Marco Terico

POLARIZACIN INVERSA DEL DIODO

Cuando el semiconductor diodo se polariza de forma

inversa, el lado positivo P de la unin p-n se vuelve
negativo (debido a estar conectado al polo negativo de la
batera). En esas condiciones el nivel de
fermicorrespondiente a esa parte positiva crece en altura,
impidiendo as que los electrones se puedan mover a travs
del cristal semiconductor. En la ilustracin se pueden
observar unas flechas indicando la direccin
correspondiente al flujo electrnico tratando de acceder
al diodo por su parte positiva sin lograrlo, pues al estar
polarizado de forma inversa la zona de deplexin se
ampla. Adems, como se puede ver tambin, la diferencia
de altura del nivel de fermi en la parte positiva P del
diodo aumenta, mientras que en la parte
negativa N disminuye. Por tanto, bajo esas circunstancias
los electrones presentes en la parte negativa carecern de
la suficiente energa para poder atravesar la unin p-n.

CARACTERSTICAS DE LOS DIODOS

La forma de funcionamiento de un diodo comn de silicio se puede apreciar observando la curva

caracterstica que se crea cuando se polariza, bien de forma directa, o bien de forma inversa. En ambos
casos la curva grfica (representada en color verde en el siguiente grfico) muestra la relacin existente
entre la corriente y la tensin o voltaje que se aplicada a los terminales del diodo.

En este grfico correspondiente a la curva

caracterstica de un diodo de silicio, se puede
observar un eje horizontal x y otro vertical yque
se intersectan en el centro. En ese punto el valor
del voltaje y de la intensidad de la corriente es igual
a 0 volt. El eje vertical y muestra hacia arriba su
parte positiva (+y) correspondiente al valor que
puede alcanzar la intensidad de la corriente(Id) que
atraviesa al diodo cuando se polariza directamente,
mientras que hacia abajo su parte negativa (-
y) muestra cul ser su comportamiento cuando se
polariza de forma inversa (Ii). El eje
horizontal x muestra hacia la derecha, en su parte
positiva (+x), el incremento del valor de la tensin
o voltaje que se aplicada al diodo en polarizacin
directa (Vd). Hacia la izquierda del propio eje se
encuentra la parte negativa (x), correspondiente
al incremento tambin del valor de la tensin o
voltaje, pero en polarizacin inversa(Vi).
Montaje realizado

Se someti al diodo en polarizacin inversa a un bao trmico, para lograr su conduccin

en esta polarizacin y observar los cambios de la corriente respecto a la temperatura, de lo
cual se obtuvieron los siguientes datos.

Temperatura C Corriente (mA)

43.6 5,662
43.5 5,648
43.4 5,636
43.3 5,634
43.2 5,624
43.1 5,621
43.0 5,605
42.9 5,599
42.8 5,591
42.7 5,601
42.6 5,609
42.5 5,609
42.4 5,605
42.3 5,582
42.2 5,568
42.1 5,569
42.0 5,551
41.9 5,566
41.8 5,533
41.7 5,537
41.6 5,534
41.5 5,524
41.4 5,514
41.3 5,499
41.2 5,489
41.1 5,489
41.0 5,484
40.9 5,475
40.8 5,480
40.7 5,474
40.6 5,461
40.5 5,450
40.4 5,446
40.3 5,433
40.2 5,429
40.1 5,421
40.0 5,405
39.9 5,399
39.8 5,391
39.7 5,301
39.6 5,309
39.5 5,309
39.4 5,305
39.3 5,282
39.2 5,268
39.1 5,269
39.0 5,251
38.9 5,266

Ln(I) Vs 1/(2KT)
-5.16
data1
linear
y = - 7.2e-22*x - 4.6
-5.17

-5.18

-5.19

-5.2

-5.21

-5.22

-5.23

-5.24

-5.25
8.2 8.4 8.6 8.8 9 9.2 9.4
20
x 10

Pendiente: -7.2471e-22
 Ln(I) Vs 1/(KT)
-5.16
data1
linear
y = - 3.6e-22*x - 4.6
-5.17

-5.18

-5.19

-5.2

-5.21

-5.22

-5.23

-5.24

-5.25
1.65 1.7 1.75 1.8 1.85 1.9
21
x 10

Pendiente: -3.6236e-22

Conclusiones.
1. Podemos ver que los valores de las pendientes de la grfica en la que relaciona
1
() vs 2
son exageradas y que no corresponden con gran claridad a la tabla

donde muestran los valores de la banda prohibida de los semiconductores.

2. Para lograr un valor exacto del Eg, ancho de banda prohibida podemos hallar la

resistividad del semiconductor con respecto a la temperatura en la que vara el

material, luego grafica Ln () vs (1/2KT) donde K constante de boltzmann, T la

temperatura.

3. Con la intencin de conseguir mediciones correspondientes a equilibrio trmico de la

es posible la mejora en la adquisicin de datos utilizar un termostato para mantener

la temperatura fija.

4. El aporte de las impurezas a la conductividad disminuye para altas temperaturas.

5. La corriente es directamente proporcional al valor de la temperatura, es decir entre

ms aumente la temperatura ms aumenta la corriente y viceversa.

6. Aunque se tenga una diferencia de potencial que es una variable elctrica en un valor

fijo a la hora de polarizar nuestro circuito, podemos decir que ahora nuestra variable

fsica afecta las condiciones del circuito ya que si variamos la temperatura del
semiconductor variamos la corriente que pasa por el diodo que a su vez se adiciona

a la de la fuente, adems de la diferencia de potencial de la fuente le adicionamos la

diferencia de potencial que genera la corriente en relacin con la temperatura.