Escola Tcnica Estadual Gildo Maral Bezerra Brando

Professor Vanildo Silva

Memrias RAM com dispositivos de trs estados
Dispositivos trs estados (ou tri-state) so dispositivos lgicos nos quais
existem trs estados de sada possveis: O estado lgico 0, o estado lgico 1 e um
estado lgico de alta impedncia, no qual a sada no tem efeito, pois est
desconectada do resto do circuito e no tem influncia sobre ele. Dispositivos de trs
estados podem ser acrescentados s linhas de dados de uma memria para que vrios
chips do sistema possam usar o mesmo barramento de comunicao. Essas chaves de
trs estados j incorporadas ao C. I. permitem conectar ou desconectar as linhas de
sada do barramento de dados.
RAM
Entre as milhares memrias do tipo RAMs comercializadas atualmente, a 6116
de tecnologia de fabricao MOS, ser apresentada como exemplo. Essa memria
equivalente a 2128. Possui as seguintes caractersticas.
Capacidade: 2K x 8 bits
Alimentao: simples de 5v
Tempo de acesso de chip enable (CE): 400 ns (Mximo)
Nvel de tenso: compatvel com nvel TTL
Sada / entrada de dados comum
No requer clocks ou strobe

Pino Sinal Funo

1 A7 Bit 7 de endereo
2 A6 Bit 6 de endereo
3 A5 Bit 5 de endereo
4 A4 Bit 4 de endereo
5 A3 Bit 3 de endereo
6 A2 Bit 2 de endereo
7 A1 Bit 1 de endereo
8 A0 Bit 0 de endereo
9 D0 Bit 0 de dado
10 D1 Bit 1 de dado
11 D2 Bit 2 de dado
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12 Vss Alimentao GND = referencia 0 volt
13 D3 Bit 3 de dado
14 D4 Bit 4 de dado
15 D5 Bit 5 de dado
16 D6 Bit 6 de dado
17 D7 Bit 7 de dado
18 CE Habilita o chip quando em nvel zero.
19 A10 Bit 10 de endereo
20 OE Habilita barramento de dado quando em nvel zero (tri-state).
21 WE Habilita escrita quando em nvel zero; habilita leitura quando em nvel 1
22 A9 Bit 9 de endereo
23 A8 Bit 8 de endereo
24 VCC Alimentao Vcc = +5v

A tabela abaixo mostra os nveis necessrios para ativar os pinos CE / OE e WE.

Mtodo de gravao de dados do circuito acima.

Para escrever na memria RAM, inicialmente vamos posicionar as chaves
SW1 a SW4 na posio da imagem, recebendo Vcc;
Vamos posicionar as chaves SW5 a SW8, interligando com as chaves
SW1 a SW4, deixando os leds desligados do circuito;
Colocar as entradas OE e CE em nvel logico baixo e WE em nvel logico
alto;
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Posicione as chaves CH1, CH2 e CH3 para fornecer o endereamento
que ir salvar a informao;
Com as chaves SW1 a SW4 fornea o valor para ser gravado no
endereamento j selecionado anteriormente;
De um pulso na entrada CE;
Repita os passos para gravar todas as informaes da tabela abaixo.

N Endereo Valor (binrio)

01 1 0001
02 2 0010
03 3 0100
04 5 1010
05 7 1111

Mtodo de leitura de dados do circuito acima.

Mantenha as OE e CE em nvel logico baixo;
Posicione as chaves SW5 a SW8 para os leds
Coloque OE em nvel logico alto e posicione as chaves CH1 a CH3 no
endereo gravado que queira ler;
Coloque CE em nvel logico alto para ler o endereo;
Coloque CE em nvel logico baixo e repita o procedimento com as chaves
CH1 a CH3 para um novo endereo;
Coloque CE em nvel logico alto para ler o endereo e repita novamente
os passos anteriores para a leitura de todos os endereamentos.