TRANZISTOARE CU EFECT DE CMP REALIZATE CU MATERIALE

SEMICONDUCTOARE ORGANICE

Conf. univ. dr. ing. OCTAVIAN-IOAN BOGDAN

Abstract
This paper presents some aspects about organic field-effect transistors (OFETs). It is presented the
structure of transistor and the organic materials used for his construction. Further on it is presented an
device model, including the ID-VD and ID-VG characteristics.

1. Prezentare. Structura
In ultimii ani se bucura de un interes din ce in ce mai mare tranzistoarele cu efect de cmp realizate
cu materiale organice semiconductoare, cunoscute sub denumirea de OFET-uri [4].
In OFET-uri stratul activ este alcatuit din material semiconductor [4]. Structura OFET-urilor este,
in mod uzual, aceea a unui tranzistor cu pelicula subtire (thin-film tranzistor), pe scurt TFT, realizat
pentru prima data de Weimer in 1962 si folosita in mod curent in tranzistoarele din siliciu amorf [5].
Primul TFT organic a fost construit in 1986, materialul organic folosit ca semiconductor fiind
politiofenul [1]. In figura 1 este prezentata structura tipica a unui OFET.

1 3

Fig. 1. Structura OFET (TFT organic) [5]

1-semiconductor; 2-sursa; 3-drena; 4-izolator; 5-poarta; 6-substrat
Semiconductorul organic este depus prin centrifugare sau depunere in vid pe un substrat. Conform
structurii, OFET-ul prezinta trei electrozi: sursa, drena si poarta. In cazul in care tensiunea aplicata
portii este zero, tranzistorul este blocat, adica in starea off, curentul dintre drena si sursa este foarte
mic. Daca tensiunea aplicata portii este diferita de zero, rezulta un cmp electric care induce in stratul
semiconductor, la interfata cu izolatorul, purtatori de sarcina. Ca urmare, prin aplicarea unei tensiuni
intre drena si sursa, prin structura va circula un curent electric de valoare mare, tranzistorul fiind in
conductie, adica in starea on. Cu ct tensiunea pe poarta este mai mare, cu att numarul de purtatori
este mai mare, deci curentul dintre drena si sursa va fi mai mare [2].
Performanta OFET-ului poate fi caracterizata prin mobilitatea purtatorilor de sarcina ca urmare a
efectului de cmp si de raportul on /off .
Mobilitatea este data de viteza de drift medie a purtatorilor de sarcina pe unitatea de cmp electric
[2].
Raportul on /off reprezinta raportul dintre curentul corespunzator starii de conductie (starea on),
respectiv cel al starii de blocare (starea off) [2].

2. Materiale organice folosite la constructia OFET-urilor

 Materiale semiconductoare organice de tip p
O parte dintre oligomerii conjugati si metaloftalocianine au proprietati semiconductoare de tip p.
Acesti compusi au o solubilitate limitata in anumiti solventi organici, astfel inct se poate utiliza
evaporarea in vid pentru fabricarea peliculelor subtiri. Cea mai mare mobilitate o are pentacenul de
aproximativ 2,2 cm2/Vs, care are acelasi ordin de marime cu siliciul amorf (-Si). Performantele sale
deosebite se datoreaza proprietatii de a forma o pelicula similara unui singur cristal prin depunere in
vid, pe un substrat incalzit la o temperatura de aproximativ 80C [1].
O alta substanta utilizata este -dihexiltetratienilul care are aceeasi proprietate cu pentacenul, dar
o mobilitate mai scazuta, de aproximativ 0,2 cm2/Vs [1].
Pe lnga materiale depuse in vid, exista substante organice din categoria celor solubile, care pot fi
depuse prin centrifugare, turnare sau imprimare. Cele trei metode au fost folosite la fabricarea TFT-
urilor in faza lichida [1].
In prima metoda, un strat polimer semiconductor se formeaza direct pe electrozi, prin polimerizare
electrochimica. Acesti electrozi sunt folositi apoi ca drena si sursa [1]. Primul TFT organic a fost
realizat in 1986 prin aceasta metoda avnd ca material semiconductor politiofenul cu o mobilitate de
10-5 cm2/Vs [1].
Alte materiale semiconductoare utilizate este polipirolul (mobilitatea =1,210-4 1,77 cm2/Vs) si
N-alchilpirolul (=6,310-41,74 cm2/Vs), obtinute prin sinteza electrochimica [1].
Cea de-a doua tehnica a incercat sa foloseasca un polimer solubil precursor care poate suferi reactii
chimice succesive prin care sa se obtina oligomerul sau polimerul dorit, cum ar fi pentacenul sau poly
(tienilen vinilen) cu o mobilitate =0,22 cm2/Vs. In cazul acestei a doua tehnici s-au obtinut mobilitati
scazute, exceptnd poly si polipirolul, care au fost dopate ca sa se obtina o mobilitate mare [1].
A treia tehnica utilizeaza polimeri conjugati solubili, fabricati prin centrifugare, turnare sau
imprimare. Au fost studiati diversi polimeri conjugati printre care anumiti derivati ai poly-ului, ai
dialcoxilului, precum si ai politiofenului [1].
O alta clasa de materiale procesabile in faza lichida este cea a compusilor pe baza de oligomeri
putin solubili in solventi organici, dar suficient pentru a obtine o pelicula subtire cu mobilitate relativ
ridicata. Un astfel de material este -dihexiltetratienilul [1].

Materiale semiconductoare organice de tip n

Cele mai multe dintre materialele existente pretabile pentru constructia canalului de tip n sunt
sensibile la aer si umiditate sau au o mobilitate a purtatorilor de sarcina mica. Proprietati corespunza-
toare semiconductoare necesare realizarii canalelor tip n poseda anhidridele, la care mobilitatea insa
ramne relativ scazuta. Recent au fost modificate metaloftalocianinele prin adaugarea unor grupuri ca
CN, F, Cl la inelele lor exterioare. Dintre acestea, hexadecafluoro-metaloftalocianinei si
hexadecacloro-metaloftalocianinei li s-au descoperit proprietati semiconductoare de tip n, iar
hexadecafluoro-ftalocianina de cupru are cea mai mare mobilitate, de aproximativ 0.03 cm2/Vs.
Acesti compusi poseda o stabilitate remarcabila in aer, tranzistoarele realizate din acestea putnd lucra
att in aer, ct si in vid [1].

3. Metode de realizare a peliculelor subtiri

Pentru realizarea straturilor subtiri de materiale organice, necesare realizarii OFET-urilor exista
mai multe metode de fabricare prezentate, pe scurt, in continuare.
Sublimarea in vid
Cele mai multe dintre semiconductoarele organice performante sunt materiale cu masa moleculara
mica, temperatura de topire ridicata (peste 250 C) si solubilitate scazuta. Acestea sunt in general
molecule aromatice cu sisteme extinse sau structuri de inele amestecate. Metoda cea mai obisnuita de
depunere a peliculei subtiri a acestor materiale este prin sublimare in vid. In aceasta metoda o bucata de
material este incalzita intr-o camera vidata si vaporii organici obtinuti condenseaza pe substratul dorit
si formeaza o pelicula subtire. In procesul de depunere se poate, in anumite cazuri, mari puritatea
materialului evaporat. Metodele de depunere in vid nu implica solventi organici, astfel inct pot fi
depuse pelicule multistrat fara a se dizolva straturile anterioare pe durata depunerilor ulterioare. Aceste
procedee prezinta dezavantajul ca este necesara o perioada pentru marirea vidului si, de asemenea este
dificil sa se depuna pelicula pe o suprafata mare [1], [2].

Metode de realizare prin procesarea solutiilor

Metodele de realizare prin procesarea solutiilor, cum ar fi centrifugarea, turnarea si imprimarea pot
duce la micsorarea costurilor de fabricare si sa fie utilizate pe scara larga in productie. Dintre metodele
amintite, metodele de imprimare sunt cele mai uzuale [1], [2].
Screen-printing-ul este o metoda prin care se imprima tiparele prin injectarea unei cerneli printr-o
masca-ecran predefinita. Metoda este una aditiva, prin care se pot imprima linii si spatii de 75 m.
Dupa imprimare, tiparul realizat se transfera pe un substrat. Aceasta metoda a fost folosita pe scara
larga la fabricarea cartelelor cu circuite imprimate, iar recent a fost adoptata de unele colective de
cercetare pentru imprimarea electrozilor precum si a straturilor active din polimer pentru tranzistoarele
organice si circuitele simple. Rezolutia screen-printing-ului este limitata la mai mult de 75 m, iar
cernelurile folosite trebuie sa indeplineasca anumite conditii. De exemplu, o cerneala relativ vscoasa
nu poate trece prin ecran si sa realizeze tiparul. Uneori sunt incorporate particule in cerneala careia ii
creste altfel, vscozitatea. De aceea, pentru materialele cu vscozitate mare, cum ar fi polimerii
dielectrici, cei conductori si pastele, este necesara o rezolutie mai scazuta, adica grosimi ale liniilor sau
spatiilor mai mari de 75 m [1], [2].
Litografia fina (soft lithography) este un termen general, care este folosit pentru a descrie
metodele de tiparire de inalta rezolutie (linii si spatii mai mici de 25 m) si care folosesc masti din
elastomeri, matrite si sabloane. Mastile, matritele si sabloanele sunt fabricate prin turnarea si tratarea
unui prepolimer al polidimetilsiloxanului (PDMS) pe un sablon din fotorezist. Se pot realiza mai multe
copii, folosind un singur sablon din fotorezist, fiecare dintre acestea putnd fi folosite de mai multe ori
[1], [2].

4. Modelarea caracteristicilor electrice ale OFET-urilor

Majoritatea semiconductorelor organice prezinta proprietati semiconductoare de tip p, adica
purtatorii de sarcina majoritari sunt golurile. Caracteristicile I-V pot fi descrise adecvat prin modele
realizate pentru semiconductoare anorganice [3].
Se considera un TFT realizat cu dihexilhexatiofen (DH6T). In figura 2 a, b sunt prezentate doua
configuratii obisnuite de TFT-uri organice.
 2
1
3
2
1
3
4
4
5
5

6 6
a) b)
Fig.2. Configuratii de TFT [3]
1-drena; 2-sursa; 3-semiconductor; 4-izolator; 5-grila; 6-substrat

In figura 3,a sunt prezentate ID=ID(VD) pentru diferite valori ale tensiunii VG, pentru un dispozitiv
care foloseste DH6T ca semiconductor. Cnd electrodul poarta este polarizat negativ in raport cu
electrodul sursa, legat la masa, tranzistoarele cu efect de cmp cu poarta izolata din DH6T (IGFET-uri)
opereaza in regim de acumulare, sarcinile acumulate fiind golurile. La tensiuni VD mici, ID este dat de
relatia aproximativa [3]:
WCi V
ID = VG VT D VD , (1)
L 2
unde: L este lungimea canalului;
W-latimea canalului;
CI capacitatea pe unitatea de suprafata a stratului izolator;
VT tensiunea de prag;
mobilitatea purtatorilor.
Pentru calcularea mobilitatii purtatorilor de sarcina in acest regim functional se foloseste relatia
transconductantei (2), dedusa din relatia (1) [3]:
I WCi
g m = D = VD (2)
V
G VD =ct . L
egalnd-o cu valoarea pantei din caracteristica ID=ID(VG) pentru VD constanta si de valoare scazuta
(Fig. 4). Valoarea calculata a mobilitatii, in acest caz, este de 0,122 cm2/Vs pentru VD= 2V.
Cnd electrodul poarta este polarizat pozitiv in raport cu sursa, IGFET-urile cu semiconductor
DH6T opereaza in regim de golire, iar regiunea canalului este golita de purtatori. Raportul on/off are
valori de aproape 104 cnd VG variaza intre 20 si +6 V (Fig. 3.b). Pentru VD mai negativ dect VG, ID
tinde la saturatie datorita ingustarii stratului de acumulare si este dat de relatia [3]:
WCi
(VG VT ) .
2
ID = (3)
2L
In regim de saturatie poate fi calculata din panta caracteristicii lui |ID|1/2 in functie de VG, obtinndu-
se valoarea de 0,09 cm2/Vs.
 Fig.3. Reprezentarea ID=ID(VD) [3]
a) pentru VG=ct. negativ
b) pentru VG=ct. cuprins intre -20 si +6 V
 Fig. 4. Reprezentarea ID=ID(VG) pentru VD=ct. [3]

BIBLIOGRAFIE

[1] Bao, Z., Dodabalapur, A., Katz, H.E., Raju, R.V., Rogers, J.A., Organic Semiconductors for Plastic
Electronics, http://www.ieee.org/ organizations/ tab/newtech/workshops/ntdc_2001_09.pdf
[2] Bao, Z., Rogers, J., Baldwin, K., Dodabalapur, A., Lovinger, A., Katz, H., Plastic Electronics,
http://www.arofe.army.mil/ Conferences/
Recent_Abstract/200th_Meeting/Symposion/n1aa/1389.pdf
[3] Dimitrakopoulos, C.D., Mascaro, D.J., Organic thin film transistors: A review of recent advances,
IBM Journal of Research and Development, Vol. 45, No. 1, ianuarie 2001
[4] Paasch, G., Scheinert, S., Tecklenburg, R., Theory and modeling of organic field effect transistors,
http://www.imec.be/essderc/ papers-97/82.pdf
[5] Vissenberg, M.C., Opto-Electronic Properties of Disordered Organic Semiconductors, 1999