-

- -

porteur (de charge) (dans un
(charge) carrier (in a semiconductor) ( )
semiconducteur), m
(drift) mobility (of a charge carrier) mobilit (dun porteur de charge), f ( )
(semiconductor) diode diode ( semiconducteurs), f ( )
rcepteur photolectrique (
(semiconductor) photoelectric detector ( )
semiconducteurs), m
dispositif photosensible ( semiconducteurs),
(semiconductor) photosensitive device ( )
m
(semiconductor) rectifier diode diode de redressement ( semiconducteurs), f ( )
(semiconductor) rectifier stack bloc de redressement ( semiconducteurs), m ( )
abrupt junction jonction abrupte, f
acceptor accepteur, m
acceptor level niveau accepteur, m
alloy technique procd par alliage, m
alloyed junction jonction par alliage, f
anode-to-cathode (voltage-current) caractristique (courant-tension) danode-
(- )
characteristic cathode, f
application specific integrated circuit circuit intgr spcifique, m
asymmetrical thyristor thyristor asymtrique, m
claquage par avalanche (d'une jonction PN),
avalanche breakdown (of a PN junction) (PN)
m
avalanche photodiode photodiode avalanche, f
avalanche rectifier diode diode de redressement avalanche, f
avalanche voltage tension d'avalanche, f
base base, f -
bidirectional diode thyristor thyristor diode bidirectionnel, m
bidirectional transistor transistor bidirectionnel, m
bidirectional triode thyristor thyristor triode bidirectionnel, m
bipolar junction transistor transistor bipolaire jonctions, m
Bohr atom atome de Bohr, m
Boltzmann relation relation de Boltzmann, f
claquage (d'une jonction PN polarise en
breakdown (of a reverse-biased PN junction) (PN )
inverse), m
breakover point point de retournement, m
bucket-brigade device dispositif en chapelet, m
dure de vie dans le matriau (des porteurs
bulk lifetime (of minority carriers) ( )
minoritaires), f
carrier storage time retard la dcroissance, m
cell (in a semiconductor) cellule (dans un semiconducteur), f ()

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 -

channel (of a field-effect transistor) canal (dun transistor effet de champ), m ( )

accumulation de porteurs de charge (dans un
charge carrier storage (in a semiconductor) ( )
semiconducteur), f
charge-coupled device dispositif couplage de charge, m
charge-transfer device dispositif transfert de charge, m
charge-transfer image sensor capteur d'image transfert de charge, m
chip puce, f
circuit parameter paramtre de circuit, m
collector collecteur, m
collector junction jonction collecteur, f
common base base commune, f
common collector collecteur commun, m
common emitter metteur commun, m
compensated semiconductor semiconducteur compens, m
compound semiconductor semiconducteur compos, m
conduction band bande de conduction, f
conduction current courant de conduction, m
conduction electron lectron de conduction, m
conductivity modulation (of a modulation de la conductivit (dun
( )
semiconductor) semiconducteur), f
conductor conducteur, m
content addressable memory mmoire adressable par le contenu, f
courant de commande (d'un gnrateur de
control current (of a Hall generator) ( )
Hall), m
sensibilit au courant de commande (d'une
control current sensitivity (of a Hall probe) ( )
sonde de Hall), f
borne de commande (d'un gnrateur de
control current terminal (of a Hall generator) ( )
Hall), f
Corbino disc disque de Corbino, m
vitesse critique de croissance de la tension
critical rate of rise of off-state voltage
ltat bloqu, f
vitesse critique de croissance du courant
critical rate of rise of on-state current
ltat passant, f
current-regulator diode diode rgulatrice de courant, f
cut-off frequency frquence de coupure, f
cut-off voltage (of a depletion type field- tension de blocage (dun transistor effet de )
effect transistor) champ dpltion), f (
degenerate semiconductor semiconducteur dgnr, m
delay-time retard la croissance, m
couche dappauvrissement (dun
depletion layer (of a semiconductor) ( )
semiconducteur) f
depletion mode operation fonctionnement en mode de dpltion, m
depletion type field-effect transistor transistor effet de champ dpltion, m ) (

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 -

detector diode diode dtectrice, f
diffused junction jonction par diffusion, f
diffusion (in a semiconductor) diffusion (dans un semiconducteur), f ()
constante de diffusion (des porteurs de
diffusion constant (of charge carriers) ( )
charge), f
largeur de diffusion (des porteurs
diffusion length (of minority carriers) ( )
minoritaires), f
diffusion technique procd par diffusion, m
discrete (semiconductor) device dispositif discret ( semiconducteurs), m
donor donneur, m
donor level niveau donneur, m
doping (of a semiconductor) dopage (dun semiconducteur), m ( )
drain (of a field-effect transistor) drain (dun transistor effet de champ), m ( )
dynamic (read/write) memory mmoire vive dynamique, f ( / )
effective induction area of the control current surface effective d'inductance de la boucle

loop du courant de commande, f
surface effective d'induction de la boucle de
effective induction area of the output loop
sortie, f
lectrode (dun dispositif
electrode (of a semiconductor device) ( )
semiconducteurs), f
electron conduction conduction par lectrons, f
dispositif sensible aux dcharges
electrostatic-discharge-sensitive device
lectrostatiques, m
emitter metteur, m
emitter junction jonction metteur, f
empty band bande vide, f
energy band bande d'nergie (1), f
bande d'nergie (dans un semiconducteur)
energy band (in a semiconductor) ( )
(2), f
energy gap cart nergtique, m
energy level (of a particle) niveau d'nergie, m ( )
energy-level diagram diagramme nergtique, m
fonctionnement en mode denrichissement,
enhancement mode operation
m
transistor effet de champ enrichissement, ) (
enhancement type field-effect transistor
m
epitaxy pitaxie, f ( )
equivalent circuit circuit quivalent, m
excess carrier porteur en excs, m
excitation band bande d'excitation, f
extrinsic semiconductor semiconducteur extrinsque, m
fall time temps de dcroissance, m

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 -

Fermi level niveau de Fermi, m

Fermi-Dirac function fonction de Fermi-Dirac, f -
Fermi-Dirac statistics statistique de Fermi-Dirac, f -
Fermi-Dirac-Sommerfeld velocity loi de distribution des vitesses de Fermi-
- -
distribution law Dirac-Sommerfeld, f
field-effect transistor transistor effet de champ, m
filled band bande pleine, f
film (of a film integrated circuit) couche (d'un circuit intgr couches), f ( )
film integrated circuit circuit intgr couches, m
floating voltage tension flottante, f
forbidden band bande interdite, f

forward direction (of a PN junction) sens direct (dune jonction PN), m (PN )

forward recovery time temps de recouvrement direct, m

forward slope resistance rsistance apparente directe, f
frquence du rapport de transfert unit de
frequency of unity current transfer ratio
courant, f
frequency-multiplication diode diode pour multiplication de frquence, f
gate gchette, f
gate (of a field-effect transistor) grille (dun transistor effet de champ), f ( )
gate array circuit intgr prdiffus, m
gate non-trigger current courant de non-amorage par la gchette, m
gate non-trigger voltage tension de non-amorage par la gchette, f
gate trigger current courant damorage par la gchette, m
gate trigger voltage tension damorage par la gchette, f
growing by pulling (of a single crystal) croissance par tirage (dun monocristal), f ( )
croissance dun monocristal par fusion de
growing by zone melting (of a single crystal) ( )
zone, f
grown junction jonction par tirage, f
Hall angle angle de Hall, m
Hall coefficient coefficient de Hall, m
Hall effect effet Hall, m
Hall effect device dispositif effet Hall, m
Hall generator gnrateur de Hall, m
Hall mobility mobilit de Hall, f
Hall modulator modulateur effet Hall, m ( )
Hall multiplier multiplicateur de Hall, m
Hall probe sonde de Hall, f
Hall terminals bornes Hall, f, pl
Hall voltage tension de Hall, f
heat sink radiateur, m
holding current courant hypostatique, m
hole trou, m
hole conduction conduction par trous, f
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 -

ideal crystal cristal idal, m

imperfection (of a crystal lattice) imperfection (dun rseau cristallin), f ( )
impurity impuret, f
impurity activation energy nergie d'activation des impurets, f
impurity band bande d'impuret, f
impurity compensation compensation au moyen dimpurets, f
zone de transition de la concentration des
impurity concentration transition zone
impurets, f
impurity level niveau d'impuret, m
induced control voltage (of a Hall-effect tension de commande induite (d'un dispositif
( )
device) effet Hall), f
infrared-emitting diode diode infrarouge, f
insulant isolant, m
) (
insulated-gate field-effect transistor transistor effet de champ grille isol, m

integrated circuit circuit intgr, m
integrated circuit memory mmoire circuit intgr, f
internal electric field champ lectrique interne, m
intrinsic conduction conduction intrinsque, f
intrinsic conductivity conductivit intrinsque, f /
intrinsic semiconductor semiconducteur intrinsque, m /
inverse common base base commune inverse, f
inverse common collector collecteur commun inverse, m
inverse common emitter metteur commun inverse, m
inverse direction of operation sens inverse de fonctionnement, m
ion implantation implantation ionique, f
ionic conduction conduction ionique, f
ionic semiconductor semiconducteur ionique, m
ionizing energy of acceptor nergie d'ionisation d'un accepteur, f
ionizing energy of donor nergie d'ionisation d'un donneur, f
junction jonction, f

transistor effet de champ jonction de ) (

junction-gate field-effect transistor
grille, m PN

laser diode diode laser, f

laser-diode module module diode laser, m
latching current courant daccrochage, m
latch-up state tat de verrouillage, m
lead frame (of a package) grille de connexion (d'un botier), f ( )
light-emitting diode diode lectroluminescente, f
local level niveau local, m
lone electron lectron clibataire, m
macro cell macrocellule, f
magnetic sensitivity (of a Hall probe) sensibilit magntique (d'une sonde de Hall), ( )
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 -

f
courbe caractristique d'une
magnetoresistive characteristic curve
magntorsistance, f
magnetoresistive coefficient coefficient de magntorsistance, m
magnetoresistive effect effet magntorsistant, m
magnetoresistive ratio rapport de magntorsistance, m
magnetoresistive sensitivity sensibilit de magntorsistance, f
magnetoresistor magntorsistance, f
main terminal borne matresse, f
porteur majoritaire (dans une rgion
majority carrier (in a semiconductor region) ( )
semiconductrice), m
Maxwell-Boltzmann statistics statistique de Maxwell-Boltzmann, f -
Maxwell-Boltzmann velocity-distribution loi de distribution des vitesses de Maxwell-
-
law Boltzmann, f
memory cell cellule-mmoire, f
mesa technique procd mesa, m
metal-oxide-semiconductor field-effect transistor effet de champ mtal-oxyde- ) (
transistor semiconducteurs, m
transistor effet de champ mtal- ) (
metal-semiconductor-field-effect transistor
semiconducteur, m
micro-alloy technique procd par microalliage, m
microassembly microassemblage, m
microcircuit microstructure, f
microelectronics microlectronique, f
microwave limiting diode diode de limitation hyperfrquence, f
( - )
microwave switching diode diode de commutation hyperfrquence, f

porteur minoritaire (dans une rgion
minority carrier (in a semiconductor region) ( )
semiconductrice), m
mixer diode diode mlangeuse, f
modulator diode diode modulatrice, f
multi-chip integrated circuit circuit intgr multipuce, m

N-channel field-effect transistor transistor effet de champ canal N, m N) (

negative differential resistance region rgion de rsistance diffrentielle ngative, f

neutral region rgion neutre, f

N-gate thyristor thyristor N, m N

non-degenerate semiconductor semiconducteur non dgnr, m

non-quantized system (of particles) systme non quantifi (de particules), m ( )

N-type conductivity conductivit de type N, f N

N-type semiconductor semiconducteur type N, m N

off-state tat bloqu, m

on-state tat passant, m

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 -

on-state slope resistance rsistance apparente ltat passant, f

optoelectronic device dispositif optolectronique, m
optoelectronic display afficheur optolectronique, m
orbital quantum number nombre quantique secondaire, m
package botier, m
parasitic circuit element lment de circuit parasite, m
partially occupied band bande partiellement occupe, f
Pauli-Fermi exclusion principle principe d'exclusion de Pauli-Fermi, m -

P-channel field-effect transistor transistor effet de champ canal P, m P) (

peak point (of a tunnel diode) point de pic (dune diode tunnel), m ( )
permitted band bande permise, f

P-gate thyristor thyristor P, m P

photoconductive cell cellule photoconductrice, f

photoconductive effect effet photoconductif, m
photocoupler photocoupleur, m
photodiode photodiode, f
photoelectric effect effet photolectrique, m
photoelectromagnetic effect effet photolectromagntique, m
photoemitter photometteur, m
photoresistor photorsistance, f
photothyristor photothyristor, m
phototransistor phototransistor, m
photovoltaic cell cellule effet photovoltaque, f
photovoltaic effect effet photovoltaque, m
piezoresistive effect effet pizorsistant, m
planar technique procd planaire, m

PN boundary limite PN, f (PN)

PN junction jonction PN, f PN

potential barrier barrire de potentiel (1), f

potential barrier (of a PN junction)
principal (voltage-current) characteristic
principal current
principal quantum number
principal voltage
programmable gate array
programmable logic array
programmable logic device
progressive junction
projected peak point (of a tunnel diode)
barrire de potentiel (dune jonction PN) (2),
( PN )
f
caractristique (courant-tension) principale, f ( - )
courant principal, m
nombre quantique principal, m
tension principale, f
matrice prdiffuse programmable, f
matrice logique programmable, f
rseau logique programmable, m
jonction progressive, f
point isohypse (dune diode tunnel), m ( )

P-type conductivity conductivit de type P, f P

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 -

P-type semiconductor semiconducteur type P, m P

punch-through (between two PN junctions) pntration (entre deux jonctions PN), f (PN )

quantized system (of particles) systme quantifi (de particules), m ( )

quantum number (of an electron in a given nombre quantique (d'un lectron dans un
( )
atom) atome donn), m
random-access memory mmoire accs direct, f
read/write memory mmoire vive, f /
read-only memory mmoire morte, f
recombination centre centre de recombinaison, m
charge rcupre (dune diode ou dun
recovered charge (of a diode or thyristor) ( )
thyristor), f
residual voltage for zero current control (of a tension rsiduelle pour un courant de )
Hall-effect probe) commande nul (d'un dispositif effet Hall), f (
tension rsiduelle pour un champ
residual voltage for zero magnetic field (of a )
magntique nul (d'un dispositif effet Hall),
Hall-effect device) (
f
resistive cut-off frequency frquence de coupure rsistive, f
reverse blocking diode thyristor thyristor diode bloqu en inverse, m
reverse blocking state (of a reverse blocking tat bloqu en inverse (dun thyristor bloqu
( )
thyristor) en inverse), m
reverse blocking triode thyristor thyristor triode bloqu en inverse, m
reverse conducting diode thyristor thyristor diode passant en inverse, m
reverse conducting triode thyristor thyristor triode passant en inverse, m

reverse direction (of a PN junction) sens inverse (dune jonction PN), m (PN )

reverse recovery time temps de rcupration inverse, m

rise time temps de croissance, m
Schottky barrier barrire de Schottky, f
screen-printing technique srigraphie, f
self field (of a Hall generator) champ induit (d'un gnrateur de Hall), m ( )
semiconductor semiconducteur, m
semiconductor device dispositif semiconducteurs, m
semiconductor integrated circuit circuit intgr semiconducteurs, m
semiconductor thermoelement thermolment semiconducteurs, m
semicustom integrated circuit circuit intgr semi-personnalis, m
serial access memory mmoire accs squentiel, f
signal diode diode de signal, f
single-element semiconductor semiconducteur lmentaire, m
small-signal short-circuit forward current rapport de transfert direct du courant en
transfer ratio petits signaux, avec sortie en court-circuit, m
snap-off diode diode retour rapide, f -
source (of a field-effect transistor) source (dun transistor effet de champ), f ( )
space-charge region rgion de charge despace, f

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 -

rgion de charge spatiale (dune jonction

space-charge region (of a PN junction) ( PN )
PN), f
spin (quantum number) (nombre quantique de) spin, m
sputtering pulvrisation sous vide, f
static (read/write) memory mmoire vive statique, f ( / )
valeur statique du rapport de transfert direct
static forward current transfer ratio
du courant, f
stochiometric composition composition stchiomtrique, f
substrate substrat, m
surface band bande de surface, f
surface level niveau de surface, m
surface passivation passivation de surface, f
surface recombination velocity vitesse de recombinaison en surface, f
switching diode diode de commutation, f (- )
terminal (of a semiconductor device) borne (d'un dispositif semiconducteurs), f ()
tetrode transistor transistor ttrode, m
claquage par effet thermique (dune jonction
thermal breakdown (of a PN junction) (PN )
PN), m
thermal capacitance capacit thermique, f
rsistance thermique (dun dispositif
thermal resistance ( )
semiconducteurs), f
thermistor thermistance, f
couche paisse (d'un circuit intgr
thick film (of a film integrated circuit) ( )
couches), f
couche mince (d'un circuit intgr
thin film (of a film integrated circuit) ( )
couches), f
tension de seuil (dune diode ou dun
threshold voltage (of a diode or thyristor) ( )
thyristor), f
threshold voltage (of an enhancement type tension de seuil (dun transistor effet de )
field-effect transistor) champ enrichissement), f (
thyristor thyristor, m ( )

total angular momentum quantum number nombre quantique interne, m

transconductance (dun transistor effet de
transconductance (of a field-effect transistor) ( )
champ), f
transistor transistor, m
transition frequency frquence de transition, f
transition region rgion de transition, f
trap pige, m
tunnel diode diode tunnel, f

tunnel effect (in a PN junction) effet tunnel (dans une jonction PN), m (PN )

turn-off thyristor thyristor blocable, m

unipolar transistor transistor unipolaire, m

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 -

unitunnel diode diode unitunnel, f

valence band bande de valence, f
valley point (of a tunnel diode) point de valle (dune diode tunnel), m ( )
vapour-phase deposition technique dpt en phase vapeur, m
variable-capacitance diode diode capacit variable, f
temprature virtuelle (quivalente) de
virtual (equivalent) junction temperature
jonction, f
temprature virtuelle (dun dispositif
virtual temperature ( )
semiconducteurs), f
volatile memory mmoire volatile, f
voltage-reference diode diode de tension de rfrence, f
voltage-regulator diode diode rgulatrice de tension, f
wafer tranche, f
claquage par effet Zener (d'une jonction PN),
Zener breakdown (of a PN junction) (PN )
m
Zener voltage tension de Zener, f
zone levelling nivellement par zone, m
zone refining purification par zone, f

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