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Electrnica. Materia y
semiconductores
Autor: Hctor Orobio Valencia
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1. Semiconductores. Introduccin
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I. NATURALEZA DE LOS SEMICONDUCTORES
(Estructura Interna de La Materia)
Desde el punto de vista de su conductividad electrnica todos los materiales pueden
clasificarse en tres categoras: aislantes dielctricos, conductores y semiconductores. Son
materiales aislantes o dielctricos aquellos que presentan una alta resistencia al paso de la
corriente elctrica, y conductores por el contrario los que permiten fcilmente la circulacin
de la corriente. En una posicin intermedia se encuentran los semiconductores.
La explicacin a estas diferencias de conductividad radica en la estructura atmica de la
materia. Sabido es que el tomo constituye la partcula ms pequea que conserva las
caractersticas de cada elemento qumico. Tambin se sabe que los tomos estn
compuestos por un ncleo central rodeado de partculas llamadas electrones, dispuestos en
una o ms capas exteriores. As, por ejemplo, la figura muestra la estructura de un tomo
de silicio.
Obsrvese que los electrones estn dispuestos en tres capas y de la siguiente manera: dos
electrones en la capa interna y cuatro en la externa. El ncleo se compone a su vez de
protones y neutrones. Los protones tienen carga elctrica positiva, y por tanto tienden a
repelerse entre s. Los electrones dispuestos alrededor del ncleo tienen carga elctrica
negativa, y de modo anlogo, tienden tambin a repelerse entre s. Los neutrones carecen
de carga elctrica, y en consecuencia no ejercen ninguna accin mutua.
El nmero total de electrones dispuestos alrededor del ncleo es siempre igual al del
nmero de protones contenidos en el ncleo. Puesto que las cargas de un protn y un
electrn son iguales y de signo opuesto, un tomo normal se halla en estado neutro, es
decir, carece de carga elctrica. Sin embargo, si un tomo pierde un electrn adquiere
inmediatamente carga positiva, puesto que en el mismo hay ms protones que electrones.
Un tomo como el considerado recibe el nombre de in positivo. Por el contrario, si un
tomo gana un electrn adquiere una carga negativa, y recibe el nombre de in negativo.
Se ha dicho anteriormente que los electrones estn dispuestos alrededor del ncleo en una
o varias capas, segn el elemento o compuesto qumico que se trate. Los electrones que se
hallan en la capa ms externa, llamados electrones de valencia, son los que poseen mayor
energa y los que por hallarse ms alejados del ncleo, pueden separarse ms fcilmente del
tomo.
Los cuerpos que tienen pocos electrones de valencia (menos de cuatro) tienden a
Los cuerpos cuyos tomos tienen cuatro electrones de valencia poseen unas caractersticas
de conduccin intermedias y por este motivo se llaman semiconductores. Los cuerpos o
elementos semiconductores son dos: el silicio y el germanio. Ambos se utilizan
ampliamente en electrnica porque adems de reunir las propiedades elctricas y
mecnicas necesarias, son de obtencin fcil y barata. Para la fabricacin de tiristores se
prefiere el silicio al germanio, ya que el primero posee varias ventajas sobre el segundo; una
de ellas es la mayor resistencia de su estructura cristalina a temperaturas y tensiones de
servicio elevadas.
El tomo de germani tiene 32 electrones orbitando, mientras que el de silicio tiene 14. En
cada caso hay 4 electrones en la rbita ms externa (rita de valencia). Aunque el enlace
covalente de un cristal de silico o de germanio se traducir en un enlace ms fuerte entre los
electrones de valencia y su padre toma, es posible todava que los electrones de valencia
absorban suficiente energa cintica a partir de causas naturales para romper los enlaces
covalentes y adquirir el estado libre. Estas causas naturales comprenden efectos tales como
Eso significa que cada uno de los electrones perifricos de un tomo de silicio pertenece, no
solo a la capa exterior de dicho tomo, sino tambin a la de otro tomo vecino. En
consecuencia cada electrn se halla a la influencia de dos tomos ms ien que a la de uno
solo.
Si se aade, por el contrario, una pequea cantidad de aluminio (elemento cuyo tomo tiene
tres electrones perifricos) al silicio o germanio puros, estos tres electrones formarn enlaces
covalentes con tres electrones de los tomos contiguos de silicio ( o germanio), y quedar un
enlace incompleto por faltar precisamente un electrn. La uasencia de un electrn se designa
con el nombre de hueco. Una sustancia que como la obtenida de esta manera, posee un
dficit de electrones, o sea un exceso de huecos en su estructura cristalina, se llama
conductor Tipo P.Si conectan los polos de una batera a los extremos de un semiconductor
Tipo P se establecer una corriente electrnica que, partiendo del polo negativo de una
batera, atravesar el bloque de semiconductor y regresar al polo positivo. Para que los
electrones puedan moverse a lo largo de dicho bloque es preciso que rompan sus enlaces
3. Diodos semiconductores
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Se llama diodo semiconductor a la unin o combinacin de dos semiconductores, uno de
tipo P y otro de tipo N, formando una unidad PN. Hay diversos mtodos para fabricar un
diodo PN, pero, independientemente del mtodo usado, se obtiene as una unidad cuyas
caractersticas electrnicas la convierten en un elemento til.
La figura 1.4 representa esquemticamente un diodo semiconductor PN.
Entonces se cierra el circuito desde el polo negativo al positivo a travs del ctodo, del
nodo y de la carga.
Obsrvese que el flujo de electrones se desplaza por el circuito exterior desde el polo
negativo al positivo de la fuente de energa, o sea contrariamente al sentido convencional
atribuido a la circulacin de la corriente. Por otra parte, sabemos que si se aplica al diodo
una polarizacin inversa no conduce prcticamente corriente.
La polarizacin directa mnima que debe aplicarse a un diodo PN para que empiece a
conducir corriente es del orden de 0.5 V. Este valor se llama umbral de tensin. Por lo tanto
la tensin de la batera de polarizacin debe ser superior al nivel de umbral para que el
diodo pueda conducir la corriente de rgimen. Sin embargo, es evidente que si la tensin de
polarizacin se aumenta arbitrariamente hasta el punto de provocar una circulacin de
corriente superior al lmite mximo prescrito, el diodo corre el riesgo de destruirse
irreparablemente a causa del excesivo calor generado en su interior. En la mayora de los
diodos rectificadores, la corriente normal est fijada por el mximo aumento admisible de
temperatura en su interior debido a la potencia perdida y transformada en calor. Por este
motivo los rectificadores de alta intensidad de corriente van montados sobre un esprrago
roscado, donde se hallan sometidos a la accin de un "extractor de calor". Los rectificadores
de baja intensidad no necesitan ningn extractor de calor y se refrigeran simplemente por
ventilacin natural.
El grfico de la figura 2.0 muestra la curva caracterstica representativa de las variaciones
de corriente de un diodo PN en funcin de la tensin de polarizacin aplicada, tanto directa
como inversa. Obsrvese que en el primer caso la corriente que circula es del orden de los
La curva muestra que mientras la polarizacin inversa aplicada al diodo no excede cierto
lmite, la corriente que circula es de unos cuantos miliamperios, pero que en cuanto dicha
polarizacin excede cierto lmite ( punto x), la corriente aumenta sbita y rpidamente. Ello
acarrea consigo la destruccin del diodo, a menos que sus caractersticas especiales le
permitan resistir esta corriente inversa. Tal es el caso del diodo Zener, del cual se halar
ms adelante.
La figura 2.1 reproduce el aspecto exterior de algunos tipos de diodos. Los diodos se
marcan a menudo con un signo + en el lado del ctodo o con una flecha que seala el
sentido de elevada resistencia a la conduccin. La flecha apunta al propio tiempo hacia el
+ convencional.
Cuando el suiche nmero dos (2) est abierto, slo pueden circular hacia el filamento de la
bombilla los electrones que pasen por el diodo, o sea slo la mitad de cada ciclo de
corriente alterna. Es de esperarse que en estas condiciones la bombilla slo pueda dar
aproximadamente la mitad de su luz normal.
Luz Intermitente o Flasher
Teora del Circuito: El diodo, de un amperio a 200 vatios, se pone se pone en serie con una
cualquiera de las dos lneas de corriente, de tal manera que slo pasen los electrones en el
sentido permitido por la polaridad del condensador; adems evita que ste se descargue
cuando la corriente invierta su sentido.
La resistencia se coloca para controlar el paso de electrones y hacer que el condensador se
cargue lentamente.
El tiempo en segundos que un condensador demora en alcanzar las dos terceras partes (2/3)
del voltaje de la fuente que lo carga es aproximadamente igual al producto de la resistencia
puesta en serie multiplicada por la capacidad en faradios del condensador:
8. Rectificador paralelo
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cierto lmite, llamado punto crtico de descarga, tiene lugar por un incremento
brusco de la corriente electrnica, y entonces basta un ligero aumento de la tensin
de polarizacin para provocar un notable aumento de la corriente. En esta
circunstancia se dice que el diodo entra en avalancha.
Todo ello queda puesto de manifiesto en el grfico de la figura 4.8; el cual no es
sino la caracterstica de un diodo.
Los diodos diseados para trabajar en esta zona de su caracterstica se llaman
diodo Zener, y se emplean a menudo como estabilizadores de tensin.
Al valor de voltaje por encima del cual el diodo Zener entra en avalancha se le
conoce como voltaje de ruptura o voltaje Zener, y es diferente para distintas
referencias de dichos diodos.
El rango de
prueba de los diodos Zener depender del valor de la salida del transformador, y
slo se podrn verificar diodos Zener a voltajes menores a este rango. Los voltajes
que marque el voltmetro (o multmetro) corresponden al voltaje Zener.
El diodo D2, por el contrario, no permitir paso de corriente alguna. Durante el semiperiodo
siguiente, B ser positivo con respecto a C, y por tanto circular corriente de C hasta B a
travs de la carga, y el diodo D2; el diodo D1, en cambio, bloquear la parte superior del
circuito. El sentido de las flechas indica en ambos esquemas el diferente sentido de
circulacin de la corriente durante cada semiperiodo. A pesar de ello, obsrvese que a
travs de la carga circula siempre corriente en el mismo sentido, tanto durante el
semiperiodo positivo como durante el negativo. La corriente pulsatoria obtenida con la
rectificacin de onda completa puede tambin filtrarse con un condensador conectado en
paralelo con la carga (Fig. 5.4).
El esquema de la figura 5.6B posee dos ventajs esenciales frente al de la figura 5.4: no
necesita transformador con toma central en el secundario, y proporciona una tensin de
servicio doble que la que se obtendra con el mismo transformador provisto de toma central
secundaria. Por otra parte, la cada de tensin en el circuito es tambin mayor puesto que
hay dos diodos en serie con la carga, en vez de uno.
Para corrientes de cargas mayores se requiere una inductancia grande con baja
resistencia interna. La inductancia de choque con ncleo de hierro est relacionada
directamente con su efectividad como elemento de filtro. Una caracterstica del
choque es que se opone a la variaciones de corriente, mientras los condensadores a
las variaciones de tensin. El filtro tiende a promediar o alisar los impulsos
rectificados recortando las crestas y llenando los valles, suministrando as una
tensin relativamente estable a la carga.
La salida de la tensin de c.c. se designa por +V. El valor de +V depende, pues, de
mejora el filtrado.
El transformador de potencia y la bobina o bobinas de choque deben ser capaces de
soportar la mxima corriente de carga requerida. As pues, si se ha de suministrar
una corriente de carga de 90mA, el ctodo debe estar especificado para una
corriente algo mayor. Lo mismo es aplicable a la especificacin de c.c. del
secundario del transformador de potencia T. Cuando en lugar de un choque se
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