2.5 Lmites de operacin del transistor.

Para cada transistor existe una regin de operacin sobre las caractersticas,
la cual asegurara que los valores nominales mximos no sean excedidos y
la seal de salida exhibe una distorsin mnima. Una regin de este tipo, se
ha definido para las caractersticas de transistor de la figura 3.22. Todos los
lmites de operacin se definen sobre una tpica hoja de especificaciones de
transistor descrita en la seccin 2.6.

Algunos de los lmites se explican por s mismos, como la corriente mxima

de colector (denominada, por lo general, en la hoja de especificaciones,
como corriente continua de colector) y el voltaje mximo de colector a

emisor (abreviada a menudo como vCeo.) Para el transistor de la figura

3.22, ICmx se especific como de 50 mA y vCeo como de 20 V. La lnea

vertical de las caractersticas definida como vCEsat especifica la

mnima vCE que puede aplicarse sin caer en la regin no lineal denominada
regin de saturacin.
Figura 3.22

El nivel de VCEsat est regularmente en la vecindad de los 0.3 V especificada

para este transistor. El mximo nivel de disipacin se define por la siguiente
ecuacin:

PCmx = VCEIC

Para el dispositivo de la figura 3.22, la disipacin de potencia de colector se

especific como de 300 mW. Surge entonces la cuestin de cmo graficar
la curva de disipacin de potencia de colector especificada por el hecho de
que

PCmx = VCEIC = 300 mW

En cualquier punto sobre las caractersticas el producto de VCE e IC debe ser
igual a 300 mW. Si elegimos para IC el valor mximo de 50 mA y lo
sustituimos en la relacin anterior, obtenemos

VCEIC = 300 mW

VCE (50 mA) = 300 mW

VCE = 6 V

Como un resultado encontramos que si IC = 50 mA, entonces VCE = 6 V

sobre la curva de disipacin de potencia, como se indica en la figura 3.22.
Si ahora elegimos para VCE su valor mximo de 20 V, el nivel de IC es el
siguiente:

(20 V)IC = 300 mW

IC = 15 mA

Definiendo un segundo punto sobre la curvatura de potencia. Si ahora

escogemos un nivel de IC a la mitad del intervalo como 25 mA, resolvemos
para el nivel resultante de VCE obtenemos

VCE (25 mA) = 300 mW

VCE = 12 V

Como tambin se indica en la figura 3.22. Una estimacin aproximada de

la curva real puede dibujarse por lo general empleando los tres puntos
definidos con anterioridad. Por supuesto, entre ms puntos tenga, ms
precisa ser la curva, pero una aproximacin es generalmente todo lo que
se requiere. La regin de corte se define como la regin bajo IC = ICEO. Esta
regin tiene que evitarse tambin si la seal de salida debe tener una
distorsin mnima. En algunas hojas de especificaciones se proporciona
solamente ICBO. Entonces uno debe utilizar la ecuacin ICEO = ICBO para
establecer alguna idea del nivel de corte si la curva de caractersticas no est
disponible. La operacin en la regin resultante de la figura 3.22 asegurar
una mnima distorsin de la seal de salida y niveles de voltaje y corriente
que no daarn al dispositivo. Si las curvas de caractersticas no estn
disponibles o no aparecen en la hoja de especificaciones (como ocurre con
frecuencia), uno simplemente debe estar seguro que IC, VCE y su producto
caigan dentro del intervalo que aparece en la siguiente ecuacin:

ICEO IC Icmx

VCEsat VCE VCEmx

VCEIC PCmx

Para las caractersticas de base comn la curva de potencia mxima se

define por el siguiente producto de cantidades de salida;

PCmax = VCBIC