ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERA MECNICA Y ELCTRICA

Unidad Zacatenco

INGENIERA EN COMUNICACIONES Y ELECTRNICA

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

PRCTICA 4
MEDICION INDIRECTA, DE ALGUNAS CARACTERISTICAS TIPICAS DE DIODOS
DEL ESTADO SOLIDO

GRUPO: 5CM9

EQUIPO:

*GONZALEZ PEREZ MARIO . 2015300752

*CRUZ MARMOLEJO MARCO ANTONIO. 2015300421

Fecha de entrega: 25 de octubre de 2017

PROFESOR:
Enciso Barrn Mauro Cesar

INDICE

EQUIPO Y MATERIAL REQUERIDO ..................................................................... 3

DESARROLLO ........................................................................................................ 3
Experimento 1...................................................................................................... 4
Experimento 2...................................................................................................... 5
Experimento 3...................................................................................................... 6
Experimento 4...................................................................................................... 7
Experimento 5...................................................................................................... 8
Experimento 6...................................................................................................... 9
OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES .............................................................. 10
REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS ...................................................................... 10
EQUIPO Y MATERIAL REQUERIDO
- Tablilla de conexiones (protoboard)
- 1 cable, de no menos 60 cm de longitud, BNC-BNC
- 4 cables, de no menos 60 cm de longitud, BNC caimn-caimn
- 4 juegos de cables, de no menos 60 cm de longitud, banana-banana,
banana-caimn, caimn-caimn
- Multmetro digital propio
- 2 juegos de puntas para multmetro
- 2 diodos rectificadores de silicio 1N4004 o equivalente
- 2 diodos rectificadores de germanio OA81 o equivalente
- 2 LEDS de diferente color
- 3 diodos Zener con voltaje de ruptura de: 3.9 v, 5.6 v, 9.1 v. Todos a 0.5 W
- 2 resistencias de watt de 1 kohm
- Cautn de lpiz
- Juego de pinzas
- 1 lupa

DESARROLLO
Armamos el circuito mostrado en la figura 1a) (divisor de voltaje), con una Rm
(resistencia muestreadora) fija a 1kohm, y la figura 1b) muestra las grficas
caractersticas tanto de un diodo como de un resistor

Figura 1a) Figura 1b)

Las siguientes figuras (Figuras 2a) y 2b)) muestran el divisor de voltaje
empleando diodos Zener:

Figura 2a) Circuito divisor de voltaje con Dz Figura 2b) Curva caracterstica del Dz
Experimento 1
Colocamos el diodo rectificador (1N4004). Observamos el comportamiento
rectificante del diodo. El voltaje pico de la seal de excitacin la elegimos de 10 v
con una frecuencia de 500 Hz.
Las grficas obtenidas (Grfica 1.1 y 1.2), fueron las siguientes:

Grfica 1.1.- 1N4004 antes de calentar Grfica 1.2.- 1N4004 despues de calentar
Determinamos la RCD, rprom, m y rca
= 560
1(700 , 2)
(740 , 4 )
2(800 , 6 )
740
= = = 185
4
800 700
= = = 25
6 2
2 1 800 700
= = = 3.50
2 6
ln ( ) (26)ln(2)
1

( ) (3.50)(26)
= = = 22.75
4
Experimento 2
Colocamos el diodo LED (azul). Observamos el comportamiento rectificante del
diodo. El voltaje pico de la seal de excitacin la elegimos de 10 v con una
frecuencia de 500 Hz.
Las grficas obtenidas (Grfica 12.1 y 2.2), fueron las siguientes:

Grfica 2.1.- LED antes de calentar Grfica 2.2.- LED despues de calentar
Determinamos la RCD, rprom, m y rca
= 2.4
1(2.66 , 2)
(2.78 , 4 )
2(3.5 , 6 )
2.78
= = = 695
4
3.5 2.66
= = = 210
6 2
2 1 3.5 2.66
= = = 29.40
2 6
ln ( ) (26)ln(2)
1

( ) (29.40)(26)
= = = 191.1
4
Experimento 3
Colocamos el diodo rectificador de Germanio (OA81). Observamos el
comportamiento rectificante del diodo. El voltaje pico de la seal de excitacin la
elegimos de 10 v con una frecuencia de 500 Hz.
Las grficas obtenidas (Grfica 3.1 y 3.2), fueron las siguientes:

Grfica 3.1.- OA81 antes de calentar Grfica 3.2.- OA81 despues de calentar
Determinamos la RCD, rprom, m y rca
= 320
1(380 , 2)
(640 , 4 )
2(840 , 6 )
640
= = = 160
4
840 380
= = = 115
6 2
2 1 840 380
= = = 16.10
2 6
ln ( ) (26)ln(2)
1

( ) (16.10)(26)
= = = 104.65
4
Experimento 4
Colocamos el diodo Zener (Vz=3.9v). Observamos el comportamiento rectificante
del diodo. El voltaje pico de la seal de excitacin la elegimos de 10 v con una
frecuencia de 500 Hz.
Las grficas obtenidas (Grfica 4.1 y 4.2), fueron las siguientes:

Grfica 4.1.- Vz=3.9v antes de calentar Grfica 4.2.- Vz=3.9v despues de calentar
Determinamos la RCD, rprom, tanto en la region de si conduccion directa como en la
de conduccin inversa(ruptura).
= 640
1(660 , 0.2)
(680 , 0.4 )
2(720 , 0.6 )
680
= = = 1700
4
720 660
= = = 150
0.6 0.2
= 688
1(700 , 2)
(740 , 4 )
2(760 , 6 )
740
= = = 185
4
760 + 700
= = = 15
6 + 2
Experimento 5
Colocamos el diodo Zener (Vz=5.6v). Observamos el comportamiento rectificante
del diodo. El voltaje pico de la seal de excitacin la elegimos de 10 v con una
frecuencia de 500 Hz.
Las grficas obtenidas (Grfica 4.1 y 4.2), fueron las siguientes:

Grfica 4.1.- Vz=5.6v antes de calentar Grfica 3.2.- Vz=5.6v despues de calentar
Determinamos la RCD, rprom, tanto en la region de si conduccion directa como en la
de conduccin inversa(ruptura).
= 560
1(780 , 2)
(860 , 4 )
2(920 , 6 )
860
= = = 215
4
920 780
= = = 35
6 2
= 4
1(5.5 , 1.7)
(5.62 , 2.5 )
2(5.75 , 4 )
5.62
= = = 2248
2.5
5.75 + 5.5
= = = 108.69
4 + 1.7
Experimento 6
Colocamos el diodo Zener (Vz=3.9v). Observamos el comportamiento rectificante
del diodo. El voltaje pico de la seal de excitacin la elegimos de 10 v con una
frecuencia de 500 Hz.

Determinamos la RCD, rprom, m y rca

= 660
1(760 , 5 )
(790 , 10 )
2(820 , 15 )
790
= = = 79
10
820 760
= = = 6
15 5
= 8.5
1(8.6 , 5 )
(8.8 , 10 )
2(9 , 15 )
8.8
= = = 880
10
9 + 8.6
= = = 40
15 + 5
OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES
Observamos que en los diferentes tipos de diodos algunos tuvieron reaccin lenta
cuando aumentamos la temperatura e incluso en el diodo Zener (Vz=5.6v) no tuvo
ningun efecto con el calor, asi mismo nos percatamos de que en los diodos Zener
se modificaba la grafica tanto en la zona de si conduccion directa como en la zona
de si conduccion inversa.
Ademas llegamos a la conclusin de que cada diodo tiene un voltaje umbral
diferente debido a que todos los diodos tienen graficas de Voltaje vs Corriente
diferente, algunas son mas abiertas que otras.
Tambien vimos que los puntos tomados, variaban proporcionalmente dependiendo
de la abertura de la curva caracterstica a excepcin de las curvas caractersticas
de los diodos Zener pues estos tienen una curva caracterstica casi perpendicular
con referencia al eje X.

REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS
http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/electric/vdivac.html
https://es.wikibooks.org/wiki/El_diodo_rectificador/Funcionamiento_del_diodo_recti
ficador
http://smdelectronicayalgomas.blogspot.mx/2010/12/diodos-zener-de-temperatura-
compensada.html#.WeariXZrzIU