Clculo e Projeto de Dissipadores

de Calor para Diodos e Tiristores

Guilherme de Azevedo e Melo
 Gerao de Calor
Diodo: P = V I + r I + 2f t I V
(TO) FAV T
2
FRMS rr RM D
Simbologia
f
Tiristor: P = V I + r I + 2 t I V
(TO) FAV
SEMIKRON
T
2
FRMS rr RM D

GTO: P = V I + r I + Parcela no linear multi-parmetros)

(TO) FAV T
2
FRMS

BJT: P = V I + 2f V I ( t + t + t + t ) + r I
CE(Sat ) Cmed CE(off ) Cef ri fv rv f CE(Sat )
2
Cef

MOSFET: P = (R I + V I ) + 2f V I ( t + t )
DS(on)
2
ef SD D DS(off ) ef on off

IGBT: P = V I + 2f V I ( t + t ) + r I
CE(Sat ) Cmed CE(off ) Cef on off CE(Sat )
2
Cef

+ vD - T1 T2

D + +
E R
v(t) iL R vL v ( t ) iL R vL
- D
- D1 D2 vF iF

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 Gerao de Calor
Diodo: P = V I + r I + 2f t I V
(TO) FAV T
2
FRMS rr RM D
Simbologia
f
Tiristor: P = V I + r I + 2 t I V
(TO) FAV
SEMIKRON
T
2
FRMS rr RM D

GTO: P = V I + r I + Parcela no linear multi-parmetros)

(TO) FAV T
2
FRMS

BJT: P = V I + Parmetros
f
2
V
CE(Sat ) I Normalmente ) + r
( t + t + t + tInexistentes
Cmed

I
CE(off ) Cef ri fv rv f CE(Sat )
2
Cef

MOSFET: P = (R I + V I ) + 2f V I ( t + t )
DS(on)
2
ef SD D DS(off ) ef on off

IGBT: P = V I + 2f V I ( t + t ) + rP. N. I. I
CE(Sat ) Cmed CE(off ) Cef on off CE(Sat)
2
Cef

+ vD - T1 T2

D + +
E R
v(t) iL R vL v ( t ) iL R vL
- D
- D1 D2 vF iF

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 IGBT
VGE

Diodo 90%

10%

Tiristor VCE
t

GTO IC
t

90% 90% incio corrente

BJT 10%

td(on) tr
t d(off)
t1 t2
tf
10%
t3
de cauda

MOSFET t on toff

Perdas em Conduo
IGBT:
Perdas na Comutao

f
P = VCE(Sat ) ICmed + VCE(off ) ICef ( t on + t off )
2

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 MOSFET
Diodo
Tiristor
GTO
BJT
MOSFET
Perdas em Conduo
IGBT
Perdas na Comutao

f
( )
P = RDS(on) Ief2 + VSD ID + VDS(off ) Ief ( ton + toff )
2

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 Transistor de Juno Bipolar
BJT
Diodo Parcelas Normalmente Insignificantes

Tiristor
GTO
BJT
MOSFET
IGBT
f
P = VCE(Sat ) ICmed + VCE(off ) ICef ( tri + t fv + t rv + t f )
2
Trabalhando de Forma Chaveada

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 GTO
Diodo
Tiristor
GTO
BJT
MOSFET
Perdas em Conduo
IGBT
Perdas na Comutao

2
P = V(TO) IFAV + rT IFRMS Grficos e Equaes mais elaboradas

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 Diodo e Tiristor
Diodo v1( t)
D1 D2 D3
L
VD

Tiristor v2( t)
iR V(TO)

v3( t)
GTO D4 D5 D6

BJT iD1

t Perdas em Conduo
MOSFET iD2
t Perdas na Comutao
IGBT iD3
2
3
2
3
2
3

2 f
P = V(TO) IFAV + rT IFRMS + trr IRM VD
2

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 Modelos para Clculo
Trmico de Semicondutores
Modelo para Regime Permanente

Temperatura no conjunto semicondutor

+ dissipador no varia.

Modelo para Regime Transitrio

Temperatura no conjunto semicondutor

+ dissipador varia.

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 Modelo para Regime
Permanente
Modelo utilizando analogia circuitos eltricos
Rjc Rcd Rda R
V1 V2
Tj Tc Td Ta I
P
( )
Tj Ta = R jc + Rcd + Rda P V1 V2 = R I

Tj: Temperatura de juno (C) Dado do fabricante Usualmente 125C);

Tc: Temperatura da cpsula (C);
Td: Temperatura do dissipador (C);
Ta: Temperatura ambiente (C);
Rjc: Resistncia trmica juno-cpsula (C/W);
Rcd: Resistncia trmica cpsula-dissipador (C/W);
Rda: Resistncia trmica dissipador-ambiente (C/W);
P: Potncia trmica que flui da juno para o ambiente (W).
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 Modelo para Regime
Permanente
Rjc Rcd Rda
Tj Ta = R ja P
Tj Tc Td Ta
P
Rja
R ja = R jc + Rcd + Rda
Tj Ta
P
Rja: Resistncia trmica juno-ambiente (C/W);
Rjd: Resistncia trmica juno-dissipador (C/W);
Rca: Resistncia trmica cpsula-ambiente (C/W);

Rjd Rda Rjc Rca

Tj Td Ta Tj Tc Ta
P P
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 Modelo para Regime
Transitrio
Modelo utilizando analogia circuitos eltricos

Tj
P1 P2 P = P1 + P2
P
Cja 1

P Rja R ja P2 = P1 dt = Tj Ta = T
C ja

Ta P dP P2
= 2 +
R ja C ja dt R ja C ja

Fornecido pelo fabricante

Resolvendo por Laplace e Manipulando

T t

= R ja 1 e ja ja = Zt
Zt: Impedncia trmica (C/W); R C

P
T: Variao de Temperatura (C);

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Caracterstica dos
Dissipadores

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 Metodologia de Projeto
Calcula-se a potncia mdia dissipada no semicondutor;
Em funo dos parmetros de catlogo fornecidos pelo
fabricante, calcula-se a resistncia trmica dissipador-
ambiente para que a temperatura de juno no
ultrapasse o valor desejado;
A resistncia trmica do dissipador deve ser menor que
a calculada.
Calcula-se um Rda utilizando um dissipador com Rda exatamente
igual: Tj = (R jc + Rcd + Rda ) P + Ta Obtm-se uma Tj.
Com Rda maior (Rda+): Tj+ > Tj
Com Rda menor (Rda-): Tj- < Tj
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 Metodologia de Projeto

Resistncia Trmica do Perfil:

0,73C/W/4

Rda ~ 1,45 0,73 = 1,06o C / W

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 Exemplo de Projeto
+ vD -

D +
v ( t ) = 2 220 sen ( t ) v(t) iL R vL
-
f = 60Hz
R = 10 2 Vo
D = SKN20/04
t
0 2 3
Rjc = 2C/W (Rthjc)
Rcd = 1C/W (Rthcs)
Tj = 180C 0,45Vo 0,45 220
I Dmed = = = 9,9 A
V(TO) = 0,85V R 10
rT = 11m 0,707Vo 0,707 220
Ta = 50C I Def = = = 15,55 A
R 10
2
P = V(TO ) I Dmed + rT I Def P = 0,85 9,9 + 11 10 3 (15,55) 2 = 11,07W
130
T = P( R jc + Rcd + Rda ) Rda = 3 8,82o C / W
11
Rda (dissipador) < 8,82o C / W 16/16
Exerccios

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