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MANUAL DE PROCEDIMIENTOS DE PRCTICAS

LABORATORIO Electrnica de Potencia

CARRERA Ingeniera Electrnica
SEDE Quito (Campus Sur)

1. DATOS INFORMATIVOS

a. MATERIA / CTEDRA RELACIONADA

Electrnica de Potencia

b. No. DE PRCTICA
1

c. NMERO DE ESTUDIANTES POR MDULO

3

d. NOMBRE INSTRUCTOR
Ing. Gustavo Caiza

e. TIEMPO ESTIMADO
90 minutos

2. DATOS DE LA PRCTICA
a. TEMA
Caractersticas transitorias de los diodos

b. OBJETIVO GENERAL
Observar y verificar las caractersticas transitorias que presentan diferentes
tipos de diodos y realizar la comparacin.

c. OBJETIVOS ESPECIFICOS

- Medir el tiempo de recuperacin inversa (trr) que presentan los

diodos.
- Medir el (tiempo de almacenamiento), (tiempo de cada)
para diferentes diodos.
- Comparar los valores obtenidos en las mediciones, con los valores
tericos.
- Mostrar los tiempos de cada diodo en el osciloscopio.
Elaborado por: Revisado por: Aprobado por:
Ing. Gustavo Caiza Ing. Eduardo Torres

Fecha de Elaboracin Fecha de Revisin Nmero de Resolucin Consejo de

Agosto 2013 Septiembre 2014 Carrera:
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d. MARCO TERICO

Diodos de potencia
Un diodo funciona como un interruptor, a fin de llevar a cabo varias
funciones, como la de interruptores en los rectificadores, de marcha libre
en los reguladores conmutados, inversin de carga de capacitores y
transferencia de energa entre componentes, aislamiento de voltaje,
retroalimentacin de la energa de la carga a la fuente de energa y
recuperacin de la energa atrapada.
Para la mayor parte de aplicaciones, se puede suponer que los diodos de
potencia son interruptores ideales. Los diodos de potencia son similares a
los diodos de seal de unin pn. Sin embargo los diodos de potencia tienen
mayores capacidades de manejo de energa, el voltaje y la corriente. La
respuesta a la frecuencia (o velocidad de conmutacin) es baja en
comparacin a los diodos de seal.
Caractersticas de la recuperacin inversa
La corriente de un diodo de unin con polarizacin directa se debe al efecto
neto de los portadores mayoritarios y minoritarios. Cuando un diodo esta
en modo de conduccin directa y su corriente se reduce a cero, el diodo
contina conduciendo, debido a los portadores minoritarios que
permanecen almacenados en la unin pn y en el material del
semiconductor. Los portadores minoritarios requieren un cierto tiempo
para recombinarse con las cargas opuestas y neutralizarse. Este tiempo se
conoce como tiempo de recuperacin inversa del diodo. En la siguiente
figura se muestra dos caractersticas de recuperacin inversa de los diodos
de unin. El ms comn es de tipo de recuperacin suave.
El tiempo de recuperacin inversa se denomina trr y se mide a partir del
cruce por cero inicial de la corriente del diodo con el 25% de la corriente
inversa mxima, Irr.
Trr est formado por los dos componentes y , esta generado por el
almacenamiento de carga en la regin de agotamiento de la unin y
representa el tiempo entre el cruce por cero y la corriente inversa pico, IRR.
Tb es debido al almacenamiento de carga en el material del semiconductor.

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Fig. 1 Caractersticas de recuperacin inversa

MARCO PROCEDIMENTAL

En la figura 2 se muestra el circuito que se debe implementar en la prctica

para lo cual se va a utilizar el generador de seales, el cual debe ser
configurado una onda cuadrada a una frecuencia de 4KHz y 22Vpp.
Se debe colocar las puntas de osciloscopio (x 10)como lo muestra la figura
2, el Canal 1(Invertido) y Canal 2 los cuales tendrn una misma referencia
(0v).
Utilizar el adaptador tres a dos al conectar la alimentacin del
osciloscopio.

Fig. 2. Circuito a implementar

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e. RECURSOS UTILIZADOS (EQUIPOS, ACCESORIOS Y MATERIAL CONSUMIBLE)

- Osciloscopio
- Generador de seales
- 2 puntas de osciloscopio (x10)
- Protoboard
- Diodos (Propsito General (1N4007) ,(1N4148), Schottky, Fred )
- Resistencias 1, 10 (10w)
- Adaptador de tres a dos.

f. REGISTRO DE RESULTADOS

- Medir los tiempos de respuesta para cada diodo y registrar sus

valores en la siguiente tabla.

1N4007
1N4148
Schottky
Fred

- Comparar los tiempos entre los diodos.

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- Mostrar los resultados obtenidos y conclusiones de la prctica.
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g. ANEXOS

h. BIBLIOGRAFA UTILIZADA
Electrnica de Potencia, Circuitos dispositivos y aplicaciones, MUHAMMAD H.
RASHID, Segunda edicin pg. 20- 28

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