Vous êtes sur la page 1sur 122

African Virtual University 1

FSICA DO ESTADO SLIDO

Aviso

Este documento publicado sob as condies de uma Criao Conjunta


http://en.wikipedia.org/wiki/Crative_Commons
Atribuio
http:creativecommons.org/licenses/by/2.5/License (abbreviated cc-by,
Version2.5.
African Virtual University 2

ndice
I. Fsica do Estado Slido ...............................................................................8
II. Prerequisitos do curso ou conhecimento prvio.........................................8
III. Tempo .......................................................................................................8
IV. Materiais ...................................................................................................8
V. Racionalidade do Mdulo ..........................................................................8
VI. Contedos .................................................................................................9
6.1 Introduo .............................................................................................9
6.2 Sumrio ...............................................................................................10
6.3 Organizao grfica ............................................................................11
VII. Objectivos Gerais ..................................................................................12
VIII. Objectivos especficos de aprendizagem (Objectivos instrucionais) ...12
IX. Avaliao diagnstica.............................................................................13
X. Actividade de Ensino e Aprendizagem....................................................18
Actividade 1: Introduo Fsica do Estado Slido ................................18
Lista dos Relevantes Links teis ...............................................................21
Actividade 1.1 Estrutura atmica ............................................................24
Actividade 1.1.1 Constante de Avogadro e mole .....................................24
Actividade 1.1.2 ........................................................................................25
Actividade 1.1.3 Constante de Avogadro e mole .....................................25
Actividade 1.2 Ligaes atmicas ...........................................................25
Actividade 1.3 Slidos Cristalinos, Policristalinos e Amorfos................26
Actividade 1.3.1 Slidos Cristalinos.........................................................26
Actividade 1.3.2 Cristal ...........................................................................26
Actividade 1.3.3 Clula unidade e clula primitiva..................................28
Actividade 1.3.4 Sistemas de Cristais; Redes tri-dimensionais................30
Actividade 1.3.6 Linhas de Simetria........................................................32
Actividade 1.3.7 Sistema de indce para cristais planos (Indces de miller)
...................................................................................................................33
1.3.8 Fraco de empacotamento (densidade) ....................................37
Actividade 1.3.10 Difraco e reflexo dos raios X ..........................38
Actividade 1.3.11 Camara de P dos raios X ....................................41
Actividade 1.3.12 Espao da rede recproco e Esfera de Ewald.........41
Auto-avaliao 1 .......................................................................................47
Actividade 2 Defeitos de Cristais e Propriedades Mecnicas...................48
Leitura 1: Estrura cristalina.......................................................................48
Leitura 2: Estrura Escala Atmica dos Materiais...................................49
African Virtual University 3

Lista dos Recursos MM Relevantes..........................................................49


Lista dos Relevantes Links teis...............................................................50
Descrio detalhada da actividade ............................................................52
Actividade 2.1 Defeitos de Cristais ..........................................................52
Actividade 2.1.3 Deslocaes ..................................................54
Actividade 2.1.5 Deformao plstica .............................................56
Actividade 2.2 Propriedades Mecnicas .......................................56
Actividade 2.2.1 Ratio de Poison.......................................................57
Actividade 2.2.2 Propriedade Elsticas ..............................................57
Auto Avaliao 2 ......................................................................................61
Actividade 3: Propriedades Trmicas e Elctricas........................................62
Leitura 4: Capacidade de Calor.................................................................62
Leitura 5: Condutividade Elctrica ...........................................................63
Lista dos Recursos Multimdia Relevantes ..............................................63
Lista dos Links teis e Relevantes ...........................................................64
Actividade 3.1 Capacidade de Calor.........................................................65
Actividade 3.1.1 Capacidade de calor a volume constante, CV, e
capacidade de calor presso constante, CP .............................................67
Actividade 3.1.2 Capacidade de calor especfico ....................................67
Actividade 3.1.3 Modelo terico de Capacidade de calor .......................69
Actividade 3.1.4 Fase slida: Modelo de Debye e Modelo de Einstein ...72
Actividade 3.1.5 Condutividade Elctrica ................................................74
Actividade 3.1.6 Condutividade Trmica .................................................75
Actividade 3.1.6 Teoria do electro livre dos metais...............................77
Actividade 3.1.7 A lei de Wiedemann-Franz...........................................78
Actividade de aprendizagem 4......................................................................80
Ttulo da actividade de aprendizagem: Teoria de Banda e Propriedades
pticas ......................................................................................................80
Leitura 4: Capacidade de calor .................................................................80
Leitura 5: Condutividade Elctrica ...........................................................81
Lista dos Recursos Multimdia Relevantes ..............................................81
Lista dos Relevantes Links teis..............................................................81
Actividade 4.1 Estrutura da banda electrnica .........................................82
Actividade 4.2 Propriedades pticas.........................................................86
Auto-avaliao 4 .......................................................................................90
XI. Glossrio (Lista de todos os conceitos chaves) ......................................91
XII. Lista das Leituras Obrigatrias..............................................................94
Leitura 1: Estrutura cristalina....................................................................94
Leitura 2: Estrura cristalina.......................................................................95
African Virtual University 4

Leitura 3: Estrutura dos materiais na escala atmica................................95


Leitura 4: Capacidade de Calor.................................................................96
Leitura 5: Condutividade Elctrica ...........................................................96
XIII. Lista (Opcional) dos Recursos Multimdia .........................................96
Recurso # 1 ...............................................................................................96
Recurso # 2 ...............................................................................................97
XIV. Lista dos Relevantes Links teis.........................................................97
Link til # 1...............................................................................................98
Link til # 2...............................................................................................99
Link til # 3.............................................................................................100
Link til # 4.............................................................................................101
Link til # 5.............................................................................................102
Link til # 6.............................................................................................103
Link til # 7.............................................................................................104
Link til # 8.............................................................................................105
Link til # 9.............................................................................................106
Link til # 10...........................................................................................107
Solues de Auto-avaliao 1.................................................................108
Solues de Auto-avaliao 2.................................................................111
Solues de Auto Avaliao 3 ................................................................112
Solues para Auto-avaliao 4..............................................................115
XV. Sntese do Mdulo...............................................................................117
XVI. Avaliao Final ..................................................................................118
XVII Referncias ........................................................................................121
XVIII. Autor Principal do Mdulo .............................................................122
XIX Estrutura do Mdulo ...........................................................................122
African Virtual University 5

Prefcio
Este mdulo tem quarto seces principais.
A primeira a seco da Introduo, que consiste em cinco partes:
Ttulo O ttulo do mdulo est claramente descrito.
Conhecimentos prvios Nesta seco recebe a informao exacta sobre os
pr-requisitos em termos de conhecimentos e habilidades de que necessita para
iniciar o mdulo. Preste ateno a estes requisitos, pois ajud-lo o a decidir se
precisa ou no de fazer uma reviso.
Tempo necessrio D-lhe o tempo total (em horas) de que precisa para
concluir o mdulo. Todos os testes de auto-avaliao, actividades e avaliaes
devem ser concludos no tempo especificado.
Material necessrio Aqui encontrar a lista de material de que precisa para
concluir o mdulo. Algum material parte do pacote do curso que receber em
CD ou vai aceder atravs da internet. O Material recomendado para fazer
experincias pode ser obtido na instituio em que est matriculado (que
membro de AVU) ou poder adquiri-lo por outros meios.
Racionalidade do mdulo Nesta seco obter as respostas para perguntas
como Porque devo estudar este mdulo estando num curso de formao de
professores? Qual a sua relevncia na minha carreira?

A segunda a seco de Contedo, que consiste em trs partes:


Resumo: O contedo do mdulo apresentado duma forma breve. Nesta
seco encontrar um ficheiro de vdeo (um filme de QuickTime) onde o autor
deste mdulo entrevistado acerca do mesmo. O pargrafo resumo do mdulo
seguido da listagem dos contedos, incluindo o tempo aproximado necessrio
para completar cada seco. Estes trs elementos vo ajud-lo a figurar como o
contedo est organizado no mdulo.
Objectivos Gerais Objectivos claros, descritivos, so providenciados para
lhe dar a expectativa sobre que conhecimento, habilidade e atitudes adquirir
depois de estudar o mdulo.

Objectivos Especficos de Aprendizagem (Objectivos Instrucionais): O


foco de cada actividade de aprendizagem est em cada um dos objectivos
African Virtual University 6

especficos, dados nesta seco. As unidades, elementos e temas do mdulo


esto destinados a alcanar objectivos especficos e toda a avaliao visa os
objectivos que se desejam alcanar. recomendado a prestar a mxima
ateno aos objectivos especficos, pois eles so vitais na organizao do seu
esforo no estudo deste mdulo.
A terceira seco a mais longa do mdulo. a seco onde vai despender
mais tempo e referenciada como Actividades de Ensino e Aprendizagem.
A essncia dos oito componentes est alistada abaixo:
Avaliao diagnstica:Conjunto de questes, que vo avaliar
quantitativamente o seu nvel de preparao para os objectivos especficos do
mdulo, so apresentados nesta seco. As questes de avaliao diagnstica
ajudam a identificar o que sabe e o que precisa de saber para que seja
aumentado o seu nvel de preocupao e possa julgar a sua aprendizagem. A
chave das respostas providenciada para o conjunto das questes e alguns
comentrios pedaggicos so apresentados no fim.
Actividade de Ensino e Aprendizagem: Este o fulcro do mdulo. Precisa
de seguir o guia de aprendizagem nesta seco. So providenciados vrios
tipos de actividades. Faa toda a actividade em sequncia. Ocasionalmente
poder no necessitar de seguir a ordem em que as actividades so
apresentadas. muito importante notar que:
As avaliaes formativas e sumativas so feitas sistematicamente.
Deve fazer todos os recursos e leituras obrigatrios.
Consultar tantos links teis possveis.
Deve estabelecer o feedback e comunicao com o autor.
Lista compilada de todos os conceitos chave (Glossrio): Esta seco
contm definies curtas e concisas dos termos usados no mdulo. Isto ajuda-o
com termos com os quais pode no estar familiarizado no mdulo.
Lista compilada de leituras obrigatrias: Um mnimo de trs materiais de
leitura providenciado. obrigatrio ler os documentos.
Lista compilada de recursos multimdia (opcionais): apresentada uma
lista completa de recursos multimdia referenciados e necessrios para a
compleio das actividades de aprendizagem, livres de direitos de autor para a
utilizao.
African Virtual University 7

Lista compilada de links teis: apresentada uma lista de pelo menos 10


web sites que o ajudam a entender os tpicos. Cada link acompanhado de
uma referncia completa (Ttulo do site, URL), ecr capturado de cada link,
assim como 50 palavras para a descrio do link.
Sntese do Mdulo: providenciado um sumrio do mdulo.
Avaliao Sumativa: apresentada uma avaliao no final do mdulo.

Tenha prazer no seu trabalho com este mdulo.


African Virtual University 8

I. Fsica do Estado Slido

Por Sam Kinyera Obwoya Kyambogo, Universidade de Uganda

II. Pr-requisitos do curso ou conhecimentos prvios


O pr-requisito bsico para este mdulo a fsica escolar que o estudante
aprendeu. Em particular, essencial o conhecimento dos conteos que a seguir
se enumeram para a compreenso e seguimento efectivo do mdulo. Um dos
contedos o de electricidade e magnetismo. O conceito da lei e da fora de
Coulomb essencial quando se aprende a estrutura atmica. Um conhecimento
profundo sobre calor e termodinmica. Precisa de fazer reviso sobre
capacidade de calor ao volume constante e presso constante. Para alm
disto, precisa de rever tpicos como: entropia, entalpia, e funes
termodinmicas. Os clculos em matemtica so um requisito essencial para
este mdulo.

III. Tempo
Este mdulo pode ser estudado em 120h.

IV. Materiais
Os materiais necessrios para o mdulo incluem o acesso a um computador,
mas o mais importante que necessria uma conexo estvel da internet. A
internet providenciar muitas das referncias essenciais e recursos multimdia.
Estes multimdia so importantes pois em alguns casos servem como docentes
virtuais e fontes de equipamento a ser usado para fazer experincias virtuais.
No obstante, alguns CDs sero disponibilizados para suplementar o uso da
internet. Outros materiais incluem leituras e recursos obrigatrios que podem
estar disponveis na escola ou livraria mais prxima.

V. Racionalidade do Mdulo
Este mdulo tenciona providenciar os fundamentos bsicos de fsica para os
estudantes. Isto vai habilitar os estudantes a apreender os contedos da matria,
tendo em vista explicar as propriedades trmicas, elctricas e pticas dos
slidos. O mdulo est estruturado de tal sorte que o estudante deve fazer as
actividades tal como prescritas para o mximo rendimento. O mdulo em geral
African Virtual University 9

vai providenciar os estudantes com ideias bsicas sobre o que os slidos so


em termos de seu comportamento e por isso sero capazes de ensinar mais
efectivamente a fsica escolar.

Outras formas de defeitos


(a) Nesta seco precisa de:
(i) Ler acerca de defeitos planares e defeitos maiores.
http://en.wikipedia.org/wiki/crystallographic_defeitos#Point_defeitos
(ii) Fazer notas
(iii) Fazer a comparao com pontos de defeitos e deslocaes
(b) Usar as referncias dadas e tomar notas sobre:
(i) Resistncia dos materiais.
(ii) Discutir essa resistncia em relao aos defeitos at agora identificados.
Actividade 2.2.2 Propriedades elsticas
Nesta actividade vai fazer experincias para verificar a lei de Hooke. E vai
usar o resultado dessa experincia para mostrar como o modelo de material de
Young obtido.
(a) Tenso, deformao e presso
Use os resultados da experincia e escreva pequenas notas sobre:
(i) como que a lei de Hooke para pequenas deformaes estabelecida
(ii) como mostrar pequenas deformaes, presso,
(b) Tenso, deformao e presso

VI. Contedos
6.1 Introduo
Este curso direccionado para estudantes matriculados no curso de
Licenciatura em Ensino de Fsica. A Fsica do Estado Slido forma a espinha
dorsal dos Fsicos. Este mdulo tem quatro unidades: Introduo Fsica do
Estado Slido; Defeitos de Cristal e Propriedades mecnicas; Propriedades
Trmicas e Propriedades Elctricas; e teoria de Banda & propriedades pticas.
African Virtual University 10

Na primeira unidade ou actividade, isto , introduo fsica do estado slido,


espera-se que o estudante explique a estrutura atmica, descreva as vrias
ligaes atmicas, tais como as ligaes inicas e ligaes covalentes. A
aprendizagem exigir tambm que o estudante distinga entre slidos cristalinos
e amorfos; slidos policristalinos e amorfos, e explique a produo e o uso da
difraco dos raios X. Na segunda unidade, isto , defeitos de cristal e
propriedades mecnicas, a aprendizagem inclui a distino entre os diferentes
tipos de defeitos de cristal: os pontos de defeitos (lacunas, intersticiais, e
substitucionais) e deslocaes (rotacionais e das pontas). Aqui, os estudantes
aprendem que os pontos de defeitos esto bem localizados e so do tamanho
atmico, enquanto a deslocao uma desordem que se estende para alm do
volume de um ou dois tomos. Os efeitos dos defeitos nas propriedades
mecnicas, e elctricas integram as aprendizagens que vo ocorrer. Na unidade
trs os resultados de aprendizagem incluem a definio de capacidade de calor
e explicaes da variao de capacidade de calor com a temperatura, com base
no modelo clssico, no modelo de Einstein e no modelo de Debye. Aos
estudantes vai exigir-se o uso da teoria do electro livre para explicar as altas
condutividades trmicas e elctricas dos metais. Tambm devem ser capazes
de derivar e aplicar a lei de Wiedermann-Frantz. Finalmente, na actividade
quatro, a esperada aprendizagem deve habilitar os estudantes a usar a teoria de
banda para explicar a diferena entre condutores, semicondutores e isoladores;
explicar a diferena entre semicondutores intrnsecos e extrnsecos em relao
ao papel de doping. No fim de tudo os estudantes usam os conceitos de
interaco de ondas electromagnticas (luz) com materiais para explicar a
absoro ptica, reflexividade e transmissibilidade.

6.2 Sumrio
Este curso consiste em quatro actividades: introduo Fsica do Estado
Slido; Defeitos dos cristais e propriedades mecnicas; Propriedades Trmicas
e Elctricas; e Teoria de banda & propriedades pticas. As componentes de
cada actividade esto alistados como segue:
Introduo Fsica do Estado Slido (40 horas)
Reviso da estrutura atmica cristalina
Slidos policristalinos e Amorfos
Difraco dos raios X, lei de Bragg e aplicaes
Defeitos dos Cristais e Propriedades Mecnicas (20 horas)
African Virtual University 11

Lacunas, Intersticiais, Deslocaes


Propriedades Mecnicas
Propriedades Trmicas e Elctricas (40 horas)
Capacidade de calor: modelo clssico
Modelo de Einstein e Modelo de Debye
Condutividade Elctrica e condutividade trmica
A teoria do electro livre
Teoria de Banda & Propriedades pticas (20 horas)
Metais
Semicondutores (intrnsecos e extrnsecos)
Isoladores
Propriedades pticas

6.3 Organizao grfica


C. Propriedades trmicas e A. Introduo Fsica do
elctricas Estado Slido
Capacidade de calor: modelo Reviso da estrutura atmica
clssico, modelo de Einstein e Slidos cristalinos,
modelo de Debye policristalinos e amorfos
Condutividade elctrica e Difraco dos raios X, lei de
condutividade trmica Bragg e aplicaes
Teoria de electro livre
Fsica do
Estado Slido
D. Teoria de Banda & B. Defeitos dos cristais e
Propriedades pticas propriedades mecnicas
Metais, Semicondutores (intrnsecos Vacncias, Intersticiais e
e extrnsecos), Isoladores Deslocaes
Absoro, Reflectividade e Propriedades mecnicas
Transmissibilidade
African Virtual University 12

VII. Objectivos Gerais


Aps completar este mdulo ser capaz de compreender, do ponto de vista
fundamental, o comportamento mecnico, trmico, elctrico e ptico dos
slidos.

VIII. Objectivos especficos de aprendizagem (Objectivos


instrucionais)
Contedos Objectivos de aprendizagem: Aps
a concluso desta seco voc ser
capaz de:
1. Introduo Fsica do Estado Explicar a estrutura atmica;
Slido (40 horas) Descrever os vrios tipos de
Reviso da estrutura atmica ligaes
cristalina Distinguir os slidos
Slidos policristalinos e cristalinos, policristalinos e amorfos e
Amorfos como regulada e usada a difraco
Difraco dos raios X, lei de dos raios X
Bragg e aplicaes
2. Defeitos dos Cristais e Explicar o conceito de defeitos
Propriedades Mecnicas de cristais.
(20 horas) Relacionar os defeitos dos
Lacunas, Intersticiais, cristais a algumas propriedades
Deslocaes mecnicas observveis e outras
Propriedades Mecnicas propriedades.
3. Propriedades Trmicas e Definir capacidade de calor e
Elctricas explicar a variao da capacidade de
(40 horas) calor com a temperatura baseando-se
Capacidade de calor: modelo no modelo clssico, modelo de
clssico Einstein e modelo de Debye.
Modelo de Einstein e Modelo Usar a teoria do electro livre
de Debye para explicar a alta condutividade
Condutividade Elctrica e elctrica e trmica dos metais.
condutividade trmica Derivar e aplicar a lei de
A teoria do electro livre Wiedermann-Frantz
4. Teoria de Banda & Propriedades Descrever a teoria de banda
pticas Explicar a diferena entre
(20 horas) semicondutores intrnsecos e
Metais extrnsecos o papel da dopagem, e
African Virtual University 13

Semicondutores (intrnsecos e Explicar, baseado na


extrnsecos) interaco das ondas de
Isoladores electromagntica (luz) com a matria a
Propriedades pticas absoro, a reflectividade e
transmissibilidade.

IX. Avaliao Diagnstica


Est preparado para fazer este mdulo?
Ttulo da Avaliao Diagnstica: Fsica do Estado Slido

Racional: A avaliao diagnstica aqui apresentada foi desenhada de modo a


determinar o quanto os estudantes sabem acerca da fsica do estado slido. A
avaliao diagnstica ajuda a identificar claramente o que os estudantes sabem
e o que precisam de saber, por isso serve para motivar os estudantes para
estarem mais envolvidos e atentos experincia de instruo e aprendizagem.
As questes apresentadas tm tambm como objectivo alertar os estudantes
acerca do que podem esperar alcanar, caso no consigam dar nenhuma
resposta questo. Isto vai elevar adequadamente o nvel de preocupao dos
estudantes por lhes indicar o que precisam de aprender.
Questes
Auto Avaliao
1. Os lugares que so usualmente ocupados por um tomo mas que esto
desocupados so chamados:
(A) lacunas (B) intersticiais (C) Substitucionais (D) deslocaes
2. Uma deslocao causada pela terminao de um plano de tomos no
meio do cristal conhecida como:
(A) rotao (B) canto (C) sanduche (D) intil
3. Num espao recproco de lacuna, o vector a dado por:
bxc axc
(A) a 2 (B) a 2
ax(bxc) ax(bxc)
bxc bxc
(C) a 2 (D) a 2
a.(bxc) b.(bxc)
African Virtual University 14

4.

O diagrama acima representa a poro de lacuna 2D. Quais das representaes


no representa uma clula primitiva.
(A) 1 (B) 2 (C) 3 (D) 4
5. Para a lacuna fcc com a base de um tomo, qual o nmero de
coordenao?
(A) 4 (B) 6 (C) 8 (D) 12
6. A projeco de raio X de comprimento de onda 0.25 nm incide num
cristal interplano de separao 0.30 nm. Calcule o ngulo da primeira viso da
primeira ordem de difraco.
(A) 24.6o (B) 36.0o (C) 56.4o (D) 54.8o

7. O parmetro lacuna de uma lacuna cbica 2.4 nm. Encontre o


espaamento de lacuna para o plano (122)
(A) 0.8 (B) 0.48 (C) 7.2 (D) 1.25

8. Qual das frases que seguem correcta?


(A) A ligao metlica tem a caracterstica no direccional.
(B) A ligao metlica consiste de um mar de electres livres que circundam o
io positivo.
(C) Uma das caractersticas que contribui para as propriedades do slido
metlico possuir superfcies finas.
African Virtual University 15

(D) A ligao metlica consiste de um electro partilhado, o que ocorre entre


dois ou mais tomos.
9. Qual dos seguintes no o efeito de deslocao?
(A) A presena de deslocamentos resulta em uma alterao de lacuna
(distoro).
(B) A direco e magnitude de tal distoro so exprimidas em termos de
vector de sanduche, b.
(C) Para qualquer tipo de canto, b perpendicular linha de deslocamento,
enquanto no caso do tipo circular paralelo.
(D) Em materiais metlicos, b est alinhado com o fechado pacote de direces
cristalogrficos e a sua magnitude equivalente ao espaamento de dois
intertomicos.
10. Uma fora de 160N actua perpendicularmente a uma seco excitada
de 0,002m2. Calcule o mdulo de Young do material, se a distoro produzida
for 0,004.
(A) 1.28 x 10-7 (B) 5,0 x 10-6 (C) 2.107 (D) 8.0 x 10
11. Qual destes no est envolvido na difraco dos raios X atravs de um
cristal?
(A) Transio de um electro
(B) Planos cristalogrficos
(C) Interaco Nuclear
(D) Interferncia construtiva
12. Um cristal tem uma lacuna primitiva com espaamento entre (100)
planos de 0.420 nm. Qual ser o valor do ngulo de Bragg para a centsima
reflexo dos raios X de comprimento de onda 0,154 nm?
(A) 5.3o (B) 10.6o (C) 21.2o (D) 42.6o
13. Indique a frase Falsa nas que se seguem:
(A) O nvel de Fermi o topo da coleco dos nveis de energia do electro
temperatura de zero absoluto.
(B) Dado que os electres so fermies e, pelo princpio da excluso de Paul,i
no podem existir em idnticos estados de energia, ento a zero absoluto, eles
African Virtual University 16

vo para os nveis mais baixos de estados de energia disponveis e constituem


o mar de Fermi de estados de energia dos electres.
(C) O nvel de Fermi a superfcie desse mar ao zero absoluto onde electres
tm energia suficiente para irem acima da superfcie. Por isso o nvel de Fermi
est localizado na banda de diferena.
(D) Num condutor, o nvel de Fermi est dentro da banda de conduo, de tal
sorte que a banda est meio cheia com electres. Neste caso, somente uma
pequena poro de energia necessria para os electres se deslocarem a um
outro estado livre e, deste modo, a corrente flui.
14. Em gases diatmicos a presena de graus internos de liberdade
aparente, isto , em adio aos trs graus de liberdade transicionais, existem os
graus de liberdade rotacional e vibracional.
(i) Existem no total trs graus de liberdade rotacional, correspondendo cada
um a um dos eixos do espao tridimensional.
(ii) Apenas dois graus de liberdade rotacional para molculas lineares so
considerados na prtica, porque o momento de inrcia em torno do eixo
internuclear desprezvel em relao aos outros momentos de inrcia na
molcula.
(iii) O mecanicamente quantos, o intervalo entre sucessivas energias
rotacionais, eigenstate, directamente proporcional ao momento de inrcia em
torno desse eixo.
15. Indique a frase Falsa nas que se seguem:
(A) A condutividade elctrica mais ou menos fortemente dependente da
temperatura.
(B) Nos metais a condutividade elctrica diminui com o aumento da
temperatura.
(C) Em semicondutores, a condutividade elctrica aumenta com o aumento da
temperatura.
(D) Em vasta escala de variao de temperatura, a condutividade elctrica pode
aproximadamente ser considerada como sendo directamente proporcional
temperatura.
16. Qual das expresses que se seguem correcta?
African Virtual University 17

S Q
(A) CV (B) CV T
T V T V

H S
(C) C P (D) C P
T P T P

Onde:
CV e CP so capacidades de calor ao volume constante e presso constante,
respectivamente.
Q - a quantidade infinitesimal de calor adicionado.
T - a subsequente variao da temperatura.
U - a mudana na energia interna.
H - a mudana na entalpia.
17. Indique a afirmao falsa em relao s caractersticas dos materiais:
(A) Em slidos cristalinos tomos interagem com a vizinhana, e os nveis de
energia de electres em tomos isolados tornam-se bandas.
(B) Electres num slido preenchem a energia das bandas at um certo nvel,
chamado energia de Fermi.
(C) Bandas que esto completamente cheios de electres podem conduzir
electricidade porque no existe um estado vizinho de energia para o qual
podem saltar.
(D) Em alguns casos, contudo, a teoria de banda no funciona e materiais
previstos como condutores pela teoria de banda tornam-se em isoladores. Os
Isoladores Mott e isoladores de transferncia de carga so as tais duas classes
de isoladores.
18. Indique a afirmao Falsa
(A) A condutividade trmica do material depende da sua estrutura.
(B) A condutividade trmica do material depende da temperatura.
(C) As substncias cristalinas puras exibem uma condutividade trmica
altamente varivel ao longo dos diferentes eixos do cristal, devido diferena
na combinao em fones ao longo de uma dada dimenso do cristal.
African Virtual University 18

(D) O ar e outros gases so geralmente bons isoladores, mesmo na presena de


conveno.
Chave das Respostas
1. A 2. B 3.C 4.D 5.D 6.A 7.A 8. B 9.D
10. C 11.C 12.B 13.C 14.D 15.D 16.C 17.C 18.D
Comentrio Pedaggico para o estudante
No desespere se o seu resultado no for bom na avaliao diagnstica. O que
o resultado da avaliao diagnstica lhe diz que precisa de trabalhar e
concentra-se mais durante a aprendizagem do mdulo. Como notou, muitas das
questes so de tpicos que normalmente no so leccionados na escola.
No incio do mdulo vai aprender acerca das estruturas atmicas com a
expectativa de obter fundamentos para o estudo deste mdulo. Isto, em ltima
anlise, lev-lo- aprendizagem de linhas de simetria, ndices de Miller que
so usados para a identificao dos planos, lei de Bragg e finalmente a
construo da esfera de Edwald, o que ajuda na determinao de planos
responsveis pela difraco dos raios X. Chama-se a ateno do estudante para
fazer cada seco da actividade na ordem cronolgica. Onde um conhecimento
prvio requerido, o estudante aconselhado a rever os tais tpicos, como
electricidade e magnetismo, antes de avanar no mdulo.
Inmeras referncias so inclusas nas actividades. O estudante precisa de ter
acesso a elas. Muitas delas esto on - line. Nos lugares onde o estudante no
tem acesso permanente internet, aconselhado a fazer os download das tais
referncias e imprimi-los. Vrios recursos multimdia esto tambm inclusos.
Estes so muito teis pois podem actuar como docentes virtuais ou como fonte
de laboratrio virtual. Recomenda-se o uso dos recursos multimdia todo o
tempo.

X. Actividade de Ensino e Aprendizagem


Actividade 1: Introduo Fsica do Estado Slido
Nesta actividade vai fazer experincias para verificar a lei de Hookes.
Precisar de 40 horas para realizar esta actividade. Assegure-se de que segue
sistematicamente as actividades programadas. Em alguns casos precisar de
rever certos contedos antes de fazer as actividades deste mdulo.
Objectivos especficos de ensino e aprendizagem:
African Virtual University 19

Explicar a estrutura atmica


Descrever as vrias ligaes atmicas
Distinguir entre slidos cristalinos e amorfos; slidos policristalinos e
amorfos e explicar a ocorrncia e uso da difraco dos raios X
Resumo da actividade de aprendizagem
Os resultados de aprendizagem incluem saber que um tomo o resultado da
combinao de trs tipos de partculas: electres, protes e neutres, e que a
constante de Avogadro a quantidade que contm 6,02.1023 partculas por
mole. A discusso e aprendizagem tambm incluem similaridades e diferenas
dos quatro tipos de ligao. Esta actividade tambm inclui a aprendizagem
sobre a estrutura dos cristais policristalinos e slidos amorfos, para os quais a
maior parte dedicada identificao de planos usando os ndices de Miller. O
progresso na aprendizagem inclui como a densidade de empacotamento
calculada, como derivada a lei de Bragg e o subsequente uso da construo
da esfera de Ewald para determinar planos responsveis pela difraco dos
raios X.
Lista das leituras obrigatrias
Leitura 1: Estrutura cristalina
Referncia completa
De: Wikipedia
URL: http://en.wikipedia.org/wiki/Crystal_structure
Consultado em 20 de Abril de 2007
Resumo: Este material de leitura descreve sumariamente a unidade clula,
classificao dos cristais pela simetria, propriedades fsicas do cristal e links
para vrios sites so providenciados dentro de wikipedia e outros sites.
Racional: Este material providencia uma discusso elaborada dos contedos
da primeira actividade do mdulo.
Leitura 2: Estrutura cristalina
Referncia completa
De: Universidade de Exeter
URL: http://newton.ex.ac.uk/teaching/resources/rjh/phy2009/
African Virtual University 20

Consultado em 20 de Abril de 2007


Resumo: Neste artigo, a estrutura cristalina descrita com diagramas bem
ilustrados. Os exerccios no artigo ajudam o leitor a consolidar os tpicos
aprendidos.
Racional: Este artigo d uma outra forma de olhar para as estruturas de cristal.
Mais ainda, o teste de amostra e exerccios dados no fim providenciam boa
oportunidade para exercitar teorias e princpios de diferentes perspectivas.
Lista dos Relevantes Recursos Multimdia
Recurso # 1
Ttulo: A estrutura cristalina respeitante a Cu-Zn
URL:
http://video.google.com/videoplay?docid=5897475989157955721&q=crystal+
structure&hl=en
Descrio: So providenciadas explicaes e ilustraes adequadas.
Data de consulta: 20/05/2007

Recurso # 2
Ttulo: As esferas do vidro
URL:
http://video.google.com/videoplay?docid=2134572208219565504&q=polycrys
taline+solid&hl=en
Descrio: Providencia um bom recurso de aprendizagem.
Data de consulta: 20/05/2007

Recurso # 3
Ttulo: Rede Bidimensional: Real e Recproca
URL: http://solidstate.physics.sunysb.edu/teach/intlearn/lattice/lattice.html
Descrio: Este site providencia muito bom material de aprendizagem.
Data de consulta: 16/11/2007
African Virtual University 21

Recurso # 4
Ttulo: Explorando material de engenharia
URL: http://www.engr.sjsu.edu/WofMatE/Structure.htm
Descrio: Este site providencia material de aprendizagem e animao sobre a
estrutura atmica BCC, FCC.
Data de consulta: 19/11/2007

Lista dos Relevantes Links teis


Link til # 1
Ttulo: Estrutura cristalina
URL: http://en.wikipedia.org/wiki/Crystal_structure

Ecr Capturado
African Virtual University 22

Descrio: A estrutura cristalina do material muitas vezes discutida em


termos da sua unidade clula. A unidade clula um arranjo espacial dos
tomos, titulada no espao tridimensional: espao para descrever o cristal. A
unidade clula dada pelos seus parmetros de rede, o comprimento da clula
do canto e dos ngulos entre eles, enquanto a posio dos tomos dentro da
unidade clula descrita por um conjunto de posies atmicas (x,y,z) medida
desde a ponta da rede. A pgina da wikipedia tem uma boa descrio disto,
como est ilustrado no ecr capturado acima.
Data de consulta: 29/11/2006

Link til # 2
Ttulo: Estrutura atmica
URL: http://web.jjay.cuny.edu/~acarpi/NSC/3~atom

Ecr Capturado
African Virtual University 23

Descrio: Este site uma jornada sobre as preocupaes da cincia natural.


Usa a animao e a interaco para dar nfase cincia; permite ao usurio
explorar conceitos na cincia bsica incluindo o mtodo cientfico; a natureza
da matria; estrutura atmica; ligao qumica; DNA; astronomia; estrutura
celular e muito mais. O site foi organizado para NSC107: Uma introduo para
a Cincia na Sociedade no Colgio John Jay na cidade Universitria de Nova
York. No obstante, as lies foram desenhadas para o uso geral e todos os
visitantes so bem-vindos. Use a barra de menu esquerda para navegar
atravs dos contedos do curso. Por favor faa e-mail dos teus comentrios e
sugestes para melhorar o site.
Racional: Este site providencia bom material de aprendizagem para o curso.

Descrio detalhada da actividade (Principais elementos tericos)


Nesta seco misturada a teoria com as instrues daquilo que o estudante
deve fazer enquanto aprende o mdulo. Recomenda-se que complete cada
African Virtual University 24

seco do mdulo antes de avanar para a seco seguinte da actividade. Para


cada seco recomenda-se a consulta das referncias recomendadas. Isto
importante porque as instrues e actividades esto descritas sumariamente.

Actividade 1.1 Estrutura atmica


Nesta actividade vai explicar a estrutura atmica. Para fazer isto, vai precisar
do conhecimento de fsica escolar.
Na escola, aprendeu que os tomos so partculas de elementos ou substncias
que no podem ser subdivididos. Mas, na examinao da estrutura atmica,
ressalta que temos de clarificar aquela afirmao. Um tomo no pode ser
subdividido sem que se altere a natureza qumica da substncia. Por exemplo,
se tem 1 quilograma, 1 grama ou 1 tomo de nitrognio, todas estas unidades
tm as mesmas propriedades. Podemos subdividir o tomo de nitrognio em
partculas ainda pequenas; mas, quando fazemos isso, o tomo perde as suas
propriedades qumicas. Aqui aprendemos que: cada tomo o resultado da
combinao de trs tipos de partculas: electres, protes e neutres.
(i) Use as referncias incluindo os recursos multimdia e:
Prepare um pequeno ensaio que detalhe a diferena das propriedades
destes trs elementos.
Descreva como a existncia de molculas/tomos pode ser demonstrada
pela experincia do movimento browniano. Use as referncias providenciadas
para fazer isto.

Actividade 1.1.1 Constante de Avogadro e mole


Esta actividade apresentada em duas partes, isto , sob gases.
(a) Faa um pequeno ensaio sobre as massas atmicas e moleculares e
descreva como so medidas.
(b) Enfatize que, na escala do carbono, a massa atmica do carbono-12
tomada como 12, fazendo a do hidrognio 1.008 e a do oxignio 16.
Devia ser capaz de concluir que:
Em geral 1g de hidrognio contm o mesmo nmero de tomos como
12g de carbono. Isto , a massa atmica de qualquer elemento, expresso em
gramas, contm o mesmo nmero de tomos como 12 g de carbono. Este
nmero por definio uma constante. chamado constante de Avogadro e
seu valor 6.02.1023
African Virtual University 25

A quantidade que contm 6.02.1023 de partculas chamada de mole.


Podemos ter um mole de tomos, um mole de molculas, um mole de ies, um
mole de electres todos contm 6.02.1023 partculas. Por isso a constante de
Avogadro NA = 6.02.1023 partculas por mole.

Actividade 1.1.2
Esta actividade apresentada em duas partes, isto , sob gases.
Vamos usar um tomo de oxignio como exemplo para ilustrar algumas
propriedades. Um tomo de oxignio tem 8 electres, 8 protes e 8 neutres.
Isto implica que, no total, um tomo de oxignio tem 8 cargas negativas
transportadas por 8 electres; 8 cargas positivas transportadas por 8 protes.
Os neutres no transportam nenhuma carga elctrica.

Actividade 1.1.3 Constante de Avogadro e mole


Repita o mesmo exerccio com outros tomos at sentir-se suficientemente
confiante.

Actividade 1.2 Ligaes atmicas


Use as referncias providenciadas e quaisquer outros a que tenha acesso para
levar a cabo as seguintes actividades:
(i) Explique como os tomos so ntegros pelas foras de atraco.
(ii) Escreva breves ensaios incluindo algumas ilustraes dos diferentes tipos
de ligao: ligao inica, ligao covalente, ligao metlica e ligao Van
der Waals. Uma ilustrao de uma ligao covalente dada como se segue:
Numa ligao covalente, a partilha de um electro ocorre entre dois ou mais
tomos. Por exemplo, cada tomo de carbono (C), Fig. 1.1, tem quatro
electres na ltima camada e, todos eles podem ser partilhados com outros
quatro tomos de carbono para fazer quatro ligaes, consistindo cada na
juno de dois nuvens de electres.
Figura 1.1 tomo de Carbono
com as suas quatro ligaes
African Virtual University 26

Note que as ligaes covalentes so tambm fortes e muitos compostos tm


propriedades mecnicas similares s dos compostos inicos. Mas
contrariamente h ligaes inicas que no conduzem electricidade quando se
fundem.
(iii) Mostre que a fora electrosttica entre duas cargas opostas pontuais dada
pela equao 1.1
q2
F (1.1) Sugesto: use a lei de Coulomb.
4 0 r 2
(iv) Mostre tambm que o trabalho feito quando os ies so separados pelo raio
r a partir do infinito dado pela equao 1.2

q2
W Fdr (1.2)
r
4 0 r
(v) Nas suas notas, compare os tipos de ligao.

Actividade 1.3 Slidos Cristalinos, policristalinos e Amorfos

Actividade 1.3.1 Slidos Cristalinos


(a) Use as referncias e escreva as definies de slido cristalino, policristalino
e amorfo.
(b) Faa a lista de exemplos de cada tipo como parte das suas notas.

Actividade 1.3.2 Cristal


Cenrio
Na cristalografia a estrutura cristalina o nico arranjo de tomos em cristal.
A estrutura cristalina composta pela unidade clula, um conjunto de tomos
arranjado de modo particular; repetido periodicamente em trs dimenses
numa rede. O espao entre clulas em vrias direces chamado parmetro
da rede. As propriedades de simetria do cristal esto incorporadas no seu grupo
de espao. A estrutura do cristal e a simetria jogam um papel na determinao
de muitas das suas propriedades, tais como diviso, estrutura da banda
electrnica e propriedades pticas.
(a) Para compreender alguns destes conceitos precisamos de saber o
significado de rede.
African Virtual University 27

(b) A rede uma simplificao geomtrica dum cristal no qual os tomos so


retirados deixando apenas o esqueleto matemtico de pontos onde cada ponto
representa qualquer coisa a partir de um at vrias centenas de tomos
originais. Cada grupo destes tomos chamado de base.
(c) Em duas dimenses, existem apenas cinco redes: quadrada, rectangular,
rectangular no centro, oblqua e hexagonal. Estas so geralmente conhecidas
como as redes de Bravias.
(d) Considere o exemplo dado na Figura 1.2 de como a rede construda a
partir da estrutura cristalina.
Uma rede
oblqua
obtida da
estrutura
cristalina.
Cada
ponto da
rede
Uma estrutura cristalina consistindo de representa um par de
tomos grandes e pequenos tomos na estrutura
Figura 1.2 Uma rede construda a partir de uma rede cristalina

Note que os pontos danificados da rede devem conformar:


Com um infinito padro de pontos;
Com todos os pontos, tendo a mesma vizinhana na mesma orientao
(e) A diferena fundamental entre um simples cristal, slido policristalino e
amorfo o comprimento da escala sobre a qual os tomos esto relacionados
uns com outros pela simetria translacional (periodicidade ou ordem no
comprimento). Os cristais simples tm uma periodicidade infinita; os
policristais, uma periodicidade local, e os slidos amorfos ( e lquidos) no tm
a periodicidade do comprimento.
Um cristal ideal simples tem uma estrutura atmica que se repete
periodicamente ao longo de todo o seu volume. Mesmo numa escala de
comprimento infinito, cada tomo est relacionado com outro tomo
equivalente na estrutura pela simetria translacional.
African Virtual University 28

Um slido policristalino ou policristal composto por muitos gros ou


cristais. Cada gro pode ser imaginado como um simples cristal dentro do qual
a estrutura atmica tem uma periodicidade de comprimento. Num slido
cristalino isotrpico no h relacionamento entre os gros vizinhos. Por isso,
num comprimento suficiente de escala, no h periodicidade ao longo do
policristalino.
Os materiais amorfos, tal como os vidros das janelas, tm uma ordem num
pequeno comprimento, por isso no tm uma simetria translacional.
Exemplo
Para identificar o nmero de tomos que em cada ponto podem ser construdos
a partir de uma dada estrutura cristal, na Fig. 1.3

Figura 1.3 Estrutura Cristalina


A rede desta estrutura cristalina rectangular, com dois tomos por cada ponto
da rede.

Actividade 1.3.3 Clula unidade e clula primitiva


(a) (i) Use as referncias (Steadman R, 1982, Cristalografia, Van Nostrand
Reinhold (UK) Co. Ltd, Norfolk), ou outros quaisquer e defina a clula
unidade e a clula primitiva. Assinale a diferena entre as duas.
(ii) A unidade clula definida em termos de seis elementos ou
parmetros: a, b, c, os comprimentos laterais da clula (tomados como eixos);
, , e , os ngulos entre as direces axiais, como mostrado na Fig 1.4.
African Virtual University 29

Figura 1.4: Os seis elementos da clula unidade.


(b) Os padres dados na Fig 1.5 so exemplos de clulas unidades construdos
a partir de uma dada rede.

Figura 1.5: Exemplos de clulas unidades construdos a partir de uma dada


rede.
(c) Siga as construes abaixo e construa a clula de Wigner-Seitz, que um
exemplo da clula primitiva. Veja Fig. 1.6
1. Trace linhas para conectar um dado ponto de uma rede como todos os
pontos vizinhos.
2. Trace novas linhas ou planos nos pontos mdios e a normal a essas linhas. A
mnima poro do volume coberto deste modo a clula primitiva de Wigner-
Seitz.
African Virtual University 30

Figura 1.6: Construo da clula primitiva de Wigner-Seitz


(d) Leia mais acerca disto a partir de http://newton.ex.ac.uk/teaching
/resources/rjh/phy2009/

Actividade 1.3.4 Sistemas de Cristais; Redes tridimensionais


(a) A rede tridimensional caracterizada por reconhecer primeiro os sete
sistemas de eixos que do sete clulas unidades chamadas sistemas de cristais.
Estes so os eixos dados acima sob a clula unidade. A magnitude dos vectores
a, b, e c so a, b, e c respectivamente. Estes so os parmetros da clula
unidade.
(b) Use as referncias (http://en.wikipedia.org/wiki/Crystal_structure) e
descreva os sete sistemas de cristais (redes): cbica, tetragonal, orthorhombic
(rhombohedral), monoclnico, triclnico, trigonal e hexagonal em termos de
parmetros da rede: a, b, c e , , e os ngulos entre as direces axiais.

Actividade 1.3.5 Classificao dos cristais pela simetria


A propriedade caracterstica do cristal a sua inerente simetria, pela qual nos
indica que, sob certas operaes, o cristal se mantm inalterado quando visto
sob uma dada direco. Por exemplo, girando o cristal em 180 graus em torno
de um certo eixo, pode resultar numa configurao atmica idntica
configurao original. O cristal considerado ento como tendo uma dupla
simetria rotacional em torno do eixo. Em adio h simetrias rotacionais como
esta: um cristal pode ter simetrias na forma de espelhos planos e simetrias
translacionais, e tambm a chamada simetria composta, que a combinao
das simetrias de translao e rotao/espelho.
A classificao completa do cristal alcanada quando todas estas simetrias
inerentes do cristal esto identificadas.
African Virtual University 31

(a) Leia acerca disto e resolva quantos problemas forem possveis. Use as
referncias providenciadas. Determine o nmero de simetrias rotacionais para
a rede rectangular, circular, equilateral e hexagonal.
(b) Quando a rede quadrada (mostrada na Fig. 1.7) girada em torno do eixo
que passa pelo seu centro, vai aparecer exactamente como se tivesse sido
girado quatro vezes num ngulo de 360. Por isso uma rede quadrada tem uma
simetria dupla - quadrada. Em cada dupla, a rede girada 90 ou /2.

Figura 1.7: Uma rede quadrada


(i) Note que as possveis simetrias de rotao so: rotaes duplas de eixo uma
vez, duas vezes, trs vezes, quatro vezes, e seis vezes, que levam as redes s
suas correspondncias para 2/1, 2/2, 2/3, 2/4, 2/6. Relacione estes
valores com as redes dadas na actividade 1.3.5 (a) acima.
LEIA MAIS SOBRE ISTO!! (Blakemore J.S. 1974, Solid State Physics 2nd
ed., Cambridge University Press, Cambridge).
(c) Leia e faa notas acerca de redes Bravais (Introduction to solid state
physics by C Kittel, Introduction to Solid State Physics, 5th Ed., New York:
Wiley, 1976) incluindo os websites;
http://pages.physics.cornell.edu/sss/bravais/bravais.html: (Simulao de redes
bravais)
Exemplos do sistema cbico
Existem trs redes no sistema cbico: o cbico simples (sc); o corpo - centrado
cbico (bcc); o cbico de face centrada (fcc) (siglas em ingls). Mostrados na
Fig. 1.8
African Virtual University 32

Figura 1.8: As trs redes no sistema cbico


(ii) Procure outras referncias para a comparao ( pode obter isto de qualquer
referncia).

Actividade 1.3.6 Linhas de Simetria


A expresso geral para a rotao permitida numa rede peridica obtida como
se segue.
Considere a rede de parmetros de rede como mostrado na Fig. 1.9

Figura 1.9: Rotao permitida numa rede peridica


Ao longo da linha A os tomos 1 e m esto separados pela distncia (m-1)a.
Deixe que a rotao seja permitida nesta rede. A rotao em torno do tomo
2 movimenta 1 para a posio originalmente ocupada por alguns tomos 1. De
modo similar, a rotao no sentido de relgio de m em torno de m-1 move m
para m. Ambos 1 e m esto agora na linha B. A separao X o mltiplo de
a se for a rotao permitida.
Seja X = pa p desconhecido.
A diferena entre os dgitos m e p pode ser descrita em termos de como
3 p m
X = pa = (m-3)a + 2acos cos (1.3)
2
African Virtual University 33

As solues mostram que as tentativas para encher qualquer rea com


polgonos regulares de qualquer simetria rotacional conduzem ao agrupamento
ou perda de espaos.
Soluo da equao 1.3
Tabela 1.1: Solues para equao 1.3.
p-m Cos Ordem de
rotaoi
-1 1 0 1 vez dupla
-2 /3 6 vez dupla
-3 0 /2 4 vez dupla
-4 -1/2 2/3 3 vez dupla
-5 -1 2 vez dupla

(iii) Verifique se a informao na tabela correcta.

Actividade 1.3.7 Sistema de ndice para cristais planos (ndices de


miller)
Nesta actividade vai aprender como definir posies, direces e planos em
cristais; a distncia em que o conjunto de estruturas formado e os dois tipos
distintos.
(a) Posies e direces:
(i) A posio de qualquer rede dada por r = ua + vb + wc, onde u, v, e w so
dgitos.
(ii) A posio de qualquer ponto r = ua + vb + wc, mas neste caso u, v, e w
no precisam de ser dgitos.
(iii) As direces so tambm definidas em termos de r a partir da origem. A
direco indicada como [uvw],
(b) Para ilustrar os dois conceitos: a posio do centro do bcc tem coordenadas
fraccionrias (1/2, , ), enquanto a direco deste ponto a partir da origem
[1/2 ]
(c) ndices de Miller
African Virtual University 34

Os ndices de Miller so teis para definir um conjunto de planos em cristais.


muito til especificar a orientao do plano pelos ndices determinados pelas
seguintes regras:
(i) Encontre as intercesses nos eixos em termos de parmetros da rede, a, b, e
c. No caso da rede cbica, a = b = c. Deixe que essas intercesses sejam 3a,
2b, 3c, Fig 1.10

Figura 1.10: Plano usado para derivar os ndices de Miller


(ii) Tome os recprocos destes nmeros.
(iii) Reduza os recprocos para trs dgitos com os mesmos ratios, em geral os
menores trs dgitos h, k, l. Isto feito multiplicando os recprocos com os seus
LCM.
(iv) Feche os trs dgitos em parnteses como (hkl). No devem existir vrgulas
entre os ndices. (hkl) chamado o ndice do plano ou ndice de Miller para o
plano.
Ilustraes dos procedimentos acima
1. Os valores de intercesso nos eixos de x, y, e z so 3a, 2b e 3c
respectivamente.
1 1 1 1 1 1
2. Os recprocos das intercesses so , , = , , dado que a, b, e c
3a 2b 3c 3 2 3
so vectores unitrios ao longo dos eixos respectivos.
African Virtual University 35

3. Reduzindo os recprocos i.. multiplicando pelo LCM. Neste caso o LCM


6. Os recprocos reduzem-se para 2, 3, 2 respectivamente.
4. Os ndices de Miller para o plano so por isso (232).
Se o plano se dividir em eixos no lado negativo da origem, o ndex
correspondente negativo e indicado pelo sinal menos, escrito como

travesso, p.e. hkl o ndice k lido como k barra.
Note que no caso da rede cbica todas as faces so idnticas. Por esta
matria estes planos so equivalentes por simetria. Planos equivalentes por
simetria so denotados por parnteses curvos em torno dos ndices.
LEIA MAIS SOBRE ISTO E TOME NOTAS(Steadman R, 1982,
Cristalografia, Van Nostrand Reinhold (UK) Co. Ltd, Norfolk).

Exemplo

Para uma rede cbica, um plano com ndices de Miller 123 dado como se
segue:

Figura 1.11: Esboando um plano numa rede cbica


Note que a escolha da origem muito importante no esboo do plano.
No exemplo da Fig. 1.11, a origem est no canto superior direito. Note tambm
o modo como os cantos so subdivididos de acordo com os ndices
correspondentes antes do esboo do plano.
(d) Uma estrutura simples - fechada
Em qualquer plano fechado, um conjunto de esferas, cada esfera
(representando um tomo) tem de ter seis vizinhos em contacto para um slido
African Virtual University 36

monoatmico ser considerado incompreensvel. Tais planos em simetria


hexagonal podem ser colocados juntos para fazer um slido em dois modos
simples. Em ambos os arranjos, cada tomo tem 12 vizinhos mais prximos
6 no plano, e trs no plano acima e trs no plano abaixo. Veja a Figura 1.12
Sequncia de empacotamento

Figura 1.12: Sequncia de empacotamento em uma estrutura simples


fechada
As esferas so arranjadas numa linha da estrutura simples fechada. Um meio
de colocar cada esfera em contacto com os outros seis. Esta linha pode servir
quer como o plano base duma estrutura hcp quer do plano (111) para a
estrutura fcc. Uma segunda e idntica linha de esferas pode ser colocada em
cima e paralelamente primeira desenhada com centros acima dos pontos
marcados B. Existem duas possibilidades para a terceira linha. Pode ser
colocada sobre A ou sobre C. Se for colocada acima de A, a sequncia
ABABAB ... e a estrutura empacotada - fechada hexagonal. Se a terceira
linha for colocada acima de C, a sequncia ABCABCABC ... e a estrutura
face - centrada cbica.
Para apreciar o que foi descrito acerca do empacotamento em
sequncia, obtenha modelos esfricos e tente arranj-los como descrito.
African Virtual University 37

1.3.8 Fraco de empacotamento (densidade)


Nesta actividade vai ser capaz de calcular a fraco de empacotamento/
densidade dos diferentes cristais.
(a) Leia a teoria e o exemplo providenciado acerca da fraco do
empacotamento (densidade de empacotamento). Use outras referncias para
suplementar o que abaixo est providenciado.
(b) A fraco de empacotamento definida como a mxima proporo do
volume disponvel que pode ser preenchido com esferas macias.
(c) Escreva a expresso matemtica para a afirmao em (b).
(d) Um exemplo de como calcular o empacotamento de fraco. Considere
uma rede cbica simples (sc) mostrada na Fig 1.13.
Para determinar a fraco de empacotamento, encontre o primeiro nmero de
pontos de rede numa dada clula.
(i) O ponto de rede neste caso refere-se ao nmero completo de tomos que a
unidade clula contm.
(ii) Num sc os tomos esto em contacto uns com os outros apenas ao longo
dos cantos das clulas mostradas na Fig 1.13.

Figura 1.13: Uma rede cbica simples mostrando relativas posies dos
tomos numa face.
(iii) Todos os tomos esto nos cantos da rede cbica
African Virtual University 38

(iv) Cada tomo no canto partilhado por 8 clulas. Por isso cada tomo
1
contribui da unidade clula. Dado que existem 8 tomos nos cantos; os
8
1
pontos de rede em sc so x8 1 .
8
Isto significa que a unidade clula num sistema sc tem um tomo para si
mesma. Por isso, o volume V ocupado pelo tomo :
3
4 4 a a
V r 3 , r (raio do tomo em termos dos parmetros da rede)
3 3 2 2

Fraccao
volume ocupado pelos pontos de rede
de
empa cot amento Volume ocupado pela celula unidade

Fraccao
4 / 3 (a / 2) 3 52%
3

de
empa cot amento a 6

Isto significa que 48% do volume dum sc vazio, enquanto 52% est
preenchido de tomos.

Actividade 1.3.10 Difraco e reflexo dos raios X


(a) Nesta actividade olhamos para a distribuio elstica das ondas em
estruturas peridicas. Isto inclui a derivao simples das condies de Bragg.
Veja a referncia para a animao da difraco cristalina.
http:www2.wwnorton.com/college/chemistry/gilbert/tutorials/ch10.html
(b) Quando um foco de raios X paralelos de comprimento de onda, ,
incidente nos planos de um cristal, como mostrado na Fig 1.14, a reflexo dos
raios X pelos planos num cristal tem lugar somente quando 2d(hkl)sin = n, n
= 1,2,3 .... (1.4)
A equao (1.4) conhecida como lei de Bragg, d o espaamento entre
planos num cristal. Em geral as reflexes de Bragg podem somente ocorrer
para o comprimento 2d. Isto explica porque a luz visvel no usada. A luz
visvel tem comprimentos de onda muito mais visveis.
African Virtual University 39

Figura1.14: Reflexo dos raios X pelos planos de um cristal


Um conjunto de linhas do cristal apenas se reflecte num certo ngulo e no
ngulo , isto , o ngulo entre o foco e os planos aumenta medida que os
espaamentos diminuem. o ngulo de viso.
(c) Em livros avanados pode ser mostrado que o plano de separao, d,
parmetro da rede, a, e os ndices de Miller (hkl) tm a relao dada pela
equao 1.4
a
d hkl (1.4)
h2 k 2 l 2
Se a clula unidade cbica tem o parmetro da rede a = 1.20 nm, ento d221=
0,4nm, d224 = 0,2nm
(d) Mostre que os valores acima de d em 1.3.10 (c) so correctos.
Prova de lei de Bragg

Figura 1.15: raios X reflectidos a partir dos planos do cristal


African Virtual University 40

Na figura 1.15 a diferena geral do caminho 2x, onde x = XY = YZ. Mas


x
sin x d sin diferena de caminho por isso = 2d(hkl)sin. A
d
interferncia ocorre quando a diferena de caminho um mltiplo integral de
. i.e. quando 2d(hkl)sin = n, n = 1,2,3 ....
Exemplo
Mostre que a separao interplanar, d, parmetro da rede, a e ndices de Miller
h, k, l dado por
a
d
h2 k 2 l 2
Soluo

Figura 1.16: plano usado para a derivao da expresso da separao


interplanar.
Usemos a Fig 1.16 para derivar a expresso da separao interplanar, d.
African Virtual University 41

2 2
a a
Do tringulo OAB temos que g 2 (1)
h k
2 2
a/k e a a
Tambm temos que sin e 2 g 2 . (2)
g a/h k h
2
a
Do tringulo OCE e 2 f 2 (3)
I
e d e2
Tambm sin f2 2
f a/I d .(a / I ) 2

a2
A partir das equaes (2), (3) e (4) pode ser mostrado que d 2
h2 k 2 I 2

Actividade 1.3.11 Cmara de P dos raios X


Nesta actividade vai ler e descobrir como a cmara de p dos raios X usada
no estudo da estrutura do cristal, em particular, para a identificao dos planos
num cristal e consequentemente providenciar um meio apropriado de
determinar o ngulo de viso. (Steadman, R, 1982 particularmente muito
bom para o efeito)
(a) Use as referncias providenciadas para anotar o uso da cmara de p dos
raios X.
(b) Na sua tomada de notas considere os cristais cbico simples (sc), cbico
face - centrado (fcc) e cbico corpo - centrado.

Actividade 1.3.12 Espao da rede recproco e Esfera de Ewald


Nesta actividade vamos determinar os planos num cristal, os quais so
responsveis pela difraco dos raios X.
(a) Note que difcil imaginar como o foco dos raios X entrando num cristal
pode comportar-se, com tantos planos colocados em todos os ngulos do foco e
todos com diferente d - spacing. Qual deles ir (se por ventura existir)
satisfazer a lei de Bragg e reflectir o foco? O uso da rede recproca para
compreender a difraco foi demonstrado em 1913 por P.P. Ewald. Os pontos
da rede recproca representam os planos da rede recta (i.e. real) que formam. A
rede recta determina (atravs de relaes definidas) os vectores da rede
African Virtual University 42

recproca, os espaamentos entre os pontos da rede e as direces recprocas


associadas.
Considere a rede recta bi - dimensional mostrada na Fig. 1.17. Est definida
pelos vectores reais a e b, e o ngulo . So os espaamentos dos planos (100)
e (010) (i.e. d100 e d010). Uma rede recta tridimensional poderia introduzir o
vector da rede c perpendicular ao plano do diagrama.

Figura 1.17: Uma rede recta bidimensional


A rede recproca vai ter vectores recprocos a* e b*, separados pelos ngulos *.
a* ser perpendicular ao plano (100) e igual em magnitude ao inverso de d100.
De modo similar, b* ser perpendicular ao plano (010) e igual em magnitude
ao inverso de d010. Por isso ngulos e * vo somar 180.
Estude cuidadosamente abaixo como feita a construo do espao
recproco a partir do espao real.
Sejam a* , b* e c* e b* os vectores recprocos da rede.
a* perpendicular ao plano de (100)
b* perpendicular ao plano de (010)
c* perpendicular ao plano de (001)
1 1 1
O comprimento de a* , b* e c* .
d100 d 010 d 001
African Virtual University 43

Figura 1.18: Construo do espao recproco a partir do espao real


Note que os vectores a* e b* so desenhados perpendicularmente aos planos
(100) e (010) respectivamente.
Pontos importantes para anotar acerca da construo da esfera de Ewald
(i) Na construo da rede recproca, comea-se por estabelecer a origem 000 e
depois os eixos. Esta origem fixa e central para a rede no seu todo e o
ponto em relao ao qual os ndices de todos os outros pontos esto
relacionados. A rede real, de outro lado, no tm uma tal origem fixa e todos
os seus pontos so idnticos.
(ii) A rede recproca difere de modo fundamental da real rede pelo facto de ela
no ser repetitiva (retirando o facto de ter o mesmo espaamento entre pontos).
A sua origem permanece e os pontos 001 e 002, por exemplo, tm as suas
identidades e no podem ser trocados como acontece na rede real. Estes pontos
representam planos, o que no acontece no caso do espao real, onde os pontos
representam tomos.
African Virtual University 44

A rede recproca e a lei de Bragg


A rede recproca d um simples e elegante modo de representar a reflexo dos
raios X pelos planos do cristal. Isto obtido pela construo da esfera de
Edwald.
Passos essenciais a seguir na construo da esfera de Ewald
Use os parmetros da rede dada para determinar o comprimento dos vectores
1 1 1
no espao recproco i.e. O comprimento de a* , b* e c* .
d100 d 010 d 001
Seja a = 0.3nm; b = 0.5nm; = 0.25nm se n = 1 ento
0.25
sin 14.5 o .
0.5

Figure1.19: Construo da esfera de Ewald


African Virtual University 45

1. Construa o espao recproco a partir do espao real como na Fig. 1.19.


2. Escolha um dos pontos na rede recproca para 000.
3. Nomeie todos os outros pontos que neste caso representam planos.
4. Use a equao de Bragg e calcule o ngulo de viso usando as variveis
providenciadas. Suponha que a instruo que a reflexo ocorra a partir de
(010), a separao interplanar d igual ao valor do parmetro da rede b. Se a
reflexo a partir do plano (100), ento o valor de d igual ao valor do
parmetro da rede a.
5. Usando um dos eixos, mea o ngulo a partir dele. Desenhe uma linha
marcando este ngulo, de tal modo que esta linha passe pela origem 000. Esta
linha representa a direco dos raios X.
6 . Calcule o recproco de , o comprimento de onda dos raios X que esto a
ser usados na difraco. O recproco de igual ao raio r, da esfera de Ewald,
1
i.e. r

7. Comeando por 000, mea r ao longo da linha que marca o ngulo de viso.
O fim de r neste caso representa o centro da esfera de Ewald onde se assume
que o cristal est alocado. Chame a este ponto P.
8. Desenhe a esfera de raio r em torno de P. Esta esfera forma a esfera de
Ewald. Naturalmente que em duas dimenses um crculo.
9. Na construo da esfera, identifique os pontos que esto na esfera. Os
pontos que esto na esfera, p.e. o ponto Q, representam os planos responsveis
pela reflexo dos raio X, enquanto os pontos, p.e. S, que apenas tocam a esfera
somente reflectem parcialmente os raios X. Se n um, ento estes planos so
responsveis pela primeira ordem de difraco.
Ordens superiores de difraces
Existem dois modos de fazer isto, o primeiro dos quais consiste em seguir os
procedimentos alistados acima, mas na determinao de usando a equao de
Bragg, n deve ser tomado como 2, para a segunda ordem de difraco, e
tomado como 3 para a terceira ordem de difraco, etc.
No segundo modo, os planos responsveis para as difraces de ordem
superior so obtidos como se segue:
African Virtual University 46

1. Use a esfera de Ewald para determinar planos responsveis pela primeira


ordem de difraco.
2. Com a ajuda do tracing paper, trace o esquema da esfera no papel.
3. Fixe o esquema usando os alfinetes ou canetas em torno de 000.
4. Gire o esquema em torno de 000 no sentido horrio, at que um novo
conjunto de pontos se encontre na esfera. Estes pontos vo corresponder aos
planos responsveis para a segunda ordem de difraco.
5. Para a obteno de planos responsveis de 3, 4 ordem, etc., continue a girar
o outline no sentido horrio, enquanto localiza quaisquer outros novos planos
que vo estar na esfera.
Uma aproximao geral Rede recproca
Distribuio da Amplitude da Onda

Figure 1.20: Distribuio da Amplitude da Onda


O diagrama na Fig 1.20 mostra uma onda que se espalha a partir da origem O e
a partir do ponto r.
(a) Use algumas referncias (http://en.wikipedia .org/wiki/Crystal_structure)
providenciadas e mostre que, a condio para todos os vectores R, a
interferncia construtiva numa rede recproca k .R G.R 2n (1.5)
k o vector de onda dado por k = (2)/.
African Virtual University 47

R = ua + vb + wc o vector de rede e u, v, e w so dgitos.


(b) Determine as propriedades da onda exp(iG.r) que satisfaam a condio
G.R = 2n
(c) Condio de Laue para difraco
Um meio alternativo para afirmar a condio de que k .R G.R 2n e que
R = ua + vb + wc dizer que
G.a = 2h.
G.b = 2k.
G.c = 2I.
h, k, e I so dgitos
Estas condies so satisfeitas se definirmos Ghkl = ha* + kb* + Ic* com
a*.a = 2, a*.b = 0. a*.c = 0
b*.b = 2, b*.a = 0. b*.c = 0
c*.c = 2, c*.b = 0. c*.a = 0
As afirmaes acima significam que a* perpendicular ao vector primitivo b e
c = 0 da rede recta (real).
(e) Use as condies de Laue para difraces e mostre que:
bxc cxa axb
(i) a * 2 (ii) b * 2 (iii) c * 2
a.(bxc) a.(bxc) a.(bxc)

Auto-avaliao 1
1. Discuta as caractersticas dum composto inico na temperatura da sala.
2. Identifique a rede dada na
Fig 1.21 e diga o nmero de
tomos por cada ponto da
rede.

Figura 1.21: Estrutura de Cristal


African Virtual University 48

3. Determine o nmero de simetrias rotacionais para:


(i) uma rede rectangular
(ii) um cristal equilateral
4. Porque todos os processos de redes tm simetria translacional?
5. Explique porque as ordem de rotao correspondendo a 5 vezes dupla ou 7
vezes dupla no existem.
6. Cubra o plano (100), o plano (001) e um plano (111).
7. Mostre que a fraco de empacotamento num
(i) cbico cristal corpo - centrado 68%
(ii) cbico cristal face - centrada 74%
8. Explique como ocorre a difraco dos raios X.

Actividade 2 Defeitos de Cristais e Propriedades Mecnicas


Vai precisar de cerca de 20 horas para realizar esta actividade.
Resumo da actividade de aprendizagem
O resultado de aprendizagem requer que distinga os diversos tipos de defeitos
de cristal: os pontos de defeitos (lacunas, intersticiais, e substitucional) e
deslocaes (rotao e canto). Vai aprender que os pontos de defeitos esto
muito localizados e so do tamanho atmico, enquanto a deslocao uma
desordem que se estende para alm do volume de um ou dois tomos. Na
actividade vai aprender acerca dos efeitos dos defeitos sobre as propriedades
mecnicas e elctricas. Os objectivos chave desta actividade requerem do
estudante que:
Explique o conceito dos defeitos dos cristais.
Relacione os defeitos dos cristais com algumas propriedades mecnicas
observadas e outras propriedades.
Lista das Leituras Necessrias

Leitura 1: Estrutura cristalina


Referncia completa
De: Universidade de Exeter
African Virtual University 49

URL: http://newton.ex.ac.uk/teaching/resources/rjh/phy2009/
Consultado em 20 de Abril de 2007
Resumo: Neste artigo, a estrutura cristalina descrita com diagramas bem
ilustrados. Os exerccios no artigo ajudam o leitor a consolidar os tpicos
aprendidos.
Racional: Este artigo d um outro modo de olhar para as estruturas de cristal.
Mais ainda o teste de amostra e exerccios dados no fim providenciam boa
oportunidade para exercitar teorias e princpios de diferentes perspectivas.

Leitura 2: Estrutura e Escala Atmica dos Materiais


Referncia completa
De: DoITPoMS Pacotes de Ensinar e Aprender
URL:
Consultado em 24 de Abril de 2007
Resumo: Vrios tipos de cristais so descritos e exemplos trabalhados so
dados em tpicos de cristal e defeitos de cristal.
Racional: Este material parte de DoITPoMS pacotes de ensinar e aprender.
Os pacotes so destinados a um uso interactivo no computador! Este extracto
impresso cordialmente providenciado por convenincia, mas no mostra todo
o contedo do pacote de ensino e aprendizagem. Por exemplo, faltam todos os
vdeos clips e as respostas s questes. Se tem acesso internet, visite o site e
resolva os exerccios. Esta leitura suplementa a segunda actividade do mdulo.

Lista dos Recursos MM Relevantes


Recurso # 1
Ttulo: Defeitos em cristais
URL: http://www.tf.uni-kiel.de/matwis/amat/def_en/index.html
Descrio: Providencia tcnicas de experimentao para estudar os pontos de
defeitos, deslocaes e outros defeitos.
Data de consulta: 19/11/2007
Recurso # 2
African Virtual University 50

Ttulo: Estrutura do Cristal


URL: http://www.eserc.stonybrook.edu/Projectjava/Bragg/index.html
Descrio: Providencia animao sobre como as ondas revelam a estrutura
atmica dos cristais.
Data de consulta: 19/11/2007

Lista dos Relevantes Links teis


Link til # 4
De Wikipedia, a enciclopdia livre
Ttulos: Defeitos de Cristais
URL: http://en.wikipedia.org/wiki/cristalographic_defeitos#Point_defeitos
Ecr capturado

DescriO: UMA BOA DESCRIO DE DEFEITOS ( PONTOS DE


DEFEITOS, LINHAS DE DEFEITOS, DEFEITOS DE PLANOS E
TAMANHO DE DEFEITOS SO EXPLICADOS NESTE SITE)
consultado no dia 24 de Abril de 2007

Link til # 5
Ttulos: Estruturas de Cristais
URL: http://phycomp.technion.ac.il/~sshaharr/
African Virtual University 51

Ecr capturado

DescriO: ESTE WEBSITE TEM UMA BOA COLECO DE LINKS PARA A


VISUALIZAO DE UMA ESTRUTURA TRIDIMENSIONAL

Consultado no dia 24 de Abril de 2007

Link til # 6
De: Universidade de Virgnia, Departamento de Cincias de Material
Ttulos: Estrutura e imperfeies nos slidos
African Virtual University 52

URL: http://people.virginia.edu/~lz2n/mse209/
Ecr capturado

DescriO: ESTE LINK CONDUZ PARA A UNIVERSIDADE DE VIRGNIA,


DEPARTAMENTO DE CINCIAS E ENGENHARIA DE MATERIAL. O CURSO
(INTRODUO S CINCIAS E ENGENHARIA DE MATERIAL), COM OS CAPTULOS
INDICADOS NO ECRAN CAPTURADO, CONTM DOCUMENTOS BEM ORGANIZADOS E
RELEVANTES PARA ESTA ACTIVIDADE.

RACIONAL: PROVIDENCIA BOM MATERIAL DE LEITURA

Descrio detalhada da actividade

Actividade 2.1 Defeitos de Cristais


Nesta actividade vai aprender e explicar os efeitos de defeitos nas propriedades
dos materiais. Vamos concentrar-nos em dois tipos de defeitos
designadamente: pontos de defeitos e deslocaes, e fazer experincias.
African Virtual University 53

Pontos de defeitos
Existem dois tipos principais de defeitos geomtricos num cristal. H aqueles
que esto bem localizados e so de dimenses atmicas. Estes so chamados
pontos de defeitos. Um exemplo destes pontos um tomo impuro que pode
ser uma impuridade substitucional ou intersticial.
(a) Quando alguns tomos no esto exactamente nos seus devidos lugares,
diz-se que a rede contm imperfeies ou defeitos.
(b) Muitas propriedades dos slidos, p.e. a resistncia elctrica e fora
mecnica, so governadas pela presena de certo tipo de defeitos na rede.
2.1.1 Impuridade substitucional
Isto quando a impuridade substitui um tomo num lugar na rede, p.e. A, e
intersticial, quando a impuridade est entre os tomos hospedeiros num lugar
fora dos ramais da rede, p.e. B. Em ambos os casos haver distores da rede
em torno da impuridade.

Figura 2.1: Exemplos dos pontos de defeitos


Uma terceira forma dos pontos de defeitos quando falta um tomo no seu
lugar na rede, p.e. C. Este tipo forma o defeito mais simples. Este vazio na rede
chamado lacuna ou defeito schottky, como se mostra na Fig 2.1 acima.
a) Use as referncias providenciadas e explique os efeitos das impurezas, tais
como A ou B, nas propriedades fsicas do cristal.
http://www.people.virginia.edu/~lz2n/mse209/Chapter4.pdf. 20/05/2007
http://www.msm.cam.ac.uk/doitpoms/dislocations/raftseq2.php. 20/05/2007
2.2.2 Efeitos da presena de uma lacuna num lugar de um io - positivo
African Virtual University 54

A presena de uma lacuna num lugar de um io - positivo pode ser


mostrada como na Fig 2.2
Estude o diagrama na Fig 2.2 e providencie respostas para as perguntas
colocadas abaixo.

Figura 2.2: Efeitos de lacuna num lugar de um io - positivo


(i) O que acontece com a neutralidade elctrica na vizinhana da lacuna?
(ii) O que acontece com a energia electrosttica do cristal e qual ser o seu
efeito?
(iii) Explique o efeito da lacuna para alm da propriedade elctrica.

Actividade 2.1.3 Deslocaes


Diferentemente dos pontos de defeitos, aqueles so tipos de desordem que vo
para alm do volume de um ou dois tomos. uma linha de defeito que pode
estender-se ao longo do cristal ou formar uma corda fechada.
(a) Existem dois tipos bsicos de deslocaes: deslocao de canto e
deslocao de rotao ( deslocaes misturadas, combinando os aspectos de
ambos os tipos so tambm comuns).
(i) Deslocaes de canto
So causadas pela terminao dum plano de tomos no meio dum cristal. Em
tal caso, os planos adjacentes no so rectos, curvam-se em torno do canto da
terminao do plano para que a estrutura do plano esteja perfeitamente
ordenada do outro lado. Veja a Fig. 2.3. A analogia com o empilhamento de
papis adequada: se metade de uma folha inserida numa pilha de papis, o
defeito na pilha apenas notvel no canto da metade da folha. Veja a Fig 2.3
African Virtual University 55

(ii) Deslocao de rotao


Esta muito mais difcil de visualizar, mas basicamente inclui a estrutura na
qual um caminho helicoidal traado em torno do defeito linear ( linha de
deslocao) pelos planos atmicos na rede do cristal. Veja Fig 2.3.

Figura 2.3: Deslocao de canto Deslocao de rotao


Note que, na deslocao de rotao, o plano de deslocao estende-se
parcialmente para dentro do cristal a partir da frente. tomos localizados
naquele espao so baixados por uma unidade de clula relacionada com os
tomos do outro lado.
Outras formas de defeitos
(a) Nesta seco precisa de:
(i) Ler acerca de defeitos planares e do tamanho de defeitos.
http://en.wikipedia.org/wiki/crystallographic_defeitos#Point_defeitos
(ii) Tome notas breves.
(iii) Como se comparam com os pontos de defeitos e deslocaes?
(b) Use as referncias e tome notas sobre:
(i) Resistncia mecnica dos materiais. Discuta-a em relao aos defeitos j
identificados.
(ii) Fronteiras de gros dentro do cristal ( deve discutir acerca de fronteiras
gmeas). Deve notar tambm que as fronteiras de gro num policristal podem
ser consideradas um defeito bidimensional numa perfeita rede de cristal.
Actividade 2.1.4 Crescimento do Cristal
Nesta actividade, os resumos abaixo do-lhe os efeitos das deslocaes nos
slidos. Leia e tente relacionar cada um com uma situao da vida real. Vai
aprender que:
African Virtual University 56

(i) A presena de deslocaes resulta de distoro da rede.


(ii) A direco e a magnitude dessa distoro so expressas em termos de
vector sanduche b.
(iii) Para qualquer tipo de canto, b perpendicular linha de deslocao,
enquanto no tipo rotacional paralelo.
(iv) Nos materiais metlicos, b alinhado com a direco de pacotes fechados
de cristalografia e a sua magnitude equivalente a um espaamento
interatmico.
(v) As deslocaes podem mover-se se os tomos que formam um dos planos
de vizinhana quebrarem as suas ligaes e criarem novas ligaes com o
canto terminal. a presena de deslocaes e a sua habilidade para se
moverem de imediato (e interagir) sob a presso induzida pela carga externa
que conduz caracterstica da maleabilidade dos materiais metlicos.

Actividade 2.1.5 Deformao plstica


Nesta actividade so-lhe dados alguns dos planos ao longo dos quais a incluso
do material ocorre.
(i) As investigaes microscpicas mostram que, quando o metal deformado
plasticamente, a deformao ocorre pela incluso do plano do empacotamento
mais prximo ao longo da direco da linha do mais prximo empacotamento
nesse plano.
(ii) Para os cubos cristais de face centrada, o movimento normalmente ocorre
ao longo de quatro equivalentes planos {111}.
Identifique os planos ao longo dos quais o movimento ocorre no cristal de
corpo centrado. Esquematize o cristal de modo a mostrar os planos.

Actividade 2.2 Propriedades Mecnicas


(a) Leia e tome notas sobre a resposta do material s foras aplicadas. Em
particular tome nota de dois importantes regimes do comportamento mecnico,
designadamente:
(i) Deformao (no-permanente) elstica que governada por alargamento de
ligaes atmicas.
African Virtual University 57

(ii) Deformao (permanente) elstica que governada por movimentos de


deslocaes.
(b) A discusso deve incluir:
(i) definies de presso (incluindo tenso e cortes). Considere tambm os
estados comuns de presso (tenso simples, compresso simples, tenso
biaxial, presso hidrosttica e corte ou diviso pura).
(ii) Definies de deformaes que devem incluir a tenso da deformao,
deformao lateral e a deformao de corte.

Actividade 2.2.1 Ratio de Poison


Tome breves notas sobre a definio de ratio de Poison e sua relao dada
x
pela equao (2.1) v (2.1)
z
x - a deformao devido elongao e z - a deformao devido
contraco perpendicular extenso causada pela presso de tenso.

Actividade 2.2.2 Propriedade Elsticas


Nesta actividade vai fazer experincias para verificar a lei de Hookes. Vai
tambm usar o resultado da experincia para mostrar como o mdulo de
Young de material obtido.
(a) Tenso, deformao e presso:
Use os resultados da experincia e tome notas sobre:
(i) como estabelecida a lei de Hookes para pequenas deformaes;
(ii) como mostrar que, para pequenas deformaes, a presso, o mdulo de
Young, E, e deformao tm a relao dada por: E.
L L0 L
(i) O defeito de tenso , onde L0 o comprimento
L0 L0
normal e L o comprimento esticado.
F
(ii) A presso de tenso , onde F a magnitude da fora e A a
A
rea da seco transversal.
African Virtual University 58

stress F / A F L
(iii) o mdulo de Young .
strain L / L0 A L0
As unidades de mdulo de Young so as mesmas que de presso, dado que a
deformao um nmero puro. Por isso a unidade de mdulo de Young o
Pascal (Pa). 1pascal = 1Pa = 1Nm-2
(iv) As suas notas devem incluir rascunhos de grficos com legenda da
relao presso deformao.
Devem ser providenciadas explanaes adequadas das diferentes partes do
grfico.
(a) Compressiva presso e deformao

Figura 2.4: Foras compressivas


Quando as foras F actuam no fim da barra, como ilustrado na Fig. 2.4, ento a
barra est sob compresso.
(i) A deformao da compresso da barra definida do mesmo modo como a
tenso de deformao, mas l tem a direco oposta.
(ii) A lei de Hooke vlida para compresso assim como para a tenso se a
fora compressiva no for to grande.
(iii) Para muitos materiais, o mdulo de Young tem o mesmo valor para a
tenso e presso compressiva; materiais compostos reais so uma excepo.
(c) Presso de corte e deformao
Presso de corte definida como a fora tangente superfcie do material
dividida pela rea A sob a qual as foras actuam: veja a Fig 2.5
African Virtual University 59

FP
Pr esso de corte
A

Figura 2.5: Um corpo sob a presso de corte. A a rea da superfcie sob a


qual cada fora FP actua.
(d) Deformao de corte
O diagrama do corpo deformado e dado na Fig. 2.6, onde abcd representa o
bloco de material no pressionado como um livro ou um muro. A rea
abcdmostra o mesmo bloco de material sob a presso de corte.
African Virtual University 60

Figura 2.6: Um corpo deformado sob a presso de corte


x
(i) A deformao de corte tan . Mas em situao real, x muito mais
h
pequeno que h. Isto significa que tan (em radianos)
(ii) Se as foras so pequenas, como as obedecidas pela lei de Hooke, a
deformao de corte poderia ser proporcional ao corte da presso. O
correspondente mdulo elstico chamado mdulo de corte, S. Por isso
presso de corte F / A FP h FP / A
S P . (2.2)
deformao de corte x/h A x
Use o argumento acima para derivar a equao 2.2 e suas unidades.
(e) Presso de aceitao pelo escorregamento simultneo dos tomos.
Exemplo
Este exemplo d uma ilustrao do clculo de presso de aceitao. Precisa de
saber que tem de aplicar uma presso de corte para mover um plano particular.
Na Fig. 2.7, as deformaes de corte so medidas pelo ngulo de corte de
afastamento , de tal modo que, se d o espao interplanar e x o afastamento
x
linear, ento
d
African Virtual University 61

Figura 2.7: Um pequeno afastamento elstico


Para um pequeno afastamento elstico a presso de corte dada pela equao
Gx
2.3. G (2.3) onde G o mdulo de corte (ou rigidez)
d
Para um afastamento maior, deve ser uma funo que tem uma periodicidade
b do espaamento inter-atmico dentro do escorregamento do plano. Isto
2x
dado pela equao 2.4. Isto , cons tan te x sen (2.4)
b
A partir das Eq. (2.3) e (2.4) os deslocamentos x que temos so pequenos:
2x Gx Gb G
cons tan te x por isso cons tan te x
b b 2d 2
G 2x
Dado que b aproximadamente igual a d. sin (2.5). Por isso
2 b
G
tem o valor mximo de e devia corresponder presso retirada do
2
material, mas na realidade no corresponde. As presses retiradas de todo o
G
material so sempre muito mais pequenas que por duas ou quatro ordens
2
de magnitude.

Auto-avaliao 2
1. (a) Faa uma distino clara entre defeitos de pontos e deslocaes, usando
exemplos relevantes.
(b) Explique os possveis efeitos de planar defeitos.
2. (a) Defina rede.
African Virtual University 62

(b) Descreva como a clula primitiva pode ser escolhida no procedimento


de Wigner-Seitz.
(c) Derive uma expresso para uma rotao permitida, , numa lacuna
peridica e mostre como as possveis solues das equaes so obtidas. A lei
de Hookes para pequenas deformaes estabelecida.

Actividade 3: Propriedades Trmicas e Elctricas


Vai precisar de 40 horas para poder completar este mdulo.
Ttulo de Actividade de Aprendizagem: Propriedades Trmicas e Elctricas
Resumo de Actividade de Aprendizagem
Esta actividade tem duas partes principais: propriedades trmicas e elctricas
dos slidos. Nas propriedades trmicas, os tpicos que se seguem formam
parte da actividade de aprendizagem: capacidade de calor, capacidade de calor
especfico, modelo terico de capacidade de calor e condutividade trmica.
Para as propriedades elctricas, as actividades envolvem a aprendizagem
acerca de condutividade elctrica, teoria do electro livre dos metais e lei de
Wiedermann-Frantz.
Objectivos especficos
Os objectivos especficos requerem do estudante:
Definir a capacidade de calor e explicar as variaes de capacidade de
calor com a temperatura, com base no modelo clssico e nos modelos de
Einstein e de Debye.
Usar a teoria do electro livre para explicar a alta condutividade
trmica e elctrica dos metais.
Lista das Leituras Obrigatrias

Leitura 4: Capacidade de Calor


Referncia completa
De: Wikipedia, a enciclopdia livre
URL: http://en.wikipedia.org/wiki/Heat_Capacity
Consultado em 20 de Abril de 2007
African Virtual University 63

Resumo: A Capacidade de calor definida e quantitativamente descrita para


corpos compressveis. A capacidade de calor especfico definida e modelos
tericos so descritos. descrita a capacidade de calor a vrias temperaturas.
Racional: Este material um suplemento para a seco das propriedades
trmicas da terceira actividade deste mdulo. Links so providenciados para
mais leituras.

Leitura 5: Condutividade Elctrica


Referncia completa
De: Wikipedia, a enciclopdia livre
URL: http://en.wikipedia.org/wiki/Electrical_Conductivity
Consultado em 24 de Abril de 2007
Resumo: Classificao dos materiais pela condutividade; discusso de
algumas condutividades tpicas e dependncia da condutividade pela
temperatura.
Racional: Este material um suplemento para a seco das propriedades
elctricas da terceira actividade deste mdulo. So providenciados links para
mais leituras.

Lista dos Recursos Multimdia Relevantes


Recurso # 1
Ttulo: Equilbrio Termodinmico
URL: http://www.hazelwood.k12.mo.us/~grichert/sciweb/applets.html
Descrio: Providencia experincias virtuais adequadas para os estudantes.
Em adio possui uma simulao do processo de difuso quando so
misturados gases a diferentes temperaturas.
Data de consulta: 16/11/2007
Recurso # 2
Ttulo: Estrutura e Ligaes
URL:
http://learningzone.coruseducation.com/schoolscience/KS5specialiststeelssteel
ch lpg2.html
African Virtual University 64

Descrio: Este site d uma animao mostrando electres que se movem


aleatoriamente e movimentos de electres atravs de um fio. Contm tambm
uma simulao mostrando electres deslocados para a condutividade trmica e
elctrica.
Data de consulta: 16/11/2007
Recurso # 3
Ttulo: Mecanismo de transferncia de calor
URL: http://www.engr.colostate.edu/~allan/heat_trans/page4f.html.
Descrio: Este site discute os trs mecanismos de transferncia de calor:
Conduo, conveco e radiao. Providencia tambm exerccios que podem
ser feitos on-line.
Data de consulta: 19/11/2007

Lista dos Links teis e Relevantes


Link til # 4: Wikipedia
Ttulo: Capacidade de calor
URL: http://en.wikipedia.org/wiki/Heat_capacity
Ilustrao do ecr:

Descrio: Este site providencia material bsico de leitura sobre a capacidade


de calor incluindo modelos tericos (fase de gs, gs monoatmico, gs
diatmico) e fase do slido.
African Virtual University 65

Data de consulta: 16/11/2007.

Link til # 5
Ttulo: Condutividade elctrica
URL: http://en.wikipedia.org/wiki/Electrical_Conductivity
Ilustrao do ecr:

Data de consulta: 16/11/2007


Descrio detalhada da actividade

Actividade 3.1 Capacidade de Calor


Nesta actividade vai:
1) definir e aprender acerca de capacidade de calor e capacidade de calor
especfico;
2) derivar e aplicar relevantes equaes em problemas numricos;
3) usar as referncias providenciadas para mais informaes relevantes
medida que toma notas e faz avaliaes/questes;
(a) os pontos chaves de aprendizagem acerca da capacidade de calor so que a
capacidade de calor :
African Virtual University 66

(i) usualmente simbolizada por C maisculo, muitas vezes com ndices;


(ii) uma quantidade fsica mensurvel que caracteriza a habilidade de o corpo
armazenar calor medida que a sua temperatura varia;
(iii) definida como o ratio de mudana de temperatura medida que o calor
adicionado ao corpo em dadas condies e estado do corpo;
(iv) expressa em unidades de Joules por Kelvin no Sistema Internacional de
Unidades.
(v) uma quantidade extensiva
(vi) capacidade de calor especfico quando dividida pela massa do corpo que o
contm.
(b) Definio
Capacidade de calor matematicamente definida como o ratio de pequena
quantidade de calor Q adicionado ao corpo, ao correspondente aumento da
sua temperatura dT :
Q dS
C T (3.1)
dT cond dT cond
Onde S a entropia e o ndice define a condio sob a qual a capacidade de
calor est a ser definida.
Coisas importantes a aprender a partir da equao (3.1)
(i) Para um sistema termodinmico com mais de uma dimenso fsica, a
equao acima no d uma nica e simples quantidade, a no ser que um
caminho infinitesimal atravs da fase de um sistema tenha sido definido (isto
significa que necessrio saber sempre onde esto todas as partes do sistema,
qual a massa de cada parte, e com que velocidade se move).
(ii) Para todos os sistemas reais, o caminho pelo qual estas mudanas ocorrem
deve ser definido explicitamente, dado que o valor de capacidade de calor
depende do caminho tomado de uma temperatura para a outra.
African Virtual University 67

Actividade 3.1.1 Capacidade de calor ao volume constante, CV, e


capacidade de calor presso constante, CP
Nesta actividade vai:
(a) distinguir a capacidade de calor ao volume constante, CV, e capacidade de
calor presso constante, CP;
(b) escrever a primeira lei de termodinmica e us-la com as definies de CV e
CP para mostrar que
Q S U
CV T (3.2)
T V T V T V
Q S H
CP T P (3.3)
T P T P T
Onde
Q - a quantidade infinitesimal do calor adicionado;
T - o subsequente aumento em temperatura;
U - a mudana na energia interna;
H - a mudana na entalpia.
Lembre-se de que:
(i) O aumento da energia interna o calor adicionado e o trabalho feito:
dU = TdS PdV (3.4)
(ii) A entalpia definida por H = U + PV. Por isso o incremento da entalpia
dado por dH = dU + (PdV + VdP). (3.5)
Muitos livros sobre calor e termodinmica tratam este tpico muito
bem, por isso devem ser referenciados.

Actividade 3.1.2 Capacidade de calor especifico


(a) Nesta actividade, definimos a capacidade de calor especfico na forma
matemtica. Por isso, capacidade de calor especfico, c, do material
African Virtual University 68

C
c (3.6) que, na ausncia de transio de fase, equivalente a
m
C C
c (3.7)
m V
Onde,
C a capacidade de calor do corpo (J.Ko-1)
m a massa do corpo (kg)
V o volume do corpo (m3)
= mV-1 a densidade do material (kgm-3)
(b) Para gases, e tambm para outros materiais sob altas presses, existe a
necessidade de distinguir entre as condies limites dos processos em
considerao (dado que os valores diferem significativamente entre vrias
condies). Os processos tpicos para os quais a capacidade de calor pode ser
definida incluem os processos isobrico (presso constante, dP = 0) e isocrico
(volume constante, dV = 0) e uma escrita convencional para os gases :
C C
cP (3.8) cV (3.9)
m P m V
(c) A falta da dimenso da capacidade de calor
A falta da dimenso de capacidade de calor C de material dada por
C C
C , onde
nR Nk
C capacidade calorfica do corpo (JK-1),
n o nmero de moles no corpo (mol),
R a constante universal dos gases (JK-1mol-1),
nR = Nk a quantidade da matria no corpo (JK-1),
N o nmero de molculas no corpo (no tem dimenses),
KB a constante de Boltzmanns (JK-1molecula-1).
Usando a informao providenciada acima, mostre que C no tem dimenses.
(d) lei de Dulong-Petit
African Virtual University 69

(i) Para a matria na fase de slido cristalino, a lei de Dulong-Petit


afirma que a capacidade de calor igual a 3. De facto, para os elementos
qumicos de um slido metlico temperatura da sala, as capacidades
calorficas variam desde 2.8 at 3.4 (a excepo notvel de beryllium com
2.0)
(ii) A limitao Dulong-Petit resulta do teorema de equipartio, por
isso somente vlida no limite clssico do contnuo micro estado, que o
limite mximo da temperatura.
Note tambm que:
(iii) A capacidade mxima terica para muitos e muitos multi-tomicos
gases a altas temperaturas aproxima-se ao limite 3R de Dulong-Petit, desde
que seja calculada por moles de tomos e no de molculas. A razo que
gases com muitas molculas, teoricamente, tm praticamente a mesma
capacidade trmica para alta temperatura, faltando apenas a (pequena)
contribuio de capacidade de calor que deriva da energia potencial, a qual no
pode ser armazenada entre as molculas separadas de um gs.
(iv) Para a luz e elementos no-metlicos, assim como muitas das
molculas comuns baseados em composto de carbono nas condicionais
normais de temperatura, o efeito quntico pode tambm desempenhar um papel
importante, como acontece nos gases multiatmicos. Estes efeitos, em geral,
combinam para dar capacidades calorficas menores que 3R por mole dos
tomos no slido, no obstante as capacidades calorficas terem sido calculadas
por mole de molculas. Em molculas de slidos, pode ser mais de 3R. Por
exemplo, a capacidade de calor de gelo no ponto de fuso de cerca de 4.6R
por mole de molculas, mas s 1.5R por mole de tomos. O baixo nmero
resulta do congelamento de possveis modos de vibrao para tomos leves
s adequadas baixas temperaturas, como em muitos gases. Estes efeitos so
vistos em slidos mais quentes que nos lquidos: por exemplo, a capacidade de
calor de gua lquida outra vez prxima do terico #R por mole de tomos do
mximo terico de Dulong-Petit.

Actividade 3.1.3 Modelo terico de Capacidade de calor


Esta actividade apresentada em duas partes, isto , sob gases e slidos como
ser em breve discutido.
Antes de continuar, leia e faa breves notas sobre a teoria cintica dos
gases.
African Virtual University 70

Gases:
1. Monoatmico
De acordo com o teorema de equipartio da estatstica de mecnica clssica,
para um sistema feito de independentes e quadrticos degraus de liberdade, a
contribuio em energia dentro de um sistema fechado composto por N
molculas eventualmente dividida entre os graus de liberdade disponveis em
cada molcula. No limite clssico da mecnica estatstica para cada
independente e quadrtico grau de liberdade,
k BT
Ei (3.11)
2
Onde Ei a energia mdia (medida em joules) associada com o grau de
liberdade i,
T a temperatura (medida em kelvins),
KB a constante de Boltzmann (1.3807.10-23JK-1).
Em geral, o nmero de graus de liberdade, f, em uma molcula com na
tomos 3na: f = 3na
Use as referncias e derive a equao (3.11)
Exemplo 1
O exemplo que se segue pretende ilustrar como a capacidade de calor para os
gases pode ser calculada. Consideremos um gs monoatmico.
1) No caso do gs monoatmico como hlio com volume constante,
assumindo-se que no ocorre nenhuma excitao quntica electrnica ou
nuclear, cada tomo do gs tem somente 3 graus de liberdade, todos do tipo
transaccional.
2) Nenhuma dependncia de energia est associada com os graus de liberdade
que definem a posio dos tomos. Os graus de liberdade correspondendo ao
momento dos tomos so quadrticos e, por isso, contribuem para a capacidade
de calor.
3) Para N tomos, cada um dos quais tem 3 componentes de momentum,
teremos 3N graus de liberdade no total. Por isso:
U 3 3
CV Nk B nR (3.13)
T V 2 2
African Virtual University 71

CV 3 3
CV ,m R R (3.14)
n 2 2
Onde,
CV a capacidade de calor a volume constante do gs,
CV,m a capacidade de calor molar a volume constante do gs,
N o nmero total de tomos presentes no recipiente,
n o nmero de moles no corpo,
R a constante do gs ideal, (8.3145JK-1mol-1). R igual ao produto da
constante de Boltzmann, kB pelo nmero de Avogadro.
Em geral, as capacidades de calor experimentais dos gases nobres
monoatmicos concordam em larga medida com a aplicao mecnica simples
estatstica.
2. Gases Diatmicos
(a) Leia acerca dos gases diatmicos e confirme que:
(i) Num gs diatmico clara a presena de graus internos de liberdade, isto ,
em adio aos trs graus de liberdade translacional, existem os graus de
liberdade rotacional e vibracional.
(ii) Existe um total de trs graus de liberdade rotacional, correspondendo cada
um rotao em cada um dos eixos do espao tridimensional.
(iii) Na prtica somente dois graus de liberdade rotacional so considerados
porque o momento de inrcia em torno do eixo internuclear menor e
desprezvel em relao a outros momentos da inrcia da molcula. (Porqu?)
(Isto devido ao raio do ncleo atmico extremamente menor comparado com
a distncia entre eles numa molcula).
(iv) Mecanicamente quntico, o intervalo entre sucessivas energias rotacionais,
estados de energia, inversamente proporcional ao momento de inrcia em
torno desse eixo. O nmero dos graus de liberdade vibracional : fvib = f ftrans
frot = 6 3 2 = 1
Isto porque existem trs graus de liberdade translacional e dois graus de
liberdade rotacional.
(b) O previsvel calor especfico molar ao volume constante dos gases
diatmicos.
African Virtual University 72

(i) Cada grau de liberdade rotacional e translacional previsto contribuir com


R/2 na capacidade total de calor molar do gs.
(ii) Cada modo vibracional contribui R para a capacidade de calor total molar
porque, para o modo vibracional, existe a componente potencial e cintica de
energia para a capacidade de calor molar do gs, que R/2.
(iii) Por isso, a capacidade de calor molar ao volume constante das molculas
3R 7R
diatmicas previstas : CV ,m RR 3.5R (3.15)
2 2
Exerccio 1
a) Verifique se o valor de CV,m correcto.
b) Procure alguns valores de capacidade de calor de volume - molar de vrios
gases diatmicos e anote-os numa tabela.
c) Os valores que vai anotar mostraro que o gs diatmico mais leve tem a
capacidade de calor menor que os previstos pela Teorema de Equipartio, o
que no acontece nas molculas pesadas.
d) Explique porque isso assim.
(3) Antes de passar para a actividade 3.1.4, precisa de:
Ler e tomar pequenas notas acerca das limitaes da teoria especfica clssica
para baixas temperaturas.

Actividade 3.1.4 Fase slida: Modelo de Debye e Modelo de Einstein


(a) Nesta actividade, vai aprender resumidamente que:
(i) O modelo de Debye um mtodo desenvolvido para estimar a contribuio
dos fones para o calor especfico (capacidade de calor) num slido.
(ii) Trata das vibraes das lacunas dos tomos (calor) como os fones numa
caixa, em contraste com o modelo de Einstein, que trata o slido como vrios
indivduos sem interaco quntica dos osciladores harmnicos.
(iii) O modelo de Debye prediz correctamente a dependncia da capacidade de
calor a baixa temperatura que proporcional a T3.
(iv) Enquanto o modelo de Einstein dos slidos prediz acuradamente que a
capacidade de calor a altas temperaturas notavelmente desviada dos valores
experimentais a baixas temperaturas.
African Virtual University 73

(v) Assim como o modelo de Einstein, tambm se recorda a lei de Dulond-Petit


a altas temperaturas que, devido simplificao que assume, a sua exactido
sofre a temperaturas intermedirias.
(b) A variao da falta de dimenses de capacidade de calor (equao 3.9) com
a temperatura mostrada na Figura 3.1, conforme o previsto pelo modelo de
Debye e o de Einstein. Slido de Einstein um modelo de slido baseado em
dois axiomas:
(i) Cada tomo numa lacuna um 3D oscilador harmnico quntico.
(ii) Os tomos no interagem um com outro.

Figura 3.1: Variao da falta de dimenso de capacidade de calor.


(c) Caractersticas do grfico:
(i) A falta de dimenses de capacidade de calor nula, a zero grau absoluto, e
aumenta para o valor de trs medida que a temperatura se torna maior que a
temperatura de Debye. Por isso, um dos pontos fortes do modelo de Debye
predizer uma anulao da capacidade de calor quando nos aproximamos
African Virtual University 74

temperatura de zero, e d tambm uma forma matemtica apropriada para esta


aproximao.
(ii) Para o slido de Einstein, o valor de 3Nk recuperado a altas temperaturas.
(iii) A linha horizontal corresponde ao limite clssico da lei de Dulong-Petit.
Leia mais acerca disto e faa notas compreensveis acerca dos modelos de
Debye e Einstein.

Actividade 3.1.5 Condutividade Elctrica


Nesta actividade, vamos fazer um certo nmero de definies e derivaes de
equaes. Paralelamente, sero colocadas questes que o ajudaro a
compreender melhor o tpico medida que estuda. medida que progride,
dever tomar notas em todo o estgio da sua actividade de aprendizagem.
(a) Condutividade elctrica
(i) A condutividade elctrica a medida da habilidade do material de conduzir
corrente elctrica. Quando uma ddp aplicada nos extremos do condutor, as
suas cargas livres movem-se dando lugar a uma corrente elctrica. A
condutividade definida como o ratio da densidade de corrente (corrente por
E
rea), J, pela intensidade do campo elctrico E, i. J E (3.16)

(ii) Condutividade o recproco da resistividade elctrica, .
(iii) Os materiais podem ser classificados de acordo com a sua condutividade.
Um condutor de metal tem uma alta condutividade; um isolador ou um vcuo
tem baixa condutividade; enquanto a de um semicondutor geralmente
intermediria, apesar de variar largamente em diferentes condies, tais como
a exposio do material a campos elctricos especficos, frequncias de luz, e,
mais importante, a temperatura.
(b) Caractersticas dos materiais
(i) Em slidos cristalinos, tomos interagem com a vizinhana e o nvel de
energia de electres isolados torna-se em bandas.
(ii) A conduo ou no do material determinada pela sua estrutura de banda.
(iii) Os electres num slido preenchem a energia das bandas at um certo
nvel, chamado energia de Fermi.
African Virtual University 75

(iv) As bandas que esto completamente cheias de electres no podem


conduzir electricidade porque no existe nenhum estado prximo de energia
para os quais os electres podem saltar.
(v) Os materiais cujas bandas esto cheias (i.e. a energia de Fermi est entre
duas bandas ) so isoladores.
(vi) Em alguns casos, contudo, a teoria de banda falha e os materiais previstos
como condutores pela teoria de bandas tornam-se isoladores. Muitos isoladores
de transferncia de carga so de duas classes.
(i) Faa uma curta explanao da razo de os metais serem bons condutores.
(ii) Use o modelo de Drude e mostre que, sendo a condutividade, , tempo de
relaxao, , n, a densidade de electres de conduo, e a carga do electro, e
ne 2
m a massa, o dado pela expresso: (3.17)
m
Mostre que as dimenses na equao (3.17) so consistentes.
(iii) Com o propsito de comparao, escreva notas breves acerca da conduo
elctrica em semicondutores, gases e plasma e vcuo.

Actividade 3.1.6 Condutividade Trmica


Nesta actividade, sero feitas vrias definies e derivaes de equaes.
Paralelamente a isto tudo, questes que o ajudaro a entender melhor o tpico
sero colocadas medida que continua a aprender. medida que progride,
deve tomar suas notas em todo o estgio da sua actividade de aprendizagem.
(a) Condutividade trmica, k, a propriedade intensiva do material que indica
a sua habilidade de conduzir calor.
(i) Est definida como quantidade de calor, Q, transmitida durante o tempo t
atravs da espessura L, em direco normal superfcie da rea A, devido
diferena de temperatura T, sob estabelecidas condies de estado e quando a
transferncia de calor dependente somente no gradiente de temperatura.
transferencia de calor x dis tan cia
(ii) Condutividade termica
area x diferenca de temperatura
(3.18)
Derive as dimenses e unidades da condutividade trmica a partir da
equao (3.18)
African Virtual University 76

Note que
(1) Conceptualmente, a condutividade trmica pode ser pensada como um
recipiente para as propriedades dependentes que relacionam o ratio do calor
perdido por unidade de rea para o ratio de mudana de temperatura i..
Q T
k Energia por unidade de rea (3.19)
AT x
(2) Para um gs ideal o ratio de transferncia de calor proporcional
velocidade mdia molecular, ao caminho livre mdio, e a capacidade molar de
n c CV
calor do gs. k (3.20) onde
3N A
k a condutividade trmica
c a rapidez mdia da partcula

n so partculas por unidade de volume


o caminho mdio livre
CV a capacidade de calor molar
NA o nmero de Avogadro
Verifique a consistncia das dimenses da equao (3.19).
(b) Propriedades trmicas dos materiais
n CV
k
3N A
Escreva pequenas notas sobre as similaridades e diferenas entre a
condutividade trmica e elctrica.
(i) A condutividade trmica depende de muitas propriedades do material,
notavelmente na sua estrutura e temperatura.
(ii) Por exemplo, substncias puras cristalinas exibem uma condutividade
trmica altamente varivel ao longo de diferentes eixos, devido a diferenas
em fones que se emparelham ao longo de uma dada dimenso do cristal. (Leia
mais sobre o assunto.)
(iii) O ar e outros gases so em geral bons isoladores na ausncia de
conveno.
African Virtual University 77

(c) Medio
Escreva breves notas precisas acerca da medio de
(i) bons condutores de calor pelo mtodo de Searle
(ii) maus condutores de calor pelo mtodo de Lees

Actividade 3.1.6 Teoria do electro livre dos metais


(a) Informao de Base
(i) Isto foi primeiro proposto por Drude e Lorentz nos primeiros anos do
sculo 20.
(ii) Considera que alguns electres actuam como se fossem capazes de se
moverem livremente no slido e que os electres livres esto em equilbrio
trmico com os seus tomos.
(iii) Os electres so mantidos no slido pela parede potencial da caixa, mas
no so afectados pelo potencial local associado com os tomos individuais.
(iv) Contudo, metais de transio tm estado electrnico d parcialmente
preenchido e no so includos pelo modelo de electro livre.
Por assumir que o caminho livre mdio dos electres era limitado
pelas colises, esta teoria foi feita mais quantitativa por H.A. Lorentz.
Deste modo, ele foi capaz de derivar a lei de Ohm para a condutividade
elctrica e obter o ratio trmico da condutividade elctrica em excelente
concordncia com a experincia.
(b) As lacunas da teoria
(i) Primeiro, foi predita uma componente larga do calor especfico do metal,
que no existe nos isoladores, que nunca foi observada.
(ii) Segundo, comparaes da teoria com experincia indicam que o caminho
mdio livre de electres se torna extremamente largo a baixas temperaturas e o
modelo no oferece nenhuma justificao.
No obstante, estas lacunas foram ultrapassadas pelo uso de mecnica
estatstica, que removeu a dificuldade de calor especfico, sem perder a bem
sucedida descrio de transporte de propriedades. A teoria resultante mantm-
se como base para perceber muitos transportes de propriedades dos metais e
semicondutores. Quase que na mesma altura, W. V. Houston e F. Bloch
resolveram a equao da onda mecnica - quntica para electres numa
African Virtual University 78

estrutura peridica regular, verificando que eles podiam realmente percorrer


um caminho mdio to grande quanto quisessem se no houvesse defeitos na
periodicidade, colocando deste modo a teoria do electro livre numa base
firme.

Actividade 3.1.7 A lei de Wiedermann-Frantz


(a) Nesta actividade discutida a relao entre condutividades trmicas e
elctricas. Um nmero de informaes -lhe providenciado para entender
como a relao mantida. observado que:
(i) O ratio da condutividade trmica pela condutividade elctrica do metal
proporcional temperatura.
(ii) Qualitativamente, esta relao baseada no facto de que o calor e o
transporte elctrico envolvem ambos o electro livre no metal.
(iii) A condutividade trmica aumenta com a velocidade mdia das partculas,
dado que isso aumenta o transporte da energia adiante.
(iv) Contudo, a condutividade elctrica diminui com o aumento da velocidade
de partcula por causa das colises que derivam dos electres que transmitem a
carga adiante.
(v) Isto significa que o ratio da condutividade trmica pela condutividade
elctrica depende da raiz da velocidade mdia, a qual proporcional
temperatura cintica. A capacidade de calor molar de um gs clssico
3 3
monoatmico dada por CV R N A k (3.21)
2 2
(b) Derivao da lei de Wiedermann-Frantz
(i) A lei de Wiedermann-Frantz derivada tratando os electres como um gs
clssico e comparando a resultante condutividade trmica com a condutividade
elctrica. As expresses das condutividades trmicas e elctricas tornam-se:
n c k ne 2
k ; k
Condutividades 2 mc (3.22)
Trmica Elctrica
African Virtual University 79

(ii) Como a rapidez mdia da partcula a partir da teoria cintica dada pela
8kT
equao (3.23) - c (3.23)
m
(iii) Por isso, o ratio da condutividade elctrica trmica d a lei de
k 4k 2T
Wiedermann-Frantz como LT (3.24) L o nmero de Lorentz
e 2
Veja C. Kittel, Introduction to Solid State Physics, 5th Ed., New
York: Wiley, 1976, p. 178.
Auto-avaliao 3
1. (i) Porque que a capacidade de calor referida como uma quantidade
extensiva?
(ii) Porque a capacidade do calor especfico referida como uma
quantidade extensiva?
2. Criticamente compare os modelos de Debye e Einstein.
3. Derive a unidade da condutividade a partir da equao (3.16).
4. Compare condutividade dos diferentes materiais (condutores, e
semicondutores) sob variao da temperatura. Descreva como podem eles ser
comparados.
5. Explique:
(i) a noo de calor transferida pela conduo;
(ii) razes para uma larga variao na condutividade trmica.
6. Use a equao 3.23 e determine:
(i) o valor do nmero de Lorentz, L;
(ii) a unidade de L.
African Virtual University 80

Actividade de aprendizagem 4

Ttulo da actividade de aprendizagem: Teoria de Banda e


Propriedades pticas

Precisar de 20h para realizar esta actividade.

Sumrio de actividade de aprendizagem


Este modelo consiste de duas partes: Teoria de Banda e Propriedades pticas.
As componentes bsicas da actividade incluem a aprendizagem sobre:
Estrutura da banda electrnica na qual se incluem os condutores isoladores e
semicondutores. A aprendizagem avanada est em dopar; o nvel de Fermi e
a Energia de Bandas dos Slidos.
Os objectivos da aprendizagem do mdulo requerem que o estudante seja
capaz de:
(i) Descrever a teoria de banda,
(ii) Explicar as diferenas entre condutores, semicondutores e isoladores,
(iii) Explicar as diferenas entre semicondutores intrnsecos e extrnsecos o
papel de doping.
Os objectivos da aprendizagem das propriedades pticas destinam-se a
habilitar o estudante a:
(i) Explicar com base nas interaces das ondas electromagnticas (luz) e
materiais: - Absoro, Reflectividade e Transmissibilidade
Lista das leituras Requeridas
Leitura 4: Capacidade de calor
Referncia completa:
De Wikipedia, a enciclopdia livre
URL: http://en.wikipedia.org/wiki/Heat_capacity
Consultado no dia 20 de Abril de 2007
African Virtual University 81

Resumo: Capacidade de calor definida e quantitativamente descrita para


corpos compreensveis. Capacidade de calor especfico definida e modelos
tericos so descritos. A capacidade de calor descrita a vrias temperaturas.
Racional: Este material um suplemento seco de propriedades trmicas da
terceira actividade no mdulo. Links so providenciados para posterior leitura.

Leitura 5: Condutividade Elctrica


Referncia completa
De: Wikipedia, a enciclopdia livre
URL: http://en.wikipedia.org/wiki/Electrical_Conductivity
Consultado em 24 de Abril de 2007
Resumo: Classificao dos materiais pela condutividade; discusso de
algumas condutividades tpicas e dependncia da condutividade pela
temperatura.
Racional: Este material um suplemento para a seco das propriedades
elctricas da terceira actividade deste mdulo. Links so providenciados para
mais leituras.

Lista dos Recursos Multimdia Relevantes


Recurso # 1
Ttulo: Nvel de Fermi e concentrao de conduo.
URL:
http://jas.eng.buffalo.edu/education/semicon/fermi/bandAndLevel/intro.html
Descrio: Providencia boas anotaes introdutrias e simulao do nvel de
Fermi e concentrao de conduo.
Data de consulta: 16/11/2007
consultado: 19/11/2007

Lista dos Relevantes Links teis


Ttulo: Energia de Bandas
URL: http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/hframe.html
Ecr capturado
African Virtual University 82

Descrio: Providencia material de leitura adequada sobre a teoria dos slidos:


Comentrios sobre energia de bandas; energia de bandas de semicondutores;
energia de banda de condutores, energia de banda de silicones

Actividade 4.1 Estrutura da banda electrnica


Nesta actividade vai fazer experincias para verificar a lei de Hookes.
Nesta actividade vamos definir, descrever e discutir alguns termos bsicos, em
relao aos metais; semicondutores e isoladores. medida que progride no seu
estudo ser requerido que providencie respostas a algumas questes que lhe
so colocadas durante a actividade.
(1) A actividade introduzida dando em primeiro lugar definies de alguns
termos chave, tais como estrutura de banda.
(i) Na fsica do estado slido, a estrutura de banda electrnica (ou
simplesmente estrutura de banda) de um slido descreve vrias energias a
que um electro proibido ou permitido ter.
(ii) A estrutura de banda determina as propriedades electrnicas do material, as
propriedades pticas, e a variedade de outras propriedades.
(2) Factos bsicos acerca da formao de bandas.
A partir da sua leitura vai notar que:
(i) Os electres de um nico tomo livre ocupam as rbitas atmicas, que
formam um conjunto discreto dos nveis de energia.
(Na frase acima, o que se deve entender por: rbita atmica e
conjunto discreto de nveis de energia?)
(ii) Numa molcula, onde temos muitos tomos, as suas rbitas atmicas
dividem-se devido ao princpio de excluso de Pauli.
African Virtual University 83

(Explique o que o princpio de excluso de Pauli.)


(iii) Em concordncia, um nmero de rbitas moleculares proporcional ao
nmero de tomos produzido.
(iv) Nos slidos, o nmero de rbitas excessivamente vasto.
(Porque que assim?)
(v) Por isso a diferena em energia entre eles torna-se muito pequena. Contudo
precisa de notar que alguns intervalos de energia no contm rbitas, no
importando quantos tomos esto agregados.
(3) Consideremos agora os trs tipos de materiais separadamente.
(a) Metais
(i) Os metais contm bandas que esto parcialmente vazias e parcialmente
preenchidas, no importando a temperatura em que se encontram. Por isso eles
tm uma alta condutividade.
(ii) Por causa de um nmero extremamente elevado de tomos que interagem
num material slido, os nveis de energia esto to prximos que formam
bandas, por isto, os electres num metal esto organizados em energia de
bandas.
(iii) O nvel mais alto de banda de energia preenchido chamado de banda de
valncia e o nvel mais alto de banda que segue a banda de conduo.
(iv) Regies de energia para os quais parece no existirem rbitas de electres
podem separar aquelas duas bandas. Estas energias proibidas so chamadas de
energia de diferena ou bandas de diferenas.
(v) Se o nmero de electres impar, ento existe um electro sem par em
cada unidade de clula, e por isso a banda de valncia no est completamente
ocupada, tornando por isso o material condutor.
(b) Semicondutor
(i) Um semicondutor um slido cuja condutividade elctrica pode ser
largamente controlada quer permanentemente ou duma forma dinmica.
Leia e tome notas sobre o uso e aplicaes de semicondutores.
(ii) A energia trmica um dos principais mecanismos para excitar electres
para a banda de conduo. Por causa disto, a condutividade dos
semicondutores fortemente dependente da temperatura do material.
African Virtual University 84

(EXPLIQUE PORQUE QUE ASSIM.)


(iii) Semicondutores podem ser elementos como a silicone e germnio ou
compostos como gallium e indium phophide, ou alloys (uma substncia
composta de dois ou mais metais -algumas vezes de um metal e um no-metal)
intimamente misturados pela fuso ou um outro processo como o
silicongermanium ou aluminium gallium arsenide.
(iv) Semicondutores e isoladores tm a banda de valncia que est
praticamente cheia nas condies normais.
(v) O modo mais fcil como os electres podem ser excitados a partir da banda
de valncia para a banda de conduo depende da banda de separao entre as
bandas.
(vi) Os electres devem mover-se entre os estados para poderem conduzir a
corrente elctrica. Devido ao princpio de excluso de Pauli, as bandas cheias
no contribuem para a condutividade elctrica. Mas, medida que a
temperatura do semicondutor se eleva acima do zero absoluto, os estados dos
electres tornam-se grandemente aleatrios e alguns podem ser encontrados na
banda de conduo.
(vii) Nos semicondutores, o movimento da carga elctrica facilitado tanto por
electres como por lacunas. (Leia acerca de Lacunas e faa notas
breves.)
Escreva notas curtas sobre semicondutores intrnsecos e
semicondutores extrnsecos.
Compare os dois tipos de semicondutores.
(c) Isolador
(i) Isoladores contm bandas, as quais esto completamente preenchidas. Por
isso eles tm baixa condutividade.
(ii) Isoladores tm uma larga diferena proibida entre as energias da valncia
dos electres e a energia na qual os electres se podem mover livremente
atravs do material ( a banda de conduo). o tamanho da energia desta
banda de proibio que usado como uma linha divisria arbitrria entre
semicondutores e isoladores.
** Leia mais sobre os isoladores e faa notas.
(4) Doping
African Virtual University 85

(i) O processo de adicionar impurezas controladas na lacuna de cristal de um


semicondutor, tendo em vista modificar a sua condutividade, conhecido
como doping. A quantidade de impureza, ou dopante, adicionada a um
semicondutor intrnseco (puro) modifica o seu nvel de condutividade.
Semicondutores dopados so muitas vezes referidos como extrnsecos.
Escreva uma nota curta sobre como o dopante influencia a
condutividade de um semicondutor.
(5) O nvel de Fermi
(i) O nvel de Fermi o topo da coleco dos nveis de energia de electro
temperatura zero absoluto.
(ii) Dado que os electres so fermies , pelo principio de excluso de Paul,i
no podem sair num estado de energia idntico. Ento a zero absoluto eles vo
para o estado mais baixo de energia disponvel e constroem o mar de Fermi
de estados de energia dos electres.
(iii) O nvel de Fermi a superfcie desse mar a zero absoluto onde nenhum
electro ter energia suficiente para ir acima da superfcie. Por isso, o nvel de
Fermi est localizado na banda da diferena.
(iv) A posio do nvel de Fermi com relao banda de conduo um factor
crucial na determinao das propriedades elctricas.
(v) Num condutor, o nvel de Fermi est dentro da banda de conduo, de tal
modo que a banda est somente preenchida at metade com os electres. Neste
caso, apenas uma pequena quantidade de energia requerida para os electres
encontrarem e moverem-se a um outro estado desocupado e, desse modo,
ocorrer a corrente.
(vi) Para semicondutores intrnsecos como silicone e germnio, o nvel de
Fermi essencialmente metade do caminho entre a valncia e a banda de
conduo. Apesar de que nenhuma conduo ocorre a 0ok, a altas
temperaturas, um nmero finito de electres pode atingir a banda de conduo
e providenciar alguma corrente. Nos semicondutores dopados so adicionados
nveis extras de energia.
Para a simulao de alguns destes conceitos, veja
htt://www.collage.soe.ucsc.edu/JavaFiles/ElectronDopedSimulation.html.
12/11/2007.
(6) Energia de Banda nos Slidos
African Virtual University 86

A Fig. 4.1 representa o diagrama de esquemas de bandas de energia num slido


isolador, semicondutor e condutor. Estude os trs diagramas cuidadosamente e
anote as posies relativas de banda de conduo, banda de valncia e energia
de diferena.
Energia de electres

Isolador Semicondutor Condutor


Figura 4.1: Diagrama esquemtico das bandas de energias

Actividade 4.2 Propriedades pticas


Nesta seco vamos considerar propriedades pticas dos materiais. As mais
importantes propriedades pticas dos materiais so a sua transmissibilidade
interna e externa, superfcie reflectora, e ndices de refraco. A discusso que
se segue inclui: absoro, reflectividade, e transmissibilidade.
Consideremos um por um.
(1) Absoro. Nesta seco vamos explicar como os fotes so absorvidos
pelos materiais.
(i) Deve saber que os fotes so ondas electromagnticas com particular
frequncia e que molculas so sistemas com separao de carga (campo
elctrico negativo e ncleo positivo).
(ii) As propriedades pticas do slido so governadas pela interaco entre o
slido e o campo elctrico da onda electromagntica.
O conceito importante que tem de aprender aqui que:
African Virtual University 87

(i) O estado de carga de separao da molcula pode alterar-se de modo


quantizado por absorver a energia do foto.
(ii) Para o que est em (i) acontecer: a frequncia do foto deve ser equivalente
frequncia associada com a energia de transio da molcula para que a
transferncia de energia ocorra. Esta energia dada pela equao (4.1) como:
hc
E hv (4.1).

Onde E a energia; h a constante de Planck; v a frequncia, c a
velocidade da luz no vcuo e o comprimento de onda.
a) Tambm precisa de saber que a absoro do foto ocorre como um evento
quntico, em todos ou nenhum fenmeno. (TENTE PERCEBER O
SIGNIFICADO DESTA AFIRMAO.)
b) Na ptica biomdica, absoro de fotes o evento mais importante, isto :
(i) A absoro o evento primrio que permite ao laser ou outra fonte de luz
causar potencialmente o efeito teraputico (ou dano) no tecido. Sem absoro,
no h transferncia de energia para o tecido e o tecido no seria afectado pela
luz.
(ii) A absoro da luz providencia um papel diagnstico tal como o de
espectroscopia de um tecido. A absoro pode providenciar um indicativo
sobre a composio qumica de um tecido, e serve como um mecanismo de
contraste ptico durante a obteno de imagens. A absoro usada para
espectroscopia e aplicaes de imagens.
(c) Definio e unidades do coeficiente de absoro
O coeficiente de absoro a um parmetro usado para descrever a
efectividade da absoro. Se um raio de luz atinge uma esfera, como
mostrado na Fig. 4.2:
African Virtual University 88

Figura 4.2: Um raio de luz atingindo a rea A da seco transversal.


Se o tamanho da zona escura de absoro for a cm2 e o tamanho geomtrico
da esfera A cm2, ento a eficincia de absoro Qa [sem dimenses] dada
pela equao 4.2:
a = Qa A (4.2)
Se a for a densidade de volume, ento o coeficiente de absoro a dado
pela equao 4.3:
a = aa (4.3)
A unidade de coeficiente de absoro cm-1 e do da densidade de volume
cm-3.
Se L (cm) for o comprimento da viagem do foto atravs do meio, ento a
probabilidade de sobrevivncia (transmisso T) do foto dada pela equao
(4.4):
T = exp (-aL) (4.4)
A expresso na equao (4.4) verdadeira para qualquer caminho percorrido
pelo foto.
(d) Absoro e Coeficiente de Extino
Nesta seco, derivamos expresses para absoro e coeficientes de extino.
(i) A velocidade da propagao de uma onda electromagntica atravs de um
slido dada pelo ndice de frequncia dependncia complexo de refraco.
African Virtual University 89

N n ik onde a parte real n est relacionada com a velocidade, e k, o


coeficiente de extino est relacionado com o decaimento, ou diminuio da
amplitude de oscilao do campo elctrico incidente.
(ii) Se a onda plana de frequncia f se propaga atravs de um slido com a
velocidade , na direco x, ento o campo elctrico, E, dado pela equao
x
(4.6): E E 0 exp2fi t (4.6) onde, (E0) o vector campo elctrico
v
x
incidente, e 2fi t o deslocamento no tempo t depois da perturbao,
v
x, ao longo da linha de propagao.
Dado que a velocidade de propagao atravs de um slido de um ndice
complexo de refraco N n ik est relacionada com a velocidade da luz no
c 1 n ik
vcuo, c, pela relao v (4.7), temos que (4.8). Se a
N v c c
equao (4.8) for substituda na equao (4.6) obtemos que
2xni 2fkx
E E 0 exp(2fti ) exp exp (4.9)
c c
O termo (-2 fkx / c) a medida de factor de queda do coeficiente de extino
k. Mas o poder (P) ou intensidade de uma onda incidente atravs do slido
dado por P = E2 (4.10) onde a condutividade do slido e E o
vector campo elctrico.
Usando o termo do factor de queda, a fraco da energia incidente que se
propaga a partir da posio (o) para a distncia (x) atravs do material com a
P x E 2 x 4fkx
condutividade () dada por: exp (4.11)
P0 E 02
c
4fk
Por isso o coeficiente de absoro dado por
c
(e) Reflexividade
A maior parte desta seco vai faz-la sozinho. No obstante, algumas
definies so aqui providenciadas.
African Virtual University 90

(ii) Em ptica, reflexividade a reflectncia, isto , o ratio da energia


reflectida pela energia incidente.
(iii) Reflexividade geralmente expressa em decibis.
Complete esta seco e faa suas notas. Inclua alguns exemplos.
(f) Transmissibilidade
Alguma informao aqui providenciada para o ajudar a fazer notas
compreensivas sobre a transmissibilidade.
(i) Dois conceitos muito importantes a que nos referimos so a transmisso
externa e transmisso interna.
Transmisso externa uma passagem - simples de irradiao de um
elemento ptico, enquanto a transmisso interna a passagem - simples da
irradiao transmitida na ausncia de quaisquer perdas de qualquer
superfcie de reflexo (i.. transmistncia de material).
(ii) Transmissibilidade externa de extrema importncia na seleco de
instrumentos pticos, como um sistema de lentes para a formao de uma
imagem, porque a transmissibilidade externa ignora mltiplas reflexes entre
as superfcies de lentes.
Se Te for a desejada transmissibilidade externa de irradiao; Ti a
correspondente transmissibilidade interna; ti A passagem simples da
transmissibilidade da primeira superfcie, e t2 a passagem simples da
transmissibilidade da segunda superfcie, o Te t1t 2Ti t1t 2 e tc (4.13) o
coeficiente de absoro do material da lente, e tc a grossura do centro da
lente.
Use as referncias providenciadas e d conta de como a equao
4.13 derivada. Se ambas as superfcies das lentes no esto cobertas,
2
n 1
ento t1t 2 1 2 y y 2 (4.14) onde y a superfcie, recebendo a
n 1
irradiao que incide normalmente como dado pela frmula de Fresnel.
Ambos os ndices de refraco, n e so funes do comprimento de onda.
** Para mais informao leia mais sobre este tpico.

Auto-avaliao 4
1. Escreva brevess notas sobre:
African Virtual University 91

a) banda de valncia
b) banda de conduo
c) diferena de banda proibida
d) Esquematize um diagrama mostrando estas bandas num metal.
2. (i) Use o diagrama na Fig. 4.1 para comparar os trs materiais.
(ii) Explique como a conduo tem lugar num semicondutor quando um
electro excitado a partir da banda de valncia para a banda de conduo.
(iii) Diferencie semicondutores intrnsecos dos extrnsecos.
(iv) O que significa uma impuridade num semicondutor tecnolgico?

XI. Glossrio (Lista de todos os conceitos chave)


Movimento no harmnico: o movimento de um corpo sujeito a uma fora
restauradora que no directamente proporcional ao deslocamento a partir de
um ponto fixo na linha do movimento.
Aquecimento: um processo de aquecer uma substncia a uma temperatura
especifica abaixo do ponto de fuso, mantendo essa temperatura por algum
tempo, e depois baixando-a lentamente. Uma cristalizao lenta tem lugar, por
isso, num estado slido sob condies controladas de temperatura.
Aquecimento em geral suaviza metais e estabiliza artigos de vidro por permitir
que as presses produzidas durante a fabricao desapaream.
rbita atmica: uma funo de onda permitida para um electro passar de
um tomo para outro, obtida pelas solues de equaes de onda de
SchOdinger.
Bandas: Em slidos cristalinos, os tomos interagem com os seus vizinhos e
os nveis de energias dos tomos isolados tornam-se em bandas.
Coordenao da rede: uma rede de cristal na qual a identidade das
molculas se torna ambgua por cada io comportar a mesma relao com os
ies vizinhos, em todas as direces.
Estrutura do cristal: Ambas as especificaes da estrutura geomtrica para a
qual o cristal pode ser referido e o agrupamento de tomos ou a distribuio da
densidade-electro relativa dessa estrutura.
Graus de liberdade: O nmero dos graus de liberdade de um sistema
mecnico igual ao nmero de variveis independentes necessrias para
African Virtual University 92

descrever a sua configurao; p.e. um sistema consistindo de duas partculas


conectadas por uma barra rgida tem 5 graus de liberdade, dado que 5
coordenadas ( 3 de centro de massa ou de qualquer partcula e mais 2 ngulos)
so necessrias para especificar o seu estado. O nmero mais pequeno de
coordenadas necessrio para especificar o estado do sistema chamado de suas
coordenadas generalizadas e, dado que estas especificam o estado do sistema
completo, tambm especificam o estado de qualquer partcula individual do
sistema. As coordenadas generalizadas podem ser escolhidas de mais do que
um modo. Os nmeros de graus de liberdade dependem somente das
possibilidades de movimento das vrias partes do sistema e no dos actuais
movimentos. Para um gs monoatmico o nmero 3. Para um gs diatmico
com molculas rgidas 6, formados por 3 graus de liberdade para o centro de
gravidade: move-se no espao, 2 graus de liberdade da linha, juntando os dois
tomos para poder mudar de direco no espao, e 1 para rotao em torno
deste eixo.
Doping: a adio de impuridades (dopantes) a um semicondutor para
alcanar a desejada condutividade n ou condutividade p.
Energia de equipartio: O princpio de equipartio de energia baseado na
mecnica estatstica clssica e enunciada por Boltzmann. Afirma que a energia
mdia das molculas do gs est igualmente dividida entre os vrios graus de
1
liberdade das molculas. A energia mdia de cada grau de liberdade kT ,
2
onde k a constante de Boltzmann e T a temperatura termodinmica.
Condutividade Intrnseca: a condutividade de um semicondutor que est
associada ao prprio semicondutor e no tem a contribuio de impuridades.
Numa dada temperatura um nmero de portadores de carga e igual nmero de
lacunas so termicamente gerados e isto que d lugar condutividade
intrnseca.
Rede: Uma rede a geometria simplificada de um cristal, na qual os tomos
foram removidos deixando apenas o esqueleto dos pontos matemticos onde
cada ponto substitui alguma coisa desde uma at vrias centenas dos tomos
originais. Cada grupo destes tomos chamado de base.
Capacidade de calor molar: a capacidade de calor da unidade de
quantidade de uma substncia dum elemento, composto ou material. medida
em Joules, por Kelvin por moles.
O mole : A quantidade que contm 6.02.1023 de partculas o mole.
African Virtual University 93

Princpio de excluso de Pauli: o princpio de que em nenhum sistema


possvel dois fermies idnticos estarem no mesmo estado quntico, isto ,
terem o mesmo conjunto de nmeros qunticos. O princpio foi primeiramente
proposto em 1925 na forma de que no podem estar mais de dois electres
num tomo no mesmo conjunto de nmeros qunticos. Esta hiptese explicou
muitas caractersticas da estrutura do tomo e do quadro peridico. Com a
introduo do quarto nmero quntico, foi visto que somente um electro
poderia estar num dado estado. Um electro num tomo caracterizado por
quatro nmeros qunticos: n, l, m e s (onde n, l, m e s so: nmero quntico
principal, nmero quntico spin, nmero quntico azimute e magntico spin,
respectivamente. Uma orbital atmica particular que tem valores fixos de n, l e
m pode por isso conter o mximo de dois electres, dado que o nmero
quntico spin s pode ser +1/2 ou -1/2. Dois electres com spins opostos numa
rbita atmica so ditos spin-parelhados.
Fotes: Um foto uma radiao electromagntica quntica. Tem uma energia
h onde h a constante de Planck e a frequncia de radiao. Para alguns
propsitos, fotes podem ser considerados como partculas elementares
viajando velocidade da luz (c) e tendo o momento h / c . Fotes podem
causar excitao de tomos e molculas e as mais energticas podem causar
ionizao.
Fones: Num slido os tomos no vibram independentemente, mas as
oscilaes so transmitidas atravs da substncia como ondas acsticas de uma
frequncia extremamente alta, f , (tipicamente da ordem de 1012 Hz). A
energia transmitida pelas ondas quantizadas, i.e; o quantum, chamada um
fono e tem o valor hf , onde h a constante de planck. Para muitos
propsitos, os fones podem ser tratados como se fossem molculas de um gs
movendo-se dentro dos espaos ocupados pelo slido, o caminho mdio livre,
sendo limitado por vrios processos de distribuio.
Deformao plstica: Investigaes microscpicas mostram que, quando um
metal deformado plasticamente, a deformao ocorre pelo escorregamento de
um plano do empacotamento mais prximo.
Elasticidade: A lei de Hooke vlida para compresso assim como para a
tenso se a fora compressiva no for to grande e, para muitos materiais, o
mdulo de Young tem o mesmo valor para ambas as foras de tenso e
compresso, com excepo de materiais compostos como os reais.
African Virtual University 94

Isoladores: As bandas que esto totalmente cheias de electres no podem


conduzir electricidade, porque no h nenhum estado prximo de energia para
o qual os electres podem saltar. Os materiais nos quais todas as bandas esto
cheias so chamados de isoladores.
Metais: Os metais so bons condutores porque eles tm espaos no
preenchidos na banda de valncia e na banda de energia.
Condutividade trmica: Conceptualmente pode ser pensado como um
recipiente para o meio de propriedades dependentes que relacionam o ratio da
perca de calor por unidade de rea ao ratio da mudana de temperatura.
Calor transferido pela conduo: Envolve a transferncia de energia dentro
do material sem nenhum movimento do material como um todo. O ratio da
transferncia de calor depende do gradiente de temperatura e da condutividade
trmica do material.
Na Fsica do estado slido, a estrutura de banda electrnica (ou
simplesmente estrutura de banda): de um slido descreve uma variedade de
energia a que um electro proibido ou permitido ter. A estrutura de
banda determina as propriedades do material electrnico, as propriedades
pticas e a variedade de outras propriedades.
Em ptica, reflexividade: a reflectncia (o ratio do poder reflectido em
relao ao poder incidente, geralmente expresso em decibis ou percentagem)
na superfcie do material de tal modo espesso que a reflectncia no muda com
o aumento de espessura.
Ponto de Desistncia: Um ponto no grfico de presso x deformao do
material, no qual a deformao se torna dependente do tempo e do material.

XII. Lista das Leituras Obrigatrias


Leitura 1: Estrutura cristalina
Referncia completa
De: Wikipedia
URL: http://en.wikipedia.org/wiki/Crystal_structure
Consultado em 20 de Abril de 2007
African Virtual University 95

Resumo: Este material de leitura descreve sumariamente a unidade clula,


classificao dos cristais pela simetria, propriedades fsicas do cristal e links
para vrios sites so providenciados dentro de wikipedia e outros sites.
Racional: Este material providencia uma discusso elaborada dos contedos
da primeira actividade do mdulo.

Leitura 2: Estrutura cristalina


Referncia completa
De: Universidade de Exeter
URL: http://newton.ex.ac.uk/teaching/resources/rjh/phy2009/
Consultado em 20 de Abril de 2007
Resumo: Neste artigo, a estrutura cristalina descrita com diagramas bem
ilustrados. Os exerccios no artigo ajudam o leitor a consolidar os tpicos
aprendidos.
Racional: Este artigo d uma outra forma de olhar para as estruturas de cristal.
Mais ainda, o teste de amostra e exerccios dados no fim providenciam boa
oportunidade para exercitar teorias e princpios de diferentes perspectivas.

Leitura 3: Estrutura dos materiais na escala atmica


Referncia completa
De: DoITPoMS Pacotes de Ensinar e Aprender
URL:
Consultado em 24 de Abril de 2007
Resumo: Vrios tipos de cristal so descritos e exemplos trabalhados so
dados em tpicos de cristal e defeitos de cristal.
Racional: Este material parte de pacotes de ensinar e aprender de
DoITPoMS. Os pacotes so destinados a um uso interactivo no computador!
Este extracto impresso cordialmente providenciado por convenincia, mas
no mostra todo o contedo do pacote de ensino e aprendizagem. Por exemplo,
faltam todos os vdeos clips e as respostas s questes. Se tem acesso internet
visite o site e interaja com os exerccios. Esta leitura suplementa a segunda
actividade do mdulo.
African Virtual University 96

Leitura 4: Capacidade de Calor


Referncia completa
De: Wikipedia, a enciclopdia livre
URL: http://en.wikipedia.org/wiki/Heat_Capacity
Consultado em 20 de Abril de 2007
Resumo: A Capacidade de calor definida e quantitativamente descrita para
corpos compressveis. A capacidade de calor especfico definida e modelos
tericos so descritos. descrita a capacidade de calor a vrias temperaturas.
Racional: Este material um suplemento para a seco das propriedades
trmicas da terceira actividade deste mdulo. Links so providenciados para
mais leituras.

Leitura 5: Condutividade Elctrica


Referncia completa
De: Wikipedia, a enciclopdia livre
URL: http://en.wikipedia.org/wiki/Electrical_Conductivity
Consultado em 24 de Abril de 2007
Resumo: Classificao dos materiais pela condutividade; discusso de
algumas condutividades tpicas e dependncia da condutividade pela
temperatura.
Racional: Este material um suplemento para a seco das propriedades
elctricas da terceira actividade deste mdulo. Links so providenciados para
mais leituras.

XIII. Lista (Opcional) dos Recursos Multimdia


Recurso # 1
Ttulo: Electres em uma simulao de semicondutores extrnsecos
URL:
http://www.collage.soe.ucsc.edu/javaFiles/ElectronDopedSimulation.html
Descrio: O Applet mostra o movimento de electres num semicondutor
extrnseco; o campo elctrico dos numerosos electres e um mecanismo para
atrair e largar impurezas intersticiais.
African Virtual University 97

Racional: Ajuda a visualizar a conduo num semicondutor extrnseco.

Recurso # 2
Ttulo: lei de Bragg
URL: http://www.eserc.stonybrook.edu/Project.Java/Bragg/
Descrio: O Applet mostra dois raios incidentes em dois nveis atmicos do
cristal, por exemplo, tomos, ies e molculas, separados pela distncia d. Os
nveis assemelham-se a linhas, porque so projectados em duas dimenses e a
sua viso paralela dos nveis. O applet comea com os raios distribudos
em fases e interferindo construtivamente. A lei de Bragg est satisfeita e a
difraco ocorre. O metro mostra a equivalncia perfeita das duas fases de
ambos. A pequena luz no metro fica verde quando a equao de Bragg
satisfeita.
O metro pode ser observado enquanto as trs variveis na lei de Bragg so
modificadas na tecla rolante e se escrevem os valores nas caixas. As variveis
d e q podem ser modificados puxando as setas providenciadas no nvel de
cristal e na distribuio de projeco, respectivamente.
Racional: Ajuda a visualizar a conduo em semicondutores extrnsecos.

XIV. Lista dos Relevantes Links teis

Pelo menos 10 web sites. Estes links teis devem ajudar os estudantes a
entender os tpicos cobertos no mdulo. Para cada link uma referncia
completa (Ttulo do site, URL), assim como 50 palavras para a descrio do
link escritos de tal sorte que motivam o estudante a ler o texto, devem ser
providenciados. O racional do link providenciado deve tambm ser explicado
(extenso mxima: 50 palavras). Um ecr capturado de cada link til
necessrio.
African Virtual University 98

Link til # 1
Ttulo: Slidos Amorfos
URL: http://www.britannica.com/eb/article-9110300/amorphous-solid
Ecr Capturado

Descrio: A Enciclopdia Britnica online um dos recursos online


excelentes para ter uma discusso introdutria praticamente em todos os
tpicos que nos interessam. Embora o site no seja gratuto, h perodos de
acesso limitado.
Racional: Est disponvel uma explicao detalhada de slidos.
Data de consulta: 29 de Abril de 2007
African Virtual University 99

Link til # 2
Ttulo: Difraco dos raios X
URL: http://galileo.physics.edu/classes/252
http://mhsweb.ci.manchester.ct.us/Library/webquests/atomicmodels.htm
Ecr Capturado

Descrio: Este site tem links para a descrio completa da difraco e


mtodos de raios X
Data de consulta Abril 2007
African Virtual University 100

Link til # 3
Ttulo: http://galileo.physics.edu/classes/252 MIT open courseware
URL: http://mhsweb.ci.manchester.ct.us/Library/webquests/atomicmodels.htm
Ecr Capturado

Descrio: O MIT Open Courseware uma das coleces famosas mundiais


com o material do curso acessvel em todo o Mundo. rico em demonstraes
de vdeo e exerccios. Esta coleco tem replicaes de sites em Universidades
Africanas, tais como Universidade de Addis Abeba http://ocwmit.aau.edu.et/ e
Universidade de Nairobi
Racional: Muto relevante para o mdulo em geral.
Data de consulta: Abril de 2007
African Virtual University 101

Link til # 4
Ttulo: http://galileo.physics.edu/classes/252 Defeitos nos cristais
URL: http://www.ndt-
ed.org/EducationResourcesCommunityCollege/Materials/Structure/crystal_def
eitos.htm
http://mhsweb.ci.manchester.ct.us/Library/webquests/atomicmodels.htm
Ecr Capturado

Descrio: Esta pgina da web parte de NDT Centro de Recursos. Este site
foi desenhado para ser uma fonte compreensvel de informao e material para
NDT e NDE educao tcnica. O site foi criado por profissionais e educadores
de todo o mundo de NDT.
Racional: Um nmero elevado de links providenciado e discutida a cincia
bsica de defeitos de cristais.
Data de consulta: Maio de 2007
African Virtual University 102

Link til # 5
Ttulo: http://galileo.physics.edu/classes/252 Teoria do Electro Livre
URL:
http://teknik.uu.se/ftf/education/ftf1/forelasningar/overview/Freelectronmodel.
pdf
Ecr Capturado

Descrio: Este link providencia documentos em pdf sobre a teoria do electro


livre.
Racional: Relevante para a terceira actividade deste mdulo
Data de consulta: 19 de Maio de 2007
African Virtual University 103

Link til # 6
Ttulo: http://galileo.physics.edu/classes/252 Propriedades pticas dos slidos
URL: http://web.missouri.edu/~speckan/witch-
stuff/Research/chapter4/node2.html re/crystal_defeitos.html
http://mhsweb.ci.manchester.ct.us/Library/webquests/atomicmodels.htm
Ecr Capturado

Descrio: Uma descrio detalhada das propriedades pticas est disponvel


neste site.
Racional: Tratamentos avanados dos contedos para leitores curiosos.
Data de consulta 20 de Maio de 2007
African Virtual University 104

Link til # 7
Ttulo: http://galileo.physics.edu/classes/252 Modelo de Einstein dos cristais
URL: http://www.plmsc.psu.edu/~www/matsc597c-
1997/systems/Lecture4/node3.html
http://mhsweb.ci.manchester.ct.us/Library/webquests/atomicmodels.htm
Ecr Capturado

Descrio: O modelo de Einstein descrito. Links so disponveis para o


modelo de Debye, assim como para o estado slido e oscilador harmnico.
Racional: tpico suplementar na actividade trs deste mdulo.
Data de consulta: 20 de Maio de 2007
African Virtual University 105

Link til # 8
Ttulo: http://galileo.physics.edu/classes/252 Propriedades Elctricas dos
Slidos
URL: http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/solids/elpro.html#c1
http://mhsweb.ci.manchester.ct.us/Library/webquests/atomicmodels.htm
Ecr Capturado

Descrio: Esta parte de uma larga coleco de artigos sobre a fsica do


estado slido. Se acessar http://hyperphysics.phy-
astr.gsu.edu/hbase/solcon.html obter dados sobre como o contedo est
estruturado neste site e tambm como usado noutros tpicos.
Racional: Muito relevante para o curso .
Data de consulta Abril de 2007
African Virtual University 106

Link til # 9
Ttulo: http://galileo.physics.edu/classes/252 Teoria de Banda dos Slidos
URL: http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/solids/elpro.html#c6
Ecr Capturado

Descrio: Uma boa coleco de teorias e applets de Java est disponvel


neste link.
Racional: Complementa a actividade 4.
Data de consulta: Abril de 2007
African Virtual University 107

Link til # 10
Ttulo: http://galileo.physics.edu/classes/252 Estrutura da Banda Electrnica
URL: http://en.wikipedia.org/wiki/Electronic_band_structure
http://mhsweb.ci.manchester.ct.us/Library/webquests/atomicmodels.htm
Ecr Capturado

Descrio: providenciada uma explicao clara de Bandas de Energia em


Isoladores; Bandas de Energia de Semicondutores; Bandas de Energia de
Condutores; Semicondutores e Dopantes.
Racional: Este site providencia uma leitura simples sobre a teoria de banda.
Isto muito importante para cada um desenvolver fundamentos firmes sobre o
tpico. Os importantes tpicos incluem: porque que a banda ocorre, conceitos
bsicos, estrutura de banda de cristais, entre outros.
Data de consulta 20 de Maio de 2007
African Virtual University 108

Solues de Auto-avaliao 1
1. Os compostos inicos so usualmente slidos temperatura da sala, e tm os
pontos de fuso muito altos. Eles so bons isoladores elctricos no estado
slido, dado que os electres esto praticamente todos ligados firmemente a
ies particulares e poucos esto disponveis para a conduo. No estado de
fuso, algumas ligaes inicas so quebradas e a conduo torna-se possvel.
2. A rede formada a quadrada. Cada ponto representa trs tomos.
3. (i) Uma rede rectangular tem uma simetria 2 dupla.
(ii) Um cristal equilateral tem uma simetria 2 tripla.
4. Todas as redes possuem a propriedade de simetria translacional: porque a
rede se transforma- em si mesma (i.e. permanece a mesma) quando movida
atravs de nmeros ntegros de vectores de rede.
5. No podemos encontrar a rede que entra em si mesma sob a rotao como
2/5 ou 2/7. Isto porque a rede que experimente tal rotao poderia
ultrapassar-se. Um eixo 2 cinco para a simetria no pode existir numa rede
porque no possvel preencher todo o espao com todas as conexes
possveis do pentgono.
7. Fraco de empacotamento em bcc
African Virtual University 109

Clculo de raio do tomo no diagrama de Sketch mostrando as relativas


posies dos tomos num BCC.
Para um bcc, os tomos tocam a diagonal como mostrado na Fig. 1.21. Se o
raio de tomo for r, ento R2 = 2a2 + a2 =3a2 mas R = 4r e por isto 16r2 = 3a2
3a 2 a
Ou r
2
r 3
16 4
A seguir, vamos determinar o nmero de pontos na rede num bcc.
Cada tomo no canto partilhado por 8 clulas, tal e qual como no caso de um
sc, por isso o nmero de pontos de rede, devido aos tomos do canto, um.
Em adio a isto, existe um tomo dentro da clula. Isto significa que num bcc
existem dois pontos de rede. Por isso, o volume ocupado pelos pontos da rede
Fraccao de volume ocupado pelos pontos de rede
:
armazenamento volume ocupado por uma unidade de celula
4 3
r
Fraccao de 3
68%
armazenamento a3
Isto significa que somente 32% espao num bcc est vazio, enquanto68% est
preenchido de tomos.
(ii) Determine a fraco de empacotamento num fcc.

Fraco de empacotamento num cristal


African Virtual University 110

No fcc os tomos tocam-se na superfcie ao longo da diagonal como mostrado


na Fig. 1.22. No parmetro da rede a e o raio de cada tomo r. Ento
2
4r 2 2a 2 r 2 a
8
Determinando o nmero de pontos de rede.
Isto devido ao tomo na superfcie e os que esto nos cantos.
Os tomos nas superfcies so partilhados por duas clulas, enquanto os dos
cantos so partilhados por 8 clulas.
1 1
Por isso o nmero dos pontos de rede = x6 x8 4
2 8
3
4 a
x4
3 2 2
Por isso a fraco de empacotamento = 74%
a3
8. Quando os raios X atingem um tomo, fazem a nuvem electrnica mover-se
tal como faz qualquer onda electromagntica. O movimento destas cargas re-
irradia ondas com a mesma frequncia (parcialmente indistinto devido
variedade de efeitos); este fenmeno conhecido como a distribuio de
Rayleigh (ou distribuio elstica). Estas ondas reemitidas interferem umas
com as outras quer construtivamente quer destrutivamente, produzindo uma
padro de difraco num detector ou num filme. A onda resultante do padro
de interferncia a base da anlise da difraco. O comprimento de onda dos
raios X comparvel com as distncias interatmicas 150pm e por isso so
excelentes investigadores neste comprimento de escala.
A interferncia construtiva quando a fase se desloca proporcionalmente a 2;
esta condio pode ser expressa pela lei de Bragg: n = 2dsen
Onde
n um ntegro
o comprimento de onda dos raios X
D o espaamento entre os planos na rede atmica, e
o ngulo entre o raio incidente e o plano de espalhamento.
African Virtual University 111

Solues de Auto-avaliao 2
Soluo para Q1
Impuridades de substituio causam alguma distoro em torno do ponto onde
se encontram. Mais ainda, a presena de defeitos aumenta a desordem do
cristal, i. . ele aumenta a sua entropia. Existe por isso a tendncia para
maiores defeitos estarem presentes em altas temperaturas.
Em torno da vacatura, por exemplo, existe a tendncia para um
agrupamento atmico que reajusta ligeiramente causando a distoro da rede
cristalina ... A presena das vacaturas providencia um meio para os tomos se
difundirem largamente de uma forma fcil, dum ponto para outro, dado que um
tomo pode mover-se para uma lacuna deixando por isso o seu prprio lugar
vago, sem produzir muita erupo no cristal existente, i.. muita pouca energia
requerida. Isto implica que a difuso pode ser pensada como a migrao de
lacunas em direco oposta.
Compostos podem tambm ser formados entre diferentes tipos de
pontos de defeitos. Por exemplo, se a lacuna encontra uma impuridade, os dois
podem unir-se se a impuridade for muito larga para a rede. Intersticiais podem
formar intersticiais de disjuno ou estruturas dumbbell onde efectivamente
dois tomos partilham um lugar atmico resultando que nenhum tomo ocupa
efectivamente aquele lugar.
Soluo da seco 2.1.2
A presena da lacuna num io - positivo deteriora a neutralidade elctrica da
regio e por isso a lacuna tem carga negativa efectiva associada a ela como
efectivamente ilustrado pela superfcie ligada com a lacuna no diagrama.
(i) Isto aumenta a energia electrosttica do cristal, por isso, tendo em vista
manter a neutralidade elctrica, existe a tendncia para a produo de lacunas
de ies - positivos e negativos.
(ii) A presena de lacunas tambm salienta a ordinria difuso num cristal
inico, mas na presena de um campo elctrico aplicado, a difuso
incrementada devido s lacunas vai tambm assistir conduo elctrica.
Soluo da seco 2.1.5 (c)
Num cristal bcc o escorregamento ocorre ao longo dos seis equivalentes
[ 110crticos da regio.
Soluo de Q1(b) Defeitos planares
African Virtual University 112

Os possveis efeitos de defeitos planares so:


Os ns de fronteira ocorrem em mudana abrupta da direco da cristalografia
da rede. Isto ocorre comummente onde dois cristais comeam a crescer
separadamente e depois se encontram.
Nos limites ante fase ocorrem alloys ordenados: neste caso, a direco
cristalografia permanece a mesma, cada lado de limite tem uma fase oposta:
Por exemplo se o ordenamento for usualmente ABABABAB, o limite ante fase
toma a forma ABABBABA.
Muitas falhas ocorrem num nmero de estruturas de cristais, mas o exemplo
comum nas estruturas de pacotes fechados. A estrutura cbica de face
centrada (fcc) difere da estrutura hexagonal de pacote fechada apenas na
ordem de empacotamento: ambas as estruturas tm planos atmicos fechados
com seis dobro simetria??? os tomos formam tringulos equilteros.
Quando sobrepomos uma destas linhas no topo de outra, as primeiras duas
linhas para hcp e fcc so idnticas e recebem a etiqueta AB. Quando a terceira
linha colocada de tal modo que os seus tomos estejam directamente em cima
dos da primeira linha, o empacotamento ser ABA esta a estrutura hcp, e ela
continua ABABABAB. Contudo, existe uma outra colocao para a terceira
linha de tal modo que os seus tomos no estejam em cima da primeira linha .
Em vez disso, a quarta linha colocada de tal sorte que os seus tomos estejam
directamente em cima dos da primeira linha. Isto produz o empacotamento
ABCABCABC, e de facto um arranjo cbico dos tomos. Uma falha de
empacotamento a interrupo de uma ou duas linhas na sequncia do
empacotamento, por exemplo j foi encontrada uma sequncia numa estrutura
fcc.

Solues de Auto-avaliao 3
Soluo para Q1
(i) Capacidade de calor uma quantidade extensiva porque sensvel ao
tamanho do objecto (por exemplo, um recipiente de banho com gua tem uma
capacidade maior que um copo de gua), dividindo a capacidade de calor pela
massa do corpo.
(ii) Capacidade de calor especfico uma quantidade intensiva, porque j no
dependente da quantidade de material, mas mais dependente do tipo de
material, assim como das condies fsicas de aquecimento.
Soluo do exerccio 1(c) em 3.1.3
African Virtual University 113

- Uma das razes para este fenmeno a quantizao vibracional e, em menor


extenso, os estados rotacionais.
- Quando assumido que as molculas permanecem nas suas energias, mais
baixa a quantizao vibracional devido ao largo espaamento dos nveis de
energia. A prevista capacidade de calor ao volume constante molar para uma
3R
molcula diatmica torna-se CV,m = R 2.5R
2
- Isto aproximao que praticamente coincide com as capacidades de calor
das molculas mais leves.
- Se a aproximao do oscilador quntico harmnico (Leia acerca disto)
feita, emerge que os nveis da energia quntica vibracional de espaamento so
inversamente proporcionais raiz quadrada da massa reduzida (Leia acerca
disto) dos tomos, compondo a molcula diatmica. Por isso, no caso das
molculas diatmicas mais pesadas, os nveis da energia quntica vibracional
de espaamento tornam-se mais finos, o que permite mais excitaes para o
nvel vibracional mais alto para uma temperatura fixa.
Soluo para Q2
Ambos os modelos de Einstein e de Debye providenciam a forma funcional
para a capacidade de calor. Eles so modelos e, todo o modelo possui uma
escala. A escala do modelo de Einstein dado por:
2
e / kT
CV 3 Nk .

kT e / kT 12

A escala de Einstein / k . E a escala de modelo de Debye TD na


temperatura de Debye.

As escalas de Debye e de Einstein no so iguais, isto o mesmo que: TD .
k
Isto significa que desenhar as duas escalas no mesmo eixo de coordenadas
apropriado. Eles so dois modelos da mesma coisa, mas com diferentes

escalas. Se a temperatura de Eistein for definida como TE def , possvel
k
TE
que TE # TD, e para relacionar os dois seja necessrio procurar a relao .
TD
African Virtual University 114

O slido de Einstein composto de frequncia simples, = hw = hv. Esta


frequncia poderia estar relacionada com a velocidade do som, apesar de no
haver som no slido de Einstein. Poder-se-ia imaginar a propagao do som
como a sequncia de tomos colidindo um com o outro. Se isto for assim, a
frequncia de oscilao deve corresponder ao mnimo de comprimento de onda
c c 3 N cs 3 N
sustentvel para a rede atmica, min. v s s , L a
2L 2 V
dimenso do cubo.
o que torna a temperatura de Einstein igual
hv hc s N T
TE 3 e, por isso, o ratio E
k k 2k V TD 6
Agora, ambos os modelos podem ser representados no mesmo grfico.
Soluo para Q4
(i) A condutividade elctrica mais ou menos fortemente dependente da
temperatura.
(ii) Nos metais, a condutividade elctrica diminui com o aumento de
temperatura, enquanto nos semicondutores, a condutividade elctrica aumenta
com o aumento de temperatura.
(iii) Acima duma limitada variao de temperatura, a condutividade elctrica
pode ser aproximada como sendo directamente proporcional temperatura.
(iv) Para poder comparar as medies da condutividade elctrica em diferentes
temperaturas, necessrio padronizar a uma temperatura comum. Esta
dependncia muitas vezes expressa pela inclinao do grfico da
T
condutividade x temperatura e pode ser usada: T ' onde
1 (T T ' )
T - a condutividade elctrica a uma temperatura comum T
'

T - a condutividade elctrica a uma temperatura medida T


- a temperatura da compensao da inclinao do material
T - a temperatura medida
T a temperatura comum
African Virtual University 115

Soluo da seco 3.1.5 (c) (i)


(ii) Os metais so bons condutores porque tm um espao no preenchido na
banda de energia de valncia. Na ausncia do campo elctrico, existem
electres que se deslocam em todas as direces e com muitas diferentes
velocidades, at velocidade de Fermi (a velocidade de electres na energia do
Fermi).
(iii) Quando um campo elctrico aplicado, um pequeno desequilbrio
desenvolve-se e os electres mveis escoam-se.
(iv) Electres nesta banda podem ser acelerados pelo campo porque na banda
h muitos estados na vizinhana no preenchidos.
Soluo para Q5
(i) A transferncia de calor por conduo envolve a transferncia de energia
dentro do material, sem o movimento do material como um todo. O ratio da
transferncia de calor depende da temperatura gradiente e da condutividade
trmica do material.
(ii) Os gases transferem calor pela coliso directa entre as molculas, e por
isso, a condutividade trmica deles baixa, comparada com a de muitos
slidos, dado que eles so um meio diludo. Os slidos no metlicos
transferem calor pelas vibraes da rede. Os metais so muito melhores
condutores do que os no-metais, porque os mesmos electres mveis que
participam na conduo elctrica tambm tomam parte na transferncia de
calor.
(iii) Para slidos no - metlicos, a transferncia de calor vista como sendo
feita atravs das vibraes da rede, com tomos vibrando mais energeticamente
num lado de um slido e transferem essa energia para os tomos vizinhos
vibrando menos. Isto pode ser fortalecido por um movimento cooperativo na
forma de propagao de ondas de rede, as quais no limite quntico so
quantizadas como fones. Praticamente existe tanta variabilidade para slidos
no-metlicos que ns normalmente s caracterizamos a substncia com a
condutividade trmica medida quando fazemos clculos ordinrios.

Solues para Auto-avaliao 4


Soluo para Q1
(a) A banda de valncia
African Virtual University 116

Esta a banda feita de rbitas moleculares ocupadas e baixa em energia que


a banda de conduo. Est geralmente totalmente preenchida em
semicondutores. Quando aquecida, os electres desta banda saltam
atravessando a banda da diferena para dentro da banda de conduo, tornando
o material condutor.
(b) A banda de conduo
a banda que aceita os electres que vm da banda de valncia. Nos
isoladores os electres na banda de valncia so separados por uma larga
diferena da banda de conduo. Nos condutores, como metais, a banda de
valncia sobrepe-se banda de conduo, tornando por isso o electro de
valncia livre. Nos semicondutores existe uma to pequena diferena entre as
bandas de valncia e de conduo que as excitaes trmicas e outras podem
fechar as diferenas.
Soluo para Q2
(i)
O mais importante para a conduo a existncia ou no de electres
na banda de conduo.
Nos isoladores os electres na banda de valncia esto separados por
uma larga diferena da banda de conduo.
Em condutores como metais a banda de valncia sobrepe-se banda
de conduo.
Em semicondutores existe uma diferena suficiente entre as bandas de
valncia e de conduo que pode ser fechada com excitaes trmicas ou
outras. Com uma tal pequena diferena, a presena de uma pequena
percentagem de material dopante pode aumentar drasticamente a
condutividade.
(ii)
Quando os electres so excitados para a banda de conduo, deixam
atrs lacunas de electres ou estados desocupados da banda de valncia.
Ambas as bandas de conduo de electres e banda de valncia de
lacunas contribuem para a condutividade elctrica.
As prprias lacunas no se movem, mas os electres vizinhos podem
mover-se para preencher a lacuna, deixando uma lacuna no lugar onde
African Virtual University 117

partiram e, deste modo, parece que a lacuna se moveu e as lacunas comportam-


se como se fossem partculas carregadas positivamente.
(iii) Um semicondutor cujas propriedades elctricas dependem da presena de
certas impurezas referido como um semicondutor extrnseco; enquanto um
semicondutor intrnseco um puro semicondutor que no contm nenhuns
tomos impuros.
(iv) Na tecnologia de semicondutores, um material como boron, fsforo, ou
arsnio adicionado em pequenas quantidades a um cristal para produzir um
excesso de electres (doador de impureza) ou lacunas (aceitador de impurezas)
referido como uma impureza.

XV. Sntese do Mdulo


Na primeira actividade aprendemos muitas coisas. Isto incluiu a aprendizagem
acerca das propriedades dos slidos cristalinos e amorfos e como eles podem
ser diferenciados um do outro. A identificao das lacunas foi feita e podemos
3 p m
derivar a equao cos que nos possibilitou calcular a possvel
2
rotao permitida. Na actividade aprendemos como os ndices de Miller so
calculados, e como planos diferentes podem ser esquematizados. Quando
avanmos na aprendizagem, aprendemos como calcular a densidade de
empacotamento para sc, bcc and fcc. Aprendeu acerca da difraco dos raios
X. Isto incluiu aprender como a derivao da lei de Bragg feita e aplicada a
inmeros problemas. O conceito da difraco dos raios X tambm incluiu o
tratamento envolvendo o espao da ligao recproca onde a esfera de Ewald
foi construda, tendo em vista determinar os planos responsveis pela difraco
dos raios X.
Na segunda actividade os defeitos cristais e propriedades mecnicas
constituram a maior parte da actividade. Voc deve ser capaz agora de
diferenciar os diferentes tipos de defeitos de cristal e como eles afectam as
propriedades trmicas, fsicas e elctricas dos slidos.
As definies bsicas aprendidas so que os pontos defeitos esto bem
localizados e so do tamanho dos tomos, enquanto a deslocao uma
desordem, a qual se estende para alm do volume de um ou dois tomos. Os
efeitos destes defeitos nas propriedades mecnicas e elctricas foram
discutidos e apreendidos. A actividade da aprendizagem permitiu-lhe derivar e
aplicar as expresses de mdulo de Young. Isto tambm incluiu expresses
African Virtual University 118

para o mdulo de deformao e presso de desistncia pelo escorregamento


simultneo dos tomos.
Basicamente na actividade trs, foi capaz de derivar expresses para a
capacidade de calor ao volume e presso constantes. Ligando a isto,
explicaes da variao de capacidade calorfica com a temperatura baseada
nos modelos clssicos de Einsten e Debye foram feitas.
Alm disso, o uso da teoria de electro livre para explicar a alta condutividade
trmica e elctrica dos metais e derivao e aplicao da lei de Wiedermann-
Frantz foram tpicos aprendidos.
Isto , aprendeu que a lei de n v k ne 2
Wiedermann-Frantz derivada. Tratando k
2 mv
os electres como o gs clssico, e
capaz de comparar a condutividade Condutividade Condutividade
trmica resultante da condutividade Trmica Elctrica
elctrica.

Finalmente, na actividade quatro, aprendeu acerca da teoria da banda e isto


habilitou-o a explicar as diferenas entre condutores, semicondutores e
isoladores. O conceito tambm o habilitou a explicar, em relao dopagem,
as diferenas entre os semicondutores intrnsecos e extrnsecos. No fim de
tudo, usou os conceitos de interaco de ondas electromagntica (luz) e
matrias para explicar a absoro de ptica, reflexividade e transmissibilidade.

XVI. Avaliao Final


1) Responda s questes que se seguem com base na figura abaixo.
a) Defina ligao.
b) Descreva como a clula primitiva pode ser escolhida pelo procedimento
de Wigner-Seitz.
c) Identifique a ligao abaixo dada e diga o nmero de tomos por cada
ponto de ligao.
African Virtual University 119

d) Derive uma expresso para uma rotao permitida, , numa lacuna


peridica e mostre como as possveis solues so obtidas.
2)
a) Defina e d ilustrao de um nmero de coordenao.
b) Determine se as direces abaixo so coplanares:
__
11 0, 1 21, 211

c) Derive uma expresso da a fraco de empacotamento para uma


ligao bcc. Explique o significado da expresso.
d) Derive uma expresso para a lei de Bragg e enuncie as requeridas
condies.
3) Uma cadeia linear de massas M e m est interconectada com a
vizinhana das massas por molas com uma fora constante . As frequncias
dos modos de vibrao deste sistema so dados pela expresso

4 2 2
Mm

M m M 2 m 2 2mM cos qA
1/ 2



onde A o

comprimento de unidade de repetio, e q a magnitude do vector onda.


a) Reduza a expresso acima para uma cadeia de partculas
interconectada por molas iguais.
b) Esquematize as relaes de disperso de ambos os sistemas para a
mesma escala. Derive as expresses para os pontos chave e discuta as
similaridades e diferenas entre os dois diagramas.
African Virtual University 120

c) D os sketches das densidades dos modos de ambos os sistemas.


4) Suponha que um cristal tem N normal sites e Ni sites intersticiais.
a) Mostre que o nmero de modos de arranjar Ni tomos nos sites
intersticiais e N Nf tomos nos sites normais dado por
N! N!
W .
N f N N f ! N f N i N f !
b) Se Ef for a energia requerida para mover um tomo de um lugar
normal para um lugar intersticial, mostre que a energia livre mnima quando
N N f ( N i N f ) E f
e
N 2f f

c) Mostre que o nmero de defeitos de Frenkel, Nf dado por


N f NN i .e f se Nf for muito menor que N e Ni.
1 / 2 E / 2

5)
a) Explique em relao aos slidos o significado de: banda de valncia,
banda de conduo e nvel de Fermi.
b) Derive uma expresso para a energia n de uma partcula livre numa
caixa cbica de volume V, em termos do nmero quntico n, da massa m da
partcula e outras constantes usuais; por isso, mostre que a energia
h2
correspondendo ao momento Pi dado por j n 2j onde L o
8mL2
comprimento da aresta do cubo.
6)
a) Explique o significado do seguinte: polarizao electrnica,
orientacional e inica.
b) Descreva como os pontos defeitos podem ser formados e explique os
seus efeitos nas propriedades.
G
c) Mostre que a presso de corte tem o valo mximo de quando
2
causa o movimento de um plano particular. G o mdulo de corte (ou
rigidez).Mostre que o nmero de defeitos de Frenkel, Nf dado por
N f NN i .e f se Nf for muito menor que N e Ni.
1 / 2 E / 2
African Virtual University 121

XVII Referncias
Steadman R, 1982, Crystallography, Van Nostrand Reinhold (UK)
Co. Ltd, Norfolk.

Blakemore J.S. 1974, Solid State Physics 2nd ed., Cambridge


University Press, Cambridge.

C. Kittel, Introduction to Solid State Physics, 5th Ed., New


York:Wiley, 1976.

Sears F.W & Salinger Gerhard L, (1975), Thermodynamics, Kinetic


Theory and Statistical Thermodynamics, 3rd ed., Addison-Wesley
Publishing Company, Reading.

H.P Myers, (1997), Introductory Solid State Physics, CRC Pr I Llc

Laszlo Mihaly & Michael C. Martin, (1996), Solid State Physics:


Problems and Solutions (Paperback), John Wiley

Wilson J. & M. N Rudden, ( 1993 ), Elements of Solid State


Physics John Wiley & Sons Inc

Myers H.P., (1997), Introductory Solid State Physics, CRC Pr I Llc

Keer, H.V. (1993), Principles of the Solid State, John Wiley & Sons
Inc

Richard Christman J, (1998), Fundamentals of Solid State Physics, John


Wiley& Sons Inc

Hans Luth & Harald Ibach, (1995), Solid-State Physics: An


Introduction to Principles of Materials Science, Springer Verlag.
African Virtual University 122

John R. Hook & Henry Edgar Hall. Solid State Physics (The Manchester
Physics Series); John Wiley and Sons Ltd; 2Rev Ed edition (31 Jan 1995

XVIII. Autor Principal do Mdulo


Dr. Obwoya Kinyera Sam um docente snior no Departamento de Fsica na
Universidade Kyambogo, em Uganda. Actualmente desempenha as funes de
Director de Ensino aberto distncia e e-learning na Universidade Kyambogo.
formador de professores desde 1984. Entre 1978 e 1984 foi chefe do
Departamento de Fsica na Antiga Escola Secundria de Kampala, em Uganda.

Seu e-mail ksobwoya@yahoo.co.uk.

XIX Estrutura do Mdulo


O mdulo dado num ficheiro formatado: Fsica do Estado Slido.doc
As leituras obrigatrias so dadas no formatado em pdf: Leituras obrigatrias.
Pdf