1.

Retomar las fuentes de informacin establecidas de manera individual en la fase anterior y

recopilar informacin concreta, que permita construir la solucin.

Feature Simulink MathWorks

Simulink proporciona un entorno grafico al usuario que facilita enormemente el anlisis, diseo y
simulacin de sistemas (de control, electrnicos, ect), al incluir una serie de rutinas que resuelven
clculos matemticos de fondo, junto a una sencilla interface para su uso, proporciona un entorno
de usuario grafico que permite dibujar los sistemas como diagramas de bloques como tal y como
se hara sobre un papel.

El conjunto de componente incluidos junto al programa simulink, incluye bibliotecas de funciones

de seal, dispositivos de presentacin de datos, sistemas lineales y no lineales, conectores y
funciones matemticas. En caso de que sea necesario, se pueden crear nuevos bloques a medida
del usuario.

Uso de simulink: https://www.depeca.uah.es/depeca/repositorio/asignaturas/20614/transp.pdf

Simscape electronics funcionalidad de matlab para aplicaciones en electrnica

http://ee.hacettepe.edu.tr/~solen/Matlab/MatLab/Matlab%20-
%20Electronics%20and%20Circuit%20Analysis%20using%20Matlab.pdf

Transistores BJT

Los transistores de unin bipolares, son dispositivos de estado slido de tres terminales, ncleo de
circuitos de conmutacin y procesado de seal, el cual se puede controlar una cierta cantidad de
corriente por medio de otra cantidad de corriente, sus tres patas el colector, la base y el emisor.

El transistor bipolar est formado por capas de material semiconductor tipo n y tipo p, de acuerdo
a la distribucin de los materiales semiconductores se tienen 2 tipos de transistor bipolares, los
que se conocen como transistor npn y transistor pnp, el funcionamiento del transistor se basa en
movimientos de electrones (negativos) y de huecos (positivos), de all el nombre de transistor
bipolar o bjt (transistor de unin bipolar).

Efecto Transistor

El transistor es un dispositivo cuya resistencia interna puede variar en funcin de la seal de

entrada. Esta variacin de resistencia provoca que sea capaz de regular la corriente que circula por
el circuito al que est conectado. (Transfer Resistor)

Transistor
 - Est formado por una capa fina tipo p entre dos capas n, contenidas en un mismo cristal
semiconductor de germanio o silicio, presentando las tres zonas (E, B, C).
- El emisor emite portadores de carga hacia el interior de la base.
- En la base se gobiernan dichos portadores
- En el colector se recogen los portadores que no puede acaparar la base.
- En el colector se recogen los portadores que no puede acaparar la base.
- Unin emisor: es la unin pn entre la base y el emisor.
- Unin colector: es la unin pn entre la base y colector.
- Cada una de las zonas est impurificada en mayor o menor grado. La base 100 veces
menos que el colector o emisor.
- La base tiene menor tamao, despus el emisor y a 2 veces de espesor el colector.

Configuraciones de transistor BJT

Entre la base y el emisor hay un diodo, lo mismo entre la base y el colector hay otro diodo, el
transistor cuenta con 3 regiones o zonas diferentes regin activa, regin de corte y regin de
saturacin.

Para que opere en la regin de saturacin, el diodo base emisor tiene que estar polarizado en
forma directa y el diodo base colector tambin tendr que estar polarizado en forma directa.

Para que opere en la regin de corte, el diodo base emisor tiene que estar polarizado en forma
inversa y el diodo base colector tambin tendr que estar polarizado tambin forma inversa

Para que opere en la regin de activa, el diodo base emisor tiene que estar polarizado en forma
directa y el diodo base colector tendr que estar polarizado en forma inversa.

Ecuaciones

- Aplicando la 1 Ley de Kirchhoff al BJT:

- Parmetro del BJT es el cociente corriente colector y corriente de emisor:

 - oscila entre 0,9 y 0,999 As pues, es el colector quien proporciona la mayor parte de
corriente del emisor.
- La unin pn base emisor cumple la ecuacin

- Sustituyendo la corriente de emisor:

Para una tensin base emisor superior a unas dcimas de voltio, la exponencial hace despreciable
la unidad del interior del parntesis.

Sustituyendo la intensidad de colector utilizando las dos primeras ecuaciones:

Definiendo como:

La relacin entre y es:

Polarizacin Fija
La polarizacin fija es sencilla y es rpido su montaje pero es una opcin muy inestable ante las
variaciones de beta, La polarizacin fija solo se usa en la configuracin emisor comn, ya que en la
configuracin base comn cortocircuita la entrada, y en la configuracin colector comn
cortocircuita la salida

Ecuaciones para cuando se da el valor de las resistencias y se pide hallar el valor del punto Q (IBQ,
ICQ, VCEQ). La ecuacin para IBQ es la siguiente:

La ecuacin para ICQ es la siguiente:

Y la ecuacin de VCEQ:

Ecuaciones para cuando se da el valor del punto Q (IBQ, ICQ, VCEQ), y se pide hallar el valor de las
resistencias. La ecuacin para RB es la siguiente:

Y la ecuacin para RC es esta:

Polarizacin estabilizada en emisor

La polarizacin estabilizado en emisor presenta una mejor estabilidad que la polarizacin fija, pero
no mejor que la polarizacin por divisor de voltaje y que la polarizacin por realimentacin de
colector

Ecuaciones para cuando se da el valor de las resistencias, y se pide hallar el valor del punto Q (IBQ,
ICQ, VCEQ). La ecuacin para hallar IBQ es la siguiente

La ecuacin para hallar ICQ es la siguiente:

Y finalmente la ecuacin para VCEQ:

Ecuaciones para cuando se da el valor del punto Q, y se pide hallar el valor de las resistencias RB,
RC y RE. Primero se debe escoger un valor para n que normalmente debe estar entre 5 y 10. n es la
relacin entre la resistencia de colector y la resistencia de emisor:

Luego de escoger un valor para n, ya se puede pasar a la ecuacin que determina el valor de RE:

La ecuacin para RC es la siguiente:

Y la ecuacin para RB es esta:

Divisor de voltaje o de tensin

La polarizacin por divisor de voltaje es la polarizacin ms estable respecto al punto de trabajo Q.
Se puede usar en todas las configuraciones del transistor bjt, emisor comn, base comn, y
colector comn.

Ecuaciones para cuando se da el valor de las resistencias, y se pide hallar el valor del punto Q (IBQ,
ICQ, VCEQ)

El valor de ICQ est dado por la siguiente ecuacin:

VCEQ es igual a:

Ecuaciones para cuando se conoce el valor del punto Q (IBQ, ICQ, VCEQ), y se pide hallar el valor
de las resistencias.

Ahora el valor de la resistencia de emisor RE est dado por la siguiente ecuacin

El valor de la resistencia de colector RC est dado por la siguiente ecuacin:

Para hallar las resistencias de base antes se debe hallar un voltaje que se normalmente se
denomina VTH (voltaje thevenin), su ecuacin es la siguiente:
Ya con VTH hallamos las resistencias de base. La ecuacin para la resistencia de base RB1 es la
siguiente:

Y finalmente la ecuacin para la resistencia de base 2 RB2 es la siguiente:

Al realizar el paralelo de las resistencias de base se cumple la siguiente ecuacin

RB1IIRB2=0.1**RE, que es una condicin de estabilidad que se debe dar en la polarizacin por
divisor de voltaje.

3. Elaborar algoritmo (diagrama de flujo o pseudocdigo) y cdigo (en Matlab o Scilab) que aporte
a la construccin de la solucin del problema planteado.
 Conclusiones

- El desarrollo de esta actividad permiti un desarrollo importante de la lgica necesaria

para la implementacin de algoritmos de una mayor complejidad.

- El software tanto de Matlab y Scilab provee de una larga lista de funciones bastante tiles
para el desarrollo de futuros algoritmos, la utilizacin de este software ha permitido
identificar la gran utilidad de este software para implementaciones en electrnica y otras
reas de tecnologa.

- El uso de liberas externas en la herramienta ha abierto una visin mucho ms completa de

la complejidad e utilidad de la misma.

- Se ha identificado las ecuaciones y posibles soluciones las cuales nos podrn aportar al
desarrollo de la actividad final del curso.
 Bibliografa

- Mr Elberni. (2012). Polarizacin del bjt, punto de operacin. 20/09/2017, de Mr Elberni

Sitio web: http://mrelbernitutoriales.com/polarizacion-del-bjt/

- Libro Diseo electrnico. Circuitos y sistemas C.J. Savant, M.S. Roden y G.L. Carpenter Ed.
Addison-Wesley Iberoamericana, 1 edicin, 1992.

- Germn Villalba, Miguel A. Zamora Izquierdo. (2014). Transistores BJT. 20/09/2017, de

Universidad de Murcia Sitio web: http://ocw.um.es/ingenierias/tecnologia-y-sistemas-
electronicos/material-de-clase-1/tema-3.-transistores-de-union-bipolar-bjt.pdf