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ESCUELA POLITCNICA NACIONAL

INGENIERA EN ELECTRNICA Y TELECOMUNICACIONES

CIRCUITOS

ELECTRNICOS

DIEGO CARRERA
CARLOS CONTRERAS
MARCO JARA

Profesor
Ing. Antonio Caldern

Octubre 2006 - Marzo 2007


CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

TABLA DE CONTENIDO
INTRODUCCION: EL TRANSISTOR BIPOLAR 4
Configuraciones del Transistor 6

DISEO DE AMPLIFICADORES CON TBJ 8


Diseo de Amplificador en Emisor Comn 9
Diseo de Amplificador en Base Comn 18
Diseo de Amplificador en Colector Comn 24

CIRCUITOS DE ALTA IMPEDANCIA DE ENTRADA 31


Circuitos de Autoelevacin 31
Emisor Comn con Autoelevacin 31
Colector Comn con Autoelevacin 36
Circuito Darlington 39

AMPLIFICADORES EN CASCADA 45
Tipos De Acoplamiento 46
Acoplamiento Capacitivo 46
Acoplamiento Directo 62
Amplificador Cascode 62
Amplificador Diferencial 68
Acoplamiento directo 73

RESPUESTA DE FRECUENCIA 75
Introduccin 75
Respuesta de frecuencia en amplificadores 85
Respuesta de frecuencia en alta frecuencia 97

REALIMENTACIN 101
Realimentacin Negativa 104
Formas de Realimentacin 116
Realimentacin Positiva (Circuitos Osciladores) 123
Tipos de osciladores 123
Oscilador RC 126
Oscilador de puente de Wien 134

FUENTES REGULADAS 138


Fuente ms sencilla 138
Fuente con Transistor 141
Fuente con Transistores en configuracin Darlington 144
Fuente con Realimentacin 147
Fuente con Realimentacin y Fuente de Corriente 151
Circuitos De Proteccin 154
Proteccin con Diodos 154
Proteccin con Diodos Zener 154
Proteccin con transistor (limitador de corriente) 155
Proteccin con SCR 156
Fuente regulada con voltaje de salida variable 159

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CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

AMPLIFICADORES DE POTENCIA 161


Clasificacin de los Amplificadores 161
Clase A 162
Clase AB 163
Clase B 166
Clase C 167
Amplificador Clase A 170
Amplificador Clase B con salida con simetra complementaria 173

BIBLIOGRAFA 181
ANEXOS 182

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CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

INTRODUCCION

EL TRANSISTOR BIPOLAR

El transistor convencional o bipolar se denomina as porque en su funcionamiento intervienen


corrientes de huecos, o de carga positiva, y de electrones, o de carga negativa. Los terminales
del transistor reciben el nombre de emisor, colector y base. La base es el terminal que est
unido a la zona intermedia del transistor. Las tres partes del transistor se diferencian por el
distinto nivel de dopaje; la zona de menor dopaje es la base, a continuacin se encuentra el
colector y por ltimo el emisor.

Estudio de las corrientes

El anlisis del transistor se realizar para una estructura NPN, y es anlogo para el PNP.

Un transistor sin polarizar se comporta como dos diodos en contraposicin, y no existen


corrientes notables circulantes por l. Si se polariza, aparecen tres corrientes distintas, la
corriente de base, IB, corriente de emisor, IE, y por ltimo la corriente de colector, IC. En la
figura siguiente estn dibujadas estas corrientes segn convenio, positivas hacia adentro:

De estas tres corrientes, la del emisor es la ms grande, puesto que ste se comporta como
fuente de electrones. La corriente de base es muy pequea, no suele llegar al 1% de la
corriente de colector.

Aplicando la ley de Kirchhoff se tiene la siguiente relacin: IE = IB + IC

Existen dos parmetros que relacionan las distintas corrientes, el coeficiente alfa para
continua, , y la ganancia de corriente beta, .

El factor Alfa. Es el cociente entre la intensidad de colector y la de emisor. Su valor nunca


ser superior a la unidad y da idea de hasta qu punto son iguales estas corrientes.

= IC / IE

El factor Beta. La ganancia de corriente b se define como el cociente entre la corriente de


colector y la de base.

= IC / IB

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Curvas caractersticas

Un transistor en rgimen esttico se encuentra, solamente, bajo la accin de las voltajes


continuos que se le aplican para polarizarle. Una forma de resumir este funcionamiento es
utilizar las curvas caractersticas del transistor, que relacionan las tensiones y las corrientes.
Las tensiones y corrientes que se utilizan dependen de la configuracin del transistor, pero
independientemente de sta, se distinguen dos tipos de curvas: la caracterstica de entrada y la
caracterstica de salida.

a) Caractersticas de entrada

La caracterstica de entrada relaciona dos magnitudes de entrada con una de salida. En el caso
de la configuracin en emisor comn se tiene la corriente de base en funcin de la tensin
base-emisor, para distintos valores de tensin colector- emisor. La corriente de base y la
tensin base-emisor son variables de entrada, mientras que la tensin colector-emisor es una
magnitud de salida.

Si se tiene una configuracin en base comn, su caracterstica de entrada relacionar la


corriente del emisor con la tensin emisor-base, utilizando la tensin colector-base como
parmetro. La corriente de emisor y la tensin emisor-base con las magnitudes de entrada.

La figura muestra las diferentes caractersticas de entrada de dos transistores NPN de


germanio y silicio respectivamente en funcin del voltaje base-emisor para dos valores del
voltaje colector-emisor.

b) Caractersticas de salida

La caracterstica de salida tiene dos de las tres magnitudes pertenecientes al circuito de salida.
Las curvas que relacionan la corriente de colector, la de base y la tensin emisor-colector son
caractersticas de salida en configuracin emisor-comn, mientras que las que relacionan la
corriente de emisor, la de colector y la tensin colector-base son las curvas correspondientes a
una configuracin en base comn.

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Regiones de trabajo

Un transistor bipolar puede funcionar de tres formas diferentes dependiendo de la


polarizacin que tengan las dos uniones, base-emisor y base-colector. Estas zonas se pueden
observar en la familia de curvas caractersticas de salida de un transistor como se muestra en
la figura.

Regin de corte. Para un transistor de silicio, VBE es inferior a 0,6 V ( para germanio 0,2 V),
ambas uniones estn polarizadas en sentido inverso y las intensidades en los terminales se
pueden considerar despreciables. En otras palabras, el voltaje de base no es lo suficientemente
alto para que circule corriente por la juntura base emisor, por lo que la corriente de colector es
igualmente despreciable.

Regin Activa Normal. La unin base-emisor est polarizada en sentido directo ( VBE > 0,6
V) y la unin colectora lo est en sentido inverso, la corriente inversa que circula en la unin
de colector es veces la corriente que circula en sentido directo base emisor. Esta zona es
muy importante, puesto que el transistor funciona en ella cuando se utiliza para amplificar
seales.

Regin de saturacin. Ambas junturas, base-emisor y base-colector, estn polarizadas en


sentido directo. La corriente base-emisor es muy grande, por lo que la corriente de colector lo
es igualmente grande. Se dice que ha entrado en saturacin si el voltaje del colector es inferior
al voltaje base-emisor.

CONFIGURACIONES DEL TRANSISTOR

Configuracin en emisor comn


OUT

IN
Q1
NPN
Terminal de Entrada: Base
Terminal de Salida: Colector
Terminal Comn: Emisor

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Configuracin en colector comn


OUT

IN
Q1
NPN
Terminal de Entrada: Base
Terminal de Salida: Emisor
Terminal Comn: Colector

Configuracin en base comn


Q1
NPN
IN OUT
Terminal de Entrada: Emisor
Terminal de Salida: Colector
Terminal Comn: Base

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DISEO DE AMPLIFICADORES CON TBJ

Consideraciones iniciales de diseo de amplificadores

Los datos necesarios para el diseo que nosotros debemos proponernos puesto que si el diseo
es orientado a un cliente, este no nos va a proporcionar, sino nicamente nos va a decir hacia
que aplicacin esta orientado el circuito, a partir de esto nosotros debemos plantearnos los
datos o indagar al mismo cliente para de alguna manera obtenerlos

Entonces los datos necesarios para empezar con nuestro diseo son:

Ganancia (A): Se refiere a la amplificacin que se desea a la salida a partir de una seal de
entrada.

Vo
A=
Vin

Son valores bajos y para el caso de diseo de una etapa de amplificacin se considera como
valor mximo una ganancia de 50 puesto que cuando mayor es la ganancia la probabilidad de
inestabilidad es mayo (1 Etapa).

Voltaje de salida (Vo): voltaje que deseamos obtener a la salida

Para amplificadores de seal se manejan bajos voltajes (mV), es poco usual tener voltajes en
el orden de decenas e incluso centenas de voltios para una sola etapa.

Impedancia de entrada (Rin): Es la impedancia del amplificador que va a observar el


generador (por ejemplo un micrfono). Esta impedancia debe ser mayor o igual a ms o
menos diez veces la resistencia interna del generador para obtener todo el valor de la seal a
las terminales de entrada del circuito ya que se desea amplificar toda la seal de entrada mas
no obtener mxima transferencia de potencia.

Carga (RL): Es lo que se va a conectar al amplificador a su salida. Este posee una resistencia
cuyo valor usualmente esta en las decenas de ohmios o unidades de kilo-ohmios.

: Valor caracterstico del transistor a ser utilizado obtenido en manuales del fabricante. El
valor de para TBJ de seal es alto, por ejemplo utilizamos 100 que es el valor tpico del
transistor 2N3904.

Frecuencia de trabajo (f): valor de frecuencia a la cual va a estar operando el circuito


amplificador.

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DISEO DE AMPLIFICADOR EN EMISOR COMN

Circuito

En el circuito amplificador en emisor comn podemos observar que la seal ingresa por la
Terminal de base y la salida esta en e Terminal de colector. Adems debemos mencionar que
la seal de salida esta desfasada 180 con respecto a la seal de entrada

La regla general para obtener la ganancia en un circuito de emisor comn es: Todo lo que
est en colector para seal divido para todo lo que est en emisor para seal.

Por lo tanto se obtiene la expresin de ganancia del circuito mostrado inicialmente:

RC || RL
A=
re + RE1

Dado que la seal ingresa en el Terminal de la base se obtiene la expresin de la impedancia


de entrada:

Rin = R1 || R2 || RinT

Donde RinT es la impedancia de entrada en el transistor y es igual a (+1) por todo lo que esta
en emisor para seal, por lo tanto:

RinT = ( + 1)(re + RE1 )

R1 y R2 estn en paralelo puesto que para seal Vcc es tierra. A este paralelo le podemos
representar como RB.

Obteniendo la expresin final de la impedancia de entrada:

Rin = RB || [( + 1)(re + RE1 )]

Para el diseo de un circuito en emisor comn es necesario tener muy en cuenta que se
cumpla la condicin de impedancia de entrada por lo tanto:

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Analizando la expresin de la impedancia de entrada obtenemos que la peor condicin para


que se cumpla esta es que RinT sea al menos Rin y reemplazando la ecuacin de RinT
obtenemos
RinT Rin
( + 1)(re + RE1 ) Rin (1)

De la expresin de ganancia :
RC || RL
A=
re + RE1
sea Req = RC || RL
Req Req
A= re + RE1 = (2)
re + RE1 A
reemplazando la ec. 2 en la inecuacin 1
R
( + 1) eq Rin
A
De la que obtenemos la expresin :
A
Req Rin
( + 1)

De esta ltima expresin podemos obtener la condicin de RC que nos ayudar a empezar con
nuestro diseo
Dentro del diseo tambin hay condiciones para evitar recortes en la seal de salida las cuales
se especifican a continuacin:
Con la ayuda de las curvas caractersticas del transistor

Obtenemos la inecuacin que nos evita distorsiones en la seal de salida. En la inecuacin el


subndice p indica el valor pico de la onda.

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I C io p
VRC Vop

RC Req

RC
VRC Vop
Req

La eleccin correcta del valor RC nos permitir obtener valores bajos de Vcc pero corrientes
altas y viceversa

De la expresin de VRC podemos deducir:

Si RC << RL
VRC vop

Si RC = RL
VRC 2.vop

Si RC >> RL ( RC = 10 RL )
VRC 10.vop

Procedemos a graficar el eje vertical de voltajes

Esta grfica nos permite observar lo que nos expresa en la inecuacin y como podemos
observar el vop se refiere al del ciclo positivo

El eje vertical de voltajes nos va a ayudar a la explicacin de otras condiciones para que no
exista distorsin. Por ejemplo, para asumir el voltaje emisor se puede observar en el eje que
debe ser mayor a vinp pero adems se debe sumar 1 V que es por motivo de estabilidad trmica
en el circuito.

Por lo tanto se obtiene:


VE 1V + vinp

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Para el caso del voltaje colector emisor en la grafica podemos observar que debe ser mayor
a la suma de vinp y vop , pero adems se debe aumentar 2 V (vact) para garantizar que el
transistor trabaje en la regin activa como se observa en la curva caracterstica del TBJ.

VCE vop + vact + vinp

A continuacin se realizar un ejercicio en el que se explicar con ms detalle el


procedimiento de diseo para un amplificador en emisor comn y se aclarar otros aspectos
muy importantes a considerar para el correcto funcionamiento del circuito.
Nos planteamos los siguientes datos:
A = 50
vop = 10 V
Rin 3 k
RL = 2 k
f= 1 kHz
= 90

Empezamos el diseo con la ecuacin de Req para obtener la condicin de RC.

A
Req Rin
( + 1)
50
RC || RL * 3k
90 + 1
RC || RL 1.64 k
RC 9.37 k
Asumo Rc = 12 k ; asumo este valor de resistencia observando el voltaje de salida para no obtener
un Vcc muy alto lo cual implica ms gastos, tambin el valor de corriente que
me generaria
Req = RC || RL = 12k || 2k = 1.714 k

Ya que las resistencias poseen una tolerancia los valores de las mismas van a oscilar; esto
puede ocasionar que se produzca recortes en la seal de salida por lo que se multiplica los
valores de VRC y VE por un factor de seguridad que va a depender de la tolerancia, en la
siguiente tabla se muestra el factor de seguridad junto con la tolerancia:

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Tolerancia Factor de seguridad


10 % 1.2
20 % 1.3
30 % 1.4

En el presente ejercicio seleccionamos resistencias de tolerancia 10 %

RC
VRC vop
Req
12k
VRC 10V VRC 70V a este valor final le multiplicamos el factor de seguridad
1.714k
VRC 84V
Asumimos VRC = 84V
VRC 84V
IC = = = 7 mA
RC 12k
Se procede a calcular el parmetro propio del transistor re mediante la frmula
25mV
re =
IE
Dado que el es alto podemos realizar la aproximacin de I E = I C por lo tanto
25mV 25mV
re = = = 3.57
IC 7mA
el valor de re varia con la temperatura por lo que se pone R E1 para que el circuito sea estable
termicamente
A partir de la frmula de ganancia y despejando re + RE1
Req1.714k
re + RE1 = =
A 50
re + RE1 = 34.28
Comparando este ltimo valor con re , observamos que es mucho mayor por lo tanto se concluye que
es estable termicamente.
RE1 = 34.28 re = 34.28 3.57 = 30.71 se puede seleccionar dos valores de resistencia estadar
(33 y 27)
Seleccionamos la resistencia de 33 seleccionamos la resistencia ya que ayuda a aumentar Rin e
incluso con la estabilidad del circuito.
RE1 = 33

Antes de continuar con el diseo se recomienda terminar primero con el lado de salida y despus con
lado de entrada

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vop 10V
vinp = = = 0.2V
A 50
VCE vop + vact + vinp ; VCE 10V + 2V + 0.2V VCE 12.2V
Este valor es opcional que se multiplique por el factor de seguridad. Ya que si se aumenta el valor
de Vcc el sobrante se envia a VCE y ya se cumple el valor mnimo que especifica la condicin.
Hay que observar el valor caracterstico del transistor de VCE , ya que si en el calculo supera a
este puede causar daos en el dispositivo. La solucin es seleccionar otro transistor de mayor VCE

En este ejercicio no se asume el valor de VE con la inecuacin que se dedujo ya que la condicin
de Rin no se va a cumplir ya que hay una estrecha relacion de lo que hay en el emisor y lo que hay
en la base (R 1 y R 2 ) que son variables que estan dentro de la ecuacin de Rin

Ahora pasamos al diseo del lado de entrada para eso utilizamos la relacin
I 7mA
IB = C = = 77 A
90
Sea I1 la corriente que circula por R 1 y I 2 la corriente que circula por R 2
I1 = I B + I 2
Como podemos observar, si I B es comparable con I 2 las variaciones de I B producir cambios
de I 2 haciendo que el voltaje de la base sea variable variando todas las caractersticas del lado
de salida hecho que no nos combiene por lo tanto se hace :
I 2 >> I B Estabilidad de polarizacin
I 2 = 0.777mA
I1 = I B + I 2 = 77 A + 0.777mA = 0.85mA

VR1 = VRC + VCE VJBE = 84V + 12.2V 0.6V = 95.6V


VR1 95.6V 120 k
R1 = = = 112.47k 100 k
I1 0.85mA
La seleccin depende de que si el valor de la resistencia calculada esta dentro de la toleracia
de la resistencia escogida y ademas tengamos en cuenta la corriente que produce esto ya que
puede afectar la estabilidad polarizacin .
R 1 = 120 K
Debemos obsevar si esta resistencia cumple con impedancia de entrada, ya que si da menor a Rin
no vamos a lograr la condicin pedida, en nuestro caso da mayor por lo tanto si va a satisfacer para
lograr la condicin de impedancia. Si es el caso de que no se cumpla, se asume un nuevo R 1 y se pro -
cede a calcular :
VR1 = I1.R1
Y se calcula el nuevo valor de VCE
VCE = VR1 VRC + VJBE

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CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

RinT = ( + 1)(re + RE1 ) = (91)(3.57 + 33) = 3.33 k


De la condicin inicial Rin 3k
R1 || R2 || RinT 3K
obtengo R2 40.48k
con el valor mnimo de R 2 calculo VBmin
VB min = I 2 .R2 = 0.77mA * 40.48k = 31.45V
VEmin = VB min VJBE = 31.45V 0.6V = 30.85V
Asumo VE
VE 1V + vinp
VE 1V + 0.2V VE 1.2V multiplicando por factor de seguridad VE 1.44V
V ' E min = 1.44V ( Necesario)
Como podemos observar VEmin cumple con el V ' E min necesario por lo tanto se procede a elegir
el valor de R 2 inmediato superior para cumplir con Rin.
Si no se cumple los VEmin se parte el anlisis desde VE necesario (VE 1V + vinp )
De la condicin R2 40.48k
Elegimos R2 = 47k
VB = I 2 .R2 = 0.77mA * 47k = 36.52V
VE = VB VJBE = 36.52V 0.6V = 35.92V
VE 35.92V
RET = = = 5.13k
IE 7mA
5.6 k
RE 2 = RET RE1 = 5.13k 33 = 5.09k 4.7 k

RE 2 = 4.7k
Vcc = VE + VCE + VRC = 35.92V + 12.2V + 84V = 132.12V
Elijo Vcc = 135V el exceso envio a VCE
Rin = R1 || R2 || RinT = 120k || 47k || 3.3k = 3.01k

La razn por la que da Vcc excesivamente alto es que los valores de Rc son mayores a RL.

Calculo de Capacitores
El objetivo de los capacitores es controlar el flujo y rechazo de voltajes alternos y voltajes continuos
respectivamente (capacitor acopla seal y desacopla continua). Esta deduccin de las frmulas se
aplica a cualquier configuracin

Capacitor de Base (capacitor de entrada)


CB
Vo
Rin
Vo = Vin
Rin + X B
+
Vin Rin 1
Si X B << Rin C B >>
- 2. . f min Rin
Vo = Vin

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CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

En el ejemplo
1
C B >>
2. . f min Rin
1
C B >>
2. .1kHz * 3.01k
C B >> 52.87nF
C B = 1F

La deduccin de la expresin de los capacitores se la puede realizar con la frmula de la ganancia o


con la de impedancia tomando en cuenta en la expresin la reactancia capacitiva

Capacitor de Colector (capacitor de salida)

RC || ( X C + RL )
A=
re + RE1
RC || RL
Si X C << RL A =
re + RE1
1
CC >>
2. . f min RL

En el ejemplo
1
CC >>
2. . f min RL
1
C B >>
2. .1kHz * 2k
C B >> 79.6nF
C B = 1F

Capacitor de Emisor

R eq
A=
re + R E 1 + ( X E || R E 2 )
R eq
Si X E << R E 2 A =
re + R E 1 + X E

R eq
Si X E << re + R E 1 A =
re + R E 1
1 1
C E >> C E >>
2 . . f min R E 2 2 . . f min (re + R E 1 )

En el ejemplo

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CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

1 1
C E >> C E >>
2. . f min RE 2 2. . f min (re + RE1 )
1 1
C E >> C E >>
2. .1kHz * 4.7k 2. .1kHz (3.57 + 33 )
C E >> 33.86nF C E >> 4.35F
C E = 47 F

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DISEO DE AMPLIFICADOR EN BASE COMN


Circuito

En el circuito amplificador en base comn podemos observar que la seal ingresa por la
Terminal de emisor y la salida esta en el Terminal de colector. La caracterstica de este
circuito es que la seal de salida esta en fase a la seal de entrada.

La regla general para obtener la ganancia en un circuito en base comn es: Todo lo que est
en colector para seal divido para todo lo que est en desde el punto de ingreso hacia
emisor para seal.

Por lo tanto se obtiene la expresin de ganancia del circuito mostrado inicialmente:

RC || RL
A=
re + RE1
Como el capacitor CB es cortocircuito para seal las resistencias R1 y R2 no estn en la
frmula de la ganancia

Dado que la seal ingresa por el emisor se obtiene la expresin de la impedancia de entrada:

Rin = RE 2 || (re + RE1 )

En el diseo de un amplificador en base comn la impedancia de entrada no es un dato ya que


es muy baja en estos circuitos y es difcil alcanzar altos niveles de este parmetro.

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CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Ejercicio
En el siguiente circuito obtenga la ecuacin de la ganancia e impedancia de entrada.

Recordemos la regla para obtener la ganancia Todo lo que est en colector para seal divido
para todo lo que est en desde el punto de ingreso hacia emisor para seal

Lo que esta en colector para seal: RC||RL

Lo que esta desde el punto de ingreso hacia emisor para seal: re+[(R1||R2)/(+1)], el factor
1/(+1) esta presente cuando se toma valores de la base vistos desde el emisor

Por lo tanto la ganancia es igual a:


RC || RL
A=
R || R
re + 1 2
+1

Para el caso de la impedancia de entrada observamos el circuito y obtenemos que:

R || R
Rin = RE || re + 1 2
+1

Condiciones de diseo
Siguiendo con el procedimiento de diseo para esta configuracin, se inicia asumiendo la
resistencia RC y asumiendo el valor de VRC con la misma condicin demostrada en el diseo
de emisor comn para evitar distorsiones en la seal de salida.

RC
VRC vop
Req
siendo Req = RC || RL

La eleccin correcta del valor RC nos permitir obtener valores bajos de Vcc pero corrientes
altas y viceversa

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CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Con la ayuda del eje vertical de voltajes para esta configuracin, obtenemos las condiciones
para asumir VRE2 que es el voltaje de ingreso en este circuito y el VCE.

Por lo tanto
VE 1V + vinp
VCE vop + vact

La presencia de 1V y vact en VE y VCE respectivamente son por las mismas razones expuestas
en el circuito de emisor comn

Las condiciones a cumplir referentes a estabilidad trmica y de polarizacin son las mismas.

En el siguiente ejercicio se explicar el procedimiento de diseo para un amplificador en base


comn con las siguientes condiciones.

A = 10
vo = 5 V
RL = 5.6 k
f = 20 Hz 20 kHz

min = 80

El circuito a disear es el mostrado al inicio de este tema ya que ofrece mayor estabilidad que
el mostrado en el ejercicio de ganancias e impedancias porque no depende de dos parmetros
propios del transistor

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CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Como el diseo no contiene Rin el proceso es ms sencillo.


Asumo Rc = 2.2 k ; asumo este valor observando el voltaje de salida para no obtener un Vcc
muy alto y R L

Req = RC || RL = 2.2k || 5.6k = 1.58 k

Asumimos resistencias de tolerancia 20 %, por lo tanto factor de seguridad de 1.3


RC
VRC vop
Req
2.2k
VRC 5V VRC 6.96V multiplicado por el factor de seguridad VRC 9.05V
1.58k
Asumimos VRC = 9.5V
VRC 9.5V
IC = = = 4.3 mA
RC 2.2k
I C = I E xq es alto
25mV 25mV
re = = = 5.81
IC 4.3mA
Req 1.58k
re + RE1 = =
A 10
re + RE1 = 158
Comparando este ltimo valor con re , observamos que es mucho mayor por lo tanto se concluye que
es estable termicamente.
RE1 = 158 re = 158 5.81 = 152.19
RE1 = 150

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CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

vop 5V
vinp = = = 0.5V
A 10
VCE vop + vact ; VCE 5V + 2V VCE 7V

VRE2 1V + vinp VRE2 1V + 0.5V VRE2 1.5V por el factor de seguridad VRE2 1.95V
VRE 2 = 2V
VRE 2 2V
RE 2 = = = 465.12
IE 4.3mA
RE 2 = 470
VE = I E (RE1 + RE 2 ) = 4.3mA(150 + 470 ) = 2.66V

Vcc = VE + VCE + VRC = 2.66V + 7V + 9.5V = 19.16V


Vcc = 20V el exceso envio a VCE para asegurar ms que el TBJ este en la reg, activa

Ahora pasamos al diseo del lado de entrada para eso utilizamos la relacin
IC 4.3mA
IB = = = 53.75A
80

I 2 >> I B Estabilidad de polarizacin


I 2 = 0.5375mA
I1 = I B + I 2 = 53.75A + 0.5375mA = 0.59mA

VB VE + VJBE 2.66V + 0.6V 6.8 k


R2 = = = = 6k 5.6 k
I2 I2 0.537 mA
R2 = 5.6k
Vcc VB 20V 3.26V 33 k
R1 = = = 28.4k 27 k
I2 0.59mA
R1 = 27 k
Los criterios de eleccin de las resistencias se basan en la influencia de la tolerancia y cual de ellas
ofrece mayor estabilidad al circuito.
Rin = RE 2 || (re + RE1 ) = 470 || (5.81 + 150 ) = 117

Calculo de Capacitores
Son las mismas condiciones para el caso de los capacitores de entrada y salida para el de base se
realizar el respectivo anlisis. Al inicio del ejercicio da un rango de frecuencia. La frecuencia
utilizada para el calculo es la frecuencia de trabajo fijada en nuestro ejemplo como 1 kHz

Capacitor de Emisor (capacitor de entrada)


1
X E << Rin C E >>
2. . f min Rin

22
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

En el ejemplo
1
C E >>
2. . f min Rin
1
C E >>
2. .1kHz *117
C E >> 1.36 F
C E = 18F

Capacitor de Colector (capacitor de salida)

X C << RL
1
CC >>
2. . f min RL

En el ejemplo
1
CC >>
2. . f min RL
1
C B >>
2. .1kHz * 5.6k
C B >> 28.42nF
C B = 0.47 F

Capacitor de Base
Para obtener la condicin de este capacitor vamos a emplear la formula de impedancia considerando
XB
R || X B
Rin = RE 2 || RE1 + re + B RB = R1 || R2
+ 1
X
Si X B << RB Rin = RE 2 || RE1 + re + B
+1

XB
Si << re + RE1 Rin = RE 2 || (RE1 + re )
+1
1 1
C B >> CB >>
2. . f min RB 2. . f min (re + RE1 )( + 1)

En el ejemplo
1 1
C B >> C B >>
2. . f min RB 2. . f min (re + RE1 )( + 1)
1 1
C B >> C B >>
2. .1kHz * (27 k || 5.6k ) 2. .1kHz * 81 * (5.81 + 150 )
C B >> 34.31nF C B >> 12.61nF
C B = 0.47 F
23
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

DISEO DE AMPLIFICADOR EN COLECTOR COMN


Circuito

En el circuito amplificador en base comn podemos observar que la seal ingresa por la base
y la salida esta en el emisor. Este circuito tambin es conocido como seguidor emisor. La
caracterstica de este circuito es que la ganancia no es mayor que 1.

La regla general para obtener la ganancia en un circuito en colector comn es: Todo lo que
est en emisor desde el punto de salida a tierra dividido para todo lo que est en emisor.

Por lo tanto se obtiene la expresin de ganancia del circuito mostrado inicialmente:

RE || RL Req
A= =
re + RE || RL re + Req

Ejemplo de obtencin de la ganancia: en la grfica aparece solo la parte del circuito que
corresponde al emisor.

24
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

La frmula de la ganancia entonces es:


RE 2 || RL
A=
re + RE1 + RE 2 || RL

Continuando con el diseo en colector comn. Dado que la seal ingresa por la base se
obtiene la expresin de la impedancia de entrada similar a la configuracin en emisor comn.
Rin = R1 || R2 || RinT

Donde RinT es la impedancia de entrada en el transistor y es igual a (+1) por todo lo que esta
en emisor para seal, por lo tanto:
RinT = ( + 1)(re + RE || RL )

El paralelo entre R1 y R2 denominamos RB y el paralelo entre RE y RL denominamos Req

Obteniendo la expresin final de la impedancia de entrada:

[
Rin = RB || ( + 1)(re + Req ) ]
Para el diseo de un circuito en colector comn es necesario tener muy en cuenta que se
cumpla la condicin de impedancia de entrada por lo tanto:

Analizando la expresin de la impedancia de entrada obtenemos que la peor condicin para


que se cumpla esta es que RinT sea al menos Rin y reemplazando la ecuacin de RinT
obtenemos

25
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

RinT Rin
( + 1)(re + Req ) Rin (1)

De la expresin de ganancia :
Req
A=
re + Req
donde Req = RE || RL
Req
re + Req = ( 2)
A
reemplazando la ec. 2 en la inecuacin 1
Req
( + 1) Rin
A
De la que obtenemos la expresin :
A
Req Rin
( + 1)
La peor condicin es que A = 1 por lo tanto
Rin
Req
( + 1)

De esta ltima expresin podemos obtener la condicin de RE que nos ayudar a empezar con
nuestro diseo
Al igual que con la configuracin en emisor comn hay que evitar recortes de la seal,
Como en la configuracin en emisor comn a partir de las curvas caractersticas del transistor
obtenemos lo siguiente:
I E io p
VRE Vop

RE Req
VRE = VE
RE
VE Vop
Req

Del eje vertical de voltajes obtenemos el VCE.

VCE vop + vact

26
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

A continuacin se realizar un ejercicio en el que se explicar con ms detalle el


procedimiento de diseo para un amplificador en colector comn.

Nos planteamos los siguientes datos:

vop = 3V
Rin 6 k
RL = 3.9 k
f= 1 kHz
= 100

Empezamos el diseo con la ecuacin de Req para obtener la condicin de RC.

Rin
Req
( + 1)
6k
RE || RL
100 + 1
RE || RL 60
RE 60.94
Asumo RE = 390 ; asumo este valor de resistencia observando el voltaje de salida y teniendo en
cuenta que si selecciono el mnimo R B y por lo tanto Vcc pero tam -
bin si nos alejamos mucho Vcc sube
Req = RE || RL = 390 || 3.9k = 354.5

En el presente ejercicio seleccionamos resistencias de tolerancia 10 %

RE
VRE vop
Req
390
VE 3V VE 3.3V por factor de seguridad VRE 3.96V
354.5
Asumimos VRE = 4V
VRE 4V
IE = = = 10.25 mA
RE 390
Se procede a calcular el parmetro propio del transistor re mediante la frmula
25mV 25mV
re = = = 2.44
IE 10.25mA
Para comprobar que hay estabilidad trmica comparamos R eq >> re lo cual si cumple en el
presente ejercicio
Del no cumplir la estabilidad trmica asumimos nuevo re tal que cumpla y recalculamos IE y
VRE igual procedimiento se realiza en las anteriores configuraciones pero con IC y VRC

27
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

IE 10.25mA
IB = = = 101.49 A
+1 101
I 2 >> I B Estabilidad de polarizacin
I 2 = 1mA
I1 = I B + I 2 = 101.49 A + 1mA = 1.1mA

VB VE + VJBE 4V + 0.6V
R2 = = = = 4.6k
I2 I2 1mA
Pero tenemos que observar que las resistencias de la base cumplan con Rin por lo tanto
RinT = ( + 1)(re + Req ) = 101 * (2.44 + 354.5) = 36.05k
Rin 6k
RB || RinT 6k RB = R1 || R2
RB 7.2k multiplicando este valor por el punto mximo de tolerancia por seguridad
RB 7.92k
Asumiendo que R 1 y R 2 son iguales y a partir de R B concluyo que
18 k
R1 = R2 = 2 * RB = 15.84k
15 k

R1 = R2 = 18k
VB = I 2 * R2 = 1mA * 18k = 18V
VR1 = I1 * R1 = 1.1mA * 18k = 19.8V
Vcc = VB + VR1 = 18V + 19.8V = 37.8V
Vcc = 38V
Con el cambio realizado de los valores de R1 y R2 calculo el nuevo valor de VE
VE = VB VJBE = 18V 0.6V = 17.4V
VE 17.4V
RET = = = 1.69k
I E 10.25mA
Para no volver a hacer los recalculos y dejar el mismo valor de R E calculado inicialmente
la solucin es aumentar al circuito original una resistencia en serie a R E y en paralelo
conectamos un capacitor puesto las dos resistencias en serie solo funcionaran para DC y
para AC solo la resistencia que consta en la frmula de ganancia
El cambio realizado es:

28
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

El valor de R E2 ser
RET = RE1 + RE 2 RE 2 = RET RE1 = 1.69k 390 = 1.3k
RE 2 = 1.2k
RE1 || RL 354.5
A= = = 0.993
re + RE1 || RL 2.44 + 354.5
VCE vop + vact VCE 3V + 2V VCE 5V Necesario

VCE = Vcc VE = 38V 17.4V = 20.6V Tengo Cumplo con VCE necesario
Rin = R1 || R2 || RinT = 18k || 18k || 36.05k = 7.2k

Calculo de Capacitores

Capacitor de Base (capacitor de entrada)


1
X B << Rin C B >>
2. . f min Rin
En el ejemplo
1
C B >>
2. . f min Rin
1
C B >>
2. .1kHz * 7.2k
C B >> 22.1nF
C B = 0.47 F

Capacitor de Emisor (1) (capacitor de salida)

X E1 << RL
1
C E1 >>
2. . f min RL

En el ejemplo
1
C E1 >>
2. . f min RL
1
C B >>
2. .1kHz * 3.9k
C B >> 40.8nF
C B = 0.47 F

29
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Capacitor de Emisor (2)

RL || (RE1 + (RE 2 || X E 2 ))
A=
re + RE1 || RL
RL || (RE1 + X E 2 )
Si X E 2 << RE 2 A =
re + RE1 || RL

RL || RE1
Si X E 2 << RE1 A =
re + RE1 || RL
1 1
C E 2 >> C E 2 >>
2. . f min RE 2 2. . f min RE1

En el ejemplo
1 1
C E >> C E >>
2. . f min RE 2 2. . f min RE1
1 1
C E >> C E >>
2. .1kHz *1.2k 2. .1kHz * 390
C E >> 132.63nF C E >> 408.08nF
C E = 4.7 F

30
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

CIRCUITOS DE ALTA IMPEDANCIA DE ENTRADA

Se crea la necesidad de tener circuitos que proporcionen una alta impedancia de entrada para
poder ser conectados a generadores y que toda la seal sea amplificada.

Entre los dispositivos electrnicos que proporcional alta impedancia de entrada estn:

FETs (Rin = idealmente)


Amplificador Operacional (Rin = idealmente)
Tubos de vaco
TBJ (dependiendo de la configuracin)

Entre los circuitos electrnicos que proporcional alta impedancia de entrada estn:

Emisor y Colector comn


Circuitos de Autolevacin (Emisor y Colector comn)
Circuitos Darlington

En este tema vamos a estudiar los Circuitos de Autolevacin (Emisor y Colector comn) y
Circuitos Darlington

CIRCUITOS DE AUTOELEVACIN
Emisor Comn con Autoelevacin
Circuito
Vcc
+V

R1 RC
CC
CB +
+ R
Q1
1
+
3 2
C RL
RE1
+
Vin R2
-
+

RE2 CE

Tenemos el siguiente anlisis del circuito considerando todos los capacitores en cortocircuito:

31
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Rin = ( R + R1 R 2 RE1 ) RinT = ( R + RB RE1 ) RinT


RinT = ( + 1)(re + RE1 R1 R2 ) = ( + 1)(re + RE1 R B )
Para el anlisis en sea l vamos a analizar el voltaje en los puntos 1, 2 y 3 del la grfica
v1 = vin C B cortocircuito
v2 = v1 Seguidor emisor
v3 = v2 C cortocircuito
v1 = v3
Entonces para seal tenemos que :
iR = 0
R=
Rin = RinT

En este circuito, como caracterstica importante es que la impedancia de entrada ya no


depende de RB subiendo los niveles de Rin.
Una gran ventaja es que los voltajes Vcc son ms bajos.
Desde el punto de vista terico se puede asumir el valor mnimo de RC.
Resulta ms sencillo el diseo ya que se puede asumir VE y no va influir en la impedancia de
entrada. A continuacin se presenta un ejemplo de diseo.

Ejercicio
A = 20
vop = 1V
RL = 2.7 k
Rin 10k
f = 1 kHz
= 100
Vcc
+V

R1 RC
CC
CB +
+ R
Q1

C RL
RE1
+
Vin R2
-
+

RE2 CE

Empezamos el diseo con la ecuacin de Req para obtener la condicin de RC.

32
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

A
Req Rin
( + 1)

20
RC || RL *10k
101
RC || RL 1.98 k
RC 7.43 k

Asumo Rc = 8.2 k ; asumo este valor de resistencia observando el voltaje de salida para no obtener
un Vcc muy alto lo cual implica ms gastos.

Req = RC || RL = 8.2k || 2.7k = 2.03 k

Asumimos resistencias de tolerancia 10 %

RC
VRC vop
Req
8.2k
VRC 1V VRC 4.03V por factor de seguridad VRC 4.84V
2.03k

Asumimos VRC = 5V

VRC 5V
IC = = = 0.609 mA
RC 8.2k

25mV 25mV
re = = = 41
IE 0.609mA

Req
A= ; donde RB = R1 || R2
re + (RE1 || RB )

Req 2.03k
re + (RE1 || RB ) = = = 101.5
A 20

33
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Comparando este ltimo valor con re , observamos que no es mucho mayor por lo que no es
estable termicamente, para corregir asumimos nuevo re
re = 10
25mV 25mV
IC = = = 2.5mA
re 10
VRC = I C * RC = 2.5mA * 8.2 K = 20.5V

RE1 || RB = 101.5 re = 101.5 10 = 91.5


vop
1V
vinp = =
= 0.05V
A 20
Ahora como estamos realizando con autoelevacin podemos asumir el valor de VE sin que afecte
nuestro valor de Rin.
VE 1V + vinp VE 1V + 0.05V VE 1.05V por el factor de seguridad VE 1.26V
VE = 2V
VE 2V
RET = = = 800
I E 2.5mA

VCE vop + vact + vinp ; VCE 1V + 2V + 0.05 VCE 3.05V

Vcc = VE + VCE + VRC = 2V + 3.05V + 20.5V = 25.55V


Vcc = 26V el exceso envio a VCE para asegurar ms que el TBJ este en la reg, activa
Ahora pasamos al diseo del lado de entrada para eso utilizamos la relacin
I 2.5mA
IB = C = = 0.025mA
100

I 2 >> I B Estabilidad de polarizacin


I 2 = 0.25mA
I1 = I B + I 2 = 0.025mA + 0.25mA = 0.275mA

Las variaciones del voltaje en la resistencia R deben ser despreciables para mantener el voltaje en el
emisor constantes y no afecte al diseo previamente realizado. Para lograr esto se plantea la siguiente
condicin
VR << VJBE
VR = 0.06V
Entonces con los datos I B y VR obtengo el valor de R,
2.7 k
VR 0.06V
R= = = 2.4k 2.2 k
I B 0.05mA
R = 2.2k se selecciona el menor para que VR sea aun mucho menor que VJBE

34
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

VB VE + VJBE + VR 2V + 0.6V + 0.06V


R2 = = = = 10.64k
I2 I2 0.25mA
R2 = 10k
Vcc VB 26V 2.66V 91k
R1 = = = 84.87 k 82 k
I1 0.275mA
R1 = 82k
RB = R1 || R2 = 82k || 10k = 8.91k
RE1 || RB = 91.5
RE1 = 92.44
RE1 = 91
750
RE 2 = RET RE1 = 800 91 = 709 680

RE 2 = 680
Rin = RinT Autoelevacin
Rin = ( + 1)(re + RE1 || RB ) = 101(10 + 91 || 8.91k) = 10.1k

Calculo de Capacitores
Capacitor de entrada) Capacitor de salida
X B << Rin
1 X C << RL
C B >> 1
2. . f min Rin CC >>
1 2. . f min RL
C B >> 1
2. .1kHz *10.1k C B >>
C B >> 15.75nF 2. .1kHz * 2.7k
C B = 0.47 F C B >> 58.94nF
C B = 1F

Capacitor de Emisor
X E << RE 2 X E << re + RE1
1 1
C E >> C E >>
2. . f min RE 2 2. . f min (re + RE1 )
1 1
C E >> C E >>
2. .1kHz * 680 2. .1kHz(10 + 91 )
C E >> 234nF C E >> 1.58F
C E = 22 F

Capacitor de autoelevacin (C)


Req
A=
re + (RE1 || ( X + RB ))
Req
Si X << RB A =
re + (RE1 || RB )
1
C >>
2 . f min .RB

35
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

En el ejemplo
X << RB
1
C >>
2. . f min RB
1
C B >>
2. .1kHz * 8.91k
C B >> 17.86nF
C B = 0.22F

Colector Comn con Autoelevacin


Circuito
Vcc
+V

R1

CB

+ R
Q1
1 CE
+ +
3 2
C
+
Vin R2
- RE RL

Tenemos el siguiente anlisis del circuito considerando todos los capacitores en cortocircuito:

Rin = ( R + R1 R 2 RE RL ) RinT = ( R + RB Req ) RinT


RinT = ( + 1)(re + RE R L RB )
Para el anlisis en seal vamos a analizar el voltaje en los puntos 1, 2 y 3 de la grfica
v1 = vin C B cortocircuito
v2 = v1 Seguidor emisor
v3 = v2 C cortocircuito
v1 = v3
Entonces para seal tenemos que :
iR = 0
R=
Rin = RinT

Tenemos entonces las mismas caractersticas que en el circuito emisor comn con
autoelevacin pero en este caso la ganancia de este circuito es menor o igual a 1. Entonces
este circuito lo podemos emplear como acoplador de impedancias.

36
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Ejercicio
vop = 1V Vcc
+V

RL = 4.7 k
Rin 10k
f = 1 kHz R1

= 100 CB

+ R
Q1
CE
+ +

C
+
Vin R2
- RE RL

Rin
R 'eq
( + 1)
10k
R 'eq
101
RE || RL || RB 99

Si RB >> ( RL || RE )
R'eq Req ; Req = RL || RE
Req 99k
RE 101.13
Asumo RE = 390
Req = RE || RL = 390 || 4.7k = 360.11
Asumimos resistencias de tolerancia 10 %
R
VRE E vop
Req
390
VRC 1V VRC 1.08V por factor de seguridad VRC 1.29V
360.11
Asumimos VRE = VE = 2V
VE 2V
IE = = = 5.13 mA
RE 390
25mV 25mV
re = = = 4.875
IE 5.13mA
re + Req = 4.875 + 360.11 = 394.99
Comparando este ltimo valor con re , observamos que es mucho mayor por lo que es estable
termicamente
VCE vop + vact ; VCE 1V + 2V VCE 3V
Vcc = VCE + VE = 2V + 3V = 5V

37
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Vcc = 6V el exceso envio a VCE para asegurar ms que el TBJ este en la reg, activa

Ahora pasamos al diseo del lado de entrada para eso utilizamos la relacin
I 5.13mA
IB = E = = 0.051mA
+1 101

I 2 >> I B Estabilidad de polarizacin


I 2 = 0.51mA
I1 = I B + I 2 = 0.051mA + 0.51mA = 0.561mA

Las variaciones del voltaje en la resistencia R deben ser despreciables para mantener el voltaje en el
emisor constante y no afecte al diseo previamente realizado. Para lograr esto se plantea la siguiente
condicin
VR << VJBE
VR = 0.06V
Entonces con los datos I B y VR obtengo el valor de R,
VR 0.06V
R= = = 1.18k
I B 0.051mA
R = 1.2k
V V + VJBE + VR 2V + 0.6V + 0.06V
R2 = B = E = = 5.2k
I2 I2 0.51mA
R2 = 5.6k
Vcc VB 6V 2.66V
R1 = = = 5.65k
I1 0.561mA
R1 = 5.6k
RB = R1 || R2 = 5.6k || 5.6k = 2.8k
Rin = RinT Autoelevacin
Rin = ( + 1)(re + Req || RB ) = 101(4.875 + 360.11 || 2.8k) = 32.7 k

Calculo de Capacitores

Capacitor de entrada) Capacitor de salida


X B << Rin X C << RL
1 1
C B >> CC >>
2. . f min Rin 2. . f min RL
1 1
C B >> C B >>
2. .1kHz * 32.7 k 2. .1kHz * 4.7k
C B >> 4.86nF C B >> 33.86nF
C B = 0.1F C B = 0.47 F

38
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Capacitor de autoelevacin (C)


X << RB
1
C >>
2. . f min RB
1
C B >>
2. .1kHz * 2.8k
C B >> 56.84nF
C B = 0.68F

CIRCUITO DARLINGTON
Una conexin muy popular de dos TBJ para operar como un transistor con superbeta es la
conexin Darlington, mostrada en la siguiente figura.
C
C

B Q1
NPN
= B QD
NPN

Q2
NPN

La principal caracterstica de la conexin Darlington es que el transistor compuesto acta


como una unidad simple con una ganancia de corriente que es el producto de las ganancias de
corriente de los transistores individuales.

La conexin Darlington de transistores proporciona un transistor que cuenta con una ganancia
de corriente muy grande, por lo general en el orden de los miles

Existen transistores Darlington encapsulados en el mercado en los cuales internamente ya esta


realizada la conexin de los dos transistores. Como por ejemplo el ECG268 (NPN) y el
ECG269 (PNP)

Frmulas importantes para transistores Darlington


C

IB1
B Q1
NPN
Q2
NPN
IE1=IB2

IE2

39
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Sea D la beta del transistor Darlington y 1 y 2 las de cada transistor


I E 2 ( 2 + 1)I B 2
D = = ; I B 2 = I E1
I B1 I B1

D =
( 2 + 1)I E1 = ( 2 + 1)(1 + 1)I B1
I B1 I B1

D = (1 + 1)( 2 + 1)
Desde el punto de vista prctico
D = 1. 2

El transistor Darlington va a poseer un reD y va ser igual a :


re1
reD = re 2 +
2 + 1
25mV
reD = re 2 + ; I E1 = I B 2
I E1 ( 2 + 1)
25mV
reD = re 2 +
I B 2 ( 2 + 1)
25mV
reD = re 2 +
IE2
reD = re 2 + re 2
reD = 2.re 2
50mV 50mV
reD = =
IE2 IE

En el caso de transistores PNP la conexin es como muestra la siguiente figura:


E
E
IE2
IE1=IB2
Q2
PNP

=
IB1 B Q3
B Q1 PNP
PNP

Ejercicio
Realizar un circuito amplificador que cumpla con las siguientes condiciones
A = 12
vop = 5V
RL = 2.7 k
Rin 50k
f = 1 kHz
= 100

40
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Planificacin
Diagrama de bloques

A
Req Rin
( + 1)
12
Req * 50k
101
RC || RL 6k con RL = 2.7k no se puede implementar el circuito

Utilizo Darlington
A
Req Rin
D
12
Req * 50k
100 * 100
RC || RL 60 con RL = 2.7 k Ahora si se puede implementar el circuito
RC 61.36
Por facilidad en el diseo tambin hago con autoelevacin que incluso me ayudar a tener
Vcc ms bajos
Vcc
+V

R1 RC
CC
+
CB R3
Q1
+
Q2

C RL
RE1
+
Vin R2 R4
-
+

RE2 CE

La resistencia R4 es para descargar la juntura base emisor de Q2 ya que hay capacidades en


las junturas y hay que realizar la descarga para que no haya distorsin de la seal dentro del
procedimiento de diseo se va a indicar la forma de calcular esta resistencia

Asumimos resistencias de tolerancia 20 %

41
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Observando el v op y R L asumo R C
RC = 270
Req = RC || RL = 270 || 2.7k = 245.45
RC
VRC vop
Req
270
VRC 5V VRC 5.5V por factor de seguridad VRC 7.145V
245.45
Asumimos VRC = 7.5V
VRC 7.5V
IC = = = 27.8 mA
RC 270
50mV 50mV
reD = = = 1.8
IC 27.8mA
Req
245.45
reD + (RE1 || RB ) = == 20.45
A 12
Comparando este ltimo valor con reD , observamos que es mucho mayor por lo que es estable
termicamente.
RE1 || RB = 20.45 re = 20.45 1.8 = 18.65
vop
5V
vinp = =
= 0.417V
A 12
Ahora como estamos realizando con autoelevacin podemos asumir el valor de VE sin que afecte
nuestro valor de Rin. En la inecuacin de VE ahora colocamos 2V para Darlington por la presen -
cia de dos junturas
VE 2V + vinp VE 2V + 0.417V VE 2.42V por el factor de seguridad VE 3.14V
VE = 3.5V
VE 3.5V
RET = = = 125.9
I E 27.8mA
Para el caso de VCE ponemos al menos 3V para v sat
VCE vop + vactD + vinp ; VCE 5V + 3V + 0.417V VCE 8.42V

Vcc = VE + VCE + VRC = 3.5V + 8.42V + 7.5V = 19.42V


Vcc = 20V El exceso es enviado a VCE
Ahora pasamos al diseo del lado de entrada para eso utilizamos la relacin
IC 27.8mA
IB = = = 2.78A
D 10000

I 2 >> I B Estabilidad de polarizacin


I 2 = 27.8A

42
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

I1 = I B + I 2 = 2.78A + 27.8A = 30.58A

VR3 << VJBED VJBED = 1.2V por la presencia de dos junturas


VR 3 = 0.1V
Entonces con los datos I B y VR3 obtengo el valor de R,
33 k
V 0.1V
R3 = R3 = = 35.97 k 39 k
IB 2.78A
R3 = 33k se selecciona el menor para que VR sea an mucho menor que VJBE
VB VE + VJBE + VR 3.5V + 1.2V + 0.1V
R2 = = = = 172.7 k
I2 I2 27.8A
R2 = 180k
Vcc VB 20V 4.8V 470 k
R1 = = = 497 k 560 k
I1 30.58A
R1 = 470k
RB = R1 || R2 = 470k || 180k = 130.15k
RE1 || RB = 18.65
RE1 = 18.65
RE1 = 18
100
RE 2 = RET RE1 = 125.9 18 = 107.9 120

RE 2 = 100
Rin = RinTD Autoelevacin
Rin = ( D)(reD + RE1 || RB ) = 10000(1.8 + 18 || 130.15k) = 197.97k
Para la resistencia R 4 hacemos que la corriente que va por esta sea muy pequea para que no
haya desvi de corriente y cambie el valor de I B variando todos los valores y afectando al diseo
i 4 << ib 2
R4 >> RinT 2
reD 1.8
RinT 2 = ( 2 + 1)(re 2 + RE1 || RB ) re 2 =
= = 0.9
2 2
RinT 2 = (101)(0.9 + 18 || 130.15k ) = 1.91k
R4 >> 1.91k
18 k
R4 = 19.1k 22 k al escoger el menor el tiempo de descarga va a disminuir
R4 = 18k

43
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Calculo de Capacitores
Capacitor de entrada Capacitor de salida
X B << Rin X C << RL
1 1
C B >> CC >>
2. . f min Rin 2. . f min RL
1 1
C B >> C B >>
2. .1kHz *197.97k 2. .1kHz * 2.7k
C B >> 803.9 pF C B >> 58.94nF
C B = 10nF C B = 1F

Capacitor de Emisor
X E << RE 2 X E << re + RE1
1 1
C E >> C E >>
2. . f min RE 2 2. . f min (reD + RE1 )
1 1
C E >> C E >>
2. .1kHz *100 2. .1kHz (1.8 + 18 )
C E >> 1.59 F C E >> 8.04F
C E = 100F

Capacitor de autoelevacin (C)


X << RB
1
C >>
2. . f min RB
1
C B >>
2. .1kHz *130.15k
C B >> 1.22nF
C B = 47nF

44
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

AMPLIFICADORES EN CASCADA

El presente tema nos introduce a la necesidad de emplear dos o mas amplificadores


conectados en cascada con el propsito de que nuestro sistema amplificador pueda reunir las
caractersticas que con el empleo de un solo amplificador (con un solo elemento activo) no se
podran obtener: por ejemplo si el problema de diseo consiste en construir un amplificador
que tenga una impedancia de entrada muy alta (por ejemplo 1 M) y que a su vez nos
proporcione una ganancia de voltaje considerable (por ejemplo 80) entonces podemos
percatamos que ningn amplificador de una sola etapa resolvera el problema. Sin embargo,
para este caso, si conectamos varias etapas de amplificacin, entonces el propsito de diseo
podra cumplirse.

El siguiente grfico muestra la forma esquemtica de una conexin en cascada:

Para analizar la ganancia total de un amplificador en cascada vamos a hacerlo con dos etapas,
este anlisis sirva para n etapas.

Sea el siguiente diagrama de bloques

vo
A=
vin
A2 vin 2
A= ; vin 2 = vo1
vin
A2 vo1
A=
vin
A2 . A1vin
A=
vin
A = A1. A2

A = A1 * A2 * A3 * .......... * An para n etapas conectadas en cascada

45
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

TIPOS DE ACOPLAMIENTO
En cuanto al dispositivo que utilicemos para interconectar las etapas, nos permitir definir el
tipo de acoplamiento a utilizar. Los dispositivos usuales de acoplamiento son: Cable,
condensador, y transformador.

Acoplamiento Capacitivo
Permite desacoplar los efectos de polarizacin entre las etapas. Permite dar una mayor
libertad al diseo. Pues, la polarizacin de una etapa no afectar a la otra.

Acoplamiento Directo
Consiste bsicamente en interconectar directamente cada etapa mediante un cable. Presenta
buena respuesta a baja frecuencia. Tpicamente se utilizan para interconectar etapas de emisor
comn con otras de seguidor de emisor.

Acoplamiento Inductivo
Muy popular en el dominio de las radiofrecuencias (RF). Seleccionando la razn de vueltas en
el transformador permite lograr incrementos de tensin o de corriente.

ACOPLAMIENTO CAPACITIVO

El diseo de amplificadores se inicia desde las ltimas etapas hacia la primera. Se debe
colocar las mayores ganancias al principio y las menores en las ltimas etapas para disminuir
la distorsin no lineal o distorsin de amplitud. La distorsin no lineal es cuando el ciclo
positivo de la seal no es igual al ciclo negativo.

Hay que tener en cuenta que en el diseo la resistencia de carga que observa una etapa es la
impedancia de entrada de la siguiente y as sucesivamente hasta llegar a la carga.

El Vcc de la primera etapa que se disea debe abastecer a todas las etapas subsiguientes. En
realidad se puede hacer varias fuentes Vcc para cada etapa pero implica un gasto innecesario.
Si el Vcc inicialmente calculado es muy grande para las otras etapas se recomienda enviar el
exceso de voltaje a VCE y si es muy grande aun para las caractersticas del TBJ se puede
implementar la siguiente conexin y enviar el exceso de voltaje DC a la resistencia que en la

46
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

grfica es rotulada como RC3 y conectada con capacitor en paralelo para que su
funcionamiento solo sea para la parte de polarizacin (DC) del TBJ

Vcc
+V

C
RC3

RC2 CC

Q1
NPN

A continua se presenta un ejemplo de diseo de un amplificador en cascada con acoplamiento


capacitivo con las siguientes condiciones.

A = 120
vop = 3V
RL = 1 k
= 100

Como observamos en los datos tenemos una ganancia muy alta que debe realizarse con varias
etapas. Para iniciar con el diseo procedemos a realizar la planificacin en la que consta el
nmero de etapas y en que configuracin est cada una.

Vamos a realizar un diseo de dos etapas; la primera en emisor comn de ganancia de 12 y la


segunda etapa en base comn de ganancia 10. Graficamos el diagrama de bloques del circuito.

Realizamos el circuito a disear:

47
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Diseo de la segunda etapa (configuracin base comn)


Se la realiza normalmente como si fuese una sola etapa y considerando los voltajes de entrada
y salida del bloque segn el diagrama, por lo tanto

Asumo Rc2 = 1 k ; asumo este valor observando el voltaje de salida para no obtener un Vcc muy alto
y RL
Asumimos resistencias de tolerancia 10 %, por lo tanto factor de seguridad de 1.2 para ambas etapas
Req = RC 2 || RL = 1k || 1k = 500
RC 2
VRC 2 vop
Req
1k
VRC 2 3V VRC 2 6V multiplicado por el factor de seguridad VRC 2 7.2V
500
Asumimos VRC 2 = 7.5V
VRC 2 7.5V
IC 2 = = = 7.5 mA
RC 2 1k
I C 2 = I E 2 xq es alto
25mV 25mV
re = = = 3.3
IC 2 7.5mA
Req 500
re + RE 3 = =
A2 10
re + RE 3 = 50
Comparando este ltimo valor con re , observamos que es mucho mayor por lo tanto se concluye que
es estable termicamente.

48
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

RE 3 = 50 re = 50 3.3 = 46.66
RE 3 = 47
VCE 2 vop + vact ; VCE 2 3V + 2V VCE 2 5V

VRE4 1V + vinp VRE2 1V + 0.3V VRE4 1.3V por el factor de seguridad VRE2 1.56V
VRE 4 = 1.56V
VRE 4 1.56V
RE 4 = = = 208 Al escoger el inmediato superior aseguro estab. trmica
IE2 7.5mA
RE 2 = 220
VE 2 = I E 2 (RE 3 + RE 4 ) = 7.5mA(47 + 220 ) = 2.002V

Vcc = VE 2 + VCE 2 + VRC 2 = 2V + 5V + 7.5V = 14.5V


Vcc = 15V el exceso envio a VCE2 para asegurar ms que el TBJ este en la reg, activa

IC2 7.5mA
I B2 = = = 0.075mA
100

I 4 >> I B2 Estabilidad de polarizacin


I 4 = 0.75mA
I 3 = I B 2 + I 4 = 0.075mA + 0.75mA = 0.825mA

VB 2 VE 2 + VJBE 2V + 0.6V 3.3 k


R4 = = = = 3.47 k 4.7 k
I4 I2 0.75mA
R4 = 3.3k
Vcc VB1 15V 2.6V
R3 = = = 15.03k
I3 0.825mA
R1 = 15k
Los criterios de eleccin de las resistencias se basan en la influencia de la tolerancia y cual de ellas
ofrece mayor estabilidad al circuito.
Rin2 = RE 4 || (re + RE 3 ) = 220 || (47 + 3.33 ) = 40.96

Diseo de la Primera etapa


Para este diseo tengo como datos Rin2 que es el RL para esta etapa y Vcc

Este ejemplo tiene como propsito el practicar. Pero en realidad no se debe hacer as ya que
no es recomendable conectar la primera etapa en emisor comn y la segunda en base comn
ya que el emisor comn ve una impedancia muy baja generada por la etapa en base comn.

Como conclusin podemos decir que toca hacer un anlisis profundo si se desea hacer las
etapas con distintas configuraciones y tener en cuenta las caractersticas de cada
configuracin como es el caso del colector comn que tiene alta impedancia de entrada pero
no amplifica la seal o en el caso del de base comn que ofrece una ganancia pero su
impedancia de entrada es muy baja; y finalmente el emisor comn que ofrece ganancia y una
49
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

alta impedancia de entrada. A ms de esto podemos aadir los circuitos de alta impedancia en
una o varias etapas

Asumo RC1 = 390


Req1 = RC1 || Rin 2 = 390 || 40.96 = 37.06
RC1
VRC1 vop
Req1
390
VRC1 0.3V VRC1 3.16V por factor de seguridad VRC 3.78V
37.06
Asumimos VRC1 = 4V
VRC1 4V
I C1 = = = 10.25 mA
RC1 390
25mV 25mV
re = = = 2.44
I E1 10.25mA
Req1 37.06k
re + RE1 = = = 3.09
A1 12
El circuito no es estable termicamente, corregimos
Asumo re = 0.25
25mV
I C1 = = 100mA
0.25
VRC1 = I C1 * RC1 = 100mA * 390 = 39V
RE1 = 3.09 re = 3.09 0.25 = 2.84
RE1 = 2.7
VCE vop + vact + vinp ; VCE 0.3V + 2V + 25mV VCE 2.325V

VE 1V + vinp VE 1V + 25mV VE 1.025V por el factor de seguridad VE 1.23V


VE = 2V
VE 2V
RET = = = 20
I E 100mA
RE 2 = RET RE1 = 20 2.7 = 17.3
RE 2 = 18
Vcc = VE1 + VCE1 + VRC1 = 2V + 2.325V + 39V = 43.325V
Vcc = 45V el exceso envio a VCE1 para asegurar ms que el TBJ este en la reg, activa
I C1 100mA
I B1 = = = 1mA
100
I 2 >> I B Estabilidad de polarizacin
I 2 = 10mA
I1 = I B + I 2 = 10mA + 1mA = 11mA

50
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

VB1 VE1 + VJBE 2V + 0.6V


R2 = = = = 260
I2 I2 10mA
R2 = 270
Vcc VB 45V 2.6V
R1 = = = 3.85k
I1 11mA
R1 = 3.9k
RB = R1 || R2 = 3.9k || 270 = 252.5
Rin = RB || RinT = RB || (( + 1)(re + RE1 ) ) = 252.5 || (101(0.25 + 2.7 )) = 136.6

Para que la fuente de 45V abastezca los 15V de la segunda etapa se recalcula R 3 y el resto
no cambia ya que la diferencia de voltaje sa va a VCE2
Vcc VB 45V 2.6V 47 k
R3 = = = 51.39k
I3 0.825mA 56 k

R3 = 56k
VCE 2 = Vcc VRC 2 VE 2 = 45V 7.5V 2V = 35.5V
Hay que tener encuenta este voltaje ya que puede daar al transistor seleccionado.
O se puede hacer lo que se indico anteriormente cuando se tiene mucho voltaje en VCE

Si es el caso de que Rin depende de RB2 es necesario poner la nueva R3 con un capacitor en
paralelo.

Clculo de capacitores

X 5 << RL X 4 << RB 2 X 3 << RE1 + re


1 1 1
C5 >> C4 >> C3 >>
2. . f min RL 2. . f min RB 2 2. . f min (RE1 + re )
1 1 1
C5 >> C4 >> C3 >>
2. .1kHz *1k 2. .1kHz * (56k || 3.3k ) 2. .1kHz * (2.7 + 0.25 )
C5 >> 159.15nF C4 >> 51.07 nF C3 >> 53.9F
C5 = 2.2F C4 = 0.68F C3 = 1000F

X 2 << Rin2 X 1 << Rin1


1 1
C2 >> C1 >>
2. . f min Rin2 2. . f min Rin1
1 1
C2 >> C1 >>
2. .1kHz * 40.96 2. .1kHz *136.6
C2 >> 3.88F C1 >> 1.165F
C2 = 47 F C1 = 18F

51
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Como observamos en el ejercicio anterior hay valores exagerados de Vcc y de algunas


resistencias, esto se debe a la incompatibilidad que existe al conectar la primera etapa en
emisor comn y la segunda en colector comn.

Ahora vamos a hacer un ejercicio en que las dos etapas son en emisor comn para observar la
mejora. Los datos son los mismos que el ejercicio anterior pero aadimos una condicin de
impedancia de entrada.
A = 120
vop = 3V
RL = 1 k
Rin 10k
= 100

Planificacin
Haciendo la primera etapa con ganancia de 12 y la segunda con ganancia de 10
A1 12
Req1 Rin; Req1 * 10k Req1 1.2k
( + 1) 100
RC1 || Rin2 1.2k
Rin2 1.2k peor condicin

A2 10
Req 2 Rin2 ; Req 2 *1.2k Req 2 120
( + 1) 100
RC 2 || RL 120
RC 2 136.36

Haciendo la segunda etapa con autoelevacin.


Vcc
+V

R1 RC1 R3 RC
C2
C4
+ +
C1
Q2 R5
Q1
+
+
RE1 C5 RL
RE3
Vin1 +
R2 R4
-
+

RE2
+

C3 RE4 C6

Diseo de la segunda etapa


Asumimos resistencias de tolerancia 10 %

52
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Asumo RC 2 = 1k ;
Req = RC || RL = 1k || 1k = 500
RC2
VRC 2 vop
Req
1k
VRC 2 1V VRC 2 5V por factor de seguridad VRC 6V
500
Asumimos VRC = 7.5V
VRC 2 7.5V
IC 2 = = = 7.5 mA
RC 2 1k
25mV 25mV
re 2 = = = 3.33
IE2 7.5mA
RB 2 = R3 || R4
Req 500
re 2 + (RE 3 || RB 2 ) = = = 50 Estable termicamente
A2 10
RE 3 || RB = 50 re 2 = 50 3.3 = 46.66
VCE 2 vop + vact + vinp ; VCE 2 3V + 2V + 0.3 VCE 2 5.3V

VE2 1V + vinp VE2 1V + 0.3V VE2 1.3V por el factor de seguridad VE2 1.56V
VE 2 = 2V
VE 2 2V
RET = = = 266.67
I E 2 7.5mA

Vcc = VE 2 + VCE 2 + VRC 2 = 2V + 5.3V + 7.5V = 14.8V


Vcc = 15V el exceso envio a VCE2 para asegurar ms que el TBJ este en la reg, activa

IC 2 7.5mA
I B2 = = = 0.075mA
100

I 4 >> I B2 Estabilidad de polarizacin


I 4 = 0.75mA
I 3 = I B 2 + I 4 = 0.075mA + 0.75mA = 0.825mA
VR5 << VJBE
VR 5 = 0.06V
Entonces con los datos I B y VR obtengo el valor de R,
VR5 0.06V
R5 = = = 800
I B 2 0.075mA
R = 820

53
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

VB 2 VE 2 + VJBE + VR 5 2V + 0.6V + 0.06V


R4 = = = = 3.54k
I4 I4 0.75mA
R4 = 3.3k
Vcc VB 2 15V 2.66V
R3 = = = 14.95k
I3 0.825mA
R3 = 15k
RB 2 = R3 || R4 = 15k || 3.3k = 2.705k
RE 3 || RB 2 = 46.67
RE 3 = 47.5
RE 3 = 47
RE 4 = RET RE 3 = 266.67 47 = 219.67
RE 4 = 220
Rin2 = RinT Autoelevacin
Rin2 = ( + 1)(re + RE1 || RB ) = 101(3.33 + 47 || 2.705k) = 5k

Diseo de la primera etapa


Req1 1.2k
RC1 || Rin2 1.2k
RC1 1.58k

Asumo RC1 = 4.7 k ;


Req1 = RC1 || Rin2 = 4.7k || 5k = 2.42 k
RC1
VRC1 vop
Req1
4.7k
VRC1 0.3V VRC1 0.582V por factor de seguridad VRC1 0.699V
2.42k
Asumimos VRC = 1V
VRC1 1V
I C1 = = = 0.213 mA
RC1 4.7k
25mV 25mV
re1 = = = 117.5
I C1 0.213mA
Req12.42k
re1 + RE1 = =
A 12
re1 + RE1 = 201.89
Por lo tanto no es estable termicamente
Entonces asumo re1 = 20
25mV 25mV
I C1 = = = 1.25mA
re1 20
VRC1 = I C1 * RC1 = 1.25mA * 4.7 k = 5.875V

54
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

RE1 = 201.89 re 2 = 201.89 20 = 181.89


RE1 = 180
VCE1 vop + vact + vinp ;
VCE1 0.3V + 2V + 25mV VCE1 2.325V x fact. seg. VCE1 2.325V

VE1 = Vcc VRC VCE1 = 15V 5.875V 2.79V = 6.33V


VE1 6.33V
RET = = = 5.06k
I E1 1.25mA
RE 2 = RET RE1 = 5.06k 180 = 4.88k
RE 2 = 4.7 k
I C1 1.25mA
I B1 = = = 0.0125mA
100
I 2 >> I B Estabilidad de polarizacin
I 2 = 0.125mA
I1 = I B + I 2 = 0.0125mA + 0.125mA = 0.1375mA
VB1 VE1 + VJBE 6.33V + 0.6V
R2 = = = = 55.4k
I2 I2 0.125mA
R2 = 56k
Vcc VB1 15V 6.93V
R1 = = = 58.7k
I1 0.1375mA
R1 = 56k
RB1 = R1 || R2 = 56k || 56k = 28k
Rin1 = RB1 || ( + 1)(re + RE1 ) = 28k || (101 * (20 + 180) ) = 11.73k

Despus de realizado este ejercicio se recomienda hacer ambas etapas con autoelevacin.
Si se desea hacer sin autoelevacin pero no se cumple con Rin basta aadir R y C de
autoelevacin, esto no vara los clculos en nada.

Calculo de capacitores
X 1 << Rin1 X 2 << Rin2 X 3 << RE1 + re
1 1 1
C1 >> C2 >> C3 >>
2. . f min Rin1 2. . f min Rin2 2. . f min (RE1 + re )
1 1 1
C1 >> C2 >> C3 >>
2. .1kHz *11.73k 2. .1kHz * 5k 2. .1kHz * (180 + 20 )
C1 >> 13.57nF C2 >> 31.8nF C3 >> 795nF
C1 = 0.22F C2 = 0.47 F C3 = 10F

55
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

X 4 << RL X 5 << RB 2 X 6 << re + RE 3


1 1 1
C4 >> C5 >> C6 >>
2. . f min RL 2. . f min RB 2 2. . f min (re + RE 3 )
1 1 1
C4 >> C5 >> C6 >>
2. .1kHz *1k 2. .1kHz * (15k || 3.3k ) 2. .1kHz * (3.33 + 47 )
C4 >> 159.15nF C5 >> 58.8nF C6 >> 3.16F
C4 = 2.2F C5 = 1F C6 = 47 F

Ejercicio
Realizar el anlisis inicial para un diseo con las siguientes condiciones:

A = 15
vop = 4V
RL = 100
Rin 100k

Ya que la ganancia es baja se puede realizar con una etapa

A 15
Req Rin; Req * 100k Req 15k
( + 1) 100
RC || RL 15k
Ya que el valor de R L es 100 es imposible realizar este cirucito de la forma planificada.

Probemos ahora con una etapa y utilizando Darlington


A 15
Req Rin; Req *100k Req 150
D 100 *100
RC || RL 150
Tampoco se puede lograr con Darlington por el valor de R L

Ahora se intenta resolver este ejercicio con 2 etapas

56
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

A1 5
Req1 Rin; Req1 * 100k Req1 5k
( + 1) 100
RC1 || Rin2 5k
Rin2 5k peor condicin

A2 3
Req 2 Rin2 ; Req 2 * 5k Req 2 150
( + 1) 100
RC 2 || RL 150
Ya que el valor de R L es 100 es imposible realizar este cirucito de la forma planificada.

Probemos ahora con Darlington en la segunda etapa :


A 3
Req 2 2 Rin2 ; Req 2 * 5k Req 2 1.5
D 100 2
RC 2 || RL 1.5
RC 2 1.52

Lo que intentamos demostrar en este ejercicio es que tambin al hacer con multietapa se tiene
circuitos de alta impedancia de entrada. Otra opcin en el ejercicio anterior es realizarlo con
dos etapas, la primera etapa con emisor comn y una ganancia de 15 y la segunda etapa
realizar una configuracin en colector comn.

Ejercicio
A = 150
vop = 5V
RL = 1 k
Rin 100k
= 100

Planificacin
Haciendo la primera etapa con ganancia de 15 y la segunda con ganancia de 10

57
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

A1 15
Req1 Rin; Req1 *100k Req1 14.85k
( + 1) 101
RC1 || Rin2 14.85k
Rin2 14.85k peor condicin

A2 10
Req 2 Rin2 ; Req 2 *14.85k Req 2 1.47 k
( + 1) 101
RC 2 || RL 1.47
Con esta planificacin no se puede obtener la impedancia de entrada requerida
Hacemos la segunda etapa con Darlington :
A 10
Req 2 2 Rin2 ; Req 2 *14.85k Req 2 14.85
D 100 2
RC 2 || RL 14.85
RC 2 15.07

Haciendo ambas etapas con autoelevacin.


Vcc
+V

R4 RC2
R1 RC1
C6
C4 +
C1 +
Q1
+ R3 NPN
Q3 R6
NPN Q2NPN

+ +

C2 C5 RL
RE1 RE3
+
Vin1 R2 R5 R7
-
+

RE2 C3 RE4 C7

Diseo de la segunda etapa

Asumimos resistencias de tolerancia 10 %

Asumo RC 2 = 100 ;
Req = RC 2 || RL = 100 || 1k = 90.9
RC2
VRC 2 vop
Req
100
VRC 2 5V VRC 2 5.5V por factor de seguridad VRC 6.6V
90.9

58
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Asumimos VRC = 7V
VRC 2 7V
IC 2 = = = 70 mA
RC 2 100
50mV 50mV
re 2 = = = 0.714
IE2 70mA
RB 2 = R4 || R5
Req 90.9
reD + (RE 3 || RB 2 ) = = = 9.09 Estable termicamente
A2 10
RE 3 || RB = 9.09 re 2 = 9.09 0.714 = 8.376
VCE 2 vop + vact + vinp ; VCE 2 5V + 3V + 0.5V VCE 2 8.5V

VE2 2V + vinp VE2 2V + 0.5V VE2 2.5V por el factor de seguridad VE2 3V
VE 2 = 3.5V
VE 2 3.5V
RET 2 = = = 50
I E 2 70mA

Vcc = VE 2 + VCE 2 + VRC 2 = 3.5V + 8.5V + 3.5V = 19V


Vcc = 19V

IC 2 70mA
I B2 = = = 7 A
D 100 2

I 5 >> I B2 Estabilidad de polarizacin


I 5 = 70A
I 4 = I B 2 + I 5 = 7 A + 70A = 77 A
VR6 << VJBED
VR 6 = 0.1V
VR6 0.1V
R6 = = = 14.3k
I B 2 7 A
R6 = 12k
VB 2 VE 2 + VJBED + VR 6 3.5V + 1.2V + 0.1V
R5 = = = = 68.5k
I5 I5 70A
R5 = 68k
Vcc VB 2 19V 4.8V
R4 = = = 184.4k
I4 77 A
R4 = 180k

59
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

RB 2 = R4 || R5 = 180k || 68k = 49.35k


RE 3 || RB 2 = 8.376
RE 3 = 8.37
RE 3 = 8.2
RE 4 = RET RE 3 = 50 8.2 = 41.8
RE 4 = 47
R7 >> RinT 2
RinT 2 = ( + 1)(re 2 + RE 3 || RB 2 ) = 101 * (0.357 + 8.2 || 49.35k ) = 864.1
10 k
R7 = 8.64k
8.2 k

R7 = 8.2k
Rin2 = RinTD Autoelevacin
Rin2 = ( D )(reD + RE 3 || RB 2 ) = 100 2 (0.714 + 82 || 49.35k) = 89.13k

Diseo de la primera etapa


Req1 14.85k
RC1 || Rin2 14.85k
RC1 17.81k

Asumo RC1 = 22 k ;
Req1 = RC1 || Rin2 = 22k || 89.13k = 17.64 k
RC1
VRC1 vop
Req1
22k
VRC1 0.5V VRC1 0.623V por factor de seguridad VRC1 0.748V
17.64k
Asumimos VRC = 1V
VRC1 1V
I C1 = = = 45.45A
RC1 22k
25mV 25mV
re1 = = = 550
I C1 45.45A
Req1
17.64k
re1 + RE1 || RB = =
A 15
re1 + RE1 || RB = 1.17k
Por lo tanto no es estable termicamente
Entonces asumo re1 = 100
25mV 25mV
I C1 = = = 250A
re1 100
VRC1 = I C1 * RC1 = 250A * 22k = 5.5V
RE1 || RB = 1.17k re1 = 1.17k 100 = 1.07k

60
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

VCE1 vop + vact + vinp ;


VCE1 0.5V + 2V + 0.033V VCE1 2.533V ( Necesario)

VE1 1V + vinp ; VE1 1V + 0.0333V VE1 10333V por fact seg VE1 1.24V ( Necesario)

Disponemos de Vcc - VRC = 19V 5.5V = 13.5V


VCE1 = 6.5V
VE1 = 7V
VE1 7V
RET = = = 28k
I E1 250A
I C1 250 A
I B1 = = = 2.5A
+1 100

I 2 >> I B Estabilidad de polarizacin


I 2 = 25A
I1 = I B + I 2 = 2.5A + 25A = 27.5A

VR3 << VJBE


VR 3 = 0.06V
VR3 0.06V
R3 = = = 2.4k
I B1 2.5A
R3 = 2.2k
VB1 VE1 + VJBE + VR 3 7V + 0.6V + 0.06V 270 k
R2 = = = = 306.4k 330 k
I2 I2 25A
R2 = 270k

Vcc VB1 19V 7.66V 390 k


R1 = = = 412.36k 470 k
I1 27.5A
R1 = 390k
RB1 = R1 || R2 = 390k || 270k = 159.5k
RE1 || RB1 = 1.07 k
RE1 = 1.08k
RE1 = 1k
RE 2 = RET RE1 = 28k 1.08 = 26.92k
RE 2 = 27 k
Rin1 = RinT 1 = ( + 1)(re1 + RE1 || RB ) = 101 * (100 + 1k || 159.5k) = 110.47 k

61
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Calculo de capacitores
X 1 << Rin1 X 2 << RB1 X 3 << RE1 + re
1 1 1
C1 >> C2 >> C3 >>
2. . f min Rin1 2. . f min RB1 2. . f min (RE1 + re )
1 1 1
C1 >> C2 >> C3 >>
2. .1kHz *110.47k 2. .1kHz * (159.5k ) 2. .1kHz * (1k + 100 )
C1 >> 1.44nF C2 >> 0.99nF C3 >> 144.7nF
C1 = 0.1F C2 = 10nF C3 = 2.2F

X 4 << Rin2 X 5 << RB 2 X 6 << RL


1 1 1
C4 >> C5 >> C6 >>
2. . f min Rin2 2. . f min RB 2 2. . f min RL
1 1 1
C4 >> C5 >> C6 >>
2. .1kHz * 89.13k 2. .1kHz * (49.35k ) 2. .1kHz *1k
C4 >> 1.8nF C5 >> 3.22nF C 6 >> 159 .15nF
C4 = 0.1F C5 = 0.1F C6 = 2.2F

X 7 << reD + RE 3
1
C7 >>
2. . f min (reD + RE 3 )
1
C7 >>
2. .1kHz * (0.714 + 8.2 )
C7 >> 17.8F
C7 = 220F

ACOPLAMIENTO DIRECTO

Amplificador Cascode
El amplificador cascode es un amplificador que mejora algunas caractersticas del
amplificador de Base Comn. El amplificador Base Comn es la mejor opcin en
aplicaciones de altas frecuencias, sin embargo su desventaja es su muy baja impedancia de
entrada. El amplificador cascode se encarga de aumentar la impedancia de entrada pero
manteniendo sobre todo la gran utilidad de la configuracin Base Comn, ventajoso en el
manejo de seales de alta frecuencia. Para conseguir este propsito, el amplificador cascode
tiene una entrada de Emisor Comn y una salida de Base Comn, a esta combinacin de
etapas se le conoce como configuracin cascode.

62
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Circuito

Anlisis

Q1 Emisor Comn A1
A = A1 * A2
Q2 Base Comn A2

re 2
A1 = <1
re1 + RE1 re 2 R Req
A = A1 * A2 = . eq =
R || RL Req re1 + RE1 re 2 re1 + RE1
A2 = C =
re 2 re 2
El procedimiento de diseo se reduce ahora a un diseo de una sola etapa con ganancia
Req
A=
re1 + RE1

Las pricipales caractersticas son detallas en las siguientes frmulas muy importantes en el
procedimiento de diseo

VRC
I C 2 = R
C

IC 2
I C 2 =
2
I E 2 = I C 2 + I B 2

63
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

I C1 = I E 2

I C1
I B1 =
1
I E1 = I C1 + I B1
Para el calculo de re solo se toma la del transistor 1
25mV
re1 =
I E1
Req
re1 + RE1 =
A

Para que no haya distorsin en la onda nos ayudamos del eje vertical de voltajes para realizar
el respectivo anlisis:

VCE 2 vop + vact


VCE1 vop1 + vact + vinp
VE1 1V + vinp

Vcc = VE1 + VCE1 + VCE 2 + VRC

Para el calculo de corriente del lado de entrada ya que tienen que cumplir estabilidad de
polarizacin en ambos TBJ se emplea las siguientes formulas

I 3 >> I B1 Estabilida de polarizacin en Q1


I 2 = I 3 + I B1
I 2 >> I B 2 Estabilida de polarizacin en Q 2
I1 = I 2 + I B 2

VB 2 = VE1 + VCE1 + VJBE 2


VB 2 VB1 = VCE1
VB1 = VE1 + VJBE1
V V VB1 VCE1 Vcc VB 2
R3 = B1 R2 = B 2 = R1 =
I3 I2 I2 I1

64
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Vamos a realizar un ejemplo de diseo de un amplificador Cascode. El circuito es el mismo


indicado al inicio del tema y las condiciones a cumplir son:
A = 120
vop = 3V
RL = 1 k
Rin 10k
= 100

Asumo RC = 270 ;
Req = RC || RL = 270 || 2.7k = 245.45
RC
VRC vop
Req
270
VRC 5V VRC 5.5V por factor de seguridad VRC 6.6V
254.45
Asumimos VRC = 7V
VRC 7V
IC 2 = = = 25.92 mA
RC 270
IC 2 25.92mA
I B2 = = = 0.25mA
100
IE2 = I C 2 + I B 2 = 25.92mA + 0.26mA = 26.18mA
I C1 = I E 2
I C1 26.18mA
IE2
I B1 = = = = 0.262mA
100
I E1 = I C1 + I B1 = 26.18mA + 0.262mA = 26.44mA
25mV 25mV
re1 = = = 0.955
I C1 26.18mA

65
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Req 245.45
re1 + RE1 = = = 8.18
A 30
RE1 = 8.18 re1 = 8.18 0.955 = 7.23
RE1 = 7.5
I 3 >> I B1 Estabilida de polarizaci n en Q 1
I 2 = I 3 + I B1
I 2 >> I B 2 Estabilida de polarizaci n en Q 2
I1 = I 2 + I B 2

V B 2 = V E 1 + VCE 1 + V JBE 2
V B 2 V B1 = VCE 1
V B1 = V E 1 + V JBE 1
V V V B1 VCE 1 Vcc V B 2
R3 = B 1 R2 = B 2 = R1 =
I3 I2 I2 I1
VCE 2 vop + vact ; VCE 2 5V + 2V VCE 2 7V
VCE1 vop1 + vact + vinp
25mV 25mV
re 2 = = = 0.964
IC 2 25.92mA
re 2 .vop 0.964 5V
vop1 = A1 * vinp = = . = 19mV
re1 + RE1 A 0.955 + 7.5 30
5V
VE1 19mV + 2V + ; VCE1 2.19V
30
VE1 1V + vinp VE1 1V + 0.166V VE1 1.16V por fact. seg. VE1 1.39V
VE1 = 2V
Vcc = VE1 + VCE1 + VCE 2 + VRC = 2V + 2.19V + 7V + 7V = 18.19V
Vcc = 20V
Vcc = 20V 18.19V = 1.81V
Vcc hay como enviar a VCE1 o VCE2 . Envio a VCE1
VCE1 = 4V
VE1 2V
RET = = = 75.64
I E1 26.44mA
RE 2 = RET RE1 = 75.64 7.5 = 68.14
RE 2 = 69
I 3 >> I B1 Estabilida de polarizacin en Q1
I 3 = 2.62mA
I 2 = I 3 + I B1 = 2.62mA + 0.262mA = 2.88mA
I 2 >> I B 2 Estabilida de polarizacin en Q 2 ; 2.88mA >> 0.26mA Cumple
I1 = I 2 + I B 2 = 2.88mA + 0.226mA = 3.14mA

66
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

VB 2 = VE1 + VCE1 + VJBE 2


VB 2 VB1 = VCE1
VB1 = VE1 + VJBE1
V V VB1 VCE1 Vcc VB 2
R3 = B1 R2 = B 2 = R1 =
I3 I2 I2 I1
VB1 2V + 0.6V
R3 = = = 992 R3 = 1k
I3 2.62mA
VCE1 3V
R2 = = = 1.042k R2 = 1k
I2 2.88mA
Vcc VB 2 20V 2V 3V 0.6V
R1 = = = 4.58k R1 = 4.7k
I1 3.14mA
Rin = R2 || R3 || ( + 1)(re1 + RE1 ) = 1k || 1K || (101)(0.955 + 7.5) = 315.4

Calculo de capacitores
X 1 << Rin X 2 << re 2 ( 2 + 1)
1 1
C1 >> C2 >>
2. . f min Rin 2. . f min re 2 ( 2 + 1)
1 1
C1 >> C2 >>
2. .1kHz * 315.4 2. .1kHz * 0.964 *101
C1 >> 504.6nF C2 >> 1.6F
C1 = 6.8F C2 = 18F

X 3 << RL X 4 << RE1 + re1


1 1
C3 >> C4 >>
2. . f min RL 2. . f min (RE1 + re )
1 1
C3 >> C4 >>
2. .1kHz * 2.7k 2. .1kHz * (7.5 + 0.955 )
C3 >> 58.9nF C4 >> 18F
C3 = 0.68F C4 = 220F

67
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Amplificador Diferencial
El circuito amplificador diferencial es una conexin extremadamente comn utilizada en
circuitos integrados. Esta conexin se puede describir al considerar el amplificador diferencia
bsico que se muestra en la figura. Este circuito posee dos entradas separadas y dos salidas
separadas y los emisores estn conectados entres s. Mientras que la mayora de los circuitos
amplificadores diferenciales utilizan dos fuentes de voltaje, el circuito puede operar utilizando
slo una de ellas.

Es posible obtener un nmero de combinaciones de seales de entrada:


Si una seal de entrada se aplica a cualquier entrada con la otra entrada conectada a
tierra, la operacin se denomina Terminal simple.

Si se aplican dos seales de entrada de polaridad opuesta, la operacin se denomina


Terminal doble.

Si la mismas entrada se aplica a ambas entradas, la operacin se denomina modo


comn

Anlisis del amplificador diferencial

68
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Vin = Vin1 Vin2

La salida se encuentra en cualquiera de los colectores.

Vo
Q1 EC A1
RC
A1 =
re1 + re 2 || RE

pero si re 2 << RE
RC
A1 = ; re1 = re 2 = re
re1 + re 2
RC
A1 =
2 re

Vo
Q1 CC A1
A = A1 A2
Q2 BC A2

re 2 || RE
A1 =
re1 + re 2 || RE

69
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

si re 2 << RE
re 2
A1 = ; re1 = re 2 = re
re1 + re 2
1
A1 =
2

RC RC
A2 = =
re 2 re

A = A1 A2
1 R
= C
2 re
RC
A=
2 re

Es decir, tenemos la misma seal de salida pero con fase distinta.

RC
A=
re1 + RE1 + RE 2 || ( RE1 + re 2 )

si RE 2 >> re2 + RE1


RC
A= ; re1 = re 2 = re (como sucede en la prctica)
re1 + RE1 + re2 + RE1
RC
A=
2( re + RE1 )

70
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Para el diseo

- Asumimos RC
- Calculamos:
1. VRC
2. IC
3. re
4. re + RE1 comprobando estabilidad con A
5. VCE
6. VE

VCC = VRC + VCE VJBE

VE se puede asumir para tener simetra VE = VCC + VJBE

VRE 2 = VCC VJBE VRE 1 siendo VRE1 = I E RE1

VRE 2
RE 2 =
2IE

Haciendo con simetra, es decir, VCC = VCC RE 2 NO molesta y tenemos:

Implementando la fuente de corriente

71
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

VCE al menos 3V Vact

VC 3 = VCC VJBE VRE1


VCE 3 3V

Primero se debe elegir un Zener tal que VZ < VCC

Asumir VZ

VRE 2 = VZ VJBE
VRE 2
RE 2 =
2IE

Calculando

VCC VZ
R = I

I Z >> I B
I Z I ZT dato que da el manual de tal forma que el Zener funcione al valor deseado

I = I Z + I B

Entonces, si se utiliza una sola fuente

72
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Acoplamiento directo

Es un circuito conectado en cascada pero la nica diferencia es que no se utiliza capacitor


para acoplar sino simplemente un cable
V1
+V

R1 RC1 RC1
IB2
IB2 CC1
+
CB IC
Q2
Q1
+ VB2

RE1 RE4 RL

Vin +
R2
1 KHz -
+
+

RE2 CE RE3 CE1

VB 2 >> VC1
VC1 = VCE1 + VE1
VCE1 >> vop1 + Vact + vinp
VE1 >> 1v + vinp
VRC 2 + VCE 2 VJBE 2 >> VRC1
RC1
VRC1 >> vop1
RC1 Rin 2
I C1 >> I B 2

I RC1 = I C1 + I B 2

73
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Si VB 2 < VC1
Entonces se recalcula VB 2 luego el nuevo VCC y el exceso se manda al voltaje VCE a la regin
activa.
Se realiza el diseo normalmente hasta el calculo de re + RE1 luego se calcula VC1 con lo que
calculo RET
El Q2 esta en emisor comn con lo que se realiza los clculos de Rc, VRc, Ic, re, RE2 y VE=1+
vinp

En el siguiente circuito las condiciones a cumplir son:

V
B 2 = VE + VJBE 2
VB 2 >> VRC1
RC1
VRC1 vop1
RC1 Rin 2
VRC 2 + VCE 2 VJBE 2 VC1
V = V + V
C1 CE1 E1
V v + V + v
CE1 op1 act inp1

VE1 1V + vinp1

I RC1 >> I B 2
Estas condiciones se deben verificar. En este circuito siempre se cumplen
I
C1 = I RC1 + I B2

74
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

RESPUESTA DE FRECUENCIA
INTRODUCCION
El anlisis hasta el momento se ha limitado a una frecuencia particular. Para el caso del
amplificador, se trata de una frecuencia que, por lo regular, permite ignorar los efectos de los
elementos capacitivos, con lo que se reduce el anlisis a uno que solamente incluye elementos
resistivos y fuentes independientes o controladas. Ahora, se revisarn los efectos de la
frecuencia presentados por los elementos capacitivos mayores de la red en bajas frecuencias y
por o elementos capacitivos menores del transistor para altas frecuencias.

Para el anlisis de frecuencia vamos a utilizar el diagrama de Bode y manejar valores en


decibeles (dB).

La respuesta de frecuencia es la curva que se obtiene a la salida, a partir de los diferentes


valores que toma la seal de salida en funcin de la frecuencia de la seal de entrada.

En la siguiente grfica vamos a observar un ejemplo de caracterstica de frecuencia sobre la


carga.

El anlisis de la seal de salida la podemos hace con la potencia, voltaje, corriente de salida
del circuito o incluso las ganancias de potencia, voltaje o corriente.

Ancho de Banda: Es un trmino muy utilizado en anlisis de frecuencia y es el rango de


frecuencias correspondiente a su utilizacin normal.

75
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

A continuacin haremos el anlisis de los puntos de media potencia para las opciones de la
seal de salida.

Potencia de Salida
Potencia Po
Sea Pomax el valor mximo
Pomax
Los puntos de media potencia estarn localizados en :
2

En Decibeles :
Pomax
10 * log = 10 log Pomax 10 log 2
2
= Pomax (dB) 3dB

76
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Voltaje de Salida
La relacin que existe entre el voltaje y la potencia es :
Po Vo 2
2 2
Pomax Vo Vo
max = max = (0.707 * Vomax )
2
Puntos de media potencia
2 2 2

En Decibeles :
2
Vo Vomax
10 * log max = 20 log
2 2
= 20 log Vomax 20 log 2
= Vomax (dB) 3dB

77
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Ganancia de potencia
Po
Se tiene la relacin de potencia : Gp =
Pin
Los puntos de media potencia estarn localizados en :
Pomax Gpmax
=
2 Pin 2

En Decibeles :
Gpmax
10 * log = 10 log Gpmax 10 log 2
2
= Gpmax (dB) 3dB

78
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Ganancia de voltajes

Al igual que en potencia, la relacin que existe entre la ganancia voltaje y la ganancia
de potencia es :
Gp Gv 2
2 2 2
Gpmax Gv Gv
max = max = (0.707 * Gvmax )
2
puntos de de media potencia
2 2 2

En Decibeles :
2
Gv Gvmax
10 * log max = 20 log
2 2
= 20 log Gvmax 20 log 2
= Gvmax (dB) 3dB

79
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Respuesta de frecuencia
Para determinar la caracterstica de un circuito debemos obtener la funcin de transferencia
del mismo en funcin de la frecuencia. A partir de esta expresin en funcin de la frecuencia
realizaremos el diagrama de Bode

Funcin de transferencia G =
(1 + ja1 )(1 + ja2 )................................(1 + jan )
(1 + jb1 )(1 + jb2 )................................(1 + jbm )

En decibeles:
GdB = 10 log1 + ja1 + 10 log1 + ja2 + ... + 10 log1 + jan 10 log1 + jb1 10 log1 + jb2 ... 10 log1 + jbm

Dada ya la funcin de transferencia tenemos que realizar la respectiva grfica que representa
dicha funcin (caracterstica de magnitud), para esto vamos a utilizar el modelo asinttico de
ciertos trminos que generalmente aparecen en estas funciones.

Para un trmino: 0 jk

0 jk = k 2 2 = k .

Entonces realizamos una tabla que nos permitir luego generar el grfico.

Funcin
En dB
Para: transferencia
Para 0 G=0
Bajas frecuencias
Para G=
Alta frecuencia
Para = 1 / k G =1 0

Por lo tanto las grficas para este trmino son:

1
Para un trmino:
0 jk

1 1 1
= =
0 jk k 2 2 k

80
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Entonces realizamos una tabla que nos permitir luego generar el grfico.

Funcin
En dB
Para: transferencia
Para 0 G=
Para G=0
Para = 1 / k G =1 0

Por lo tanto las grficas para este trmino son:

Para un trmino: 1 jk

1 jk = 1 + k 2 2

Entonces realizamos una tabla que nos permitir luego generar el grfico.

Funcin
En dB
Para: transferencia
Para 0 G =1 0
Para = 1 / k G= 2 3
Para G=

Por lo tanto las grficas para este trmino son:

81
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

1
Para un trmino:
1 jk
1 1
=
1 jk 1 + k 2 2
Entonces realizamos una tabla que nos permitir luego generar el grfico.

Funcin
En dB
Para: transferencia
Para 0 G =1 0
Para = 1 / k G = 1/ 2 3
Para G=0

La pendiente de las rectas se justifica mediante:

Sea una seal de ganancia de potencias cuya funcin de transferencia sea


Gp = 1 + jk

( ) ( )
GpdB = 10 * log 1 + jk = 10 log 1 + k 2 2 = 5 log 1 + k 2 2 ; sea C =
1
k
2 >> C
= 5 log1 + 2 ;
C = 10C
2
GpdB = 5 log 2 = 10 log(10) = 10 dB / dcada
C

Ahora si es una seal de ganancia de voltajes cuya funcin de transferencia sea igual a la
anterior
Gv = 1 + jk

( ) ( )
GvdB = 20 * log 1 + jk = 20 log 1 + k 2 2 = 10 log 1 + k 2 2 ; sea C =
1
k
2 >> C
= 10 log1 + 2 ;
C = 10C
2
GpdB = 10 log 2 = 20 log(10 ) = 20 dB / dcada
C

82
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Frecuencia de corte
Se denomina as al codo que est presente en algunos diagramas de bode por ejemplo en la
grfica la frecuencia de corte est indicada como C:

La localizacin de la frecuencia de corte va depender de en que seal estemos trabajando por


lo que se demostrar para potencias y para voltajes

Sea G = Go(1 + jk )

Si G = Gp Ganancia de potencia
En decibeles :
GdB = 10 log Go + 10 * log 1 + jk
Para estar en los puntos de media potencia la expresin 10 * log 1 + jk debe ser igual a 3dB
10 * log 1 + jk = 3dB
1 + jk = 10 0.3
1 + jk = 2
1 + k 2 2 = 2
1 + k 2 2 = 4
3
k 2 2 = 3 La frecuencia de corte es = C = si G = Gp
k

Si G = Gv Ganancia de voltaje
En decibeles :
GdB = 20 log Go + 20 * log 1 + jk
Para estar en los puntos de media potencia la expresin 20 * log 1 + jk debe ser igual a 3dB
20 * log 1 + jk = 3dB
1 + jk = 10 0.15
1 + jk = 2
1 + k 2 2 = 2

83
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

1 + k 2 2 = 2
1
k 2 2 = 1 La frecuencia de corte es = C = si G = Gv
k

Caracterstica de Fase
Ahora vamos a observar las grficas para las caractersticas de fase de cada uno de los
trminos detallados anteriormente.

Para un trmino: 1 jk

k
1 jk = arctg
1

Entonces realizamos una tabla que nos permitir luego generar el grfico.

Para:
Para 0 = 0
Para = C = 1 / k = 45
Para = 90

Por lo tanto la grfica para este trmino es:

1
Para un trmino:
1 jk

1 k
= arctg
1 jk 1

Entonces realizamos una tabla que nos permitir luego generar el grfico.

Para:
Para 0 = 0
Para = C = 1 / k = 45
Para = 90

84
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Por lo tanto la grfica para este trmino es:

Para un trmino: 0 jk

k
0 jk = arctg ; = 90
0
Por lo tanto la grfica para este trmino es:

1
Para un trmino:
0 jk

1 k
= arctg ; = 90
0 jk 0

Por lo tanto la grfica para este trmino es:

Respuesta de frecuencia en amplificadores


Ahora ya conocida la forma de realizar los diagramas de Bode para distintas formas de la
funcin de transferencia analizaremos la respuesta de frecuencia para los amplificadores con
TBJ.

Debemos tomar en cuenta las siguientes consideraciones:

- En caso de que el circuito produzca desfasamiento, deber tambin aadirse la


caracterstica de desfasamiento que produce este.

85
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

- Los elementos reactivos son los que producen la parte imaginaria de la funcin de
transferencia
de entrada

Capacitores de salida
de ajuste de ganancia

- La metodologa que se utiliza para demostrar la caracterstica de frecuencia en la


configuracin de emisor comn es igual para el resto de configuraciones

- Para sacar la caracterstica de frecuencia total hay que sumar la caracterstica de fase de
cada capacitor

A continuacin se va a realizar el anlisis de la caracterstica de fase de la configuracin en


emisor comn en cada uno de los capacitores.

Caracterstica de frecuencia que produce un capacitor de entrada

Se tiene el siguiente circuito equivalente de la parte de entrada del amplificador donde se ha


considerado que el generador es ideal y lo que observa este es el capacitor de base CB y la
impedancia de entrada.
CB

Vo

+
Vin Rin
-

Si Vin = constante generador es ideal Rg = 0


Rin
Vo = Vin
X B + Rin
Vo Rin
= Gv =
Vin X B + Rin

86
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Rin
Gv en funcin de Gv =
1
+ Rin
j.C B
j.C B .Rin
Gv =
1 + j.C B Rin
Sea b la frecuencia de corte del capacitor de base

j
1 b
b =
C B .Rin
1+ j
b
Con nuestro conocimiento para realizar el diagrama de bode de la funcin de transferencia,
graficamos el numerador y el denominador y despus los sumamos las pendientes para
obtener la grfica total.

Caracterstica de frecuencia del Numerador y denominador

De la grfica total podemos concluir que a bajas frecuencias el capacitor de base es circuito
abierto mientras que a altas frecuencias a partir de la frecuencia de corte b es corto circuito.

87
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Podemos concluir entonces que cuando:

1
= b =
C B .Rin
1
=
1
.Rin
X B
X B
=
Rin

X B = Rin

Caracterstica de frecuencia que produce un capacitor de salida

A partir de la ganancia del circuito incluyendo la reactancia que produce el capacitor de salida
obtenemos:

RC || ( X C + RL )
Gv = A =
re + RE1
RC .( X C + RL )
A=
(re + RE1 )(RC + X C + RL )
1
+ RL
RC j.CC
A= .
(re + RE1 ) 1
RC + + RL
j.CC
RC 1 + j.CC .RL
A= .
(re + RE1 ) 1 + j.CC .(RC + RL )

Sea C1 y C2 las frecuencias de corte del capacitor de salida entonces


1
C2 =
C C RL
C1 > C2
1
C1 =
CC (RC + RL )

1+ j
RC C2
A= .
(re + RE1 ) 1 + j
C1
Entonces realizamos la grafica del numerador y del denominador

88
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Caracterstica de frecuencia del Numerador y denominador

Lo que se concluye de la grfica es que a baja frecuencia se obtiene la ganancia mxima y


hasta C2 va disminuyendo; a partir de esta frecuencia la ganancia es constante pero baja.

RC
A=
Baja frecuencia: re + RE1
max. A max. Vo Capacitor abierto
Carga en colector RC
RC || RL
Alta frecuencia: A=
re + RE1
Capacitor cortocircuito
Carga en colector Req

Comprobacin

1+ j
RC C2
A= .
(re + RE1 ) 1 + j
C1
Para 0 baja frecuencia
RC
A= ( LQQD)
(re + RE1 )
Para alta frecuencia
RC RC CC .RL RC .RL 1
A= . C1 = . = .
(re + RE1 ) C 2 (re + RE1 ) CC .(RC + RL ) (RC + RL ) (re + RE1 )
RC || RL
A= ( LQQD)
(re + RE1 )

89
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Caracterstica de frecuencia sobre la carga (RL)

El anlisis anterior era en el Terminal del colector, ahora en la carga debemos tener una
caracterstica semejante a la caracterstica del capacitor de entrada para poder conectarla a una
siguiente etapa por lo tanto con las graficas anteriores hacemos un arreglo de tal manera que
me genere el siguiente grfica.

Del anlisis del capacitor de salida hecho anteriormente obtenemos que:

1
Cuando : = C1 =
CC .(RC + RL )
1
=
1
.(R + RL )
X C C
X C
=
(RC + RL )

X C = (RC + RL )

1
Cuando : = C 2 =
CC .RL
1
=
1
.RL
X C
X C
=
RL

X C = RL

Del grfico se observ que solo se va utilizar una frecuencia de corte (C2) y potemos decir
que esta frecuencia es el punto de divisin en el que el capacitor o est en cortocircuito (altas
frecuencias) o est en circuito abierto (bajas frecuencias)
90
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Caracterstica de frecuencia del capacitor para ajuste de ganancia

En el caso de la configuracin en emisor comn es el capacitor colocado en emisor.

A partir de la ganancia del circuito incluyendo la reactancia que produce el capacitor de


emisor obtenemos:

Req
A=
re + RE1 + X CE || RE 2
Req
A=
1
.R E 2
j.C E
re + RE1 +
1
+ RE 2
j.C E
Req Req
A= =
RE 2 re + RE1 + RE 2 + j.C E RE 2 (re + RE1 )
re + RE1 +
1 + j.C E RE 2 1 + j.C E RE 2
Req 1 + j.C E RE 2 RE 2 (re + RE1 )
A= ; Sea REeq = = RE 2 || (re + RE1 )
re + RE1 + RE 2 R (r + RE1 ) re + RE1 + RE 2
1 + j.C E E 2 e
re + RE1 + RE 2
Req 1 + j.C E RE 2
A=
re + RE1 + RE 2 1 + j.C E REeq
Sea E1 y E2 las frecuencias de corte del capacitor de salida entonces
1
E1 =
C E RE 2
> E1
1 E2
E2 =
CC REeq

1+ j
Req E1
A= .
re + RE1 + RE 2 1 + j
E2
Del anlisis anterior obtenemos que:
1
Cuando : = E1 =
C E .R E 2
1
=
1
.R E 2
X E
X E
=
RE 2

X E = RE 2

91
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

1
Cuando : = E 2 =
C E .REeq
1
=
1
.R
X E Eeq
X E
=
REeq

X E = REeq

Caracterstica de frecuencia del Numerador y denominador


Graficando la funcin de transferencia y ubicando los valores de E1 y E1.

A baja frecuencia hasta E1 (capacitor circuito abierto) en el denominador de la frmula de la


ganancia se tiene re+RE1+RE2 y para al alta frecuencia (capacitor cortocircuito) a partir de E2
se tiene en el denominador re+RE1. En el intervalo desde E1 hasta E2 no hay ni circuito
abierto ni cortocircuito hay la una reactancia.

Comprobacin del comportamiento del capacitor:



1+ j
Req E1
A= .
re + RE1 + RE 2 1 + j
E2
Para 0 baja frecuencia
Req
A= ( LQQD)
re + RE1 + RE 2

92
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Para alta frecuencia


Req Req C .R Req R (r + RE1 + RE 2 )
A= . E2 = . E E2 = . E2 e
re + RE1 + RE 2 E1 re + RE1 + RE 2 C E .REeq re + RE1 + RE 2 RE 2 (re + RE1 )
Req
A= ( LQQD)
re + RE1

Cuando se vaya a resolver ejercicios que requieran cumplir con condicin de frecuencia se
recomienda graficar primero la caracterstica del emisor y ubicar sus respectivas frecuencias
de corte luego dibujar las caractersticas de base y colector haciendo que coincidan las
frecuencias de corte de estos con la grfica de las caractersticas de emisor segn como se
desee y no ubicar entre las frecuencias de corte (E1 < < E2). Finalmente realizar la
respectiva suma de las pendientes de cada caracterstica.

A continuacin se muestra un ejemplo.

Como observamos en las graficas los y estn rotulados con una C, esta indica caracterstica
mas no capacitor por lo tanto en el eje que esta CE lo que seala es que es la caracterstica del
emisor.

93
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Ejercicio

A = 20 Y tenga la siguiente caracterstica de frecuencia


vop = 3V
RL = 7.5 k
= 100

Asumo Rc = 1 k
Req = RC || RL = 7.5k || 1k = 882.3
Asumimos resistencias de tolerancia 10 %

RC
VRC vop
Req
1k
VRC 3V VRC 3.4V por factor de seguridad VRC 4.08V
882.3
Asumimos VRC = 4.5V
VRC 4.5V
IC = = = 4.5 mA
RC 1k
25mV 25mV
re = = = 5.56
IE 4.5mA
Req 882.3k
re + RE1 = = = 44.12
A 20
El objetivo del ejercicio es realizar la parte de respuesta de frecuencia por lo que se da poca
importancia el hecho de que no sea estable termicamente.

94
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

RE1 = 44.12 re = 44.12 5.56 = 38.56


RE1 = 39
vop 3V
vinp = = = 0.15V
A 20
VCE vop + vact + vinp ; VCE 3V + 2V + 0.15V VCE 5.15V

VE 1V + vinp VE 1V + 0.15V VE 1.15V por el factor de seguridad VE 1.38V


VE = 2V

VE 2V
RET = = = 444.4
I E 4.5mA
RE 2 = RET RE1 = 444.4 39 = 405.4
RE 2 = 390

Vcc = VE + VCE + VRC = 2V + 5.15V + 4.5V = 11.65V

Vcc = 12V el exceso envio a VCE para asegurar ms que el TBJ este en la reg, activa

Ahora pasamos al diseo del lado de entrada para eso utilizamos la relacin
IC 4.5mA
IB = = = 45A
100

I 2 >> I B Estabilidad de polarizacin


I 2 = 450 A
I1 = I B + I 2 = 45A + 450 A = 495A

VB VE + VJBE 2V + 0.6V
R2 = = = = 5.77 k
I2 I2 450 A
R2 = 5.6k
Vcc VB 12V 2.6V
R1 = = = 18.99k
I1 495A
R1 = 18k
RB = R1 || R2 = 18k || 5.6k = 4.27 k
Rin = RB || RinT = RB || (( + 1)(re + RE1 ) ) = 4.27 k || (101(5.56 + 39 )) = 2.2k

Ahora para realizar el anlisis de frecuencia para el clculo de capacitores primero se realiza
la planificacin graficando cada una de las caractersticas.

95
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Planificacin Para f B = 1kHz


X B = Rin
X B = 2.2k
1 1
CB = =
2. . f B . X B 2. .1kHz * 2.2k
82 nF
C B = 72.34nF 68 nF

Para f E 2 = 1kHz
X E = REeq
X E = RE 2 || (re + RE1 )
X E = 390 || (5.56 + 39 )
X E = 39.99
1 1
CE = =
2. . f E 2 . X E 2. .1kHz * 39.99
4.7 F
C E = 3.98F 3.3 F

Para f C = 1kHz
X C = RL
X C = 7.5k
1 1
CC = =
2. . f C . X C 2. .1kHz * 7.5k
22 nF
CC = 21.22nF 18 nF

Para calcular fE1


X E = RE 2 = 390
1 1
fE2 = =
2. . X E .C E 2. * 390 * 43.98F
f E 2 = 102.54 Hz

Queremos que el capacitor de base fije el codo


C B = 68nF
1 1
fB = = = 1.06kHz
2. . X B .C B 2. * 2.2k * 68nF
ya que el capacitor de base fija el codo elejimos valores mayores al calculado para que estas
frecuencias no varien a la de base.
C E = 4.7 F
CC = 22nF

96
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Respuesta de frecuencia en alta frecuencia

En la regin de alta frecuencia, los elementos capacitivos de relevancia son las capacitancias
interelectrdicas (entre terminales) internas al dispositivo activo y la capacitancia de cableado
entre las terminales de la red. Todos los capacitores grandes de la red que controlaron la
repuesta de baja frecuencia se han reemplazado por su corto circuito equivalente debido a sus
muy bajos niveles de reactancia.

Para el anlisis en alta frecuencia se aade el concepto de efecto Miller y como regla tenemos
que para cualquier amplificador inversor, la capacitancia de entrada se incrementar por una
capacitancia de efecto Miller sensible a la ganancia del amplificador y a la capacitancia
interelectrdica (parsita) entre las terminales de entrada y salida del dispositivo activo.

A continuacin se seala cada una de estas capacitancias en un grafico y su equivalencia por


el efecto Miller.

Se tiene la configuracin en emisor comn con los capacitores de baja frecuencia en


cortocircuito y considerando los capacitancias interelectrdicas.

97
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Se realiza el anlisis respectivo para obtener el diagrama de bode de cada capacitor.

Co
Req || X Co
A=
re + RE1
1
Req .
j.CO
1
Req +
j.CO Req
A= =
re + RE1 (re + RE1 )(1 + j.CO .Req )
Req 1
A= .
re + RE1 1 + j.CO .Req

Sea o la frecuencia de corte del capacitor


1
o =
Co Req
Req 1
A= .
re + RE1 1 + j
o

Cuando = o X Co = Req

Por lo tanto la grfica es

Ce
Req Req Req Req (1 + j.Ce RE1 )
A= = = =
re + RE1 || X Ce 1
.RE1 re +
RE1 re + RE1 + j.Ce RE1re
j.Ce 1 + j.Ce RE1
re +
1
+ RE 1
j.Ce
Req 1 + j.Ce RE1
A= .
re + RE1 R r
1 + j.Ce . E1 e
re + RE1
RE1re
Sea Re eq = = re || RE1
re + RE1

98
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Req 1 + j.Ce RE1


A= .
re + RE1 1 + j.Ce . Re eq
Sea e1 y e2 las frecuencias de corte del capacitor
1
e1 =
Ce RE1
> e1
1 e2
e2 =
Ce Re eq

1+ j
Req e1
A= .
re + RE1 1 + j
e2
Cuando
= e1 X Ce = RE1

= e1 X Ce = Re eq
Graficando el numerador y el denominador

Cin

99
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Zin = X Cin || Rin


1
.Rin
j.Cin Rin
Zin = =
+ Rin 1 + j.Cin.Rin
1
j.Cin
Rin
Zin = .

1+ j
i
Sea i la frecuencia de corte del capacitor
1
i =
Cin.Rin

Cuando = i X Cin = Rin

Ahora por efecto de las capacidades parsitas podemos disear un circuito que tenga tanto una
codo en bajas frecuencia y otro en altas frecuencias segn nuestras necesidades, si deseamos
cambiar la frecuencia de corte en alta frecuencia se puede aadir un capacitor por ejemplo en
paralelo a cualquier de los capacitores parsitos y luego se procede a disear con el valor de
frecuencia que se desea.

100
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

REALIMENTACIN

Es tomar una parte (una muestra) de la seal de salida y realimentarla (sumarla) con la seal
de entrada.

Tipos de realimentacin

- Realimentacin negativa (sinnimo de estabilidad)


- Realimentacin positiva (sinnimo de inestabilidad)

Sistema de lazo abierto

Vo = AVin
(1)
Vo + Vo = ( A + A)Vin

Vo + Vo = AVin
+ AVin
(2)

De (1) y (2) Vo = AVin


(3)

(3) Vo A
=
(1) Vo A

Sistema de lazo cerrado

- Se producir realimentacin negativa cuando en el sumador se d efectivamente la resta


de las 2 seales, es decir: Vin V f

- Se tendr realimentacin positiva cuando en el sumador se d efectivamente la suma de


las 2 seales, es decir: Vin + V f

101
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Realimentacin Negativa

Ve = Vin V f
V f desfasada 180 respecto a Vin
Vin > V f

Realimentacin Positiva

Ve = Vin + V f
V f en fase respecto a Vin

Vo
Ganancia el lazo cerrado G = Af =
Vin

Vo = AVe

= A (Vin V f )
= A (Vin BVo )
= AVin
ABVo

Vo (1 + AB ) = AVin

Vo A
=G = Para Realimentacin Negativa
Vin 1 + AB

102
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Vo = AVe

= A (Vin + V f )
= A (Vin + BVo )
= AVin
+ ABVo

Vo (1 AB ) = AVin

Vo A
=G= Para Realimentacin Positiva
Vin 1 AB

A
Tomando en general G =
1 AB

Realimentacin Negativa

A A
G = =
1 ( A) B 1 + AB

El signo negativo indica nicamente el


defasamiento entre la seal de salida
y la seal de entrada

Otra opcin

A A
G = =
1 A( B ) 1 + AB

103
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Realimentacin Positiva

A
G =
1 AB

Otra opcin

A A
G = =
1 ( A)( B ) 1 AB

REALIMENTACIN NEGATIVA

La realimentacin (feedback en ingls) negativa es ampliamente utilizada en el diseo de


amplificadores ya que presenta mltiples e importantes beneficios. Uno de estos beneficios es
la estabilizacin de la ganancia del amplificador frente a variaciones de los dispositivos,
temperatura, variaciones de la fuente de alimentacin y envejecimiento de los componentes.
Otro beneficio es el de permitir al diseador ajustar la impedancia de entrada y salida del
circuito sin tener que realizar apenas modificaciones. La disminucin de la distorsin y el
aumento del ancho de banda hacen que la realimentacin negativa sea imprescindible en
amplificadores de audio y etapas de potencia. Sin embargo, presenta dos inconvenientes
bsicos. En primer lugar, la ganancia del amplificador disminuye en la misma proporcin con
el aumento de los anteriores beneficios. Este problema se resuelve incrementando el nmero
de etapas amplificadoras para compensar esa prdida de ganancia con el consiguiente
aumento de coste. El segundo problema est asociado con la realimentacin al tener tendencia
a la oscilacin lo que exige cuidadosos diseos de estos circuitos.

La teora de realimentacin exige considerar una serie de suposiciones para que sean vlidas
las expresiones que se van a obtener seguidamente. Estas suposiciones son:

- La seal de entrada se transmite a la salida a travs del amplificador bsico y no a travs


de la red de realimentacin.
104
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

- La seal de realimentacin se transmite de la salida a la entrada nicamente a travs de la


red de realimentacin y no a travs del amplificador bsico.

- El factor B es independiente de la resistencia de carga (RL) y de la resistencia de la fuente.

En las dos primeras suposiciones se aplica el criterio de unidireccionalidad a travs de A y a


travs de B, respectivamente. Estas suposiciones hacen que el anlisis de circuitos aplicando
teora de realimentacin y sin ella difieran mnimamente. Sin embargo, la teora de
realimentacin simplifica enormemente el anlisis y diseo de amplificadores realimentados y
nadie aborda directamente un amplificador realimentado por el enorme esfuerzo que exige.

Ventajas

- Estabilizacin de la ganancia
- Cambio en las impedancias de entrada y salida
- Extensin de la respuesta de frecuencia (ampliacin del Ancho de Banda)
- Disminucin de la distorsin no lineal o de amplitud, y en algunos casos del ruido.

Estabilizacin de la ganancia

Las variaciones debidas al envejecimiento, temperatura, sustitucin de componentes, etc.,


hace que se produzca variaciones en el amplificador bsico y, por consiguiente, al
amplificador realimentado.

Si AB >> 1
A
G = donde B es generalmente un divisor de tensin
B

Para el divisor de tensin se recomienda usar resistencias de precisin.

Si AB >> 1 y B = 1 (V f = Vo )
G = 1 Vo = Vin
pero siempre Vo < Vin
Se cumple mejor mientras mayor sea A Ve mnima

105
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Si AB >> 1 y B < 1
G = 1 Amplificador

A
G=
1 + AB
1
dG = dA
(1 + AB )
2

dG 1 dA
=
G (1 + AB ) G
2

dG 1 dA
=
G 1 + AB A
G 1 A
=
G 1 + AB A

Los peores enemigos de la estabilidad suelen ser los elementos activos (transistores). Si la red
de realimentacin contiene solamente elementos pasivos estables se logra una alta estabilidad.

Ejercicio

G=5
Vo = 3V
RL = 1 K
A
= 20%
A
G
= 1%
G
f = 1 KHz

= 100

Empezamos por el anlisis matemtico

G 1 A
=
G 1 + AB A
1
1= 20
1 + AB
1 + AB = 20
AB = 19

106
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

A
G=
1 + AB
A = G (1 + AB )
= 5 20
A = 100

AB = 19
19 19
B= =
A 100
B = 0.19

Terminado el anlisis matemtico previo

Circuito a implementarse

Comenzando el diseo de la 2 Etapa

107
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Asumo RC 2 = 1K

RC 2
VRC 2 Vo p
Re q2
1K
3V
0.5K
VRC 2 6V 1.3 = 7.8V
VRC 2 = 8V

VRC 2 8
IC 2 = =
RC 2 1K
I C 2 = 8 mA

25 mV 25m
re 2 = = = 3.125
IC 2 8m

Re q2 0.5K
re 2 + RE 3 = = = 50 existe estabilidad
A2 10

RE 3 = 50 re 2 = 50 3.125 = 46.875
RE 3 = 47

VCE 2 Vo p + Vin p + Vact = 3 + 0.3 + 2 = 5.3V

VE 2 = 1 + Vin p = 1 + 0.3 = 1.3 1.3 = 1.69


VE 2 = 2V

VCC = VRC 2 + VCE 2 + VE 2 = 8 + 5.3 + 2 = 15.3


VCC = 18V

VE 2 2
RET 2 = = = 250
I C 2 8m

RE 4 = RET 2 RE 3 = 250 47 = 203


RE 4 = 220

108
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

IC 2 8m
IB2 = = = 80 A
100

I 4 = 10 I B = 800 A

I 3 = I B 2 + I 4 = 80 + 800 = 880 A

VE 2 + VJBE 2 + 0.6
R4 = = = 3.25K R4 = 3.3 K
I4 800

VCC VE VJBE 18 2 0.6


R3 = = = 17.5K
I3 880
R3 = 18 K

Rin 2 = ( + 1)( re 2 + RE 3 ) || RB
= ( + 1)( re 2 + RE 3 ) || R3 || R4
= 101(3.125 + 47) ||18 K || 3.3K
Rin 2 = 1.798 K

Diseando la 1 Etapa

Asumo RC1 = 1K

RC1
VRC 2 Vo p
Re q1
1K
0.3V 1.3 = 0.608V
641.578
VRC1 = 6V Distribuyendo de una vez (para no poner solo 1V)

VRC1 6
I C1 = = = 6 mA
RC1 1K

25 mV 25m
re1 = = = 4.167
I C1 6m

Re q1 641.578
re1 + RE1 = = = 64.158 es estable
A1 10

109
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

RE1 = 64.158 re1 = 64.158 4.167 = 59.991


RE1 = 62

VCE1 Vo p + Vin p + Vact = 3 + 0.03 + 2 = 2.33V (necesario)

VE1 = 1 + Vin p = 1 + 0.03 = 1.03 1.3 = 1.339V (necesario)

Dispongo de 12 V VCE1 = 6V y VE1 = 6V

VE1 6
RET 1 = = = 1 K
I C 1 6m

RE 2 = RET 1 RE1 = 1K 62 = 938 RE 2 = 1 K

I C1 6m
I B1 = = = 60 A
100

I 2 = 10 I B1 = 600 A

I1 = I B1 + I 2 = 60 + 600 = 660 A

VE1 + VJBE 6 + 0.6


R2 = = = 11K R2 = 10 K
I2 600

VCC VE VJBE 18 6 0.6


R1 = = = 17.273K R1 = 18 K
I1 330

Para la realimentacin:

110
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Rb || Rin A
Vf = Vo p
Ra + Rb || Rin A
Vf Rb || Rin A
=B= = 0.19
Vo Ra + Rb || Rin A

Por facilidad hacemos:

Rin A
Vf = Vo Habiendo hecho Rb >> Rin A
R f + Rin A
Vf Rin A
=B= = 0.19
Vo R f + Rin A

R + R2 || Rg
Rin A = RE1 || re + 1 VALOR REAL
+ 1

Rin A = RE1 (?!) CON ERROR

RE1
B= = 0.19
R f + RE1

R f = 264.3 P = 500 Potencimetro del doble corregir error

Si hubisemos hecho en una sola etapa, habramos tenido que conectar la realimentacin a
BASE.

111
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

RE1
Calculando el capacitor adicional tenemos que B =
R f + X Cf + RE1
Teniendo que cumplirse que X Cf << R f + RE1

Para tener un comportamiento adecuado es necesario que:

- El bloque B NO cargue al bloque A


- El bloque A NO cargue al bloque B

Para que el bloque B NO cargue al bloque A:

Rin B = Caso IDEAL

Rin B >> Ro A Caso PRCTICO

Para que el bloque A NO cargue al bloque B:

Rin A = Caso IDEAL

Rin A >> RoB Caso PRCTICO

Pasos de Diseo

- Asumimos Rf para que el bloque B no cargue el bloque A


R f >> RL

RE1
- De la expresin para el bloque B, B = , determinamos RE1.
R f + RE1

112
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Re q1
- Asumiendo la 1 Etapa estable (re despreciable), A1 , de donde obtenemos Req1.
RE1

Siendo Req1 = RC1 || Rin2 obtenemos condicin de Rin2

Rin2 Req1 Para comenzar el diseo de la 2 Etapa

Impedancias de entrada y salida

La realimentacin negativa, mejora las caractersticas de las impedancias de entrada y salida


del amplificador realimentado, respecto del amplificador sin realimentar. Por ejemplo para el
caso de un amplificador de tensin, es deseable que presente una alta impedancia de entrada
para la fuente de seal y una baja impedancia de salida para la carga. La alta impedancia de
entrada, evita la sobrecarga y la cada de tensin en la impedancia interna de la fuente de
seal. La baja impedancia de salida, tiende a idealizar el equivalente de thevenin de la salida
del amplificador, evitando las variaciones de tensin de la salida, por cada de tensin en esta
impedancia, ante variaciones de la carga.

Extensin de la respuesta en frecuencia

Una de las caractersticas ms importantes de la realimentacin es el aumento del ancho de


banda del amplificador que es directamente proporcional al factor de desensibilizacin
1 + AB .

Para demostrar esta caracterstica, consideremos un amplificador bsico que tiene una
frecuencia de corte superior f C . La ganancia de este amplificador se puede expresar como:

AO
A=
f
1+ j
fC

siendo AO la ganancia a frecuencias medias y f la frecuencia de la seal de entrada.

113
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Pasando a un sistema realimentado

A
G=
1 + AB
Ao
f
1+ j
fC
G=
AoB
1+
f
1+ j
fC
Ao
G=
f
1 + AoB + j
fC
Ao 1
G=
1 + AoB 1 + j f
f C (1 + AoB )

Como se puede observar claramente en la ecuacin obtenida y en el grfico, se aumenta el


ancho de banda. Sin embargo, este aumento es proporcional a la disminucin de la ganancia
del amplificador. Por ejemplo, si a un amplificador con una Ao = 1000 con una c =200 kHz
se le introduce una realimentacin tal que 1+AB = 20, entonces su aumenta hasta 4 MHz
aunque su ganancia disminuye a Ao = 50.

Disminucin de la dispersin no lineal o de amplitud

La realimentacin negativa en amplificadores reduce las caractersticas no lineales del


amplificador bsico y, por consiguiente, reduce su distorsin.

Sin realimentacin

Vo = A2 Ve
= A2 (Vo1 + Vd )
= A2 ( A1 Vin + Vd )

114
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Vo = A1 A2 Vin + A2 Vd

Con Realimentacin

Vo = A2 Ve2
= A2 (Vo1 + Vd )
= A2 ( A1Ve1 + Vd )
= A1 A2 Ve1 + A2 Vd
= A1 A2 (Vin V f ) + A2 Vd
= A1 A2 (Vin BVo ) + A2 Vd
= A1 A2 Vin A1 A2 BVo + A2 Vd
Vo(1 + A1 A2 B ) = A1 A2 Vin + A2 Vd

A1 A2 A2
Vo = Vin + Vd Hemos bajado la distorsin
1 + A1 A2 B 1 + A1 A2 B

Reduccin del ruido

En trminos generales, respecto al ruido, podemos decir que la realimentacin negativa


reduce los niveles de estas tensiones elctricas indeseables. El ruido y la distorsin presentes
en la salida de un amplificador pueden considerarse como consecuencias de la introduccin de
una tensin espuria en alguna seccin del amplificador y que es amplificada por la parte del
amplificador comprendida entre el punto de inyeccin y la salida. Merced al circuito de
realimentacin, esta tensin vuelve al punto de origen y, si la realimentacin es negativa, llega
a este con fase opuesta a la original y tiende a anular la que le dio origen.

- Ruido Blanco: es una seal aleatoria que se caracteriza porque sus valores de seal en dos
instantes de tiempo diferentes no guardan correlacin estadstica. Como consecuencia de
ello, su densidad espectral de potencia es una constante. Esto significa que la seal
contiene todas las frecuencias y todas ellas tienen la misma potencia. Igual fenmeno
ocurre con la luz blanca, lo que motiva la denominacin.

115
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

- Ruido peridico: es ms fcil de eliminar (como el rizado)

Formas de Realimentacin

Un amplificador es diseado para responder a tensiones o corrientes a la entrada y para


suministrar tensiones o corrientes a la salida. En un amplificador realimentado, el tipo de
seal muestreada a la salida (corriente o tensin) y el tipo de seal mezclada a la entrada
(tensin o corriente) dan lugar a cuatro tipos de topologas:

1) Realimentacin de tensin en serie


2) Realimentacin de tensin en paralelo
3) Realimentacin de corriente en serie, y,
4) Realimentacin de corriente en paralelo

Realimentacin de Voltaje

Desde el punto de vista ideal

Rb
Vf = Vo
Ra + Rb
Vf Rb
=B= en paralelo (divisor de voltaje)
Vo Ra + Rb

Modelo equivalente de voltaje

116
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Este modelo es adecuado cuando

Z i >> RS
Z O << RL
Realimentacin de Corriente

en serie
Rf
2 Vf = Vo
RL + R f
Vf Rf
Vf =B=
1 B= Vo RL + R f
Vo
Para que el bloque B
io R f
= no cargue al bloque A
io RL
Rf Si R f << RL
B=
RL
Rf
B=
RL

Modelo equivalente de corriente

Este modelo es adecuado cuando

Z i << RS
Z O >> RL

117
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Realimentacin de Voltaje en serie

Vo = AVe


V f = BVo

Realimentacin de Voltaje en paralelo

Vo = Aie

i f = BVo

Realimentacin de Corriente en serie

Otra configuracin de realimentacin consiste en seleccionar muestras de la corriente de


salida y devolver un voltaje proporcional en serie con la entrada. Al mismo tiempo que se
estabiliza la ganancia del amplificador, la conexin con realimentacin de corriente en serie,
incrementa la resistencia de entrada.

118
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

io = AVe


V f = Bio

Realimentacin de Corriente en paralelo

io = Aie

i f = Bio

Impedancia de entrada

Realimentaciones en serie (tanto de voltaje como de corriente)

Zin f = (1 + AB ) Zin

Realimentaciones en paralelo (tanto de voltaje como de corriente)

Zin
Zin f =
(1 + AB )

Impedancia de salida

119
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Realimentacin de Voltaje

Zo
Zo f =
(1 + AB )
Realimentacin de Corriente

Zo f = (1 + AB ) Zo

Ejercicio

G=5
Vo = 5V
RL = 470
A
= 15%
A
G
= 1%
G
Zin f 1 K

= 100

Anlisis matemtico

G 1 A
=
G 1 + AB A
1
1= 15
1 + AB
1 + AB = 15
AB = 14

A
G=
1 + AB
A = G (1 + AB )
= 5 15
A = 75

120
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

AB = 19
14 14
B= =
A 75
B = 0.187

Haciendo realimentacin de voltaje en paralelo

Zin
Zin f = 1K
1 + AB
Zin (1 + AB )1K
151K
Zin 15 K

Asumiendo ganancias A1 = 15 y A2 = 5

A1 A2
Req1 Rin Req2 Rin2
+1 1 +1
15 5
15K 2.25K
100 100
Req1 2.25K Req2 112.5

RC 2 || RL 112.5
RC1 || Rin2 2.25 K
Rc2 147.902

Haciendo que el bloque B no cargue al bloque A

R f >> RL

Asumo R f = 4.7 K

RE1
B=
R f + RE1
B R f
(0.187)(4.7 K )
RE1 = =
B 1 0.187 1
RE1 = 1.08K RE1 = 1 K

121
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Req1
A1 = Asumiendo estabilidad para esta etapa re1 << RE1
re1 + RE1

Req1
A1 =
RE1
Req1 = 15 1K = 15 K
RC1 || Rin2 = 15K
Rin2 15K

A2
Req2 Rin2
+1
5
15K
100
RC 2 || RL 750

470

Utilizando Darlington en la 2 Etapa

A2
Req2 Rin2
D
5
15K
10000
Req2 7.5
RC 2 || RL 750

470
RC 2 7.62

Resumiendo

Para:

Zin f 1 K
RC 2 147.9

Recalculando con Darlington en A 2 RC 2 1.12

122
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Para que B no cargue a A:

RC 2 7.62 (A 2 con Darlington)

RC 2 7.62 (Cumpliendo Ambas Condiciones)

REALIMENTACIN POSITIVA

La utilizacin de realimentacin positiva que da por resultado un amplificador con


realimentacin que cuenta con ganancia de lazo cerrado G mayor a uno y que satisface las
condiciones de fase, provocar una operacin de circuito oscilador. Un circuito oscilador
como tal ofrece una seal variante de salida.

Circuitos Osciladores

Un circuito oscilador es aquel que genera una seal de salida, a una frecuencia determinada,
sin seal de entrada. La seal generada puede ser alterna o continua fluctuante (una sola
direccin, lo que cambia es la amplitud).

Tipos de osciladores

Onda sinusoidal

Los osciladores sinusoidales juegan un papel importante en los sistemas electrnicos que
utilizan seales armnicas. A pesar de que en numerosas ocasiones se les denomina
osciladores lineales, es preciso utilizar alguna caracterstica no lineal para generar una onda
de salida sinusoidal. De hecho, los osciladores son esencialmente no lineales lo que complica
las tcnicas de diseo y anlisis de este tipo de circuitos. El diseo de osciladores se realiza en
dos fases: una lineal, basado en mtodos en el dominio frecuencial que utilizan anlisis de
circuitos realimentados, y otra no lineal, que utiliza mecanismos no lineales para el control de
amplitud.

nicamente se debe satisfacer la condicin BA = 1 para que se obtengan oscilaciones


autosostenidas. En la prctica, BA se hace mayor a 1 y el sistema comienza a oscilar mediante
la aplicacin de voltaje de ruido, que siempre est presente. Los factores de saturacin en el
circuito prctico proporcionan un valor promedio de BA de 1. Las formas de onda
resultantes nunca son exactamente senoidales, sin embargo, mientras ms cercano se
encuentre el valor de BA a 1, la forma de onda ser ms cercana a una senoidal.

Una diferencia fundamental respecto a los circuitos multivibradores es que estos ltimos son
circuitos no lineales (basados en comparadores, disparadores de Schmitt, etc.) frente a los
circuitos cuasi-lineales de los osciladores.

123
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Onda no sinusoidal

Dentro de este tipo se encuentran los osciladores de relajacin, los cuales emplean
dispositivos biestables tales como conmutadores, disparadores Schmitt, puertas lgicas,
comparadores y flip-flops que repetidamente cargan y descargan condensadores. Las formas
de onda tpicas que se obtiene con este mtodo son de tipo triangular, cuadrada, exponencial o
de pulso.

Aplicaciones

- En transmisin y recepcin de radio y TV (como oscilador local generador de seales


portadoras).
- En calentamiento dielctrico o inductivo.
- En equipos de medida y/o laboratorio.

Condiciones bsica de oscilacin

1. El circuito bsicamente debe ser un amplificador.


2. Debe tener realimentacin positiva.
3. La cantidad de realimentacin debe ser suficiente para vencer las prdidas del circuito de
entrada.

Vo = AVe

= A (Vin + V f )
= A (Vin + BVo )
= AVin
+ ABVo

Vo (1 AB ) = AVin

Vo A
=G=
Vin 1 AB

Para que el circuito oscile:

124
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

G=
( + A)( + B ) = 1
AB = 1
( A)( B ) = 1

A = 0
AB = 0
B = 0

A = 180
AB = 360
B = 180

Las condiciones de oscilacin que tenemos son:

AB = 1 1

AB = 0 360 2

Las Funciones de Transferencia (FT)

A = Ar + jAi
B = Br + jBi

Ai Bi
tan = tan =
Ar Br

1
AB = 1
A B = 1
Ar 2 + Ai 2 + Br 2 + Bi 2 = 1

(Ar
2
+ Ai 2 )( Br 2 + Bi 2 ) = 1

125
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

2
AB = 0 360

A = = 0 tan = 0
Para AB = 0
B = = 0 tan = 0
tan = 0 Ai = 0

tan = 0 Bi = 0

A = = 180 tan = 0
Para AB = 360
B = = 180 tan = 0

1 Ar Br = 1

Generalmente encontramos la FT del bloque B

Circuito oscilador de desplazamiento de fase u oscilador RC

Todos los osciladores involucran uno o ms elementos almacenadores de energa. En forma


general se pueden clasificar segn el tipo de almacenadores. Tenemos, as, los osciladores LC,
que utilizan capacitores e inductores, y los osciladores RC, que utilizan capacitores y
resistores. Para frecuencias menores que 100 KHz, se trata de evitar el uso de bobinas,
surgiendo as los osciladores RC.

Este tipo de oscilador sigue el desarrollo bsico de un circuito realimentado, es decir, la


ganancia de lazo AB es mayor que la unidad y el corrimiento de fase alrededor de la red de
realimentacin es de 180 (proporcionando realimentacin positiva).

Cada conjunto de RC produce un defasamiento de 60

126
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Vo

Vo = io Req

Req = Rc || RL
R = R + Rin
X

Vf
= B = Br + jBi = ?
Vo

De este desarrollo tenemos

R 2 Rin 3 C 3 ( R 3 3 C 3 + 3R 2 Req 3 C 3 5RC + ReqC )


B=
(1 6R 2 2 C 2 4 RReq 2 C 2 ) + ( R3 3C 3 + 3R 2 Req 3C 3 5RC + ReqC )
2 2

R 2 Rin 3 C 3 (1 6 R 2 2 C 2 4 RReq 2 C 2 )
j
(1 6R C 4 RReq 2 C 2 ) + ( R 3 3 C 3 + 3R 2 Req 3 C 3 5RC + ReqC )
2 2 2 2 2

Para que el circuito oscile:

Bi = 0
1 Req
f OSC = , K=
2 RC 6 + 4 K R

Ar Br = 1

Ar = 29 + 23K + 4 K 2

127
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

A = 29 + 23K + 4 K 2
4 K 2 + 23K + 29 A = 0
23 232 4(4)(29 A)
K=
8
23 65 + 16 A
K= como nicamente puede ser (+)
8
23 + 65 + 16 A
K=
8

65 + 16 A > 23
65 + 16 A > 529 A > 29

Ejercicio

Vo = 3V
RL 1 K
f OSC = 2KHz

Asumo A=40

23 + 65 + 16 A
K=
8
23 + 65 + 16(40)
=
8
K = 0.444

Asumo RC = 1 K

Req = RC || RL = 1K ||1K = 500

Req 500
R= = = 1.126 K R = 1.2 K
K 0.444

Calculando C

128
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

1
C=
2 R f OSC 6 + 4 K
1
=
2 (1.2 K )(2 K ) 6 + 4(0.444)
C = 23.781 nF

Desde este punto se disea como se ha venido haciendo

Asumo resistencias de Tolerancia 20 %

RC 1
VRC Vop 1.3 = 3 1.3 = 7.8V
Req 0.5
VRC = 8V

VRC 8
IC = = = 8 mA
RC 1K

25 mV 25m
re = = = 3.125
iC 8m
Req 500
re + RE1 = = = 12.5 No es estable
A 40

Corrigiendo la estabilidad, asumo re = 1

25 mV 25m
IC = = = 25 mA
re 1

VRC = I C RC = (25m )(1K ) = 25V

RE1 = 12.5 re = 12.5 1 = 11.5 RE1 = 12

Vin p = 0 debido a que es oscilador

0
VE = 1 + Vin p = 1 1.3 = 1.3V
VE = 2V

VCE = Vo p + 1 = 3 + 1 = 4 debe ser exacto - NO redondear


VCE = 4V

129
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

VE 2
RET = = = 80
I C 25m

VCC = VRC + VCE + VE


= 25 + 4 + 2
VCC = 31V

NOTA:

Si realizamos algn redondeo en VCC debemos:

- Mandar el voltaje sobrante a VE y,


- Recalcular RE2

130
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

IC 25m
IB = = = 250 A
100

I 2 = 10 I B = 10 250 = 2.5 mA
I1 = 11I B = 11 250 = 2.75 mA

VR1 = VCC VJBE VE = 31 0.6 2 = 28.4V

VR1 28.4
R1 = = = 10.327 K R1 = 10 K
I1 2.75m

VB 2 + 0.6
R2 = = = 1.04 K R2 = 1 K
I2 2.5m

Rin = RB || RinT = R1 || R2 || RinT = 537.17

Ponemos potencimetro del doble


23.8 nF 23.8 nF 23.8 nF

Rx = 662.83

Vo 1.2 K 1.2 K

Rin = 537.17

Si el valor de Rin saldra mayor a lo requerido tendramos que realizar el siguiente


procedimiento:

Ejemplo

Rin = R1 || R2 || RinT = 2 K Ya NO necesitamos RX

R1 || R2 || RinT = 1.2 K

?

Tenemos que calcular R2 y cambiar el circuito de la siguiente manera:

131
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Donde sera mejor utilizar un potencimetro en R2.

NOTA:

En el diseo RL 1 K , debido a que para valores mayores el diseo funciona, pero:

- Oscila a una frecuencia distinta.


- El Vo es mayor.
- Existe demasiada realimentacin.

Hay que tener en cuenta que al elegir el valor de A (ganancia) debemos considerar la
tolerancia de las resistencias a utilizarse y su respectivo factor de seguridad.

Diseo para que el bloque B no cargue al bloque A

Vo = 3V
RL 1 K
f OSC = 2KHz

En forma aproximada R >> RL , para lograr que el bloque B no cargue al A.

Asumo R = 10 K

Comenzando el diseo del amplificador, asumo RC = 1 K

Req 1K ||1K
K= = = 0.05
R 10 K

A = 29 + 23K + 4 K 2 = 29 + 23(0.05) + 4(0.05) 2


A = 30.16

132
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Obtenido este valor se debe hacer una consideracin acerca de la tolerancia de las resistencias.
En este caso todas las resistencias a utilizarse deberan ser de una tolerancia < 4%.

1
C=
2 R f OSC 6 + 4 K
1
=
2 (10 K )(2 K ) 6 + 4(0.05)
C = 3.196 nF

El resto del diseo se realiza de manera similar a la que se ha venido utilizando.

Otro diseo para que el bloque B no cargue al bloque A

Vo = 3V
RL 1 K
f OSC = 2KHz

Para que el bloque B no cargue al A: R >> Req

Asumo RC = 1 K

Req = RC || RL = 1K ||1K = 0.5K

Entonces, asumo R = 5.6 K

Req 0.5K
K= = = 0.0893
R 5.6 K

A = 29 + 23K + 4 K 2 = 29 + 23(0.0893) + 4(0.0893) 2


A = 31.085

Al igual que en la anterior opcin, es necesario considerar la tolerancia requerida para las
resistencias con las cuales vamos a trabajar. En este ejemplo todas las resistencias a utilizarse
deberan ser de una tolerancia < 7%.

1
C=
2 R f OSC 6 + 4 K
1
=
2 (5.6 K )(2 K ) 6 + 4(0.0893)
C = 5.636 nF

133
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Oscilador de puente de Wien

El oscilador de desplazamiento de fase estudiado es muy sencillo y funciona con facilidad.


Sin embargo, su estabilidad en frecuencia es ms bien pobre, hacindolo inviable para
aplicaciones de precisin.

Se puede sustituir la red de desplazamiento de fase por un circuito conocido como puente de
Wien cuya aplicacin ms conocida es la medicin de impedancias.

El amplificador operacional se constituye en el bloque A, pero tambin podra hacerse con


TBJs.

Para la realimentacin negativa (bloque B) tenemos:

134
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

R2 || X C 2
Vf = Vo
R1 + X C1 + R2 || X C 2
Vf R2 || X C 2
=B=
Vo R1 + X C1 + R2 || X C 2
:
:
B = Br + jBi = ?

2C1R2 ( C1R1 + C2 R2 + C1R2 )


Br =
(1 C C R R ) + 2 ( C1R1 + C2 R2 + C1R2 )
2 2 2
1 2 1 2

C1R2 (1 2C1C2 R1R2 )


Br =
(1 C C R R )
2
+ 2 ( C1R1 + C2 R2 + C1R2 )
2 2
1 2 1 2

1
Bi = 0 f OSC =
2 C1C2 R1R2

C1R2
Br =
C1R1 + C2 R2 + C1R2

C1R1 + C2 R2 + C1R2
Ar =
C1R2

C = C2 = C
El la prctica lo que se hace es 1
R1 = R2 = R

Entonces
1
f OSC =
2 C R

1
Br = Ar = 3
3

Vf 1
Br = B = =
Vo 3

Vo
Vf = = V1
3
135
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Para que el puente est equilibrado V1 = V2

Rb Vo
Vo =
Ra + Rb 3
3Rb = Ra + Rb
Ra = 2 Rb

Con amplificador operacional

Un factor a considerar en este caso es que debido a que la corriente de salida (IO) est en
unidades de mA vamos a requerir de un valor mnimo de RL.

Para evitar inconvenientes el momento de elegir las resistencias observamos que se cumpla:
R f + R1 50 K

Para el diseo:

- Comenzamos asumiendo R
- Tomamos en cuenta que todas las resistencias sean > 50 K

Con TBJ

En 2 Etapas
R f = Ra
Tomamos la consideracin que
RE1 = Rb

- La realimentacin negativa () se conecta a emisor


- La realimentacin positiva (+) se conecta a base

a la
entrada

Rin || R2 || C2

136
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Otra opcin que tenemos es hacer que Rin haga de R2

En 1 Etapa

- La realimentacin negativa () se conecta a base. Rin = Rb


- La realimentacin positiva (+) se conecta a emisor. R2 = RE1

Consideraciones

En la prctica resulta que la oscilacin crece constantemente en amplitud ya que los


amplificadores operacionales no son ideales, sino que alcanzarn la saturacin al cabo de unos
pocos ciclos. Para solventar este problema se debe reajustar la ganancia, con una resistencia
variable con la tensin. Esto es relativamente complejo y se suele recurrir a elementos no
lineales, como los diodos.

137
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

FUENTES REGULADAS
(Regulacin de Voltaje)

IN

VIN mx

VIN mn

Fuente ms sencilla

Vz = Vo
VIN > Vz

138
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

I = I Z mn + I L mx ; I Z mn I ZK
I = IZ + IL
I = I Z mx + I L mn ; I Z mx I ZM

Para que el Diodo Zener funcione correctamente.

VIN = VR + VZ = I R + VZ

VIN mn = ( I Z mn + I L mx ) R + VZ


0
VIN mx = ( I Z mx + I Lmn ) R + VZ
V mx = I mxR + V
IN Z Z

Para seal (para las variaciones)

rZ || RL
Vo = Vin
R + rZ || RL
Vo r || RL
= Z
Vin R + rZ || RL

Vin R + rZ || RL
= a = FR = Atenuacin o Factor de Regulacin
Vo rZ || RL

Si RL >> rZ y R >> rZ Como sucede en la prctica

R
a = FR =
rZ

El Factor de Regulacin (FR) indica la calidad de la fuente y su valor depende de la


aplicacin para la cual se vaya a utilizar. Mientras mayor sea ste, la fuente se vuelve ms
costosa.

139
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Ejercicio

Vo = 20V
IL = 1 A corresponde al valor mximo
FR 100
Vlnea = 80V 130V

El Zener lo elegimos dependiendo de las caractersticas solicitadas.

Para este caso un Zener de 20 V y que soporte 1 A sin carga.

Pd Z I Z VZ
I L VZ
1 A20V
Pd Z 20W Pd Z va a ser mayor a 20 W

Al azar elegimos un Zener de Pd = 40W y observamos sus caractersticas en el respectivo


manual.

I ZK = 5mA
I
ZT

I ZM
rZ = 15

Debemos caer en cuenta que mientras mayor es la potencia de Zener, mayor es IZK y mayor es
rZ.

R
FR =
rZ
R = rZ FR
= 15 100
R = 1500 R = 1.5K

Si el valor de la resistencia calculada no resulta un valor estndar elegimos el valor inmediato


superior. De esta manera aumentamos el valor del FR.

140
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

VIN mn = ( I Z mn + I L mx ) R + VZ
I Z mn I ZK

I ZK 1.3 = 5m 1.3 = 6.5m I ZK = 7mA Considerando la tolerancia
= (7mA + 1 A)(1.5K ) + 20
VIN mn = 1530.5V ?! cuando el Vlnea es mnimo

Vlnea VIN
80V 1530.5V
130V x

1530.5 130
x = VIN mx = = 2487.063V
80

2487V 20V
I Z mx = = 1.64 A Quitando R L
1.5K
I ZM > 1.64 (para que no se queme)

Pd Z = I ZVZ + I Z 2 rZ
= 73.14W 40W ?! (no sirvi el azar)

Nos tocara recalcular todo porque el valor elegido no funcion.

El Diodo Zener a utilizarse debe ser de al menos el doble para evitar inconvenientes, es decir,
de unos 150W 200W. Adems, la resistencia a usarse debe ser de una potencia grandsima.

Entonces, este diseo presenta deficiencias y es usado para valores de

FR baja

I L baja

Es decir, para cuando no se necesita Vo extremadamente fijo.

Fuente con Transistor

El transistor Q1 es el elemento de control en serie, y el diodo Zener proporciona el voltaje de


referencia. Esta operacin de regulacin puede describirse de la forma siguiente:

1. Si el voltaje de salida disminuye, un mayor voltaje base-emisor ocasionar que el


transistor Q1 conduzca ms, con lo que se eleva el voltaje de salida y se mantiene la salida
constante.

141
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

2. Si el voltaje de salida incrementa, un menor voltaje base-emisor ocasionar que el


transistor Q1 conduzca menos, de esta forma se reduce el voltaje de salida y se mantiene la
salida constante.

Al variar RL vara IZ

I = IZ + IB
I
I B = L
+1
debiendo ser I Z >> I B para que I Z = cte

I Z I ZT

VZ = Vo + VJBE

VIN = VR + VZ = I R + VZ

VIN > Vo

VCE 3V para que est en la regin activa

Para seal (para las variaciones)

RL = ( + 1)( re + RL )

rZ || RL
Vo = Vin
R + rZ || RL
Vo r || RL
= Z
Vin R + rZ || RL

Vin R + rZ || RL
= a = FR =
Vo rZ || RL

142
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

RL >> rZ R
Si a = FR = ms exacto que antes
R >> rZ rZ

Ejercicio

Vo = 20V
IL = 1 A
FR 100
Vlnea = 80V 130V

VZ = Vo + VJBE
= 20 + 0.6
VZ = 20.6V

rZ = 10

Buscando las caractersticas del Zener en el respectivo manual I ZK = 1mA
I = 10mA
ZT

El transistor: = 50 disminuye su valor al aumentar la potencia

R
FR =
rZ
R = rZ FR
= 10 100
R = 1K

En el transistor

P = V I = 3V 1 A = 3W 6W
como sabemos que es mayor P = 10W

IL 1A
IB = = = 20mA
50

143
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Fuente con Transistores en configuracin Darlington

Al haber llegado a un valor de corriente que no cumple los requerimientos, usamos Darlington
QD, para bajar IB.

Tenemos que

Q1 Pd1 = VCE1 I C1
= VCE1 I L

Q2 Pd 2 = VCE 2 I C 2
I C1
= (VCE1 VJBE1 )
1
I C1
VCE1
1
Pd1
Pd 2
1
10 1 = 50
= ya protegido depende de la potencia
50 2 = 100

Con Darlington

VZ = Vo + VJBED
= 20 + 1.2
VZ = 21.2V

IL 1A
IB = =
D 50 100
I B = 0.2mA

I Z >> I B
I Z = 10mA
I Z I ZT

144
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

I = IZ + IB
= 10m + 0.2m
I = 10.2mA

VIN = I R + VZ
= (10.2m )(1K ) + 21.2
VIN = 31.4V

Ya teniendo el VIN tenemos varias alternativas que podemos elegir para el diseo.

1. Considerar que VIN = VIN mn

VIN = VIN mn = 31.4V I = 10.2mA

80V 31.4V
31.4 130
130V x = VIN mx = = 51.025V
80

La corriente va a cambiar

VIN mx VZ 51.025 21.2


I= = = 29.825mA
R 1K

I Z mx = I = 29.825mA
I ZM > I Z mx

Pd Z = I ZVZ + I Z 2 rZ
= (29.825m )(21.2) + (29.825m )2 (10)
Pd Z = 641.185mW

Esta alternativa necesariamente va a funcionar, pero la potencia del Zener a usarse va a ser
mayor.

VIN mx VIN mn
2. Considerar VIN = VIN promedio =
2

145
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

VIN mx VIN mn
VIN = VIN promedio = = 31.4V I = 10.2mA
2

130 + 80
Vlnea promedio = = 105V
2

105V 31.4V
31.4 80
80V x = VIN mn = = 23.924V
105

VIN mn VZ
VIN mn = 23.92V I= = 2.72mA
R

Si sacamos de la fuente 1 A (mxima corriente requerida), esto se llama a plena carga.

I Z mn = I I B = 2.72m 0.2m = 2.52m

105V 31.4V
31.4 130
130V x = VIN mx =
105

VIN mx VZ
VIN mx = 38.88V I= = 17.68mA
R

I Z mx = I = 17.68mA se verifica que se cumpla con la condicin de I ZM

Pd Z = 377.94mW

Esta alternativa exige que la potencia del Zener sea de menor valor, pero podra suceder que
I Z mn < I ZK , con lo cual sera descartada esta opcin.

146
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Fuente con Realimentacin

I = IC 3 + I B
I = I
C3 Z

IL
I C 3 >> I B para que el voltaje se mantenga cte ; I B =
D

I C 3 = I Z I ZT


IC 3
I B3 =
3
I 2 >> I B 3

I1 = I 2 + I B 3

I
I1 <<< I L hay que verificar que se cumpla I1 L
100

para que el bloque B no cargue al boque A
I >> I (corriente de fuga)
1 CO

VZ = Vo + VJBED VCE 3

VCE 3 3V para que siempre est trabajando en la regin activa

VIN = VZ + VCE 3 + VR

VCED 3V voltaje de entrada AL MENOS 3V


ms que el voltaje de salida

En este circuito no se necesita una resistencia de descarga para la configuracin Darlington.


Para seal (realimentacin negativa)
A
G=
1 + AB

147
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

A QD A=1
B ( R1 , R2 y Q3 )

A3

R2 || RinT 3
Vf 1 = Vo
R1 + R2 || RinT 3

V f 2 = A3 V f 1
R2 || RinT 3
= A3 Vo
R1 + R2 || RinT 3
Vf 2 R2 || RinT 3
= B = A3
Vo R1 + R2 || RinT 3
14 4244 3
DT

B = A3 DT

R || RinD
A3 =
re 3 + rZ

RinD = D ( reD + RL ) debido que que B no carga a A

1
G= menor que 1 para no amplificar seales
1+ B
1
G= B lo ms gande posible B >> 1
B

Vin 1
= = B = a = FR
Vo G

DT < 1 (siempre)
B = A3 DT
A3 >>> lo ms alto posible

148
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Ejercicio

Vo = 20V
I L = 1A
FR 100
-----------------
1 = 50 (de potencia )
2 = 3 = 100
-----------------
I ZK = 1mA
I ZT = 10mA
rZ = 10

IL 1
IB = = = 0.2mA
D 50 100

I C 3 >> I B
I C 3 = I Z = 10mA
IC 3 = I Z I ZT

I = I C 3 + I B = 10m + 0.2m = 10.2mA

IC 3 10m
I B3 = = = 0.1mA
3 100

I 2 >> I B 3
I 2 = 1mA

Comprobando que se cumplan las condiciones

I1 = I 2 + I B 3 = 1m + 0.1m
I1 = 1.1mA ( I CO A o nA)

VZ = Vo + VJBED VCE 3
= 20 + 1.2 3
VZ = 18.2V elegimos Zener de MENOR valor estndar (aumenta VCE3 )
VZ = 18V

149
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

VB 3 = VZ + VVBE 3
= 18 + 0.6
VB 3 = 18.6V

VB 3 18.6
R2 = = = 18.6 K R2 = 18K
I2 1m

Vo VB 3 20 18.6
R1 = = = 1.27 K R1 = 1.2 K
I1 1.1m

FR = A3 DT
R2 || RinT 3
DT =
R1 + R2 || RinT 3

RinT 3 = ( 3 + 1)( re 3 + rZ )
25mV
= 101( + 10)
10mA
RinT 3 = 1.263K

Reemplazando los valores DT = 0.5

FR 100
A3 = = = 200
DT 0.5
R || RinD
A3 = = 200
re 3 + rZ

Vo 20
RL = = = 20 RL > 20
IL 1

RinD = D ( reD + RL )
50m
= (50 100) + 20
1
RinD = 100.25K

2.7 K
R = 2.56 K elegimos el MAYOR para obtener un mayor A 3
2.2 K
R = 2.7 K
150
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

VIN = VZ + VCE 3 + VR
= 18 + 3.2 + 10.2m 2.7 K
VIN = 48.74V

Habiendo obtenido en valor de VIN tenemos las mismas alternativas que se expusieron
anteriormente:

- Considerar VINmn
- Considerar VINpromedio

Teniendo previamente en cuenta que este diseo exige transistores ms costosos.

Debido a que la ganancia es muy alta el circuito puede oscilar y por este motivo para evitar
oscilaciones se coloca un capacitor adicional que sea cortocircuito a la frecuencia de
oscilacin. Este capacitor puede tener un valor entre 0.1F y 0.47F.

Fuente con Realimentacin y Fuente de Corriente

Para subir la calidad de la fuente anterior (aumentar FR) la nica opcin que tenemos es subir
el valor de R, pero esto provoca que:

- El voltaje de entrada VIN aumente


- VCE aumente
- El transistor de salida Q1 aumente su potencia (ms costoso)

Una opcin que se presenta es poner una fuente de corriente en vez de R, consiguiendo que:

RinD
R= A3 = mximo valor de ganancia y mximo FR
re 3 + rZ

151
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Reemplazando

FR = A3 DT
RinD
A3 =
re 3 + rZ

Con los valores con los cuales hemos venido trabajando tenemos:

100.25K
A3 = = 8020 FR = 4010
2.5 + 10

Implementando la fuente de corriente

Hacemos que a pesar que vare el Voltaje de Entrada, I = cte.

VIN = VZ 1 + VCE 3 + VCE 4 + VRE , VRE = I RE

152
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

VCE 3 3V
para que estn en la regin activa
VCE 4 3V

VRE = VZ 2 VJBE 4
= 2.2 0.6 = 1.6V

VZ 2 conviene que sea lo ms bajo posible y en la actualidad el menor valor que se puede
conseguir es 2.2 V.

VIN = 18 + 3.2 + 3 + 1.6 = 25.8V

Nos damos cuenta que bajamos el VCE1 y de esta manera disminuye la potencia, y por
consiguiente el costo.

VRE VZ 2 VJBE 4 2.2 0.6


RE = = = = 156.863
I I 10.2m

I 10.2m
IB4 = = = 102 A
4 100

I Z 2 >> I B 4 I Z 2 I ZT (segn el manual)

I3 = I Z 2 + I B4

VIN VZ 2
R3 =
I3

As acaba el diseo de la fuente de corriente.

153
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

CIRCUITOS DE PROTECCIN

Proteccin con Diodos

Con los diodos hemos hecho una fuente de corriente. Cuando el voltaje sobre la resistencia Rs
< 0.6 V es como si los diodos no existieran, pero cuando por Rs pase una corriente mayor a la
deseada hacemos que 0.6 V caigan en ella y los diodos comienzan a funcionar.

Para esta proteccin se usan tantos diodos como junturas ms uno se tengan.

VD
RS = con esta proteccin incluso podramos hacer cortocircuito
I L mx

Tenemos que considerar que la potencia del transistor de salida Q1 va a aumentar y se puede
calentar demasiado e incluso quemarse, por lo que es necesario usar un disipador de calor.

Proteccin con Diodos Zener

Otra opcin que tenemos es usar un Zener en vez de los diodos, en este caso:

154
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

VZ VJBED
RS =
I L mx

La resistencia Rs no es buena para la fuente y desde el punto de vista ideal tendra que ser Rs
= 0, pero en la prctica se toma el valor ms bajo posible.

Teniendo ambas alternativas (Diodos y Zener) analizamos cul nos entrega un valor de Rs
ms bajo y esa se convierte en la mejor opcin.

Proteccin con transistor (limitador de corriente)

La limitacin de corriente reduce el voltaje a travs de la carga cuando la corriente se vuelve


mayor al valor lmite.

155
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Lo que se hace en este caso es que el transistor Qs se sature, es decir que entre base y emisor
caiga un voltaje mayor a 0.6 V. Esto lo conseguimos haciendo que sobre la resistencia Rs
caigan 0.8 V al pasar una corriente superior a la mxima deseada.

De esta forma, al detectarse una corriente mayor a la deseada, los transistores de salida se
prenden y se apagan continuamente. Debido a esta situacin los transistores de salida (Q1 y
Q2) se van a calentar menos y van a ser de una potencia menor.

VJBEsat 0.8V
RS = =
I L mx I L mx

Si aumentamos la resistencia Rb damos proteccin al transistor Qs. El exceso de voltaje sobre


la resistencia Rs va a caer sobre Rb. El valor de la resistencia Rb va a estar entre 100 y 1
K y se la selecciona empricamente hasta que el voltaje sobre Rs sea bajo.

Proteccin con SCR

El rectificador controlado de silicio (SCR: Silicon Controlled Rectifier) es un tipo de tiristor


formado por cuatro capas de material semiconductor con estructura PNPN o bien NPNP.

Un SCR posee tres conexiones: nodo, ctodo y puerta. La puerta es la encargada de controlar
el paso de corriente entre el nodo y el ctodo. Funciona bsicamente como un diodo
rectificador controlado, permitiendo circular la corriente en un solo sentido. Mientras no se
156
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

aplique ninguna tensin en la puerta del SCR no se inicia la conduccin y en el instante en


que se aplique dicha tensin, el tiristor comienza a conducir. Una vez arrancado, podemos
anular la tensin de puerta y el tiristor continuar conduciendo hasta que la corriente de carga
disminuya por debajo de la corriente de mantenimiento. Trabajando en corriente alterna el
SCR se desexcita en cada alternancia o semiciclo.

Cuando se produce una variacin brusca de tensin entre nodo y ctodo de un tiristor, ste
puede dispararse y entrar en conduccin an sin corriente de puerta. Por ello se da como
caracterstica la tasa mxima de subida de tensin que permite mantener bloqueado el SCR.
Este efecto se produce debido al condensador parsito existente entre la puerta y el nodo.

Los SCR se utilizan en aplicaciones de electrnica de potencia y de control. Podramos decir


que un SCR funciona como un interruptor electrnico.

Caractersticas de la compuerta de los SCR

Un SCR es disparado por un pulso corto de corriente aplicado a la compuerta. Esta corriente
de compuerta (IG) fluye por la unin entre la compuerta y el ctodo, y sale del SCR por la
terminal del ctodo. La cantidad de corriente de compuerta necesaria para disparar un SCR en
particular se simboliza por IGT. Para dispararse, la mayora de los SCR requieren una corriente
de compuerta entre 0.1 y 50 mA (IGT = 0.1 - 50 mA). Dado que hay una unin pn estndar
entre la compuerta y el ctodo, el voltaje entre estas terminales (VGK) debe ser ligeramente
mayor a 0.6 V. En la figura 4 se muestran las condiciones que deben existir en la compuerta
para que un SCR se dispare.

Voltaje de compuerta a ctodo (VGK) y corriente de compuerta (IG)


necesarios para disparar un SCR.

Una vez que un SCR ha sido disparado, no es necesario continuar el flujo de corriente de
compuerta. Mientras la corriente contine fluyendo a travs de las terminales principales, de
nodo a ctodo, el SCR permanecer en ON. Cuando la corriente de nodo a ctodo (IAK)
caiga por debajo de un valor mnimo, llamado corriente de retencin, simbolizada IHO el SCR
se apagara. Esto normalmente ocurre cuando la fuente de voltaje de ca pasa por cero a su
regin negativa. Para la mayora de los SCR de tamao mediano, la IHO es alrededor de 10
mA.

Esta proteccin se constituye en la mejor de todas y se puede aplicar tanto a la fuente con
resistencia o cuando dicha resistencia ha sido reemplazada por una fuente de corriente.

157
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Se usa un pulsante que normalmente est cerrado para que de esta forma al pulsarlo el SCR
deje de conducir.

VAK = 1V

El SCR se dispara al haber un cortocircuito o una sobrecarga (sacar de la fuente una corriente
mayor a la fijada, es decir, poner una resistencia de menor valor al lmite establecido). Al
estar el SCR disparado:

- NO funciona el Darlington (no consumen potencia lo transistores de salida).


- NO existe Vo.
- NO existe IL.

VGKdisparo 0.8V
RS =
I L mx I L mx

La resistencia Rg se coloca para que sobre ella caiga el exceso de voltaje y de esta forma
proteger al SCR. El valor de Rg va a estar entre 100 y 1 K.

Debido a los transitorios de alta frecuencia que ocurren en el transformador y que pueden
activar el SCR, se coloca el capacitor C en paralelo con Rs para de esta forma eliminarlos.

158
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Fuente regulada con voltaje de salida variable

El VB = cte, sin importar la posicin del potencimetro.

1 Vo = Vomn ( I 2mn hacer cumplir I 2 >> I B 3 )


I 2 >> I B 3
I1 = I 2 + I B 3
VB 3 VZ 1 + VJBE 3
P + R2 = =
I2 I2
Vomn VB 3
R1 =
I1

2 Vo = Vomx
V
I 2 = B 3 ; ( I 2 > I 2 que tenamos antes)
R2
I1 = I 2 + I B 3
Vomx + VB 3
R1 + P =
I1
Vomn VB 3
R1 =
I1

Necesitamos emplear sistemas de ecuaciones para encontrar nuestras incgnitas.

159
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Para la eleccin del Diodo Zener consideramos el caso del VOmn.

VZ 1 = Vomn + VJBED VCE 3

Si quisiramos que esta fuente vare desde 0V hasta 20V, la tierra debe reemplazarse por un
valor de voltaje negativo ().

160
CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

AMPLIFICADORES DE POTENCIA

Las etapas de salida, tambin denominadas etapas de potencia, son configuraciones especiales
localizadas a la salida de un amplificador utilizadas para proporcionar cierta cantidad de
potencia a una carga con aceptables niveles de distorsin. Adems, una etapa de salida debe
ser independiente del propio valor de la carga, tener reducido consumo esttico de potencia y
no limitar la respuesta en frecuencia del amplificador completo.

Las etapas de salida son diseadas para trabajar con niveles de tensin y corriente elevados.
Las aproximaciones y modelos de pequea seal no son aplicables o deben ser utilizados con
mucho cuidado. Sin embargo, la linealidad de una etapa es una medida que proporciona la
calidad del diseo, muchas veces caracterizada a travs de la distorsin armnica total (total
harmonic distortion o THD). Este parmetro es un valor eficaz o rms de las componentes
armnicas de la seal de salida, sin incluir la fundamental de la entrada, expresada a travs del
porcentaje en trminos de rms respecto a la fundamental. Los equipos de sonido de alta
fidelidad tienen un THD inferior a 0.1%.

Otro parmetro importante de una etapa de potencia es su eficiencia, que indica el porcentaje
de potencia entregada a la carga respecto de la potencia total disipada por la etapa. Un valor
alto de eficiencia se traduce en una mayor duracin del tiempo de vida de las bateras o en el
uso de fuentes de alimentacin de bajo coste, adems de minimizar los problemas de
disipacin de potencia y coste del propio transistor de potencia. Es por ello, que las etapas de
salida utilizan transistores de potencia (> 1W) y el uso de aletas refrigeradoras resulta en
algunos casos imprescindible.

Las etapas de salida tradicionalmente son clasificadas de acuerdo a la forma de onda de la


corriente de colector del transistor de salida en clase A, clase B, clase AB y clase C. En la
etapa clase A, el transistor es polarizado con un corriente en continua de valor ICQ mayor que
la corriente de alterna de amplitud IC de forma que el periodo de conduccin es de 360. En
contraste, en la clase B la polarizacin DC es nula y slo conduce en un semiperiodo de la
seal de entrada (180). La etapa clase AB, intermedio entre la A y la B, el transistor conduce
un ngulo ligeramente superior a 180 y mucho menor que 360. En la etapa clase C conduce
ngulos inferiores a 180 y son empleadas usualmente en radiofrecuencia como por ejemplo
telfonos mviles y transmisores de radio y TV.

Clasificacin de los Amplificadores

- Clase A
- Clase AB
- Clase B
- Case C

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Clasificacin de las etapas de salida: a) clase A, b) clase B, c) Clase AB y d) Clase C.

Clase A

Un amplificador clase A se polariza de tal modo que conduce corriente de manera continua.
La polarizacin se ajusta para que la entrada haga variar la corriente del colector (o de
drenaje) en una regin lineal de la caracterstica del transistor. En consecuencia, su salida es
una reproduccin lineal amplificada de la entrada. Son amplificadores de potencia ineficaces
que se usan como amplificadores de voltaje de seales pequeas o para amplificadores de baja
potencia. Su desventaja es que an con seal nula disipa una cantidad considerable de
potencia.

El funcionamiento en clase A se lleva a cabo, ntegramente, dentro de la regin activa,


comprendida entre el corte y la saturacin del dispositivo, sin llegar a salirse de ella en ningn
momento. El punto de trabajo de reposo se fija en el punto medio entre los puntos de corte y
saturacin de la recta de carga.

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Se caracteriza por presentar una corriente continua media de colector constante y


suficientemente grande como para mantenerse en todo momento dentro de la regin activa. El
dispositivo activo se comporta como una fuente de corriente. El empleo de circuitos
sintonizados o filtros de paso bajo en los colectores de este tipo de amplificadores (al igual
que en los de clase B) no es inherente a su modo de operar y, cuando se ponen es por asegurar
una supresin adecuada de armnicos en la salida o por razones de adaptacin.

De cualquier manera la escasa importancia de los armnicos en las cuestiones de potencia


hace que se consideren inexistentes en el clculo de sta y que se traten slo en el estudio
especfico de distorsiones.

En teora, la clase A puede alcanzar un rendimiento de hasta el 50%, pero, dado que no se
puede apurar al mximo, queda alrededor del 25%, o, incluso, puede bajar hasta el 15%,
segn la exigencia de linealidad.

En el caso terico de 50% de rendimiento, la eficacia instantnea es proporcional a la potencia


de salida y la eficacia media es inversamente proporcional a la relacin de potencia de pico a
potencia media.

En cambio, la ganancia es uno de los puntos fuertes de los transistores trabajando en clase A.
Suele ser 3 a 6 dB mayor que operando en clase B, y mucho mayor que en clase C.

No existe una lnea de separacin definida entre los amplificadores de potencia de clase A y
los amplificadores de seal dbil, es decir, es prcticamente lo que se ha venido haciendo,
pero la metodologa de diseo es diferente.

Caractersticas

- ngulo de conduccin: 360


- Baja distorsin
- Bajo rendimiento (se desperdicia mucha potencia)

Clase AB

Un amplificador clase AB se polariza cerca del corte con cierto flujo de corriente continuo del
colector. Tambin se usa en amplificadores push-pull y proporciona una linealidad mejor que
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un amplificador clase B, pero con menos eficiencia. Esta configuracin es una variante de la
etapa de tipo B en la que se sacrifica la disipacin de una pequea cantidad de potencia
cuando opera sin seal, a cambio de evitar la zona muerta de respuesta.

Esta clase sigue requiriendo de una conexin en contrafase, para obtener un ciclo completo de
salida, sin embargo, el nivel de polarizacin de DC es, por lo general, ms cercano al nivel de
corriente de base cero, para una mejor eficiencia de potencia.

En los amplificadores de clase A, la distorsin no lineal disminuye montonamente con la


potencia de salida. Sin embargo, la cosa cambia cuando de clase B se trata. Su
comportamiento irregular obedece a la existencia del mencionado crossover. Precisamente, si
se quiere paliar este problema en la zona de relevo se recurre a que cada transistor
saliente acompaase al entrante durante algunos grados. Lo que da origen a la clase AB,
que mejora notablemente la distorsin, aunque afectando, ligeramente, al rendimiento.

La operacin en clase AB tiene, pues, su origen en perfeccionamiento de circuitos


amplificadores en contrafase. Esta configuracin proporciona, al igual que la clase A una
seal de salida altamente lineal con respecto a la seal de entrada, pues, aunque cada
transistor slo conduce durante medio ciclo, ambos transistores se ceden el relevo, en el
paso por cero, de modo que en su conjunto se comportan de manera lineal, especialmente si
ambos transistores son idnticos.

En cuanto a la ganancia de potencia, los amplificadores del tipo AB son algo intermedio entre
los de tipo A y los de B. El razonamiento con respecto al valor de la transconductancia
efectiva es el mismo que se hizo en el caso de clase B.

En frecuencias elevadas puede obtenerse, mediante estructura en push-pull, un satisfactorio


funcionamiento en banda ancha. Lamentablemente no pueden utilizarse topologas
complementarias a esas frecuencias (HF; VHF), dado el deficiente comportamiento a tales
frecuencias de los transistores PNP. Los montajes complementarios se circunscriben al audio
y las frecuencias de radio bajas y medias.

Caractersticas

- ngulo de conduccin entre 180 y 360


- Presenta distorsin (mayor que en el clase A)
- Mayor rendimiento que el clase A
- Para tener una seal de salida se 360 se necesita de un montaje en contrafase.

Las configuraciones ms utilizadas para polarizar los transistores de salida son: con diodos y
con un multiplicador VBE.

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Clase AB con polarizacin por diodos

En ausencia de seal, vi = 0, la cada de tensin en el diodo D1 hace que el transistor Q1 est


en la regin lineal con una corriente de colector baja y lo mismo sucede a Q2 con el diodo D2;
es decir, ambos transistores conducen. Cuando se aplica una tensin a la entrada uno de los
transistores estar en la regin lineal y el otro cortado, funcionando de una manera similar a la
etapa clase B pero con la ausencia de distorsin de cruce. En este caso la potencia promedio
suministrada por una fuente de alimentacin es

VCC Vo
PCC = + I V
RL Q CC

En general, el segundo trmino es despreciable frente al primero.

La polarizacin con diodos presenta una importante ventaja al proporcionar estabilizacin de


la polarizacin con la temperatura. Al aumentar la temperatura, el VBE de los transistores
disminuye pero a su vez la cada de tensin de los diodos tambin lo que permite mantener
constante la corriente de polarizacin de los transistores de salida.

Clase AB con polarizacin por multiplicador VBE

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Otro procedimiento para obtener la diferencia de tensin 2VBE entre la base de los transistores
necesaria para eliminar la distorsin de cruce es utilizar lo que se denomina un multiplicador
de VBE. Este circuito consiste en un transistor (Q3) con dos resistencias (R1 y R2) conectadas
entre su colector y emisor con la base. Si se desprecia la corriente de base (para ello R1 y R2
VBE 3
deben ser de unos pocos K) entonces la corriente que circula por R1 es y la tensin
R1
entre el colector y emisor de ese transistor es

VBE 3 R
VCE 3 = ( R1 + R2 ) = VBE 3 1 + 2
R1 R1

R
es decir, la tensin VCE3 se obtiene multiplicando la VBE3 por un factor 1 + 1 .
R2

Clase B

La mayor desventaja de la anterior etapa de salida es el consumo esttico de potencia incluso


en ausencia de seal de entrada. En muchas aplicaciones prcticas existen largos tiempos
muertos (standby) a la espera de seal de entrada o con seales intermitentes como es el caso
de voz humana. Etapas de salida que desperdician potencia en perodos standby tienen efectos
perniciosos importantes. En primer lugar, se reducen drsticamente el tiempo de duracin de
las bateras de los equipos electrnicos. En segundo lugar, ese consumo de potencia
continuado provoca un incremento de temperatura en los dispositivos que limitan su tiempo
medio de vida dando lugar a una mayor probabilidad de fallar con el tiempo el sistema
electrnico.

Un amplificador clase B se polariza en corte de modo que cuando en el colector la entrada es


cero no fluye corriente. El transistor slo conduce la mitad de la entrada de onda senoidal. En
otras palabras, conduce en 180 de una entrada de onda senoidal. Esto significa que slo se
amplifica la mitad de la onda senoidal. Por lo comn, en una configuracin push-pull se
conectan dos amplificadores clase B de modo que la alternacin positiva y la negativa se
amplifican en forma simultnea. En estas etapas no se produce disipacin de potencia cuando
la seal es nula.

Puesto que la corriente de colector es proporcional a la amplitud de la seal de entrada, la


clase B proporciona amplificacin sensiblemente lineal, mientras est conduciendo el

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transistor. sta componente lineal siempre est presente a la salida, y ser aprovechable como
seal amplificada, aunque el hecho de que se produzca una interrupcin de la seal durante el
medio ciclo negativo provoca la aparicin de fuertes componentes armnicos (en especial
pares).

Si estos armnicos estn fuera de la banda de utilidad, pueden eliminarse por filtrado y el
amplificador cumple perfectamente su cometido. En otros casos, en cambio, pueden hacer el
sistema inservible.

La etapa de salida clase B tiene consumo esttico de potencia en modo standby prcticamente
cero. Utiliza dos transistores, uno NPN y otro PNP, en contrafase que conducen
alternativamente en funcin de si la seal de entrada es positiva o negativa. De ah, el nombre
de push-pull. Otra ventaja adicional es su mejor eficiencia que puede alcanzar un valor
mximo prximo al 78% muy superior al 25% de la etapa de salida clase A.

Caractersticas

- ngulo de conduccin: 180


- Presenta mayor distorsin que el clase AB
- Mayor rendimiento que el clase AB
- Si se necesita que la seal de salida sea de 360 se requiere un montaje en contrafase.

Clase C

Se encuentra polarizado en una zona de respuesta no lineal, de forma que los dispositivos
activos slo conducen en una fraccin reducida del periodo de la seal, es decir, menos de
180 del ciclo. De esta forma se consiguen rendimientos mximos, aunque se necesitan
elementos reactivos que acumulen la energa durante la conduccin y la liberen en el resto del
ciclo en el que el dispositivo no conduce, es decir, operar solamente con un circuito de
sintonizacin (resonante), el cual proporciona un ciclo completo de operacin para la
frecuencia sintonizada o resonante.. Esta clase de operacin es, por tanto, utilizada en reas
especiales de circuitos de sintonizacin, tales como radio o comunicaciones (amplificacin de
seales de banda muy estrecha).

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Esta modalidad tiene su autntica razn de ser, y su origen, en la amplificacin de muy alta
potencia con vlvulas termoinicas. El punto de trabajo ha de conseguirse polarizando
inversamente la entrada del dispositivo activo.

En clase C el dispositivo activo es llevado, deliberadamente, a un funcionamiento


absolutamente no lineal. La eficacia puede llevarse, tericamente, a las proximidades del
100%, en la medida que el ngulo de conduccin se aproxima a cero. Desgraciadamente esto
conlleva que la ganancia vaya disminuyendo de manera que la potencia de excitacin
necesaria tiende a infinito. Un buen compromiso es un ngulo de conduccin de 150, que
resulta en una eficacia de 85%.

Se puede decir que casi funciona como un conmutador, para reducir las prdidas por
resistencia. El dispositivo conduce durante un ngulo muy pequeo y el circuito sintonizado
del colector se encarga de reconstruir (en realidad, seleccionar) la seal fundamental a
partir de la seal peridica impulsiva que le entrega el amplificador.

El filtro de salida de un verdadero clase C es un circuito resonante paralelo que deriva a tierra
los componentes armnicos de la seal pulsante, que, de este modo, no generan tensiones
correspondientes a los citados armnicos.

Cuando se lleva el amplificador a saturacin, la eficacia se estabiliza y la tensin de salida


est determinada por la tensin de alimentacin, lo que permite la modulacin lineal de
amplitud a alto nivel (haciendo que la tensin se alimentacin sea la seal moduladora).

Una dificultad aadida para el verdadero funcionamiento en clase C con semiconductores es


que se requiere una muy baja impedancia de salida y esto crea serios problemas para adaptar
circuitos resonantes paralelos a estas salidas.

La clase C, a diferencia de la B unilateral, no slo genera importantes armnicos, como


aquella, sino que su respuesta es esencialmente no lineal, incluso para el fundamental.

Polarizacin en clase C

La clase C clsica es excelente en tubos de vaco pero resulta impracticable en amplificadores


de estado slido, en particular con transistores bipolares. En efecto, esta clase no suele ser

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muy recomendable porque acorta su vida. La operacin en C exige polarizar negativamente la


base con respecto al emisor y la tensin de ruptura inversa base-emisor. Solamente puede
hacerse una excepcin. En tal caso puede recurrirse a un procedimiento de autopolarizacin
para conseguir la adecuada tensin continua inversa de polarizacin en la base.

El sistema se basa en la autopolarizacin que produce la rectificacin de la propia seal de


entrada al circular por el diodo que constituye la unin base-emisor del transistor de potencia.

Caractersticas

- ngulo de conduccin menor a 180


- Presenta mayor distorsin que el clase B
- Mayor rendimiento que el clase B
- No es posible utilizar montaje en contrafase

En la prctica se utiliza el Clase B.

En este tipo de amplificadores es muy importante tomar en cuenta:

Pdmx

VCE mx ya que puede quemarse por cualquiera de ellos o en conjunto


I mx
C

Existe una familia de curvas de disipacin de potencia

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Metodologa de diseo

VCEM
VCET =
2
I
I CT = CM
2
Pd = VCET I CT
VCEM
Rac =
I CM

Rac es la carga que pide el transistor y se obtiene del inverso de la pendiente de carga.

Potencias

Nos va a permitir elegir la curva adecuada

Clase A Pd = 2 Po

Po
Clase B Pd =
2

Amplificador Clase A

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No se pone capacitor con RL porque se desperdicia potencia.

No se usa en la prctica.

Para 10 W de potencia de salida hay que elegir la curva de 20 W, y es mejor escoger una
superior para evitar posibles recortes.

En este caso las rectas de carga dinmica y esttica son las mismas. El pto. Q es el eje de la
recta de carga dinmica.

PCC = VCC I CQ

2
Vo 1
Po = pr Potencia eficaz
2 Rac

Pd r = VCET I CT
= VCEQ I CQ

Po
R= 100 [%] rendimiento
PCC

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VCEM n1
Rac = = n 2 RL ; n=
I CM n2

Donde n1 es el nmero de vueltas del primario y n2 es el nmero de vueltas del secundario.

2
Vo
Pd r = pi Pd i ; Pd i = 2 Po
Vo pr

Ahora con transformador

Se pone para compensar las prdidas en el transformador.

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1 caso ideal
1.1 10% prdidas en el transformador

=
1.2 20% prdidas en el transformador
M

Para el diseo

- Se deben tener todos los datos.


- Asumir VCC
- Asumir VE y lo que queda es VCEM
V
- VCET = CEM y tambin obtenemos Vo pi
2
Vo pr
- De la frmula VCET = Vo pr + Vact + Vin pi ; Vin pr =
A
Obtengo Vo pr
- Calculo I CT de la potencia y, adems, tengo I CM = 2 I CT
- Calculo Rac

Amplificador Clase B con salida con simetra complementaria

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Montaje en contrafase

Elementos

sirve para limitacin de corriente de salida (funciona como Rs de las


R1
protecciones).

R2 sirve para descarga de la juntura base-emisor de Q1.

para mantener a los transistores de salida en clase B y se utiliza uno


Diodos
por juntura.

debe ser cortocircuito para seal. De esta manera el voltaje de salida


C
de Q3 estar presente en los ptos. 1 y 2.

P1 sirve para disminuir o eliminar la distorsin de cruce.

VCC
para calibrar el pto. 3 a para que exista simetra en la seal de
P2 2
salida.

Distorsin de cruce

Se produce debido a que cada transistor conduce slo un semiciclo.

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Por este motivo en la prctica hay que calibrar los diodos de tal manera que estn a punto de
conducir, es decir, logrando una mnima distorsin y que los mismos slo conduzcan con
seal.

Para el diseo

Po
Datos
RL (parlante)

2 Vo p = 2PoRL
Vo 1
Po = p Vo p
2 RL iop =
RL

R1 << RL para que no sea carga


R
R1 L
10


VR1 = iop R1 voltaje que se va a desperdiciar y que se debe compensar

R2 >> RinT 1

RinT 1 = ( 1 + 1)( re1 + R1 + RL )

Hay que tener en cuenta que la etapa de Q3 es la ltima etapa de amplificacin de voltaje, es
decir, que pueden existir etapas previas de amplificacin en cascada.

RC << RinD para no desperdiciar voltaje

RinD = D ( reD + R1 + RL )

RC
VRC R || Rin Vo p 3
C D

Vo p 3 = Vo p + VR1

I C 3 = VRC
RC

En lo que respecta a los potencimetros tenemos:

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nVd
P1 = ; VD = voltaje de los diodos
IC 3
P1 = 2 P1 (para poder calibrar)

VCC VB 3
R3 + P2 =
I3
R3 P2 P2 = 2 P2

VCC = VE 3 + VCE 3 + nVD + VRC

El resto del diseo se realiza de manera similar a lo que se ha venido realizando.

Ejercicio

Po = 10W
RL = 8

Vo p = 2PoRL = 2(10)(8) = 12.649V

Vo p 12.649
iop = = = 1.581 A
RL 8

R1 = 0.75

VR1 = iop R1 = (1.58)(0.75) = 1.185V

Q1 : 1 = 50
Asumo
Q2 : 2 = 100

R2 >> RinT 1

25mV 25mV
re1 =
IE I E med

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I op Vop
I E med = =
RL

Vop 12.649
I E med = = = 0.503 A
RL (8)

25mV 25m
re1 = = = 0.05
I E med 0.503

RinT 1 = ( 1 + 1)( re1 + R1 + RL )


= (50 + 1)(0.05 + 0.75 + 8)
RinT 1 = 448.8

R2 = 4.7 K

50mV 50m
reD = = = 0.10
I E med 0.503

RinD = D ( reD + R1 + RL )
= (50 100)(0.01 + 0.75 + 8)
RinD = 44.25K

RC << RinD RC = 3.9 K

Calculo el voltaje de entrada a la etapa de potencia

Vo p 3 = Vo p + VR1
= 12.649 + 1.185
Vo p 3 = 13.834V

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RC
VRC Vo p 3
RC || RinD
3.9 K
13.834 1.3 = 19.57V
3.9 K || 44.25K
VRC = 20V

VRC 20
IC 3 = = = 5.128mA
RC 3.9 K

nVD 4(0.6)
P1 = = = 468
I C 3 5.128m
P1 = 1K

VCE 3 = Vo p 3 + Vact + Vin3


Vo p 3
= Vo p 3 + Vact + para este ejemplo asumimos un A3 , pero en la prctica tendr
A3
una ganancia propia determinada por los requerimientos
13.834
= 13.834 + 2 +
10
VCE 3 = 17.217V

25mV 25m
re 3 = = = 4.87
IC 3 5.128m

Req RC || RinD 3.9 K || 44.25K


re 3 + RE1 = = = = 358.411 hay estabilidad
A3 A3 10

RE1 = 358.411 4.87 = 353.541


RE1 = 330

13.834
VE 3 1 + Vin p 3 = 1 + = 2.383 1.3 = 3.1V
10
VE 3 = 3.5V

VE 3 3.5
RET = = = 682.527
I C 3 5.128m

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RE 2 = RET RE1 = 682.527 330 = 352.527


RE 2 = 330

VCC = VE 3 + VCE 3 + nVD + VRC


= 3.5 + 17.217 + 4(0.6) + 20
= 43.117
VCC = 45V

IC 3 5.128m
I B3 = = = 51.28 A
3 100

I 4 = 10 I B 3 = 10(51.28 ) = 512.8 A

I 3 = 11I B 3 = 11(51.28 ) = 564.08 A

VB 3 = VE 3 + VJBE 3 = 3.5 + 0.6 = 4.1V

VB 3 4.1
R4 = = = 8K
I 4 512.8
R4 = 8.2 K

VCC VB 3 45 4.1
R3 + P2 = = = 72.507 K
I3 564.08
R3 = 33K
P2 = 39 K P2 = 100 K

Para comprobar en 3

V3 = 23.8V cercano a lo deseado

Para poner la proteccin analizamos el nmero de junturas y el voltaje sobre la resistencia R1.

iop = 1.58 A VR1 = iop R1 = 1.58 0.75 1.2V

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Protegiendo para una io mx = 2 A , entonces

VR1 = io mxR1 = 20.75 = 1.5V

VT = VR1 + VJBEQ1
= 1.5 + 0.6
VT = 2.1V

VT 2.1
VT = nVD n= = = 3.5
VD 0.6
n = 4 DIODOS

Finalmente, si desearamos hacer una fuente regulada para una cadena de amplificadores en
cascada que terminan en un amplificador de potencia, tendramos que considerar los
siguientes requerimientos para la fuente:

Vo = VCC

I L = ( I1 , I RC ) + iop

Y el diseo se efecta de manera similar a como se explica en la parte referente a fuentes


reguladas.

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CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

BIBLIOGRAFA
- BOYLESTAD, Robert L. y NASHELSKY, Louis; Electrnica: Teora de Circuitos y
Dispositivos Electrnicos, 8va Edicin, Pearson Educacin, Mxico, 2003.

- http://es.wikipedia.org/

- http://www.inele.ufro.cl/apuntes/Circuitos_1_3012_3017/Capitulo3_ce1.pdf

- http://iniciativapopular.udg.mx/muralmta/mrojas/cursos/elect/apuntesdefinitivos/UNIDA
D2/2.1.1.pdf

- http://www.frino.com.ar/resistor.htm

- http://www.datasheetarchive.com

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ANEXOS

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CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

Caractersticas Transistores 2N3904 y 2N3906


Este dispositivo se disea como propsito general como un amplificador y el de un interruptor. El rango
dinmico til se extiende a 100 mA como un interruptor y a 100 MHz como un amplificador. El transistor
2N3904 (NTE 123AP) es de disposicin NPN, mientras que el transistor 2N3906 (NTE 159 ) de
disposicin PNP.

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Cdigo de colores

Identificar un resistor no es una tarea muy complicada, note que la mayora, salvo los de montaje superficial,
poseen 4 bandas de colores, 3 de idnticas proporciones y una ms alejada de stas. Estas bandas representan el
valor real del resistor incluyendo su porcentaje de tolerancia o error siguiendo un cdigo de colores estndar. En
primer lugar tratamos de identificar el extremo que corresponde a la banda de tolerancia del resistor, que en la
mayora de los casos suele ser dorada (5%) o (algo ms raro) plateada (10%). Una vez localizada sta la dejamos
de lado, (literalmente a la derecha), vamos al otro extremo y leemos la secuencia: fig: 1 -primera banda:
corresponde al primer dgito del valor -segunda banda: corresponde al segundo dgito del valor -tercera banda:
representa al exponente, o "nmeros de ceros" a agregar -cuarta banda: porcentaje de tolerancia (la que habamos
identificado primero) Los colores corresponden a valores estandarizados

como se detallan: Color 1 y 2 dgitos multiplicador tolerancia Negro 0 1 (x100) Marron 1 10 (x101) 1% Rojo 2
100 (x102) Naranja 3 1000 (x103) Amarillo 4 10000 (x104) Verde 5 100000 (x105) Azul 6 1000000 (x106)
Violeta 7 10000000 (x107) Gris 8 100000000 (x108) Blanco 9 1000000000 (x109) Marron o nulo 1% Dorado
0.1 (x10-1) 5% Plata 10% Esto nos da para el ejemplo de la fig. 1

Resistores de montaje superficial SMD (Surface Mounted Device)

Identificar el valor de un resistor SMD es ms sencillo que para un resistor convencional ya que las bandas de
colores son reemplazadas por sus equivalentes numricos y as se estampan en la superficie del resistor, la banda
indicadora de tolerancia desaparece y se la "presupone" en base al nmero de dgitos que se indica, es decir: un
nmero de tres dgitos nos indica en esos tres dgitos el valor del resistor, y la ausencia de otra indicacin nos
dice que se trata de un resistor con una tolerancia del 5%. Un nmero de cuatro dgitos indica en los cuatro

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CIRCUITOS ELECTRNICOS Ing. Antonio Caldern

dgitos su valor y nos dice que se trata de un resistor con una tolerancia de error del 1%. fig.1 fig.2 -primer
dgito: corresponde al primer dgito del valor -segundo dgito: corresponde al segundo dgito del valor -tercer
dgito (5%): representa al exponente, o "nmeros de ceros" a agregar (fig. 1) -tercer dgito (1%): corresponde al
tercer dgito del valor (fig. 2) -cuarto dgito (1%): representa al exponente, o "nmero de ceros" a agregar

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Valores Estndar de Resistencias y capacitores

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