CAPACITORES bloquean los excesos de carga y energa para

proteger los circuitos.

Caractersticas Fsicas
Descripcin del fenmeno
La capacitancia depende de las
Un capacitor es un dispositivo capaz de
caractersticas fsicas del capacitor:
almacenar carga elctrica, y consiste en dos
objetos conductores (generalmente placas u - Si el rea de las placas que estn frente a
hojas) colocados uno cerca del otro, pero sin frente es grande la capacitancia aumenta
que estn en contacto, estn separadas por
un aislante llamado dielctrico. Un - Si la separacin entre placas aumenta,
dielctrico o aislante es un material que evita disminuye la capacitancia
el paso de la corriente. - Si se aumenta la tensin aplicada, se
aumenta la carga almacenada.

Caractersticas Qumicas

El tipo de material dielctrico que se aplica

entre las placas tambin afecta la
capacitancia
Al conectar un condensador en un circuito, la
corriente empieza a circular por el mismo. A Los diferentes materiales que se utilizan
la vez, el condensador va acumulando carga como dielctricos tienen diferentes grados
entre sus placas. Cuando el condensador se de permitividad (diferente capacidad para el
encuentra totalmente cargado, deja de establecimiento de un campo elctrico).
circular corriente por el circuito. Si se quita la Mientras mayor sea la permitividad, mayor
fuente y se coloca el condensador y la es la capacidad del condensador elctrico.
resistencia en paralelo, la carga empieza a
Permitividad relativa de materiales aislantes
fluir de una de las placas del condensador a
la otra a travs de la resistencia, hasta que la
carga es nula en las dos placas. En este caso,
la corriente circular en sentido contrario al
que circulaba mientras el condensador se
estaba cargando

Los capacitores almacenan carga que

posteriormente se puede liberar, como un
flash de cmara o como respaldo de energa
en las computadoras para cuando falla la Condensadores de aire. Se trata de
potencia, se llama capacitancia o capacidad a condensadores, normalmente de placas
la cantidad de cargas elctricas que es capaz paralelas, con dielctrico de aire y
de almacenar, los capacitores tambin encapsulados en vidrio. Como la
permitividad elctrica relativa es la unidad,
slo permite valores de capacidad muy que en los condensadores de aluminio.
pequeos. Suelen tener mejor relacin
capacidad/volumen.
Condensadores de mica. Sobre una cara de la
lmina de mica se deposita aluminio, que Condensadores de polister o Mylar. Est
forma una armadura. Se apilan varias de formado por lminas delgadas de polister
estas lminas, soldando los extremos sobre las que se deposita aluminio, que
alternativamente a cada uno de los forma las armaduras. Se apilan estas lminas
terminales. Estos condensadores funcionan y se conectan por los extremos. Del mismo
bien en altas frecuencias y soportan modo, tambin se encuentran
tensiones elevadas, pero son caros y se ven condensadores de policarbonato y
gradualmente sustituidos por otros tipos. polipropileno.

Condensadores de papel. El dielctrico es Condensadores cermicos. Utiliza cermicas

papel parafinado. Se apilan dos cintas de de varios tipos para formar el dielctrico.
papel, una de aluminio, otras dos de papel y Existen diferentes tipos formados por una
otra de aluminio y se enrollan en espiral. Las sola lmina de dielctrico, pero tambin los
cintas de aluminio constituyen las dos hay formados por lminas apiladas.
armaduras, que se conectan a sendos Dependiendo del tipo, funcionan a distintas
terminales. Se utilizan dos cintas de papel frecuencias, llegando hasta las microondas.
para evitar los poros que pueden presentar.
Bibliografa
Condensadores electrolticos. Es un tipo de
condensador que utiliza un electrolito, como Douglas Giancoli. Principios con
Aplicaciones 6ta Edicin. Pearson
su primera armadura, la cual acta como
Education. pp. 479-482
ctodo. Con la tensin adecuada, el
http://unicrom.com/Tut_condensad
electrolito deposita una capa aislante (la cual
or.asp
es en general una capa muy fina de xido de
https://en.wikipedia.org/wiki/Capa
aluminio) sobre la segunda armadura o cuba
citor
(nodo), consiguiendo as capacidades muy
elevadas. Son inadecuados para funcionar
con corriente alterna.

Condensadores de aluminio. Es el tipo

normal. La cuba es de aluminio y el
electrolito una disolucin de cido brico.
Funciona bien a bajas frecuencias, pero
presenta prdidas grandes a frecuencias
medias y altas.

Condensadores de tantalio (tntalos). Es otro

condensador electroltico, pero emplea
tantalio en lugar de aluminio. Consigue
prdidas bajas de corriente, mucho menores
UNAM-FQ
QUMICA DEL ESTADO SLIDO
CATALIZADORES HETEROGNEOS
INTRODUCCIN
Un catalizador es una sustancia que
altera la velocidad de una reaccin sin
consumirse durante sta. Los catalizadores
se dividen en dos categoras, segn su
relacin con la fase de la reaccin en que
intervienen: homogneos y heterogneos. Un
catalizador heterogneo est en una fase
diferente a la de los componentes de la
reaccin en la que acta.
CARACTERSTICAS QUMICAS
La habilidad de un material para
actuar como catalizador, depende de su
naturaleza qumica. La catlisis heterognea
involucra las propiedades qumicas
especficas de la superficie del material
escogido, y estas a su vez son un reflejo de
la qumica del slido masivo.
Dependiendo de las habilidades catalticas,
los catalizadores heterogneos se pueden
clasificar de la siguiente manera:
Metlicos: los metales quimisorben
efectivamente el hidrgeno y el oxgeno,
funcionan muy bien para reacciones de
oxidacin hidrogenacin y deshidrogenacin.
Puesto que stos son conductores, el paso
de quimisorcin cataltica, consiste en un
intercambio electrnico entre el metal y el
adosorbato. Aquellos metales nobles (Pd Pt
Ag) que son resistentes a la oxidacin,
pueden ser usados como catalizadores de
oxidacin.
xidos aislantes: Caracterizados por su
acidez, siendo efectivos en mecanismos que
involucran carbaniones. Las reacciones que
se benefician con este tipo de catalizadores
son: deshidratacin, polimerizacin,
alquilacin e isomerizacin. Estos xidos
aislantes (-Al2O3, Al2O3-SiO2, zeolitas) son
generalmente irreducibles.
xidos y sulfuros semiconductores: Son
caracterizados por su conductividad, la cual
es despreciable a bajas temperaturas, pero
se incrementa drsticamente con el aumento
de sta. La semiconductividad puede ser
intrnseca o inducida por la creacin de
AZPILCUETA NICOLS CARLOS RAZZIEL
VELASCO SANTIAGO OMAR
vacos catinicos o aninicos. La capacidad
de intercambio electrnico con las especies
adsorbidas, permite una excelente
efectividad para el mismo tipo de reacciones
que se presentan con catalizadores
metlicos.
CARACTERSTICAS ESTRUCTURALES
Normalmente podemos pensar en la
superficie de un slido como una estructura
homognea donde los tomos ocupan
posiciones bien definidas y por tanto se
repiten regularmente. Sin embargo, esto
corresponde a una situacin ideal muy difcil
de conseguir en la prctica. La superficie de
un slido puede estar llena de defectos
debido al proceso de crecimiento del cristal o
bien a procesos sufridos una vez formado.
Estos defectos pueden clasificarse segn su
topologa.
Estos defectos suelen ser importantes en el
estudio de los procesos superficiales ya que
los tomos implicados en ellos son ms
reactivos, al tener menos valencias cubiertas
que el resto. Los defectos en una superficie
metlica son muy importantes para la
actividad cataltica y su presencia aumenta la
velocidad de catlisis.
Los catalizadores heterogneos proporcionan
una superficie en la que pueda tener lugar la
reaccin. Por lo anterior en muchas
ocasiones se requiere que el catalizador
tenga una alta rea superficial y que sea
poroso. En este sentido las zeolitas son un
buen ejemplo de catalizador heterogneo
debido a sus poros altamente cristalinos; son
consideradas como un tamiz molecular, pues
sus cavidades son de dimensiones
moleculares.
Del mismo modo los Silicatos mesoporosos
han encontrado utilidad como catalizadores
debido a que su rea superficial puede ser de
ms de 1000 m2/g, lo que aumenta la
probabilidad de que una molcula de reactivo
en solucin entre en contacto con la
superficie del catalizador y se adsorba.
FENMENOS DE TRANSPORTE
INVOLUCRADOS
Para que la reaccin se produzca, uno o ms
de los reactivos deben difundir a la superficie
del catalizador y adsorberse en l. Despus
de la reaccin, los productos deben
desorberse de la superficie y difundir lejos de
la superficie del slido. Con frecuencia, este
transporte de reactivos y productos de una
fase a otra desempea un papel
determinante de la velocidad de reaccin.
De manera que la catlisis heterognea se
lleva a cabo gracias a un conjunto de
fenmenos fisicoqumicos como:
Difusin
La difusin (tambin difusin molecular) es
un proceso fsico en el que partculas
materiales se introducen en un medio que
inicialmente estaba ausente, aumentando la
entropa (Desorden molecular) del sistema
conjunto formado por las partculas
difundidas o soluto y el medio donde se
difunden o disuelven.
Normalmente los procesos de difusin estn
sujetos a la Ley de Fick. En este caso nos
referimos especficamente al transporte de
los reactivos a la superficie del slido y el de
los productos.
Adsorcin (y/o quimisorcin)
Todos los slidos tienen la propiedad de fijar
(adsorber) en su superficie las molculas,
tomos, o iones que se encuentren a su
alrededor. Imaginemos una superficie. Una
superficie puede formarse por la ruptura de
un cristal perteneciente a un slido covalente,
como por ejemplo el diamante o cualquier
metal. En el proceso de ruptura del cristal,
algunos enlaces covalentes entre tomos se
rompen, lo que origina que cada tomo en la
superficie posea una o ms valencias libres.
Cualquier tomo que se localice en la
superficie creada se encuentra en una
posicin poco usual, el nmero de vecinos
que posea antes de la formacin de la
superficie ha disminuido y experimenta un
conjunto de fuerzas no balanceadas.
Esta situacin conduce al fenmeno de
energa libre superficial. Si una molcula con
afinidad hacia estas valencias libres se
acerca lo suficiente, se producir un re-
arreglo electrnico con el sistema tal como se
observa en una reaccin qumica. El
resultado es la fijacin de la molcula en la
superficie a travs de una adsorcin qumica
o quimisorcin.
En la cintica de reacciones heterogneas se
asume que la reaccin en superficie es el
paso limitante en la mayora de las
reacciones catalticas heterogneas
Cualquier reaccin que tome lugar en una
superficie comprende 5 pasos consecutivos
1) Difusin de reactivos a la superficie
2) Adsorcin de los reactivos
3) Reaccin en superficie (pueden ser
unimoleculares o bimoleculares)
4) Desorcin de los productos
5) Difusin de productos hacia la fase fluida
PRINCIPALES MODELOS DE CATLISIS
HETEROGNEA
Modelo de Langmuir-Hinshelwood
En muchos casos la adsorcin est
acompaada por la disociacin de la
molcula adsorbida sobre la superficie. Por
ejemplo: H2 se adsorbe sobre muchos
metales en forma de tomos, cada tomo
ocupando un sitio sobre la superficie.
Modelo de Langmuir/Rideal

La reaccin ocurre entre una molcula en

fase gas, molcula B, y una molcula
adsorbida sobre la superficie del catalizador,
molcula A.

BIBLIOGRAFA
GONZO E. E. CONCEPTOS BASICOS SOBRE LOS FENOMENOS DE TRANSPORTE Y
TRANSFORMACIN EN CATALISIS HETEROGENEA. Editorial Eunsa, 1 ed., Argentina.,
2010. Pp.: 15-23
CARBALLO-SUAREZ L. M. INTRODUCCIN A LA CATLISIS HETEROGNEA.
Universidad Nacional de Colombia, 1 ed., Colombia., 2002. Pp.: 21-25
HOUSECROFT C. E., SHARPE A. G. QUMICA INORGNICA. Pearson- Pretince Hall. 2
ed. 2006. Pp.: 786-789/799-802
SUPERFICIES SLIDAS: ADSORSIN Y CATLISIS HETEROGNEA Apuntes de
Qumica-Fsica Avanzada., Departamento de Qumica-Fsica., Univrsitat de Valencia.
Documento disponible en: http://www.uv.es/tunon/pdf_doc/Superficies_Solidas_A.pdf
15/11/2015
Espinosa Rocha Jorge Antonio

Nuez Bahena Erick

CELDAS DE COMBUSTIBLE

INTRODUCCIN

Una celda de combustible es un dispositivo electroqumico que convierte la energa qumica en energa elctrica y esta a
su vez la suministra a una corriente directa. Su eficiencia, su baja produccin de contaminantes, y su forma de simplificar
varios procesos para generar energa las ubica como una de las tecnologas ms prometedoras para reemplazar las
formas tradicionales de cubrir la demanda energtica del mundo.

La composicin bsica de una celda de combustible consta de una capa de electrolito que se encuentra en medio de
unas membranas porosas que cumplen la funcin de nodo y ctodo, similar a una batera. La capa de electrolito
mantiene contacto directo con ambas membranas.

Gracias a la porosidad de las membranas, el combustible (hidrgeno, metanol, biogs, propano o etanol) es inyectado
con oxgeno, el cual cumple la funcin de oxidante. Una diferencia con las bateras es que el combustible y el oxidante
deben ser suministrados continuamente. Las membranas contienen un material conductor (generalmente un metal) para
recoger la energa elctrica creada por una reaccin qumica bsica.

22 + 2 2 +

El hidrogeno al ser ionizado pierde un electrn que es trasladado por el material conductor mientras que el hidrogeno
viaja a travs del electrolito hacia el ctodo donde se dar una reaccin que produce agua, calor y energa elctrica.

A continuacin se describen el tipo de celdas de combustible ms comunes de los ltimos aos.

TIPOS DE CELDA

Celda de combustible alcalina (AFC) Bsicamente, esta celda consiste en 2 electrodos porosos (por lo general de nquel
chapado en oro) separados por una disolucin acuosa de hidrxido de potasio (KOH).

Por un lado, en el nodo se inyecta gas hidrgeno, el cul fluye a travs de los poros del nodo, en donde se encuentra
en contacto directo con iones hidroxilo (presentes en las porosidades del electrodo). El hidrgeno se oxida en presencia
de iones hidroxilo, produciendo agua y electrones: 2H2 + 4OH-4H2O + 4 e-

Los electrones producidos en la reaccin viajan del nodo al ctodo, en donde reducen al oxgeno en presencia de agua
(esto, dentro de las porosidades del electrodo): O2 + 2H2O + 4e-4OH- .La reaccin global consume 2 molculas de
hidrgeno y una molcula de agua para producir 2 molculas de agua.

La principal desventaja de este tipo de celdas de combustible, es que el KOH es susceptible a contaminarse de CO 2
produciendo carbonato de potasio (K2CO3), el cual se deposita en los poros de los electrodos y bloquea su funcionamiento:
2CO2 + 2KOHK2CO3 + H2CO3. Por esta racin se debe usar oxgeno o aire purificado de CO 2, el cul suele ser costoso.
An con lo mencionado, las AFC son las pilas de combustible ms baratas de fabricar y su eficiencia puede ser de hasta
el 70%. Este tipo de celdas opera a temperaturas entre 105C y 245C

Celda de combustible de cido fosfrico (PAFC) Esta celda consiste de 2 electrodos porosos hechos de papel carbn
recubierto con platino (como catalizador), separados por una disolucin de cido fosfrico. Al igual que en la celda alcalina,
las reacciones se llevan a cabo en las porosidades de los electrodos.

En el nodo, el gas hidrgeno se oxida segn la reaccin 2H 24H+ + 4e-. Los electrones producidos viajan del nodo al
ctodo, en donde reducen al oxgeno en presencia de protones: O 2 + 4H+ + 4e-2H2O.La reaccin global consume 2
molculas de hidrgeno y una molcula de agua para producir 2 molculas de agua.

A diferencia de AFC, PAFC es ms tolerante a las impurezas, por lo que no se necesita que los reactivos estn
completamente puros. Sin embargo, en contraste con AFC, esta celda de combustible puede alcanzar eficiencias de
produccin de energa de apenas 42% y el hecho de que se necesite un catalizador de platino (que se recarga
peridicamente) eleva su costo significativamente. Este tipo de celdas opera a temperaturas entre 180C y 205C.
Celda de combustible de Membrana Intercambiadora de Protones (PEMFC)

Este tipo de celdas usa como electrolito una capa delgada (50 m) de una membrana de intercambio protnico (como el
polmero del cido perfluorosulfonado) que se encuentra en fase slida. Los electrodos (nodo y ctodo) cuentan con un
catalizador de platino dispersado en carbono. Las reacciones en el nodo y el ctodo son las mismas que las que se
describen en la PAFC. La temperatura de operacin de estas celdas es alrededor de 80 C y son grandes candidatas a
aplicaciones de vehculos y tecnologa porttil. Sus principales ventajas radican en su alta potencia, su electrolito solido
que evita la corrosin y sus bajas temperaturas de operacin. Sus desventajas son el costo de los catalizadores y la
sensibilidad a las impurezas del combustible.

Celda de combustible de metanol directo (DMFC) Al igual que la PEMFC, esta celda utiliza como electrlito una
membrana de polmero slido. La principal caracterstica de esta celda, es que utiliza metanol lquido como fuente de
hidrgeno. Este metanol llega a la membrana polimrica por medio de los electrodos porosos, y con la ayuda de un
catalizador de platino presente en la membrana produce CO2, protones y electrones:

CH3OH + H2OCO2 + 6H+ + 6 e-

Los electrones producidos viajan del nodo al ctodo, mientras que los protones atraviesan la membrana polimrica. En el
ctodo se introduce Oxgeno, el cul reacciona en la interfase membrana-ctodo con los protones y electrones producidos
en la oxidacin del metanol: 6H++6e- + 3/2 O2 3H2O.

La reaccin global es CH3OH + + 3/2 O2 CO2 + 2H2O.

La DMFC puede alcanzar eficiencias de hasta 40% y opera a temperaturas de entre 50C y 120C, lo que hace a este tipo
de celdas atractivas para su uso en celulares u objetos de uso cotidiano. Las desventajas de este tipo de celdas son
principalmente el permeado del metanol del nodo al ctodo sin generar electricidad (problema conocido como crossover)
y la generacin de grandes cantidades de CO2,, las cuales dificultan el transporte del metanol haca el catalizador de platino
en la membrana.. Actualmente se trabaja para encontrar solucin a los problemas mencionados y tambin para encontrar
catalizadores ms eficientes para oxidar al metanol, ya que dicha oxidacin es de cintica ms lenta que la oxidacin del
hidrgeno.

Celda de combustible de Carbonato Fundido (MFC)

El electrolito de este tipo de celdas es una combinacin de los carbonatos de Li, K y Na retenido en una matriz cermica
de 2 . La temperatura de operacin se encuentra entre los 600 y 700 C debido a que se debe alcanzar la
temperatura adecuada para la conductividad del electrolito de carbonatos. Una ventaja de estas altas temperaturas es
que no se necesitan metales nobles como catalizadores y permite la cogeneracin.

Tambin la caracteriza su alta efectividad al usar combustibles a base de carbn. Su deficiencia radica en que debido a
las altas temperaturas de funcionamiento se promueve el desgaste y la corrosin.

Celda de combustible de xido Solido (SOFC)

La particularidad de este tipo de celdas radica en que su electrolito consiste en un slido no poroso de un oxido metlico,
usualmente 2 3 2 (YSZ). La celda opera entre 500 a 1000 C donde la conduccin de los iones de
oxigeno toma lugar. Es una de las celdas ms prometedoras en cuanto aplicaciones de alta potencia debido a su
eficiencia, sus bajos problemas de corrosin y sus diseos de celdas tubulares y planas. Su inconveniente es la alta
temperatura de operacin.

Bibliografa

PEM Fuell cells: theory and practice; Frano Barbir .- Segunda edicin pag: 1-10
http://www.ptolomeo.unam.mx:8080/xmlui/bitstream/handle/132.248.52.100/605/A5.pdf?sequence=5
Maribel C. Frnandez Valecillos, Tesis Celdas de combustible, Universidad de los andes, Facultad de ingerniera,
2009
Ricardo Escudero-Cid, Enrique Fats, Juan Carlos Prez-Flores y Pilar Ocn Pilas de combustible: una alternativa
limpia de produccin de energa,2013
http://worldwide.fuelcells.org/sp_base.cgim?template=sp_fctypes#dmfc, consultado el da 14 de noviembre de
2015 a las 18:00 horas.
 Celdas solares
Alumnas: Cordero Fernndez Tonantzin y Hernndez Acevedo Alejandra
Prof.: Jos Francisco Gmez Garca Trabajo de Qumica del Estado Slido

RESUMEN: Una celda solar o fotovoltaica es la conversin directa de luz en electricidad a nivel atmico.
Algunos materiales presentan una propiedad conocida como efecto fotoelctrico que hace que absorban
fotones de luz y emitan electrones. Cuando estos electrones libres son capturados, el resultado es una
corriente elctrica que puede ser utilizada como electricidad.
Caractersticas qumicas: Sean resistentes y que brinden
excelentes propiedades mecnicas.
Existen celdas solares fabricadas con Que ofrezcan valores grandes en cuanto
materiales muy especficos que han sido a caractersticas elctricas.
estudiados precisamente para conocer las
propiedades que pueden ofrecer dichos Caractersticas estructurales:
materiales; hoy en da los materiales ms
atractivos para la fabricacin de estos Las celdas solares de silicio pueden ser de tipo
dispositivos son el Si, GaAs y CdS debido a monocristalinas, policristalinas o amorfas. La
que permiten una amplia flexibilidad, resistencia diferencia entre ellas radica en la estructura
y ofrecen aceptables valores de eficiencia cristalina y tiene pequeas variaciones en
elctrica. Precisamente son de estos materiales cuanto a eficiencia.
con los que estn fabricadas casi todas las La estructura bsica de una celda fotovoltaica
celdas solares del mundo. puede verse en la figura 1a. El Silicio tipo n
La mayora de las celdas solares son est dopado con Fsforo, que tiene un electrn
fabricadas con silicio, esto es debido a que es adicional de valencia respecto a Silicio, lo que
un material semiconductor, es decir, tiene genera un exceso de electrones, disponibles
propiedades entre aislante y un conductor. La para conducir electricidad. El Silicio tipo P est
conduccin de corriente se produce cuando dopado con Boro, que tiene un electrn menos
electrones pasan de la banda de valencia a la que Silicio, de manera que se generan
banda de conduccin. En un semiconductor vacancias (huecos) o centros positivos.
como el Si conduce electricidad en ciertas
condiciones, si se le entrega la energa
necesaria para que los electrones salten de la
banda de valencia a la de conduccin, por
ejemplo entregando energa luminosa.

Las principales caractersticas que se buscan

en los materiales semiconductores para la
fabricacin de celdas solares generalmente son
las siguientes:

Materiales que permitan tanto el paso

de luz (materiales translcidos) como
materiales que al contrario, sean anti-
reflejantes u opacos y sean capaces de
absorber la mayor cantidad de radiacin
solar.
Descripcin del fenmeno:
La forma ms comn de las celdas solares se
basa en el efecto fotovoltaico, en el cual la luz
que incide sobre un dispositivo semiconductor
de dos capas produce una diferencia del voltaje
o de potencial entre las capas. Este voltaje es
capaz de conducir una corriente a travs de un
circuito externo de modo de producir trabajo til
para una aplicacin determinada.
Las celdas solares, cuentan con una delgada
rejilla semiconductora que es especialmente
tratada para formar un campo elctrico, positivo
de un lado y negativo en el otro. Cuando la
energa luminosa llega hasta la celda solar, los
electrones son golpeados y sacados de los
tomos del material semiconductor. Si
ponemos conductores elctricos tanto del lado
positivo como negativo de la rejilla, formando
un circuito elctrico, los electrones pueden ser
capturados en forma de una corriente elctrica,
es decir, en electricidad. La electricidad puede
entonces ser usada para suministrar potencia
en una carga, por ejemplo para encender una
luz o energizar un equipo elctrico.
La conversin directa de la energa solar en la
electricidad, depende del efecto fotoelctrico, el
cual consiste en la emisin de electrones de
una superficie slida o lquida, cuando se
irradia con emanaciones electromagnticas. Se
debe sealar que hay dos tipos de efectos
fotoelctricos en las celdas solares, el primero
es el interno, donde ciertos portadores de carga
se van liberando dentro del seno de un material
mediante la absorcin de fotones energticos.
En el caso del efecto fotoelctrico externo, se
emiten electrones libres mediante la absorcin
de fotones energticos.
Teora que fundamenta el funcionamiento de
las celdas solares
Efecto fotoelctrico.
El efecto fotoelctrico es un proceso mediante
el cual una superficie metlica emite electrones
cuando se incide sobre ella radiacin de una
determinada frecuencia.
En 1905 Albert Einstein pudo explicar el efecto
fotoelctrico basndose en la hiptesis de
Planck. Para esto Einstein supona que la
radiacin electromagntica esta formada de
paquetes de energa, y que dicha energa
depende de la frecuencia de la luz. La energa
de un fotn se obtiene multiplicando la
constante h de Planck por la frecuencia de la
radiacin electromagntica.
=
A estos paquetes de energa se les
denomin: fotones.
Las caractersticas esenciales del efecto
fotoelctrico son:
Para cada sustancia, hay una frecuencia
mnima o umbral de la radiacin
electromagntica por debajo de la cual no se
producen fotoelectrones por ms intensa que
sea la radiacin.
La emisin de electrones aumenta
cuando se incrementa la intensidad de la
radiacin que incide sobre la superficie del
metal, ya que hay ms energa disponible
para liberar electrones.
En los metales hay electrones que se
mueven ms o menos libremente a travs de
la red cristalina, estos electrones no escapan
del metal a temperaturas normales por que no
tienen energa suficiente. Calentar el metal es
una manera de aumentar su energa.
Bibliografa:
http://www.sc.ehu.es/sbweb/fisica/cuantica/fot
oelectrico/fotoelectrico.htm
http://www.quimica.uc.cl/uploads/commons/im
ages/f_celdas%20solares.pdf
http://podersolarmx.tripod.com/id11.html
 Salazar Remigio Laura

Huerta Arellano Wendy

Conductores inicos.
Son materiales que presentan conductividad, debida al movimiento de tomos o
iones en el slido, la cual es producida en presencia de un campo elctrico
externo.
Estos sistemas conductores de iones incluyen aquellos materiales en los cuales la
existencia de la red o de estructuras de canales permite que los iones fluyan
rpidamente a travs de ellos.
Las caractersticas que debe llenar un material susceptible de utilizarse son:
elevada conductividad inica, muy baja conductividad electrnica y estabilidad
hacia los electrodos a la temperatura de uso, conducen a una temperatura mucho
menor a su temperatura de fusin.
Los iones portadores de carga son H, Ag, Cu, Li, F, Na, K, Al entre otros. Estos en
un conductor inico podrn viajar a travs del solido si satisfacen algunas de las
siguientes condiciones: a) pueden ganar suficiente energa para salvar barreras de
potencial que les impidan moverse b) que dispongan de conjuntos de sitios
energticamente equivalentes interconectados formando canales de transporte a
travs de un slido.
Donde lo que explica el movimiento de iones en el slido son los modelos
desarrollados por Frenkel y Schottky conocidos como; el modelo por vacancias y
por intersticiales que consisten en el salto de los iones entre sitios vacantes o
sitios intersticiales dando como resultado la migracin inica.
Ms especficamente podemos decir que los defectos por vacancias propuesto por
Shottky dice que un cristal inico, no puede tener un defecto por formacin de una
vacante catdica si no va acompaado de un nmero equivalente de defectos por
formacin de una vacante anionica, para que el cristal sea elctricamente neutro,
esto involucra el movimiento de una vacancia, a travs de la red, por saltos
sucesivos del ion en direccin opuesta al movimiento de las vacancias, fenmeno
conocido como difusin en estado slido, mientras que los defectos de sitios
intersticiales o de Frenkel, un ion se mueve a travs de una serie de sitios
intersticiales.
Como se ha mencionado la difusin inica es consecuencia de los defectos
puntuales, que originan un movimiento desordenado y aleatorio de los iones en la
red cristalina que aumentan al aumentar la temperatura. Este movimiento se
orienta cuando se aplica una diferencia de potencial dando como resultado una
corriente elctrica.
Los cristales de NaCl tienen ms defectos de Schottky mientras que los de AgCl
ms de tipo Frenkel.
 Figura 2 . Cristal hipotetico mostrando la formacion de
Figura 1 Cristal hipotetico mostrandola defectos por formacion de vacantes.
existencia de defectos intersticiales

Figura 3 cristal hipotetico bidimensional

ionico mostrando la existencia de Figura 4 cristal hipotetico bidimencional ionico
defectos de Schottky. mostrando la existencia de defectos Frenkel

Para todos los mecanismos de conductividad inica expresada como se puede

describir mediante la ecuacin de Arrhenius = 0 / donde 0 puede
estar relacionada con cantidades involucradas con la carga inica, concentracin
de iones mviles, frecuencia de intento y distancia de salto.
As podemos decir que para que un slido tenga alta conductividad inica a
temperaturas mucho ms bajas que su punto de fusin debe satisfacer tres
requisitos: a) alta concentracin de portadores de carga potenciales; b) elevada
concentracin de vacancias o sitios intersticiales; c) la energa de activacin
requerida para que los iones salten de sitio a sitio de la red debe ser pequea.
La conductividad de los slidos inicos es debida al transporte dentro de la red, lo
que los diferencia de los conductores metlicos, ya que, en stos ltimos la
conductividad es debida al transporte de electrones dentro de la estructura
cristalina.
Otra gran diferencia entre ellos es que, los conductores metlicos al aumentar la
temperatura disminuyen su conductividad, mientras que en lo inicos aumenta.
Bibliografa
Jaume Casabo i Gispert. Estructura atmica y enlace qumico. Reverte. 2007 pag.
368-372
http://rmf.smf.mx/pdf/rmf/38/4/38_4_677.pdf
http://ocw.uc3m.es/ciencia-e-oin/ceramicas-y-vidrios/bloque-iv/Bloque_IV-
Conductores_ionicos.pdf
Cristales Lquidos Del Angel Reyes Meylina

Lpez lvarez Ariadne Samara

Caractersticas qumicas

Los cristales lquidos son materiales moleculares en los que incluso en estado lquido, sus
molculas constituyentes presentan cierto grado de ordenamiento. Debido a ello, ocupan
una posicin intermedia entre los slidos monocristalinos (anistropos) y los lquidos
comunes (istropos). Los cristales lquidos son fluidos como los lquidos, pero, por otro
lado, exhiben propiedades anistropas como los cristales.

Basndonos en la estructura, los cristales lquidos pueden clasificarse en tres grupos:

nemticos, esmcticos y colestricos.

Podemos distinguir dos tipos de cristales lquidos. Por una parte, los cristales lquidos
termtropos, cuyo diagrama de fases depende nicamente de la temperatura. Por el otro,
los cristales lquidos litropos, donde adems de la temperatura, la concentracin del
compuesto en un disolvente (normalmente agua) hace variar el diagrama de fases.

Descripcin del fenmeno

Un cristal lquido fluye, se escurre y toma la forma del recipiente que lo contiene, de la
misma manera que lo hace un lquido ordinario como, por ejemplo, el agua. Pero a
diferencia de sta, cuyas molculas son relativamente simples y prcticamente esfricas, las
molculas de un cristal lquido son, por lo general, o muy alargadas en forma de barra o
aplanadas en forma de disco.

Debido a la estructura de sus molculas y en especial debido a la asimetra de las mismas,

un cristal lquido adopta configuraciones altamente ordenadas. Aunque el mecanismo de
interaccin molecular es bsicamente el mismo que genera el orden en los cristales slidos.
No debe olvidarse una diferencia esencial entre ambos sistemas: en todo momento los
cristales lquidos permanecen en estado lquido, lo cual implica que los centros de masa de
sus molculas no forman una red peridica sino que fluyen manteniendo el orden en la
orientacin comn de sus ejes moleculares.

Caractersticas estructurales

De acuerdo con el tipo de arreglos moleculares que pueden formar, Friedel (1922) clasific
los cristales lquidos en tres grandes clases: nemticos, esmcticos y colestricos. La fase
nemtica exhibe orden en la orientacin de sus molculas y al mismo tiempo desorden en
la posicin de sus centros de masa. Las molculas pueden moverse lateralmente, girar
alrededor del eje comn o deslizarse paralelamente a l; un nemtico se comporta como un
lquido ordinario y sus molculas se mueven caticamente. En cambio difiere totalmente de
un lquido ordinario en que sus molculas se orientan y al moverse mantienen sus ejes
paralelos a una direccin comn.

Los esmcticos constituyen la fase ms ordenada. Tienden a organizarse en capas planas

paralelas entre s, como las hojas de un libro pero con sus ejes moleculares perpendiculares
a estos planos y paralelos entre s. Como en los nemticos, las molculas de esmctico
tambin pueden girar alrededor de la direccin de orientacin comn pero no pueden
hacerlo fuera de la capa en que se encuentran. En cada plano las molculas pueden
acomodarse en filas con diferentes grados de orden de posicin de sus centros de masa. En
el caso ms ordenado se produce un arreglo regular muy parecido al de la red de un slido,
en el que hay orden y repeticin en cada direccin. En cambio, en el arreglo ms
desordenado los centros de masa moleculares se mueven caticamente en cada plano, de
modo que en este caso el esmctico es nemtico por planos. Debe enfatizarse, sin embargo,
que en cualquier caso el esmctico es siempre fluido y las diferentes capas se deslizan, en
mayor o menor grado, unas sobre otras.

La tercera clase de cristales lquidos posee una estructura molecular caracterstica de

muchos compuestos que contienen colesterol y por esta razn se le llama colestrica. Como
en los esmcticos, las molculas de colestrico tambin pueden acomodarse en capas
superpuestas, pero con una diferencia crucial: los ejes moleculares se orientan en una
direccin paralela al plano mismo de las capas. Ms an, esta direccin cambia ligeramente
de capa a capa debido a la peculiar estructura molecular de los colestricos, y en
consecuencia el eje de orientacin, al pasar de un plano a otro, describe una trayectoria en
forma de hlice.

Teora que lo fundamenta

Los cristales lquidos fueron descubiertos hace ms de cien aos (1888) por el botnico
austriaco F. Reinitzer, quien encontr que algunos compuestos orgnicos derivados del
colesterol parecan tener dos puntos de fusin. Ms especficamente, observ que al calentar
los cristales de estas sustancias a 145 C, el slido se transformaba en un lquido turbio; pero
ste a su vez, se converta en un lquido totalmente claro y transparente precisamente a 179
C. Reinitzer tambin realiz el proceso inverso y enfri el lquido transparente observando
que exactamente a las mismas temperaturas anteriores ocurran las transformaciones
opuestas. Como adems los cambios observados iban acompaados de absorcin o emisin
de calor, dependiendo de si la temperatura aumentaba o disminua y, asimismo, como el
volumen del sistema cambiaba en forma abrupta, Reinitzer concluy que la sustancia en
realidad exhiba dos cambios o transiciones de fase sucesivas. Al poco tiempo de estas
primeras observaciones (1889), el cristalgrafo alemn F. Lehmann descubri que el lquido
turbio intermedio entre los cristales y el lquido transparente posea propiedades pticas y
una estructura molecular muy parecida a la de un cristal slido, y acu el nombre de cristal
lquido. Aun sin darse plena cuenta, lo que en realidad haban descubierto era un nuevo
estado de la materia: las fases intermedias o mesofases.

Bibliografa

http://bibliotecadigital.ilce.edu.mx/sites/ciencia/volumen2/ciencia3/104/htm/s
ec_6.htm
http://www.mim-us.es/estructuras_cristalinas/cristales_liquidos.html
 Nez Ortega Itzel Xhadani
Snchez Castell Jos Alberto
Piezoelctricos
Descripcin del fenmeno:
La piezoelectricidad es un fenmeno que ocurre en determinados cristales con ciertas condiciones de
simetra, que al ser sometidos a fuerzas mecnicas (presin, deformacin, etc.), se adquiere una polarizacin
elctrica que genera una diferencia de potencial y cargas elctricas en la superficie del cristal.
Se puede definir al efecto piezoelctrico como el cambio de la polarizacin elctrica proporcional a la
deformacin. Se dice que un material es piezoelctrico si la aplicacin de una fuerza mecnica exterior da lugar
a un desplazamiento dielctrico dentro del material. Este desplazamiento se manifiesta como una polarizacin
elctrica interna.
Normalmente el efecto piezoelctrico es reversible: al dejar de someter el cristal a una diferencia de
potencial o campo elctrico, ste recupera su forma y viceversa. En la literatura se encuentra al efecto
piezoelctrico directo como la conversin de energa mecnica en energa elctrica y al efecto inverso o
recproco como la generacin de energa mecnica a partir de energa elctrica.
El principio de funcionamiento del que se saca provecho en los materiales piezoelctricos se basa en lo
mencionado, y de los numerosos materiales piezoelctricos existentes, el cuarzo es el ms utilizado debido a su
estabilidad.

Figura 1. Aplicacin de una fuerza (F) genera una polarizacin (P).

Caractersticas estructurales:
Es importante sealar que el efecto piezoelctrico depende fuertemente de la simetra del cristal. Con
slo una excepcin, todas las clases cristalinas que carecen de centro de simetra o centro de inversin son
piezoelctricos. Dicha ausencia habla de una baja simetra en el cristal.
De las 32 clases cristalinas existentes, hay 21 que carecen de centro de inversin, de ellas, 20 poseen la
propiedad da la piezoelectricidad. La excepcin es la clase 29 (enantiomorphous hemihedral), que a pesar de no
tener centro de inversin, contiene otros elementos de simetra que se combinan para eliminar el efecto
piezoelctrico.
 Nez Ortega Itzel Xhadani
Snchez Castell Jos Alberto
Las 20 clases cristalinas piezoelctricas son: 1, 2, 3, 4, 6, m, mm2, 3mm, 4mm, 6mm, 422, 222, 622, 32,
23, -42m, -4, .6, -43m, -62m; dadas en notacin de Herman-Mauguin.
Segn el plano de corte del cristal (tallado), se obtienen elementos que son slo sensibles a las presiones
o bien a las fuerzas de cizalladura en una dada direccin.
Caractersticas qumicas:
La manera fundamental en que la ausencia de un centro de inversin genera la piezoelectricidad, es que
al no existir dicho elemento de simetra en la estructura del cristal, pueden existir dipolos en la misma, los
cuales generan un momento dipolar en el material. En realidad, la piezoelectricidad sera imposible si no
existiera un momento dipolar neto en la estructura del cristal, puesto que es dicho momento el que se desplaza
cuando se aplica la fuerza mecnica, generando la diferencia de potencial.
Teora que lo fundamenta:
El efecto piezoelctrico se describe mediante la ecuacin:
1 = 111 11
Donde:
P1 es el componente del vector de polarizacin
T11 es el componente del tensor de tensin
d111 es el coeficiente de piezoelectricidad

Para el efecto inverso, se utiliza la ecuacin anloga:

11 = 111 1

Donde:
S11 es el componente del tensor de tensin
E1 es el componente del vector campo elctrico
d111 es el coeficiente de piezoelectricidad

Bibliografa:
Tich, Jan, et. al. Fundamentals of piezoelectric sensorics. Springer. Berln, 2010.
 Semiconductores transparentes
Acosta Rodrguez Salvador y Rodrguez Virto Irvin

Qumica del Estado slido 16/11/15

Los materiales pueden clasificarse, de acuerdo con su resistividad en conductores,

semiconductores y aislantes. Existen dos enfoques, basados en la teora de
bandas, que nos permiten entender los fenmenos de conductividad elctrica y
trmica en los materiales slidos. Estos enfoques son capaces de explicar, por
ejemplo, las diferencias tan enormes en las resistividades elctricas de tales
materiales.

Las propiedades de los semiconductores pueden ser incrementados mediante el

dopaje con tomos de un elemento diferente. El dopaje consiste en la introduccin
de una mnima porcin de tomos dopantes. A estos semiconductores se les
conoce como conductores extrnsecos.
 Semiconductores transparentes
Acosta Rodrguez Salvador y Rodrguez Virto Irvin

Qumica del Estado slido 16/11/15

Los xidos semiconductores son una familia de materiales funcionales. Sus

aplicaciones se fundamentan en dos caractersticas estructurales importantes, que
son:

1. Presencia de cationes con estados de valencia diferentes.

2. Deficiencia de oxigeno ajustable debido a las vacantes de oxgeno.

Entre las principales ventajas de estos xidos semiconductores est, en primer

lugar, su estructura de bandas con un intervalo de energa prohibido (band gap)
ancho, de entre 3 y 5 eV. Por lo tanto son transparentes a la luz visible. En
segundo lugar, presentan una conduccin elctrica relativamente elevada, debido
a la presencia de vacantes de oxgeno que aportan donadores al semiconductor.
Por otra parte son materiales fciles de obtener y por ello son baratos frente a los
semiconductores compuestos.

Para comprender el comportamiento de la pelcula sensora es necesario

considerar que estamos en presencia de un material nano estructurado que puede
estar formado por granos interconectados.

La conductividad elctrica de un xido semiconductor, como el SnO2, vara con la

concentracin de oxgeno. Tcnicas espectroscpicas han demostrado que el
oxgeno que compone el aire se encuentra adsorbido en forma ionizada,
tpicamente O-. Este fenmeno se conoce como adsorcin inica. El oxgeno
adsorbido en la superficie toma electrones de la banda de conduccin del SnO2 y
produce una zona de vaciamiento. Si los granos estn conectados se genera una
barrera de potencial para la conduccin de los electrones, conocida como barrera
doble de Schottky.
Para que se produzca la conduccin es necesario sobrepasar una barrera de
potencial q, por lo tanto la conduccin estar controlada por la densidad de
electrones en la superficie de cada grano.

Materiales que conducen electricidad y simultneamente transmiten la luz visble,

son constituyentes vitales de celdas solares, pantallas planas entre otros objetos.
El hecho de que algunos de estos materiales, han tenido un uso industrial
significativo como conductores transparentes a pesar de ser utilizados con baja
calidad, abre las puertas para aplicaciones innovadoras, como ventanas
fotolvotaicas o ventanas que pueden ser utlizadas como pantallas. Dos de los
retos mas importantes de estos materiales son: maximar el potencial de la
electrnica transparente con el descubrimiento de de un xido transparente de alta
movilidad de tipo p y desarollar alternativas viables para resolver unas de las
grandes problemticas del mundo que es la energa.
 Semiconductores transparentes
Acosta Rodrguez Salvador y Rodrguez Virto Irvin

Qumica del Estado slido 16/11/15

Bibliografa
http://blogs.creamoselfuturo.com/nano-tecnologia/2006/10/27/oxidos-
semiconductores-nanoestructurados/
http://www.tandar.cnea.gov.ar/doctorado/Tesis/Rodriguez.pdf
Housecroft Catherine E., Sharpe Alan G; Qumica Inorgnica; Segunda
Edicin. Editorial Pearson. 2006. Mxico. Pp. 142-144.
Huheey James E., Keiter Ellen A.; Qumica Inorgnica: Principios y
reactividad; Cuarta edicin; Editorial Oxford University Press; 1997; Mxico
p. 280.
http://depa.fquim.unam.mx/amyd/archivero/condsemicondais2_27505.pdf
Gonzlez Moreno Daniel Qumica del Estado Slido
Marino Tinajero Giancarlo 16/11/15

SENSORES DE GAS

Palabras clave: Sensores de gas, proceso de adsorcin/desorcin.

La naturaleza de los sensores: Un transductor es un dispositivo que convierte una forma de energa en
otra. Un sensor es una forma de transductor que convierte una magnitud fsica o qumica en una
elctrica de magnitud equivalente para fines de medicin. En particular, un sensor qumico est destinado
a la determinacin de la composicin y la concentracin de un material de inters a travs de una seal
elctrica.

Los sensores de gas funcionan mediante la medicin del cambio de una propiedad fsica debido a
interacciones reversibles entre la superficie de un material en estado slido y el gas de inters. Estas
interacciones pueden ser procesos de adsorcin/desorcin y/o reacciones qumicas.

Tabla 1. Tipos de sensores de gas de estado slido con el cambio fsico correspondiente utilizado como
principio de deteccin de gas.

Tipo de dispositivo Cambio fsico

Sensores de gas semiconductores
Sensores de gases de efecto de campo: diodos,
transistores, capacitores
Sensores piezoelctricos: Quartz Crystal
Microbalances (QMB), Surface Acoustic Wave
(SAW), Microcantilevers
Sensores pticos (de fibra ptica o de capa
delgada)
Sensores catalticos de gas: efecto Seebeck,
pellistors, semistors
Sensores de gas electroqumicos (potenciomtricos
o amperomtricos)
Conductividad elctrica
Funcin de trabajo (polarizacin elctrica)
Masa
Parmetros pticos: SPR, reflexin, interferometra,
absorcin, fluorescencia, ndice de refraccin o
longitud del camino ptico
Calor o temperatura
Fuerza electromotriz o corriente elctrica en una
celda electroqumica de estado slido

Por supuesto, debido a la gran variedad de sensores de gas, es imposible tratar con todos los tipos; por lo
tanto nos hemos centrado solo en dos de los principales.

a) Sensores de Gas Semiconductor

Los sensores de gas semiconductor (SGS, por sus siglas en ingls Semiconductor Gas Sensors) estn
tpicamente basados en xidos metlicos (por ejemplo, SnO2, TiO2, In2O3, WO3, NiO, etc.).
Las interacciones superficiales gas/semiconductor en los que se basa el mecanismo de deteccin de gas
SGS se producen en los lmites de grano de la capa del xido policristalino. Por lo general, incluyen
procesos de reduccin/oxidacin de los semiconductores, adsorcin de especies qumicas directamente en
el semiconductor y / o adsorcin por reaccin con estados superficiales asociados a oxgeno ambiental
adsorbido previamente, transferencia electrnica de los electrones deslocalizados de la banda de
conduccin a los estados superficiales y viceversa, efectos catalticos y en general reacciones qumicas
superficiales complejas entre las diferentes especies qumicas adsorbidas. El efecto de estos fenmenos
de superficie es un cambio significativo y reversible en la resistencia elctrica (es decir, un aumento o
disminucin de la resistencia bajo la exposicin de gases oxidantes). Esta variacin de la resistencia puede
ser fcilmente observada y utilizada para detectar especies qumicas en el ambiente. El cambio en la
resistencia elctrica ocurre debido a que se forman regiones aislantes en el material semiconductor como
consecuencia de la difusin de electrones causada por los procesos mencionados anteriormente.
Las interacciones gas/slido en SGS pueden implicar cambios en la conductancia de la superficie o del
volumen; con lo cual se pueden distinguir dos principales tipos de sensores de gas. La existencia del
primer tipo de SGS se debe a que en un xido semiconductor, los principales defectos en su estructura son
vacancias de oxgeno; los cambios en la conductividad volumtrica ocurren por a cambios en la presin
parcial de oxgeno a temperaturas tan altas (600 a 1000C) que las vacancias de oxgeno pueden
difundirse fcilmente del interior a la superficie y viceversa.

El segundo tipo principal de sensores SGS se basa slo en los cambios en la conductividad superficial, lo
cual ocurre temperaturas ms bajas (<600 C) y a presiones parciales de oxgeno prcticamente
constantes. As, el sensor es capaz de detectar pequeas concentraciones de gases reactivos en el aire
como consecuencia de un desplazamiento del estado de equilibrio por un ligero cambio en la presin
parcial de oxgeno. La temperatura de trabajo de estos dispositivos depende del gas que se quiera detectar
y del material sensor que se utilice. Como esta temperatura de trabajo oscila generalmente de 200 a 400
C, es necesario implementar un elemento calefactor en el dispositivo sensor. Dicho esto, un simple SGS
est compuesto de un sustrato de almina o slice (en el que se deposita la capa de deteccin), electrodos
(para medir los cambios de resistencia) y un calentador (comnmente resistencias de Pt para llegar a la
temperatura de deteccin ptima).

b) Sensores de Gas pticos

Los sensores de gas pticos (OGS, por sus siglas en ingls Optical Gas Sensors) se basan en el principio
de las fibras pticas y aprovechan sus diversas ventajas y versatilidades (inmunidad ante campos
magnticos y elctricos). El fundamento de los OGS consiste en cambiar las caractersticas del haz de luz
transmitido a travs de la fibra ptica y, a su vez, usar estos cambios para modificar una seal elctrica en
un receptor. Una fibra ptica est compuesta por un ncleo, generalmente SiO 2 dopado, y un
revestimiento. Para que el haz de luz pueda ser transmitido satisfactoriamente debe de presentarse el
fenmeno de reflexin total interna, lo cual solo es posible cuando los ndices de refraccin del ncleo (n 1)
y del revestimiento (n2) siguen la siguiente relacin: n1 > n2. En los OGS, el revestimiento se fabrica de un
material sensible al gas de inters, as, cuando entra en contacto con dicho gas, las molculas son
absorbidas en ste, lo cual cambia el ndice de refraccin del revestimiento con lo que se ve afectado el
fenmeno de reflexin total interna y la fase de la onda cambia. Para poder analizar este cambio, se utiliza
el principio de interferometra. Se emite un pulso de luz a travs de una fibra ptica, sta es dividida en
dos, una con cubierta protectora que se utilizar como referencia, y otra vulnerable a la influencia externa.
Cuando no hay perturbacin las ondas producen un patrn de interferencia conocido, sin embargo,
cualquier perturbacin en la fase de cualquiera de los dos haces, provocar un cambio en el patrn
resultante lo cual podr asociarse a una cierta concentracin del gas de inters.

Tan solo la dcada pasada, la demanda por estos tipos dispositivos fue enorme, simplemente se
encuentran aplicaciones en numerosos campos. Los dos importantes grupos de aplicaciones son la
deteccin de gases simples y la discriminacin de olores o en general el monitoreo de cambios en el
ambiente. Otros ejemplos de aplicaciones para sensores de gas son los siguientes: Automviles,
Seguridad, Calidad del aire, Control Ambiental, Alimentos, Produccin Industrial y Medicina.
Es imposible pronosticar el futuro de esta tecnologa ya que depende del desarrollo de otras disciplinas, sin
embargo, es fcil asegurar que seguirn evolucionando y beneficindonos como primera opcin en la
deteccin de gases.

BIBLIOGRAFA

1. S. Capone, A. Forleo, L. Francioso, R. Rella, P. Siliciano, J. Spadavecchia, D. S. Presicce, A. M.

Taurino, Solid State Gas Sensors: State of the Art and Future Activities, Journal of
Optoelectronics and Advanced Materials, 2003, 5, 1335-1348.

2. A. Mandelis, C. Christofides, Physics, Chemistry and Technology of Solid State Gas Sensor
Devices, First edition, John Wiley & Sons, Inc., USA, 1993. Pages 1-2, 5-11, 163-170.
 SUPERCONDUCTORES TIPO 1

Los metales son materiales que conducen bien el calor y la electricidad, y que cuando
una corriente elctrica circula por un hilo conductor, ste se calienta, como ocurre
con las estufas y calentadores elctricos. El fenmeno descrito, conocido como efecto
Joule, se debe a que los metales presentan cierta resistencia al paso de la corriente
elctrica por su interior, ya que cuando se mueven, chocan con los tomos del
material que estn vibrando. En un material superconductor esto no ocurre, estos
materiales no ofrecen ninguna resistencia al paso de la corriente elctrica continua por
debajo de una cierta temperatura. Los electrones se agrupan en parejas
interaccionando con los tomos del material de manera que logran sintonizar su
movimiento con el de los tomos, desplazndose sin chocar con ellos.
Esto significa que no se calientan, por lo que no hay prdida de energa al transportar
la corriente elctrica debido al efecto Joule.
Un material superconductor no solamente no presenta resistencia al paso de corriente,
sino que tambin tiene otra propiedad importante que es su capacidad para apantallar
un campo magntico. Si enfriamos el superconductor por debajo de su temperatura
crtica y lo colocamos en presencia de un campo magntico, ste crea corrientes de
apantallamiento capaces de generar un campo magntico opuesto al aplicado. Esto
ocurre hasta que el campo magntico alcanza un valor, llamado campo crtico, lo cual
hace que se vuelvan diamagnticos, cancelando todo el flujo en su interior, momento
en el que el superconductor deja de apantallar el campo magntico y el material
transita a su estado normal, este fenmeno es llamado efecto Meissner-Ochsenfeld.
Los superconductores tipo I siempre intentan expulsar el campo magntico de su
interior, lamentablemente el campo crtico de estos materiales es tan pequeo que no
se pueden desarrollar aplicaciones tecnolgicas con ellos.
La temperatura crtica de los superconductores es la temperatura a la cual la
resistividad elctrica del metal cae a cero. La transicin es tan repentina y completa
que parece que es una transicin hacia una fase diferente de materia; esta fase
superconductora est descrita por la teora BCS, la cual se basa en pares de electrones
acoplados por interacciones vibracionales de red. Sorprendentemente, los mejores
conductores a temperatura ambiente (oro, plata y cobre) no se convierten para nada
en superconductores. Tienen las ms pequeas vibraciones de red por lo que su
comportamiento se correlaciona bien con la Teora BCS.
La mayora de los superconductores que son Ejemplos de superconductores:
elementos puros son de tipo I, con la excepcin del
niobio, el tecnecio, el vanadio y las estructuras de
carbono como diamante y grafito.

Algunas propiedades de los superconductores:

Bajas temperaturas de fusin
Mecnicamente suaves
Fcil obtencin con alto grado de pureza
Libres de esfuerzos mecnicos internos
Tienen una nica temperatura crtica Tc por
encima de la cual dejan de comportarse
como tales de manera brusca, y por lo tanto
empiezan a tener resistencia elctrica
Su temperatura crtica es muy baja, no
superior a los 7 Kelvin
La magnetizacin de la muestra aumenta
segn aumenta el campo magntico externo
para contrarrestarlo y que en el interior
dicho campo sea nulo, lo que da lugar al
efecto Meissner; en cuanto se alcanza el
campo magntico crtico, la magnetizacin
cae bruscamente a cero.

Referencias:
http://www.unizar.es/icma/divulgacion/pdf/pdflevitsupercon.pdf
http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/solids/scond.html
http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/solids/bcs.html#c1
http://www.tdx.cat/bitstream/handle/10803/6288/07CAPITOL3.pdf?sequence=7
Superconductores de Tipo II
Caractersticas estructurales:
La diversidad de aplicaciones de las perovsquitas se extiende hasta la superconductividad porque
algunos de los superconductores a alta temperatura citados por primera vez en 1986 se pueden
considerar como variantes de la estructura de la perovsquita (cristaliza en el sistema rmbico, pero
por su aspecto, parece cristalizar en el sistema cbico puesto que se presenta como formas simples
cbicas u octaedricas. En realidad, se trata de prismas rmbicos con una altura similar a la anchura
y profundidad de la base). Los superconductores de este tipo son un grupo heterogneo: pueden ser
aleaciones, cermicas o elementos puros; entre estos ltimos encontramos tan slo cuatro: el
carbono (pero slo los fulerenos y los nanotubos, pues cuando se encuentra en forma de diamante o
grafito nunca alcanza el estado superconductor), el niobio, el tecnecio y el vanadio.
Los superconductores hechos con aleaciones se llaman superconductores de Tipo II. Adems de que
son mecnicamente ms duros que los superconductores de Tipo I, exhiben mayores campos
magnticos. Los superconductores de Tipo II tales como el niobio-titanio (NbTi) se usan en la
construccin de imanes superconductores para grandes campos.
Caractersticas qumicas:
Los superconductores presentan dos caractersticas notables, por debajo de la temperatura critica a
la que se forma el estado superconductor, su resistencia elctrica es nula. Si no aplicamos ningn
campo magntico vemos que hay un intervalo de temperaturas, entre Tc1 y Tc2, en el que el
material est en un estado mixto (tambin conocido como fase de Shubnikov, por Lev Shubnikov)
en el que conviven el estado superconductor y el normal (mientras que en los superconductores de
tipo I el paso de un estado a otro es discontinuo). Si vamos aumentando el campo magntico, estas
dos temperaturas van siendo cada vez ms bajas, y si es el campo es lo suficientemente grande, el
material no es conductor ni siquiera en el cero absoluto. Los superconductores de Tipo II, existen
normalmente en un estado mixto de regiones normales y superconductoras. Este se llama a
veces estado vrtice, porque vrtices de corrientes superconductoras, rodean filamentos o ncleos
de material normal.
Por otro lado, si fijamos la temperatura cuando la sustancia est en estado superconductor y
aplicamos un campo magntico, encontramos una situacin parecida: a partir de un cierto valor Hc1
el campo comienza a poder penetrar el material, y si lo aumentamos hasta un valor Hc2 el estado
superconductor desaparece por completo. La magnetizacin aumenta segn aumenta el campo
magntico externo para contrarrestarlo y que en el interior dicho campo sea nulo, lo que da lugar al
efecto Meissner(exclusin de un campo magntico),; pero al contrario de lo que pasa en los
superconductores de tipo I (donde la magnetizacin se anula bruscamente cuando se alcanza el
campo magntico crtico) en los de tipo II la magnetizacin alcanza el mximo en Hc1, tras el cual
empieza a disminuir gradualmente (permitiendo as que el campo magntico externo vaya
penetrando en la muestra) y no se anula hasta alcanzar Hc2.
Descripcin del fenmeno:
La superconductividad es un fenmeno observado a bajas temperaturas, donde hay resistencia
elctrica cero, tambin se observa un superdiamagnetismo en el que puede observarse el efecto
Meissner, en el cual un objeto superconductor debajo de su temperatura critica levita sobre un imn,
este se debe a que expulsa el campo magntico, tambin se pueden establecer corrientes en su
interior. Una corriente elctrica que fluye en una espiral de cable superconductor puede persistir
indefinidamente sin fuente de alimentacin. Esto contradice a la ley de Faraday ya que implica que
se establezcan corrientes con campos magnticos estticos, as que es un efecto cuntico. En
realidad un material superconductor de tipo I es perfectamente diamagntico. Esto hace que no
permita que penetre en el campo, lo que se conoce como efecto Meissner. El campo magntico
distingue dos tipos de superconductores: los de tipo I, que no permiten en absoluto que penetre un
campo magntico externo (lo cual conlleva un esfuerzo energtico alto, e implica la ruptura brusca
del estado superconductor si se supera la temperatura crtica), y los de tipo II, que son
superconductores imperfectos, en el sentido en que el campo realmente penetra a travs de
pequeas canalizaciones denominadas vrtices de Abrikosov, o fluxones. En los superconductores
de tipo II, la aparicin de fluxones provoca que, incluso para corrientes inferiores a la crtica, se
detecte una cierta disipacin de energa debida al choque de los vrtices con los tomos de la red.
TEORIA QUE LO FUNDAMENTA:
La superconductividad puede ser explicada en trminos de la teora BCS (Bardeen Cooper y
Schriffer) la cual dice que cmo la conductividad disminuye al aumentar la temperatura , aumenta
el nmero de fonones trmicos(energa cuantiada de vibraciones de la red) estos dispersan los
electrones de conduccin haciendo que se orienten al azar y se disipe energa en forma de calor, as
en un superconductor esto no sucede debido a la periodicidad de la red, cambia el impulso de los
electrones, emitiendo un fonon, mientras tanto otro electrn absorbe se fonon, as de esta manera
cuando un electrn emite un fonon, el otro lo absorbe de modo que se encuentran ligados, formando
lo que se conoce como pates de cooper, estos crean la superconductividad, ya que se intercambian
fonones entre todos los electrones y se disminuyen los fonones trmicos al azar, para que esto
suceda se necesita que:
1) que la interaccin fonon-electron sea fuerte
2) que disminuyan el nmero de fonones trmicos orientados al azar, esto requiere bajas
temperaturas, para lo cual la temperatura critica debajo de la cual un material se vuelve
superconductor es muy baja se denomina Tc
3) que aumente el nmero de electrones debajo de la energa de fermi, ya que estos forman los pares
de Cooper
4) que los electrones que forman el par estn en pareados, es decir con espn anti paralelo para que
disminuyan su repulsin
5) que los electrones del par en ausencia de un campo elctrico tengan igual impulso pero direccin
contraria
Sin embargo esta teora microscpica no logra explicar los superconductores tipo II , los cuales no
necesitan temperaturas tan bajas ya que sean encontrados superconductores tipo II con Tc de
mayores a 77K, que es la temperatura de ebullicin del nitrgeno , Ejemplos de superconductores
de alta temperatura incluyen al La1.85Ba0.15CuO4, y el YBaCuO (Itrio-Bario-Cobre-Oxido), el
cual es famoso por ser el primer material descubierto mostrando la superconductividad por encima
del punto de ebullicin del nitrgeno lquido. Todos los superconductores de alta temperatura son
de tipo II y no convencionales. As en 1987 se descubri el YBa2Cu3O7 con 93 K y en 1988 el
Bi2Sr2Ca2Cu3O10 con 110 K. El record lo tiene desde el 2000 el Hg0,8Tl0,2Ba2Ca2Cu3O8 con
138 K. La teora que los explica es la teora de Ginsburg-landau, en la cual es una versin
macroscpica de la anterior, de forma como lo es la termodinmica clsica trata con energas libres,
etc. Adems esta trata con pseudo funciones de onda, ya que no son funciones de onda en el sentido
estricto de la mecnica cuntica, aunque si debe cumplir con ciertas ecuaciones de la mecnica
cuntica, estas pseudofunciones de onda describen de forma macroscpica el comportamiento de
los portadores de carga que son los pares de Cooper as el cuanto del flujo es hc/2e. Sin embargo
sigue siendo un misterio, ya que no se sabe que material ser superconductor, ya que muchos son
materiales compuestos y no estequiometricos hace que sea difcil el anlisis.

Bibliografa
http://www.granadanatural.com/ficha_minerales.php?cod=251
Qumica Inorgnica volumen 2 D. F Shriver, P. W Atkins, C. H Langford, Reverte

Eisberg, Resnick(2006). Limusa ed. Fisica Cuantica, atomos, molculas, slidos, nucleos y
partculas, primera edicion, pp. 570-575
Tinkham, Michael (1996). McGraw-Hill ed. Introduccion to superconductivity, segunda edicion,
pp. 118-120
 TERMOPARES

Usados en el rea de la termoelectricidad, la cual consiste en obtener un valor en una

transduccin1, en esta rea de las mediciones se asignan un valor potenciomtrico en base a
una diferencia de potencial muy pequea (milivoltios), resultado de una funcin de temperatura
proveniente de la constitucin del mismo instrumento, este tipo de instrumentos tambin
encuentran una utilidad en la lectura de un cambio rpido de temperatura

A continuacin se proceder a describir el sistema de estos instrumentos as como las diferentes

caractersticas que son esenciales en su funcionamiento junto a diferentes puntos interesante de
estos instrumentos.

Teora que lo fundamenta:

Los principios o teora subyacente a los efectos de la termoelectricidad no fueron establecidos

por un solo hombre en un mismo tiempo, pero gracias a varios cientficos trabajando en ello
abarcando muchos aos, empezando con Alejandro Volta (quien en 1800 concluyo que la
electricidad, la cual causa que la rana de Galvani tiemble, se debe al contacto de dos metales
diferentes. Esta conclusin fue la precursora del principio de los termopares.

Otros que contribuyeron a este fundamento son, por ejemplo, Thomas Johann Seebeck (1821),
Jean Charles Althanase Peltier (1834), y William Thomson (Lord Kelvin, 1848-1854). Durante este
mismo periodo Jean Baptiste Joseph Fourier public la ecuacin bsica calor-coduccin (1821),
George Simon Ohm descubri la famosa ecuacin para la conduccin de la electricidad (1826),
James Prescott Joule descubri el principio de la primera ley de la termodinmica y el importante
efecto de calor I2R (1840-1848) y Rudolf Julius Clausius anunci el principio de la segunda ley de
la termodinmica e introdujo el concepto de entropa (1850).

Segn la ley de Volta, a cada metal le corresponde un potencial galvnico y la fuerza

electromotriz de contacto de dos metales que estn en equilibrio trmico y elctrico es igual a la
diferencia de sus respectivos potenciales galvnicos.

Si se dispone una cadena de diferentes metales en contacto, estando todos ellos en equilibrio
trmico y elctrico, la fuerza electromotriz resultante es la misma que se produce si los metales de
los extremos estuviesen directamente soldados entre si. Si los metales de los dos extremos son
iguales, la fuerza electromotriz que se obtiene es nula.

Efecto Thomson: Entre dos puntos de un conductor homogneo en equilibrio elctrico se

produce una diferencia de potencial cuando entre dichos puntos existe una diferencia de
temperatura.

El efecto Thomson no depende ms que de la naturaleza de los conductores y del valor de las
temperaturas.

Qu es un termopar?

Es un instrumento que consta de dos hilos de diferentes materiales (necesariamente as ya que lo

que se busca es que cada una de las puntas tenga un punto de fusin diferente), unidos
rgidamente por ambos extremos, formando as un circuito cerrado con dos uniones de diferentes
materiales, en la cual una de las juntas se conserva a ms alta temperatura que la otra creando

1
Proveniente de transductor, dispositivo capaz de transformar o convertir una determinada manifestacin de energa de
entrada, en otra diferente a la salida pero de valor muy pequeo en trminos de la fuente.
 TERMOPARES

as una diferencia de tensin (funcin de la diferencia de temperatura entre las uniones2).

Conectando un aparato de medida al circuito (milivoltmetro o potencimetro) y manteniendo
una de las juntas a temperatura constante, obteniendo as la temperatura de la otra unin, esta
unin (de la cual se obtuvo un valor en la temperatura) recibe el nombre del elemento sensitivo
o tambin conocido como termopar, la otra unin es tambin conocida como unin de
referencia.

Qu pasa en el termopar?

Como sabemos un instrumento mide la temperatura debido a que es sensible, en estos

instrumentos lo que se busca es medir esta pequea diferencia obtenida de la siguiente manera.
Cuando un cuerpo se calienta, la velocidad de vibracin de sus molculas aumenta
rpidamente,, por consecuencia esto produce diferentes efectos fsicos tal es el caso del metal
en el cual varan tanto sus dimensiones como su resistencia elctrica, teniendo as que la
temperatura se eleva como resultado del calor ganado mientras tanto que en la medicin de la
temperatura el cambio en las molculas se encuentra de manera cuantitativa, de manera que
la radiacin de un cuerpo caliente puede medirse y la temperatura del cuerpo se puede
deducir de ella.

Caractersticas qumicas:

Un termopar es un a sensor para medir temperatura. Consiste en dos metales diferentes unidos
por un extremo. Cuando la unin de los dos metales se calienta o enfra se produce un voltaje
que se puede correlacionar con la temperatura. Las aleaciones de termopar estn disponibles
por lo normal en forma de alambre.

Las caractersticas que tiene un termopar son:

Proporciona una fuerza electromotriz estable en el dominio de su utilizacin durante un largo

periodo de tiempo.

Es resistente a la agresividad del medio en el que se va a utilizar, es decir, no pierde sus

caractersticas elctricas ni mecnicas.

Presenta una buena relacin fuerza electromotriz/ temperatura, lo cual, depende de la

pendiente de la curva patrn.

Contiene hilos del termopar fcilmente reproducibles, es decir, no estn formados por metales o
aleaciones sencillas de obtener, lo cual facilita la intercambiabilidad de los termopares de la
misma naturaleza sin necesidad de recalibrar.

Tales caractersticas limitan el nmero de tipos de termopares, siendo los ms extendidos, los
siguientes:

Cobre- constatan (200 a + 400 C)

Hierro-constatan (0 a + 900 C)

Niquel Cromo-Niquel (-200 a + 1100 C)

Niquel Cromo-Constatan (0 a + 1100 C)

Platino Rodio 10%-Platino (0 a + 1500 C)

2
Funcin matemticamente no lineal, puede aproximarse a un polinomio complejo, del cual depende el tipo de termopar
 TERMOPARES

Platino Rodio 30%-Platino Rodio 6% (0 a + 1700C)

Las propiedades termoelctricas de un termopar dependen de la naturaleza de los metales

empleados. Un cambio fsico o quimico en dichos metales produce una modificacin de su
curva caracterstica; cuando esto sucede se dice que el termopar ha envejecido.

El envejecimiento obdece a motivos de distinta naturaleza. El ms comn se debe al fenmeno

de difusin de los metales, que se ve favorecido cuando la atmosfera ataca a los metales y en
temperaturas elevadas. As, por ejemplo, a los pares de hierro-constantan y cobre-constatan les
perjudican las atmosferas oxidantes y a los de niquel-cromo-niquel y niquel-cromo-constatan y
platino-rodio-platino, las reductoras.

Resumen

De forma elemental, el instrumento consta de dos partes el termopar o elemento sensitivo que
son hilos (diferentes materiales) trenzados por un extremo y separados por el otro, y la unin de
referencia que es el extremo no enlazado y al cual en cada punta se conecta el milivoltmetro.
Siendo as un sensor para medir temperatura cuando la unin de los dos metales se calienta o
enfra se produce un voltaje que se puede correlacionar con la temperatura.

Bibliografa:

American Sciety for testing and materials. Manual on the use of thermocouples in temperatura
measurement. Baltimore, 1974. pp: 3-19

Daz Fernandez-Raigoso, Aurelio. Sistemas de regulacin y control. Ed Marcombo. Primera

edicin. Espaa. 2011

W.G., Holzbock, instrumentos para medicin y control,Editorial continental, Mxico, 1980, 3-5,30-
40

INTEGRANTES: Brbara Acosta Osornio

Cuauhtmoc Lpez Soria
 Acosta Fernndez Rosa del Carmen, Oropeza Guerrero Francia Michelle.

Los cementos son materiales inorgnicos que se Caractersticas qumicas

aplican y endurecen despus de ser mezclados para
formar una pasta usando agua. Los cementos pertenecen a la clase de materiales denominados
aglomerantes en construccin, como la cal area y el yeso (no
El cemento es una mezcla de silicatos y aluminatos hidrulico), el cemento endurece rpidamente y alcanza resistencias
de calcio. Se obtiene a partir de la fusin y altas; esto gracias a reacciones complicadas de la combinacin cal-
combinacin, en proporciones convenientes, de slice.
materias primas que sean ricas en cal, slice y
almina. Estos materiales se encuentran en su estado Mdulo fundente
natural bajo la forma de calizas, arcillas o margas. Compuestos secundarios
Perdida por calcinacin
Las materias primas se trituran, muelen y se
Residuo insoluble
mezclan, esta mezcla se introduce en un horno
rotatorio donde se calienta a 1400C-1650C. En El cemento obtenido tiene una composicin del tipo:
este proceso la mezcla se convierte qumicamente en
cemento aglutinado, que despus se enfra y 64% xido de calcio
pulveriza. Hasta este punto la molienda entre estas 21% xido de silicio
rocas es llamada clinker, esta se convierte en 5,5% xido de aluminio
cemento cuando se le agrega yeso (CaSO4*2H2O), 4,5% xido de hierro
para controlar el tiempo de fraguado. Mezclado con 2,4% xido de magnesio
agregados ptreos (grava y arena) y agua, crea una 1,6% sulfatos
mezcla uniforme, maleable y plstica que fragua y se 1% otros materiales, entre los cuales
endurece, adquiriendo consistencia ptrea, principalmente agua.
denominada hormign o concreto.

Caractersticas estructurales
A un nivel molecular, el cemento es una pasta de hidratos de silicato clcico polimerizado en una matriz
densamente reticulada. Su propiedad ms importante se llama hidraulicidad, la capacidad de establecer y seguir
siendo insolubles en agua.

Fraguan (espesamiento inicial, que sucede en No pueden fraguar

pocas horas) y endurecen al mezclarlos con en presencia del
Cementos no
Cementos agua a temperatura ambiente. La resistencia agua; para su
mecnica es previsible y su desarrollo es Hidrulicos endurecimiento
Hidrulicos uniforme y relativamente rpido. Tiene baja necesitan aire.
permeabilidad al agua y es casi insoluble en
ella. Por lo tanto, el agua no destruye el
material endurecido. Cemento Portland.

La composicin del cemento ayuda a determinar la velocidad del fraguado y las propiedades finales del concreto.
 Descripcin del fenmeno
Cuando se le agrega agua al cemento, ocurre una reaccin de cementacin: hidratacin de los minerales del cemento que
produce un gel slido que une las partculas de los agregados (combinacin de grava, arena, piedras trituradas).
Las reacciones posibles incluyen

Casi todos los cementos empleados en la construccin deben su accin a sobre todo a la formacin de silicatos, aluminatos o
sulfoaluminatos de calcio hidratados, o a compuestos de dos o ms de estos tipos.

Teora que lo fundamenta

La teora de Donnan explica que las fuerzas de compresin aumentan la solubilidad de las fases solidas en los puntos de
contacto y originan el crecimiento de cristales en las zonas no sometidas a esfuerzos. El tamao desigual de las
partculas cristalinas dan lugar a que la capa de disolucin de la partcula fina no est en equilibrio con la capa de la
partcula de mayor tamao, producindose una recristalizacin que produce el efecto CEMENTANTE.

Glasenapp acepta el paso del estado coloidal al cristalino en algunos tipos de coloides, como los que se producen en la
hidratacin del cemento. Esta transformacin lleva consigo una prdida de elasticidad del sistema fsico y conduce a un
aumento notable de la fragilidad.

Bibliografa
Michael
http://es.slideshare.net/wepc/propiedades-fisicas-del-cemento?next_slideshow=1
https://books.google.com.mx/books?id=XDTMOk4Ggd0C&pg=PA145&lpg=PA145&dq=teoria+sobre+el+fenomen
o+de+los+cementos&source=bl&ots=qJ6WwMzg3Z&sig=v8FH_kyHxP0TEZjzQhCD7zdRJI8&hl=es-
419&sa=X&ved=0CCEQ6AEwAWoVChMIx4eX86aUyQIVx-
YmCh29GAE6#v=onepage&q=teoria%20sobre%20el%20fenomeno%20de%20los%20cementos&f=false
 TRANSISTORES

Un transistor es un dispositivo que est constituido por la unin de tres semiconductores de carcter p y n
alternativamente. El semiconductor del centro suele ser muy estrecho y se le denomina base. Los otros dos
semiconductores, de signo opuesto se le denomina, de acuerdo a las funciones que desempean: emisor y colector.
Cada uno de estos semiconductores lleva un contacto metlico con un hilo de salida, por lo que es un dispositivo de tres
terminales. La propiedad ms destacada de este dispositivo es que aproxima una fuente dependiente de corriente:
dentro de ciertos mrgenes, la corriente en el terminal de colector es controlada por la corriente en el terminal de base.

El emisor ha de ser una regin muy dopada (de ah la indicacin p). Cuanto ms dopaje tenga el emisor, mayor cantidad
de portadores podr aportar a la corriente.

La base ha de ser muy estrecha y poco dopada, para que tenga lugar poca recombinacin en la misma, y prcticamente
toda la corriente que proviene de emisor pase a colector. Adems, si la base no es estrecha, el dispositivo puede no
comportarse como un transistor, y trabaja como si se tratase de dos diodos en oposicin.

El colector ha de ser una zona menos dopada que el emisor. Las caractersticas de esta regin tienen que ver con la
recombinacin de los portadores que provienen del emisor.

El transistor se fabrica sobre un substrato de silicio, en el cual se difunden impurezas.

De manera sencilla, un transistor es un componente que tiene dos funciones:

- Deja pasar o corta seales elctricas a partir de una pequea seal de mando.
- Funciona como un elemento amplificador de seales.

Fundamento terico.

Cristal de silicio. El silicio tiene en su capa de valencia cuatro electrones por lo que el enlace Si-Si forma enlaces
covalentes con sus tomos vecinos, bajo estas condiciones esta estructura de silicio es mal
conductor, pero si se aade tomos de otros elementos, por ejemplo, As (arsnico) que posee
cinco electrones en su capa de valencia se combina con dicha estructura de Si (silicio) queda
un electrn libre obteniendo as un cristal tipo N, por el contrario, si se aade Bo (Boro), con
solo tres electrones de valencia, a la estructura de Si queda un hueco formando un cristal tipo
P.

Descripcin del fenmeno.

Bsicamente el transistor se construye con una estructura no simtrica, de forma que la concentracin de impurezas en
el emisor sea mucho ms alta que en la base y en esta la concentracin de impurezas sea a su vez ms elevada que en el
colector.
El transistor basa su funcionamiento en el control de la corriente que circula entre el emisor y el colector del mismo,
mediante la corriente de base. En esencia un transistor se puede considerar como un diodo en directa (unin emisor-
base) por el que circula una corriente elevada, un diodo en inversa (unin base-colector), por el que, en principio, no
debera circular corriente, pero que acta como una estructura que recoge gran parte de la corriente que circula por
emisor-base.

Caractersticas de los transistores

Los transistores tienen una caracterstica muy interesante que es la capacidad de entregar una intensidad de corriente
constante a una resistencia, independientemente del valor de sta. Es decir, las variaciones de corriente obtenidas por la
accin de la base, producirn en la resistencia una variacin de la tensin, segn la Ley de Ohm:

V = I x R.

Temperatura en el transistor. Todos los parmetros del transistor se ven afectados por la temperatura y es muy
importante tener todas estas variaciones en cuenta.

Las corrientes de perdida aumentan con la temperatura.

La tensin de polarizacin de la unin base-emisor para una determinada corriente de colector disminuye con la
temperatura.

Tensiones de ruptura del transistor.

El transistor slo puede soportar determinados niveles de tensin por encima de los cuales, se destruye. Los
mecanismos de ruptura ms habituales se producen en la unin inversamente polarizada entre base y colector y son la
ruptura por avalancha y la ruptura por atravesamiento. La ruptura por atravesamiento se produce cuando se tocan las
zonas de agotamiento de la unin base-colector y la unin base-emisor. La ruptura por avalancha se produce cuando la
corriente crece mucho y si no est limitada, el transistor se destruir o en el mejor de los casos dejar de funcionar
correctamente.

Capacidades parsitas en el transistor

Las capacidades parsitas influyen sobre todo en el comportamiento en alta frecuencia del transistor. La capacidad
parsita entre colector y emisor suele ser despreciable y slo se tendr en cuenta en circuitos de muy alta frecuencia. La
capacidad entre colector y base se llama CCB y de la misma manera la capacidad entre base y emisor es CBE. La capacidad
base-emisor corresponde a la capacidad de difusin de dicha unin.

Tipos de transistores.

Transistores bipolares
Transistores efecto de campo
Transistores unipolares
Transistores de potencia

Bibliografa

- http://www.icmm.csic.es/fis/gente/josemaria_albella/electronica/6%20Transistores%20bipolares.pdf
- http://mdgomez.webs.uvigo.es/DEI/Guias/tema5.pdf
- http://www.uv.es/~esanchis/cef/pdf/Temas/A_T2.pdf

MARTINEZ DOMINGUEZ MARGARITA GARCIA ARELLANO JOSE ALBERTO

Aleaciones

En la actualidad los metales puros son muy poco usados en aplicaciones

comerciales, en lugar de esto uno o ms elementos qumicos son adicionados a la
base de un metal para alterar sus caractersticas y as darle varias aplicaciones.

Se conoce como aleacin al proceso de adicionar uno o ms elementos o

componentes para interaccionar con la base de un metal para obtener benficos
cambios en sus propiedades mecnicas, fsicas o qumicas o en sus caractersticas
de fabricacin y procesamiento. Las aleaciones estn conformadas por un agregado
cristalino de uno o ms metales, o de metales con metaloides.

Para entender las aleaciones se debe explicar que permite la combinacin de uno o
ms metales o no metales en la red metlica. Esto se puede explicar por dos formas
(y de hecho son dos formas diferentes de aleaciones), la primera es por la
intercalacin de los otros elementos en la red y la segunda por la formacin de
diferentes fases en el material. Si las aleaciones tienen una estructuracin como la
primera se les conoce como homogneas; por otro lado si es como la segunda se
les llama mezclas.

La estructuracin para las aleaciones homogneas se puede describir igual que la

que se tiene en las redes metlicas puras, donde lo que genera la aleacin son
defectos en la red. Estos defectos pueden ser sustitucionales o pueden ser
intersticiales; dando lugar a las aleaciones por intersticio y a las aleaciones por
sustitucin, respectivamente. En su mayora estas aleaciones cristalizan en tres
estructuras comunes: cubica centrada en el cuerpo, hexagonal compacto y cubica
centrada en las caras.

En general lo que se observa es una tendencia por tener nmero de coordinacin

altos y ser arreglos compactos. En este caso el material solo puede ser una solucin
slida o un compuesto qumico. Por otro lado las aleaciones mezclas puede estar
formada por cualquier combinacin de tres fases, las cuales pueden ser: metal puro,
solucin solida o compuesto qumico.

Estas diferentes fases tienen caractersticas distintivas. Los metales puros poseen
un punto de solidificacin y fusin fijo (a diferencia de las aleaciones, las cuales
generalmente funden en un cierto rango). Los compuestos qumicos (o aleaciones
intermedias) suelen poseer un punto de solidificacin definido, poseen una
composicin comprendida entre los dos metales y, generalmente, una estructura
cristalina diferente a la de los metales por separado.

Dentro de las aleaciones intermedias (soluciones slidas especiales) se tienen

diferentes tipos de compuestos, los cuales se procedern a describir. El primero con
los compuestos intermedios, o de valencia, se caracterizan por conformarse por
metales qumicamente distintos y cuya combinacin obedece a las reglas de
valencia qumica. Sus enlaces son fuertes (inico coordinado) y sus propiedades
se parecen a las de los materiales no metlicos.
Los segundos se conocen como compuestos intersticiales, son aquellos que se
forman con los metales de transicin y elementos como H, O, C, B y N. Como lo dice
su nombre, estos elementos de menor tamao se ubican de forma intersticial en la
red metlica. En general estos compuestos tienen un comportamiento metlico, son
de composicin variable, tienen puntos de fusin elevados y presentan una gran
dureza.

El ltimo tipo de estas aleaciones intermedias son los compuestos electrnicos, los
cuales se caracterizan por tener una composicin fija o muy prxima a la
composicin cuyo valor corresponde a una relacin determinada entre el nmero de
electrones de valencia y el de tomos que la constituye.

Por otra parte dentro de las caractersticas afectadas por las aleaciones podemos
mencionar:

Propiedades mecnicas. Dureza a temperatura ambiente, aumento de la resistencia

a deslizamiento cristalogrfico; templabilidad, es la capacidad de una aleacin
ferrosa para formar Martensita cuando se inactiv a partir de una temperatura por
encima de la temperatura crtica; resistencia a la fatiga, la fatiga, el dao causado a
un material por estrs, resulta del hecho de que el material no es idealmente
homogneo y resistencia al arrastre, el arrastre, dependiente del tiempo bajo
tensin, se produce por los movimientos de dislocaciones a travs de las estructuras
metlicas

Propiedades de utilidad. Resistencia al calor, las aleaciones permiten resistir la

traccin y el arrastre a altas temperaturas; resistencia al frio y tenacidad, aceros de
bajo carbono, al igual que muchos metales que tienen una estructura de red cbica
centrada en el cuerpo, son susceptibles a una disminucin de la energa de impacto
absorbida con la temperatura disminuye; resistencia a la oxidacin y corrosin, El
tipo ms comn de la corrosin ambiental es la oxidacin, que es un proceso
electroqumico que requiere la presencia de humedad en el medio ambiente; dureza
y resistencia al desgaste, la manera ms bsica de aumentar la dureza del acero es
agregando ms carbono.

Propiedades fsicas. Modulo elstico, ltimamente se ha aprovechado el alto valor de

mdulo elstico de berilio en una aleacin; densidad, la densidad de una aleacin es
por lo general cerca del valor estimado por la cantidad relativa de los constituyentes
principales y sus densidades; propiedades magnticas, todos los metales tienen
propiedades magnticas de un tipo u otro; propiedades elctricas, Una de las
caractersticas ms importantes de un de metal es la facilidad con la que se
transmite la corriente elctrica; propiedades de expansin trmica y color
Propiedades de procesamiento. Colabilidad, capacidad de un metal fundido para
producir piezas fundidas completas y sin defectos; maquinabilidad, propiedad de los
materiales que permite comparar la facilidad con que pueden ser mecanizados;
conformabilidad, Facilidad relativa por la que diversas aleaciones pueden
deformarse por laminacin, extrusin, estirado, embuticin, forja, etc. y soldabilidad,
la mayor o menor facilidad con que un metal permite que se obtengan soldaduras
sanas y homogneas.
Referencias

Davis J.R., Alloying. Understanding the basics. ASM International, United States of
America, 2001, pages 3-14.

Santosh S. et al., An Introduction to Surface Alloying of Metals, Springer, United

States of America, 2014. Pages 1-4.

Aranda, B. (2013). Constitucin de las aleaciones. Consultado: 14/11/15.

<<http://www.uhu.es/beatriz.aranda/apuntesciemat/TEMA%2062.pdf>>

Universidad Tecnolgica de Pereira. Aleaciones metlicas. Consultado: 14/11/15.

<<http://www.utp.edu.co/~publio17/aleaciones.htm>>
 Biomateriales
Sanchez Torres Mireille, Len Luna Miguel ngel. FQ. UNAM.
Introduccin
Hablar de biomateriales implica hablar de materiales capaces de estar en contacto con te-
jidos vivos, durante un periodo de tiempo, como parte del tejido, con la finalidad de com-
pletar al tejido y/o de ayudar a mejorar el funcionamiento de ste cuando forma parte de
un sistema, sin afectar al resto del organismo y sin ser afectado por l, a menos que as se
disee, como ocurre con los hilos de sutura para tejidos internos que estn diseados para
ser absorbidos por el organismo.
Para poder hablar de un biomaterial, es necesario que ste cumpla con requisitos, muchos
de los cuales dependern de qu tejido ser sustituido por el material.
Segn la segunda conferencia de consenso sobre definiciones en el campo de los
biomateriales celebrada en el Reino Unido en 1991, un biomaterial es aquel que es diseado
para actuar interfacialmente con sistemas biolgicos []. stos pueden tener propiedades es-
peciales, segn el uso que se les quiera dar.

La clasificacin de los biomateriales se divide en:

-Segn su origen y segn su respuesta biolgica:

Materiales biolgicos: -Tejidos Blandos (p.e. piel)
-Tejidos Duros (p.e. hueso)

Materiales sintticos: -Polmeros (Metacriolatos)

-Metales
-Cermicos
-Materiales compuestos
-Materiales Biotolerados: Se encuentran encapsulados por una capa de tejido
-Materiales Bioinertes: Estn recubiertos por una capa de xido estable que est en
contacto con el hueso.
-Materiales Bioactivos: Producen enlaces qumicos directo con el hueso debido a su
capacidad para fijar protenas en su superficie.

Dado que principalmente los compuestos usados son metales, polmeros y, aunque
en menor proporcin, los cermicos, los primeros tendrn una estructura cristalina, as
como los cermicos y stos pueden tener enlaces covalentes o inicos, y lo polmeros cons-
tan de cadenas largas de molculas orgnicas (monmeros) unidas entre s por enlaces co-

BIOMATERIALES - QUMICA DEL ESTADO SLIDO 1

valentes. Esto conlleva a una diferencia entre los polmeros usados como biomateriales;
los termoplsticos y los termorrgidos. Los primeros pueden convertirse en un fluido
cuando existe un incremento de la temperatura, mientras que los termorrgidos se des-
componen antes de fundirse.
Los polmeros amorfos tienen un cambio en la capacidad calorfica al alcanzar la
temperatura de transicin vtrea, en el cual se produce una absorcin de energa para la
movilizacin de los segmentos en de la cadena. Los polmeros semicristalinos, adems de
presentar transicin vtrea, tienen temperaturas de cristalizacin y de fusin.
En consecuencia, las propiedades mecnicas de los polmeros usados como biomate-
riales, depender la temperatura a la que sean empleados.

Los elastmeros son polmeros usados para el mismo fin, cuya principal propiedad
es que sus dimensiones pueden cambiar hasta en un 800% al aplicar una fuerza. Esto de-
pender de los puntos de entrecruzamiento de las cadenas, entre mayor sea la cantidad de
puntos, ms rgido ser. La mayora de los materiales polimricos presentan propiedades
anisotpicas.

Otro tipo de materiales usados como biomateriales son los compuestos o composi-
tes, stos son combinaciones tridimensionales de, al menos 2 materiales con diferentes
propiedades fsicas y qumicas con una interfaz diferente.

Bibliografa.

Shalaby W. ed.,Polymers and biomaterials. New York: Plenum Press, 1984

Buddy D. Ratner, ed., Biomaterials science: an introduction to materials in medi-
cine, San Diego: Academic Press, 1996
Jess Pino Mnguez. Estudio nanomtrico de biocompatibilidad y adhesividad
celular a biomateriales utilizados en ciruga ortopdicas. U.S.C.

BIOMATERIALES - QUMICA DEL ESTADO SLIDO 2

 Lser: caractersticas, funcionamiento y fundamento terico que lo argumenta.

La palabra lser es un acrnimo de Light Amplification by Stimulated Emision of

Radiation, proceso por el cual la energa elctrica es convertida en energa lumnica. En
1917, Albert Einstein fue el primero en concebir el concepto de emisin estimulada pero
no fue hasta 1954 cuando Charles Townes demostr experimentalmente este principio.

Caractersticas de lser

1. Coherencia: En las fuentes convencionales de luz, esta es emitida en un conjunto

de ondas desordenadas que se anulan entre s al azar permitiendo que la luz viaje
solo a distancia cortas mientras que en el lser las ondas de la luz son emitidas una
tras otra con un intervalo de tiempo determinando proporcionndoles una relacin
de fase fija. Es por esta razn que los laser permiten enfocar a un objeto con
exactitud an a una distancia muy larga.

2. Monocromaticidad: Todos los fotones emitidos tienen la misma longitud de onda

producindose un solo color lumnico.

3. Colimacin direccionalidad: Escasa divergencia del haz de luz ya que todas las
ondas emitidas van hacia una sola direccin.

Cmo funciona un lser?

El lser contiene al menos tres elementos fundamentales, un medio activo, un sistema

de bombeo y una cavidad resonante.

El medio activo es el material (slido, lquido o gaseoso) que emite la luz. Para que este
emita luz, hay que excitarlo de alguna manera, del mismo modo que el filamento de una
bombilla necesita una corriente elctrica que pase por l; ese es el cometido del sistema
de bombeo. El sistema de bombeo puede consistir en otro lser, una lmpara
convencional, o una corriente o descarga elctrica, dependiendo del tipo de lser.
El medio activo se coloca entre dos espejos que forman una cavidad resonante, esto es,
la luz rebota entre los dos espejos y ayuda a la amplificacin del mismo modo que la caja
de resonancia de una guitarra amplifica las ondas acsticas. Uno de los espejos es semi-
reflectante por lo que parte de la luz amplificada sale de la cavidad resonante en forma de
haz.

El lser est formado por un ncleo, que suele tener forma alargada, donde se generan
los fotones. El ncleo puede ser una estructura cristalina, por ejemplo rub, o un tubo de
vidrio que contiene gases, por lo general dixido de carbono o la mezcla helio-nen. En
cualquier caso, son materiales que poseen electrones fcilmente excitables y que no
emiten inmediatamente de forma espontnea, sino que pueden quedar excitados durante
un tiempo mnim
Principio terico de accin del lser

El funcionamiento de un lser se basa en los principios de la teora cuntica; cada

tomo puede tener energas slo en ciertos estados discretos o niveles de energa,
normalmente se encuentran en el estado de menor energa (estado basal) y cuando es
irradiado el haz de una luz a una sustancia, estos tomos pueden excitarse hasta pasar a
un nivel mayor de energa del que se encontraban. Este proceso es llamado absorcin.
Cuando un electrn se encuentra en un nivel de energa elevado, tiende a caer
espontneamente a un nivel de energa inferior con la subsiguiente emisin de un fotn
de luz. A este proceso se le conoce como emisin espontnea y es la responsable de la
mayor parte de la luz que vemos.
Por otro lado, un fotn puede estimular la cada de un electrn a un nivel inferior si
tiene una energa igual a la diferencia entre los dos niveles, en ese caso se emitir un
segundo fotn idntico al que ha inducido la transicin, llamada emisin estimulada.

El hecho de que la emisin estimulada produzca dos fotones idnticos a partir de un

fotn inicial es precisamente lo que permite amplificar la luz y es tambin responsable de
que la luz generada por emisin estimulada sea coherente. Pero, para que sea posible
amplificar la luz por emisin estimulada, es necesario adems que en el medio activo haya
un nmero mayor de electrones en el nivel de energa superior que en el inferior; esto es
lo que se llama inversin de poblacin.
 Para lograr esto, se bombean ciertos materiales con niveles de energa electrnicos
metaestables, es decir, con niveles de energa en los cuales los electrones tardan un
tiempo relativamente largo en desexcitarse por emisin espontnea, lo cual favorece
precisamente la acumulacin de electrones en el estado de energa superior.

Bibliografa:

http://www.sld.cu/galerias/pdf/sitios/rehabilitacion-fis/laser_morrillo.pdf
http://historiaybiografias.com/laser/
http://www.clpu.es/divulgacion/bits/como-funciona-un-laser