Diseo de amplificadores (E-C, B-C, C-C)

Ordoez Stefano, Coque Bryan, Canchigia Nstor

Laboratorio de Dispositivos Electrnico, Departamento de Electrnica, Telecomunicaciones y Redes de Informacin

Escuela Politcnica Nacional

Quito, Ecuador

bryancoquerobalino@gmail.com

stefano.ordoez@epn.edu.ec

Resumen-. Diseo de amplificadores en la prctica es Colector Comn

muy comn debido a la importancia en la ganancia de
los circuitos, ganancia de voltaje, de corriente. Se sabe
adems que para ello hay que tener en cuenta datos
iniciales y criterio (condiciones) que debe tener nuestro
circuito de amplificador para realizar el clculo
correcto de los elementos necesarios para obtener la
mejor ganancia.
Objetivos.
Analizar las caractersticas de los amplificadores en
configuracin de Emisor Comn, Base Comn y
Colector Comn
Disear los amplificadores en configuracin de Emisor
Comn, Base Comn y Colector Comn utilizando un
TBJ, en base a criterios de diseo
INFORME
A. Indicar las principales caractersticas y
diferencias entre amplificadores en
configuracin de Emisor Comn, Base Comn y
Colector Comn, adems de sus aplicaciones
(mximo dos hojas)
Caractersticas
Emisor Comn
No tiene ganancia de voltaje v=1 o se acerca
demasiado a 1
La ganancia de corriente es alta
Las formas de onda de entrada y salida estn
en fase, no existe desfasamiento entre las dos
seales.
Base comn
La ganancia de voltaje es alta (Vo>>Vin)
Los valores de voltaje de entrada y salida son
positivos
Las formas de onda de entrada y salida estn
en fase
La impedancia de entrada del circuito es baja
Diferencias
Los circuitos empleados se diferencian por las
frecuencias mnimas a las que operan, as como por las
impedancias de entrada y de salida o carga con las se
encuentran manejando. Para ello una buena eleccin
permitir obtener mejores resultados
B. Consultar los criterios de diseo para
amplificadores en configuracin de Emisor
Comn, Base Comn y Colector Comn
Emisor Comn

El terminal de entrada es la base y el terminal

de salida es el colector.
Inversin de seal de voltaje
Puede amplificar voltajes y corrientes.
Tiene impedancias de entrada y salida
grandes.

Colector Comn
 3. Se produce a calcular IE y
posteriormente IB
4. Calcular I1 e I2
5. Calcular re y se reemplaza en Av la
ganancia.
6. Calcular los valores:

Base Comn VEVRE

VCE Vop+Vact

VCC= VCE+VE

7. Finalmente, con estos valores se calculan

C. Consultar el procedimiento de diseo para cada los valores de la resistencia y capacitores
amplificador en configuracin de Emisor Comn, del circuito
Base Comn y Colector Comn
Base Comn

1. Se asume RC de acuerdo a:
Emisor Comn

RC>Rl
RC>Rl
RC<Rl
1. Se asume Rc considerando

2. Sacar VRC
RC>Rl VRC>Vop Aumenta Vcc
3. Proceder a obtener Ic e Ib
RC=Rl VRC>2Vop
RC<Rl VRC<Vop Disminuye Vcc 4. Calcular las corrientes I1 e I2
5. Calcular re para luego aplicarlo en Av
6. Con Av obtener R1||R2
2. Se calcula VRC 7. Calcular los voltajes
3. Se obtiene Ib e Ic
4. Se calcula el valor de I1e I2
VE 1V+ Vinp
5. Se calcula el valor de re +RE1 mediante la
VCE Vop+Vsat
ganancia de voltaje
6. Posteriormente se calcula los valores de
Vcc=VCE+VE+VRC
voltaje como: VB= VBE+VE

8. Finalmente, con estos valores se calculan

VE 1V+ Vinp
los valores de la resistencia.
VCE Vinp+ Vop+ Vact
D. Disear un amplificador con TBJ que cumpla con
7. Por ultimo con estos valores hallamos los
valores de las resistencias y capacitores. las siguientes condiciones

Vin= 650mVp y una frecuencia de 1 KHz

Colector Comn

Av = -10 RL = 1.2 K
1. Se asume RE considerando

Asumir que Rc=RL= 1.2k

RE>Rl

RE= Rl
RL= Rc || RL=1.2k|1.2k = 600
RE< Rl
VRC Rc RLVop
2. Sacar voltaje VRE
 VRC (1.2 k )/(600)6.5V

VRC 13[V] CB=10/(2fZin)=0.88uF=1.05uF = 1uF

VRC =1.213[V] XCERE1

VRC =15.6[V] CE=10/(2f(re+RE1))=29.65uF=24.86uF

Ic= VRC/Rc =15.6V/1.2K=13mA=IE =33uF

re=(26mV) /IE=0.026/13=2 XCCRL

VCE=VOP + Vinp + VCESAT CC=10/(2fRL)=1.32uF=1uF

VCE=6.5V +0.65V+2V=9.15V

VE 1[V]+Vinp 1[V]+0.65[V] 1.65[V] E. Realizar la simulacin del circuito diseado,

presentar las formas de onda de entrada y salida
VE =2[V] en papel milimetrado, las formas de onda en los
terminales del TBJ y una tabla de los valores DC
RE=VE/IE=2/13mA=153.84 que considere que debera tomar en simulacin
para poder comparar con la prctica del diseo.
RE1= [(RL)/AV] re=62

RE2=RERE1=153.84 62 = 91.84100

Vcc VRc +VCE+VE 13+9.15+2 24.1525 [V]

IB=Ic/= 130uA =100

I2 IB

I2 = 10IB=1.3mA

I1 = 11IB=1.43mA

RB2= VB/I2=2.7/0.94m=2.07 k 2.2 k

RB1= VCCVBI1=(252.7)/1.43m=15.59K 18k

VRB1=VccVB

VRB1=252.7=22.3[V]

Capacitores

XcbZin
[1]T. Floyd, Dispositivo Electrnicos, Mxico:
Zin=RB1 || RB2|| (B+1)(re+RE1) PEARSON EDUCACIN, 2008

Zin=1.504K