POLARIZACIN DEL TRANSISTOR BJT

INFORME PREVIO

1. Qu es un transistor BJT?

Es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones

PN muy cercanas entre s, que permite aumentar la corriente y disminuir el
voltaje, adems de controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales.
La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al
desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos
y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones;
pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada
bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan
generalmente en electrnica analgica aunque tambin en algunas
aplicaciones de electrnica digital, como la tecnologa TTL o BICMOS.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo
cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera
quedan formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar

fuertemente dopada, comportndose como un metal. Su nombre se
debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.

Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector

Colector, de extensin mucho mayor.

La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su

funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en directa,
mientras que la base-colector en inversa.
Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es
muy angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al
colector.
El transistor posee tres estados de operacin: estado de corte, estado de
saturacin y estado de actividad.
2. Cules son los tipos de transistores BJT? Haga una pequea
descripcin de ellos

NPN

El smbolo de un transistor de unin bipolar NPN.

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en el que las

letras N y P se refieren a la mayora de portadores de carga dentro de
las diferentes regiones del transistor. La mayora de los transistores
bipolares se utilizan hoy son NPN, debido a de movilidad de electrones
es superior a agujero de la movilidad en los semiconductores,
permitiendo que las corriente de mayor y ms rpida operacin.
Transistores NPN consisten de una capa de P-dopados
(semiconductores de la base) entre dos capas N-dopada. Una pequea
corriente de entrada de la base en el modo de emisor comn es
amplificada en la salida del colector. En otros trminos, un transistor
NPN es el cuando se tira de su base de alto en relacin con el emisor.
La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor
y apunta en la direccin de la corriente convencional el flujo cuando el
dispositivo est en modo de avance activo.

PNP

El otro tipo de BJT con las letras P y N, refirindose a la mayora de

portadores de carga dentro de las diferentes regiones del transistor.

El smbolo de un transistor de unin bipolar PNP.

Transistores PNP consisten de una capa de N-dopados semiconductor

entre dos capas de material dopado P. Una pequea corriente que sale
de la base en el modo de emisor comn es amplificada en la salida del
colector. En otros trminos, un transistor PNP es el cuando se tira de
su base de bajo en relacin con el emisor. La flecha en el smbolo del
transistor PNP est en la terminal del emisor y apunta en la direccin de
la corriente convencional el flujo cuando el dispositivo est en modo de
avance activo.
 4. Qu caractersticas tiene el BJT con polarizacin Emisor Comn?

Emisor comn (EC): Aicc elevada; Re pequea; Rs grande.

El montaje EC se aproxima ms al amplificador de corriente ideal.

El montaje BC permite adaptar una fuente de baja resistencia que ataca a una
carga de alta resistencia.

El montaje CC adapta una fuente de alta resistencia de salida a una carga de

bajo valor