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Captulo 1 Diodos
1.1- Teoria Bsica dos Semicondutores
1.1.1 O tomo e sua constituio
tomos: partcula elementar da matria, que, se subdividida, faz o
elemento perder suas caractersticas.
Cada elemento tem uma estrutura prpria
Molcula: menor poro possvel de conjunto de tomos
Composio atmica
o prtons esto sempre presentes no ncleo e tm carga eltrica
positiva.
o nutrons podem estar ou no presentes no ncleo e no tm
carga eltrica. Sua massa prxima da do prton.
o eltrons esto sempre nas rbitas e tm carga eltrica
negativa, mas de magnitude igual do prton
o tomo caracterizado pela quantidade de prtons no ncleo
nmero atmico
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Eletrnica Bsica 2005 Capitulo 1 - Diodo
1.1.3 - Valncia
eltrons em um tomo de cobre, nmero atmico 29.
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o 4 dos 5 eltrons iro se comportar como se fossem os de valncia do
silcio e o excedente ser liberado para o nvel de conduo ;
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1.2 - Juno PN
1.2.1 Conduo em Cristais
Metais
Eltron do tomo de cobre na ltima camada: rbita extremamente grande (alto
nvel de energia), sente pequena atrao do ncleo;
o Banda de energia chamada banda de conduo;
o Conduzem correntes altas sob ao do campo eltrico.
Semicondutores
Barra de silcio com extremidades metlicas, polarizada.
H passagem de corrente?
Depende da existncia de eltrons que possam deslocar-se;
Em 0 K os eltrons no podem se mover dentro do cristal;
Eltrons de valncia fortemente presos plos tomos de silcio;
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Eltrons saltam da banda de valncia para a banda de conduo;
Nas rbitas de banda de conduo, os eltrons esto fracamente presos pelos
tomos;
Sob a ao do campo eltrico, estes eltrons livres movem-se para a esquerda e
estabelecem uma corrente.
Eltron bombeado para a banda de conduo -> cria-se uma lacuna na banda
de valncia.
Banda de valncia j no est mais saturada ou preenchida;
cada lacuna na banda de valncia representa uma rbita de rotao disponvel.
Quanto mais alta a temperatura, maior o nmero de eltrons de valncia
empurrados para a banda de conduo e maior a corrente.
temperatura ambiente (cerca de 25C), a corrente pequena demais para ser
utilizvel.
Nesta temperatura, um pedao de silcio no nem bom isolante nem bom
condutor.
chamado semicondutor.
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Banda de conduo (rbitas maiores)
Banda de valncia (rbitas menores)
Corrente da banda de conduo num semicondutor semelhante
corrente no fio de cobre;
Corrente da banda de valncia bem diferente.
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Eltrons da banda de conduo
Eltrons da banda de valncia (ou movimento das lacunas).
Semicondutor puro, a existncia de cada eltron da banda de conduo garante a
existncia de uma lacuna na rbita de valncia de algum tomo.
Energia trmica produz pares eltrons-lacuna.
As lacunas agem como se fossem cargas positivas: indicadas com o sinal mais
1.2.6 - RECOMBINAO
1.2.7 - DOPAGEM
Cristal de silcio puro (apenas tomos de silcio): semicondutor intrnseco.
Para a maioria das aplicaes, no h eltrons livres nem causas suficientes num
semicondutor intrnseco para produzir uma corrente utilizvel;
Dopagem: introduo de tomos de impurezas num cristal de modo a aumentar
tanto o nmero de eltrons livres quanto o nmero de lacunas;
Cristal dopado: semicondutor extrnseco.
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o eltron que sobra precisa percorrer uma rbita da banda de conduo.
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Cada tomo trivalente est cercado por quatro vizinhos
Sete eltrons se encontraro nas suas rbitas de valncia.
o Aparece uma lacuna em cada tomo trivalente.
o Quantidade de impureza adicionada, pode-se controlar o nmero de
lacunas no cristal dopado.
Semicondutor dopado com uma impureza trivalente: semicondutor do tipo-p
Lacunas no semicondutor tipo-p excedem de longe os eltrons da banda de
conduo.
Lacunas so os portadores majoritrios num semicondutor tipo-p,
Eltrons de banda de conduo constituem os portadores minoritrios.
tomos trivalentes tambm so conhecidos como tomos aceitadores
Cada lacuna que eles fornecem pode aceitar um eltron durante a recombinao.
tomos aceitadores: alumnio, o boro e o glio.
1.2.8 - A Juno PN
Cristal metade do tipo-p e metade do tipo-n;
juno a regio onde se encontram os cristais;
Um cristal pn conhecido como diodo;
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o Eltron livre sai da regio n, cria-se um on positivo nela.
o medida que ele penetra na regio p, o eltron livre torna-se um portador
minoritrio.
Com lacunas em volta dele, este portador minoritrio tem uma vida mdia curta;
Na regio p, o eltron livre preencher uma lacuna.
o Lacuna desaparece e o seu tomo torna-se um on negativo;
o Cada eltron que se difunde atravs da juno, cria um par de ons.
Os ons esto fixos na estrutura do cristal por causa da ligao covalente
o Conforme o nmero de ons aumenta, a regio prxima juno est
totalmente esgotada de eltrons livres e lacunas;
o Esta regio chamada de camada de depleo.
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1. Depois de sair do terminal negativo, ele entra pela extremidade direita do cristal.
2. Percorre a regio n como um eltron livre.
3. Prximo juno recombina-se e torna-se um eltron de valncia.
4. Passa pela regio p como um eltron de valncia.
5. Depois de sair pela extremidade esquerda do cristal, ele segue para o terminal
positivo da fonte.
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o Fluxo contnuo de eltrons atravs do diodo.
medida que os eltrons livres desaparecem ao longo dos trajetos A e B, eles
descem de um nvel mais alto de energia para um outro mais baixo.
medida que decaem, irradiam energia na forma de calor e de luz.
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o Sim, uma corrente muito pequena.
o Energia trmica cria continuamente um nmero limitado de eltrons livres
e de lacunas de ambos os lados da juno (portadores minoritrios).
Corrente reversa produzida pelos portadores minoritrios chamada corrente de
saturao;
O nome saturao se refere que no pode ter mais corrente do que a produzida
pela energia trmica.
Aumentando-se a tenso reversa, no haver aumento no nmero de portadores
minoritrios criados termicamente;
Somente um aumento de temperatura pode aumentar IS;
Um diodo de silcio tem um valor de IS muito menor do que um diodo de
germnio. Esta uma das razes pelas quais o silcio domina o campo dos
componentes semicondutores.
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Se o eltron livre tiver energia suficiente, ele pode desalojar o eltron de
valncia, de modo a formar dois eltrons livres;
Os dois podem se acelerar e desalojar outros eltrons de valncia at ocorrer a
maior avalanche possvel;
Por causa do grande nmero de eltrons livres, o diodo conduzir intensamente e
ser danificado pela excessiva potncia dissipada;
No se deve permite na maioria dos diodos que cheguem ao rompimento;
a tenso reversa atravs de um diodo retificador sempre mantida abaixo da sua
tenso de ruptura;
Resistor de 500
Reverso da tenso no produz efeito sobre a linearidade
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Resistor um componente linear
componente passivo dissipa potncia
bateria componente ativo
1.3.2 Grfico do Diodo
Smbolo esquemtico do diodo retificador
Lado p anodo
Lado n catodo
Polarizao Direta / Reversa com fonte de tenso
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Acima da tenso de limiar, a corrente limitada apenas pela resistncia
de corpo resistncia hmica da regio p-n, que linear;
Diodo associa duas resistncias
o uma altamente no-linear da juno PN (abaixo de 0,7 V);
o outra linear, da regio P e N fora da camada de depleo (acima
de 0,7 V);
Regio reversa: corrente de saturao pequena (corrente de fuga), da
ordem de nano ou micro amperes;
Tenso de ruptura: -BV avalanche provoca aumento brusco na
corrente reversa;
Resistor no circuito com Diodo:
o Usado em srie com o diodo (figura 2.16.b);
o Resistor limitador de corrente;
o Valor de RS de forma a manter a corrente mxima direta abaixo
da especificao;
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VS
I= e V = VS
RS
o Exerccio
o Calcule a reta de carga para VS = 3 V e RS = 100 e determine o
ponto quiescente.
Segunda aproximao:
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o Tenso de limiar constante de 0,7 V incluso de uma fonte dc;
Terceira aproximao:
o Incluso de uma resistncia rB
Exerccio
Usando a segunda aproximao, determine a corrente no diodo para o
circuito: Vs = 10 V, RS = 5 k
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o Circuitos baseados em diodos e resistores podem realizar operaes
lgicas.
o Porta OR
V VA VB VC VS
0 0 0
V 0 0 5
0 5 0
V VS 0 5 5
5 0 0
RR 5 0 5
5 5 0
5 5 5
o Porta AND
+5V VA VB VC VS
0 0 0
R 0 0 5
VA VS 0 5 0
0 5 5
VB 5 0 0
5 0 5
VC 5 5 0
5 5 5
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qualquer semiciclo, a tenso na carga tem a mesma polaridade;
freqncia de sada o dobro da freqncia de entrada;
tenso de pico inversa: V2 (pico)
Tenso Mdia (deduzir):
VCC = 0,636 V2 (pico)
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Na polarizao reversa, a tenso de entrada aplicada carga;
RL deve ser bem maior que R
dois limitadores de tenso positiva e negativa podem ser associados (Fig. 3-17)
quando o nvel da tenso de sada for muito grande, a forma de onda do sinal de
sada ser prximo de uma onda quadrada;
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1.6.4 Grampeadores CC
Soma tenso CC ao sinal alternado;
Fig 3.19 Grampeador cc positivo;
Primeiro Semiciclo negativo: diodo conduz e carrega capacitor com VP
Depois do pico negativo, diodo abre e a carga v a associao da tenso do
capacitor mais a tenso da fonte;
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1.7.3 Fotodiodo
polarizao reversa no diodo: corrente reversa devido ao fluxo de portadores
minoritrios;
energia luminosa sobre a juno PN pode desajolar eltrons de valncia;
quantidade de energia luminosa controlando a corrente;
fotodiodo: diodo otimizado para sua sensibilidade a luz;
o janela permite que a luz chegue na juno;
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Captulo 2
2.4 Qual a potncia dissipada num diodo de silcio com polarizao direta
se a tenso for de 0,7 V e a corrente de 100 mA?
Captulo 3
Onda senoidal
VPP = 2 VP ; VRMS = 0,707 VP ;
Captulo 4
4.1 Um diodo zener tem 15 V aplicada sobre ele com uma corrente de 20
mA atravs dele. Qual a potncia dissipada?
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4.4 Uma variao de corrente de 2 mA atravs de um diodo zener produz
uma variao de tenso de 15 mV. Qual o valor de resistncia zener?
4.5 O Diodo zener da figura 4.23a tem uma tenso zener de 15 V e uma
especificao de potncia de 0,5 W. Se VS = 40 V, qual o mnimo valor de RS que
impede que o diodo zener seja destrudo.
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