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GEL-10255 Corrig de l'examen du 11 dcembre 2003 p.

N.B.: Notation utilise dans les notes de cours: e = q = 1.6 x 10 -19 Coulomb.

Question # 1 (25 points). Transistor bipolaire.

Un transistor bipolaire en silicium de type npn est dop comme suit: N de = 3 x 1019 /cm3; Nab = 2 x 1017
/cm3 et Ndc = 2 x 1015 /cm3. Prendre la dimension paisseur X e de l'metteur comme tant 0.8 micron,
la dimension paisseur W de la base comme tant 0.6 micron, et l'paisseur du collecteur comme
tant 100 microns. Le collecteur est polaris + 5 volts relativement l'metteur qui est la masse.

-a) Calculer le gain de courant ;


Rponse : Le gain en courant est donn par:
= (DnNdeXe)/( DpNabW) = (37.5 x 3 x 1019 x 0.8) /(13 x 2 x 1017 x 0.6) = 577 (1)

-b) Calculer la densit d'lectrons n b0 dans la base en l'absence de tension V be aplique entre
l'metteur et la base;
Rponse : On a: nb0 = ni2/Nab = 1020/2 x 1017 = 500/cm3 (2)

-c) On applique une tension Vbe = + 0. 6 volt en polarisation directe (forward bias). Calculer pour cette
tension la densit d'lectrons injects dans la base prs de l'interface avec l'metteur et la densit de
courant de diffusion des lectrons (en Ampres/m 2);
Rponse : Avec l'application de Vbe la densit d'lectrons l'interface metteur/base est multiplie
par le facteur exp (Vbe/kBT) = exp(0.6/0.026) = 1.05 x 1010, ce qui donne 5.26 x 1012 lectrons/cm3 =
5.26 x 1018 lectrons/m3 (3)
La densit du courant de diffusion sera donc:
Ie/S = qDn x 5.26 x 1018 lectrons/m3/W (4)
Ie/S = 1.6 x 10-19 x 37.5 x 10-4 x 5.26 x 1018 lectrons/m3/0.6 x 10-6 (5)
Ie/S = 5.26 x 103 A/m2 (6)

-d) Dcrire les deux cheminements possibles de trous qui sont injects dans la base partir du circuit
extrieur.

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Rponse : Le cheminement le plus important est celui o des trous injects dans la base diffusent
travers la jonction metteur/base et vont se recombiner avec des lectrons dans l'metteur. Un
autre cheminement possible est celui o des trous se recombinent avec des lectrons dans la
base lors du passage de ceux-ci en chemin vers le collecteur.

e) Par des techniques spcialises un semiconducteur tel que le phosphure d'indium peut tre joint
au niveau des plans atomiques (wafer bonding) un substrat en silicium afin de raliser une
htrojonction InP-Si. Quel serait l'avantage d'une telle htjonction dans la construction d'un
transistor bipolaire?
Rponse : Avec une htrojonction on peut avoir une barrire de potentiel entre l'metteur et la base
qui est plus grande pour les trous que pour les lectrons. Cela rduit le courant d'injection de
trous par le facteur expEg/kBT, ou Eg est la diffrence des gaps nergtiques entre les deux
semiconducteurs. Le facteur de gain en courant en est donc augment par ce mme facteur.

Question # 2 (25 points). Le MESFET.

Soit un MESFET en GaAs construit sur un substrat de type n ayant les caractristiques suivantes:
barrire de Schottky, 0.8 V; mobilit des lectrons, 8000 cm 2/V-s (0.8 m2/V-s); largeur Z du canal
(channel width) 200 microns; longueur L du canal entre source et drain (channel length) 1.5 micron;
profondeur h du canal sous la grille (channel depth), 0.5 micron; dopage du canal N d =2 x 1016 /cm3;
prendre 12.9 pour la valeur de la constante dilectrique (relative celle du vide qui est 8.85 x 10 -12
F/m) du GaAs. Dans le circuit la source est la masse.

-a) Calculer l'cart eFM entre le niveau de Fermi dans le canal du MESFET et E C, le fond de la bande
de conduction;
Rponse : L'cart eFM est donn par: eFM = kBT ln (NC/Nd) = 0.026 ln (4.7 x 1017/2 x 1016)
(7)
e FM = 0.082 eV (8)

-b) Calculer la tension VG (valeur et signe) qui applique sur la grille viendra compltement dplter
le canal de conduction et ainsi couper la conduction (condition ''off'');
Rponse: Vbi = B - F = 0.8 - 0.082 = 0.718 volts
(9)

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La barrire de potentiel Vp prsente par un canal compltement dplt est:
Vp = qNdh2/2 = 1.6 x 10-19 x 2 x 1022 x (0.5 x 10-6)2/(2 x 12.9 x 8.85 x 10-12) (10)
Vp = 3.504 volts
Pour dplter compltement le canal il faut donc avoir sur la grille une tension V G (nombre ngatif)
telle que:
Vbi - VG = Vp = 3.504 volts (11)
ce qui donne: VG = - 2.786 volts (12)

-c) Pour une tension de grille VG = - 1.2 volt, et une tension de drain VD = + 3 volts, quel sera le
courant de drain?;
Rponse : Comme la tension inverse sur le canal prs du drain est V D + (- VG ) + Vbi = 3.0 + 1.2 +
0.718 = 4.918 volts et qu'elle dpasse donc la valeur V p = 3.504 volts, le MESFET est en rgime de
saturation, i.e. le canal est pinc prs du drain. On utilise la formule pour le courant en rgime de
saturation qui est:
IDsat = g0[Vp/3 - Vbi + VG + 2(Vbi - VG)3/2/ 3Vp 1/2] (13)
On calcule:
g0 = qnNdZh/L
g0 = 1.6 x 10-19 x 0.8 x 2 x 1022 x 200 x 10-6 x 0.5 x 10-6/1.5 x 10-6 = 0.171ohm-1 (14)
IDsat = 0.171[3.5/3 - 0.718 - 1.2 + 2(0.718 + 1.2) 3/2/ 3 x 3.51/2] (16)
IDsat = 0.033 A = 33 mA (17)

-d) Pour une tension de grille V G = - 1.2 volt, dcrire les diffrents rgimes dopration sur les courbes
courant vs. tension de drain V D quand on passe de VD faible, VDsat, puis VD maximum. Quel
phnomne limite ce VD maximum?

Rponse : Dans la rgion ou VD est faible devant VDsat, le rgime est linaire, i.e. le courant
augmente linairement avec la tension de drain. la tension VDsat le canal devient pinc prs du
drain. Dans la rgion de VDsat VDmax on est en prsence d'un rgime de saturation o le canal de
conduction comprend une couche mince ''d'accumulation'' avec une forte densit d'lectrons se
dplaant la vitesse limite. Finalement quand la tension de drain atteint V Dmax des phnomnes de
multiplication de porteurs de charge (avalanche, claquage) se produisent qui viennent augmenter
le courant extrmement rapidement.

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Question # 3 (25 points). Le MOSFET.

Considrer le MOSFET classique construit sur un substrat en silicium dop de type p 8 x 10 16 /cm3.
La grille en or est isole du silicium par une couche de silice (oxide de silicium SiO 2, constante
dilectrique 3.9) de 30 nm dpaisseur. La longueur du canal sous la grille (gate length) est 0.2
micron.

-a) Calculer la tension de seuil VT du MOSFET.


Rponse : On a VT = Vfb + VS +Vox (18)
partir des courbes donnes la page 62 des notes on trouve V fb = - 0.15 volt. D'autre part on a:
F = kBTln(Na/ni) = 0.026 x ln(8 x 1016/1010) = 0.413 volts (19)
et VS = 2F = 0.826 volts (20)
Finalement, Vox est donn par:
Vox = Qs/Cox
avec Qs = (4 x 11.7 x 8.85 x 10-12 x 1.6 x 10-19 x 8 x 1022 x 0.413)1/2 (21)
Qs = 1.48 x 10-3 Coulombs/m2 (22)
et Cox = ox/dox = 3.9 x 8.85 x 10-12/30 x 10-9 = 1.15 x 10-3 Farad/m2 (23)
donnant: Vox = 1.286 volts (24)
L'quation (18) donne donc: VT = - 0.15 + 0.826 + 1.286 = 1.962 volts (25)

-b) Expliquer partir de graphiques des courbes d'nergie des lectrons pourquoi un canal de
conduction se forme sous la silice. Quand on applique la tension V T sur la grille du MOSFET d'o
proviennent les lectrons?
Rponse : Quand VG est suffisamment positif sur la grille du MOSFET les trous du substrat sont
chasss et dgagent, lectriquement parlant, des ions ngatifs qui forment une charge d'espace, le
''champ de mines''. Plus cette zone dplte s'largit, plus la barrire de potentiel qu'elle prsente
devient importante et plus elle courbe vers le bas les bandes d'nergie des lectrons. la
tension de grille VG = VT = le fond de la bande de conduction EC prs de la grille est suffisamment bas
que de nombreux lectrons s'y retrouvent et ont une densit volumique gale celle des trous dans
le substrat profond non-dplt. Les lectrons proviennent rapidement de la source o ils sont en
abondance. La source nest qu 200 nm du drain, i.e. trs proche.

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-c) Quel sera le temps minimum que mettront les lectrons pour aller de la source au drain? En plus
de ce temps limite quel autre facteur viendra limiter le temps de monte (risetime) du courant fourni
par le MOSFET?
Rponse : La vitesse maximum des lectrons est 100 km/s = 100 nm/ps, de sorte qu'ils couvriront la
longeur de la grille (gate length) en 2 ps. La capacit C de la grille et la rsistance R du circuit de
grille viendront limiter le temps de monte du courant allant au drain RC.

-d) Quel est lavantage davoir une couche de silice trs mince dans lopration du MOSFET?
Rponse : Plus la couche d'oxide de silicium est mince, plus la chute de tension ''perdue'' dans
l'paisseur de cette couche est faible. Une couche mince de silice rend donc le MOSFET capable
de fonctionner de faibles tensions et d'avoir ainsi un meilleur rendement.

Question # 4 (25 points). Miniprojet.


-a) Dcrivez l'ide principale qui a t retenue pour votre miniprojet.

-b) Faire un calcul approximatif qui montre que l'ide est ou sera ralisable dans un avenir pas trop
loign. Si des calculs ne s'appliquent pas, dcrire un scnario qui conduirait un test et
ventuellement la commercialisation de cette ide.

-c) Quelles sont les premires tapes couvrir dans le but de s'assurer de la proprit intellectuelle
mise en jeu dans un projet de design?

-d) Comment pourrait-on l'avenir amliorer le droulement d'un miniprojet de design dans le cadre
de ce cours?