CURSO: Laboratorio de Electrnica Industrial I

PROFESOR: Huaman Huamani Segundo.

ALUMNO:
Dvila Paredes Antony Josel 20142583K

Lima, 2 de mayo 2017

 UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA
FACULTAD DE INGENIERA MECNICA
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELCTRICOS I

El transistor como amplificador

Introduccin
La necesidad de amplificar las seales es casi una necesidad constante
en la mayora de los sistemas electrnicos. En este proceso, los transistores
desarrollan un papel fundamental, pues bajo ciertas condiciones, pueden
entregar a una determinada carga una potencia de seal mayor de la que
absorben.
El anlisis de un amplificador mediante su asimilacin a un cuadrpolo (red
de dos puertas), resulta interesante ya que permite caracterizarlo mediante una
serie de parmetros relativamente simples que nos proporcionan informacin
sobre su comportamiento.

En los amplificadores, gracias a los transistores se consigue la intensidad de los

sonidos y de las seales en general. El amplificador posee una entrada por
donde se introduce la seal dbil y otra por donde se alimenta con C.C. La seal
de salida se ve aumentada gracias a la aportacin de esta alimentacin,
siguiendo las mismas variaciones de onda que la de entrada.
La seal de entrada, de bajo nivel, del orden de unos pocos milivotios, la aportan
dispositivos como el micrfono (transforman ondas sonoras en seales elctricas
que siguen las mismas variaciones que las primeras), sensores trmicos,
luminosos, etc.

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Cuando un amplificador realiza la funcin de elevar la seal que ha sido

aplicada a su entrada, se dice que ha producido una determinada ganancia. Se
puede decir que la ganancia de un amplificador es la relacin que existe entre el
valor de la seal obtenida a la salida y el de la entrada. Dependiendo de la
magnitud elctrica que estemos tratando, se pueden observar tres tipos de
ganancia: ganancia en tensin, ganancia en corriente y ganancia en potencia.
De esta forma podemos definir los siguientes parmetros:
Ganancia de tensin (normalmente en decibelios): Av = Vo / Vi
Impedancia de entrada (ohmios): Zi = Vi / Ii
Impedancia de salida (ohmios): Zo = Vo / Io (para Vg = 0)
Ganancia de corriente (normalmente en decibelios): Ai = Io / Ii
Ganancia de potencia (normalmente en decibelios): Ap = Po / Pi

Un amplificador ser tanto mejor cuanto mayor sea su ganancia y menor sea su
impedancia de entrada y salida.
En cuanto a la frecuencia, los amplificadores dependen de esta, de forma
que lo que es vlido para un margen de frecuencias no tiene porqu serlo
necesariamente para otro. De todas formas, en todo amplificador existe un
margen de frecuencias en el que la ganancia permanece prcticamente
constante (banda de paso del amplificador). El margen dinmico de un
amplificador es la mayor variacin simtrica de la seal que es capaz de
presentar sin distorsin a la salida; normalmente expresado en voltios de pico
(Vp) o Voltios pico-pico (Vpp).
Ampliacin
Para comprender el funcionamiento del transistor como amplificador, se partir
del circuito de la figura, en el que el transistor se conecta en la configuracin
denominada de emisor comn.

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El generador Veb asegura que la unin base-emisor est polarizada en sentido

directo. Una batera Vc (Vc>> Vbe) proporciona la tensin de polarizacin
inversa a la unin del emisor.
El circuito de entrada, en el que se aplicar la seal que se desea amplificar, es
el que contiene a la base y el emisor. El circuito de salida est conectado a las
terminales del colector y del emisor. Rc es la resistencia de carga del circuito de
salida.
Supondremos que, cuando la tensin de entrada es nula (terminales de entrada
cortocircuitadas), las corrientes que circulan por cada terminal son Ie, Ib e I0, con
los sentidos indicados en la figura.
A continuacin, se calcularn cules son los incrementos que se producen en
dichas intensidades si se modifica ligeramente la tensin Web, aplicando una
ddp adicional a la entrada.
En este desarrollo, se admitir que el incremento de tensin aplicado, es lo
suficientemente pequeo para que las variaciones de intensidad que provoca
estn relacionadas linealmente con l.
Asimismo, se despreciarn los efectos dinmicos producidos por la aplicacin de
una diferencia de potencial, aplicada muy lentamente.
Variacin de la intensidad de salida (-I0).
Como se muestra en la figura siguiente, la corriente de salida es -I0. Dicha
intensidad tiene, tres componentes: Ipb, Ibb e Inc. Ahora bien, en un transistor
polarizado en el modo activo, la corriente Ipb es muy superior a las otras dos
(unas mil veces superior en el ejemplo anterior) por lo que, a efectos de clculo
de las variaciones en la intensidad del colector, es admisible suponer que:

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Suponiendo que la variacin de Veb, incremento de V, es pequeo, la
variacin de la corriente de salida es:

... y llamando transconductancia, gm, al factor I0/VT, resulta que:

La transconductancia tiene las dimensiones de una conductancia y su valor

depende de la temperatura y del punto de funcionamiento. A la temperatura
ambiente, gm vale unos 0.04 mOhmnios por mA de intensidad en el colector.
Variacin de la intensidad de entrada (-Ib)
La corriente de base, tiene, segn hemos expuesto, tres componentes: Ine, Ibbe
Inc. De ellas, tan slo las dos primeras dependen directamente de la tensin Veb.
Nos limitaremos, por tanto a calcular sus variaciones.
De las ecuaciones anteriores se deduce que:

Por otra parte, el trmino exponencial puede expresarse en funcin de la

intentsidad del colector:

El incremento de la corriente de base es:

Denominando a todo el trmino entre corchetes, tendremos que:

El parmetro o cuantifica el efecto que, sobre la corriente de base, produce un

incremento de la tensin Veb. As al disminuir la barrera de potencial en la unin
emisor-base, se produce un aumento de huecos inyectados desde el emisor,
aumentando la concetracin de portadores minoritarios en la base, lo que
conduce a un incremento de la tasa de recombinacin. Debido a ello, Ibb crece.
Por otra parte, la disminucin de la barrera de potencial antes citada, supone un
incremento del nmero de electrones inyectados en el emisor desde la base, con
lo que se produce un aumento de la corriente Ine.
Variacin de la tensin colector-emisor (Vce).

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La tensin colector-emisor es:

Por tanto, si Veb se incrementa, Vce variar como:

La expresin anterior implica que el incremento de la tensin colector-emisor

puede aumentar sin lmite, sin ms que incrementar suficientemente la
resistencia de carga R0. Tal suposicin no es cierta cierta ya que hay que tener
presente que, en el modelo simplificado que se ha desarrollado, no se ha tenido
en cuenta el efecto de la tensin de polarizacin inversa Vcb sobre la anchura
de la base, W. Valores muy elevados de gmRm suponen una importante
variacin de Vcb, lo que modificara notablemente la anchura W, no siendo
vlidas entonces las premisas del modelo utilizado.
Ganancias de corriente y de tensin:
Supongamos que, a la entrada del circuito de la siguiente figura, se aplica una
seal alterna de pequea amplitud, y frecuencia lo suficientemente pequea para
que puedan ser despreciados los efectos dinmicos que no han sido tenidos en
cuenta en el modelo anterior.
En estas condiciones, por el circuito de entrada circular una corriente alterna -
Ib-AIb. Es decir, sobre la corriente -Ib que exista para un incremento de tensin
0, se superpone una corriente alterna de amplitud incremento de la intensidad
de base.
De forma anloga, en el circuito de salida aparecer una corriente alterna de
amplitud igual al incremento de la intensidad de colector, superpuesta a -
Ic(corriente de colector para un incremento de tensin 0).
Se define ganancia en intensidad como:

Obsrvese que, al ser no mucho menor que 1, la ganancia de instensidad puede

tomar valores muy elevados.
De forma anloga, se defina la ganancia de tensin como:

En definitiva, la seal de entrada, se ve amplificada tanto en intensidad como en

tensin.

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