ALUMNO:

ERICK JONATHAN BURGUETE LOPEZ

ARTURO AMBROCIO AGUILAR
ALEXIS ARDON

DOCENTE:
ING. ROSEL MUOZ LPEZ

MATERIA:
CIRCUITOS ELECTRICOS Y APLICACIN DIGITAL

TRABAJO:
INVESTIGACION DE LA UNIDAD 2
ELECTRONICA ANALOGICA

CARRERA:
ING. EN SISTEMAS COMPUTACIONALES

SEMESTRE: 4 GRUPO: D
 INTRODUCCION

La electrnica es una de las herramientas ms importantes de nuestro entorno. Se

encuentra en muchos aparatos y sistemas como por ejemplo: radio, televisin,
ordenador, vdeo, telfono, etc.

SISTEMA ELECTRNICO Un sistema electrnico est formado por varios

componentes electrnicos, de tal forma que si se le aplica una seal de excitacin
a la entrada, el sistema proporciona una respuesta a la salida. Se puede representar
mediante un diagrama de bloques:

En el presente trabajo de investigacin, nos propusimos a comprender los temas

investigados que componen lo que del tema principal de la electrnica analgico.
Analizaremos la parte mas especifica de cada tema en relacin a el funcionamiento
de un circuito en como se trabaja cada componente que se utiliza al momento de
montar un circuito.
 2.1 DISPOSITIVOS ACTIVOS
(Componente Electrnico Activo).

Los componentes activos son aquellos que son capaces de excitar los circuitos o
de realizar ganancias o control del mismo.

Fundamentalmente son los generadores elctricos y ciertos componentes

semiconductores. Estos ltimos, en general, tienen un comportamiento no lineal,
esto es, la relacin entre la tensin aplicada y la corriente demandada no es lineal.

Los componentes activos semiconductores derivan del diodo de Fleming y del trodo
de lee de Forest.

En una primera generacin aparecieron las vlvulas que permitieron el desarrollo

de aparatos electrnicos como la radio o la televisin.

Posteriormente, en una segunda generacin, apareceran los semiconductores que

ms tarde daran paso a los circuitos integrados cuya mxima expresin se
encuentra en los circuitos programables (microprocesador y microcontrolador) que
pueden ser considerados como componentes, aunque en realidad sean circuitos
que llevan integrados millones de componentes.

En la actualidad existe un nmero elevado de componentes activos, siendo usual,

que un sistema electrnico se disee a partir de uno o varios componentes activos
cuyas caractersticas lo condicionar. Esto no sucede con los componentes pasivos.
En la siguiente tabla se muestran los principales componentes activos junto
a su funcin ms comn dentro de un circuito.

Componte Funcin mas comn

Amplificador operacional Amplificacin, regulacin, conversin de seal,

conmutacin.

Diodo Rectificacin de seales, regulacin,

multiplicador de tensin.

Diodo Zener Regulacin de tensiones.

Pila Generacin de energa elctrica.

Transistor Amplificacin, conmutacin

Triac Control de potencia.

Un amplificador operacional (A.O.) es un circuito electrnico (normalmente se

presenta como circuito integrado ) que tiene dos entradas y una salida. La salida es
la diferencia de las dos entradas multiplicada por un factor (G) (ganancia):

Vout = G(V+ V)
DIODO

Un diodo es un dispositivo que permite el paso de la corriente elctrica en una nica

direccin. De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo consta de dos
regiones, por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito
abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con muy
pequea resistencia elctrica.

Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son

dispositivos capaces de convertir una corriente alterna en corriente continua.

Aplicacin del diodo

Rectificador de media onda
Rectificador de onda completa
Rectificador en paralelo
doblador de tension
Estabilizador Zener
Recortador
Circuito fijador
Multiplicador de tensin
Divisor de tensin
UN DIODO ZENER:
Es un diodo de silicio que se ha construido para que funcione en las zonas de
rupturas. Llamados a veces diodos de avalancha o de ruptura, el diodo zener es la
parte esencial de los reguladores de tensin casi constantes con independencia de
que se presenten grandes variaciones de la tensin de red, de la resistencia de
carga y temperatura.

Aplicacin del diodo zener

La aplicacin de estos diodos se ve en los Reguladores de Tensin y acta como

dispositivo de tensin constante (como una pila).

Pila

Se llama ordinariamente pila elctrica a un dispositivo que genera energa elctrica

por un proceso qumico transitorio, tras de lo cual cesa su actividad y han de
renovarse sus elementos constituyentes, puesto que sus caractersticas resultan
alteradas durante el mismo. Se trata de un generador primario. Esta energa resulta
accesible mediante dos terminales que tiene la pila, llamados polos, electrodos o
bornes. Uno de ellos es el polo positivo o nodo y el otro es el polo negativo o
ctodo.
EL TRANSISTOR:
Es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador,
oscilador, conmutador o rectificador.

El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas

artificialmente que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores,
el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos
primeras, modula el paso de dichos portadores (base).

Aplicacin del transistor

Actualmente se los encuentra prcticamente en todos los enseres
domsticos de uso diario:
Radios
Televisores,
Grabadores,
Reproductores de audio y vdeo
Hornos de microondas
Lavarropas automticos
Automviles
UN TRIAC

Un TRIAC o Trodo para Corriente Alterna es un dispositivo semiconductor, de la

familia de los transistores. La diferencia con un tiristor convencional es que ste es
unidireccional y el TRIAC es bidireccional. De forma coloquial podra decirse que el
TRIAC es un interruptor capaz de conmutar la corriente alterna.

Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposicin que formaran dos

SCR en anti paralelo.

Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso pierden la denominacin de nodo y
ctodo) y puerta. El disparo del TRIAC se realiza aplicando una corriente al
electrodo puerta.

Su versatilidad lo hace ideal para el control de corrientes alternas. Una de ellas es

su utilizacin como interruptor esttico ofreciendo muchas ventajas sobre los
interruptores mecnicos convencionales y los rels.

Funciona como Switch electrnico y tambin a pila. Se utilizan TRIACs de baja

potencia en muchas aplicaciones como atenuadores de luz, controles de
velocidad para motores elctricos, y en los sistemas de control computarizado de
muchos elementos caseros.
 2.1.1 MATERIALES
SEMICONDUCTORES TIPO N U TIPO P

Cuando al dopar introducimos tomos con tres electrones de valencia en un

elemento de tomos con cuatro estamos formando un semiconductor tipo P,
viniendo su nombre del exceso de carga aparentemente positiva (porque los
tomos siguen siendo neutros, debido a que tienen igual nmero de
electrones que de protones) que tienen estos elementos. Estos tomos
"extraos" que hemos aadido se recombinan con el resto pero nos queda un
hueco libre que produce atraccin sobre los electrones que circulan por nuestro
elemento. Tambin se produce una circulacin de estos huecos colaborando en la
corriente.

Sin embargo, si los tomos aadidos tienen cinco

electrones en su ltima capa el semiconductor
sedenomina de tipo N, por ser potencialmente
ms negativo que uno sin dopar. En este tipo de
materiales tenemos un quinto electrn que no se
recombina con los dems y que, por tanto, est
libre y vaga por el elemento produciendo corriente.
Para hacerse una idea de las cantidades que
entran en juego en esto del dopaje se podra decir que se introduce un tomo
extrao por cada doscientos millones de tomos del semiconductor.

Hasta ahora hemos descrito la corriente elctrica como el paso de electrones de un

lado a otro pero ha llegado el momento de aumentar este concepto. Como hemos
visto la aparicin de un hueco produce el movimiento de un electrn hacia l dejando
de nuevo un hueco al que ir otro electrn.
 Este movimiento puede verse desde dos puntos
de vista. El primero es el del electrn
movindose de derecha a izquierda, el segundo
sera el del hueco desplazndose de izquierda a
derecha. Pues bien, no es correcto ni uno ni
otro, sino los dos a la vez. Hay que pensar que
tan importante es un movimiento como el otro, y
que la corriente elctrica hemos de concebirla
como la suma de los dos. Como veremos, en unos casos ser ms importante,
cuantitativamente hablando, la corriente creada por el movimiento de los electrones
y, sin embargo, en otros lo ser la creada por los huecos. Se ha adoptado por
convenio que la corriente elctrica lleva el sentido de los huecos, es decir, cuando
seguimos el sentido de los electrones la corriente es negativa y positiva en caso
contrario.

Debemos dividir a los semiconductores en dos grupos: intrnsecos y

extrnsecos. Los semiconductores extrnsecos son aquellos a los que se les
ha dopado de alguna forma, produciendo as un semiconductor tipo P o del tipo
N. Y los intrnsecos son los que no han sufrido ninguna clase de dopaje

Puesto que el paso de electrones a travs de cualquier material siempre produce

calor nos va a ser imposible separar los efectos producidos por el dopaje y el
aumento de temperatura en un semiconductor; as que ambos efectos se suman y
la circulacin de electrones y huecos va a ser mayor.
LA DIFERENCIA ENTRE LAS REGIONES P Y N

Cul es la diferencia entre las regiones del nodo P y el ctodo N en el silicio. En

principio, el material bsico para ambos es una pequea pieza o chip hecha de un
nico cristal de silicio. En este chip todos los tomos estn organizados rgidamente
en filas y capas, pero en su composicin existen ciertas modificaciones del silicio en
cada regin. La regin del nodo tiene algunos tomos de aluminio mezclados con
los de silicio. Debido a eso, y por razones que veremos ms adelante, el material
de nodo es llamado silicio de tipo P. De la misma forma, la regin del ctodo del
cristal tiene algunos tomos de fsforopuestos por aqu y por all, este tipo de
material se llama silicio tipo N.

ENLACES COVALENTES DEL SILICIO

El silicio es un elemento qumico, es decir, es uno de los elementos bsicos que

combinado con otros puede formar diversas sustancias. Las rocas y el suelo,
probablemente contienen mas silicio que cualquier otro elemento. Un grano de
arena es en principio un cristal de cuarzo constituido por silicio y oxgeno. El silicio
puro se obtiene de la arena separndole el oxgeno. El silicio se usa para aparatos
semiconductores por la forma especial en la que los electrones fluyen en los tomos
de silicio dentro del cristal. Este flujo depender de como los tomos se conectan
entre ellos.
Si echamos una mirada dentro de una pieza cristalina de silicio con un microscopio
ideal de enorme amplificacin, podramos ver los tomos de silicio colocados en
filas y capas tal y como se muestra en la figura 3, cada tomo luce como una bolita
difusa conectada con un enlace, tambin difuso, a otros cuatro tomos vecinos. La
parte de la bolita se llama ncleo del tomo, las extensiones que conectan los
ncleos de diferentes tomos se llaman enlaces covalentes.

Esta organizacin particular de los tomos en el cristal se llama estructura

cristalogrfica. El mismo modelo puede representar cualquier cristal semiconductor;
por ejemplo, germanio, silicio o carbono. S, carbono, en la forma de diamante,
puede ser utilizado como material semiconductor para operar a temperaturas
extremadamente altas.

Para la explicacin de como los electrones fluyen en el cristal consideraremos que

este es una capa simple y plana de tomos de silicio colocados en cuadros en
lugar de un cuerpo tridimensional.
 2.1.2 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

Son aquellos dispositivos cuyo funcionamiento se basa en la variacin de la

resistividad, bajo la influencia de un campo elctrico.
Un dispositivo semiconductor es un componente electrnico que emplea las
propiedades electrnicas de los materiales semiconductores, principalmente
del silicio, el germanio y el arseniuro de galio, as como de los semiconductores
orgnicos. Los dispositivos semiconductores han reemplazado a los dispositivos
termoinicos (tubos de vaco) en la mayora de las aplicaciones. Usan conduccin
electrnica en estado slido, como diferente del estado gaseoso o de la emisin
termoinica en un gran vaco.

Los semiconductores tipo p y tipo n separados no tienen mucha utilidad, pero si un

cristal se dopa de tal forma que una mitad sea tipo N y la otra mitad de tipo P, esa
unin PN tiene unas propiedades muy tiles y entre otras cosas forman los "Diodos".
El tomo pentavalente en un cristal de silicio (Si) produce un electrn libre y se
puede representar como un signo "+" encerrado en un circulo y con un punto relleno
(que sera el electrn) al lado.

El dispositivo semiconductor ms simple es el diodo. Como se muestra en la figura

1 a la derecha, est hecho por la unin de un material semiconductor de tipo N y
otro de tipo P. Nos ocuparemos solo de los diodos de silicio. Hay diodos construidos
de otros materiales tales como el germanio y el arseniato de galio, pero su forma de
operar es esencialmente la misma
Un diodo semiconductor es bsicamente un interruptor controlado elctricamente.
Como ejemplo, considere el diodo de silicio mostrado en la figura 1. La parte
operacional del diodo es una pieza especialmente tratada de silicio que tiene dos
regiones: un nodo (regin tipo P) y un ctodo (regin tipo N).

El diodo acta como una vlvula de cheque, deja circular las cargas elctricas en
una direccin pero impide el paso en direccin contraria. La direccin de conduccin
es aquella cuando el nodo es ms positivo que el ctodo y se sobrepasa
el umbral de disparo de voltaje de alrededor de 0.7 voltios, entonces se establece
la corriente.

En la direccin inversa, cuando el ctodo es ms positivo que el nodo, es decir,

cuando la corriente tiende a circular en sentido contrario al caso anterior el diodo la
bloquea. De manera que podemos resumir el diodo como una forma automtica de
interruptor, cuando la corriente est en el sentido de la conduccin esta se permite,
en sentido contrario se impide.

La permutacin entre conductor y aislador del diodo ocurre en respuesta a las

seales elctricas (al voltaje a que est sometido el diodo) y ocurre a muy alta
velocidad. El proceso de permitir el paso de la corriente en una direccin e impedirla
en la otra se denomina rectificacin. Algunos diodos pueden rectificar corrientes en
el orden de los miles de millones de hertz, lo que significa miles de millones de ciclos
por segundo.
 1.3.2.1 DIODOS(LED,RECTIFICADORES,ZENER)

Diodos
Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la
circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un solo sentido. Este trmino
generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la
actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos
terminales elctricos

LED
Su nombre proviene de las iniciales LED, que quiere decir Light Emitter Diode. Su
principal funcin es un indicador luminoso.
El LED es un tipo especial de diodo, que trabaja como un diodo comn, pero que al
ser atravesado por la corriente elctrica, emite luz. Existen diodos LED de varios
colores que dependen del material con el cual fueron construidos. Hay de color rojo,
verde, amarillo, mbar, infrarrojo, entre otros
RECTIFICADORES

Un diodo rectificador es uno de los dispositivos de la familia de los diodos ms

sencillos. El nombre diodo rectificador procede de su aplicacin, la cual consiste en
separar los ciclos positivos de una seal de corriente alterna.

Si se aplica al diodo una tensin de corriente alterna durante los medios ciclos
positivos, se polariza en forma directa; de esta manera, permite el paso de la
corriente elctrica.

Pero durante los medios ciclos negativos, el diodo se polariza de manera inversa;
con ello, evita el paso de la corriente en tal sentido.
ZENER

Son diodos que estn diseados para mantener un voltaje constante en su

terminales, llamado Voltaje o Tensin Zener (Vz) cuando se polarizan inversamente,
es decir cuando est el ctodo con una tensin positiva y el nodo negativa.

Cuando lo polarizamos inversamente y llegamos a Vz el diodo conduce y mantiene

la tensin Vz aunque la aumentemos.
La corriente que pasa por el diodo zener en estas condiciones se llama corriente
inversa (Iz).
Se llama zona de ruptura por encima de Vz.

Como ves es un regulador de voltaje o tensin.

Cuando est polarizado directamente el zener se comporta como un diodo normal.
Pero mientras la tensin inversa sea inferior a la tensin zener, el diodo no conduce,
solo conseguiremos tener la tensin constante Vz, cuando est conectado a una
tensin igual a Vz o mayor.
Aqu la curva caracterstica es de un zener.
 2.1.2 TRANSISTORES BIPOLAR (BJT)

El transistor bipolar est formado por dos uniones p-n conectadas en oposicin y
dentro de la misma red cristalina, por lo que, a diferencia de dos diodos conectados
de la misma forma, pueden interactuar entre ellas. El trmino bipolar refleja el hecho
de que la corriente en el dispositivo se establece en base a los dos tipos de
portadores, es decir, se debe tanto a los electrones como a los huecos. A diferencia
de los transistores de unin bipolar, que sern el objeto de estudio en este Captulo,
en los transistores unipolares o transistores de efecto de campo (Field Effect
Transistor, FET), la corriente se establece en base a un nico tipo de portador.
Ambos tipos de transistores son igualmente importantes, aunque debido a sus
diferentes caractersticas, se utilizan en diferentes reas de aplicacin. En la Figura
2.1 se representa la estructura simplificada de un transistor bipolar.

As, un transistor bipolar est constituido por tres regiones semiconductoras: la

regin de emisor E (tipo n), la regin de base B (tipo p) y la regin de colector C
(tipo n), a las que se conecta un terminal. Este tipo de transistor se denomina
transistor bipolar npn. Existe otro tipo de transistor bipolar, dual al npn, y cuya
estructura se representa en la Figura 2.2, que est constituido por un emisor tipo p,
una base tipo n y un colector tipo p, denominado genricamente transistor bipolar
pnp.
El transistor bipolar presenta dos uniones p-n, la unin emisor-base (EBJ) y la unin

colector-base (CBJ). En la Figura 2.3 se representan las regiones de deplexin de

estas uniones p-n con sus iones asociados y el diagrama del potencial de los

electrones para el caso en que no se aplicase una tensin externa en los terminales

del dispositivo activo.

En esta situacin, a los electrones del emisor y del colector les cuesta trabajo
difundirse hacia la base en contra del campo elctrico establecido por los iones de
la red cristalina, mientras que un potencial de barrera similar controla el movimiento
de los huecos fuera de la regin de base. Por consiguiente, estas barreras permiten
pasar nicamente aquellos portadores de carga con energa cintica superior al
potencial de barrera. Las aplicaciones de amplificacin requieren el uso de
tensiones continuas que polaricen las uniones p-n del transistor bipolar de forma
adecuada. Una de las configuraciones ms utilizadas es la representada en la
Figura 2.4, denominada configuracin en emisor comn por el hecho de que sea el
emisor el terminal comn a
las fuentes de polarizacin. En esta configuracin, una fuente de tensin continua
VBB hace que la tensin en la base tipo p del transistor bipolar sea superior a la del
emisor tipo n, polarizando en directa la unin emisor-base, mientras que, por otro
lado, una fuente de tensin continua VCC de mayor valor hace que la tensin en el
colector tipo n sea superior a la de la base tipo p, por lo que la unin colector-base
del transistor bipolar quedar polarizada en inversa. En esta situacin decimos que
el transistor bipolar funciona en modo activo.

Para que un transistor bipolar pueda trabajar como amplificador es necesario que
est en modo activo, por lo que prestaremos especial atencin al funcionamiento
del dispositivo en esta situacin. En consecuencia, cuando el transistor bipolar est
funcionando en modo activo se comporta como una fuente ideal de corriente
constante, en la que el valor de la corriente continua de colector iC est determinada
por la cada de tensin en la unin base-emisor polarizada en directa vBE. En el
proceso de difusin de los electrones desde el emisor a travs de la regin de base,
algunos de ellos se recombinan con huecos, que son portadores mayoritarios en la
base, y por tanto no alcanzan el colector, de forma que E i C i = , donde la
constante es un parmetro caracterstico de cada transistor bipolar que describe
el porcentaje de electrones inyectados desde el emisor que alcanzan la regin de
colector del dispositivo, contribuyendo as a la corriente de colector iC, y cuyo valor
es inferior pero muy cercano a la unidad. Por lo general, el valor de en transistores
bipolares utilizados para aplicaciones analgicas de procesamiento de seal est
comprendido entre 0.99 y 0.998.
 2.1.4 TRISTORES (RCR,DIAD,TRIAC).

Los tiristores son una familia de dispositivos semiconductores de cuatro capas

(pnpn), que se utilizan para controlar grandes cantidades de corriente mediante
circuitos electrnicos de bajo consumo de potencia.

La palabra tiristor, procedente del griego, significa puerta. El nombre es fiel reflejo
de la funcin que efecta este componente: una puerta que permite o impide el paso
de la corriente a travs de ella. As como los transistores pueden operar en cualquier
punto entre corte y saturacin, los tiristores en cambio slo conmutan entre dos
estados: corte y conduccin.

Dentro de la familia de los tiristores, trataremos en este tutorial los tipos ms

significativos: Diodo Shockley, SCR (Silicon Controlled Rectifier), GCS (Gate
Controlled Switch), SCS (Silicon Controlled Switch), Diac y Triac.

SCR (SILICON CONTROLLED RECTIFIER)

El SCR es un dispositivo de cuatro capas muy similar al diodo Shockley, con la diferencia de
poseer tres terminales: nodo, ctodo y puerta (gate). Al igual que el diodo Shockley, presenta
dos estados de operacin: abierto y cerrado, como si se tratase de un interruptor.

Figura 4: Construccin bsica y smbolo del SCR

CARACTERISTICA TENSION INTENSIDAD

Tal y como se aprecia en la Figura 5, la parte de polarizacin inversa de la curva

es anloga a la del diodo Shockley.

Figura 5: Caracterstica del SCR

En cuanto a la parte de polarizacin positiva, el diodo no conduce hasta que se

recibe un pulso de tensin en el terminal de puerta (gate). Una vez recibido, la
tensin entre nodo y ctodo cae hasta ser menor que un voltio y la corriente
aumenta rpidamente, quedando limitada en la prctica por componentes externos.

Podemos ver en la curva cuatro valores importantes. Dos de ellos provocarn la

destruccin del SCR si se superan: VRB e IMAX. VRB (Reverse Breakdown Voltage)
es, al igual que en el diodo Shockley, la tensin a partir de la cual se produce el
fenmeno de avalancha. IMAX es la corriente mxima que puede soportar el SCR sin
sufrir dao. Los otros dos valores importantes son la tensin de
cebado VBO (Forward Breakover Voltage) y la corriente de mantenimiento IH,
magnitudes anlogas a las explicadas para el diodo Shockley.
APLICACIONES DEL SCR

Una aplicacin muy frecuente de los SCR es el control de potencia en alterna en

reguladores (dimmer) de lmparas, calentadores elctricos y motores elctricos.

En la Figura 8 se muestra un circuito de control de fase de media onda y resistencia

variable. Entre los terminales A y B se aplican 120 V (AC). RL representa la
resistencia de la carga (por ejemplo un elemento calefactor o el filamento de una
lmpara). R1 es una resistencia limitadora de la corriente y R2 es un potencimetro
que ajusta el nivel de disparo para el SCR. Mediante el ajuste del mismo, el SCR se
puede disparar en cualquier punto del ciclo positivo de la onda en alterna entre 0 y
180, como se aprecia en la Figura 8.

Figura 8: (a) Conduccin durante 180 (b) Conduccin durante 90

Cuando el SCR se dispara cerca del principio del ciclo (aproximadamente a 0),
como en la Figura 8 (a), conduce durante aproximadamente 180 y se transmite
mxima potencia a la carga. Cuando se dispara cerca del pico positivo de la onda,
como en la Figura 8 (b), el SCR conduce durante aproximadamente 90 y se
transmite menos potencia a la carga. Mediante el ajuste de RX, el disparo puede
retardarse, transmitiendo as una cantidad variable de potencia a la carga.

Cuando la entrada en AC es negativa, el SCR se apaga y no conduce otra vez hasta

el siguiente disparo durante el ciclo positivo. Es necesario repetir el disparo en cada
ciclo como se ilustra en la Figura 9. El diodo se coloca para evitar que voltaje
negativo en AC sea aplicado a la gate del SCR.
EL DIAC

Es un tipo de tiristor que puede conducir en los dos sentidos. Es un dispositivo de

dos terminales que funciona bsicamente como dos diodos Shockley que conducen
en sentidos opuestos.

Figura 12: Construccin bsica y smbolo del diac

La curva de funcionamiento refleja claramente el comportamiento del diac, que

funciona como un diodo Shockley tanto en polarizacin directa como en inversa.

Cualquiera que sea la polarizacin del dispositivo, para que cese la conduccin hay
que hacer disminuir la corriente por debajo de la corriente de mantenimiento IH. Las
partes izquierda y derecha de la curva, a pesar de tener una forma anloga, no
tienen por qu ser simtricas.

Figura 13: Caracterstica V-I del diac

EL TRIAC

Este dispositivo es simular al diac pero con un nico terminal de puerta (gate). Se
puede disparar mediante un pulso de corriente de gate y no requiere alcanzar el
voltaje VBO como el diac.

Figura 14: Construccin bsica y smbolo del TRIAC.

En la curva caracterstica se indica que para diferentes disparos, es decir, para

distintas corrientes aplicadas en gate, el valor de VBO es distinto. En la parte de
polarizacin positiva, la curva de ms a la izquierda es la que presenta un valor
de VBO ms bajo, y es la que mayor corriente de gate precisa en el disparo. Para
que este dispositivo deje de conducir, como en el resto de los casos, hay que
hacer bajar la corriente por debajo del valor IH.
 Figura 15: Caracterstica V-I del triac

Al igual que el SCR, se emplean para controlar la potencia suministrada a una

carga. El triac puede dispararse de tal modo que la potencia en alterna sea
suministrada a la carga durante un tiempo determinado de cada ciclo. La
diferencia con el SCR es que se puede disparar tanto en la parte positiva que en la
negativa del ciclo, de tal manera que la corriente en la carga puede circular en los
dos sentidos.

Figura 16 Control bsico de potencia con un Triac

 2.2 AMPLIFICADORES OPERACIONALES

Un amplificador operacional, a menudo conocido op-amp por sus siglas en ingls

(operational amplifier) es un dispositivo amplificador electrnico de
alta ganancia acoplado en corriente continua que tiene dos entradas y una salida.
En esta configuracin, la salida del dispositivo es, generalmente, de cientos de miles
de veces mayor que la diferencia de potencial entre sus entradas.

Los diseos varan entre cada fabricante y cada producto, pero todos los
amplificadores operacionales tienen bsicamente la misma estructura interna, que
consiste en tres etapas:

1. Amplificador diferencial: es la etapa de entrada que proporciona una baja

amplificacin del ruido y gran impedancia de entrada. Suelen tener una
salida diferencial.
2. Amplificador de tensin: proporciona ganancia de tensin.
3. Amplificador de salida: proporciona la capacidad de suministrar la corriente
necesaria, tiene una baja impedancia de salida y, usualmente, proteccin
frente a cortocircuitos. ste tambin proporciona una ganancia adicional.
Aplicaciones
Aplicacin sin retroalimentacin que compara seales entre las dos entradas y
presenta una salida en funcin de qu entrada sea mayor. Se puede usar para
adaptar niveles lgicos.

Una aplicacin simple pero til, es la de proporcionar un sistema de control ON-

OFF. Por ejemplo un control de temperatura, cuya entrada no inversora se
conecta un termistor (sensor de temperatura) y en la entrada inversora un divisor
resistivo con un preset (resistencia variables) para ajustar el valor de tensin de
referencia. Cuando en la pata no inversora exista una tensin mayor a la tensin
de referencia, la salida activara alguna sealizacin o un actuador.

Seguidor de voltaje o tensin

Es aquel circuito que proporciona a la salida la misma tensin que a la entrada.

Presenta la ventaja de que la impedancia de entrada es elevada, la de salida
prcticamente nula, y es til como un buffer, para eliminar efectos de carga o para
adaptar impedancias (conectar un dispositivo con gran impedancia a otro con baja
impedancia y viceversa) y realizar mediciones de tensin de un sensor con una
intensidad muy pequea que no afecte sensiblemente a la medicin.
Amplificador no inversor
En el modo amplificador no inversor, el voltaje de salida cambia en la misma
direccin del voltaje de entrada.

La ecuacin de ganancia para esta configuracin es:

Sin embargo, en este circuito V es una funcin de Vout debido a la realimentacin

negativa a travs de la red constituida por R1 y R2, donde R1 y R2 forman un divisor
de tensin, y como V es una entrada de alta impedancia, no hay efecto de carga.
Por consiguiente:

Donde

Sustituyendo esto en la ecuacin de ganancia, se obtiene:

Resolviendo para :
Sumador inversor
Aplicacin en la cual la salida es de polaridad opuesta a la suma de las seales de
entrada.

Para resistencias independientes R1, R2,... Rn

La expresin se simplifica bastante si se usan resistencias del mismo valor

Impedancias de entrada: Zn = Rn

Restador Inversor
Para resistencias independientes R1,R2,R3,R4 la salida se expresa como:

La impedancia diferencial entre dos entradas es:

donde representa la resistencia de entrada diferencial del amplificador,

ignorando las resistencias de entrada del amplificador de modo comn. Este tipo de
configuracin tiene una resistencia de entrada baja en comparacin con otro tipo de
restadores como el amplificador de instrumentacin.

Integrador ideal

En esta ecuacin es la tensin de origen al iniciarse el funcionamiento.

Este integrador no se usa en la prctica de forma discreta ya que cualquier seal
pequea de corriente directa en la entrada puede ser acumulada en
el condensador hasta saturarlo por completo; sin mencionar la caracterstica de
desplazamiento de tensin del amplificador operacional, que tambin es
acumulada.
 CONCLUSION

Los componentes electrnicos han venido evolucionando a travs del tiempo que
cada da, mas pequeos y complejos son los circuitos elctricos, esto se debe a que
los componentes son elaborados con la finalidad de realizar diversas tareas dentro
del circuito en el caso de los circuitos integrados su desarrollo ha revolucionado los
campos de las comunicaciones, la gestin de la informacin y la informtica. Los
circuitos integrados han permitido reducir el tamao de los dispositivos con el
consiguiente descenso de los costes de fabricacin y de mantenimiento de
los sistemas. Al mismo tiempo, ofrecen mayor velocidad y fiabilidad.