43035382

UNIVERSIT TUNIS-EL MANAR

FACULT DES SCIENCES DE TUNIS

MEMOIRE DE MASTERE
Discipline
PHYSIQUE
Titre
L'inuence des impurets sur les coecients des

transports
Prsente par :
Aloine Selmi
Soutenue le .. juin 2011
Devant le Jury compos par :
M. Professeur FST Prsident

M. Professeur FST Rapporteur
M. Professeur FST Rapporteur
M. Professeur FSB Examinateur
M. Adel TRABELSI Professeur FST Directeur de
2
Table des matires
1 Les dtecteurs de rayonnement 7

1.1 Paramtres caractrisant un dtecteur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.1.1 Rsolution en nergie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.1.2 Temps de rsolution . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.1.3 Ecacit de dtection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.1.4 Sensibilit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
1.1.5 Autres paramtres et caractristiques . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.2 Les dtecteurs gaz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.2.1 Principe de fonctionnement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.2.2 Exemples de dtecteurs gazeux . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2 Interaction lectromagntique 23
2.1 Interaction des photons avec la matire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
2.1.1 Eet photolectrique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
2.1.2 Diusion Compton . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.1.3 Cration de paires . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
2.1.4 Diusion lastique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
2.1.5 Coecient d'attnuation et libre parcours moyen . . . . . . . . . . 32
2.1.6 Domaine de prdominance de chacun de ces eets . . . . . . . . . . 38
2.2 Interaction des particules charges avec la matire . . . . . . . . . . . . . . 38
2.2.1 L'ionisation et l'excitation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
2.2.2 Parcours des particules . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
2.2.3 Rayonnement de freinage : Bremsstrahlung . . . . . . . . . . . . . . 40
2.2.4 Processus d'annihilation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
3 Le dtecteur MICROMEGAS 43
3.1 MICROMEGAS (Micro Mesh Gaseous Structure) . . . . . . . . . . . . . . 43
3
4 Table des matires
3.2 Principe de fonctionnement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

3.3 Construction de Micromegas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
3.3.1 L'lectrode de drive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
3.3.2 La grille (Micromech) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
3.3.3 Les plots . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
3.3.4 Les pistes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
3.3.5 Le substrat . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
3.4 Avantages de Micromegas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
3.5 Ionisation du gaz le long de la trajectoire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
3.5.1 Les interactions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
3.5.2 Perte d'nergie moyenne par ionisation . . . . . . . . . . . . . . . . 52
3.5.3 La distribution de la perte d'nergie des particules charges . . . . . 54
3.6 Migration et diusion des charges . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
3.6.1 Vitesse de drive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
3.6.2 La diusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
3.6.3 Amplication . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
3.6.4 L'attachement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
3.7 Quencher et l'eet Penning . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
4 L'inuence des impurets sur les coecients de transport 61

4.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
4.2 Simulation par MAGBOLTZ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
4.3 Rsolution de l'quation de transport de Boltzmann . . . . . . . . . . . . . 63
4.4 Calcul des coecients de transport par mthode Monte Carlo . . . . . . . 64
4.5 Prcision du calcul des coecients de transport . . . . . . . . . . . . . . . 65
4.6 Choix de mlange gazeux . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
4.6.1 Choix de le Xnon . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
4.6.2 Choix de CF4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
4.6.3 Choix du quencher . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
4.7 Simulation des pistes et de la grille par une matrice de ls . . . . . . . . . 67
4.8 Choix de la valeur du champ lectrique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
4.9 L'inuence d'impurets lectrongatives sur les coecients de transport . . 69
4.9.1 L'inuence des molcules H2 O et O2 sur l'attachement . . . . . . . 69
4.9.2 L'inuence des molcules H2 O et O2 sur les diusions longitudinales
et les diusions transverses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
5
4.9.3 L'inuence des molcules H2 O et O2 sur la vitesse de drive . . . . 74

4.9.4 L'inuence des molcules H2 O et O2 sur l'amplication et le gain . 77
5 Le cycle du combustible nuclaire 81

5.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
5.2 L'extraction de l'uranium des minerais . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
5.3 Ranage et conversion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
5.4 L'enrichissement de l'uranium . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90
5.4.1 La diusion gazeuse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
5.4.2 L'ultracentrifugation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
5.5 Fabrication de combustible . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92
5.6 Retraitement et recyclage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96
5.7 Stockage des dchets . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97
5.8 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
Bibliographie 101
6 Table des matires
Chapitre 1
Les dtecteurs de rayonnement
1.1 Paramtres caractrisant un dtecteur

1.1.1 Rsolution en nergie
Un dtecteur est instrument capable de dterminer l'nergie d'une parti-
cule selon la prcision de la rsolution en nergie. La qualit et la performance
d'un systme de dtection utilis pour les mesures de l'nergie est caractrise
par la largeur de la distribution de hauteur d'impulsions pour des particules
de mme nergie (source mononergitique). La distribution de hauteur d'im-
pulsions n'est pas un raie, mais, elle aura une certaine largeur nie en raison
des uctuations statistique du nombre de porteurs de charge produits dans
le dtecteur, le bruit lectronique dans le dtecteur lui-mme, le prampli-
cateur et l'amplicateur, aussi la collection incomplte de la charge produite
dans le dtecteur. Ce sont les lments les plus importants aectant la rso-
lution en nergie d'un systme de dtection de radiations. La rsolution ca-
ractrise, est la qualit du dtecteur rsoudre deux nergies proches. Cette
rsolution en nergie tre peut obtenue partir de la largeur mi-hauteur
E du pic (en anglais Full Width at Half Maximum, que l'on abrge par
FWMH), et on la calcule de la manire suivante (g. 1.1) :
E
R= (1.1)
E0
La dnition de la rsolution en fait une grandeur sans dimension. La rsolu-
tion varie selon les dtecteurs. Une bonne rsolution est de l'ordre de 1%, si
on mesure des photons de 1M eV environ, on obtient avec des scintillateurs
(par exemple cristal d'iodure de sodium) un pouvoir de rsolution au mieux
de 5% 10%, mais avec des semi-conducteurs courants, on a une resolution
7
8 Chapitre 1. Les dtecteurs de rayonnement
de l'ordre de 1% et on peut aller jusqu' 0.1% ou mme 0.05% avec des jonc-
tions Germanium. Nous allons l'tudier les dtecteur gaz dans ce travail en
traitant le cas d'un dtecteur de type micromegas.
Fig. 1.1 Dtermination de la rsolution en nergie
1.1.2 Temps de rsolution

On dnit le paramtre " temps de rsolution " comme le temps d'oc-
cupation du dtecteur mais aussi celui de la chane lectronique. C'est donc
le temps aprs le dbut de signal au bout duquel le dispositif lectronique
associ peut enregistrer, nouveau un signal. Plus long que le temps mort,
il dpend de la sensibilit du circuit associ (seuil des hauteurs d'impul-
sion dtectables). Dans un dtecteur, le dpt d'nergie de l'interaction d'un
rayonnement est considr comme instantan (quelques ps quelques ns).
A la sortie du dtecteur, le signal met en gnrale beaucoup plus de temps
survenir. Le signal peut durer de quelques ns pour le semi-conducteur
quelques ms pour le gaz dans le cas o le dtecteur dlivre des impulsions
lectriques. Ceci entrane une dure non ngligeable pendant laquelle le d-
tecteur est occup engendrer le signal d l'interaction et donc tout ou
partiellement indisponible pour le traitement complet d'une interaction sui-
vante. Pour caractriser cette inertie du dtecteur on dnit le paramtre :
1.1. Paramtres caractrisant un dtecteur 9
temps mort (le temps minimum qui doit sparer deux vnement an qu'ils
soient enregistrs comme deux impulsions distinctes). On distingue deux mo-
dles de temps de rsolution (g. 1.2)
Le temps de rsolution xe : pendant ce temps le dtecteur n'est

pas aect par toute interaction conscutive celle qui engendre la
formation de signal. On peut dnir m comme le rapport des comptages
par second, et n comme le rapport des interactions par second :
n m
m= ,n = (1.2)
1 + n 1 m
Le temps de rsolution de type reconductible ou (cumulatif ) : la du-

re d'occupation du dtecteur est reconduite de , ce dernier restant
sensible toute interaction conscutive celle qui vient d'engendrer la
formation de signal.
On considre que la notion de temps de rsolution est une notion trs

gnrale, caractristique de l'ensemble de dtection (dtecteur avec le circuit
associ).
Fig. 1.2 Modles de temps de rsolution d'une chane de dtection

1.1.3 Ecacit de dtection

En principe, tous les dtecteurs de rayonnement donnent lieu une im-
pulsion de sortie pour chaque quantum de rayonnement qui interagit dans
son volume actif. Il est souvent facile d'envisager une situation dans laquelle
un dtecteur voir toutes les particules alpha ou beta qui pntrent dans le
volume actif. Le dtecteur a une ecacit de comptage de 100%. D'autre
part, les radiations non charges telles que les rayons gamma et les neutrons
doivent d'abord subir une interaction signicative dans le dtecteur avant que
la dtection est possible parceque ces radiations peuvent parcourir de grandes
distances entre les interactions. Les dtecteurs sont alors souvent moins ef-
cace. Il devient ncessaire alors d'avoir estimation prcise de l'ecacit du
dtecteur an de relier le nombre d'impulsions comptes au nombre de neu-
trons ou des photons incidents sur le dtecteur. Pour cela il est ncessaire
de subdiviser l'ecacit de comptage en deux classes : absolu et intrinsque.
L'ecacit absolue ou aussi appel l'ecacit totale est dnie comme :
vnements enregistrs
absolue = (1.3)
vnements mis par la source
Ceci est fonction de la gomtrie du dtecteur et de la probabilit d'une

interaction entre la radiation et le dtecteur. Si le dtecteur est situ une
distance d d'une source mettant des radiations de manire isotrope alors la
probabilit pour qu'une particule soit mise un angle est :
d
P () .d = (1.4)
4
O d reprsente l'angle solide de dtecteur par rapport la source
(g.1.3).
Le nombre d'vnement atteignant le dtecteur est donn par le produit du

nombre d'vnements mis par la source par la probabilit P () .d.
vnements atteignant le dtecteur = vnement mis par la source.P () .d
Donc l'ecacit absolue peut s'crire sous la forme :
vnements enregistrs
absolue = .P () .d (1.5)
vnements atteignant le dtecteur
Par suite :
1.1. Paramtres caractrisant un dtecteur 11
Fig. 1.3 Calcul de l'angle solide de dtection 'cas idal'
vnements enregistrs d d
absolue = = intrinseque . (1.6)
vnements atteignant le dtecteur 4 4
L'ecacit intrinsque est dnie comme :
vnements enregistrs
intrinseque = (1.7)
vnements atteignant le dtecteur
L'ecacit intrinsque dpend habituellement de plusieurs facteurs [1] par

exemples l'nergie du rayonnement, l'paisseur du dtecteur, les sections e-
caces d'interaction de la radiation incidente sur le matriau du dtecteur, de
la gomtrie du plan de dtection, la perte d'nergie, la hauteur du volume
d'amplication, les bruits lectroniques, le nombre des paires lectron-ion
produits et collects, le gaz, et surtout les matriaux de dtection. . .
En conclusion, l'ecacit du dtecteur dpend essentiellement de :
La densit et la taille des matriaux de dtecteurs
Type et nergie du rayonnement
L'lectronique
1.1.4 Sensibilit
La sensibilit est un caractre important de dtecteur. Elle varie selon
plusieurs facteurs, et comme la lumire reprsente la partie visible d'un large
spectre, dans lequel l'il humain est sensible, le dtecteur a une gamme
d'nergie, dans laquelle il est sensible. La sensibilit du dtecteur un rayon-
nement avec une nergie donne dpend de nombreux facteurs comme :
La masse de dtecteur : une plus grande densit de masse et de volume
sont ncessaires pour diminuer le taux d'interaction.
Les bruits radioactifs internes : le bruit interne de dtecteur, comme les

radio-impurets de composants (les soudures, des rsistances,. . . ).
Les bruits radioactifs externes : comme les rayons cosmiques et l'envi-
ronnement.
Le bruit lectronique : le rapport du signal d'ionisation produit dans le
dtecteur par la moyenne du niveau de bruit lectronique la sortie du
dtecteur, doit tre aussi lev que possible.
1.1.5 Autres paramtres et caractristiques

Plusieurs autres paramtres sont importants pour caractriser la qualit de
dtecteur et leur performance de mesure, pour cela on traite par exemple :
La rponse gomtrique : il faut que l'angle d'incidence des rayonne-

ments tre constante pour avoir une inuence sur la rponse du dtec-
teur, en fait, en pratique on cherche avoir des dtecteurs aussi isotropes
que possible.
La stabilit de la rponse et de l'information dans le temps : un dtecteur
doit avoir une rponse qui ne varie que trs peu dans le temps.
Plus gnralement, un dtecteur et sa chane de mesure associe, doivent avoir

les mmes qualits que celles recherches pour tout type de capteur physique :
rapidit, bon rapport signal-bruit, insensibilit aux conditions extrieures
(temprature, humidit, lumire, champs lectromagntiques,..), etc.
1.2 Les dtecteurs gaz

Les dtecteurs de particules sont bass sur les phnomnes de leurs inter-
actions avec la matire. Dans la suite on va discuter des principes de quelques
types des dtecteurs et leurs phnomnes physiques. Selon le milieu dtecteur
on peut classer les dtecteurs de rayonnement en trois familles :
Les dtecteurs gaz. C'est la famille de dtecteurs qui nous intresse et

qui renferme les dtecteurs de type Micromegas (Micro Mech Gaseous
Structure).
Les scintillateurs dont le principe de fonctionnement est bas sur le
processus de scintillation dans le milieu dtecteur qui peut tre cristallin
(en gnral le NaI) ou organique (plastique, liquide. . . ).
1.2. Les dtecteurs gaz 13
Les dtecteurs semi-conducteurs. Comme exemple les dtecteurs

Germanium.
1.2.1 Principe de fonctionnement

Ces dtecteurs comptent parmi les plus anciens dispositifs (lectroscopes,
lectromtres, etc.) et les plus utiliss. Ainsi, un dtecteur gaz renferme
un volume de gaz dans lequel des lectrodes crent un champ lectrique an
de collecter les particules. La faible densit des gaz confre cependant ces
dtecteurs une mauvaise ecacit de dtection aux photons X et et les
neutrons. Par contre, ils sont encore trs fortement utiliss actuellement, en
gnral ces dtecteurs sont utiliss en physique nuclaire pour la dtection
des particules charges ou la mesure des ux importants gamma ou neutrons
(dosimtrie, radioprotection). La particule charge pntrant dans le dtec-
teur perd son nergie en ionisant ou excitant les molcules ou les atomes
de gaz tout au long de sa trajectoire. Il en rsulte notamment la formation
de paires ion-lectron ou ion-ion qui migrent vers l'anode et la cathode. Les
lectrons produits par ionisation sont donc collects par l'anode et les ions
forms sont recueillis sur la cathode priphrique. La mesure se dcompose
sur deux processus physiques bien distincts :
La drive des charges vers les lectrodes.

La multiplication des lectrons dans un champ lectrique intense et la
collection des charges sur les lectrodes.
1.2.2 Exemples de dtecteurs gazeux

Chambres proportionnelles multils (MWPC's)
A la n des annes 60, la famille des dtecteurs gazeux ls tait re-
prsente par les compteurs proportionnels. Ceux-ci prsentaient des limita-
tions svres leur utilisation en physique exprimentale ; temps mort im-
portant, rsolution spatial limite et surtout impossibilit de concevoir des
dtecteurs ne granularit. En 1968, Georges Charpak [2] et son quipe ont
mis au point des chambres proportionnelles multils permettant de rsoudre
ces problmes. Il a montr en eet qu'un ensemble de ls anodiques disposs
entre deux plans cathodiques parallles se comportait comme un ensemble
de compteurs proportionnels indpendants mais sans sparation physique.
Une telle chambre de type MWPC (g. 1.4) est typiquement constitue d'un
plan de ls anodiques de diamtre de l'ordre de 20 microns rgulirement es-
pacs de 2mm et situ entre deux plans cathodiques ports haute tension.
Un plan de cathode peut tre soit une feuille mtallique soit une grille de
ls. Ce dtecteur se prsente sous la forme d'une chambre rempli d'un gaz
noble comme l'argon ou l'xnon associ a un quencher comme l'isobutane
ou l'thane. Le rle du quencher est de contenir l'avalanche par absorption
des photons UV mis par dsexcitation radiative des molcules d'argon ou
de xnon.Le fonctionnement d'une chambre ls peut tre rsum ainsi : au
passage d'une particule charge, les atomes ou molcules de gaz sont ioniss
et des lectrons sont librs dans le gaz. Sous l'inuence d'un champ lec-
trique ces lectrons migrent vers le l le plus proche de la trajectoire (anode).
Le champ lectrique tant trs intense au voisinage immdiat de l'anode. Un
processus multiplicatifs se produit quand l'nergie cintique gagne par l'lec-
tron entre deux collisions dpasse le seuil d'ionisation du gaz. Un signal est
induit sur les lectrodes par le mouvement des charges cres a l'intrieur
du champ lectrique (g. 1.5) La localisation du ls sur lequel un signal
est enregistr indique la position du passage de la particule charge dans la
chambre.L'ecacit de MWPC est proche de 100% et les gains d'amplica-
5
tion 10 peuvent atteindre avant de quitter le fonctionnement de type mode
proportionnel.Ces dtecteurs sont galement utiliss pour des applications
en imagerie X et gamma. Nanmoins, leur temps de rponse relativement
lev ( 500ns) et leur limitation en rsolution spatiale ( 200m) ont fait
obstacle une utilisation soutenue en physique des particules avec la mise
en service des collisionneurs haute intensit.
Fig. 1.4 Modlisation de MWPC

Fig. 1.5 Migration de charges vers les lectrodes
Chambres projection temporelle (TPC)

La chambre projection temporelle (en anglais, Time Projection Cham-
ber, ou TPC) est particulirement adapte la conception de dtecteurs
centraux dans plusieurs expriences installes sur les collisionneurs. La TPC
a jou un rle essentiel pour ce type de collisionneur o la gomtrie cy-
lindrique est parfaitement adapte. Elle a t utilise par les expriences :
ALEPH et DELPHI en 1990, STAR [3] Brookhaven et Gothard en 1990,
ALICE au LHC [4] et MUNU environ 2000 [1], cette technique est encore
utilise par des expriences actuelles comme HELLAZ [5] ou ICARUS [6] et
EXO.
La TPC est un dtecteur sophistiqu qui permet une localisation en trois

dimensions de la particule incidente, elle est galement capable d'identier la
particule incidente. La gure (1.6) est une reprsentation d'une TPC. Elle est
constitue d'une grande enceinte gazeuse cylindrique. L'enceinte est spare
en son plan de symtrie par une plaque haute tension porte un potentiel
ngatif. Une cage lectrostatique assure un champ lectrique uniforme et
homogne. Deux chambres proportionnelles multils sont disposes de chaque
ct du cylindre. Lorsqu'une particule ionisante traverse le volume sensible
(zone de conversion) de la TPC perpendiculairement a l'axe Z du cylindre des
paires lectron-ion sont crs par ionisation, sous l'action du champ lectrique
les lectrons issus de l'ionisation drivent vitesse constante (vd ' 5cm )

[7] paralllement jusqu' E l'une ou l'autre des extrmits de la TPC. La
dtection des lectrons en n de drive est ralise dans les secteurs de la zone
d'amplication. L'ensemble du dtecteur baigne dans un champ magntique

parallle au champ E . Le paralllisme entre champ magntique et lectrique
prsente un avantage. Sans champ magntique la diusion dominerait et il
serait impossible de reconstruire une trace. Une TPC combine les avantages
des chambres drive et la prcision des chambres proportionnelles ls.
Comme tout dtecteur, la TPC possde des avantages et des inconvnients,

pour les avantages on cite :
Une bonne rsolution spatiale

La TPC peut couvrir de grand volume
Une mesure de la trajectoire en trois dimensions
Un grand nombre de points de mesure par unit de longueur de radiation
comme inconvnients on a :
Le pouvoir de sparation des traces proches est limit.

Le temps d'occupation de la TPC empche son utilisation dans une
exprience trs haut ux.
Fig. 1.6 Principe de fonctionnement d'une TPC
Les chambres micro-pistes (Micro Strips Gas Chamber)

Les chambres micro-pistes gazeuses (MSGC) font partie d'une nouvelle
gnration de dtecteurs prcis et rapides. Initi par A. Oed en 1988 [8].
Les MSGC's reprennent le principe de fonctionnement (dtaill dans les r-
frences [9, 10, 11]) des chambres proportionnelles multils (MWPC), seule-
ment les ls sont remplacs par de nes pistes (quelques microns) intercales
entre deux cathodes : des pistes plus larges (typiquement 60 100 m). Cette
succession de pistes est obtenue par un procd de photolithographie sur un
substrat isolant. Le volume de dtection d'une MSGC est alors dni par ce
plan de pistes et une lectrode plane, situ quelques millimtres du sub-
strat. Ces deux plans dlimitent l'espace gazeux o le passage d'une particule
produit des paires lectron-ion qui, aprs multiplication, crent un signal sur
les lectrodes. Dans une telle conguration, l'avalanche a lieu prs des pistes,
lieu o le champ lectrique est trs intense (g.1.7 droite). Une vue sch-
matique d'un tel dispositif est reprsente sur la gure 1.7 ( gauche). Cette
nouvelle technique permet d'avoir une densit d'anodes sensibles bien plus
importante que dans le cas des MWPC's et confre au MSGC's une excel-
lente granularit et une trs bonne rsolution spatial (de l'ordre de 50m).
De plus, la proximit anode-cathode qui autorise une vacuation trs rapide
des ions permet ce type de dtecteur de fonctionner sous un ux lev de
6
particules (10 Hz/mm2 ).
Devant ces excellentes caractristiques, plusieurs collaborations dont HERA-
B et CMS (toutes deux ncessitant des dtecteurs de traces prcis, rapides
et pouvant supporter de haut ux) ont fortement considr l'utilisation de ce
dtecteur. Malgr toutes les avantages, MSGC's ont comme inconvnient l'in-
stabilit du gain engendrs par une accumulation des charges sur le substrat.
Le fonctionnement du dtecteur ayant subi une dose leve d'irradiation se
dgrade lentement avec une augmentation des dcharges au fur et mesure
que la dose induite augmente [12]. La passivation des pistes (Advanced pas-
sivation) est un procde coteux pour limiter le nombre de dcharges des
MSGC's. Elle consiste dposer sur le bord des pistes de la colle dont la
rsistivit est soigneusement choisie an d'viter les eets de bord, sources
de dcharges lectrostatique.
Les GEM's (Gas Electron Multiplier)

Le GEM (Gas Electron Multiplier) fut introduit en 1997 par F.SAULI
[13]. Il est constitu d'une feuille (50m d'paisseur) d'un matriau isolant :
le kapton, cuivre sur chacune des faces et perce chimiquement. Ce procd
permet d'obtenir une grande densit de trous (50 100 par mm2 ) double-
ment conique dont le diamtre et le pas sont respectivement, pour un GEM
Fig. 1.7 Reprsentation 3D du dtecteur MSGC (gure de gauche) et lignes de champs

au voisinage des pistes (gure de droite)
standard, de 70m et de 140m (g. 1.8 (b)). L'paisseur de cuivre de part

et d'autre de l'isolant est d'environ 5m. Cet amplicateur peut tre coupl
avec une MSGC (g. 1.9) ou bien TPC. En appliquant une dirence de po-
tentiel entre les deux faces mtallises on cre un champ lectrique Ea trs
intense (100 KV /cm). Le champ Ed dans la rgion de drive est plus faible.
Les lectrons de drive subissent un phnomne d'avalanche dans les trous, et
les ions qui sont produits au cours de l'amplication sont tires et recueillies
sur la face suprieure du GEM en suivant les lignes de champs, alors que la
plupart des lectrons sont extraites du GEM sous l'eet du champ lectrique
intense (g. 1.8 (a)).
On peut atteindre une rsolution spatiale de l'ordre de 50m avec les

GEM's. Aussi, le gain la sortie du GEM peut tre de plusieurs milliers. Par
contre, ces dtecteurs ne sont pas exempts de claquages. Pour rsoudre le
problme de claquages, une solution consiste combiner plusieurs lments
multiplicateurs. Le plus souvent une installation consiste superposer deux
[14] ou trois GEM's est exploite une tension plus faible et donc un signal
plus stable. Ces dtecteurs double ou triple tage permettent d'atteindre
des gains beaucoup plus haut avant d'atteindre le rgime de claquage. Les
avantages du GEM sont :
Un haut gain avant rgime de claquage.

Une capacit supporter les hauts ux.
La multiplication et la dtection de la charge s'eectuent sur deux lec-

trodes distinctes (possible d'viter la propagation des dcharges sur
l'lectronique de lecture.).
Simplicit de fabrication
Dtecteur robuste
Peu coteux
Les inconvnients sont :
La charge libre lors de claquage peut dtruire l'lectronique.

La rsolution spatiale est limite par le pas du GEM lui-mme limit
par la procdure de fabrication.
La remonte des ions dans l'espace de drive
Fig. 1.8 Les lignes de champs (a) et photographie d'une GEM (b)
Les rgions oprationnelles d'un dtecteur d'ionisation

Rgion de recombinaison : un champ faible, les lectrons et les ions
peuvent se recombiner en atomes tout de suite aprs qu'ils soient pro-
duits. Une faible quantit des charges d'ionisation sera dtecte par
l'amplicateur.
Rgion d'ionisation et les chambres ionisation : lorsque la tension est
assez grande, elle empche les recombinaisons, et par suite les charges
d'ionisation migrent vers les lectrodes. On obtient un signal qui traduit
Fig. 1.9 Reprsentation 3D du dtecteur hybride GEM-MSGC
la totalit de charge d'ionisation. Les dtecteurs oprants dans cette r-

gion, par exemple les de la matire condens, ont une trs bonne linarit
et une excellente rsolution d'nergie. Les signaux sont assez faibles
cause de l'absence de l'amplication des charges dans le dtecteur. Les
amplicateurs spciaux de bas-bruit sont ncessaires.

Rgion proportionnelle : si la tension est susamment haute E 104 V /cm ,
les lectrons sont acclrs par le champ lectrique et gagnent assez
d'nergie pour produire les ionisations secondaires. Les dtecteurs op-
rants dans la rgion proportionnel sont gaz, puisque avec un gaz ont
peut avoir un grand facteur d'amplication. L'avantage des chambres
proportionnelles est qu'elles n'exigent pas d'lectronique de bas-bruit.
L'application la plus importante des chambres proportionnelles est la
mesure de position, comme la chambre proportionnelle aux multils
(MWPC).
Rgion Geiger : si on augmente le champ encore plus fort, les nergies
d'lectrons d'ionisation primaires augmentent rapidement et ils excitent
ou ionisent tout de suite d'autres atomes. Une avalanche d'lectrons
libres s'est produite. De plus, un grand nombre de photons sont pro-
duits dans le processus par dsexcitation d'atomes. Ces photons initient
aussi des avalanches d'ionisation par eet photo-lectrique, au long du
l d'anode o le champ lectrique est plus fort. Ces avalanches se dve-
loppent trs rapidement et une dcharge produit, qui est audible. C'est
le principe du compteur Geiger, et cette rgion d'opration est appele
la rgion Geiger.
Rgion de dcharge : augmenter le champ au-del de la rgion Geiger
entrane une dcharge continue. Un dtecteur n'est plus utile s'il se

trouve dans cette rgion.
Toutes les rgions sont reprsentes dans la gure 1.10 :
Fig. 1.10 Rgimes de fonctionnement des dtecteurs gaz (les nergies indiques cor-
respondent celles cdes dans le milieu)
Chapitre 2
Interaction lectromagntique
2.1 Interaction des photons avec la matire

2.1.1 Eet photolectrique
L'eet photolectrique est dcouvert par H. Hertz en 1887 et a t analys
par A. Einstein en 1905 (Prix Nobel). Lors de ce processus, un photon inci-
dent d'nergie E interagit avec un lectron d'un atome cible X . Dans cette
interaction le photon est absorb totalement en donnant lieu un cation et
un lectron ject, suivant cette quation :
+ X X + + e
Ce processus concerne les lectrons atomiques principalement les couches
lectroniques K etL. 80% de l'eet photolectrique se produit avec des
lectrons de la couche K (couche la plus lie). L'lectron appartenant au
cortge lectronique de l'atome est ject de son orbite avec une nergie
cintique Ec gale la dirence entre l'nergie du photon incident E et
l'nergie de liaison El .(g. 2.1)
1
Ec = E El , mv 2 = h El (2.1)
2
ou :
v : vitesse de l'lectron ject

L'eet photolectrique se produit, lorsque le photon cde l'lectron une
nergie suprieure son nergie de liaison. Celle-ci varie, pour les couches
les plus profondes de l'atome, de quelques KeV pour les matriaux lgers
quelques dizaines de KeV pour les matriaux lourds. Ce phnomne est
23
24 Chapitre 2. Interaction lectromagntique
d'autant plus probable que ces deux nergies sont gales. Les lectrons sont
mis dans toutes les directions de l'espace, mais avec une direction prf-
rentielle qui dpend de l'nergie E du photon incident. Pour les photons
de basses nergies, la distribution est pratiquement symtrique par rapport
= 90 , ou est l'angle entre la direction du photon et celle de l'lec-
tron mis. Lorsque E croit, diminue. Ainsi lorsque l'nergie du photon est
leve, les lectrons sont mis dans la mme direction que le photon incident.
Fig. 2.1 Eet photolectrique
Les photons de faible nergie ( E 100KeV ) ont une forte probabilit

d'interaction photolectrique. La section ecace photolectrique dcrot ra-
pidement avec l'nergie et augmente trs vite avec Z (g. 2.2). Ainsi, l'eet
photolectrique est important pour les matriaux lourds et les photons peu
nergtiques.
Une fois le photon est absorb, l'lectron est expuls de l'atome. Ce dernier
est dit excit car son tat d'nergie n'est pas minimal. Il s'ensuit donc un
rarrangement du cortge lectronique : le site laiss vacant par l'lectron
peut tre repeupl par des lectrons des couches externes. Ce remplacement
s'accompagne d'une libration d'nergie qui peut tre ( g. 2.3) :
soit mise sous la forme d'un photon de uorescence (visible ou ultra-
violet) si l'nergie du rayonnement incident est modre.
soit mise sous la forme d'un photon X (uorescence X ), si l'nergie de
2.1. Interaction des photons avec la matire 25
Fig. 2.2 Section ecace atomique de l'eet photolectrique en fonction de l'nergie du

photon dans le carbone, le fer et l'uranium
transition est leve (infrieur 100KeV ), il peut tre recaptur par

l'atome lui mme et provoquer l'jection d'un lectron priphrique :
c'est l'mission Auger (dlai bref de quelques nanosecondes, elle est plus
frquente pour les atomes lgers).
Fig. 2.3 phnomnes de uorescence et missions Auger
2.1.2 Diusion Compton

L'eet Compton rsulte de l'interaction entre un photon incident et
un lectron quasi-libre (trs peu li) du cortge atomique. Au cours de cette
collision, l'lectron cible, dit lectron Compton, acquiert une nergie cintique
Te et est expuls dans une direction donne.(g. 2.4)
0
+ atome + e + atome
Fig. 2.4 Diusion Compton
Le photon incident est dius dans une direction faisant un angle avec la
direction du photon incident.(g. 2.5)
Fig. 2.5 Direction entre l'lectron et le photon dius

La conservation de la quantit de mouvement et de l'nergie totale permet de

calculer l'nergie E 0 de photon dius et l'nergie cintique Te de l'lectron
ject. Ainsi l'nergie du photon dius est :
0 1
h = h (2.2)
1 + (1 cos )
Avec :
h est l'nergie du photon incident et = h/me c2
Cette quation peut se mettre sous cette forme :
c c 0 h
0 = = (1 cos ) (2.3)
me c
Cette dernire relation mis en vidence le changement de longueur d'onde du
photon dius en fonction de l'angle de diusion . La constante h/me c est
12
la longueur d'onde de Compton qui vaut environ 2.4310 m.
L'nergie cintique de l'lectron est :
(1 cos )
Te = h (2.4)
1 + (1 cos )
Lorsque l'nergie du photon incident h croit, l'nergie emporte par l'lec-
tron Compton devient de plus en plus importante par rapport celle du
photon dius. Ce processus est une diusion inlastique car il y a perte
d'nergie concernant le photon incident. Ainsi, la section ecace de diusion
Compton croit quand l'nergie du photon incident diminue et vice versa, d'o
la dpendance de l'nergie est une courbe qui dcrot graduellement avec
l'nergie.
Pour un atome, o il y a Z lectrons atomiques, la section ecace par atome
est donc :
catom = Zce (2.5)
La probabilit de diusion Compton pour l'atome augmente linairement

avec le nombre d'lectrons disponibles Z .(g. 2.6)
Dans une diusion Compton, une fraction de l'nergie du photon est trans-
mise l'lectron. L'lectron Compton est toujours projet " vers l'avant
" par rapport la direction du photon incident, mais les photons peuvent
ventuellement tre mis " vers l'arrire " . On parle alors de rtrodiusion
qui sera maximale lorsque = .
Fig. 2.6 La probabilit d'interaction par eet Compton dans dirents matriaux
0
retro me c2
h = h (2.6)
me c2 + 2h
L'nergie de l'lectron est rapidement perdue dans la matire tandis que
le photon Compton a une probabilit importante de s'chapper. Pour des
faibles nergies, les photons sont mis peu prs uniformment dans toutes
les directions, alors que pour des hautes nergies, ils sont mis proche
de 0, et quasiment pas rtrodiuss " diusion en avant " . Plus l'nergie
incidente est grande, plus les lectrons Compton et les photons se regroupent
en moyenne autour de la direction du photon incident.
Pour les faibles angles ( = 0), l'lectron n'emporte que peu d'nergie mais
pour les grands angles ( = ), l'nergie transfre l'lectron vaut :
Te = h/(1 + me c2 /2h) (2.7)
L'nergie de l'lectron est maximale mais elle reste infrieure l'nergie du

photon incident. Alors, le spectre en nergie des lectrons produits par l'eet
Compton se prsente sous la forme d'un fond continu nomm fond Comp-
ton qui varie de 0 l'nergie maximale de l'lectron, ou l'intensit chute
brusquement pour constituer le front Compton.(g. 2.7)
2.1.3 Cration de paires

L'eet de production de paire ou matrialisation est un mcanisme par
lequel un photon, dans le champ coulombien du noyau, se converti en un
Fig. 2.7 Spectre en nergie d'lectrons suite des diusions Compton
paire lectron-positon :
e+ , e

L'lectron et le positon cres ont la mme masse me et la mme nergie cin-

tique Te . Si T est l'nergie incidente du photon, la conservation de l'nergie
s'crit :
T = 2me c2 + 2Te (2.8)
Cette quation (2.8) montre que la cration de paire est une raction seuil
qui n'est possible que lorsque l'nergie du photon incident a une valeur sup-
rieure deux fois la masse de l'lectron. Les lois de conservation de l'nergie
et de l'impulsion imposent la prsence d'un troisime corps, en gnral un
noyau atomique ou un lectron, qui par son recul permet l'absorption de
l'impulsion et donc sa conservation. Il permet, aussi, la rcupration d'une
quantit faible de l'nergie. Alors, Le phnomne de matrialisation ne peut
pas se produire dans le vide.
Dans le cas de cration de paires dans le champ de l'lectron, le seuil de

la raction est donc 4me c2 = 2, 044M eV . La production de paires dans le
champ lectrique de l'lectron du cortge est fortement nglige devant celle
dans le champ du noyau.(g. 2.8)
Fig. 2.8 Production de paires dans le champ du noyau et dans le champ d'un lectron
L'eet de production de paires donne lieu l'mission de rayonnements se-

condaires. En eet, l'interaction d'un positon dans la matire commence par
une phase de ralentissement trs rapide au cours de laquelle il perd son ner-
gie cintique par ionisations et excitations. Une fois que son nergie devient
de l'ordre de quelques 102 eV (presque nulle), le positon continue sa pn-
tration dans la matire par une phase de diusion au cours de laquelle il reste
dans les rgions interatomiques o il est repouss par le potentiel positif des
noyaux. A la n de diusion, le positon se combine avec un lectron libre du
milieu par une raction d'annihilation ce qui donne naissance deux photons
de 511keV mis dans des directions opposes pour conserver l'impulsion.
e+ + e +
2.1.4 Diusion lastique

La diusion lastique d'un photon consiste une collision avec la matire
dans laquelle le transfert d'nergie du photon l'atome est ngligeable. Il
existe deux types de diusion : la diusion Rayleigh et la diusion Thomson.
La diusion Rayleigh
Cette diusion est aussi appele diusion cohrente. Le photon incident
interagit avec tous les lectrons de l'atome (a) qui se mettent osciller en
phase (b) avant d'mettre un photon de mme nergie que le photon incident
mais dans une direction quelconque (c). Ce phnomne est quivalent un
simple changement de direction du photon incident.(g. 2.9)
Fig. 2.9 Les trois tapes de la diusion Rayleigh
Elle est dominante trs basse nergie, mais devient trs vite dpasse par
la diusion Compton. La section ecace dpend de l'indice de rfraction
du matriau, dans le domaine d'nergie de 10KeV une dizaine de M eV .
Plus le milieu, contient de centres diuseurs, plus la diusion Rayleigh est
importante.(voir g. 2.10)
Fig.2.10 Variation de la probabilit d'interaction par diusion Rayleigh dans direntes

matriaux
La diusion Thomson
Ce type de diusion concerne les photons de faible nergie. Le photon inci-
dent fait un choc lastique avec un lectron fortement li l'atome. L'nergie
du photon est totalement absorbe par cet lectron (a). Ce dernier est mis
en oscillation sans avoir une nergie susante pour quitter l'atome (b) puis,
par relaxation, il rmet un photon de mme nergie que le photon incident,
mais pas forcment dans la mme direction (c).(g. 2.11)
Fig. 2.11 Les tapes de la diusion Thomson
Les diusions Thomson et Rayleigh sont trs semblables et sont souvent

considres de manire globale sous le nom de diusion Thomson-Rayleigh.
2.1.5 Coecient d'attnuation et libre parcours moyen

Au contraire des particules charges qui cdent progressivement leurs ner-
gies la matire et qui subissent tout au long de leur trajectoire des collisions
avec les atomes du milieu et se ralentissent, les photons issus de la radioac-
tivit n'interagissent que trs peu avec la matire. De plus, il existe une
probabilit leve pour qu'un photon traverse une paisseur dans la matire
sans interagir : 74%, un photon de 1M eV peut traverser 1cm de germa-
nium sans voir aucune interaction. Ainsi, les photons gamma parcourent des
grandes distances entre deux collisions. Toutefois, ils peuvent perdre en une
seule collision une grande partie ou la totalit de leur nergie et disparaissent
brutalement. C'est pourquoi on ne parle pas ni de parcours des photons dans
la matire ni de ralentissement mais plutt de leur libre parcours moyen, qui
est la distance moyenne parcourue par un photon avant la premire interac-

tion. De mme on utilise la notion de coecient d'attnuation qui rsulte des
direntes interactions que peut subir un photon dans la matire.
Loi d'attnuation
Un photon soumis l'une des quatre interactions suivantes, l'eet pho-
tolectrique, la diusion Compton, la diusion Rayleigh et la production de
paire, disparat du faisceau incident.(g. 2.12)
Fig. 2.12 Illustration du phnomne d'attnuation
L'intensit du faisceau I est gale au nombre de photons incidents par unit

de surface et par unit de temps. dI est la fraction limine (subissant une
interaction) lors de la travers d'une paisseur dx de la matire, elle est
proportionnelle l'intensit I et l'paisseur innitsimale dx :
dI = (E, M ).I.dx (2.9)
Avec (E, M ) est le coecient d'attnuation linique (cm1 ), il dpend

de l'nergie E des photons et du milieu M . Ce coecient reprsente la proba-
bilit pour un photon d'interagir par unit de longueur de matriau travers.
la dimension inverse d'une longueur.
L'intgration de cette dernire relation (2.9) donne la loi d'attnuation d'un
faisceau de photons gamma :
I(x) = I0 e(E,M )x (2.10)

I0 est l'intensit du faisceau incident et I(x) son intensit aprs la traverse

d'une paisseur x de matire qui dcrot exponentiellement en fonction de
l'paisseur de la distance parcourus dans la matire. On dnit aussi un
coecient massique d'attnuation m qui dpend de la densit de matire :

m = (2.11)

m la dimension d'une surface par unit de masse (cm2 /g).
On peut dnir, pour chacune des principales interactions mentionnes, un
coecient d'attnuation particulier et on examine son volution en fonction
de l'nergie E des photons.
volution de pe (eet photolectrique)

La loi de Bragg et Pierce est donn par la formule suivante :
Z3
=K (2.12)
(h 3 )
avec :
Z est le numro atomique du milieu

K un coecient de proportionnalit.
Cette loi indique que pe / dcrot trs vite avec l'nergie des photons
incidents. La contribution de l'eet photolectrique est importante pour les
lments lourds et les rayonnements peu nergtiques.(voir la g. 2.13)
Fig. 2.13 coecient pe (eet photolectrique) pour l'eau et le plomb

La probabilit d'interaction d'un photon est grande lorsque l'nergie du pho-

ton est gale une des nergies de liaison des direntes couches (ce sont les
" pics " ). Pour les lments lgers, les nergies de liaisons sont faibles et les
nergies des photons correspondants ne sont pas observables.
Evolution de c (eet Compton)

Caractristique de c :
1
c est proportionnel
E.
c

est une constante quelque soit le milieu, ce rapport ne dpend que
deE .(g. 2.14)
Fig. 2.14 Coecient c (eet Compton) pour l'eau et le plomb
Evolution de m (matrialisation)
Ce coecient est nul si l'nergie E du photon est infrieure 1.022M eV
(l'nergie minimale correspondant deux fois la masse de l'lectron). La
valeur de m augmente si E, Z et augmentent.(g. 2.15)
Le coecient massique d'attnuation peut tre dduit graphiquement partir
des trois coecients partiels prcdents (g. 2.16). Pour le Plomb, on a :
La relation qui lie le coecient d'attnuation la section ecace est donne
par :
N
= (2.13)
A
Ou :
Fig. 2.15 Coecient m (eet matrialisation) pour l'eau et le plomb
Fig. 2.16 Le coecient massique pour le plomb
reprsente la densit du milieu travers (g/mol)

la section ecace totale (cm2 /atome)
N est le nombre d'Avogadro (atome/mole)
A est la masse atomique du milieu (g/mole)
Ainsi le coecient d'attnuation linique est la somme des coecients d'at-
tnuation linique associs chacune des interactions voques ci-dessus :
N
= (pe + c + m ) (2.14)
A
Couche de demi-attnuation
On peut caractriser la pntration d'un rayonnement dans la matire non
seulement par un coecient d'attnuation, mais aussi par la demi-paisseur
L1/2 ou couche de demi-attnuation CDA. Le libre parcours moyen est reli
au coecient d'attnuation linique par cette formule (2.15) :
R x
xe dx 1
= R0 x = (2.15)
0 e dx
La couche de demi-attnuation reprsente l'paisseur de matire ncessaire

pour diminuer la moiti l'intensit du faisceau.
I0
L 12 telque I L 21 = (2.16)
2
Appliquant la relation (2.15) pour x = L 12 , on obtient :
ln 2
L 21 = (2.17)
(E, M )
Comme , L 12 dpend aussi de l'nergie des photons et de la densit de la
matire traverse. Le CDAdpend :
Du milieu absorbant : nature(z ) et l'tat (gaz, liquide)

De l'nergie des photons
Exemple :
Pour un photon de 0, 835M eV

Atome 13 Al 29 Cu 82 P b
1
(cm ) 0.182 0.578 0.937
CDA(cm) 3.808 1.199 0.740
Le coecient d'attnuation linique augmente si le numro atomique Z
augmente et la couche de demi-attnuation diminue.
Pour le 82 P b
E(M eV ) 0.835 1.14 2.76
(cm1 ) 0.937 0.707 0.478
CDA(cm) 0.740 0.980 1.450
Le coecient d'attnuation linique diminue si l'nergie du photon incident
et la couche de demi-attnuation augmentent.
2.1.6 Domaine de prdominance de chacun de ces eets

L'eet photolectrique prdomine basseE et Z lev.
L'eet Compton prdomine Z bas.
La cration de paires prdomine hautes nergie et Z lev (pour des
nergies suprieures 4M eV , l'eet de matrialisation domine et sa
probabilit d'interaction devient de plus en plus importante pour les
matriaux lourds.).(g. 2.17)
2.17 Illustration du domaine de prdominance de l'eet photolectrique, la diusion

Fig.
Compton et de la production de paire
La contribution de la diusion Rayleigh est nulle, mais en ralit elle toujours

est ngligeable devant les trois autres mcanismes d'interaction. En plus cette
interaction se produit sans aucun transfert d'nergie au milieu.
2.2 Interaction des particules charges avec la matire

En traversant la matire, les particules charges interagissent principale-
ment avec les lectrons et trs rarement avec le noyau. Suite aux collisions
des particules avec les lectrons atomiques, elles dposent leurs nergies soit
en les excitants des niveaux d'nergie plus levs. Les atomes peuvent re-
tourner leurs tats fondamentaux en mettant des photons. Les particules
peuvent mener des interactions avec les noyaux. Si l'interaction se droule via
2.2. Interaction des particules charges avec la matire 39
la force coulombienne, la perte d'nergie serait trs faible. Si l'interaction se

produit par l'intermdiaire de la force, la perte d'nergie serait importante.
Mais, celle-ci caractrise par une trs courte porte de l'ordre de Fermi. Ainsi,
la plupart de l'nergie dpose par une particule charge dans un milieu est
attribue ses collisions avec les lectrons atomiques.
2.2.1 L'ionisation et l'excitation

L'ionisation et l'excitation coulombienne d'atomes sont les processus do-
minant dans l'interaction de particules charges avec la matire. Une particule
Q d'tat de charge Z peut provoquer les ractions suivantes :
Q (Z)
+ atome atome + Q(Z) , suivie par atome atome+ : exci-
tation (voir g. 2.18)
Fig. 2.18 Phnomnes d'excitation
Si l'nergie transfre par l'lectron incident est exactement gal la di-

rence entre les nergies de liaison de deux couches lectronique de l'atome
cible, un lectron de cet atome saute sur une couche moins lie et il y a ex-
citation. Les lectrons atomiques concerns sont les lectrons faiblement lis
des couches externes.
Q(Z) + atome atome + e +Q(Z) : ionisation (voir g. 2.19)
Si l'nergie transfre par l'lectron incident est suprieure l'nergie de

liaison (E 30eV ) d'un lectron de l'atome cible, celui-ci est expuls du
cortge lectronique et il y a ionisation de l'atome. Les lectrons atomiques
concerns sont les lectrons fortement lis de la coucheK .
Q(Z) + atome atome + e + Q(Z) : ionisation et excitation

Fig. 2.19 Phnomnes d'ionisation
2.2.2 Parcours des particules

Par dnition, le parcours correspond la distance maximale qu'une par-
ticule peut traverser dans un milieu avant de perdre son nergie cintique
(tre au repos).
Z Z
dE 1
R= dx = ( ) dE (2.18)
dx
2.2.3 Rayonnement de freinage : Bremsstrahlung

Cet eet concerne toute particule charge, mais il aecte principalement
celles les plus lgres comme les lectrons. L'lectron incident est dvi dans
le champ coulombienne du noyau de l'atome cible et ce changement de trajec-
toire s'accompagne de l'mission d'un rayonnent de freinage (voir g. 2.20).
Fig. 2.20 Eet Bremsstrahlung
Ce phnomne ne concerne que les lectrons de trs fortes nergies (plusieurs

2.2. Interaction des particules charges avec la matire 41
M eV) et que de plus traversent des milieux trs denses. La perte d'nergie
par ce processus pour une particule charge haute nergie est donne par
la relation (2.19) suivante :
dE rad Z2 183
= 4N z 2 r2 E ln( 1 ) (2.19)
dx A Z3
la perte d'nergie par rayonnement de freinage d'une particule peut tre
calcule partir de celle de l'lectron possdant la mme nergie cintique :
dE rad m 2 dE rad
e
(z, m) = z2 (e ) (2.20)
dx m dx
dans laquelle :
N est le nombre d'Avogadro
Z et A sont respectivement le numro et la masse atomique du milieu
est la constante de structure ne (1/137)
r = /m est le rayon classique de la particule
z, m, E sont respectivement l'tat de charge, la masse et l'nergie cin-
tique de la particule incidente.
2.2.4 Processus d'annihilation

L'lectron et le positon cres perdent leurs nergies par phnomne d'io-
nisation du milieu. Lorsque le positon perd son nergie cintique et s'arrte,
il s'annihile avec un lectron du milieu suivant la raction suivante :
e+ + e +
Les masses de l'lectron et du positon se transforment en nergies donnant
lieu deux photons mis 180 l'un par rapport l'autre et chacun d'eux
possde une nergie de 511KeV (voir g. 2.21).
Cette transformation est la consquence de l'quivalence entre l'nergie et la
masse traduite par la relation d'Einstein (E = mc2 ).
Fig. 2.21 Processus d'annihilation

Chapitre 3
Le dtecteur MICROMEGAS
3.1 MICROMEGAS (Micro Mesh Gaseous Structure)

Micromegas [15] est un dtecteur gaz invent en 1994 par G. Charpark et
Y. Geomataris. Trois types de dtecteurs gazeux ont jou un rle important
dans l'invention de Micromegas . Il s'agit donc des chambres proportion-
nelles multils, des chambres faces parallles ainsi que des MSGC's . Le
Micromegas est un dtecteur gazeux faces parallles fortement asymtriques
reposant sur une double structure comme nous pouvons le voir sur la gure
(3.1), il fonctionne suivant le principe des chambres ls dont il est inspir,
cependant une meilleure rsolution spatiale (50m) et une grande rapidit
de formation de signal. Il est constitu de deux espaces bien distincts spa-
rs par une microgrille. Ce dtecteur se trouve dans une enceinte tanche
dans laquelle circule un mlange gazeux, la plupart du temps base d'un
gaz noble et de quelques pour cent d'un " quencher " , un gaz modrateur
ncessaire au bon fonctionnement du dtecteur. D'une manire habituelle le
dtecteur fonctionne pression atmosphrique mais il peut aussi fonctionner
des pressions infrieures ou suprieures.
3.2 Principe de fonctionnement

Micromegas est un dtecteur qui est sensible aux particules charges. Il
est aussi sensible aux photons dans la gamme des X entre quelques keV et
quelques dizaines de keV . Pour les photons de plus haute nergie, compte
tenu de la baisse des sections ecaces d'interaction des photons avec l'ner-
gie, il est ncessaire d'utiliser des gaz lourds et de travailler des pressions
43
44 Chapitre 3. Le dtecteur MICROMEGAS
Fig. 3.1 Reprsentation 3D du dtecteur MICROMEGAS
plus importantes, de l'ordre de quelques bars. Le Micromgas compose de

deux rgions spares par une grille mtallique trs ne (3m d'paisseur),
le premier espace de 3mm [16], est dni par un plan de mylar aluminis
et par la grille. C'est l'espace de drive o sont produis les paires lectron-
ion lors du passage d'une particule charge. La seconde espace est l'espace
d'amplication il est dni par la microgrille et le plancher du detecteur.la
largeur de cet espace est de l'ordre de la centaine de microns. Des pistes sont
dposes sur le plancher et constituent les anodes du dtecteur, c'est dans cet
espace que se produira la multiplication des lectrons (voir g. 3.2). Les trois
plans de dtecteurs (cathode, grille et piste) sont ports des potentiels pour
crer les champs lectriques Ed (relativement faible Ed = 1000V /cm envi-
ron) dans l'espace de drive et Ea (trs intense pouvant atteindre 50kV /cm)
dans l'espace d'amplication. En eet la distance entre la grille et le plan des
pistes (le gap d'amplication) est trs faible en comparant avec la largeur de
la zone de drive.
Le passage d'une particule arrache au total une dizaine de paires lectron-

ion dans l'espace de conversion .sous l'action d'un champ lectrique faible (de
l'ordre de kilovolt par centimtre les lectrons crs par ionisation drivent
3.2. Principe de fonctionnement 45
vers la grille, ils passent ensuite entre les mailles de la grille et accdent la
zone d'amplication ou il y a un champ fort. Ce champ fort est de l'ordre de
quelques dizaines de kilovolt par centimtre, impos entre les pistes conduc-
trices et la microgrille. Sous l'action de ce champ lectrique, les lectrons
acquirent susamment d'nergie leur tour pour ioniser les atomes du gaz.
Un phnomne d'avalanche se produira (gure 3.3). Aprs multiplication,
les lectrons de cette avalanche sont collects par les pistes conductrices(les
anodes) du circuit alors que les ions migrent vers la grille (qui joue le rle
d'une cathode) ou ils sont collects pour obtenir un signal lectrique. Chaque
piste est relie une chane amplicatrice. Le signal mesur sur les pistes est
la somme des courants induits par les lectrons et par la migration des ions
vers la grille. A cause du phnomne de diusion des lectrons dans l'espace
de drive, le nombre de pistes touches varie alatoirement et on obtient la
position de passage de la particule en calculant le barycentre des charges
dposes (gure 3.4) sur chaque piste.
Fig. 3.2 Principe de fonctionnement du dtecteur MICROMEGAS
Finalement, le principe de fonctionnement d'un dtecteur gazeux de type

Micromegas peut tre rsum par les tapes suivantes :
La cration des charges primaires

La migration des charges vers l'espace d'amplication
La multiplication des charges
La formation du signal lectrique
Fig. 3.3 Cration des charges dans une avalanche
Fig. 3.4 Reprsentation schmatique du dplacement du barycentre des charges dans

l'espace d'amplication
3.3 Construction de Micromegas

3.3.1 L'lectrode de drive
L'lectrode de drive en mylar est recouverte d'aluminium qui se prsente
sous forme d'une ne couche. L'paisseur de cette couche est d'environ de
5m. Elle joue un rle fondamental en tant qu'lectrode, en outre, en tant
qu'une tanchit gazeuse du dtecteur.
3.3.2 La grille (Micromech)

La grille se compose essentiellement du nickel lectroform (gure 3.5).
L'lectroformage joue un rle primordial dans la fabrication des motifs d-
taills de la reproduction d'un masque ou d'un moule. L'invention de cet
3.3. Construction de Micromegas 47
outil a t en Russie pour la premire fois en1838. Elle a pour paisseur de

3m. Sa mesure est exprime en terme de L.P.I (Lines Per Inch ou Lignes
par pouce). Le modle couramment utilis est de 500L.P.I , il s'agit d'une
2
feuille ayant des trous de 41 41m . Spars par des bandes mtalliques de
11, 7m de largeur, soit un pas de 52, 7m. La taille de la feuille est de 15
15 cm2 ou de 53 53cm2 . La transparence optique d'une telle feuille est de
l'ordre de 50%. En revanche, en appliquant une dirence de potentiel su-
sante entre les deux espaces, la transparence lectrostatique est approximatif,
elle est voisine de 100% (c'est--dire que tous les lectrons sont transmis
travers la grille). Il y en assez des modles de microgrille qui sont disponibles,
leurs caractristiques sont reprsentes dans le tableau ci-dessous :
line Per Inch Pas (m) Larg des trous (m) Larg des ls (m) Transp optique
2000 12.7 7.6 5.0 36
1500 17.0 11.2 5.6 44
1000 25.4 18.0 7.4 50
750 33.9 25.1 8.6 55
670 37.9 26.2 11.7 48
500 50.8 39.1 11.7 60
Fig. 3.5 Photo de la microgrille

3.3.3 Les plots

Les plots sont des petits cylindres (g. 3.6) et (g. 3.7)de rsine disposs,
tous les 2mm, sur toute la surface du plan de pistes. La hauteur des plots
varie selon l'paisseur de l'espace d'amplication (entre 30 et 100m). Ils
permettent de maintenir l'espace d'amplication constant. Leur diamtre est
de 200m.
Fig. 3.6 Photo des microplots (taille 150 300 2m ) et des pistes (pas de largeur 150m
du dtecteur)
Fig. 3.7 Photo du dtecteur o l'on voit un plot dpos sur une piste
3.3. Construction de Micromegas 49
3.3.4 Les pistes

Les pistes en cuivre (g. 3.8) sont graves, sur une paisseur de 5m,
sur un substrat isolant par les techniques classiques de photolithographie.
Plusieurs largeurs de pistes sont disponibles. Le choix de la mtallisation des
pistes est un paramtre important. L'utilisation d'un mtal prsentant une
faible rsistance est indispensable. L'aluminium prsente une faible rsistance
et est largement utilis en micro-lectronique. Certains travaux indiquent
que ce matriau peut subir des eets de vieillissement long terme [17]. La
polymrisation de la surface de l'lectrode par les ions du gaz produits au
cours de l'avalanche entrane une modication des performances du dtecteur.
L'or qui prsente une faible rsistance, est chimiquement inerte et a un bon
comportement de vieillissement. Ce mtal recouvre les pistes de cuivre sur
une paisseur de 1m.
Fig. 3.8 Photo des pistes du dtecteur
3.3.5 Le substrat
La slection de matriau utilis en tant qu'isolant pour la ralisation des
dtecteurs Micromegas ne parait pas fondamentale pour l'obtention de per-
formances stables sous un haut ux de radiations [18]. En fait, d'aprs les
premires mesures on arrive dmontre qu'un substrat habituellement utilis
dans l'industrie, l'poxy, nous emmne obtenir des performances stables

long terme sous irradiation [19, 20]. L'paisseur de la couche isolante doit tre
aussi ne que possible an de minimiser la diusion multiple de la particule,
tout en assurant une rigidit susante pour maintenir le dtecteur plan.
Trois types de substrat sont utiliss :
l'poxy, dont l'paisseur varie de 400m 1.5mm.

le verre, dont l'paisseur varie entre 50m et 10m. pour un tel ma-
triau, il reste s'assure que les performances de Micromegas restent
stables long terme et sous forte dose d'irradiation.
un lm de kapton, d'paisseur de 5m.
3.4 Avantages de Micromegas

Une collection rapide du signal. Car dans le cas de Micromegas le pro-
blme de l'encombrement des ions (ou phnomne de retour inverse des
ions) est rsolu. On constate que le signal des lectrons est rapide de
l'ordre d'une ns, alors que le signal des ions est lui beaucoup plus lent
(200 ns environ).
Une capacit supporter les ux intenses de particules (106/mm2/s)
due une vacuation rapide de l'espace de charge
Une bonne rsolution spatiale
La rapidit de signal
Une capacit fonctionner haut ux de particules, dtecter et locali-
ser les particules le traversant lui promettent de nombreuses applications
L'eet dit compensatoire ore une situation favorable : quand l'pais-
seur de l'espace d'amplication diminue, le champ lectrique augmente.
Ainsi, le plus grand nombre d'ionisations est compens par une aug-
mentation du coecient de Townsend de la chambre. Cet eet limite
les dfauts mcanique locaux et les variations de la pression du gaz
La conception de Micromegas est facile et peu coteuse.
Un dtecteur simple et robuste
La possibilit de construire de large surface (40 40cm2 )
Une faible longueur de radiation
Une haute granularit de la grille
Une excellente ecacit de dtection voisine de 100%
Une trs bonne rsolution temporelle
3.5. Ionisation du gaz le long de la trajectoire 51
Gains levs
Une excellente sensibilit qui permet de dtecter un lectron unique
3.5 Ionisation du gaz le long de la trajectoire

Dans cette partie de chapitre, nous dcrivons les processus d'interaction
d'une Particule charge avec les atomes de gaz.
On distingue quatre processus d'interaction :
La diusion lastique de la particule sur les noyaux (diusion multiple)

Les collisions inlastiques avec un noyau
Les collisions inlastiques de la particule sur les lectrons atomiques des
molcules de gaz
Les collisions lastiques de la particule sur ces mmes lectrons
Seuls les trois derniers types d'interactions jouent un rle dans la dtection
de Particules charges. Le premier eet est responsable de la diusion mul-
tiple de la particule incidente. Les interactions nuclaires sont rares, ce sont
les interactions responsables de la production de gros dpts d'nergie dans
le dtecteur. Donc les interactions lectromagntiques sont les processus do-
minants.
3.5.1 Les interactions

Les particules charges traversent le dtecteur et ont une trajectoire rec-
tiligne. Elle perd une certaine quantit d'nergie en interagissant avec les
atomes ou molcules de gaz. Les atomes ou les molcules de gaz peuvent tre
soit ioniss, soit excits. L'nergie transfre l'lectron atomique de milieu
est susante soit pour l'amener sur des couches atomiques suprieures, et on
parlera donc d'excitation. Soit pour l'arracher de l'atome, c'est l'ionisation.
Pour chaque collision la quantit d'nergie est variable. Le nombre d'inter-
actions dans un mlange gazeux va suivre une loi de Poisson. Le nombre de
collisions ne subies par la particule charge lorsqu'elle traverse le gaz dpend
galement du mlange gazeux, aussi dpend du type et de l'nergie de la
particule incidente.
Pour chaque collision entre la particule incidente et les atomes de milieu

gazeux, on peut distinguer quatre phnomnes correspondant plusieurs
rgimes de transfert d'nergie sont possibles :
La particule charge excite l'atome de gaz. Cet atome excit peut se

dsexciter en mettant un photon qui plus souvent s'chappe du dtec-
teur, cette action due au rarrangement interne de l'atome an de re-
tourne dans son tat fondamental. Dans un mlange gazeux, un atome
A excit peut transfrer son nergie un atome B dont le potentiel
d'ionisation est plus faible ; c'est l'eet Penning [21]. Avec le mlange
gazeux, il est possible d'lever le nombre d'ionisation.
Pour le deuxime rgime, l'nergie de transfert est gal l'nergie de
liaison des atomes du gaz. l'nergie de l'lectron primaire produit par
l'interaction est en dessous du potentiel d'ionisation du gaz (15.7eV pour
l'argon). Dans ce cas le groupe d'lectrons produits chaque collision,
est constitu d'un seul lectron.
Le troisime rgime correspond des nergies de transfert qui soit im-
portantes par rapport aux nergies de liaison des lectrons dans le gaz,
ce qui conduit des lectrons arrachs au dessus du potentiel d'ionisa-
tion. L'lectron primaire peut ioniser son tour un ou plusieurs autres
lectrons. Ces lectrons nergtiques sont appels lectrons delta ayant
un parcours non ngligeables dans le milieu gazeux.
Le quatrime rgime, plusieurs lectrons sont arrachs l'atome de gaz
en une seule collision par mission Auger.
3.5.2 Perte d'nergie moyenne par ionisation

L'nergie moyenne dpose dans le volume gazeux est dcrite, en premire
approximation, par la formule (eq. 3.1) de Bethe- Bloch [22]. Elle dpend du
type de particules aussi elle dpend du mlange gazeux et surtout de l'nergie
de la particule incidente (voir g. 3.9). La particule charge incidente perd une
petite quantit d'nergie qui est transfre au milieu. Cette perte d'nergie
moyenne par ionisation, appele galement pouvoir d'arrt linaire ( dE
dx ) (voir
g. 3.10), pour une particule de charge z et de vitesse v traversant un milieu
(Z, A) est donn par la formule (eq. 3.1) de Bethe- Bloch :
2 2 2 2

dE Z z 2me c v Emax c
= 2Na re2 me c2 2
ln 2
2 2 2
dx A l Z
(3.1)
O :
3.5. Ionisation du gaz le long de la trajectoire 53
re et me respectivement le rayon classique et la masse de l'lectron

Na estle nombre d'Avogadro (Na = 6.022 1023 mol1 ).
cmg 3 est la densit du milieu traverse.
I (eV ) est le potentiel moyen d'ionisation et d'excitation du matriau
c est la vitesse de la lumire dans le vide, = vc et = 1 1
2 pour
= 2me c2 2 2 ) est l'nergie maximale transfrable en

le projectile Emax(
une seule collision.
et c sont des corrections de densit et de couche qui ne sont impor-
tantes qu' basse et haute nergie respectivement.
Fig. 3.9 Valeur la plus probable de l'nergie dpose dans un centimtre d'argon pour
direntes nergies de pion
Le nombre total nt d'lectrons produits dans l'espace gazeux est la somme des
contributions pour chaque lectron primaire (somme des lectrons produits
chaque collision). Il est proportionnel la perte d'nergie dans le gaz suivant
la relation :
E
nt = (3.2)
Wi
O E est la perte d'nergie moyenne, calcule par exemple par la formule
de Bethe- Bloch et Wi est l'nergie moyenne ncessaire la cration d'une
paire lectron-ion. En moyenne la proportion de molcules excites dpend
trs peu de l'nergie de la particule incidente. Par consquent, Wi dpend
seulement du mlange gazeux. En fait une partie de l'nergie perdue par
la particule provoque des vibrations de molcules gazeuses, aussi l'nergie
Wi apparente pour crer une paire lectron-ion est-elle suprieur l'nergie

d'ionisation du gaz.
Fig. 3.10 Perte d'nergie calcule avec la formule de Bethe-Bloch pour des muons, des
pions et des protons, dans direntes matriaux
3.5.3 La distribution de la perte d'nergie des particules charges

La distribution de la perte d'nergie des particules charges dans un ma-
triau mince est trs caractristiques, elle a t dcrite thoriquement par
Landau et Vavilov [23]. Il faut prendre en compte dans ce calculs, d'une
part, le fait que le nombre de collisions entre la particule incidente et les
atomes du milieu qu'elle traverse est faible et d'autre part qu'il est possible
qu'au cours de ces collisions un transfert d'nergie important ait lieu.
Cette distribution est connue sous le nom de Moyal, peut s'crire sous la
forme :

12 1
f () = (2) exp ( + exp ()) (3.3)
2
E E
= (3.4)

Z
=K X (3.5)
A 2
3.6. Migration et diusion des charges 55
E est l'nergie perdue par la particule

E est la perte d'nergie la plus probable
est l'nergie moyenne perdue par la particule et provient du premier
terme de la formule de Bethe
X est l'paisseur traverse.
La distribution de la perte d'nergie est relativement bien dcrite par une loi
gaussienne (voir g. 3.11).
Fig. 3.11 Distribution thorique du d'nergie d'un proton de 10GeV \ c2 dans un 1cm
d'argon
3.6 Migration et diusion des charges

Les lectrons cres dans l'espace de drive migrent vers le plan de pistes
avec une vitesse moyenne. D'une faon gnrale, la drive des lectrons dans
un gaz et sous l'inuence d'un champ lectrique est dcrite par les caract-
ristiques suivantes :
La vitesse de drive
La diusion transverse et longitudinale
L'angle de Lorentz
Les coecients d'amplication et d'attachement
Ce sont les paramtres de transport du gaz ou bien ce sont les paramtres de
transport qui caractrisent le comportement de l'lectron dans le milieu ga-
zeux. Tous ces coecients dpendent des champs lectriques et magntiques
et de pression et de temprature et bien sre de la composition de mlange
gazeux. On va dcrire dans les paragraphes suivants les paramtres de vitesse

de drive, et les coecients de diusion.
3.6.1 Vitesse de drive

Le comportement des lectrons libres dans un gaz et sous l'inuence d'un
champ lectrique a t publi en 1935 dans un article fondamental [24]. A
partir de la fonction de distribution de l'nergie, on en dduit l'expression (
3.6) de la vitesse de drive :

F0 ()
2e E
Z
V (E) = () () (3.6)
3 m
Le dplacement de ces charges est caractris par une vitesse moyenne, appe-
le vitesse de drive. L'ordre de grandeur de la vitesse de drive des lectrons
est de quelques cm par
s. cette vitesse dpend de la nature de la charge (e- ou ion) ainsi que des
sections ecaces lastiques et inlastique de collision dans le gaz, puisque la
section ecace et le temps varie beaucoup avec le champ dans la plupart de
gaz. En outre, l'addition d'une petite quantit d'un autre gaz au gaz porteur
fait apparatre un nouveau niveau d'nergie pour les lectrons entranera la
modication de la fonction de distribution de l'nergie des lectrons et par
suite la vitesse de drive et le coecient de diusion, aussi l'addition peut
modier (ou est le temps moyen entre deux collisions) et donc la vitesse de
drive.
3.6.2 La diusion
Les lectrons dans le gaz sont acclrs dans la direction du champ lec-
trique et suivent en moyenne les lignes de champ lectrique. Un petit nuage
d'lectron est donc cr autour de la trace. Ce processus s'appelle la diu-
sion, cette diusion est caractrise par deux coecients, l'un pour la diu-
sion transverse (perpendiculaire au champ lectrique) au champ lectrique et
l'autre pour la diusion longitudinale(le long du champ lectrique).
Au cours du mouvement de migration, la probabilit que l'lectron diuse

transversalement d'une distance x suit une distribution gaussienne de la
forme :
3.6. Migration et diusion des charges 57
x2

1
P (x, l) = 1 exp 2 (3.7)
t (2l) 2 2lt
O :
l est la distance parcourue par l'lectron
t le coecient de diusion transversal
De mme suivant l'axe de y :
y2

1
P (y, l) = 1 exp 2 (3.8)
t (2l) 2 2lt
Cette grandeur est trs importante pour la rsolution spatiale du dtecteur
et elle est responsable de la rpartition du signal sur plus d'une piste, comme
le montre (g. 3.12).
Fig. 3.12 Diusion des lectrons dans l'espace de drive avec champ magntique (gure
de droite) et sans champ magntique (gure de gauche)
La diusion longitudinale suivant l'axe z a pour expression :
z2

1
P (z, l) = 1 exp 2 (3.9)
t (2l) 2 2lt
La diusion longitudinale est importante pour la rsolution temporelle du
dtecteur puisqu'elle introduit une uctuation du moment d'arrive des lec-
trons sur l'anode.
En gnrale, les coecients de diusion diminuent lorsque le champ lectrique
augmente. Une thorie dtaille de la diusion dans les gaz est prsente dans
la rfrence [25].
3.6.3 Amplication
Une fois arrive dans l'tage d'amplication, les lectrons vont se trouver
dans un champ lectrique intense, le champ d'amplication. Les lectrons
sont acclrs sous l'action du fort champ lectrique (quelques dizaines de
kV /cm). Ceux ci acquirent susamment d'nergie pour pouvoir ioniser les
atomes du gaz, alors de nouveaux lectrons sont cres et vont leur tour
tre acclrs (entre deux chocs conscutifs) et engendrent de nouvelle paires
lectron-ion. Un processus en chane s'enclenche et il se produit plusieurs
fois ; ce que l'on appelle une avalanche lectronique. Il est ncessaire d'ajou-
ter au gaz noble constituant la base du mlange une certaine proportion
d'un gaz polyatomique que l'on appelle quencheur.les eets de ce gaz sur le
transport des lectrons mais il va aussi jouer un rle dans le dveloppement
de l'avalanche. Il va absorber les rayonnements lectromagntiques produits
lors de l'avalanche. Le phnomne de l'avalanche est caractris par l'inverse
de parcours moyen entre deux ionisations que l'on note . Ce coecient est
appel le premier coecient de Townsend. Ce coecient est une fonction du
champ lectrique et de la pression. Pour une longueur d'amplication d, le
gain d'un dtecteur peut s'crire sous la forme :
Zd
G = exp( (x) dx) (3.10)
Dans le cas de micromegas et avec l'approximation d'un champ lectrique

d'amplication uniforme dans l'espace d'amplication de largeur d et constant
peut s'crire :
G = ed (3.11)
Une approximation simple de peut s'crire :
p
= A exp(B ) (3.12)
p E
p tant la pression.
Les coecients A et B dpend du mlange gazeux utilis.
3.7. Quencher et l'eet Penning 59
3.6.4 L'attachement
Le processus d'attachement est un comportement oppos l'ionisation :
il s'agit de la capture d'un lectron par les molcules de gaz. La prsence
d'impurets lectrongatives, comme des molcules de O2 , H2 O, CO2 . . . ,
en particulier dans la zone d'amplication o le champ lectrique est trs
lev, rduit l'ecacit du dtecteur en attachant les lectrons avant qu'ils
atteignent les faces du micromegas. Lors de la drive dans l'espace d'ampli-
cation, les lectrons interagissent avec les molcules d'un gaz lectrongatif.
Ils peuvent tre absorbs selon l'anit du gaz et le rsultat est la cration
d'ions ngatifs. On appelle le coecient d'attachement. Il faut noter que
est fortement dpendant de l'nergie des lectrons. Le taux d'attachement
est nul pour le gaz nobles et l'hydrogne, tandis que pour les gaz halogns
et l'oxygne, il atteint ses valeurs les plus leves. La perte d'lectrons peut
tre provoque par le gaz lui-mme, prenant l'exemple de CF4 et peut aecter
l'ecacit de dtecteur. Le processus d'attachement des lectrons dans ce gaz
n'a t vu important que dans des champs lectriques trs levs (quelques
1
kV.cm ) [26].
3.7 Quencher et l'eet Penning

On appelle quencher (lment additif ), la faible addition d'un hydrocar-
bure gazeux polyatomique un gaz noble. Il permet de travailler dans un
champ lectrique intense, une grande amplication dans le gaz, des faibles
diusions (longitudinales et transversales) et une vitesse de drive leve.
Lorsque l'ion excit entre en collision avec une molcule neutre du quencher
comme le mthane CH4 , un lectron sera transfr par eet Penning [1].
L'eet Penning dsigne le transfert d'nergie, par le biais d'un photon, d'un
tat excit mtastable de l'atome de gaz rare vers une molcule de quen-
cher qui en gnral possde un potentiel d'ionisation plus bas que ce dernier,
traitant par exemple :
(Ar) + CH4 Ar + (CH4 )+ + e

L'ion de CH4 drive vers la cathode l o il va se neutraliser. Ainsi, une
petite quantit d'un hydrocarbure gazeux est ajout an de nettoyer tout
lectron produit dans la cathode. Cet ajout permet de fonctionner avec un
gain de gaz jusqu' 103 [1], sans dtrioration de la chambre. Quencher a

pour rle de contenir l'avalanche par absorption des photons UV mis par
dsexcitation radiative des molcules de gaz rare.
Chapitre 4
L'inuence des impurets sur les
coecients de transport
4.1 Introduction
Quatre programmes sont couramment utiliss pour simuler la rponse
d'un dtecteur gazeux aux particules charges : MAXWELL [27], HEED [28],
GARFIELD [29] et MAGBOLTZ [30]. Ces simulations sont indispensables
tous les stades des recherches et dveloppement sur les les dtecteurs jusqu'
l'valuation des erreurs systmatiques du rsultat nal.
GARFIELD a t crit en Fortran au CERN par Rob Veenhof, pour une

simulation dtaille deux et trois dimensions des chambres drive.
Ce programme est capable de dterminer les congurations de champ
lectrique . GARFIELD est interfac MAGBOLTZ et HEED.
MAGBOLTZ a t crit par Stephen Biaggi [31, 32]. Il calcul les propri-
ts de transport des lectrons (vitesse de drive, diusions, amplication
et attachement) dans dirents mlanges de gaz, en solvant les quations
de transport de Boltzmann sous l'inuence d'un champ lectromagn-
tique.
MAXWELL est un logiciel de simulation de champ lectromagntique.
Il calcule le champ lectrique par une mthode numrique qui est l'in-
tgration par lments nis. Ce programme repose sur la rsolution de
l'quation de Laplace en trois dimensions.
HEED est un programme qui calcule en dtail la perte en nergie des
particules pour plusieurs types de particules et de mlanges gazeux. Il
prend en compte les lectrons delta et la diusion multiple de la particule
incidente dans le gaz.
61
62 Chapitre 4. L'inuence des impurets sur les coecients de transport
4.2 Simulation par MAGBOLTZ

Nous dcrivons dans ce paragraphe le logiciel utilis pour calculer les co-
ecients de transport. Des dveloppements thoriques sur la drive des lec-
trons dans le gaz ont abouti l'laboration de MAGBOLTZ. Le programme
requiert la composition du mlange gazeux, les conditions de pression et de
temprature et la plage les normes du champ lectrique et magntique pour
lesquelles les coecients de transport doivent tre calculs. En outre, le pro-
gramme dispose d'une base de donnes contenant pour chaque gaz les sections
ecaces de collision lastique, de vibration, d'excitation et de rotation. Le
programme "MAGBOLTZ" rsout l'quation de transport de Boltzmann
partir des fonctions de distribution en nergie des lectrons reprsentes par
des polynmes de Legendre d'ordre 3. Une version Monte Carlo est galement
disponible depuis 1999.
Les sections ecaces sont calcules partir des expriences spciques. Pour
certains gaz comme l'argon, les sections ecaces sont bien tablies. Pour
d'autres gaz comme l'isobutane, la complexit des sections ecaces vibra-
tionnelles limite la prcision du calcul.
Les gures (g. 4.1) et (g. 4.2) reprsente des courbes de sections ecaces
dans X enon, CF4 , Argon et CH4 .
Fig. 4.1 section ecace de collision et d'excitation avec le Xenon et CF4

4.3. Rsolution de l'quation de transport de Boltzmann 63
Fig. 4.2 section ecace de collision et d'excitation avec l'argon et CH4
Dans le tableau suivant, nous prsentons les paramtres d'entre et de sortie

du programme de simulation.
Paramtres d'entre Paramtres de sortie Gaz

E Vitesse de drive Ar, CH4 , N2

B Diusion longitudinale H2 O, CO2 , He

angle entre E et B Diusion transverse Xe, N e
composition de mlange gazeux Angle de Lorentz C2 H6 ,i C4H10
Temprature Coecient d'amplication C3 H8 ,Kr
Sections ecaces Coecient d'attachement CF4 , O2 ,DM E
Deux mthodes sont utilises pour calculer les paramtres de transport du

gaz : une mthode analytique et mthode Monte Carlo.
4.3 Rsolution de l'quation de transport de Boltzmann

Les collisions entre particules ont pour eet de changer brutalement l'tat
d'une particule donne. On crit alors de manire trs gnrale, en prsence
de collisions :

f f F f f
+ v. + . = (4.1)
t r m v t coll
L'quation de transport de Boltzmann [33, 34] exprime la conservation du
nombre d'lectrons. Elle peut tre rsolu par la mthode analytique. Pour
cela on doit introduire la fonction de distribution en nergie f des lectrons.

Si E est suivant l'axe Z , la distribution est homogne et isotrope dans le
plan (xy) et f est une fonction uniquement de x, v et , avec l'angle entre la

direction des lectrons et le champ E . Ces arguments de symtrie permettent
d'utiliser la fonction de distribution rduite,F (, cos ).
1
= me c2
2
avec l'nergie des lectrons
Ensuite, nous dveloppons f sous la forme de polynmes de Legendre :
F (, cos ) = F0 () + F1 () cos +

En se limitant aux premiers termes, la rsolution de l'quation de Boltzmann
permet d'exprimer les coecients de transport partir du dveloppements de
F en F0 et F1 . . . l'approximation jusqu' l'ordre 3 conduit une incertitude
sur les rsultats d'environ 2%. Cette incertitude s'ajoute celle induite par
les erreurs de mesure des sections ecaces.
4.4 Calcul des coecients de transport par mthode

Monte Carlo
On peut calculer les coecients de transport en utilisant les techniques
Monte Carlo. Un trs grand nombre de collisions doit tre utilis pour que les
erreurs statistiques soient ngligeables devant les erreurs systmatiques dues
la non prcision sur les sections ecaces. MAGBOLTZ simule des collisions
jusqu' ce que le calcul des direntes paramtres de transport convergent
vers la prcision statistique souhaite. Par exemple, pour obtenir une erreur
statistique d'environ 0.5%, le nombre de collisions simuler est d'environ
100000. En fait, ce nombre dpend principalement de la distribution en ner-
gie des lectrons dans le gaz et aussi des caractristiques du gaz. Pour les gaz
rares comme l'xnon, l'argon utiliss sans additif, le calcul des coecients de
4.5. Prcision du calcul des coecients de transport 65
transport (vitesse de drive, diusion, attachement. . . ) converge dicilement

mme avec moins de cent millions de collisions car les collisions inlastiques
pour ce type de gaz sont absentes. La fonction de distribution en nergie
est donc trs large. Dans ce cas, le calcul numrique rsolvant l'quation de
Boltzmann est beaucoup plus ecace.
4.5 Prcision du calcul des coecients de transport

Le calcul des coecients de transport dpend essentiellement de la pr-
cision des sections ecaces pour chaque gaz. En rgle gnrale, la prcision
sur les sections ecaces se dtriore avec la complexit des sections ecaces
rotationnelles et vibrationnelles.
On peut classer les gaz en trois catgories, du point de vue de incertitude sur
les sections ecaces :
Les gaz trs bien connus. Les sections ecaces de l'hlium sont les mieux
connues avec une prcision estime 0.5%. On trouve tout de suite
aprs d'autres gaz rares comme l'xnon, l'argon et le non, avec des
1%. Les hydrocarbures lgers comme l'thane,
incertitudes de l'ordre de
mthane et le propane sont galement connus avec une prcision de 1%.
Les gaz bien connus. On trouve dans cette catgorie le CO2 , le CF4 , des
hydrocarbures insaturs ainsi que l'azote et l'oxygne dont l'incertitude
sur les sections ecaces varie entre 1% et 2%.
Les gaz mal connus. Les gaz comme le vapeur d'eau et les alcools sont
mal connus car ils sont utiliss en faible quantit dans les expriences et
aectent peu les coecients de transport, part bas champ lectrique.
Pour l'isobutane, la prcision sur les sections ecaces est de l'ordre de
3% et se dtriore pour les gaz plus lourds.
On note que la procdure d'intgration de Monte Carlo est beaucoup plus

prcise que la mthode de rsolution numrique de l'quation de Boltzmann
lorsque le nombre de collisions est correctement adapt, hormis pour les gaz
rares utiliss sans additif. En rgle gnrale, l'erreurs systmatiques sur le
calcul des coecients de transport est comparable celle des sections ecaces
du gaz et a varie donc entre 0.5% et 4%.
4.6 Choix de mlange gazeux

Le mlange de gaz est un choix important pour le Micromegas. Les mol-
cules ou ces atomes de gaz doivent tre de grand nombre atomique et d'in-
teraction de grande densit pour avoir le maximum d'ionisation possible.
De plus, les molcules de gaz devraient tre rapides et devraient donner de
faible diusion multiple et les diusions devraient tre faible, an d'assurer
une bonne rsolution. En outre, il est plus pratique de travailler avec de gaz
rares, en eet l'alimentation Haute-Tension qui doit tre applique lors de
l'utilisation des gaz rares comme gaz d'amplication ne sera pas trop grande.
Nous avons tudi les proprits de transport des lectrons dans le Xnon res-
pectivement, avec une proportion de 98% et 2% CF4 (Ttrauoromthane).
4.6.1 Choix de le Xnon

Le Xnon ore une excellente puissance de freinage, compte tenu de sa
3
forte densit (3g/cm , 300K ) et de numro atomique lev(54).
Le xnon est une molcule monoatomique, donc pas de vieillissement des

composants du dtecteur, ce qui est important pour des expriences de trs
longue dure.Le xnon peut tre puri en permanence des contaminants
chimiques et radioactifs.
Le xnon est un scintillateur UV ecace (175nm), ce qui permet d'aller

au seuil de faible nergie visible. En raison de la grande diusion dans l'x-
non, l'lectron est compltement perdu. C'est pourquoi, le xnon n'est pas
bon pour la dtection des neutrinos solaires, mais il est le meilleur pour les
exprience de double dsintgration bta.
4.6.2 Choix de CF4

Le CF4 (Ttrauoromthane). La rapidit de la vitesse de drive se traduit
par un court temps de collection et par des faibles diusions longitudinales.
La rapidit de CF4 peut donner un eet comparable un champ magntique
pour diriger les lectrons. Le CF4 possde un Z moyen ce qui diminue les
diusions multiple des lectrons et rduit la distorsion de ses trajectoires. La
densit du CF4 est susamment grande : 1 bar et 15 C la densit de ce
gaz vaut 3.68g/l . En outre, le CF4 est un scintillateur, qui met de la lumire
dans la rgion de l'ultraviolet (environ de 160nm) la lumire visible. Le
4.7. Simulation des pistes et de la grille par une matrice de ls 67
rendement de scintillation primaire de photons de CF4 est d'environ 16(5)%

6
de celle du Xnon [35]. Le gain de CF4 peut atteindre 10 , en raison de sa
forte densit lectronique et sa vitesse de drive leve. C'est pourquoi on
obtient des gains levs malgr la forte lectrongativit causant de graves
perte d'lectrons,. Il a t exploit dans plusieurs dtecteurs. Un gain de 106
est atteint avec un dtecteur base de triple GEM (Gas Electron Multiplier)
en CF4 pure [36]. Il a t aussi choisi pour les chambres ls MWPC (Multi
Wire Proportionnal chamber) [37]. Le CF4 a t utilis pour l'exprience
MUNU [38, 39] (le moment magntique du neutrinos e ).
4.6.3 Choix du quencher

Nous rajoutons un quencher non seulement pour rduire les tensions
de fonctionnement et d'viter la ncessit d'utiliser les potentiels exagres
travers la grille, mais aussi pour rduire l'attachement et augmenter l'eca-
cit pour la dtection des vnements rares.
Lorsque le gaz noble est pur, la vitesse de drive des lectrons est relativement
faible et la diusion est importante. L'ajout de 2% de CF4 la Xe, augmente
la collecte en temps et rduit les diusions. Nous pouvons obtenir des gains
plus levs comme c'est montr la rfrence [1].
4.7 Simulation des pistes et de la grille par une matrice

de ls
Les pistes de largeur w sont reprsentes par n ls de rayon r, rpartis
uniformment le long de la largeur des pistes w. La grille peut galement tre
remplace par une srie de ls, chaque l tant spar d'une distance gale
au pas des mailles de la grille.
L'avantage de ce modle est de pouvoir calculer le champ lectrique et le
potentiel de manire analytique. Ce calcul est ralis par GARFIELD.
4.8 Choix de la valeur du champ lectrique

Nous avons choisit une valeur de champ lectrique dans la zone de drive
gale 200V /cm. Le choix a t port sur les rsultats publis dans la [1].
Ses expriences ont t ralises avec le CF4 , le P10 et avec un mlange de
Fig. 4.3 Conguration de champ lectrique (lignes de champ)
Xe(98%) CF 4(2%) pour des champs de drive de 100, 200, 400V cm1 .
Les rsultats montrent que les gaz nobles ne fonctionnent pas champ de
drive lev. D'autre part, faible champ(100V cm1 ), les diusions sont
importantes avec une perte d'lectrons par capture d'impurets, le spectre
tait distordue, voire dicile obtenir, l'ionisation par multiplication de-
vient susamment grand que les charges d'espace inuent sur l'uniformit
du champ lectrique et les problmes de dcharge deviennent graves chaque
fois qu' on augmente la tension sur la grille.
Le choix de la valeur de champ lectrique est ainsi optimis par :
0
Ed = 200V cm1 bar1 (La longueur moyenne du parcours libre entre
deux collisions de l'lectron avec les molcules de gaz est en fonction de la
pression P du gaz comme 1/P . Pour tenir compte de cet eet, on introduit
0 0
[40] la notion du champ rduit E , avec E = E/P
4.9. L'inuence d'impurets lectrongatives sur les coecients de transport 69
4.9 L'inuence d'impurets lectrongatives sur les co-

ecients de transport
Pour les simulations, nous considrons un mlange gazeux de XnonCF4 ,
98%,2% respectivement. Nous ajoutons des faibles quantits de H2 O et O2
(de 0.1% jusqu'0.5%) direntes pressions (de 1 bar jusqu' 4 bar). Le
1 1
champ lectrique de drive est toujours Ed = 200V.cm .bar une tem-
prature ambiante et avec un gap de 225m.(g. 4.4)
Fig. 4.4 Gain ( gauche) et rsolution en nergie ( droite) mesurs dans le gaz Xenon
CF 4 direntes pressions avec un gap de 225m,en utilisant une source Am [14]
L'objectif des ces calculs est de dterminer l'inuence des impurets ( l'hu-
midit et l'oxygne) sur les coecients de transport.
4.9.1 L'inuence des molcules H2O et O2 sur l'attachement

Dans la zone d'amplication ou le champ lectrique est particulirement
important l'existence d'impurets lectrongatives telles que les molcules
d'O2 et H2 O, rduit l'ecacit du dtecteur du fait qu'elles attachent les
lectrons avant qu'ils atteignent les faces de Micromegas. D'un autre ct ces
impurets peuvent contribuer fortement la diminution des uctuations du
processus d'ionisation permettant par consquent de changer la rsolution en
nergie.
Dans le but de dterminer l'inuence des molcules de H2 O et O2 sur le pro-

cessus d'attachement dans le mlange gazeux Xnon-CF4 en tenant compte
des eets de concentration, de pression et de la variation du champ lectrique,
on se propose d'analyser les expriences suivantes :
Nous avons calcul les coecients d'attachement des lectrons dans le

gaz (Xe CF4 ) des pressions allant de 14bar. Premirement nous

avons gard la pression constant pression gal 1 bar et nous avons
vari les concentrations des impurets (H2 O et O2 ) de 0.1% 0.5%.
Comme c'est indiqu pour la gure(4.5), les coecients d'attachements
sont faibles des faibles champs (champ de drive), ils deviennent consi-
drable des champs levs c'est dire dans la zone d'amplication d'o
le champs lectrique est de quelques dizaines de milles de Volt pour cm.
Nous remarquons que l'ajout des faibles proportions d'eau n'inuence
pas trop sur les coecients d'attachement mais ces derniers augmentent
avec la concentration de H2 O. Cela va inuencer sur l'ecacit du d-
tecteur et va dtriorer la rsolution en nergie. Dans le cas de l'oxy-
gne, l'attachement est fort mme faibles champs, ce qui explique les
courbes gauche de la gure(g. 4.5). Si on compare les courbes (g.
4.5), on remarque bien que l'ajout des molcules d'eau donne des co-
ecients d'attachement plus levs que pour les molcules d'oxygne
faibles champs. Cela est due l'lectrongativit lev de l'oxygne par
rapport celle du H2 O.
Nous avons gard la concentration des impurets constante et nous
avons vari la pression, nous constatons que la courbe des coecients
d'attachements la mme allure qu'au par avant, sauf que ces coef-
cients sont remarquables des pressions faibles pour 0.5% d'O2 . En
augmentant la pression, on a l'impression qu'on diminue l'eet des im-
purets sur les coecients d'attachement.
Fig. 4.5 Variation des coecients d'attachement en fonction du champ lectrique pour
des concentrations de H2 O et O2 (0.1% 0.5%) pour une pression de 1bar
Fig. 4.6 Variation des coecients d'attachement en fonction du champ lectrique

direntes pressions (1bar4bar) de 0.5%H2 O (droite) et 0.5% O2 (gauche).
4.9.2 L'inuence des molcules H2O et O2 sur les diusions longi-

tudinales et les diusions transverses
Comme on a dmontr dans le deuxime chapitre, les lectrons dans le
mlange de gaz suivent en moyenne les lignes de champ lectrique avec une
acclration dans la direction du champ. Chaque collision avec les molcules

gazeuses provoque la modication de la vitesse et de la direction de chaque
lectron de drive. Cette dernire est caractrise par un coecient de dif-
fusion transverse perpendiculaire au champ lectrique et par un autre coe-
cient de diusion longitudinale le long du champ. La diusion longitudinale
inue sur la rsolution temporelle alors que la diusion transverse inue sur
la rsolution spatiale.
Pour une tude prcise on peut armer que la diusion admet six coecients
dont deux caractrisent la diusion transverse, un qui caractrise la diusion
longitudinale alors que les trois restants sont pour les termes de corrlation
entre diusion transverse et longitudinale. On nglige le trois derniers dans
le cadre de notre mmoire car ils sont trs faibles par rapport aux nergies
des lectrons envisages [41], de plus, dans le cas de l'absence de champ
magntique, les deux coecients lis la diusion transverse sont gaux.
La simulation est ralise pour calculer les deux coecients de diusion dans
le mlange xnon (98%)-CF4 ( 2%)- H2 O/O2 (0, 1% 0, 5%) en changeant
la pression et le champ lectrique une temprature de 300K , nous avons
obtenu les rsultats suivants
Pour les diusions longitudinales

Nous avons calcul les coecients de diusions longitudinales des lectrons
dans le mlange du gaz (Xe(98)-CF4 (2%)) dirents pressions allant de 1
4 bar. Dans un premier temps, nous avons x la pression et nous avons vari
les concentrations des molcules H2 O et O2 de 0.1 0.5%. Les coecients
de diusions longitudinales sont assez grands des faibles champs de drive,
mais pour un champ d'amplication intense la composante latrale des coe-
cients des diusions longitudinales dpendent seulement du champ lectrique
et non pas de la concentration des impurets. En comparant les courbes ci
dessus, pas un grand changement si on ajoute les molcules d'oxygne ou
l'eau, ceci implique que les diusions longitudinales sont indpendantes du
la concentration des impurets.
nous avons vari la pression en gardant la concentration de l'impuret constante,
nous remarquons que les coecients des diusions longitudinales suivent le
mme comportement que les courbes prcdentes. Fur mesure qu'on aug-
mente la pression, nous constatons une diminution des coecients des diu-
sions longitudinales.
Fig. 4.7 Diminution des coecients de diusion longitudinale pour O2 et H2 O en

fonction du champ lectrique
pour direntes concentrations de H2 O (droite) et de O2 (gauche) pour 1 bar.
Fig. 4.8 Variation des diusions longitudinales en fonction du champ lectrique di-
rentes pressions (de 1bar 4bars) pour 0, 4% de H2 O et 0, 4% de O2
Pour les diusions transverses

Si on xe la pression en changeant les concentrations de H2 O et O2 et
sous un champ lectrique intense, les diusions transverse augmentent puis
diminue rapidement pour atteindre des valeurs minimales, aussi les courbes
des diusions transverses sont superposs o ils sont presque invariant (voir
courbe).
Fig. 4.9 Superposition des courbes de diusions transversales en fonction du champ

lectrique direntes pourcentages d'O2 et H2 O pour 1bar de Xe CF4
A une concentration prcise de H2 O ou O2 , l'augmentation des pressions de

1bar 4bars fait diminuer les diusions transverses(g. 4.10).
Gnralement, les coecients de diusion diminuent lorsque le champ lec-

trique augmente.
4.9.3 L'inuence des molcules H2O et O2 sur la vitesse de drive

Lorsque l'lectron est plong dans un champ lectrique, une vitesse de d-
rive vd se superpose au dplacement thermique le long de ce champ. En outre,

si l'lectron n'est soumis aucune force ( E = 0 ), celui-ci se dplace d'une
3
manire alatoire avec une nergie moyenne
2 KT = 0, 04eV dans un gaz
pour de conditions normales de temprature et de pression. Ce phnomne
de la distribution en nergie suit une loi de MAXWELL. Chaque collision
les lectrons qui drivent dans le gaz font des dviations. Lors d'une collision
lastique d'un lectron de masse m avec un atome de masse M , on peut faire
l'approximation de l'atome comme tant au repos. Alors si on nglige de plus
Fig. 4.10 Courbes des diusions transversales en fonction du champ lectrique di-
rentes pression pour 0, 1% O2 (droite) et 0, 1% du H2 O (gauche)
les termes d'ordre 2 de la petite quantit m/M , la fraction d'nergie perdue

par collision peut s'crire sous la forme :
E v m
=2 = 2 (1 cos ) (4.2)
E v M
avec
l'angle de diusion aprs collision.

On dduit par consquence que la fraction moyenne d'nergie perdue s'crit
m
=2 (4.3)
M
En plus des collisions lastiques , on peut parler des collisions inlastiques
qui donnent naissance des tats excits du cortge lectronique des atomes
ou molcules de gaz. Pour ce type-face de collisions la perte d'nergie par
collision dpend de l'nergie des niveaux excits. D'aprs Townsend, la vitesse
de drive moyenne vd des lectrons peut s'crire en premire approximation
(sans champ magntique) comme suit :
e
vd = ( )E (4.4)
2m
temps moyen entre deux collisions.il est en fonction de l'nergie des

lectrons et du gaz, e charge d'un lectron et m la masse d'un lectron.
Dans la plupart de gaz la section ecace de collisions varie fortement avec le

champ E , cette variation de section ecace en fonction de l'nergie s'explique
par l'eet de Ramsauer, suit ce changement de section ecace. Un eet
quantique complexe a lieu. En outre, et donc la vitesse de drive peut tre
modie lors d'une addition d'une petite quantit d'un gaz au gaz porteur. Si

un champ magntique B est appliqu perpendiculairement E , la vitesse de
drive moyenne Vd des lectrons ne suit plus les lignes de champ lectrique
mais prend une direction inclin d'un angle L , o L l'angle de Lorentz.
Le vecteur vitesse de drive moyen peut tre dcompos en une composante

parallle E , et une composante perpendiculaire E.
D'aprs l'quation (4.4), il est clair que la vitesse de drive est proportion-

nelle au champ lectrique E. Les rsultats des simulations conrment cette
quation. D'une part, on ne constate pas un grand changement lorsqu'on fait
varier les concentrations de H2 O et O2 donc les courbes sont presque confon-
dus. Les vitesses de drive augmentent rapidement en fonction des champs
lectriques (g. 4.11).
Fig. 4.11 Courbes de vitesse de drive en fonction du champ lectrique (pour 2bar
direntes concentrations d'O2 et du H2 O)
D'autre part, lorsqu'on augmente la pression de 1bar 4bar une concentra-

tion prcise de H2 O et O2 , on remarque que les vitesses de drive diminuent

(g. 4.12).
Fig. 4.12 Variation de la vitesse de drive en fonction du champ lectrique pour 0, 5%

d'O2 (gauche) et 0, 5% de H2 O (droite) direntes pressions
4.9.4 L'inuence des molcules H2O et O2 sur l'amplication et le

gain
Nous tudions dans cette partie l'inuence des impurets l'inuence sur
le processus d'amplication d'une part lorsqu'on xe les pourcentages des
impurets et d'autre part lorsqu'on xe la pression. L'amplication augmente
avec le champ lectrique, et elle monte rapidement des champs levs comme
c'est indique sur la gure au dessous (g. 4.14).
A une basse pression (1 bar), le coecient de Towsend atteint son maximum

plus rapidement et chaque fois que la pression augmente, la monte des
coecients de Towsend dcale dans le champs lectrique donc l'amplication
baisse (voir g. 4.14).
En gnral, augmente avec le champ lectrique si le champ lectrique d-

passe un certain seuil. Une approximation du coecient de Townsend en
fonction de l'intensit du champ E est donne par l'expression :
Fig. 4.13 Variation du coecient de Towsend en fonction du champ lectrique (pour

direntes concentrations d'O2 et H2 O 1bar)
Fig. 4.14 Variation du coecient de Towsend en fonction du champ lectrique di-

rentes pressions pour 0, 3% de H2 O (droite) et 0, 3% de O2 ) (gauche)
Bp
= A exp( ) (4.5)
p E
o
p pression,
A et B constantes dpendantes de la composition gazeuse.
La formule ci dessus (4.5) montre que le premier coecient de Townsend
augmente exponentiellement avec le champ lectrique. A haut champ, le pre-
mier coecient de Townsend augmente plus rapidement que ne le prvoit
la formule(4.5) en raison du rle jou par l'eet Penning. Une petite va-
riation des coecients de Townsend provoque de fortes variations du gain.
Cela est due la nature exponentielle de la multiplication par avalanche. Le
gain du dtecteur augmente donc exponentiellement avec le champ lectrique
appliqu dans l'espace d'amplication (g. 4.15) et aussi avec l'paisseur de
l'espace d'amplication. Dans le cadre de simulation, on remarque que le gain
est presque invariant une pression prcise, les courbes sont confondues. Par
contre sous un champ lectrique intense le gain augmente.
Fig. 4.15 Variation du gain en fonction du champ lectrique pour direntes concen-
trations de H2 O et de O2 2bar
Le gain augmente rapidement faible pression pour une concentration d'im-

purets bien prcise (g. 4.16).
Fig. 4.16 Variation du gain en fonction du champ lectrique direntes pressions pour
0, 5% de H2 O et de O2
Chapitre 5
Le cycle du combustible nuclaire
5.1 Introduction
Le cycle du combustible nuclaire est la chane des processus qui permet

de fabriquer le combustible nuclaire et d'en assurer la gestion avant et aprs
son utilisation dans des racteurs nuclaires, ces deux phases constituant le
dbut (" amont " ) et la n (" aval " ) du cycle. La phase de rcupration de
l'nergie du combustible dans les racteurs n'est pas considre comme faisant
partie du cycle du combustible nuclaire. Il existe deux cycles principaux : le
cycle ouvert et le cycle ferm qui se direncient par le mode de gestion du
combustible us. La gure rcapitule les principales tapes du cycle. Dans le
cycle ouvert, le combustible us retir du racteur est entrepos dans aires
de stockage intermdiaire en vue de son stockage nal. Dans le cycle ferm,
galement appel " retraitement-recyclage " , la matire ssile rsiduelle
du combustible us est rcupre pour produire de nouveaux combustibles
et, par consquent, de l'nergie. Le cycle regroupe l'ensemble des oprations
industrielles suivantes (g. 5.1) :
Extraction de l'uranium des mines

Fabrication du combustible
Utilisation dans du racteur
Retraitement du combustible dcharg du racteur
Traitement et stockage des dchets
81
82 Chapitre 5. Le cycle du combustible nuclaire
Fig. 5.1 le cycle combustible nuclaire
5.2 L'extraction de l'uranium des minerais

L'uranium (voir g. 5.2) est un mtal relativement rpandu dans l'corce
terrestre (50 fois plus que le mercure par exemple). Il existe trois isotopes
92
naturels pour l' U : 238 (99.28%), 235(0.718%), 234(0.0056%).
Fig. 5.2 L'uranium
L'uranium est relativement rpandu 2 3g/tonnes dans l'corce terrestre

(granits : 10 30g/t) et faiblement rpandu dans les eaux 2 3mg/t. Dans
le tableau, on prsente l'abondance de l'uranium dans dirents milieu (roche,
eau . . . ).
5.2. L'extraction de l'uranium des minerais 83
Milieu abondance de l'Uranium
Gisement riche 2% U 20000 ppm

Gisement pauvre 0.1% U 1000 ppm
Roche acide type granite 4 ppm

Roche sdimentaire 2 ppm
Crote continentale 2.8 ppm
Eau de mer 0.003 ppm
Comme la plupart des mtaux, il ne s'extrait pas directement sous sa forme
pure parce qu' l'tat naturelle il se trouve, dans des roches ( g. 5.3), combin
d'autres lments chimiques.
Fig. 5.3 Minerai sdimentaire d'uranium
Les roches les plus riches en uranium sont les minerais uranifres (c'est--dire
contenant de l'uranium), telles, par exemple, l'uraninite et la pechblende.
Plus de 200 minraux uranifres sont bien connus, ils sont classs dans deux
grands groupes U (IV ) ou U (V I) (milieux rducteurs ou oxydants) :
Minraux " primaires " noirs (par exemple pechblende (Voir la g. 5.4)
ou uraninite, silicates, titanates. . . ).
Fig. 5.4 Pechblende (uraninite)

Minraux " secondaires " jaunes, orangs, verts (par exemple autunite
(g. 5.5), chalcolite, . . . ).
Fig. 5.5 L'autunite (calcium hydrat-phosphate d'uranium
Le cycle du combustible nuclaire commence donc par l'extraction du minerai

uranifre dans des mines ciel ouvert ou en galeries souterraines. (Voir la
gure (5.6))
Fig. 5.6 La mine en ciel ouvert et en sous-sol
L'extraction du minerai d'uranium des gisements uranifres s'eectue selon

des mthodes similaires celles utilises pour extraire d'autres minerais,
comme le cuivre, par exemple. Plus de 70% de l'uranium est produit l'aide
de techniques d'extraction souterraines ou ciel ouvert. Le reste est obtenu
principalement par lixiviation, technique qui consiste injecter un solvant
dans le sous-sol an de dissoudre l'uranium et de le rcuprer sous forme de
solution dans des puits d'extraction.
La concentration est l'tape qui consiste broyer le minerai d'uranium jus-
qu' la granulomtrie souhaite, puis lui faire subir un traitement chimique
5.2. L'extraction de l'uranium des minerais 85
pour en extraire l'uranium et le raner. Cette tape permet aussi de rduire

le volume de produit transporter sur le site de l'tape suivante du cycle.
Le produit issu de ce traitement (U3 O8 ) est un concentr solide appel "
yellowcake " (g. 5.7) en raison de sa couleur et de sa consistance (voir la
gure), bien qu'il prsente parfois une couleur grise.
Fig. 5.7 Concentr d'uranium (yellowcake)
L'extraction et la concentration du minerai d'uranium engendrent dirents

types de dchets qui doivent faire l'objet d'un traitement appropri. Les d-
chets de l'extraction souterraine ou ciel ouvert sont des rsidus et/ou des
roches striles. Ils peuvent encore contenir du minerai dont la teneur en conta-
minants est excessive. L'tape de la concentration du minerai est celle qui
produit le plus grand volume de dchets sous forme de rsidus, mlange de
roches nement broys et de solutions chimiques. Les rsidus de traitement
posent des problmes particuliers cause de leur grand volume et de leurs
contaminants radiologiques et chimiques. La lixiviation ne produit ni roche
striles, ni rsidus de traitement, mais elle exige des conditions gologiques
spciques pour pouvoir tre mise en oeuvre et elle impose des mesures ap-
propries pour protger les eaux souterraines.
Le traitement des minerais d'uranium se fait en plusieurs tapes :
Tri par radiomtrie
Concassage et broyage
Dissolution : minerais acide (acide sulfurique + chlorate), minerais ba-
siques (carbonate de soude).
Sparation liquide-solide : rcupration U dissous, limination rsidu

solide.
Purication et concentration de la liqueur : sur rsine changeuse d'ions
ou par extraction par solvant.
Prcipitation par une base : obtention du " yellowcake "
Oprations annexes : traitement des rsidus contenant le radium, lixi-
viation des minerais pauvres.
Les principaux producteurs de l'uranium sont l'Australie et le Canada, Afrique
du Sud. . . (voir g. 5.8).
Fig. 5.8 Principaux producteurs d'uranium
5.3 Ranage et conversion

La conversion est l'tape de traitement chimique qui consiste transformer
le concentr d'uranium en hexauorure d'uranium (U F6 ). Cette opration
n'est pratique que dans un petit nombre d'usines (voir tableau).
Pays Site(s)
Canada Blind River et Port Hope, Ontario
tats-Unis Metropolis, Illinois
France Malvsi ; Pierrelatte
Royaume-Uni Springelds, Lancashire
Russie Angarsk ; Ekaterinburg

5.3. Ranage et conversion 87
Les " yellowcake " produits sur les cinq continents sont dirigs sur les
quelques usines de ranage et de conversion existantes dans le monde :
tats-Unis, Grande Bretagne, Russie ainsi qu'en France dans les usines CO-
MURHEX de Malvsi et de Pierrelatte. L'hexauorure d'uranium est une
forme chimique de l'uranium utilis pour sa transformation et notamment
l'tape d'enrichissement de l'uranium. La forme U F6 est trs peu stable :

56, 4 C il se transforme en gaz. L'hexauorure est un compos chimique trs
actif et nocif qui ragit violemment avec l'eau, incluant l'humidit de l'air,
et est corrosif sur la plupart des mtaux.
Le uor est un lment naturel mono-isotopique (19 F ) ce qui limite seule-

234
ment trois molcules direntes ( U F6 , 235 U F6 et 238 U F6 ) particulirement
bien adaptes aux oprations de sparation pour obtenir l'enrichissement.
Le procd commence par le ranage (an d'liminer les impurets) qui com-
porte la dissolution du " yellowcake " par l'acide nitrique, puis l'extraction
d'une solution de nitrate d'uranyle ( g. 5.9) puri l'aide d'une solution
de phosphate (tri-butyl-phosphate T BP ).
Fig. 5.9 nitrate d'uranyle (U O2 (N O3 )2 )
Les oprations de conversion proprement dites suivent les tapes suivantes

(voir g. 5.10) au dissous) :
Prcipitation de l'uranate par addition d'ammoniac la solution purie

de nitrate d'uranyle
Filtration chaud de la solution pour produire de l'oxyde d'uranium
(V I) (g. 5.11)
Rduction de l'U O3 en U O2 1073 K (voir
g. 5.10) sous l'action de
l'hydrogne produit le craquage de N H3
Fig. 5.10 transformation de l'oxyde d'uranium
Fig. 5.11 Oxyde d'uranium U O2 (600 400)
Conversion chaud de l'U O2 en U F4 (g. 5.12) par l'attaque l'acide

uorhydrique gazeux (HF )
Fig. 5.12 La ttrauorire d'uranium U F4
Combustion de l'U F4 en prsence de Fluor (F 2) dans un racteur

amme (2073K), conduisant la production de l'U F6 pur puis la cris-
tallisation (g. 5.13)de l'hexauorure (usine de Pierrelatte et Malvsi
5.3. Ranage et conversion 89
(g. 5.14)).
Fig. 5.13 U F6 cristallis (solide incolore, gazeux 56 C et trs actif avec l'eau)
Fig. 5.14 les tapes de production (U F6 )
A temprature ambiante, l'hexauorure d'uranium est l'tat solide, mais il

passe facilement l'tat gazeux une temprature infrieure au point d'bul-
lition de l'eau. Sous forme gazeuse, il se prte trs bien l'enrichissement.
L'hexauorure d'uranium est gnralement stock et transport l'tat solide
dans de grands cylindres de 122cm de diamtre nominal qui peuvent contenir
environ 12000Kg de produit. A ce stade, l'uranium a la mme composition
isotopique que l'uranium naturel.
5.4 L'enrichissement de l'uranium

238
L'uranium naturel se compose de deux isotopes dirents : le U pour
235
environ 99, 3% et le U pour environ 0, 7%. La plupart des racteurs com-
merciaux ne peuvent fonctionner que si le combustible d'uranium contient
de 3 5% de 235U . L'enrichissement de l'uranium est donc l'opration qui
235
permet d'obtenir une concentration de U de l'ordre de 3 5%, comparati-
vement 0.7% l'tat naturel. Ce procd consiste sparer les atomes plus
235
lgers de U des atomes de 238 U , qui sont prdominants et plus lourds, an
235
d'accrotre la proportion de U . Seul l'isotope d'uranium (235 U ) peut subir
la ssion nuclaire libratrice d'nergie (g. 5.15).
Fig. 5.15 Le bombardement de l'uranium 235 donne l'nergie
Or, dans 100Kg d'uranium naturel, il y a 99.3Kg d'uranium 238 et 0.7Kg

d'uranium 235 ssile. L'opration consistant augmenter la proportion d'ura-
nium 235 est appele enrichissement (g. 5.16).
Pour alimenter les racteurs nuclaires, l'uranium naturel doit tre enrichi en
uranium 235. L'enrichissement est une opration dicile car, comme tous les
isotopes d'un mme lment, l'uranium 235 et l'uranium 238 se ressemblent
beaucoup et ont quasiment les mmes proprits chimiques. Cependant, il
est possible les direncier grce leur lgre dirence de masse. En eet,
l'uranium 235 est un tout petit peu plus lger que l'uranium 238. C'est pour-
quoi, actuellement, l'enrichissement de l'uranium est bas sur la dirence
de masse. De tous les procds d'enrichissement tudis jusqu' prsent, il
existe deux procds commerciaux d'enrichissement : la diusion gazeuse et
la centrifugation.
5.4. L'enrichissement de l'uranium 91
Fig. 5.16 sparation les isotopes d'uranium (U238 et U235)
5.4.1 La diusion gazeuse

Avant son enrichissement par ce procd, le ttrauorire d'uranium, ob-
tenu aprs extraction du minerai et ranage, sera transform en hexauorure
d'uranium (U F6 ) qui a la proprit d'tre gazeux partir de 56 C . Le procd
par diusion gazeuse consiste faire passer l'U F6 l'tat gazeux travers
une multitude de barrires qui sont des membranes perces de trous mi-
nuscules(g. 5.17). Les molcules d'hexauorure d'uranium 235, plus lgres
que celles d'hexauorure d'uranium 238, traversent un peu plus rapidement
chaque barrire, ce qui permet d'enrichir peu un peu l'uranium. Mais tant
donn la masse trs voisine des deux isotopes, le ralentissement de l'uranium
238 est trs faible par rapport celui de l'uranium 235. C'est pourquoi, en
France, dans l'usine d'enrichissement de l'uranium (usine Eurodif fournissant
plus du tiers de la production mondiale d'uranium enrichi), l'opration doit
tre rpte 1400 fois pour produire un uranium assez enrichi en uranium
235, alors utilisable dans des centrales nuclaires classiques.
5.4.2 L'ultracentrifugation
Un autre procd d'enrichissement de l'uranium est utilis moins grande
chelle par le groupe europen (Allemagne, Pays-Bas, Grande Bretagne) :
c'est l'ultracentrifugation. Ce principe de sparation utilise une centrifugeuse
Fig. 5.17 La procdure de la diusion gazeuse
qui, telle une essoreuse salade tournant grande vitesse, projette plus vite
sa priphrie l'hexauorure d'uranium 238 que l'hexauorure d'uranium 235
qu'elle contient. La trs lgre dirence de masse entre les deux molcules
permet ainsi d'augmenter petit petit la concentration en uranium 235. L
encore, de nombreuses tapes successives sont ncessaires pour obtenir un
enrichissement susent. La technique consiste faire tourner ce compos
gazeux dans une ultracentrifugeuse tournant des vitesses de rotation ex-
trmes. Les atomes d'uranium les plus lourds (U 238) tendent se porter
la priphrie de la machine alors que les plus lgers (U 235) restent plutt
au centre. Ils sont alors pomps et renvoys vers une autre centrifugeuse.
Pour arriver l'uranium de qualit militaire, le compos gazeux doit traver-
ser des dizaines de milliers de centrifugeuses jusqu' ce que ce qui reste soit
principalement de l'uranium hautement enrichi (g. 5.18).
5.5 Fabrication de combustible

La fabrication du combustible est la dernire tape de cycle amont du
combustible nuclaire avant que le combustible d'uranium puisse tre utilis
dans un racteur.
Aprs enrichissement, l'hexauorure d'uranium est converti en oxyde d'ura-

nium sous la forme d'une poudre noire (g. 5.19).
L'oxyde d'uranium est ensuite comprim sous forme de pastilles (de 7

8 mm de diamtre pour les REP ). Ces pastilles (g. 5.20) sont elles-mmes
5.5. Fabrication de combustible 93
Fig. 5.18 procdure l'ultracentrifugation
Fig. 5.19 U O2 en poudre
empiles dans un tube : la gaine. Selon le type de racteur, le gainage est

ralis :
En alliage de zirconium, le Zircaloy, qui n'absorbe pas les neutrons ther-

miques et permet donc d'amliorer le bilan neutronique du racteur en
vitant les captures striles.
En acier inoxydable pour les racteurs neutrons rapides caloripor-
teur sodium (l'acier n'est pas absorbant pour les neutrons rapides) ou
pour certains concepts de racteurs neutrons thermiques (AGR par
exemple).
En aluminium, principalement pour des assemblages exprimentaux.
L'videment hmisphrique est destin compenser l'excs de dilatation
du centre.
Le chanfrein facilite l'introduction dans la gaine.
La rectication de diamtre permet l'ajustage du jeu pastille-gaine.
Fig. 5.20 pastilles du combustibles nuclaires (U O2 )
Fig. 5.21 Dimensions de la pastille
Chaque pastille, qui ne pse que 7g (g. 5.21), peut librer autant d'nergie
qu'une tonne de charbon (1million de grammes). Les pastilles sont en-
les dans de longs tubes mtalliques de 4m de long alliage de zirconium, les
gaines, dont les extrmits sont bouches de manire tanche pour consti-
tuer les crayons de combustible (g. 5.22).
Les crayons sont ensuite assembls en rseaux verticaux d'environ 250 (selon
le type de racteur) crayons parallles. Des grilles horizontales assurent le
maintien en faisceaux tandis qu'un dispositif de prhension situ en haut de
l'assemblage (voir g. 5.23) facilite sa manutention et permet l'accrochage
dans le coeur.
Pour une centrale, plus de 40000 crayons sont prpars pour tre rassembls
en fagots de section carre, appels assemblages de combustible. Chaque
5.5. Fabrication de combustible 95
Fig. 5.22 Crayon et assemblage combustible
Fig. 5.23 Assemblage combustible de l'usine de production du combustible nuclaire

(Melox)
assemblage contient 264 crayons. Le chargement d'un racteur nuclaire de

900 mgawatts (millions de watts) ncessite 157 assemblages contenant en
tout 11millions de pastilles. De nombreux pays disposent d'usines de fabri-
cation de combustible. Les capacits mondiales de fabrication sont de l'ordre
de 12000 tM L/an (tM L : tonnes de mtal lourd) pour le combustible U OX
(oxyde d'uranium) des racteurs eau lgre et 5000 tM L/an pour le com-
bustible des racteurs eau lourde (majoritairement au Canada). Les autres
usines de fabrication concernent le combustible AGR (au Royaume-Uni) ainsi
que les combustibles M OX (mixed-oxyde) pour REP et RN R.
5.6 Retraitement et recyclage

Aprs avoir pass plusieurs mois dans un racteur nuclaire, le combus-
tible nuclaire doit tre remplac en partie par du combustible neuf. Une fois
235
irradi dans les racteurs ce combustible puis (irradi) contient du U
238
rsiduel, du plutonium (obtenu lorsque le U absorbe un neutron) et des
dchets de ssion rsultant des ractions nuclaires en chane (voir g. 5.24).
Il comporte la fois des lments fortement radioactifs et des lments for-
tement radioactifs et des lments radioactifs trs longue dure de vie, qui
rendent sa gestion, dite " aval du cycle " , extrmement dicile.
Fig. 5.24 Composition du combustible nuclaire irradi
Il existe aujourd'hui parmi les exploitants du nuclaire deux stratgies pour

grer le combustible us : son maintien " en l'tat " , dit stockage direct,
ou son retraitement. Le retraitement consiste sparer de faon physico-
chimique complexe, les composants du combustible nuclaire irradi (ura-
nium, produits de ssion, plutonium et autres transuraniens). Une fois s-
pars, les dirents lments sont grs de faon dissocie en vue soit de
5.7. Stockage des dchets 97
leur rutilisation, soit de leur stockage comme dchets. Dans l'tat actuel
des techniques industrielles, seules les matires nergtiques uranium et plu-
tonium, respectivement 95% et 1% environ du contenu d'un combustible
irradi standard- sont rutilisables. Le plutonium peut tre mlang avec de
l'U O2 naturel pour former un mlange d'oxydes (M OX) (g. 5.25), combus-
tible utilis dans certains racteurs en Belgique, en Allemagne, en France et
en Suisse.
Fig. 5.25 Dioxyde de Plutonium (Texas, USA)
Les actinides mineurs et les produits de ssion, considrs dans l'tat actuel
des technologies comme des dchets ultimes, sont vitris et conditionns
pour un stockage dnitif ultrieur. Les dchets sont placs dans des conte-
neurs scuriss (g. 5.26). Bien que les cots du retraitement soient actuelle-
ment suprieurs aux avantages obtenus, le Russe et quelques pays europens
retraitent du combustible irradi pour des raisons environnementales ou po-
litiques. Par ailleurs, des pays comme le Japon se tournent dsormais vers le
retraitement parce qu'ils ne possdent pas de source de combustible sur leur
territoire et qu'ils souhaitent garantir leur autonomie sur le plan nergtique.
5.7 Stockage des dchets

Comme toute activit humaine, l'industrie nuclaire gnre des dchets
(g. 5.27). Et mme si ces dchets ne constituent qu'une part minime de la
totalit des dchets produits par la socit, leur toxicit est grande (g. 5.28).
90% (dchets A) ont une faible radioactivit. Ce sont par exemple des
vtements contamins, des gants, des outils. . .
Fig. 5.26 Sparer dchets et matires valorisables
Fig. 5.27 Composition de l'uranium (dans le cycle de combustible nuclaire)
7 8% (dchets B) sont des matires contenant des traces de pro-

duits hautement radioactifs, comme par exemple du bton ayant t en
contact avec du combustible.
2 3% (dchets C) sont extrmement dangereux, fortement radioactifs
et trs chauds, ce qui oblige les conserver dans des piscines d'eau froide
durant plusieurs annes. Ces dchets sont ensuite vitris, c'est--dire
inclus dans des blocs de verre inertes, ne ragissant pas avec l'eau ou
l'oxygne, mais fortement radioactifs.
Les dchets de faible activit et de courte dure de vie sont issus essentielle-
ment de l'exploitation des centrales nuclaires. Ceux vie longue proviennent
surtout des combustibles irradis et des usines de fabrication et de retrai-
tement du combustible. Ces dchets sont trs toxiques et l'on ne sait pas
5.7. Stockage des dchets 99
Fig. 5.28 Dchets radioactifs et leurs classements
aujourd'hui les traiter pour en diminuer la nocivit. Bien qu'ils prsentent

l'avantage de se dgrader dans le temps, car leur radioactivit diminue spon-
tanment, certains ont une dure de vie si longue qu'il faudrait attendre
jusqu' un million d'annes ( g.5.29) pour pouvoir les considrer comme ne
prsentant plus aucun danger.
Fig. 5.29 radionuclides et leur priode (demi-vie : pour perdre la moiti de radioacti-
vit)
Actuellement, la seule issue est le stockage. Il s'agit de les isoler, en les condi-
tionnant de faon tanche et en les entreposant dans des lieux appropris.
Mais pour les dchets vie longue, un stockage en surface n'est pas accep-
table. Il est donc envisag de les enfermer dans des galeries profondes, stables,
impermables et sans coulement d'eaux souterraines. L'Andra t charge
de la recherche de sites potentiels de stockage souterrain et de ralisation de
laboratoires souterrains destins l'tude de la faisabilit d'un tel stockage.
Une 2e solution long terme, est aussi examine. Il s'agirait de trier les l-
ments vie longue puis de les transmuter en lments vie plus courte par
incinration dans des racteurs ou dans des acclrateurs de particules.
5.8 Conclusion
Un Des principaux problmes qui sont souvent abords est celui des d-
chets nuclaires (transport, stockage). En eet, ces dchets radioactifs sont
trs nocifs pour la sant. Leur radioactivit diminue de faon trs lente,
comme exemple le radium, atome radioactif, est prsent principalement dans
les dchets radioactifs, ainsi le radium a besoin 16 sicles pour perdre la
moiti de sa radioactivit.
Bibliographie
[1] Leila Ounalli, Micromegas Time Projection Chamber development for

rare event detection, Thse de doctorat (2006).
[2] G. Charpak et al., The Use of Multiwire Proportional Counters to Select

and Localize Charged Particles, Nucl. Instr, and Meth., A62 (1968),
p235.
[3] STAR Collaboration, STAR : Conceptual Design Report for The Sole-
noidal Tracker at RHIC, BNL PUB 5347 (1992).
[4] Alice : Technical Proposal for a Large Ion Collider Experiment for the
CERN LHC, CERN/LHCC 95 71 (1995).
[5] T. Ypsilantis, The HELLAZ Neutrino Detector, Europhys. News 27

(1996), p97.
[6] C.Rubbia, The ICARUS project, Nucl. Phys. Proc. Suppl. 48(1996),
p172.
[7] Gilles Barouch, Analyse des phnomnes physiques lis au fonctionne-

ment du dtecteur gazeux Micropistes Micromegas,Thse de doctorat
(2001).
[8] NA 58 Collaboration, COMPASS : A Proposal for a Common Muon

and Proton Apparatus for Structure and Spectoscopy, CERN SPSLC,
p96-14.
[9] F.Sauli : Principles of operation of miltiwire proportionaland drift

chambers. CERN 77-09, 1977.
[10] L. Rolandi W. Blum : Particle detection with drift chamber. Springer-

Verlag, springer study edition, 1994.
[11] Radiation Detection and Measurement, volume ISBN 0471073385. John

Wiley and Sons, 2000.
101
102 Bibliographie
[12] A. Barr, Construction, Test and Operation in a High Intensity Bearn of

Small System of Micro Strip Gas Chamber, Nucl. Instrum, and Meth.,
A403 (1998), p31.
[13] F.Sauli : Gem a new concept for electron amplication in gas detec-
tors. Nucl. Instr. And Meth. In Phys. Res., A 386 :531 534, 1997.
[14] S.Bachmann, A. Bressan, A. Placci, Ropelewski, F. Sauli, Development

and Test of Large Size GEM Detectors, IEEE Trans. Nucl, Sci., 47
(2000), p1412 1415.
[15] Y.Giomataris, P. Rebourgeard, J.P. Robert, and G.Charpak. MICRO-

MEGAS : a high-granularity position-sensitive gaseous detector for
high particle ux environments. Nucl Instr. And Meth in Phys. Res.
A, 376 :29-35, 1996.
[16] Gilles Barouch, Analyse des phnomnes physiques lis au fonctionne-

ment du dtecteur gazeux Micropistes Micromegas,Thse de doctorat
(2001).
[17] F.D van den Berg et al., Internationnal Workshop on MSGC, Lyon
(1995), p285.
[18] G. Barouch et al., Development of a Fast Gaseous Detector :'Microme-

gas', CERN LHC/9805(1998).
[19] G. Charpac et al. First Beam Test Results with Micromegas, a Hight
Rate, high Resolution Detector, Nucl. Instr. And Meth. , A412 (1998),
p47.
[20] Y. Giomataris, Communication prive.
[21] L.G.H. Huxley, R.W.Crompton, The diusion and drift of electrons in

gases, Wiley 1974.
[22] W.R. Leo, Techniques for Nuclear and Particle Physics Experiment,
Spinger Verlag (1987).
[23] w.Blum, L.Rolandi, Particule detection with drift chambers, Springer-

Verlag 1993.
[24] P. Morse, W. Allis, E. Lamar, Phys. Rev.48(1935), p412.
[25] G. Schultz, Etude d'un dtecteur de particules trs haute precision

spatiale (chambre drift), Thse de doctorat (1976).
103
[26] L. G. Cristophorou et al. "Fast gas mixtures for gas lled particle de-
tectors", Nucl. Instr. And Meth 163, 1(1979)141-149.
[27] Simulation Program, MAXWELL 2D and 3D Parameter Extractor.

Ansoft Coporation (1994).
[28] I. Smirnov, HEED source code, programme pour calculer la d'nergie

dans les des particules dans les gaz, VERSION1.0.CERN.
[29] R. Veenhof, un programme de simulation des dtecteurs gazeux. Ver-

sion7.04.CERN.
[30] S. Biagi, MAGBOLTZ source code, programme pour calculer les para-
mtres de transport gazeux. Version2.01.CERN.
[31] S.F. Biaggi, A Multiterm Boltzmann analysis of Drift Velocity, Diu-

sion, Gain, and Magnetic-eld Eects in Argon-Methane-Water-Vapour
Mixtures, Nucl. Inst, and Meth 283(1989), p716-722.
[32] S.F. Biaggi, Accurate Solution of the Boltzmann Transport Equation,

Nucl , Inst, and Meth 273(1975),p533-535.
[33] L.G Christophoron, Atomic and Molecular Radiation Physics, J. Wiley

& Sons, Ltd (1971).
[34] L.G.H, Huxley and R.W. Crompton. The Diusion and Drift of Elec-
trons in gases, J. Wiley & Sons, Inc., New-York (1974).
[35] A. Pansky et al. The scintillation of CF4 and its relevance to detection
science, Nucl. Inst. Meth. A354,2-3(1995)262-269.
[36] A. Breskin et al. GEM photomultiplier operation in CF4 , Nucl. Instr,

And Meth. A483,(2002)670-675.
[37] G. Charpak et al. The use of multiwire proportional counters to select

and localize charged particles, Nucl. Instr, and Meth 62,3(1968)262-
268.
[38] Z. Daraktchieva et al. (MUNU collaboration) Final results on

the neutrino magnetic moment from the MUNU experiment,
Phy.Rev.Lett94,(2005)081801.
[39] C. Amsler et al. (MUNU collaboration A new measurement of the e-

elastic cross section at very low energy, Phys. Lett, B545,(2002)57-61.
[40] Ralf Diener, Study of Reconstruction Methods for a Time Projection

Chamber with GEM Gas Amplication System, Thse de doctorat
(2006).
104 Bibliographie
[41] S.Biagi, communication prive.

Langue

43035382

Transféré par

Informations du document

Copyright

Formats disponibles

Partager ce document

Partager ou intégrer le document

Options de partage

Avez-vous trouvé ce document utile ?

Ce contenu est-il inapproprié ?

Droits d'auteur :

Formats disponibles

43035382

Transféré par

Droits d'auteur :

Formats disponibles

UNIVERSIT TUNIS-EL MANAR

L'inuence des impurets sur les coecients des

M. Professeur FST Prsident

1 Les dtecteurs de rayonnement 7

3.2 Principe de fonctionnement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

4 L'inuence des impurets sur les coecients de transport 61

4.9.3 L'inuence des molcules H2 O et O2 sur la vitesse de drive . . . . 74

5 Le cycle du combustible nuclaire 81

1.1 Paramtres caractrisant un dtecteur

Fig. 1.1  Dtermination de la rsolution en nergie

1.1.2 Temps de rsolution

 Le temps de rsolution xe : pendant ce temps le dtecteur n'est

 Le temps de rsolution de type reconductible ou (cumulatif ) : la du-

On considre que la notion de temps de rsolution est une notion trs

Fig. 1.2  Modles de temps de rsolution d'une chane de dtection

1.1.3 Ecacit de dtection

Ceci est fonction de la gomtrie du dtecteur et de la probabilit d'une

Le nombre d'vnement atteignant le dtecteur est donn par le produit du

Donc l'ecacit absolue peut s'crire sous la forme :

Fig. 1.3  Calcul de l'angle solide de dtection 'cas idal'

L'ecacit intrinsque dpend habituellement de plusieurs facteurs [1] par

 Les bruits radioactifs internes : le bruit interne de dtecteur, comme les

1.1.5 Autres paramtres et caractristiques

 La rponse gomtrique : il faut que l'angle d'incidence des rayonne-

Plus gnralement, un dtecteur et sa chane de mesure associe, doivent avoir

1.2 Les dtecteurs gaz

 Les dtecteurs gaz. C'est la famille de dtecteurs qui nous intresse et

 Les dtecteurs semi-conducteurs. Comme exemple les dtecteurs

1.2.1 Principe de fonctionnement

 La drive des charges vers les lectrodes.

1.2.2 Exemples de dtecteurs gazeux

Fig. 1.4  Modlisation de MWPC

Fig. 1.5  Migration de charges vers les lectrodes

Chambres projection temporelle (TPC)

La TPC est un dtecteur sophistiqu qui permet une localisation en trois

Comme tout dtecteur, la TPC possde des avantages et des inconvnients,

 Une bonne rsolution spatiale

 Le pouvoir de sparation des traces proches est limit.

Fig. 1.6  Principe de fonctionnement d'une TPC

Les chambres micro-pistes (Micro Strips Gas Chamber)

Les GEM's (Gas Electron Multiplier)

Fig. 1.7  Reprsentation 3D du dtecteur MSGC (gure de gauche) et lignes de champs

standard, de 70m et de 140m (g. 1.8 (b)). L'paisseur de cuivre de part

On peut atteindre une rsolution spatiale de l'ordre de 50m avec les

 Un haut gain avant rgime de claquage.

 La multiplication et la dtection de la charge s'eectuent sur deux lec-

Les inconvnients sont :

 La charge libre lors de claquage peut dtruire l'lectronique.

Les rgions oprationnelles d'un dtecteur d'ionisation

Fig. 1.9  Reprsentation 3D du dtecteur hybride GEM-MSGC

la totalit de charge d'ionisation. Les dtecteurs oprants dans cette r-

entrane une dcharge continue. Un dtecteur n'est plus utile s'il se

2.1 Interaction des photons avec la matire

 v : vitesse de l'lectron ject

Fig. 2.1  Eet photolectrique

Les photons de faible nergie ( E 100KeV ) ont une forte probabilit

Fig. 2.2  Section ecace atomique de l'eet photolectrique en fonction de l'nergie du

transition est leve (infrieur 100KeV ), il peut tre recaptur par

Fig. 2.3  phnomnes de uorescence et missions Auger

2.1.2 Diusion Compton

Fig. 2.4  Diusion Compton

Fig. 2.5  Direction entre l'lectron et le photon dius

La conservation de la quantit de mouvement et de l'nergie totale permet de

L'inuence des impurets sur les coecients des

4 L'inuence des impurets sur les coecients de transport 61

4.9.3 L'inuence des molcules H2 O et O2 sur la vitesse de drive . . . . 74

Fig. 1.1 Dtermination de la rsolution en nergie

Le temps de rsolution xe : pendant ce temps le dtecteur n'est

Le temps de rsolution de type reconductible ou (cumulatif ) : la du-

Fig. 1.2 Modles de temps de rsolution d'une chane de dtection

1.1.3 Ecacit de dtection

Donc l'ecacit absolue peut s'crire sous la forme :

Fig. 1.3 Calcul de l'angle solide de dtection 'cas idal'

L'ecacit intrinsque dpend habituellement de plusieurs facteurs [1] par

Les bruits radioactifs internes : le bruit interne de dtecteur, comme les

La rponse gomtrique : il faut que l'angle d'incidence des rayonne-

Les dtecteurs gaz. C'est la famille de dtecteurs qui nous intresse et

Les dtecteurs semi-conducteurs. Comme exemple les dtecteurs

La drive des charges vers les lectrodes.

Fig. 1.4 Modlisation de MWPC

Fig. 1.5 Migration de charges vers les lectrodes

Une bonne rsolution spatiale

Le pouvoir de sparation des traces proches est limit.

Fig. 1.6 Principe de fonctionnement d'une TPC

Fig. 1.7 Reprsentation 3D du dtecteur MSGC (gure de gauche) et lignes de champs

standard, de 70m et de 140m (g. 1.8 (b)). L'paisseur de cuivre de part

Un haut gain avant rgime de claquage.

La multiplication et la dtection de la charge s'eectuent sur deux lec-

La charge libre lors de claquage peut dtruire l'lectronique.

Fig. 1.9 Reprsentation 3D du dtecteur hybride GEM-MSGC

v : vitesse de l'lectron ject

Fig. 2.1 Eet photolectrique

Fig. 2.2 Section ecace atomique de l'eet photolectrique en fonction de l'nergie du

Fig. 2.3 phnomnes de uorescence et missions Auger

2.1.2 Diusion Compton

Fig. 2.4 Diusion Compton

Fig. 2.5 Direction entre l'lectron et le photon dius

La probabilit de diusion Compton pour l'atome augmente linairement

Fig. 2.7 Spectre en nergie d'lectrons suite des diusions Compton

L'eet de production de paires donne lieu l'mission de rayonnements se-

2.1.4 Diusion lastique

Fig. 2.9 Les trois tapes de la diusion Rayleigh

Fig.2.10 Variation de la probabilit d'interaction par diusion Rayleigh dans direntes

Fig. 2.11 Les tapes de la diusion Thomson

Les diusions Thomson et Rayleigh sont trs semblables et sont souvent

2.1.5 Coecient d'attnuation et libre parcours moyen

Fig. 2.12 Illustration du phnomne d'attnuation

Avec (E, M ) est le coecient d'attnuation linique (cm1 ), il dpend

volution de pe (eet photolectrique)

Z est le numro atomique du milieu

Fig. 2.13 coecient pe (eet photolectrique) pour l'eau et le plomb

Evolution de c (eet Compton)

Fig. 2.14 Coecient c (eet Compton) pour l'eau et le plomb

Fig. 2.15 Coecient m (eet matrialisation) pour l'eau et le plomb

Fig. 2.16 Le coecient massique pour le plomb

reprsente la densit du milieu travers (g/mol)

Du milieu absorbant : nature(z ) et l'tat (gaz, liquide)

Pour un photon de 0, 835M eV

2.1.6 Domaine de prdominance de chacun de ces eets

2.17 Illustration du domaine de prdominance de l'eet photolectrique, la diusion

La contribution de la diusion Rayleigh est nulle, mais en ralit elle toujours

Fig. 2.18 Phnomnes d'excitation

Si l'nergie transfre par l'lectron incident est exactement gal la di-

Q(Z) + atome atome + e +Q(Z) : ionisation (voir g. 2.19)

Q(Z) + atome atome + e + Q(Z) : ionisation et excitation

Fig. 2.19 Phnomnes d'ionisation

Fig. 2.20 Eet Bremsstrahlung

Fig. 2.21 Processus d'annihilation

Fig. 3.1 Reprsentation 3D du dtecteur MICROMEGAS

Fig. 3.2 Principe de fonctionnement du dtecteur MICROMEGAS

La cration des charges primaires

Fig. 3.3 Cration des charges dans une avalanche

Fig. 3.4 Reprsentation schmatique du dplacement du barycentre des charges dans