
SIMULA-
siendo simulado (ver figura 18); experimentalmente arrojaron
CIN 8,354 1,885 9,484
unos resultados muy cercanos en referencia a los tericos y
simulados, aunque por muy cercanos que sean es muy dificil
EXPERI- encontrar una precisin e igualdad entre la comparacin de
MENTALE datos ya que los transistores 2N2222A tienen un rango de
S 7,38 1,549 8,51 ganancia de corriente diferentes, se puede analizar que como
los resultados son muy prximos, la ganancia de corriente ( )
debe ser muy parecida a la terica ( = 200 ), hay que
Tabla 3. Datos de circuito de polarizacin con divisor de adicionar que los elementos de medida nos agregan una cierta
voltaje. incertidumbre, a pesar de esto los resultados obtenidos fueron
un xito.
Corriente Corriente de
Voltaje de
de base colector [Ic]
colector-emisor
[IB] [mA]
[VCE]
[ A]
DATOS [V]

TERICOS 26,701 5,341 6,605

SIMULA-
CIN 25,06 5,45 6,478

EXPERI-
MENTALE Figura 18. Datos del transistor en el simulador
S 24,9 5,22 6,45
Se puede ver que en el circuito de polarizacin fija cuando se
Tabla 3.1 Datos de circuito de polarizacin con divisor de cambia la resistencia de base produce que se de una corriente
voltaje cambiando R1 y R2. de colector muy alta, pero para poder notar que ocurre una
saturacin se tiene que hallar el punto de saturacin, en
Corriente Corriente de cambio en la simulacin y experimentalmente se nota que esta
Voltaje de
de base colector [Ic] corriente llega al tope y no se pasa como lo indican los
colector-emisor
[IB] [mA] resultados tericos.
[VCE]
[ A]
DATOS [V]
VI. COMPUERTAS LOGICAS
TERICOS 53,4 10,68 1,213
Compuerta lgica NOT:
SIMULA- Siempre que su entrada est en 0 (cero) o en BAJA, su salida
CIN 52,83 10,73 1,13 est en 1 o en ALTA, mientras que cuando su entrada est en
1 o en ALTA, su SALIDA va a estar en 0 o en BAJA.
EXPERI-
MENTALE
INPUT OUTPUT
S 48,86 10,03 0,89
 10

A NOT A

0 1

1 0

Figura 21. Compuerta OR, A=0(LED Rojo 1) B=0(LED

Rojo 2) AorB=0(LED Verde)

Figura 19. Compuerta NOT, A= 0(LED Verde) NOT

A=1(LED Rojo).

Figura 22. Compuerta OR, A=1(LED Rojo 1) B=0(LED

Rojo 2) AorB=1(LED Verde)

Figura 20.Compuerta NOT, A=1(LED Verde) NOT

A=0(LED Rojo).

Compuerta lgica OR:

Cuando todas sus entradas estn en 0 (cero) o en BAJA, su
salida est en 0 o en BAJA, mientras que cuando al menos una
o ambas entradas estn en 1 o en ALTA, su SALIDA va a
estar en 1 o en ALTA. Figura 23. Compuerta OR, A=0(LED Rojo 1) B=1(LED
Rojo 2) AorB=1(LED Verde)
INPUT OUTPUT

A B A or B

0 0 0

0 1 1

1 0 1

1 1 1
Figura 24. Compuerta OR, A=1(LED Rojo 1) B=1(LED
Rojo 2) AorB=1(LED Verde)

Compuerta lgica AND:

Esta tendr una salida ALTA (1), nicamente cuando los
 11

valores de ambas entradas sean ALTOS. Si alguna de estas

entradas no son ALTAS, entonces tendr un valor de salida
BAJA (0). Desde el punto de vista funcional, la puerta AND
es un multiplicador pues su salida es el producto de sus
entradas.

Figura 26. Compuerta AND, A=1 B=0 AorB=0(LED

Verde).
INPUT OUTPUT

A B A or B

0 0 0

0 1 0

1 0 0

1 1 1

Figura 27. Compuerta AND, A=0 B=1 AorB=0(LED

Verde).

Figura 25. Compuerta AND, A=0 B=0 AorB=0(LED
Verde).

Figura 28. Compuerta AND, A=1 B=1 AorB=1(LED

Verde).
 12

Compuerta lgica NOR:

Cuando todas sus entradas estn en 0 (cero) o en BAJA, su
salida est en 1 o en ALTA, mientras que cuando una sola de
sus entradas o ambas estn en 1 o en ALTA, su SALIDA va a
estar en 0 o en BAJA.

INPUT OUTPUT

A B A or B

0 0 1 Figura 31. Compuerta NOR, A=1 B=0 AorB=0(LED Rojo).

0 1 0

1 0 0

1 1 0

Figura 32. Compuerta NOR, A=0 B=1 AorB=0(LED Rojo).

Figura 33. Compuerta NOR, A=1 B=1 AorB=0(LED Rojo).

Compuerta lgica NAND:

Cuando todas sus entradas estn en 1 (uno) o en ALTA, su
salida est en 0 o en BAJA, mientras que cuando una sola de
Figura 29. Modelo NOR aplicado. sus entradas o ambas estn en 0 o en BAJA, su SALIDA va a
estar en 1 o en ALTA.

INPUT OUTPUT

A B A or B

0 0 1

0 1 1

1 0 1

Figura 30. Compuerta NOR, A=0 B=0 AorB=1(LED Rojo). 1 1 0

 13

Regin activa: Como se puede ver en la figura 2, el transistor

opera en esta regin intermedia entre saturacin y corte, en
este estado su aplicacin es que el BJT se comporta como un
amplificador de corriente en donde la ganancia depende de la
configuracin en el montaje. Entonces puede ser amplificador
base-comn, emisor-comn o colector comn.

Figura 34. Compuerta NAND, A=0 B=0 AorB=1(LED

Roja).

Figura 19. Configuraciones tpicas del BJT

Figura 34. Compuerta NAND, A=1 B=0 AorB=1(LED
Roja).
Circuitos conmutados
Estos circuitos se caracterizan porque no permanecen en la
zona activa, es decir que cuando hay un cambio de corte y
saturacin se considera inmediato
Multivibradores
Este tipo de circuitos tiene como funcin principal en sistemas
electrnicos de temporizacin, generacin de seales
cuadradas.

Bsculas de Schmith
Su principal aplicacion es utilizarlos en sistemas de deteccin
que utilizan los sensores.

Regin de corte: Este caso se presenta cuando la corriente de

Figura 34. Compuerta NAND, A=0 B=1 AorB=1(LED
Roja).
base es prcticamente cero, por tanto la corriente de colector
sera casi cero, adems el voltaje colector-emisor es el
mximo en donde es el voltaje de alimentacin del circuito, de
forma simple decimos que el punto colector-emisor es un
circuito abierto (interruptor abierto).

Regin de saturacin:Se dice que esta saturado el transistor

cuando la corriente de colector es la mxima, de forma simple
decimos que en el punto colector-emisor hay un corto circuito
(interruptor cerrado).

Figura 34. Compuerta NAND, A=1 B=1 AorB=0(LED

Roja).

VII. APLICACIONES

Amplificadores de seal
 14

VIII. CONCLUSIONES
1. En el circuito de la figura 1, el transistor trabaja en la
parte activa, pero cuando se cambia la resistencia
para que la corriente de base sea tres veces mayor
entonces el punto de operacin se sita en saturacin
negativa.
2. El uso de transistores BJT tiene una gran importancia
por su utilidad como interruptor,de esta forma se
configura compuertas lgicas, es decir puede ser
abierto o cerrado de manera sistemtica.
3. Los resultados obtenidos fueron muy cercanos,
aunque es muy difcil tener una exactitud alta ya que
en la prctica los transistores no tienen la misma
ganancia de corriente de ( =200), por tanto si se
tiene la ficha tcnica de datos sera ms preciso.
4. Podemos comprobar el correcto funcionamiento de
las compuertas lgicas aplicadas y as concluir la
gran cantidad de aplicaciones que estas tiene en las
tecnologas de control.

IX. BIBLIOGRAFA

Diapositivas electrnica II
Guias de laboratorio electrnica II
https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%
C3%B3n_bipolar
http://mrelbernitutoriales.com/polarizacion-del-bj
t/
http://ocw.um.es/ingenierias/tecnologia-y-sistemas
-electronicos/material-de-clase-1/tema-3.-transisto
res-de-union-bipolar-bjt.pdf

X. ANEXOS

Las grficas de las rectas de carga de los circuitos

fueron realizadas en la aplicacin GEOGEBRA.
Las simulaciones de los circuitos se efectuaron
gracias al programa CIRCUIT LAB.