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Defectos

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Monocristal de Calcita, Nuevo Mxico


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Defectos en los areglos atmicos

Que hace
rojo al rub
u azul al
zafiro?

Adicin de 1% de CrO en
un cristal de almina pura
y Fe2+ y Ti4+. Crean
defectos
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Imperfecciones Cristalinas

En la realidad no existen cristales perfectos.


Las imperfecciones o defectos afectan las propiedades
mecnicas (conformacin en fro de aleaciones), qumicas
(corrrosin) y elctricas (conductores).
Estas imperfecciones solo representan defectos o
desviaciones de los arreglos atmicos. El material no se le
considera defectuoso desde un punto de vista tecnolgico.
Las dislocaciones son tiles para aumentar la resistencia
de los metales y aleaciones, sin embargo en el Si
monocristalino (chips) no es deseable la presencia de
dislocaciones
El Cu conductor para la microelectrnica, se usa la pureza
ms alta (cero defectos)

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Imperfecciones Cristalinas

Las imperfecciones pueden ser clasificadas como:

Defectos puntuales o de dimensin cero (Vacancias).


Defectos de lnea o de una dimensin (dislocaciones).
Defectos de dos dimensiones (defectos planares) que incluyen
superficies externas y superficies de lmite de grano.
Defectos macroscpicos tridimensionales o de volumen (poros,
fisuras, e inclusiones).

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Imperfecciones Cristalinas

Las imperfecciones pueden ser introducidas por el


movimiento de los tomos o inoes cuando ganan energa al
calentarse, durante el procesamiento del material o por la
introduccin de otros tomos
Las impurezas: son elementos o compuestos que se
presentan a partir de las materias primas o del
procesamiento (el efecto es perjudicial)
Los dopantes son compuestos o elementos que se adicionan
de manera intencional buscando un efecto benfico sobre
las propiedades. (El efecto es til: el P y el B se adicionan a
cristales de silicio para mejorar o alterar las propiedades
elctricas del Si puro)

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Imperfecciones Cristalinas

Defectos puntuales: a) vacancias, b)


tomo intersticial, c) tomo
sustitucional pequeo, d) tomo
sustitucional grande

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Defectos puntuales Vacancias

La vacancia es formada debido a la prdida de un tomo.


La vacancia raramente excede 1 tomo en 10000 y se forma
durante la solidificacin por la movilidad de los tomos.
La Energa de formacin es 1 ev.
Las vacancias se
forman tambin por
deformaciones
plsticas, enfriami-
entos rpidos o
bombardeos con
partculas.
Red cristalina mostrando vacancias
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Defectos Puntales - Intersticiales

Algunas veces un tomo de un cristal puede ocupar un


hueco intersticial.
Estos defectos no ocurren naturalmente
Se pueden introducir en la estructura por irradiacion.
Causan distorsin estructural.

Intersticial

H impureza y C
dopante en el Fe para
producir el acero

Defectos puntuales intersticiales en una red metlica compacta

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Reglas de solubilidad

Para que un sistema de aleacin, como el Cu-Ni, tenga solubilidad ilimitada debe
satisfacer ciertas condiciones conocidas como reglas de Hume-Rothery que son
las siguientes:
1. Factor tamao: los tomos o los iones deben tener tamao semejante con una
diferencia de radio atmico no mayor del 15% para minimizar la deformacin
de la red, es decir, minimizar a nivel atmico, las desviaciones causadas en las
distancias interatmicas.
2. Estructura cristalina: los materiales deben tener la misma estructura cristalina;
de lo contrario, se llegar a un punto en el que se presenta una transicin de
fase a otra con una estructura distinta.
3. Valencia: los iones deben tener la misma valencia; de no ser as; la diferencia
de electrones de valencia impulsa la formacin compuestos, no de soluciones.
4. Electronegatividad: los tomo deben tener ms o menos la misma
electronegatividad. La electronegatividad es la afinidad hacia los electrones. Si
las electronegatividades son apreciablemente distintas, se forman compuestos,
como cuando los iones de cloro y sodio se combinan y forman cloruro de sodio.
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Importancia de la aleaciones sobre las


propiedades

Efecto de diversos elementos


de aleacin en la resistencia a
la cedencia del Cu

Que se puede
concluir?
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Vacancias
A temperatura ambiente ( 298 K), la concentracin de vacancias es
pequea, pero la concentracin de estas aumenta
exponencialmente a medida que se incrementa la temperatura,
como se observa en le siguiente comportamiento:

E
n N exp
KT
n = nmero de vacantes/m3
N = nmero total de tomos o mol presentes en el sistema
por m3
E = Energa de activacin requerida para producir un mol de
vacancias , en cal/mol, joules/mol
K = constante de Boltzmann (8.62 X 10-5 eV/K)
T = temperatura en Kelvins
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Vacancias

N A
N
Masa atmica
N = nmero total de tomos o mol presentes en el sistema
por m3
NA = Nmero de Avogadro (6.023 X 1023 tomos/mol)
= densidad

No. de tomos / celda


N 3
a0
a0 = parmetro de red
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Defectos Puntuales en Cristales Inicos

Son complejos, debido a la necesidad de mantener la


neutralidad elctrica.
La presencia de estos defectos en los cristales inicos,
aumenta su conductividad elctrica
Los tomos de impurezas de tipo sustitucional o intersticial
son tambin defectos puntuales y se presentan en cristales
con enlaces metlicos o covalentes (ej, Si puro, afecta mucho
su conductividad elctrica para aplicaciones en dispositivos
electrnicos)
Las impurezas inicas son tambin defectos puntuales en
cristales inicos

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Tipos de defectos
1. Cuando dos iones de carga opuesta faltan se crea una
divacante aninica-catinica que se conoce como defecto de
Schottky. (slo para materiales onicos en cermicos)
2. Si un cation se mueve aun sitio intersticial se crea una
vacante catinica en la posicin inicial del catin. Este par de
defectos vacante-intersticio se llama defecto de Frenkel.
(materiales inicos pero tambien en metales y materiales
enlazados con enlaces covalentes

Defecto de Schottky y de Frenkel en un cristal inico en dos dimensiones


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Defectos Lineales (Dislocaciones)

Son defectos que provocan una distorsin en la red


centrada en torno a una lnea.

Las dislocaciones se crean durante


La Solidificacin
En la Deformacin Plstica
Muy tiles para explicar la deformacin y
endurecimiento de los materiales metlicos

Los diferentes tipos de defectos de lnea sn


Dislocacin de arista
Dislocacin helicoidal
Dislocacin mixta

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Dislocacin de Arista, cua o borde

El defecto lineal suele designarse como una T invertida que representa el


borde de un semiplano extra de tomos.
El Vector de Burgers b representa la magnitud del defecto estructural y cierra
el circuito y es perpendicular a la lnea de la disloacin

Burgers vector

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Dislocacin de Arista

Las dislocaciones son defectos de no equilibrio y almacenan


energa en la regin distorsionada de la red cristalina
alrededor de la dislocacin.
La dislocacin de arista presenta una regin de tensin o
compresin dnde se encuentra el medio plano adicional y
una regin de esfuerzo a la tensin debajo del medio plano
adicional de tomos.
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Dislocacin Helicoidal o de tornillo


Creadas por la aplicacin de esfuerzos de corte o
cizalladura en un cristal perfecto que han sido separadas
por un plano cortante.
La Distorsin es en forma de rampa en espiral de tomos.
Existe una regin de esfuerzo cortante alrededor de la
dislocacin helicoidal en la que se almacena energa.
El vector de Burgers es paralelo a la linea de dislocacin.

Formacin de una dislocacin helicoidal


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Dislocacin Mixta
La mayora de las dislocaciones
en los cristales son del tipo
mixto

Dislocaciones mixtas
en un cristal

Las Dislocaciones tiene un


arreglo atmico irregular y
cuando son observadas en el
microscopio electrnico se
observan como lneas oscuras.

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Deslizamiento

Las dislocaciones no se mueven de manera fcil en materiales


con enlace covalentes ( Si o los polmeros) Se rompen antes
de apreciar un deslizamiento.
Los materiales con enlace inico incluyendo cermicas como
el MgO son resistentes al deslizamiento. (durante el
deslizamiento los iones con carga similar tambien deben
pasar cerca unos de otros lo que ocasiona repulsin (Falla
quebradiza)
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Movimiento de la dislocacin
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Defectos Planares

Sn lmites de granos, maclas, torsiones y fallas de


apilamiento.
La superficie libre o externa de un material es tambin un
defecto : Los tomos de la superficie estn enlazados a otros
tomos por un slo lado , tiene un menor nmero de vecinos
y tienen un mayor estado de energa.
Los Nanomateriales tienen pequeos aglomerados de
tomos, los cules son altamente reactivos.
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Lmites de Granos

Los lmites de grano separan a los granos.


Formados en la solidificacin debido al crecimiento
simultneo de cristales juntndose unos con otros.
Los tomos en la frontera de grano tienen altas de energa.
Los lmites de grano disminuyen la plasticidad dificultado el
movimiento de dislocacin.

Fronteras
de granos
Acero
inoxidable

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Maclas o bordes de Maclas (Twins)


Macla: Es un regin en la que existe una imgen de
espejo de la estructura a travs de un plano o borde.
Formadas durante deformacin plstica y durante el
proceso de recristalizacin.
Los bordes pares o gemelos refuerzan el metal.
Ocurre slo en aleaciones FCC
Twin
Plane
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Tamao de los Granos

Nmero del tamao del grano ASTM (American Society


for Testing and Materials)

n 1
N 2

N = nmero de granos por plg2


n = tamao de grano
Tomados a una amplificacin de 100X (Metalografa)

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Tamao
Diferente
de los
de 100X
Granos

Nmero del tamao del grano ASTM (American Society


for Testing and Materials)

2
amplificac ion n 1
N 2
100

N = nmero de granos por plg2


n = tamao de grano
Tomados a una amplificacin diferente de 100X
(Metalografa)

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ASTM 9 ASTM 9,5

ASTM 10
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Tamao de los Granos

La ecuacin de Hall-Petch relaciona el tamao de grano con


el esfuerzo de fluencia (y)

y 0 Kd 1/ 2

d = dimetro promedio de los granos


0 y K = constantes para el metal (tensin de friccin que se
opone al movimiento de las dislocaciones, medida de la
extensin del apilamiento de dislocaciones frente a las
barreras, respectivamente)

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Propiedades del tamao de los de Granos

Efecto de los tamaos de los granos sobre el lmite


elstico del acero a temperatura ambiente
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TAREA

Investigar cual es la consecuencia de que se produzca un


defecto de orden 0, 1, 2 o 3. (hacer una tabla)
Dimensionalidad Defecto Propiedad Fsica
Investigar la importancia de los mecanismo de endurecimiento
de los metales por deformacin plstica, solucin slida,
tamao de grano.
Para un monocristal FCC, esperara que la energa superficial
para el plano (100) fuera mayor o menor que para el plano
(111)?Porque?
Describa brevemente una macla y un lmite de macla
Seale la diferencia entre maclas mecnicas y de recocido

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