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LG.

Philips Displays TVZ-225-04-EK-D027


PPD
Final
Eindhoven
2004-05-26
Vuelva a lavar
Procesamiento de la
pantalla

Funcional Descripcin del proceso


Contenido
Contenido...................................................................................................................1
1. Introduccin............................................................................................................1
2. Diagrama de flujo....................................................................................................1
3. Las condiciones de la habitacin.................................................................................2
4. Especificacin de componentes entrantes / conjuntos / Qumica sub................................2
5. Descripcin del proceso Las etapas del proceso............................................................2
5.1 de alta presin de pulverizacin............................................................................2
5.2 cido pulverizacin.............................................................................................5
5.3 Agua pulverizacin..............................................................................................7
5.4 Secado (opcional)...............................................................................................8
6. Especificacin de producto saliente.............................................................................9
7. Auxiliares, herramientas y especificaciones de filtro......................................................9
8. Procedimientos de limpieza......................................................................................10
9. Tratamiento de residuos..........................................................................................10
10. El control del proceso............................................................................................10
11. Diverso...............................................................................................................11
12. Referencias..........................................................................................................11

1. Introduccin
El propsito de este proceso es eliminar los recubrimientos de pantalla de pantallas
rechazadas en el rea de procesamiento de la pantalla.

2. Diagrama de flujo
Reject screen
High
from Matrix,
pressure
Flowcoating
spraying
or Lac/Alu

Acid
spraying

Water
rinsing

Drying
Clean screen
(optional)

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3. Las condiciones de la habitacin


Artculo Lmites Razn / comentario
Humedad No se requiere Valor Orientacin 40-75%
Temperatura No se requiere Valor Orientacin 20 - 30 C
Clase de No se requiere
polvo
Escape al lavador se requiere para la posicin de pulverizacin cido, cido carros y tanques
de sedimentacin.
Especial precaucin debe tomarse para la contaminacin pantalla con cobre y tefln. Cobre
reacciona a flowcoating con el azul fosforescente durante sinterizacin en fsforo verde. Tefln
es un asesino de emisin del tubo!

Ver tambin ref. [1]

4. Especificacin de componentes entrantes /


conjuntos / Qumica sub
Componentes entrantes:
Componente Incoming es una pantalla desechado Matrix Negro, Flowcoating o lacado /
aluminizacin (Philips slo laca).

Subconjuntos:
No hay requisitos

Productos qumicos utilizados son:


Agua desionizada o 1322 505 41701
El agua del grifo 1322 506 19501
Cleaner 824 (cido mixto) 1322 530 07801

Para obtener informacin detallada, consulte los pasos del proceso en que se utilizan los
productos qumicos y el 12 NC de la sustancia qumica.

5. Descripcin del proceso Las etapas del proceso


5.1 De alta presin de pulverizacin

Razn
Eliminar la mayora de la flowcoat y capas lac / aluminio fuera de la pantalla.

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Descripcin de la etapa del proceso


Para eliminar las capas de pantalla, se utiliza un brazo en forma de T equipado con boquillas.
El brazo desarrollar mueve debajo de la pantalla en la direccin EW.

Alta presin de pulverizacin posicin y desarrollar el brazo

El perfil de la pulverizacin de las boquillas se indica en la siguiente figura. La presin mxima


est en el centro del perfil. Las cadas de presin hacia el borde del perfil. Cuando todas las
boquillas estn alineadas en la misma direccin, las boquillas van a interferir unos con otros.
La eficiencia de pulverizacin ser muy baja en estas intersecciones.

Interference

Rociar patrn para todas las boquillas en lnea.

Para evitar la interferencia entre las boquillas, todas las boquillas estn inclinadas ms de 30.
La distancia entre las boquillas, los ngeles, la distancia entre las boquillas y etc de pantalla se
ha optimizado con el fin de encontrar una distribucin ptima de la presin sobre la pantalla.
Estos parmetros se encuentran generalmente en la experiencia y el ensayo y error.

Rociar patrn de alta presin de pulverizacin con toberas inclinadas.

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La presin de pulverizacin debe ser lo suficientemente alta para eliminar la mayora de las
capas de laca / aluminio y Flowcoat fuera de la pantalla.

Los parmetros relevantes del proceso, valores y tolerancias tpicas, elementos


esenciales y las razones
Parmetro Proceso Valor tpico y la tolerancia Razn
Tiempo de > 20 seg Eliminacin eficaz de los materiales
pulverizacin Se puede dividir en diferentes
posiciones.
Presin de aplicacin > 50 bar Eliminacin eficaz de los materiales
ngulo de inclinacin 30 Eficiencia de boquillas
de las boquillas
Vase tambin la lista de control de procesos en el captulo 10.

Descripcin de los productos qumicos y utilidades


Agua desionizada o agua del grifo normal: Necesita ningn requisito sobre la
temperatura del agua

Descripcin de los requisitos de equipo


Un pequeo tanque de almacenamiento de
agua desionizada sirve como amortiguador
entre el sistema de circulacin de agua
desionizada y la bomba de alta presin. La
bomba de alta presin alimenta a la posicin
de revelado. El agua no se distribuye a la
acumulacin.

Depsito de acumulacin y bomba de alta


presin

Boquilla de alta presin de pulverizacin : MEG-4003


Sellado de goma de las conexiones de acoplamiento rpido no son resistentes a 50 bar.
Por lo tanto no hay conexiones de acoplamiento rpido se puede utilizar.
El brazo de pulverizacin debe estar asegurado.

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Extra clamp
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Alta presin de desarrollo brazo
Rango Tipo : (NZ <467mm) 25V, 59FS, 66FS, 28WS, 32WS 7322 792
81300 : (467mm <NZ <547mm) 29SF/RF 27V 7322
792 81310
: (NZ> 547mm) 32V, 34RF, 36WS, 36V 7322 792 81320
5.2 Acid pulverizacin

Razn
Retire la capa de grafito matriz fuera de la pantalla.

Descripcin de la etapa del proceso


La pantalla se coloca en una posicin estacionaria. cido mixto se pulveriza en la pantalla de 1
o 2 tubos abiertos, dependiendo del tamao de la pantalla. El cido mixto se deteriora la
adherencia del grafito mediante la disolucin de una pequea capa de la superficie de vidrio.

Los parmetros relevantes del proceso, valores y tolerancias tpicas, elementos


esenciales y las razones
Parmetro Proceso Valor tpico y la tolerancia Razn
Concentracin de cido HF: 4 - 8% w / w Grabado de vidrio suficiente
HNO3: 10 - 20% w / w Reducir la precipitacin de silicatos
Flujo de cido 1000 - 2000 l / h dependiendo Completa cobertura de la pantalla
del tamao de la pantalla Eliminacin suficiente de
materiales
Tiempo de > 30 seg Eliminacin eficaz de los materiales
pulverizacin Se puede dividir en diferentes
posiciones.
Vase tambin la lista de control de procesos en el captulo 10.

Descripcin de los productos qumicos y utilidades


Los principales componentes de vidrio para CRT son xidos de silicio (Si), bario (Ba), sodio
(Na), potasio (K) y el estroncio (Sr). Los nicos componentes inorgnicos de grabado con la
suficiente velocidad de grabado son HF y HF2-.

La reaccin global de grabado se puede expresar como:

SiO2 + 6 HF H2SiF6 + 2 H2O (1)

En una solucin acuosa de HF se producen las siguientes reacciones:

HF H+ + F- (2)

y HF + F- HF2- (3)

Para las altas tasas de grabado, HF no disociada o HF2-se requieren. Estas molculas son slo
lo suficientemente presente en las soluciones de HF de alta concentradas.
Mediante la adicin de un cido fuerte como HNO3, se formar HF2-molculas ms y HF. Esto
aumentar la velocidad de reaccin significativamente [2]. Resultados de grabado
equivalentes se puede esperar que mediante el uso de cido clorhdrico (HCl) en lugar de
HNO3 [Ref. 3, 4, 5].

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Para cada pantalla de un poco de vidrio se disuelve en la solucin de ataque. Despus de
algn tiempo de produccin del bario-silicio-fluoruros (BaSiF) se precipitar en el sistema de
circulacin de cido. El (super-) solucin saturada depositar en todas partes, en la pared del
tanque, tubera de bloque, demoler la bomba, etc cido ntrico puede disolver BaSiF y reducir
o evitar la precipitacin.

Las fbricas que no aplican una capa de matriz en sus tubos de imagen suelen utilizar HF slo
para el grabado.

Para evitar los patrones de grabado en la pantalla, el agente de ataque qumico tiene que ser
distribuido rpido y completamente sobre la pantalla interna. Por lo tanto, la pulverizacin se
realiza en una pantalla de mojado, directamente despus de que HP pulverizacin.
Despus de dejar de rociar cido, la reaccin (grabado) se prolonga durante 20-25 s. [6]. Para
entonces, todos HF se consume. Se forma un depsito de sales BaSiF. En este punto se
pueden producir diferencias de grabado en pequea escala, por ejemplo, debido a la capa de
cido no uniforme o cerca de cristales de sal. Por lo tanto el tiempo entre el cido
pulverizacin y aclarado debe ser limitado.
Debido a las diferencias locales en la tasa de ataque qumico, la rugosidad de la superficie de
la pantalla interna aumentar y puede conducir a problemas de uniformidad de matriz.
Tambin los patrones de matriz originales da diferencia local en tasa de ataque qumico y
pueden dar lugar a un aumento de la rugosidad de la superficie. Por lo tanto el nmero de
veces que una pantalla puede volverse a lavar es limitada (3 - 7 x).

La eliminacin de la capa de barniz se hace ms difcil al aumentar el tiempo. Por lo tanto,


mantener el tiempo entre el rechazo de las pantallas lacadas y vuelva a lavar lo ms cortos
posible.

HF es un producto qumico muy agresivo y debe ser manejada con la mxima precaucin.
Cuando se trabaja en las posiciones de proceso y / o carros de suministro de cido use ropa
de proteccin como mascarillas, botas de goma, falda y guantes de proteccin resistentes a
los cidos. Ducha de seguridad, ducha para los ojos y el gel de Ca-gluconato (o equivalente)
para el tratamiento de quemaduras de cido deben estar disponibles en el entorno ms
prximo a la posicin y el carro de alimentacin.
Manejo de cido HF slo est permitido por personal cualificado y autorizado.

Descripcin de los requisitos de equipo


El cido se alimenta desde un carro de suministro. El lquido se hace circular en el carro a
travs de la posicin de pulverizacin. En algunos casos, un tanque de sedimentacin se utiliza
para recoger las partculas de golf a partir del cido reciclado. El flujo puede ser controlado
con un medidor de flujo. La filtracin se realiza sobre una estera para eliminar la suciedad
gruesa. El lquido se suministra por un sistema con vlvulas automticas y un sistema de
control de nivel.

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Settle tank

Open pipe

Supply sustem

Flowmeter

Filter mat
Overflow

Pump

Drain

Sistema de suministro de cido.

Carros de suministro de cido y el establecimiento de depsitos en las lneas L / J

Los vapores cidos son muy agresivos contra las personas y los equipos. Suficiente capacidad
de escape debe estar instalado en posiciones de pulverizacin, tanques de cido y por encima
de los tanques de sedimentacin.

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5.3 Pulverizacin de agua

Razn
Retire los cidos y la matriz residual, flowcoat y / o laca / alu materiales fuera de la pantalla.

Descripcin de la etapa del proceso


Despus de rociar cido todava algunos materiales residuales de la matriz, flowcoating o lac /
alu pueden reanudarse en la pantalla. Durante la alta presin de pulverizacin y cido
pulverizacin de las capas de la pantalla a menudo salir de la pantalla como cables espagueti.
Estos materiales pueden ser atrapados fcilmente alrededor de los ejes de suspensin de
mscara en la pantalla.
La pantalla se coloca en una posicin estacionaria. El agua se pulveriza desde 1 o 2 boquillas
en el interior de la pantalla y de 3 o 4 boquillas enfocadas sobre los pasadores de suspensin
mscara.

Los parmetros relevantes del proceso, valores y tolerancias tpicas, elementos


esenciales y las razones
Parmetro Proceso Valor tpico y la tolerancia Razn
Central de la afluencia 1000 - 1500 l / h dependiendo Eliminacin suficiente de cidos y
de agua rociado del tamao de la pantalla materiales
Esquina El flujo de 1500 + 100 l / h Fuerza suficiente para eliminar los
agua de pulverizacin materiales de los pernos mscara
Rociar hora central > 30 seg Eliminacin suficiente de cido
pulverizacin Se puede dividir en ms posiciones
Rociar el tiempo en > 15 seg Eliminacin suficiente de los
pasadores mscara materiales de los pasadores de
mscara
Vase tambin la lista de control de procesos en el captulo 10.

Descripcin de los productos qumicos y utilidades


Agua desionizada o agua del grifo: Necesita ningn requisito sobre la temperatura
del agua

Descripcin de los requisitos de equipo


El centro de la boquilla de pulverizacin se debe centrar 5 - 10 mm por debajo de los
pasadores de mscara con el fin de levantar los materiales de alambre-como de los pasadores.

5 - 10 mm

Mscara pin pulverizacin

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Tipo de boquilla central de proyeccin: Abierto tubo 8 mm
Boquilla tipo de mscara pin pulverizacin: 3/8-GG-SS 3014 del Sistema de
Pulverizacin

5.4 El secado (opcional)

Razn
Eliminar el agua fuera de la pantalla

Descripcin de la etapa del proceso


Cuando la lnea vuelva a lavar se coloca directamente en frente de la lnea Screenwash, el
secado de la pantalla se pueden omitir. En otros casos, se debe secar la pantalla.
Esto se realiza mediante el soplado de aire de un motor-aire en la pantalla.

Los parmetros relevantes del proceso, valores y tolerancias tpicas, elementos


esenciales y las razones
Parmetro Proceso Valor tpico y la tolerancia Razn
Flujo primario de flujo 35 + 5 Nm3 / h
de aire
El tiempo de soplado de > 20 seg Se puede dividir en posiciones
aire separadas.
Vase tambin la lista de control de procesos en el captulo 10.

Descripcin de los productos qumicos y utilidades


Seco y libre de aceite del aire comprimido 6+ 0,5 bar

Descripcin de los requisitos de equipo


Ninguno

6. Especificacin de producto saliente


Pantalla y pared vertical deben estar libres de cidos y residuos de las capas de la pantalla.
La pantalla debe ser enviada a la pantalla lavado antes de entrar recubrimiento previo y el
proceso de matriz.
Mantenga el tiempo entre la pantalla vuelva a lavar en lavadora lo ms corto posible.

7. Auxiliares, herramientas y especificaciones de


filtro
Materiales y herramientas auxiliares:
Propsito Herramienta
Los tiempos de proceso. Cronmetro
Control de la concentracin de Equipos de valoracin
cido
Almacenamiento Screen / Pantalla / mscara de carros de transporte
mscara
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Pequeos ajustes / reparaciones Funcional Descripcin del proceso


Llaves, martillo, regla flexible, destornilladores, etc ......
El enjuague de limpieza Cocina-fregadero con agua / desage
Toallas,
Esponjas,
Cucharones
Seguridad Sauna de infrarrojos (para personas) y botellas de ducha
para los ojos.
papel de pH para la deteccin de fugas de cido
Gel de Ca-gluconato o equivalente para las quemaduras
de cido
El manejo de la pantalla Ventosas de vaco manual
Proteccin Guantes de goma
Gafas de seguridad
Botas de goma, faldas protectoras
Tapones para los odos
Muestreo, medicin y ajuste Poli propileno software:
Vasos de precipitados de 250 ml
Vasos de precipitados de 100 ml
1. Rociar botellas de 500 ml
Ver tambin la lista auxiliar ref [8].

Filtro especificaciones:
Acid debe reciclarse en una estera filtrante
Para la filtracin de agua demi un tamao de poro de 6 Se requiere m. Tamao del filtro est
en funcin del flujo de agua requerido.
El aire comprimido se debe filtrar sobre un filtro de carbn activo para eliminar el aceite y ms
de un filtro de partculas absoluta con un tamao de poro de 0,2 m.

Un ejemplo de los filtros que se utilizan en el rea de lneas vuelva a lavar grandes / jumbo:
Posicin Viviendas ProveedorCartucho Proveedor
Servicio bastidores
aire 3AG0006 A / E Palio AK 10/03 Palio
Servicio bastidores
aire n.a. TNFZ 01 H03 H03 Parker
Bastidores servicio NP10-DO-DV-E Parker PAB 050-10FA-DO o Parker
lquido MCY 1001 U6-40 ZH13 Palio
Airmovers n.a. Luwa 422 20 2090 Luwa
Vase tambin la referencia [9] para obtener ms informacin sobre filtros de proceso.

8. Procedimientos de limpieza
HF es un producto qumico muy agresivo y debe ser manejada con la mxima precaucin.
Para la limpieza de cido pulverizacin posiciones, carros de suministro de cido y tanques de
sedimentacin utilizar ropa protectora, como mscara, botas de goma, falda y guantes de
proteccin resistentes a los cidos.
Limpieza slo se permite por personal cualificado y autorizado.

Carros de suministro de cido y el establecimiento de tanques

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Vace los tanques completamente. Deseche estera filtrante sucio


Lavar los tanques con agua
Vuelva a llenar los tanques con cido
Instale los nuevos paneles de filtro

cido posiciones de pulverizacin


Retire los materiales del curso
Enjuague con agua solamente

9. Tratamiento de residuos
El agua de la posicin de pulverizacin de alta presin se debe enviar a un tanque de
sedimentacin para eliminar los materiales slidos.
cido mixto y el agua de enjuague posiciones deben ser drenados a un drenaje cido especial
y deben ser tratados de acuerdo local de seguridad y medio ambiente.

10. El control del proceso


Esta lista de control de procesos ofrece una visin general de los elementos que tienen que ser
controlado por el proceso vuelva a lavar durante la produccin normal. Un consejo se da
informacin sobre la frecuencia de control. La lista se puede utilizar como punto de partida
para la definicin de una lista de control de proceso dedicado para una determinada lnea o
como ayuda para la actualizacin de listas de comprobacin existentes. Es importante que una
lista de control de proceso se hace especficamente para un cierto tipo de lnea y, utilizando la
descripcin del proceso, esta lista y la situacin local como entrada.
Proceso Artculo Especulacin Frecuencia de
control
aconsejados
Utilidades Presin de agua Demi 30 C 6,0 + 0,5 bar 1x / shift
Presin del aire comprimido
- Aire de proceso 6,0 + 0,5 bar 1x / shift
- Control de aire 6,0 + 0,5 bar 1x / shift
Vaco t.b.f. 1x / shift
HP pulverizacin La presin del agua > 50 bar 1x / shift
Acid pulverizacin Flujo de cido 1500 + 100 l / h 1x / shift
Concentracin de cido HF: 6 + 2%, 1x / shift
HNO3: 15 + 5% (SPC grfico)
Pulverizacin de agua Demi agua de flujo central 1500 + 100 l / h 1x / shift
spr. 1500 + 100 l / h 1x / shift
Demi spr agua.
posicionamiento de los
bordes
Int. pantalla de secado El flujo de aire 35 + 5 Nm / h 1x / shift

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11. Diverso
El proceso vuelva a lavar descrito puede ser aplicado para rechazar pantallas con laca
estndar 'Philips'. Otros tipos de laca (PDC-laca, laca de emulsin) son ms difciles de
eliminar y la necesidad de un pre-tratamiento adicional. Opciones para eliminar este tipo de
laca son rociando NaOH caliente [7] o con un limpiador especial [5]. Sin embargo, estos
procesos nunca fueron puestos en libertad en las antiguas fbricas CRT Philips.

12. Referencias
1. NIESSEN F.
Las condiciones de la habitacin para las nuevas lneas
TVR-217-03-FN-D006, 2003-10-07

2. Heijkant, J. VAN,
El efecto sobre la variacin de las concentraciones de cido de grabado de vidrio de la
pantalla,
TVR 67-91-JH-2070, 1991-01-14

3. TAREK SLEIMAN, MARY PHILIP,


cido clorhdrico prueba de goteo.
Informe 2489 PDC, 04/07/1994

4. SIMONS A.J.
Un examen de la placa frontal proceso de grabado para el "tubo de monitor de 14 colores.
CML 1265; 1989-12-12

5. SOMERS M.J.M.
Grabado de vidrio utilizando diferentes composiciones lquidas,
TVR-298-03-MS-D001, 2003-03-13

6. Penners H.J.M. y Bouwmans J.R.M.


El grabado de cristal de la pantalla en el lavado y el proceso de recubrimiento previo.
TVB-57-96-HP-D2393. 1996-05-03

7. Penners H.J.M.
URS Vuelva a lavar: New lneas Jumbo Hua Fei, Repblica Checa y Mxico
TVR-298-03-HP-D112, 2000-09-28

8. H. Penners
Auxiliar list para el lavado de la mscara, el lavado de la pantalla, matricizing y segundo
lavado.
TVZ-298-01-HP/D002A, 2001-01-04

9. J. NILLISSEN
Gestin de filtracin, FTSR
TVR-657-99-JN/D0139, 1999-07-15

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