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Instalaciones Elctricas y Automticas

2. EDICIN ACTUALIZADA

Pablo Alcalde San Miguel

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1
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Pablo Alcalde San Miguel
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11 1. Introduccin a la
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Produccin 1.1. Electrnica analgica y electrnica digital ... .
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1.6.
ISBN:..978-84-283-9878-7
Depsito legal: M-1828-2014
{1H95)
1.7,
1.8.
XI 1.8.4. Familia lgica CMOS ................ . 19
1.8.5. Precauciones con los circuitos CMOS .. 20
XIII
Actividades finales .............................. . 21
11 2. Diseo de circuitos con puertas
electrnica digital lgicas 29
2
2.1. lgebra de Boole ........................... . 30
1.1.1. Seales analgicas .................. .. 2
1.1.2. Seales digitales ..................... . 3 2.1. l. Postulados ........................... . 30
Sistemas de numeracin ................... .. 5 2.1.2. Propiedades .......................... . 30
2.1.3. Teoremas ............................ . 30
5
1.2.2. Sistema binario ...................... . 6 2.2. Simplificacin algebraica de funciones
1.2.3. Sistema octal y hexadecimal .......... . 6 lgicas ..................................... . 31
Cdigos .................................... . 7 23. Simplificacin de funciones lgicas mediante el
1.3.l. Cdigo BCD natural ................. . 7 mapa de Kamaugh .......................... . 32
1.3.2. Cdigo ASCII ....................... . 8 2.3.l. Mapa de Karnaugh para dos variables .. 32
Niveles lgicos de las seales digitales ...... . 8 2.3.2. Mapa de Kamaugh para tres variables .. 33
Puertas lgicas ............................ .. 9 2.3.3. Mapa de Kamaugh para cuatro
1.5.1. Puerta O (OR) ....................... . 9 variables ............................. . 34
1.5.2. Puerta Y (AND) .................... .. 10 2.4. Diseo de circuitos combinacionales con
1.5.3. Puerta inversora NOT ................ . 10 puertas NAND y NOR ...................... . 35
1.5.4. Puerta NO O (NOR) ................ .. 10 25. Diseo de circuitos combinacionales ........ . 35
1.5.5. Puerta NO Y (NAND) ............... . 10 2.5. l. Diseo de circuito lgico para planta
1.5.6. Puerta O exclusiva (XOR) ............ . 11 depuradora ........................... . 37
1.5.7. Puerta NO XOR (XNOR) ............ . 11 2.5.2. Diseo de circuito lgico para riego
automtico ........................... . 37
1.5.8. Simbologa utilizada en electrnica
digital ............................... . 11 Actividades finales 39
Diseo de circuitos combinacionales con
12
puertas lgicas ............................. .
Construccin de puertas lgicas con circuitos
integrados .................................. . 13
3. Bloques combinacionales en escala
Familias lgicas ............................ .
1.8.l. Caractersticas de una familia lgica .. .
14
15
de integracin media (MSI) 41
1.8.2. Comparativa entre las familias lgicas .. 17 3.1. Diferencia entre un sistema combinacional y
1.8.3. Familia lgica TTL ................. .. 17 otro secuencial ............................. .
3.2. Multiplexores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42 5.3. El polmetro . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
3.2.1. Diseo de un multiplexor de dos 5.4. El osciloscopio . . . . . . . . . .. .. . . . . . . . .. .. .. . . . . 73 11 7. Semiconauctores-[I diodo 9~ 9.3. Identificacin de transistores . . . . . . . . . . . . . . . . .
9.3. l. Comprobacin del estado de un
140

entradas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42 5.4. l. Base de tiempos y amplificador 7.l. Los semiconductores . . . . .. .. . . .. . . .. .. . . . . . . 100 transistor .. .. .. . .. . . . . . . . . .. . . . . .. . . . . 141
3.2.2. Diseo de un multiplexor de cuatro horizontal . .. . .. . . . . . . .. . .. . .. . . . .. .. .. 73 7 .2. El diodo como semiconductor . . . . . . . . . . . . . . . . 100 9.3.2. Encapsulado de transistores .. .. .. . . . .. 141
entradas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43 5.4.2. Amplificador vertical . . . . . . . . . . . . . . . . . 74 7.3. Caractersticas atmicas del silicio . . . . . . . . . . . 101 9.3.3. Identificacin de componentes
3.2.3. El multiplexor como bloque 5.4.3. Manejo del osciloscopio . . . . . . . . . . . . . . . 75 7.4. El diodo de unin .. .. . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . 102 semiconductores . . . . . . . . . . . . . .. . . . .. . . 142
combinacional . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44 5.4.4. El osciioscopio digital . . . . . . . . . . . . . . . . . 76 7.4.1. Caractersticas en polarizacin directa de 9.4. Intensidades de corriente en el transistor . . . . . . 142
3.2.4. Multiplexor MSI de 8 entradas . . . . . . . . 44 5.5. Generador de funciones . . . . . . .. . . . . .. .. . . . . . . 76 un diodo '. . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . 102 9.5. Ganancia de corriente o parmetro beta (fi) de
3.2.5. Aumento de la capacidad de un 5.6. Instrumentacin digital . .. .. . . . . . . . . .. .. .. . .. 77 7.4.2. Caractersticas en polarizacin inversa un transistor . .. . . . .. . .. . .. .. . . . . .. . .. . .. . . . . . 143
multiplexor . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44 5.6.1. La sonda lgica . . . . .. . .. . . . . . . . . . . . . . . 77 de un diodo . . . . . . . . . .. . . . .. .. . .. . . . . . . 103 9.6. Tensiones de ruptura . . . . . . . . .. . . .. .. .. . . .. .. . 144
3.2.6. Generacin de funciones lgicas con 5.6.2. El inyector o pulsador lgico . . . . . . . . . . 78 7.4.3. Potencia y corriente nominal . . . . . . . . . . 104 9.7. Caractersticas de los transistores bipolares . . . 144
multiplexores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45 5.6.3. El analizador lgico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78 7.4 .4. Lnea de carga de un diodo .. .. . . . . . . .. 104 9.7.1. Curvas caractersticas con el emisor
3.3. Demultiplexores . . . . . . . . . . . . . . . . . .. .. .. . .. . . . 46 Actividades finales . . . . . . .. .. . . . . . . .. . . . . . . . . 79 7.4.5. Caracterstica aproximada de un comn (EC) . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . .. . . 144
3.4. Decodificadores . .. . . . . .. . . . . . . . . . .. . .. .. .. .. 47 diodo . . . . .. . .. .. . .. ..... . . . ... .. . . .... 105 9.7.2. Curva de potencia mxima de un
3.4.1. Generacin de funciones lgicas con un 7.4.6. Hoja de caractersticas de un diodo . . . . 106 transistor . .. . . .. .. .. .. . .. .. . . . . . .. . . . . 145
decodificador . . .. .. .. . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.4.2. Decodificador BCD a 7 segmentos . . . .
47
48
11 ~- ~am~onentes ~as1vos 81 7.5. Dispositivos optoelectrnicos .. .. . . . . . . . . . . . . 107 9.7.3. Recta de carga de un transistor . . . .. .. . 147
6.1. Resistencias para circuitos electrnicos . . . . . . 82 7.5.1. Diodos luminiscentes (LED) .. .. .. . .. . . 107 9.7.4. Hoja de caractersticas de un transistor.. 149
3.5. Codificadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50 7.5.2. Fotodiodos .. . . . .. . .. . .. . . . . . .. . . .. . . . . 109 9.8. Polarizacin del transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150
3.5.1. Codificador con prioridad decimal a 6.2. Tolerancia de una resistencia . . . . . . . . . . . . . . . 82
6.3. Cdigo de colores para resistencias . . . . . . . . . 82 Actividades finales . . . . . .. . .. .. . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 110 9.8.1. Polarizacin del transistor por
OCD ................................. ~ realimentacin del emisor con divisor
6.3.1. Identificacin de resistencias para
Actividades finales . . .. . . . . . . . . . .. .. . . .. . . .. . . . . . . 51 de tensin . . . . . .. .. . .. .. .. . . . . . . . . . . . . 152
montaje superficial (SMD) . . . . . . . . . . . 84
6.3.2. Series de resistencias normalizadas . . . 84 11 ~- Aplicacin de los dio~os 9.9. Fototransistores . . . .. . . . . .. . . . . . . .. . . . . .. . . . .. 153

4. Sistemas secuenciales ~ 6.4. Potencia de disipacin de una resistencia . . . .

6.5. Clasificacin de las resistencias . . . . . . . . . . . . .
85
85
a circuitos ae rectificacin 115 Actividades finales . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . .. . 155

4.1. Realimentacin en un circuito digital . . . . . . . . . 56 6.6. Resistencias fijas .. .. . . . . .. . . .. . .. . . . . . . .. . . 86 8.1. Circuitos de rectificacin .. . . . . . . . . . . . . . . . .. . 116
4.1.1. Realimentacin en un circuito estable . . 56 6.7. Resistencias variables . .. . . . . . .. . . . . . . . .. . . . 86 8.2. Circuito rectificador de media onda . . . . . . . . . . 116 11 rn. Amplificaaores rn1
4.1.2. Realimentacin en un circuito 6.8. Resistencias dependientes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86 8.3. Circuito rectificador de onda completa . . . . . . . 117
biestable . .. . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . 56 10.1. Caractersticas del amplificador . . . . . . . . . . . . . 162
6.8.1. Resistencias dependientes de la 8.3.1. Rectificador de onda completa mediante
4.2. Biestable R-S . . . . . .. .. . .. .. . . . .. .. .. .. .. .. .. . 57 10.1.l. Ganancia de un amplificador .. , . . .. . 162
temperatura . . . . .. . . . . . . . . .. . . .. . . . . . . 87 transformador con toma intermedia . . . . 117
4.2.1. Biestable R-S sncrono activado por 10.1.2. Adaptacin de impedancias en un
6.8.2. Resistencias dependientes de la luz 8.3.2. El puente rectificador .. . . . . . . . . . . .. . .. 119
nivel .. .. . . . . . . . . . .. .. . . . . . . . . . . . . . . .. . 58 amplificador . . . . . . . . .. .. . . .. . .. .. . . . 163
(LDR) ............................... 88 8.4. Rectificadores trifsicos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 121
4.2.2. Biestable R-S sncrono activado por 10.1.3. Clasificacin de los amplificadores . . 164
6.8.3. Resistencias dependientes de la tensin 8.4.1. Circuito rectificador trifsico de media
10.2. Amplificadores de pequea seal con
flancos de reloj . . . .. .. . .. . .. . .. . . . . . . . 59 (VDR) ............................... 88 onda .. . . .. . .. .... .. . . . . .. .. .. . . .. . .. .. 121
4.3. Biestable J-K asincrno . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59 transistores . . .. .. . .. . . .. .. .. . . . .. . . . . . . . . .. . 165
6.8.4. Mangnetorresistores (MDR) y galgas 8.4.2. Circuito rectificador trifsico de onda
4.3.1. Biestable J-K sncrono .. . . . .. . . .. . .. . . 60 10.2.1. Amplificador de emisor comn . . . . . . 165
extensiomtricas . . . . . . . . . . . . . .. . . . . .. 89 completa .............. ,. . . . . . . . . . . . . . . 121
10.2.2. Amplificador de colector comn
4.3.2. Biestable J-K maestro-esclavo . . . . . . . . . 60 6.9. Los condensadores . . . . . . . . . . .. . . . . . .. .. . . .. 89 8.5. El filtrado .. . . .. . . . .. . . . . . . . . . .. .. . . . . . . . . . . . 122
4.4. Biestable D sncrono activado por flanco . . . . . 61 (CC) ............................... 167
6.9. l. Funcionamiento de un condensador . . . 90 8.5.1. Filtro con condensador .. . . .. . .. .. . .. .. 122
4.5. Biestable sncrono T .. . .. .. . .. . . .. .. .. .. .. . . . 62 10.2.3. Amplificador de base comn (BC) . . 168
6.9.2. Capacidad de un condensador . . . . . . . . 91 8.5 .2. Filtros con inductancias y
4.6; Biestables sncronos integrados con seales de 10.2.4. Cuadro resumen de las caractersticas
6.9.3. Especificaciones tcnicas de los condensadores .. .. . .. . .. . . .. . . . . . .. . .. 124
Preset y Clear . .. . . . . . . . .. . . . . .. . . .. . . . . . .. .. 62 de los amplificadores .. . . .. . . . . . . . . . 169
condensadores . . .. . . . . . .. . . . . . . . .. . . . 91 8.6. Construccin del circuito impreso y montaje de
4.7. Contadores . . . .. . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . 64 10.3. Acoplamiento de amplificadores .. .. .. .. . . .. 169
6.10. Tipos de condensadores . .. . . . . . . . .. . . . . .. .. 92 sus componentes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125
4.7.1. Contadores asncronos .. .. . . . . . . . . .. . . 64 10.3.1. Acoplamiento con condensador
6.10.1. Condensadores de papel impregnado . . 92 8.6.1. Diseo de los circuitos impresos . . . . . .. 126
4.7.2. Contadores sncronos . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65 o RC ............................... 170
6.10.2. Condensadores de papel metalizado . . 92 8.6.2. Transferencia del diseo a placa . . . . . . . 126
10.3.2. Acoplamiento directo . . . . .. . . . . . . .. . 170
Actividades finales . .. . .. .. .. .. . . . . . . .. .. . . . . .. .. . 66 6.10.3. Condensadores de plstico . .. .. .. .. . 92 8.6.3. Soldadura y montaje de componentes . . 127
10.3.3. Amplificador Darlington . . . . . . . . . . . . 171
6.10.4. Condensadores cermicos . . . . . .. . . . . 93 Actividades finales .. .. .. . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . .. . .. 128 10.4. Amplificadores de potencia . . . . . . . . . . . . . . . . . 171
6.10.5. Condensadores de mica .. .. . . . . . . . .. 93
11 ~- Instrumentacin en el la~oratorio 6.10.6. Condensadores electrolticos de
10.4.1. Diagrama de bloques de un

de elec!rnica 71 aluminio . .. .. . . .. . . . . . . . . . . .. . . . . . . 93 11 ~- Transistores H5 amplificador de audio . .. .. . . .. .. . . . .

10.4.2. Rendimiento de un amplificador . .. .
171
172
6.10.7. Condensadores variables .. . . . . . .. . .. 93
9.1. Transistores bipolares . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . .. .. 136 10.4.3. Amplificadores de potencia
5.1. Normas generales para la toma de medidas 6.11. Identificacin de los valores de los
9.2. Funcionamiento del transistor . . . . . .. . . .. .. .. . 136 push-pull . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . 172
elctricas . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . 72 condensadores .. .. . . . . . . .. . . . . . . . . . .. .. . .. . . 94
9.2.1. Smil hidrulico del funcionamiento del 10.4.4. Amplificadores integrados de
5.2. Instrumentos de medida analgicos y digitales . . 72 Actividades finales .. .. .. . . . .. . .. . . . .. . . . . . . . . . . . . 96 transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 139 potencia . . . . .. . . . .. . . . . . . . . . . .. . . .. . 174
10.5. Localizacin de averas y reparacin en un 12.2.2. Ventajas de la realimentacin . . . . . . . 204 14.1.1. Principio general de oscilacin .. . . .. 242 15.2.1. Curvas caractersticas del SCR . . . . . . 263
amplificador . . . . . . . . . . . . . .. .. . . . . . .. . . . . . . . 174 12.3. El amplificador operacional . . . . . . . . . . . . . . . . . 205 14.1.2. Osciladores RC . . . .. . .. . . . . . .. . .. . .. 243 15.2.2. Aplicaciones del SCR . . . . . . . . . . . . . . . 265
10 .5. l. Ausencia de seal de salida . . . . . . . . . 175 12.3.1. El amplificador diferencial . . . . . . . . . . 206 14.1.3. Osciladores LC . . . .. .. . .. . . . . . . . .. .. 246 15.2.3. Control de potencia en C.C. con un
10.5.2. Seal de salida dbil . . . . . . . . . . . . . . . . 177 12.3.2. Caractersticas del amplificador 14.1.4. Osciladores de cristal .. .. . . . . . .. . .. . 247 SCR ............................... 265
10.5.3. Distorsin y ruido en la seal de operacional . . .. .. . . . . .. .. .. . . . . .. . . . 206 14.2. Multivibradores .. . . .. . . .. . . . .. .. . . .. .. . . . . . 249 15.2.4. Control de potencia en C.A. con un
salida . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 177 12.4. Realimentacin en los amplificadores 14.2.1. Multivibrador astable . . . . . . . .. .. . . . . 249 SCR ............................... 265
Actividades finales . . .. .. . . . . .. .. .. .. . . . . .. . . .. .. . 179 operacionales . . .. . .. . .. .. . . . .. . . .. . . . . .. . . . . 208 14.3. El circuito integrado 555 .. . . .. .. . . .. . . . . . .. 251 15.3. El diac . . .. . .. .. . .. . . . .. . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . 267
12.4.1. AO con realimentacin no inversora 14.3.1. Funciortamiento del CI 555 en modo 15.3.1. SCR controlado por diac . . . . . . . . . . . . 267
de tensin .. . . . . .. .. . . .. . . . .. .. .. .. . 209 astable . . . .. . . . .. . .. . . . . . . . . . . . . . . .. 252 15 .4. El triac . .. . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . 268
11 11. Amplificadores con transistores 12.4.2. AO con realimentacin inversora de 14.3.2. Funcionamiento del CI 555 en modo 15.5. El transistor de unijuntura (UJT) . . . . . . . . . . . . 270
monoestable . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . .. . 254 15.5.1. Aplicaciones del UJT . .. . . . . . . . . . . . . 271
de electo de campo l Bn tensin . .. . . . . . . . . .. .. .. . .. .. .. .. . . .
12.4.3. AO con realimentacin no inversora
210
14.4. Osciladores integrados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 255 15.6. Modulacin PWM . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . 271
11.1. El transistor FET . . . . . . . . .. . .. . . . . . . .. . . . . . . i 86 de corriente . . .. .. .. . . . . .. .. .. .. .. .. 211 Actividades finales .. .. . . . .. .. . .. . . . . . .. . .. . .. .. .. 256 Actividades finales . . . . .. . . . .. . . .. . . .. . . . . . . . .. .. . 27 4
11.1.1. Curvas caractersticas de drenador de 12.4.4. AO con realimentacin inversora de
corriente . .. . . . . . . . . . . . .. . . .. .. .. . . . 211
un FET ... . .. . .. .. .. .. . .. . .. .. .. .. . .
11.1.2. Corriente de fuga de graduador o
187
12.5. Aplicaciones de los amplificadores 11 l ~- [lectrnica ne potencia-tiristores 2~1 11 Solucin a las actividades
compuerta . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 187 operacionales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 212 15.1. Tiristores .. . .. .. . . . . . . . .. . . . . .. . .. .. .. . . . .. . 262
11.1.3. Impedancia de entrada . . . . . . .. . .. .. . 187 12.5.1. Amplificador sumador .. . .. . . . . .. .. . 212 15.2. El rectificador controlado de silicio (SCR) . . 262 de comproaacin 211
11.1.4. Curvas de transferencia o 12.5.2. Amplificador restador . . . . . . . . . . . . . . . 212
transconductancia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 188 12.5.3. Comparadores . .. .. . .. . .. . . .. .. .. .. . 213
11.1.5. Diferencias entre un transistor bipolar 12.5.4. Filtros activos .. . .. .. .. .. . . . . .. .. . .. 213
y uno unipolar .. . . .. .. . .. .. . . .. .. . .. 188 12.5.5. Amplificadores integradores y
11.1.6. Aplicaciones del FET . . .. .. . . .. .... . 188 diferenciadores . . . . . . . . . .. . .. . .. .. .. 216
11.2. El transistor MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 189 Actividades finales . .. .. .. .. . . . . .. . .. .. .. . . . . . .. . . 217
11.2.1. MOSFET de tipo de
empobrecimiento .. .. .. . .. . .. . . . .. .. 189
11.2.2. MOSFET de enriquecimiento . . . .. .. 190 il 1J fuentes de alimentacin 22J
i 1.2.3. Proteccin de los MOSFET . .. . . .. .. 191
13.1. El diodo Zener . . . . . . . . .. . . . . .. . . . . . . . . .. .. . 224
11.3. Amplificadores con translstores FET . . . . . . . . 191
13.1.1. Caractersticas del diodo Zener .. . .. . 224
11.3.1. Amplificador de surtidor comn
13.1.2. El Zener como regulador de tensin . . 225
(SC) ............................... 192
13.1.3. El diodo Zener ideal .. . . . . . . . .. .. .. . 227
11.3.2. Amplificador con surtidor comn con
13.2. Fuentes de alimentacin estabilizadas en serie
polarizacin de una sola fuente . . . . . . 193
y paralelo .. . .. .. . .. .. . . . . . . . . . . . . . . .. .. . . .. 227
11.3.3. Amplificador con surtidor comn con
13. 2.1. Estabilizadores en paralelo . . . . . . . . . . 228
polarizacin por divisor de tensin . . 194
13.2.2. Estabilizadores en serie . . . .. . . . .. .. . 228
11.3.4. Amplificador de drenador comn
13.2.3. Estabilizador en serie con
(DC) ............................... 195
realimentacin . . .. .. .. . . . . . .. . . . .. . . 230
11.4. Amplificadores con MOSFET . . . . . . . . . . . . . . 195
13.3. Fuentes de alimentacin con reguladores de
Actividades finales . . .. .. .. . . .. .. .. . . . . .. .. .. . . . .. 197 tensin integrados . .. . .. . . . . .. .. . . . . .. . .. . .. 230
13.3.1. La serie de reguladores 7800 . . . .. .. . 231
11 12. Realimentacin en los 13.3.2. Reguladores integrados con tensin
ajustable . . . . . . .. . .. . . . . .. . . . . . . . . . . 232
amplificadores. fI amplificador 13.3.3. Fuente de corriente con regulador
integrado . .. . . .. . . . .. . . . .. .. . . . . . .. . 234
operacional. 201 13.4. Fuentes de alimentacin conmutadas . . . . . . . . 234
12.1. Distorsin en los amplificadores . . . . . . . . . . . . 202 Actividades finales . . .. . . . . .. . . .. . . . . . .. . .. . . .. . .. 237
12.1.1. Distorsin alinea! . . . . .. . . . . . .. . . . . .. 202
12.1.2. Distorsin de frecuencia y ancho de
banda de un amplificador .......... . 202 ll 14. Generadores de seal
12.1.3. Distorsin de fase ................. .
12.2. Realimentacin en los amplificadores ...... .
203
203
y osciladores 241
12.2.1. Principio de realimentacin ........ . 204 14.1. Generadores senoidales 242
Mi ms sincero agradecimiento a todos aquellos profesores, alumnos y profesionales que
siguen confiando en esta obra.
Esta nueva edicin viene con algunas novedades. Los materiales de apoyo que antes se
incluan en un CD-ROM, ahora pasan a denominarse MATERIAL WEB, y se pueden con-
sultar en Internet accediendo desde la ficha web de la obra (en www.paraninfo.es) y me-
diante un sencillo registro desde la seccin Recursos previo registro, que encontrarn en
ella.
Dada la importancia que tiene que los alumnos comprueben de forma prctica los conoci-
mientos adquiridos, se ha incluido un abundante nmero de nuevas actividades Prcticas de
laboratorio. Adems, se ha aumentado el nmero de actividades resueltas y de explicaciones
con ejemplos prcticos.
Por otro lado, dado la gran cantidad de contenidos con la que viene cargado este mdulo, y
el limitado tiempo de que se dispone para impartirlo, en esta nueva edicin se han simplifi-
cado algunas de las explicaciones y desarrollos que resultaban ms complejos para el alumno,
prestando ms atencin, e incluso ampliando, algunos de !os contenidos que se han con-
siderado ms relevantes para la comprensin de la materia.
Con el fin de conseguir una mayor comprensin de la informacin que aparece en las hojas
de caractersticas que facilitan los fabricantes de componentes electrnicos, en esta nueva
edicin se han incluido numerosos ejemplos prcticos de interpretacin de las mismas.
El objetivo de este texto es el de servir como herramienta bsica de trabajo en el mdulo de
Electrnica para alumnos que vayan a cursar el ciclo formativo de grado medio de Tcnico
en Instalaciones Elctricas y Automticas, as como para todos aquellos profesionales que
desean ampliar y reforzar sus conocimientos en la materia.
Por supuesto, con ello no pretendemos dar unas reglas fijas de trabajo, sino que entendemos
que es el profesor, en ltimo caso, quien debe desarrollar y organizar el conjunto del mdulo
en funcin de la propia personalidad del grupo destinatario y de los recursos didcticos que
se encuentren a su alcance. Se ha realizado un esfuerzo global para elaborar la herramienta
docente ms adecuada para este proceso de aprendizaje, basndonos para ello en las ms
modernas tendencias pedaggicas.
Por otro lado, entendemos que el mdulo es muy amplio, y que es el profesor quien deber
decidir en todo momento qu aspectos del mdulo son ms relevantes, para poder incidir en
ellos con ms insistencia y hacer una reduccin didctica en caso de que el tiempo lectivo
disponible no sea suficiente.
En el Real Decreto se expresan los siguientes resultados de aprendizaje:
1. Reconoce circuitos lgicos combinacionales determinando sus caractersticas y aplica-
ciones.
2. Reconoce circuitos lgicos secuenciales determinando sus caractersticas y aplicaciones.
3. Reconoce circuitos de rectificacin y filtrado detemnando sus caractersticas y aplica-
ciones.
4. Reconoce fuentes de alimentacin determinando sus caractersticas y aplicaciones.
5. Reconoce circuitos amplificadores determinando sus caractersticas y aplicaciones.
6. Reconoce sistemas electrnicos de potencia verificando sus caractersticas y funciona-
miento.
7. Reconoce circuitos de temporizacin y oscilacin verificando sus caractersticas y fun-
cionamiento.
Para alcanzar estas capacidades se han incluido .en este texto 15 unidades donde se tratan
los aspectos ms fundamentales del mdulo de Electrnica. En todas ellas se ha intentado
incluir una serie de experiencias y actividades de tipo prctico con la idea de integrar la
teora y la prctica como dos elementos de un mismo proceso de aprendizaje, mediante el
cual se le presenta al alumno un material significativo para que pueda darle sentido a lo que
aprende. De esta forma se emplea una metodologa activa y por descubrimiento como proceso
de construccin de capacidades que integren conocimientos cientficos (conceptuales),
tecnolgicos (concretos) y organizativos (individualmente y en equipo), con el fin de que el
alumno se capacite para aprender por s mismo.
Se ha procurado que los contenidos desarrollados sean presentados a un nivel fundamental
con un lenguaje sencillo y claro, procurando que sean significativos y que respondan a los
problemas y situaciones de la realidad tecnolgica actual y de los propios integrantes del
proceso formativo,
Aparte de la unidad dedicada a las medidas elctricas, debido la importancia que este
terna merece y con el objeto de dar a estos contenidos el sentido ms prctico posible, se
ha introducido el concepto de medida y, lo que es ms importante, los procedimientos de
utilizacin de los aparatos de medida en cada uno de los momentos del proceso de aprendizaje,
En las diferentes unidades se han incluido, aparte de los propios contenidos del mdulo,
una serie de Actividades experimentales, que, renlizadas de una forma organizada en el
laboratorio, ayudarn a acercar los contenidos abstractos del mdulo a la realidad cotidiana
de los alumnos, Estas experiencias sirven, en la mayora de las ocasiones, como presentacin
de los contenidos que se van a tratar en cada una de las unidades (los alumnos observau,
manipulan, miden y analizan elementos reales de la Electrnica),
Acompaando a los contenidos propios de la asignatura, se han presentado una serie de
Actividades resueltas donde se pretende ejemplificar la solucin de aquellos ejercicios que
resulten ms relevantes para la comprensin de la asignatura, A este respecto se han selec-
cionado, en todo momento, ejemplos que sean lo ms cercanos a la realidad tecnolgica y a
los propios participantes del proceso de aprendizaje, huyendo en todo momento de ejercicios
exclusivamente tericos, Aqu se sugiere que el profesor proponga a los alumnos la resolucin
de algunos de los ejercicios propuestos en la seccin Actividades de comprobacin y que
estn relacionados con los que se acaban de resolver.
Adems, se sugiere que el profesor proponga a los alumnos la resolucin en el aula de las
Actividades propuestas que aparecen en las diferentes unidades, con el fin de que los mismos
puedan comprobar al instante los conocimientos recin adquiridos,
Al final de cada una de las unidades de contenido se incluyen una serie de actividades de
Prcticas de laboratorio de carcter eminentemente prctico que ayudarn a trasladar a la
ralidad todo aquello que se estudia en la teora. Por supuesto, ser el profesor el que decida
qu tipo de ejercicios prcticos conviene llevar a cabo y cundo es ms conveniente hacerlo,
Los ejercicios prcticos que aqu se incorporan son totalmente orientativos,
En cada una de las unidades de contenido se incorpora un apartado dedicado a Actividades
de comprobacin, Aqu se proponen una serie de preguntas y ejercicios, en los que se aporta
el resultado al final del texto con el fin de que los alumnos puedan autoevaluarse,
En todo momento se incentivar a los alumnos para que trabajen en grupo, planificando el
desarrollo de las experiencias, ejercicios y actividades que a lo largo del curso se lleven a cabo
en el laboratorio de electrnica, Al finalizar cada una de estas actividades sera conveniente
que los alumnos presentasen un informe-memoria sobre la actividad desarrollada, indicando
los resultados obtenidos y estructurndolos en los apartados necesarios para una adecuada
documentacin de las mismas (descripcin del proceso seguido, medios utilizados, esquemas
y planos utilizados, clculos, medidas, etc,), exponiendo al resto del grupo sus trabajos,
Otro aspecto que cabe resaltar es que siempre resulta de gran inters que sean los propios
alumnos los que investiguen ciertos procesos tecnolgicos y busquen informaciones tcni-
cas en las diferentes fuentes de informacin, estimulando as la curiosidad y el afn por
saber, A este respecto, conviene dotar al aula con una completa biblioteca tcnica, donde se
incluyan manuales de uso de diferentes dispositivos electrnicos, as como una gran variedad
de informaciones tcnicas, tales como catlogos comerciales, revistas tcnicas, reglamentos y
normas vigentes en el campo de la electrnica, proyectos ejemplo extrados de la realidad, etc,
Los contenidos incluidos en las diferentes unidades se pueden ampliar consultando diferentes
pginas web en Internet
Si desea realizar algn comentario o sugerencia, puede contactar con el autor escribiendo a la
siguiente direccin electrnica: pablo.alcalde@hotmaiLes
111.1. flectrnica analgica
~ electrnica ~igital
La electrnica es una disciplina que estudia los sistemas
elctricos desde el punto de vista del electrn (partcula
que gira alrededor del tomo con carga elctrica negativa).
Mediante los componentes y circuitos electrnicos (dio-
dos, transistores, condensadores, resistencias, amplificado-
res, osciladores, circuitos integrados, microprocesadores,
memorias, etc.) es posible manejar a nuestro antojo el mo-
vimiento del electrn y conseguir mltiples aplicaciones,
como por ejemplo: la radio, la televisin, los equipos de
sonido, los ordenadores, los robots, la automatizacin in-
dustrial, los sistemas de control y gestin en el automvil,
los equipos de medida, etc.
Seal de audio Seal elctrica de audio analgica
Figura 1.2. Sea/ analgica.
tensin siga las mismas variaciones que el sonido, segn
cambia su volumen y su frecuencia. La seal elctrica as
obtenida ser anloga a la seal de audio original y se la
conoce como seal analgica (Figura 1.3). De esta forma
conseguimos imitar con seales elctricas las seales del
mundo real.
Nota: Aunque la notacin utilizada para la tensin, segn el Re-
glamento Electrotcnico de Baja Tensin, es U, en este texto se
ha decido utilizar la letra V para representar la tensin. Esta no-
tacin es la habitual en los sistemas electrnicos, y es la que nor-
malmente aparece en las hojas de caractersticas de los compo-
nentes que los fabricantes facilitan.
como podra ser un disco ptico (DVD o CD-ROM), disco
11!111.1.L. Seales aigitales
Otra forma de tratar las seales elctricas que vamos a pro-
cesar es convertirlas en nmeros. La electrnica digital se
fundamenta en el tratamiento y manejo de seales elctri-
cas de tipo digital. Las seales digitales son mucho ms
simples que las analgicas, ya que la informacin se proce-
sa y codifica en dos nicos estados, tal como se muestra en
la Tabla l. l.
Tabla 1.1. Estados de una seal digital.
As, por ejemplo, se podra digitalizar una seal elctrica
tomando su valor cada cierto tiempo (frecuencia de mues-
treo), a cada valor se Je asigna una cifra digital en formato
binario (cifras con unos y ceros). Este proceso se realiza
con un conversor analgico digital (ADC), pudindose
guardar dicha informacin en un soporte de tipo digital,
duro, tarjetas de memoria, etc. La informacin as guarda-
da consiste en una secuencia enorme de cifras digitales en
formato binario, es decir unos y ceros, que contienen de
forma codificada la seal analgica original.
En el ejemplo de la Figura 1.5, el sonido est grabado en
formato digital en un disco compacto (CD). El reproductor
de CD lee los datos digitales gracias a un sistema ptico
basado en diodos lser. La seal digital obtenida consiste
en una serie de interrupciones (unos y ceros) que surgen a
gran velocidad. Si aplicsemos esta seal directamente a

~
Ondas de sonido un altavoz, oiramos un sonido parecido al que produce un
La electrnica se puede dividir en dos grandes ramas:
fax o un mdem telefnico. Las seales fsicas son anal-
La electrnica analgica. gicas, y por tanto si deseamos transferir el sonido en for-

ffl ))\\~lt
o
mato digital a un altavoz, hay que convertirlas previamente

-"
La electrnica digital. Micrfono
~--
JIIMJ.iliw..... Amplificador
PIVT'ijV'i. Altavoz
Seal elctrica de
audio analgica
Figura 1.3. Seal analgica obtenida al procesar
una seal de audio con un micrfono.
ELECTRNICA
En la Figura 1.3 el sonido provoca la vibracin de la mem-
brana del micrfono, Jo que hace que se genere una seal
elctrica analgica de muy poco nivel (en tomo a unos po-
cos milivoltios); el amplificador de audio eleva dicho nivel
(en torno a unos cuantos voltios) utilizando circuitos ana-
lgicos. La seal ya tiene suficiente nivel (volumen) para
poder mover la membrana de un altavoz, donde obtenemos
el sonido original captado por el micrfono pero con un
volumen mucho mayor.
Figura 1.1. La electrnica y sus aplicaciones.
En conclusin se puede decir que una seal analgica es
aquella que vara de forma continua, tal como lo hacen las
magnitudes fsicas en la naturaleza, como las variaciones
11 a 1.1.1. ~eales anal~icas del sonido, las de la luz, las de la temperatura, las de pre-
a formato analgico mediante un decodificador o un con-
vertidor digital-analgico (DAC). A la salida del DAC ob-
'.) -gj tenemos una seal analgica que se corresponde con la se-
o al elctrica original del sonido. Esta seal se amplifica y
ya es posible escucharla en un altavoz a gran volumen.
Seal elctrica de
Reproductor
de CD
audio analgica
))))
Seal digital
Figura 1.5. Proceso de conversin de una seal digital
en una analgica.
La electrnica digital opera con nmeros. La informacin
Figura 1.4. Seal digital compuesta por valores binarios est contenida en los nmeros y no en la forma de la se-
de ceros y unos. al elctrica. Una seal elctrica siempre se puede con-
vertir a nmeros y, una vez procesada, recuperarse pos-
Estos dos estados se conocen como niveles lgicos y a ca-
da uno se Je asigna una cifra o dgito, el l y el O; lo
teriormente.

sin, el tiempo, etc. que da lugar a las seales digitales o binarias. _

La electrnica analgica se fundamenta en el tratamiento
y manejo de seales elctricas de tipo analgico. Los fen-
menos fsicos que ocurren en nuestro entorno suelen variar
de forma continua. Si tomamos como ejemplo un determi-
nado sonido, este ir tomando diferentes valores de intensi-
dad sonor segn transcurre el tiempo (Figura 1.2).
Mediante un micrfono es posible transformar dicha seal
sonora en una pequea seal elctrica, donde el nivel de
Las seales analgicas toman un valor instantneo diferen-
te para cada fraccin del tiempo considerado. Dado que en
un determinado intervalo de tiempo existen infinitos valo-
res (los podemos tomar todo lo pequeos que queramos),
la seal elctrica tambin alcanzar infinitos valores en di-
cho intervalo. De esta forma, podramos afirmar que una
seal elctrica analgica reproduce de forma fiel la magni-
tud fsica de la que proviene.
En la Figura 1.6 se muestra el proceso de digitalizacin de
una seal de audio. Para ello se somete a la seal a una
El trmino digital se comenz a configurar con la llegada
medida de su valor cada cierto intervalo de tiempo (mues-
del cdigo Morse, pudindose considerar como el primer
treo). Para una digitalizacin a 8 bits, se asigna a cada
mtodo de transmisin de seales en formato digital.
muestra un cdigo de 8 dgitos en funcir. del valor que
En comparacin con una seal analgica que vara de for- toma la seal en la muestra, consiguiendo 256 permutacio-
ma continua, la seal digital solo toma dos valores (uno y nes de unos y ceros, empezando por 00000000 y terminan-
cero) en determinados intervalos de tiempo, por Jo que se do con 11111111. El resultado final es una seal digital
dice que toma un conjunto de valores discretos. con una enorme cantidad de secuencias de cifras binarias
de 8 dgitos, que podremos almacenar en un soporte mag- (por ejemplo, la TDT), la seal que se transmite es una se-
ntico (disco duro, tarjeta de memoria), ptico (CD-ROM, rie de cifras digitales formadas por unos y ceros (hay ten-
DVD), etc. sin, no hay tensin), y que aunque se modifique algo el
valor de la tensin que se corresponde a un l o a un O,
la cifra no se modifica. Por decirlo de otra forma si yo digo
el! en voz alta, seguir tambin siendo un l en voz
ms baja, siempi'e y cuando se pueda or. Por eso la televi-
sin digital se suele ver bien, aunque existan pequeas
interferencias; cuando las interferencias aumentan, la ima-
gen desaparece a intervalos de la pantalla.
Fuente de audio original Muestreo a velocidad constante, Los circuitos digitales que se utilizan de forma repetitiva
hasta 44.11 Omuestras porsegundo se pueden incluir o integrar en un solo componente o chip,
pudiendo aportar muchas funciones en un espacio muy re-
ducido y a un coste muy bajo. Adems, los sistemas digita-
les pueden ser programables, lo que permite reconfigurar
un mismo circuito de forma rpida solo con cambiar el
programa.
Seal digitalizada
Figura 1.6. Proceso de digitalizacin de una seal.
La gran ventaja de los sistemas digitales frente a los anal-
gicos es que las seales digitales se pueden almacenar,
procesar y transmitir en forma de dgitos o cifras. Esta in-
formacin es mucho ms difcil que se perturbe mediante
interferencias. As, por ejemplo, un receptor de televisin
analgico es susceptible a recibir una imagen defectuosa Figura 1.8. Circuitos integrados.
debido a las interferencias de cualquier perturbacin elec-
tromagntica como la atmosfrica debido a las tormentas, Gracias a la electrnica digital, que opera con cifras bina-
ya que la seal analgica se puede ver modificada en su rias, se pueden realizar operaciones lgicas y aritmticas,
amplitud o frecuencia. Sin embargo, en la televisin digital que es la base para la construccin de autmatas, de los
microprocesadores y los ordenadores.
Las posibilidades que ofrece el uso de la electrnica digital
Medio de son cada vez mayores. Seguidamente exponemos algunas
-
transmisin
de la seal de sus aplicaciones:
Calculadoras.
Ordenadores.
Escner.
Automatizacin industrial y domstica.
Seal analgica original
Seal analgica recuperada
y distorsionada
Electrnica del automvil.
Telefona mvil.
-
Audio (MP3, CD, Mini Disc, etc.).
Televisin digital.
, 1 1
o Fotografa digital.
1 OO1 O l
Telecomunicaciones.
Seal ~igital original Seal digital recuperada
con el mismo cdigo digital
Internet.
Figura 1.7. Distorsin de las seales analgica y digital. Instrumentos de medida.
Tabla 1.2. Ventajas de la electrnica digital frente cifras. En este apartado tambin estudiaremos el sistema
a la analgica. de numeracin octal, e! hexadecimal, el BCD y sus dife-
rentes conversiones al sistema que utilizamos habitual-
mente, el sistema decimal.
Un sistema numrico es el conjunto ordenado de smbolos
o dgitos y las reglas con que se combinan para representar
cantidades numricas. Existen diferentes sistemas numri-
cos, cada uno de ellos se identifica por su base.
Un dgito en un sistema numrico es un smbolo que no es
combinacin de otros y que representa un entero positivo.
Un bit es un dgito binario (abreviacin del ingls binary
Se pueden programar pa:a , digit), es decir, un Oo un l.
hacer que un mismo cir~uito
pueda ser utilizado para varias La base de un sistema numrico es el nmero de dgitos
funciones. diferentes usados en ese sistema.
Tabla 1.3. Sistemas de numeracin.
' -.,,,.,,. '"''"-
Menor posibilidad de
interferencias en las seales
digitales.
1111111. Sistema aecimal
Ei sistema decimal tiene su base en diez dgitos: O, l, 2, 3,
4, 5, 6, 7, 8 y 9. El nmero de dgitos o smbolos diferentes
que se utilizan en un sistema de numeracin constituye su
base. Para el sistema decimal la base es 10.
El lugar que ocupa cada dgito en una determinada cifra
nos indica su valor. As, por ejemplo el 95610 se puede des-
componer de la siguiente forma:
95610 = 900 + 50 + 6 = 9100 + 5 10 + 61
Otra forma de expresarlo sera en forma polinmica:
956JO = 9 102 + 510 1 + 6 10
En conclusin, la cifra se descompone multiplicando cada
Figura 1.9. La electrnica digital ofrece mltiples dgito por su base elevada al nmero que representa la po-
aplicaciones. sicin que ocupa. De fo1ma general, la expresin polin-
mica exponencial de un nmero (N) en el sistema decimal
sera la siguiente:
111.2. Sistemas ae numeracin
Nw = a,, .. ,a2 a1 a0 =a,, 10" + ... + a2 102 +
El sistema de numeracin que mejor se adapta a la codifi-
+ 1. 101 + . 10
cacin de seales digitales es el binario, ya que solamente Los trminos a,, a2 a I a0 son los dgitos del nmero (del
usa dos dgitos, el uno y el cero, para formar las diferentes Oal 9 en el sistema decimal).
 1.21 Sistema ~inario 1.21 Sistema octal ~ ~exa~ecimal Binario Octal

El sistema binario tiene su base en dos nicos dgitos: Oy 1. Ei sistema octal (base 8) y hexadecimal (base 16) se pue-
Ol Cul es el nmero hexadecimal del nmero binario
Su expresin polinmica sera: den considerar como binario abreviado, ya que la con- 010 10110100100,?
versin de estos a binario y viceversa es prcticamente in- lll Solucin: Se agrupan los bits de cuatro en cuatro co-
N2 = a,, a 2 a, a0 = a,, 2" + +a 2 2 2 + a, 2 1 + a0 2
mediata a simple vista, por lo que han sido utilizados para 001 010 l ll2 --->- 127, menzando por el bit menos significativo. Como en
Los trminos a,, a2 a, a0 son los dgitos del nmero (del representar de manera compacta informacin binaria en los nuestro ejemplo el nmero de bits no es mltiplo de
Oal I en el sistema binario). sistemas digitales. cuatro, se aaden a la izquierda del bit ms significa-
2' 27 26 25 24 23 22 21 2 Sistema hexads::dmal tivo los ceros necesarios para completar un grupo de
El cdigo hexadecimal posee una base 16 y consta de 10 cuatro.
111111111 La conversin de un nmero octal en un nmero binario se
dgitos numricos y 5 alfabticos. En la Tabla 1.5 se mues-
Binario Hexadecimal
tran las equivalencias entre los diferentes cdigos de nu-
256 128 64 32 16 8 4 2 realiza de forma sencilla e inmediata, para ello hay que
meracin
figura 1.1 O. Valores de las posiciones de los trminos sustituir cada dgito octal por la cadena equivalente de tres
binarios de un nmero de 8 bits. bits binarios, tal como se muestra en la Tabla 1.4 Tabla 1.5. Correspondencias entre nmeros
hexadecimales y cadenas de cuatro bits binarios.
Tabla 1.4. Correspondencias entre nmeros octales
Actividad res1.1elta 1.1 y cadenas de tres bits binarios. 0101 1010 01002-----,. 5A41,
Cul es el valor decimal del nmero binario 11001 2? o o 0000
Solucin: Aplicamos la expresin polinmica: 0001
o 000
11001 2 = 1 24 + l 23 + 02 2 + Oz! + l 2 = 2 2 00 1 O
001
l 16 + 1 8 + 04 + 02 + l l = 25[0 3 3 00 l l Convierte los siguientes nmeros en cdigo binario:
2 o lo
4 4 0100 a) 4785 10 b) 238 10
Para convertir. un nmero decimal a binario se realiza la 3 ol l
divisin continnada por 2 hasta que el cociente sea cero. 5 5 O1 O l e) 345 8 d) 2363
4 lo o
Los restos obtenidos en los diferentes pasos nos darn el
1 O1
6 6 ol lo e) 45B 16 t) 675D 16
nmero en binario. Para ello se toman los dgitos obtenidos 5
7 7 ol l l Convierte los siguientes nmeros binarios en cdigo
en los restos desde el ltimo h;ista el primero. 6 i lo decimal, octal y hexadecimal:
8 8 1000
7 1l l
Aclividad resuella 1.2 9 9 lo o l g) 1100010 h) 10!0!0101010

Cul es el valor binario del nmero decimal 25 lO? 10 A 1Ol O " La solucin a esta Actividad propuesta la puedes
Actividad resuelta 1.3 e11co11trar dentro del MATERIAL WEB elabora-
Solucin: 11 B l O1 l
Cul es el nmero binario del nmero octal 457 8? do para este texto.
Divisin Cociente Resto
12 e l lo o
25: 2= 12 Solucin: Consultando en la Tabla l.4 de equivalencias

~l
13 D 1 l Ol
12: 2= 6 o Octal Binario
6: 2=
3: 2=
3
1
o 4
5 1 0
101 - - 0~
14
15
E
F
1l lO
1111 l.J. ~ai~os
1: 2= o .. .,_ 1 1 OO1
7 lll La info1macin que han de procesar los sistemas digitales
y
Actividad resuelta 1..5 debe adaptarse lo mejor posible a la forma de trabajar de
457, 100 101 111, los mismos, por lo que en la prctica se recmTe a formas
Cul es el nmero binario del nmero hexadecimal
diferentes de representar la informacin de todo tipo (codi-
28D16?
Actividad resuelta 1.4 ficar) utilizando combinaciones de unos y ceros. Seguida-
Convierte los siguientes nmeros decimales a binarios: Solucin: Consultando en la Tabla 1.5 de equivalencias mente estudiaremos algunos de los cdigos de ms uso en
a) 48 10; b) 375 10; e) 4.356!0 Cul es el nmero octal del nmero binario
la electrnica digital.
10!01112? Hexadecimal Binario
Convierte los siguientes nmeros binarios a decimales:

e) !01010011 2 ; t) 11001100!02
La solucin a esa Actfridad profJuesta la puedes
encontrar dentro del MATERIAL WEB elabora-
! ~~~~ ~ - 1
Solucin: Se agrupan los bits de tres en tres comen-
zando por el bit menos significativo. Como en nuestro lltl lJl. C~i~o BCD natural
ejemplo el nmero de bits no es mltiplo de tres, se _____1_10_1-=--H 7 El cdigo BCD natural consiste en representar cada uno de
aaden a la izquierda del bit ms significativo lo ceros los dgitos decimales por su binario equivalente expresado
28D,. -----0010 1000 1101,
necesarios para completar un grupo de tres.
con 4 bits, tal como se muestra en la Tabla 1.6.
 Tabla 1.6. Equivalencias cdigo BCD. ASCII extendido de 8 bits. La fonna ms sencilla de representar los dos niveles lgi-
Gray. cos es como la que se muestra en la Figura 1.13.
A =D-S=A+B 1111111
1---lJl
(a)
B .
0000 BCD Aiken 241.
o o o
o
0001 BCD Aiken 541. o
00 1 O Johnson. o -- - (b) ; =[ill-s=A+B
00 1 l figura 1.13. Niveles lgicos de una seal digital.
Hamming.
0100 Figura 1.14. Puerta lgica OR y su tabla de la verdad.
La lgica que utilizaremos en los circuitos de este texto (a) Smbolo tradicional. (b) Smbolo ANSI.
O l O1 ser habitualmente la positiva, aunque en la prctica se uti-
O1 1 O lizar la lgica que mejor se adapte al diseo.
Esta puerta lgica realiza la funcin O, conocida tam-
O1 1 l Busca en Internet informacin relativa a otros bin con el nombre de suma:
1000 cdigos utilizados en la electrnica digital.
9 1001 1.5. ruertas l~icas S=A+B

El origen de los circuitos lgicos comienza con la necesi- Desde el punto de vista de la lgica, esta funcin se puede
Actividad resuella 1.7 dad de construir automatismos y es anterior al desarrollo interpretar as:

a) Convierte el nmero 928 10 en BCD.
Solucin: 928 10 = 1001 0010 !0008 co
b) Convierte el nmero 100001110011 8 co en decimal.
Solucin: 1000 0111 0011 8 c 0 = 873 10
111! 1.JJ Cai~o A~CII
El cdigo ASCII (American Standard Code far lnforma-
tion Interchange) es un cdigo alfanumrico que utiliza
7 bit para codificar nmeros, letras, smbolos especiales e
1.4. Niveles l~icos
ae las seales ai~itales
La electrnica digital trabaja con circuitos que solo con-
templan dos estados posibles, verdadero o falso, s o no,
que se representan por la cifras binarias! y O. La for-
ma de convertir esta informacin en impulsos elctricos es
asignar a cada uno de estos dos estados, o niveles lgicos,
una cierta tensin elctrica. A este respecto, se pueden
aplicar dos tipos de lgica:
Lgica positiva: el ! equivale a una tensin de nivel
alto (High) y el O a una tensin de nivel bajo (Low)
de la electrnica digital integrada. Una de las primeras
aplicaciones fue la sustitucin de los rels electromagnti-
cos, que ocupaban un gran volumen y requeran de opera-
ciones de mantenimiento constantes, por puertas lgicas
integradas en un solo chip, en las centrales telefnicas.
Los componentes bsicos que se utilizan en la electrnica
digital para realizar las diferentes funciones elementales
reciben el nombre de puertas lgicas. Las puertas lgicas
se consiguen gracias a los circuitos integrados, y constan
de diferentes entradas y de una salida. A las entradas de las
mismas se les aplica uno de los dos niveles lgicos: 1 o
>>, y en funcin del tipo de puerta utilizada, obtendemos
a la salida uno de dichos niveles lgicos.
La salida S ser verdadera cuando cualquiera de las en-
tradas A o B lo sea.
Para entender mejor estos conceptos, podemos realizar una
simulacin de esta puerta lgica utilizando inteffuptores,
tal como se muestra en la Figura 1.15, de tal forma que:
Un interruptor abierto se coffesponde como un nivel de
entrada bajo = O.
Un inteffuptor ceffado equivale a un nivel de entrada
alto= l.
A =O A =O

~}i ~
.,_
instrucciones de control para perifricos. Es el cdigo ms (Figura 1.11). En este apartado estudiaremos los circuitos combinacio-
utilizado en los teclados de los ordenadores. nales, donde las salidas dependen directamente del valor
Lgica negativa: el ! equivale a una tensin de nivel de las entradas, y no pueden por tanto almacenar ningn
As, por ejemplo, la palabra Hola se presenta en cdigo B =O B 1
bajo (Low) y el O a una tensin de nivel alto (High) tipo de informacin, solo realizan transformaciones en las
ASCII de la siguiente forma: (Figura 1.12). A= A=
entradas. Ms adelante estudiaremos los circuitos secuen- S=I S=l
H o 1 a

~~
ciales, que son capaces de recordar nmeros que han re-

+vJldl_
1001000 1101 lil 1!01100 1100001 5 cibido anteriormente. / .

B =O B=I
+Vj3.1
2,5 2,5
------------~

1
o o bien o
1
O 1
11111.5.L Puerta O(OR) Figura 1.15. Simulacin de una puerta OR
mediante interruptores.
Es una puerta lgica de varias entradas. Para el caso de dos
Figura 1.11. Lgica positiva. entradas, la salida obtenida es de nivel alto si cualquiera de
La lmpara se enciende (S = I) si se cima cualquiera de
sus entradas o ambas estn a nivel alto, y su salda ser de
1000010 100!001 1000101 1001110 los dos interruptores, o ambos.
nivel bajo si ambas entradas estn a nivel bajo. En la figura
La solucin a esta Actil'idad propuesta la puedes
e11co11trar dentro del MATERIAL WEB elabora- +V 2,5
3,5
5
4

1
o o bien
+V3,~ldl
2,f
O
.
se muestra su smbolo. Para representar las combinaciones
de las entradas posibles y el nivel obtenido a la salida se
utiliza la tabla de la verdad, tal como se muestra en la
Figura 1.14.
Dibuja el smbolo de una puerta OR con tres entradas
1 0
Otros cdigos utilizados en los sistemas digitales son tam- Para una puerta lgica con dos entradas, las combinaciones y escribe su tabla de la verdad.
bin: Figura 1.12. lgica negativa. que se pueden conseguir en la tabla de la verdad son: i2 = 4.
 112. Puerta Y(ANO) A~ - U.7. Puerla NO XOR (XNOR)
(a) A-[>o-s=A ...-.'. -.... -_ . .... S=AB
Esta puerta lgica realiza la funcin Y, conocida tambin
con el nombre de producto:
1111
o
B . -

figma 1.21. Puerta NANO mediante combinacin

La puerta XNOR funcionalmente est formada por una
puerta XOR y una puerta NOT, tal como se muestra en la
de puerta ANO y puerta NOT. Figura 1.24.

-1-
o
S=AB (b) A S=A-
Para el caso de dos entradas, la salida obtenida es de nivel . Su funcionamiento esel inverso de la puerta NAND. Para
-JLY .
1

...
A - - \ ~ . '. . . . S=AB
alto solo si ambas entradas estn a nivel alto. En la Figu-
figurn 1.18. Puerta lgica NOT y su tabla de la verdad.
el caso de dos entradas, la salida obtenida es de nivel alto B vv
ra 1.16 se muestra su smbolo y su tabla de la verdad. solo si alguna de las entrada est a nivel alto o ambas a la
(a) Smbolo tradicional. (b) Smbolo ANSI.
vez. En la Figura 1.22 se muestra su smbolo y su tabla de figura 1.24. Puerta XNOR mediante combinacin
la verdad. de puerta XOR y puerta NOT.
La funcin que realiza la puerta NOT es:
(a) AB~--
~S=AB La funcin que realiza la puerta NAND es:
o o o S=A Su funcionamiento es el inverso de la puerta XOR. La sa-
o 1 o lida obtenida es de nivel alto si ambas entradas son iguales.
S =AB En la Figura 1.25 se muestra su smbolo y su tabla de la
o o
1 1.5.4. Puerta NO O(NOR) verdad.

La puerta NOR, desde un punto de vista funcional, est

=D- 11111
La funcin que realiza la puerta XOR es:

...
figura 1.16. Puerta lgica ANO y su tabla de la verdad. formada por una puerta OR y una puerta NOT, tal como se
(a) Smbolo tradicional. (b) Smbolo ANSI.
(a) ; S=AB S = AE&B
muestra en la Figura 1.19. o o
En la Figura 1.17 se muestra una simulacin de esta puerta
lgica utilizando interruptores.

Figura 1.19. Puerta NOR mediante combinacin

(b) ; =1- S=AB
o
o
o (a) ; =)[>- S=~
o o

+~~~+~--0i
A=0 B=0 S=O A=0 B=I S=O
de puerta OR y puerta NOT.

Su funcionamiento es el inverso de la puerta NOR. Para el

Figura 1.22. Puerta lgica NANO y su tabla de la verdad.
(a) Smbolo tradicional. (b) Smbolo ANSI.
(b); ~ s = ~
o o
o o
1
caso de dos entradas, la salida obtenida es de nivel alto so-
lo si ambas entradas estn a nivel bajo. En la Figura 1.20 Figura 1.25. Puerta lgica XNOR y su tabla de la verdad.
se muestra su smbolo y su tabla de la verdad. 11~. ruerta Oexclusiva (XO A) (a) Smbolo tradicional. (b) Smbolo ANSI.
La funcin que realiza la puerta NOR es:
La salida obtenida en una puerta XOR es de nivel alto

Figurn 1.17. Simulacin de una puerta ANO

S=A+B solo cuando lo sea exclusivamente alguna de sus entra- 1.51 Sim~olo~a utilizaaa
das. En la Figura 1.23 se muestra su smbolo y su tabla de
mediante interruptores. la verdad. en electrnica ai~ital
La lmpara solo se enciende (S = 1) si se cierra ambos
interruptores a la vez. (a) ; =D-S=A+B 8111
O O 1
La funcin que realiza la puerta XOR es:

S=AE&B
Como habrs podido comprobar, existen dos formas de re-
presentar una puerta lgica, la tradicional y la ANSI. Los
smbolos tradicionales estndar se han estado utilizando
o o durante muchos aos y todava hoy en da es la forma ms
A o o habitual de representar un circuito lgico. En 1984 se creo
(b) S=A+B
B
o una nueva norma, el estandar 91-1984 IEEE/ANSI, que
Dibuja el smbolo de una puerta AND con cuatro en-
A utiliza smbolos rectangulares para representar cualquier
tradas y escribe su tabla de la verdad.
Figura 1.20. Puerta lgica NOR y su tabla de la verdad.
(a)
B
=)D-s=AB BIII
o o o
funcin lgica. Esta nueva simbologa va siendo cada vez
(a) Smbolo tradicional. (b) Smbolo ANSI. ms aceptada por la industria digital y se pueden encontrar
o diferentes fabricantes de CI que ya la utilizan, por lo que
11111 Puerta inversora NOl A
S=AB
o conviene familiarizarse con esta nueva forma de represen-

Es una puerta lgica de una sola entrada. La salida obteni- IHI 1.51 Puerta NO Y(NANO) (b)
B
1 o tacin.
da es siempre el inverso al nivel lgico de la entrada,. es La puerta NAND funcionalmente est formada por una En la Figura 1.26 se muestra un resumen de las puertas
decir convertir unos a ceros y ceros a unos. En la Figu- puerta AND y una puerta NOT, tal como se muestra en la figura 1.23. Puerta lgica XOR y su tabla de la verdad. lgicas utilizadas en sistemas combinacionales con sus di-
ra 1.18 se muestra su smbolo y su tabla de la verdad. Figura 1.21. (a) Smbolo tradicional. (b) Smbolo ANSI. ferentes smbolos.
 Puerta Smbolo tradicional Smbolo ANSI tencia de los motores supere los 30 kW suministrados las salidas obtenidas en las diferentes puertas lgicas,

----
por el primer generador. tal como se muestra en la Figura 1.32.

A---u-
~; En la Figura 1.27 se muestra un diagrama esquemtico
de la posible solucin. A cada uno de los motores se
les ha instalado unos sensores (A, B y C) que se cerra- 000 o o o o
rn, dando lugar a un 1 lgico, cuando entren en fun- 00 1 o o o o
cionamiento los respectivos motores. El circuito digital OI O o o 1
dar una salida de nivel alto 1 y activar el genera- ol l o o o o
dor nmero 2, cuando la combinacin de los sensores Figura 1.29. Diagrama lgico para la automatizacin
del generador. l 00 o o l
A, B, C, correspondiente a las entradas, cumpla la con- 1 O1 o o o o
dicin dada (la suma de la potencia de los motores co- En la Figura 1.30 se ha representado el mismo circuito 11 O o o o o
nectados supere los 30 kW). 111 o o
mediante simbologa ANSI.
Figura 1.32. Tabla de la verdad.
A B C

JOkW Como ya estudiaremos en la Unidad 2, con el conoci-

NANO A ~
.. .~. ....,.. S = H @--1' miento del lgebra de Boole y de sistemas de simplifi-
A ~S=H
B ~ s-t_y cacin, se puede conseguir realizar circuitos lgicos
con el menor nmero de puertas posibles, e incluso
realizarlos con un solo tipo de puerta lgica.
\ ~ Sulitla {S)

~
figura 1.27. Diagrama esquemtico
A . ...1 S_'=A(i)B de automatizacin.
B~
Con esta informacin ya estamos en disposicin de Dibuja el diagrama lgico de la Actividad resuelta an-
realizar la tabla de la verdad que cumpla con las condi- Figura 1.30. Diagrama lgico para la automatizacin
figura 1.26. Simbologa puertas lgicas. terior (Figura 1.31) utilizando la simbologa ANSI.
ciones dadas en el diseo (Figura 1.28). Como las en- del generador con smbolo~ ANSI.
tradas son 3, el nmero de combinaciones posibles se-

1.6. Diseo ~e circuitos r: 23 = 8. Actividad !'esuelta 1.9

comainacionales
con ~uertas lgicas
Con la combinacin de diferentes puertas lgicas se puede
conseguir dar respuesta a una determinada aplicacin prc-
tica. Para ello, lo primero es definir el nmero de entradas
y establecer las asociaciones de las seales de entrada con
la salida. Esto se lleva a cabo con la ayuda de la tabla de la
verdad, de la que se obtiene la funcin que se corresponde
con la salida. Una vez obtenida dicha funcin, ya se puede
realizar el circuito o diagrama lgico formado por la inter-
conexin de las puertas lgicas necesarias.
Actividad resuelta 1.8
En una nave industrial se dispone de tres motores de
las siguientes potencias: 10 kW, 20 kW y 30 kW, para
lo que se dispone de dos generadores de 30 kW cada
uno. Se desea disear un sistema automtico que ponga
en funcionamiento el segundo generador cuando la po-
Obtn la funcin y la tabla de la verdad del diagrama
11111 lgico de la Figura 1.3 l. 1.7. Construccin 00 puertas
000O
001
OI O : O
O A B C
l~icas con circuitos
01 l
100
1.-ABC
O inte~raaos
101 1-ABC
Para la fabricacin de las puertas lgicas se utilizan los
11 O O
circuitos integrados (CI). Estos estn formados por un
111 1-ABC
conjunto de componentes electrnicos (resistencias, dio-
Figura 1.28. Tabla de la verdad. dos, transistores) integrados en una sola pieza de material
semiconductor a base de silicio e insertada en el interior de
Si ahora tomamos solamente los valores de la salida un encapsulado.
que han dado como resultado un 1 lgico, podremos Figura 1.31. Diagrama lgico.
Los circuitos integrados han ido evolucionando con el
escribir la funcin que deber realizar nuestro circuito
tiempo, consiguindose integrar cada vez un mayor nme-
' lgico combinacional. Solucin: Al observar la funcin que realiza cada
ro de puertas lgicas en un solo componente o CI. En la
s = ABC + ABC + ABC puerta lgica individual obtenemos la funcin que se Tabla l. 7 se muestra una clasificacin de los circuitos inte-
corresponde con la salida: . grados en funcin de su escala de integracin.
Ahora ya podemos construir nuestro circuito mediante
las puertas lgicas que ya conocemos, de tal forma que s = ABC + ABC + ABC Los circuitos integrados se fabrican con diferentes encap-
se cumplan las condiciones de la funcin anterior. En sulados dependiendo de la forma de conexin al circuito de
la Figura 1.29 se muestra la solucin a nuestro sistema Para realizar la tabla de la verdad de forma ms senci-
sus terminales o patillas. En la Figura 1.34 se muestra el
de automatizacin. lla, situaremos los trminos parciales de la funcin con
aspecto fsico de diferentes encapsulados.
 Tabla 1.7. Escala de integracin de los circuitos El encapsulado DIP consta de dos hileras paralelas de pati-
integrados. llas que se conectan al circuito de forma sencilla a travs
dor de circuitos digitales ser utilizar aquellas que presen-
ten mayores ventajas y se adapten mejor al diseo, buscan- U.1. Laractersticas ~e una
de un zcalo de conexin. Los CI con encapsulado DIP
son muy fciles de manejar para la construccin de prototi-
do siempre una reduccin del consumo de potencia elctri-
ca y un aumento de la velocidad de conmutacin.
familia l~ica
SSI - Integracin a pequea escala Menos de 12 pos en placas de montaje rpido, como las protoboard que Antes de pasar al estudio de las caracte1sticas especficas
MSI - Integracin a media escala 12 a 99 vamos a utilizar en las Actividades prcticas. de las familias ms importantes, como la TTL y la CMOS,
Una familia lgica es el conjunto de todos los compo-
LSI - Integracin a gran escala !00 a 9.999 nentes lgicos fabric~dos con la misma tecnologa. vamos a definir los principales parmetros y caractersticas
de un circuito lgico integrado. Estos parmetros los po-
VLSI - Integracin a escala muy grande 10.000 a 99.999 dremos encontrar en las hojas de caractersticas que nos fa.
En la Tabla 1.8 se muestran algunas de las familias lgicas cilitan los fabricantes y que, en la actualidad, se encuen-
ULSI - Integracin a escala ultragrande 100.000 a 999.999
histricamente ms importantes. tran con facilidad en Internet.
GSI - Integracin a gigaescala 1.000.000 o ms
Tabla 1.8. Familias lgicas. Tensin de alimentacin CVccl
SSI Resistor-Transistor Logic Para que los circuitos lgicos integrados en un CI puedan
Figura 1.35. Zcalos de conexin para encapsulados DIP. funcionar, es necesario conectarlos a una fuente de alimen-
Las entradas y salidas e s t n ~ Diode-Transistor Logic tacin de corriente continua, que garantice que la tensin
directamente conectadas a suministrada (Vccl al CI permanezca lo ms constante po-
los pins, como por ejemplo . .. , i \ Cada uno de los terminales del CI va numerado. El nmero Emitter-Coupled Logic
el CI 7404 que contiene 6 , \ \ ' t l 1 1 se sita en un pequeo agujero que se incluye en un ex- sible aunque vare la intensidad de corriente suministrada
puertas NOT. t,' Transistor-Transistor Logic por la misma. El positivo de dicha fuente se suele conectar
tremo. En la Figura 1.36 se muestra, como ejemplo, la dis-
posicin de patillas de un CI de 14 patillas. Complementary Metal-Oxide Semiconductor a la patilla del CI que aparece sealada como Vce y el ne-
gativo a otra denominada GND, tal como se muestra en el
Bipolar Complementary Metal-Oxide Semiconductor ejemplo de la Figura 1.37.
MSI
Hasta 100 puertas. Realizan una
tarea especfica simple, como por El rpido avance de las nuevas tecnologas provoca que
ejemplo un codificador de BCD a cie1tas familias lgicas queden obsoletas en muy pocos
decimal.
aos. De esta forma aparecen subfamilias dentro de una
determinada familia que mejoran las caractersticas de las
Figura 1.36. Numeracin de patillas. versiones anteriores.
Las familias RTL y DTL fueron las que aparecieron prime-
El encapsulado SSOP es el ms pequeo de todos y se uti- ro, pero despus aparecieron las familias TTL y ECL. La
liza para montaje y soldadura directa sobre la placa del familia TTL ha sido utilizada durante muchos aos, por lo
circuito impreso. Habitualmente se montan y sueldan de que se consiguen componentes fcilmente en el mercado.
figura 1.33. Ejemplos de aplicaciones segn forma automatizada mediante robots de posicionamiento La familia ECL supuso un gran avance en sistemas que re- Figura 1.37. Conexin de la fuente de alimentacin
la escala de integracin. del chip en la placa y soldadura por horno de refusin. Los queran operar a gran velocidad, pero ha sido superada y a un C/ de la serie 7408.
encapsulados SOIC y PLCC se suelen montar por soldadu- sustituida por la familia CMOS. Esta ltima familia consi-
ra directamente a la placa o utilizar zcalos especiales para gue una gran densidad de integracin y bajo consumo de As, por ejemplo, para la familia lgica TIL la tensin de
su montaje. energa, lo que le ha convettido en la familia predominante alimentacin es de +5 V, aunque se admite un rango de

-
en el mercado. La familia BiCMOS, que es una combina- tolerancia que vara entre 4,75 V y 5,25 V. Para alimenta-
cin de CMOS y TTL se utiliza en forma selectiva para cin de los circuitos CMOS se admite un rango de tensin

1t 1 1.8. familias l~icas casos en que la familia CMOS no puede manejar adecua-
damente la corriente necesaria o la velocidad.
mucho ms amplio, que vara entre los 3 V y los 18 V.

DIP PLCC Nivdes de tensin de entrad}ft !/ salida

Para la fabricacin de los circuitos integrados digitales se
pueden aplicar diferentes tecnologas, conocidas por el Las dos familias lgicas ms utilizadas en la actualidad Los ni veles de tensin de entrada nos indican la tensin
son la TTL basada en los transistores bipolares y MOS- que deberemos aplicar a la entrada de una puerta lgica

nombre de familias lgicas. El avance en la investigacin
de circuitos electrnicos digitales ha tenido como objetivo
el encontrar dispositivos que ofrezcan mayores prestacio-
nes, como pueden ser: un menor consumo, mayor veloci-
dad de conmutacin, mayor capacidad de integracin, etc.,
SOIC SSOP que ha hecho evolucionar de forma progresiva las tecnolo-
gas de fabricacin. Cada una de las familias lgicas posee
Figura 1.34. Encapsulados de los CI. unas determinadas caractersticas. La funcin del disea-
FET basada en los transistores unipolares de efecto de
campo.
Uno de los criterios ms importantes en la construccin de
puertas lgicas es la uniformidad, por lo que la base de una
familia lgica es que las diferencias que puedan existir en-
tre las diferentes puertas lgicas sean las mnimas.
para que esta lo acepte como un estado lgico ! o O.
Esta tensin puede variar dentro de un pequeo margen.
En las hojas de caractersticas nos indican los valores lmi-
tes que se corresponden a los niveles lgicos, como son:
V1L(mx) = mxima tensin de entrada (I) admisible para
que la puetta interprete un O lgico o un nivel
bajo (L).
VIH(min) = mnima tensin de entrada (I) admisible para deseadas) sin que se vean afectados los valores lgicos de de suministrar la salida de una puerta es limitada, si conec- caractersticas que mejor se adapten al mismo, teniendo en
que la puerta interprete un 1 lgico o un nivel salida. tsemos ms puertas de las indicadas por el fabricante, no cuenta que siempre ser mejor:
alto (H). se podra garantizar que la tensin de salida de la misma
El margen de ruido en voltios (VN) que tolera un circuito Una gran densidad de integracin.
sea suficiente para activar las puertas conectadas.
En la Figura l.38(a) se muestra, como ejemplo, los niveles lgico se puede calcular de la siguiente forma: Un mayor rango de la tensin de alimentacin
de tensin de entrada de las serie ITL estndar para conse- El Jan-out nos indica el nmero mximo de puertas que Un mayor margen de ruido o inmunidad al ruido.
0 Margen de ruido para el nivel alto:
guir los niveles lgicos. pueden conectarse a la salida de otra pue1ta de la misma
familia lgica. As, po,r ejemplo, la familia ITL 74 posee Un menor consumo o disipacin de potencia.
VNH = VOH(min) - v/H(mn)
u.n Jan-out de 10 puertas, mientras que la familia CMOS Una mayor capacidad de carga o Jan-out.
5V 5V 74HC posee un Jan-out mucho mayor, del orden de 100
Margen de ruido para el nivel bajo: Un menor tiempo de propagacin.
2V Vm(mi11J 2,4 V Voumin)
puertas. Compatibilidad con otras familias lgicas.
0,8 V Vnm1iq 0,4 V Vinm:iq VNL = v/L(mxi - VOL(mx) Menor coste econmico.
ov ov En la Tabla 1.9 se muestra, como ejemplo, una comparativa
entre las caractersticas principales de dos familias lgicas.
(a) (b) Actividad 1esue!ta 1. 10
figura 1.38. (a) Niveles de tensin de entrada de la serie Analiza los niveles de tensin de entrada y salida de la Tabla 1.9. Comparativa entre las caractersticas
TTL estndar. (b) Niveles de tensin de salida. Figura 1.40. Ejemplo de un fan-out de 10 para la salida principales entre dos familias lgicas comerciales.
serie ITL estndar (Figura 1.38) y de las serie CMOS
74HC (Figura 1.39) y averigua su margen de ruido. de una puerta NOT de la familia TTL 74.
Dado que las puertas lgicas se interconectan entre s, es
importante conocer la tensin que suministra una puerta a Solucin: Para la serie ITL estndar:
Retardo de propagacin
l}:~tI\;- Ji;.:{;9}:
su salida en los dos estados lgicos, para as asegurarnos Tensin de alimentacin vcc (V) 4,5-5,5 3-15
de que puede activar a las siguientes puertas que se conec- VNH = VOH(min) - VIH(mn) = 2,4 V - 2 V= 0,4 V
Cuando aplicamos una seal de entrada a una puerta lgica VNH (V) 0,4 1,4
ten a su salida. Los niveles de tensin de salida son: VNL = VIL(mx) - VOL(mx) = 0,8 V - 0,4 V= 0,4 V y esta cambia su estado lgico en la salida transcune un Margen de ruido
VNL (V) 0,4 0,9
VoL(mx) = mxima tensin que aparece en la salida (0) pequeo tiempo, que se conoce como retardo de propaga-
para el estado lgico O o nivel bajo (L). Para la serie CMOS 74HC: cin (Figura 1.41 ). Este retardo limita el funcionamiento Potencia consumida P(mW) 10 0,0025
de la puerta lgica cuando la seal de entrada cambia Capacidad de carga Fan-out 10 100
VoHlmnJ = mnima tensin que aparece en la salida (O) VNH = VOH(mn) - VIH(mn) = 4,9 V - 3,5 V= 1,4 V a gran velocidad, es decir, a frecuencias de impulso eleva-
para el estado lgico l o nivel alto (H). das. El retardo de propagacin se mide en nanosegundos Tiempo de propagacin tP (ns) 9 8
VNL = VIL(mx) - VOL(mx) = 1 V - 0,1 V= 0,9 V
En la Figura l.38(b) se muestra, como ejemplo, los niveles (ns), o sea 10- 9 segundos. Frecuencia mxima F(MHz) 35 40
de tensin de salida de las serie ITL estndar y en la Figu- De los resultados de estos clculos se puede deducir
que los circuitos de la familia CMOS poseen una As, por ejemplo, la familia TTL 74AS posee un retardo de 0,8 l
ra 1.39 los niveles de tensin de entrada y salida para el V!L(mx}
propagacin de 3 ns (Figura 1.41) y una frecuencia mxi- Niveles de tensin de entrada
circuito CMOS 74HC. mayor inmunidad al ruido que los de la familia ITL. V/H(min) 2 3,5
ma de seal de 200 Mhz (millones de impulsos por segun-
do), mientras que la familia CMOS 74HC posee un retardo VOL(mx) 0,4 0,1
5V de propagacin de 8 ns y una frecuencia mxima de seal Niveles de tensin de salida
Disipacin de potencia VOH(mn)
2,4 4,9
de 40 Mhz.
V,111111111 4,9V Los circuitos lgicos consumen una cierta potencia cuando

E
Vo11(111iu1

IHI 113. familia l~ica m

J/11.111:\\) 0,1 V Vintm:h) estn en funcionamiento. Esta potencia hace que los circui-
tos se calienten por efecto Joule, lo que provoca una eleva- Entrada Sali~
ov cin de su temperatura, que podra daar los dispositivos si ~tardo =3 ns::!__
(a) (b) no se disean adecuadamente. En las hojas de caractersti- t t La familia ITL (Transistor-Transistor-Logic), que provie-
t t
cas de los fabricantes de circuitos lgicos nmmalmente se ne del t1mino lgica de transistor a transistor, est consti-

Figura 1.39. (a) Niveles de tensin de entrada de la serie
CMOS 74HC. (b) Niveles de tensin de salida.
Imn1rnidad al ruido
El ruido se produce cuando aparecen variaciones indesea-
bles en la tensin que manejan las puertas lgicas. Este rui-
do puede ser producido por fluctuaciones bruscas en la ten-
sin de la red elctrica, inte1ferencias ocasionadas por
campos electromagnticos que se inducen en los conducto-
res de alimentacin, etc.
La inmunidad al ruido de un circuito lgico nos indica su
capacidad para tolerar ruido (fluctuaciones de tensin no
indica la disipacin de potencia en mW por cada una de las
pue1tas lgicas incluidas en el CI.
As, por ejemplo, la familia TTL 74 posee una disipacin
de potencia por puerta de 10 mW, mientras que la familia
CMOS 74HC posee una disipacin de potencia mucho me-
nor, del orden de 0,0025 mW.
Capacidad ele carga (fa11-011t)
En el diseo de circuitos lgicos es muy habitual conectar
varias entradas de otras puertas a la misma salida de una
puerta lgica (Figura 1.40). Dado que la coniente que pue-
~~
Figura 1.41. Ejemplo de retardo de propagacin
de una puerta lgica de la familia TTL 74AS.
11111 Jl. ~om~arntiva entre las
familias l~icas
A la hora de seleccionar una determinada familia lgica
para un determinado diseo, habr que tener en cuenta las
tuida por resistencias, diodos y transistores bipolares. En la
Figura 1.42 se muestra, como ejemplo, el circuito interno
de una puerta NANO de dos entradas. Para poder entender
este circuito, primero habr que estudiar el funcionamiento
del diodo y el transistor bipolar, y esto lo dejamos para la
segunda parte de este texto, donde se estudia la electrnica
analgica.
oe alguna forma, se puede decir que los circuitos electr-
nicos que componen un circuito digital son analgicos, pe-
ro que operan en solo dos estados, proporcionando niveles
de tensin alto o bajo en funcin de los niveles de tensin
de las entradas.
 Para identificar las puertas lgicas que van incluidas en ca-
da uno de los circuitos integrados y la cantidad de entradas
que posee cada una, se le aaden un par de dgitos a la
denominacin de la serie. As, por ejemplo, el circuito in-
tegrado 7404, se correspondera con un CI de tecnologa
TTL y con 6 puertas NOT. En la Tabla 1.11, se muestra el
significado de estos dos dgitos. Esta denominacin es co-
mn para la familia CMOS.
s cin, como la LSI y la VSI (construccin de memorias,
Tabla 1.11. Significado de los dos ltimos dgitos
en el nmero de serie de un CI digital.
4 NAND de 2 entradas
4 NOR de 2 entradas
. 6NOT
Figma 1.42. Puerta NAND de dos entradas con tecnologa
4 AND de 2 entradas
TTL estndar.
3 NAND de 2 entradas
La familia TTL ha sido la predominante en el mercado du-
rante ms de 20 aos. Su xito se ha basado en su bajo 3 AND de 2 entradas
coste y en la gran variedad de circuitos fabricados por la 2 NAND de 4 entradas
mayor parte de las casas comerciales. En la actualidad van
siendo desplazados por otras tecnologas como la CMOS y 2 AND de 4 entradas.
Consulta las hojas de caractersticas de circuitos inte-
grados 74F00, 74F02, 74F04, 74F08, 74F32, 74F86 ,
analiza sus caractersticas ms relevantes, y realiza un
cuadro con sus diagramas de conexin.
Estas hojas de caractersticas las podrs en-
contrar con facilidad en Internet en las si-
guientes pginas Web:
http://www.datasheetlocator.com/es/
http://www.datasheetcatalog.net/es/
*'' En el M;lTERIAL WEB elaborado para este
texto se i11cluye11 las hojas de caractersticas de
circuitos integrados 74F00_, 74F02, 74F04, 74F08,
74F32 y 74F86.
1.8.4. familia lgica ~MO~
Sin embargo, el tiempo de propagacin de los CMOS es
algo mayor que los TTL y adems son muy sensibles a la
electricidad esttica, que los puede daar si no se manejan
de forma adecuada.
La familia CMOS ha ido desplazando a la TTL en la cons-
truccin de CI de pequea y mediana escala (SSI y MSI),
habindose impuesto en las escalas ms altas de integra-
contadores, registros, microprocesadores, etc.).
Al igual que la familia lgica TTL, en la CMOS se han ido
desarrollando nuevas series mejoradas. La primera serie
que aparece es la CMOS 4000.
En la Tabla 1.12 se muestra la denominacin de las dife-
rentes series por orden de aparicin, y algunas de sus ca-
ractersticas ms relevantes. Todas ellas tienen en comn
una tensin de alimentacin de 5 V, excepto la serie 4000
que admite una tensin de alimentacin entre 3 y 15 V.
Tabla 1.12. Denominacin de las series TTL por orden
de aparicin, as como la potencia consumida en mW,
el tiempo de retardo en ns y la frecuencia mxima
en MHz.

1a BiCMOS, limitndose su uso a la construccin de CI de La familia CMOS (Complementary Metal-Oxide Semi-

3 NOR de 3 entradas
pequea y mediana escala (SSI y MSI). conductor) construye sus puertas lgicas con transistores
1 AND de 8 entradas unipolares MOSFET de canal N y de canal P, que ya estu- 4000 Baja velocidad 0,3 50 12
Dentro de la familia lgica TTL se han ido desarrollando
nuevas series con el fin de mejorar las prestaciones de las diaremos en posteriores unidades. En la Figura 1.44 se 74HC Mejora de la velocidad 8 40
4 OR de 2 entradas
anteriores. La primera serie que aparece en el mercado es muestra, como ejemplo, una puerta NAND de dos entra-
la TTL estndar o ms comnmente conocida como serie 74 4 XOR de 2 entradas das con tecnologa CMOS. 74HCT Compatible con TTL 8 40
(54 para aplicaciones militares). 1 NAND de 13 entradas 74AC Mejora la velocidad 0,5 4 125
En la Tabla 1.1 O se muestra la denominacin de las dife- 74ACT Compatible con TTL 0,5 4 125
rentes series por orden de aparicin y algunas de sus carac-
tersticas ms relevantes. Todas ellas tienen en comn una En la Figura 1.43 se muestra, como ejemplo, los diagra- 74AHC Mejora la velocidad 0,006 3 130
tensin de alimentacin comprendida entre 4,5 y 5,5 V. mas de conexin de las puertas de dos CI de la familia
TTL 74. 74AHCT Alta velocidad y compatible 0,006 3 130
Tabla 1.1 O. Denominacin de las series TTL por orden de '-----0S con TTL
aparicin, as como la potencia consumida en mW, el tiempo
de retardo en ns y la frecuencia mxima en MHz.
La primera serie CMOS es la 4000 que posea el inconve-
niente de que los terminales de los CI no se encontraban en
el mismo orden que los TTL. Posteriormente aparecen las
74 Estndar 10 10 35 series 74HC y 74HCT, que mejoran la velocidad de con-
Figura 1.44. Puerta NAND CMOS.
74S Mejora del tiempo de 20 3 125 mutacin y poseen el mismo orden en los terminales que
propagacin los TTL; adems la serie 74HCT es elctricamente compa-
Los circuitos integrados con tecnologa CMOS ~e han ido tible con TTL. Despus aparecen las series 74AC y
74LS Menor consumo 2 10 45 imponiendo en el mercado gracias a la mejora de algunas 74ACT, que ofrecen una mayor inmunidad al ruido y una
de sus caractersticas, como son: mayor velocidad de conmutacin, con el inconveniente de
74ALS Menor consumo y buen tiempo 4 70
de propagacin Mayor inmunidad al ruido. . que no existe compatibilidad en el orden de los terminales
con TTL, aunque la 74ACT es compatible elctricamente
Tiempo bajo de propagacin 7 1,5 200 Tensin de alimentacin ms flexible. con TTL.
(a) 7404 (b)7408
Buen equilibrio entre potencia 4 3 100 Menor consumo. La serie 74HCT es la que posee una menor potencia de
y tiempo Figura 1.43. Diagramas de conexin de dos CI
de la familia TTL 74. Mayor densidad de integracin. disipacin y un menor tiempo de propagacin, lo que su-
pone una mayor frecuencia de conmutacin. Adems es
compatible elctricamente con la familia TTL, lo que hace
que esta serie sea una de las que ms se utiliza en la actua-
lidad.
Con el objetivo de reducir la potencia y el tamao de los
CI han aparecido nuevas seties que operan a baja tensin
de alimentacin (Vcc = 3,3 V), como por ejemplo las se-
ries 74LV, 74LVC y 74ALVC.
Consulta las hojas de caractersticas de circuitos integra-
dos 74AHCTOO, 74AHCT02, 74AHCT04, 74AHCT08,
74AHCT32, 74AHCT86, 74AHCT30, analiza sus ca-
ractersticas ms relevantes, y realiza un cuadro con
sus diagramas de conexin.
Estas hojas de caractersticas las podrs en-
contrar con facilidad en Internet en las si-
guientes pginas Web:
http://www.datasheetlocator.com/es/
http://www.clatasheetcatalog.net/es/
,:,* En el MATERIAL WEB elaborado ,ara este
texto se i11cl11ye11 las hojas de caracterl1'/icas de
estos circuitos integrados.
o i: 1rnn~
11.U.iJ. .. ,.1onnn
t;~DUu nnn 1,os
ti~ l,UII
circuitos ~MOS
Los CMOS son unos dispositivos muy sensibles a las des-
cargas electrostticas, de tal forma que si no se tornan las
medidas oportunas podran llegar a destruirlos. Las cargas
electrostticas suelen generarse al frotarse las superficies
aislantes, como por ejemplo al auastrar los zapatos por una
moqueta en un ambiente seco, y pueden llegar a alcanzar
tensiones bastante elevadas. Si una persona cargada toca
los terminales de un CI, se produce una pequea descarga
elctrica que puede destruir las uniones de los semiconduc-
tores que forman el chip, sobre todo en el caso de los
CMOS.
En la actualidad se ha conseguido minimizar los efectos de 1:1. Puerta lgica NOT. Se trata de que compruebes de for-
Vista superior
las posibles descargas electrostticas gracias a la inclusin
de circuitos d, proteccin dentro del CI, como pueden ser
la conexin de diodos zener a las entradas que conducen y
ma prctica la tabla de la verdad de la puerta NOT. Para
ello vamos a necesitar los siguientes componentes: AIK - l cifra= naranja= 3
limitan la tensin de entrada a unos niveles no peligrosos.
A pesar de todo, a continuacin se indican las precaucio-
nes a tomar para trabajar con CMOS:
1 C! 74HCT04 (6 ~ NOT) o similar
1 conmutador deslizante
1 diodo LED rojo de 5 mm
K
A--T~
i - 2 cifra= na;anja = 3
- negro= xlO
-oro =Tol = 5 %
Los CMOS deberan estar almacenados con los termina- R~JJOQ/5%
les en contacto con espuma conductora. 1 diodo LED verde de 5 mm Smbolo
(a) (b)
o En ningn caso deben tocarse los terminales con los 2 resistencias de 330 !
dedos. Figura 1.48. (a) Conexiones del diodo LED.
1 placa protoboard de montaje rpido de circuitos (b) Cdigo de colores de la resistencia.
Si se retiran de la espuma conductora se deben insertar
en el circuito o depositar con los terminales en contacto En la Figura 1.46 se muestra el esquema del circuito que
con una superficie conductora a masa. se usa habitualmente para representar las conexiones,
En la Figura 1.49 se muestra cmo sera el esquema
No insertar CMOS en los zcalos de conexin con la donde no se incluye el conexionado del CI a la fuente de
prctico de montaje del circuito, donde se ha incluido la
tensin de alimentacin conectada. alimentacin.
alimentacin elctrica del CI.
e Las hen-amientas y bancos de trabajo se deben conectar
a tieua. + 5 fice A
o
En la Figura 1.45 se muestra a un operario trabajando con
MOSFET con medidas excepcionales de precaucin, como +5 V
l
R,
pueden ser la puesta a tierra del equipo de soldadura y de 330 n
la mueca del operario. ~
Ds
Puesta a tierra Equipo de
de mesa sold?dura
1
' Figura 1.46. Esquema del circuito puerta NOT.
El diodo verde se conecta a la entrada de la puerta y nos
indicar el estado de la entrada. El rojo se conecta a la
1
Puesta a tierra salida. Para la activacin de la entrada se utiliza un con-
mutador deslizante (Figura 1.47), de tal forma que pro-
Fig"' 1.49. Esquema prctico del CI.
porcionar un 1 lgico cuando su posicin conecte
Conexin equipotencial
de operario a la mesa con la tensin de alimentacin y un 0 lgico cuando
figura 1.45. Medidas de precaucin excepcionales para cambie su posicin a masa.
Para el montaje del circuito se puede utilizar una placa
manipular MOSFET.
protoboard de montaje rpido sin soldadura o un entre-
nador didctico de electrnica digital. La ventaja de los
entrenadores es que vienen equipados con los diferen-
tes dispositivos necesarios para la realizacin rpida de
2 I 3 2 1 3 la prctica, como pueden ser: las fuentes de alimenta-
r" 2 cin, generadores de seales digitales, conmutadores,
1~3 diodos LED, etc. En la Figura 1.50 se muestra, como
ejemplo, el aspecto de un entrenador comercial. Se tra-
(a) (b) ta del entrenador Universal Trainer que sirve para reali-
Figura 1.47. Conmutador deslizante. zar experiencias tanto con circuitos digitales como ana-
(a) Posicin 1-2. (b) Posicin 1-3. lgicos.
 +5 V
+
~
5V

Figura 1.52. Montaje prctico del circuito

Figura 1.56. Montaje prctico del circuito
sobre placa protoboard.
sobre placa protoboard.
figura 1.50. Entrenador Universal Trainer.

En el MATERIAL WEB podrs co11s11ltar el manual

del Uuiversal Trainer. A -~_h.' S=A
~

o
Realiza la lista de materiales necesarios para llevar a
cabo esta actividad prctica y completa la tabla de la
Figura 1.59. Esquema prctico del Cl.

-
verdad.

Nosotros vamos a proponer realizar el montaje de esta

Figura 1.53. Tabla de la verdad.
actividad prctica sobre una placa protoboard. Estas
A o o
placas poseen una serie de orificios interconectados S=A +8
entre s, donde se pueden conectar de forma rpida los B

componentes. En la Figura 1.51 se muestra el esque-

ma de conexiones de un modelo de placa protoboard.
Figura 1.57. Tabla de la verdad.

o Figura 1.60. Montaje prctico del circuito

; .3. Puerta lgica AND. Comprueba de forma prctica ia ta-

l
R, sobre placa protoboard.
330 !l
bla de la verdad de una puerta ANO mediante el CI
74HCT08 (4 x ANO), segn los esquemas de la Figuras
Realiza la lista de materiales necesarios para llevar a
1.58, 1.59 y 1.60.
,;.. DA~ D, ~ Ds cabo esta actividad prctica y completa la tabla de la
verdad.

Figura 1.54. Esquema del circuito.

74HCT08
A o o
Figura 1.51. Esquema de conexionado interno S=AB O
de una placa protoboard de montaje rpido. o

l
R,
Las filas superior e inferior, ms separadas que el resto,
330 n
se suelen utilizar para conectar la tensin de alimenta- Figura 1.61. Tabla de la verdad.
cin a la placa.
Ds 1.4. Puerta lgca NOR. Comprueba de forma prctica la ta-
En la Figura 1.52 se muestra el esquema prctico de
bla de la verdad de una puerta NOR mediante el CI
la puerta NOT montado sobre una placa protoboard.
74HCT02 (4 x NOR), segn los esquemas de la Figuras
Realiza el montaje.prctico y completa la tabla de la ver- Figura 1.58. Esquema del circuito. 1.62, 1.63 y 1.64.
dad de la Figura 1.53.

1.2. Puerta lgica OR. Comprueba de forma prctica la ta-

bla de la verdad de una puerta OR mediante el CI
74HCT32 (4 x OR), segn los esquemas de la Figuras
1.54, 1.55 y 1.56. Figura 1.55. Esquema prctico del CI.
 1.5. Puerta lgica NAND. Comprueba de forma prctica la
tabla de la verdad de una puerta NAND mediante el CI
74HCT00 (4 x NAND), segn los esquemas de la Figu-
ras 1.65, 1.66 y 1.67.
o

1
Ri
330 n o o
S=A+B o l
Ds o

figura 1.68. Montaje prctico del circuito

Figura 1.62. Esquema del circuito. figura 1.65. Tabla de la verdad. sobre placa protoboarcl.

Realiza la lista de materiales necesarios para llevar a

+5 V
74HCTOO cabo esta actividad prctica y completa la tabla de la
A Figura 1. 71. Esquema prctico del CI.
~
verdad.

o 111111
o o
+
R,
;=[}-s=Ti
1
330 n o
o
Ds 5V
Figura 1.69. Tabla de la verdad.

figura 1.66. Esquema del circuito. i .6. Puerta lgica XOR. Comprueba de forma prctica la ta-
74HCT02
bla de la verdad de una puerta XOR mediante el CI
74HCT86 (4 x XOR), segn los esquemas de la Figuras
1.70, 1.71 y 1.72. Figura 1. 72. Montaje prctico del circuito
figura 1.63. Esquema prctico del CI. sobre placa protoboard.

74HCT86 Realiza la lista de materiales necesarios para llevar a

cabo esta actividad prctica y completa la tabla de la
verdad.
o
R,
111111

1
330 n
o o
o l
~ Ds o

Figura 1.70. Esquema del circuito. figura 1.73. Tabla de la verdad.

Figura 1.64. Montaje prctico del circuito Figura 1.67. Esquema prctico del CI.
sobre placa protoboard.

Realiza la lista de materiales necesarios para llevar a cabo

esta actividad prctica y completa la tabla de la verdad.
1.7. Puerta lgica NOR mediante combinacin de puerta trumentacin especfica para el anlisis y reparacin de b) SOIC. b) Es ms rpida.
OR y puerta NOT. Se trata de que construyas un circui- circuitos digitales. Consigue un inyector lgico y una
e} SSOP. e) Puede trabajar a una frecuencia de seal baja.
to lgico que realice la funcin de la puerta NOR utilizan- sonda lgica y comprueba el funcionamiento de algunas
do la combinacin de una puerta OR y de una NOT (Fi- de las puertas lgicas que hemos comprobado de forma 1.5. Cul es la familia lgica que ms se tiende a utilizar 1.12. La mayor escala de integracin se consigue con la fa-
gura 1.74). Redacta la lista de materiales necesarios prctica en las actividades anteriores. Para poder hacer- milia lgica:
en la actualidad?
para realizar esta actividad prctica, dibuja el esquema lo adecus1damente, no te olvides de alimentar previa-
prctico de los circuitos integrados y comprueba la tabla mente al circuito integrado correspondiente con 5 voltios a) RTL. a) RTL.
de la verdad. de alimentacin al terminal 14 y de conectar el terminal 7 b) TTL. b) TTL.
a masa. e) CMOS. e) CMOS.

A~ f"----~ - Sonda lgica ~ 1.6. Cul es el significado de la caracterstica V,qmxl? 1.13. Calcula el valor decimal de los siguientes nmeros bi-
B~S=A+B
a) Mxima tensin de entrada admisible para que la narios:

Figura 1.74. puerta interprete un "" !gico. a) 111111 2.

b) Mnima tensin de entrada admisible para que la b) 1010101012,
1.8. Puerta lgica NAND mediante combinacin de puer- puerta interprete un1" lgico.
ta AND y puerta NOT. Se trata de que construyas un e) 101112,
e) Mxima tensin que aparece en la salida para el es-
circuito lgico que realice la funcin de la puerta NANO
utilizando la combinacin de una puerta ANO y de una
tado lgico "". 1.14. Calcula el valor binario de los siguientes nmeros deci-
males:
NOT (Figura 1.75). Redacta la lista de materiales nece- 1.7. Cul es el significado de la caracterstica VoH(mio?
sarios para realizar esta actividad prctica, dibuja el es- a) 1.45810
figura 1.76. Inyector y sonda lgica para a) Mxima tensin de entrada admisible para que la
quema prctico de los circuitos integrados y comprueba
el diagnstico de una puerta lgica. puerta interprete un O lgico. b) 32410,
la tabla de la verdad.
b) Mnima tensin de entrada admisible para que la e) 8610
1.1 O. Encuentra las hojas de caractersticas de los circuitos puerta interprete un 1" lgico.
integrados utilizados en estas actividades prcticas y 1.15. Convierte los siguientes nmeros en cdigo binario:
e) Mnima tensin que aparece en la salida para el es
observa sus caractersticas ms significativas. lado lgico 1 ... a) 2468 .
b) 356743,
Figura 1. 75. En el MATERIAL WEB elaborado para este texto se 1.8. Calcula el nivel de ruido de una puerta lgica si en sus
incluyen las hojas de taractel'sticas de los circuitos in~ e) 485C 16 .
hojas de caractersticas se leen los siguientes datos:
1.9. Instrumentacin digital. Consulta el apartado 5.6 de la legrados 74HCTOO, 74HCT02 . 74HCT04, 74HCT08, d) 5765A 16 .
Unidad 5 de este texto que trata sobre el manejo de ins- 74HCT32, 74HCT86. VoH(mio) = 2,6 V; v,H(min) = 1,9 V
e) 100110010010008 c0 ,
v,L(mx) = 0,9 V; VoL(mx) = 0,6 V
1.16. Convierte los siguientes nmeros binarios en cdigo
1.9. Qu familia lgica posee un menor consumo de po-
octal, hexadecimal y BCD
tencia?
a) 11001010.
a) RTL.
b) 1010101110.
b) TTL.
1.1. Si en un circuito integrado digital se consigue el 1 lgi- e) La salida puede variar con la temperatura, la tensin
co con una tensin de entrada de 5 V y el ""con una de alimentacin, estado de los componentes, etc. e) CMOS. 1.17. Dibuja el smbolo de una puerta OR con cuatro entra-
tensin de OV, dicho circuito trabaja con lgica: das y escribe su tabla de la verdad. Haz lo mismo para
1.10. Al nmero mximo de puertas que pueden conectarse
1.3. Las siglas LSI significan integracin a: una NOR, una ANO, una NANO, una XOR y una XNOR
a) Negativa. a la salida de otra puerta de la misma familia lgica se
a) Pequea escala. de cuatro entradas.
b) Positiva. le conoce como:
c) Indefinida. a) Mediana escala. a) Capacidad de carga. 1.18. Dibuja el diagrama lgico con puertas para que se cum-
e) Gran escala. b) Fan-out. pla la siguiente funcin de salida. Realiza tambin su
1.2. Indica cul de las afirmaciones es correcta respecto a
tabla de la verdad.
los circuitos digitales frente a los analgicos: e) Nmero lgico.
1.4. El encapsulado de los circuitos integrados digitales para
a). Susceptible de sufrir interferencias de otros sistemas. conectar sobre zcalo que empleamos en las activida- S= A B C+ ABC+ AB C
1.11. Un retardo grande en la propagacin de la seal en una
des prcticas de laboratorio son del tipo:
b) Mayor facilidad de integracin para circuitos repeti- puerta lgica nos indica que: 1.19. Escribe la funcin de salida y la tabla de la verdad que
tivos. a) DIP. a) Puede trabajar a una frecuencia ms elevada. se corresponde con el circuito lgico de la Figura 1.77.
 1.2Cl. Escribe la funcin de salida que se corresponde con el
circuito de la Figura 1.78.

figiora 1. 78.

Figma 1.77.

1.i. Qu hacer cuando una puerta lgica se queda con
alguna entrada sin utilizar? Nunca se debe dejar nin-
guna entrada de una puerta lgica sin conectar, ya que
no se podra predecir el nivel lgico que alcancen dichas
entradas. Las entradas sin conectar son sensibles a las
interferencias y una carga esttica podra desestabilizar
el funcionamiento correcto de la puerta.
Esta ltima precaucin es vlida tambin para los CI de la
familia TTL. Qu hacemos entonces con los terminales
de entrada de una puerta lgica que no necesitamos?
La solucin ms acertada es conectar todas las entra-
das que no se utilicen a la tensin de alimentacin Vcc o
masa (GNO) dependiendo del tipo de puerta lgica:
0 Para las puertas ANO y NANO se conectan las entra-
das a Vce a travs de una resistencia de 1 kQ con el
fin de llevarlas a! nivel lgico 1.
Para las puertas OR y NOR se conectan las entradas
a masa para fijarlas al nivel lgico O.
En la Figura 1.79 se muestra, como ejemplo, una puerta
de tres entradas en las que solamente se necesitan dos
para la realizacin del circuito lgico.
1.2. Actividades resueltas de sistemas de nu-
meracin. Con el fin de conseguir una mayor
profundizacin en la materia, se han incluido
una serie de Ejercicios de sistemas de nume-
racin para esta unidad que podrs encontrar resueltos
dentro del MATERIAL WEB elaborado para este texto.
1 .3. Actividades resueltas de diseo de circui- ,-,;::~.
tos con puertas lgicas. Consulta el docu-
mento con este mismo nombre que encontra-
rs dentro del MATERIAL WEB. Aqu podrs
encontrar ms ejemplos de cmo se disean circuitos
con puertas lgicas.

1~' ~s

Figura 1.79. Entradas sin utilizar conectadas

a la tensin de alimentacin o masa dependiendo
del tipo de puerta.
 Cuando se invieiten los dos trminos de una igualdad, Reagrupando:
11 2.1. l~eora de Boole esta permanece igual:
S=A+B
e
B
El lgebra de Boole es una teora matemtica que nos va a S = A + B es igual a S = A + B
b) A(A+B)=A+B A-----'
permitir operar con nmeros binarios. S = A- B es igual a S= A B
Demostracin: Figura 2.3. Diagrama lgico simplificado.
El lgebra de Boo!e fue desarrollada en 1847 por George
Boole, para resolver cuestiones de lgica deductiva, en las A (A + B) = A_- A + A B = O+ A B = AB
cuales se utilizan dos soluciones posibles, verdadero o 2.1.2. Pro~i0dad0s b) S =A+ AB
falso. Ms adelante, este lgebra se utiliz para disear los Teorema 3: Leyes de Morgan
En el lgebra de Boole se cumplen las siguientes propie-
circuitos de conmutacin de telefona que utilizaban rels. La dades:
llegada de los circuitos digitales hizo que el lgebra de Boole Este teorema es de gran utilidad en la simplificacin y
conversiones de funciones: s
se convirtiese en indispensable para su diseo y anlisis.
Propiedad conmutativa a) A + B + e + ... + N = A. B. e ..... N
A+B=B+A Figura 2.4. Diagrama lgico sin simplificar.
IHI 2.1.1. Postulados AB = BA
b) ABC .... N=A+B+C+ ... +N

Para explicar los postulados del lgebra de Boole nos va- Solucin: segn el teorema 2. :
mos a ayudar del circuito elctrico de contactos equivalen-
tes, tal como se muestra en la Figura 2.1.
Propiedad asociativa
A+B+C=A+W+Q=0+m+c
11 2.2. ~implificacin al~eoraica A+AB=A+B

A . B . e = A . (B. C) = (A . B) . e de funciones l~icas

S=A+l=l
Con la ayuda de los postulados, propiedades y teoremas
Propiedad distributiva
del lgebra de Boole es posible simplificar una funcin l- Figura 2.5. Diagrama lgico simplificado.
+V~ S=A
A (B+ Q = A B + A C gica hasta su mnima expresin, con lo que se consigue
S=A+O=A ~
~o)-@i A + (B C) = (A + B) (A + C)
construir circuitos lgicos ms sencillos y e'conmicos.

Actividad resuelta 2.1

-
+;_)--~
S=A
11112.11 leornmas Simplifica la siguiente funcin y realiza los diagramas Comprueba si la simplificacin de las siguientes fun-
Seguidamente se enuncian los teoremas ms importantes y lgicos antes y despus de la simplificacin: ciones es correcta y realiza los diagramas lgicos an-
su demostracin. tes y despus de simplificar.
A S=O a) S = A- (A- B + C)
+~<>-<>o-.i, Teorema 1
El diagrama lgico de la funcin sin simplificar sera el
a) AB + AB + BA = B
a) A+ AB =A de la Figura 2.2. b) A(BC + AB + BA) = AB

+V~ S=A
Demostracin: e) ABC + CAE + AB + A = A
S=A+A=A c:q.
~}i b) A-(A
A + A B = A (1
+ B) = A
+ B) = A 1 = A
s
d) ABC + AB e + ABC + AB + e = A + e

~ La solucin a esta ActiPidad propuesta la puedes

+V A S=A A Demostracin: encontrar dentro del MATERIAL WEB elabom-
S=AA=A
~o-4';~
'<& J..
1 _____1 - A (A + B) = A A + A B = A + A B = A Figura 2.2. Diagrama lgico sin simplificar.
do para este texto.

Teorema 2
Solucin: Actividad resuelta 2.2
S=A+A=l a) A + A- B = A + B
Demostracin: Dado que el trmino B + B= 1, si lo S=A(A B +Q=A A B +A C=(A A) B+A C Simplifica la siguiente funcin y realiza los diagramas
lgicos antes y despus de la simplificacin. Escribe la
muliplicamos por el trmino A, la expresin no vara: Como A A = A, tenemos que:
+V A A S=O tabla de la verdad de la funcin una vez simplificada:
s = A + AB = A(B + B) + AB = AB + AB + AB
~~
S=liA=O S = A B + A C =A (B +Q S=A+AB+BC+A
Dado que el trmino AB = AB + AB, si ahora sumamos
a la expresin anterior un trmino AB, esta no vara: El diagrama lgico de la funcin simplificada es el de El diagrama lgico de la funcin sin simplificar sera el
Figura 2.1. Postulados con sus circuitos la Figura 2.3. de la Figura 2.6.
de contactos equivalentes. S=AB +AB +AB=AB +AB +AB +AB
 El mapa est formado por una tabla de 2" celdas, siendo n
el nmero de variables que posea la funcin a simplificar.
con ! su valor siempre es 1, sin embargo la variable A,
toma el valor O en una celda y 1 en la otra, por lo que la 11111
000
simplificacin de la funcin queda as (Figura 2.10):
OO1 1
S=B
2.11. Ma~a ~e Karnaugn O1 O 1
O1 ! 1 BC
00 01 11 10
100 , O A

Figura 2.6. Diagrama lgico sin simplificar.

~ara aos variaoles 1 Ol o o Uiic IABC Use !.ABE
000 001 011 OJO
Para dos variables dibujaremos una tabla con 22 = 4 cel- l lo l
111 o 1 ABc ABC ABC lABC
das, donde se escribir el resultado de la funcin cannica 100 101 111 110
Solucin: Aplicamos las leyes de Morgan al primer
sumando: o los trminos de la tabla de la verdad que den como resul- (a) (b)
tado un 1 lgico en su salida. B figura 2.13. (a) Tabla de la verdad.
S = A (AB) (BC) +A En la Figura 2.8 se muestra la ubicacin de cada uno de los Figura 2.10. Simplificacin con mapa de Karnaugh. (bj Mapa de Karnaugh para tres variables.
Ahora aplicamos las leyes de Morgan al tnnino (BC) trminos en las celdas de un mapa de Karnangh para dos
variables. Actividad resuelta 2.3
s = A(AB)(B + C) + A Para una funcin de tres variables si se consigue:
Escribe la tabla de la verdad y simplifica la siguiente
B O Dos ! adyacentes se puede eliminar una de las varia-
S=AAB(B+C)+A A funcin de salida:
bles.
' Dado que A A = A: o AB
00
AB
0l
S=AB+AB+AB
AB AB: Solucin: Figura 2.11. Cuatro 1 adyacentes se puede eliminar dos de las va-
s = AB(B + C) + A = ABB + ABC + A ro ll riables.
Como figura 2.8. Mapa de Karnaugh para dos variables. 111111 A
B O
Ocho 1 adyacentes el valor de la funcin es siempre l.
BB=O o o o
As, por ejemplo, para la siguiente funcin, la tabla de la o l. o
Recuerda que la variable que se mantiene es aquella que
s = ABC + A = A(BC) + A verdad y el mapa de Karnaugh sera el que se representa en o Cl
A no cambia de valor en la agrupacin de unos adyacentes,
la Figura 2.9. 1 l eliminndose la que cambia.
Aplicando el teorema 2,
S=AB+AB
(a) (b) La simplificacin de la funcin es la que se muestra en la
En el mapa se escriben solamente el ! lgico de cada
Figura 2.11. (a) Tabla de la verdad. Figura 2.14.
uno de los trminos de la funcin de salida en la celda co-
En la Figura 2.7 se muestra el diagrmna lgico siiupli- (b) ,Wapa. de Karnaugh.
ficado. rrespondiente del mapa de Karnaugh. BC
A 00 01 11 10
La funcin simplificada quedara as:
BID
;~~
B O S=A+B o A
o o o A '~.:
o o AB JAB
e ne o o
'00 01

Figura 2_.7. Diagrama lgico simplificado. 1 1

Aii ! AB
10 ll
l.3.2. Ma~a as ~arnau~n BC
Figura 2.14. Simplificacin con mapa de Karnaugh.
(a) (b) ~ara trns variables
figura 2.9. (a) Tabla de la verdad. La funcin simplificada queda as:
BC
11 2.J. ~implificacin ae (b) Mapa de Karnaugh para dos variables.
A 00 01 11 10
S =A+ BC
El mtodo de simplificacin consiste en agrupar los ! o I:iic l:iic ABC ABE
funciones lgicas meaiante adyacentes de dos en dos y en sentido horizontal o vertical.
1

ABC
00J 011
ABC ABC ABG
0l

Actividad resuelta 2.4

el mapa ae Kamaugh Para una funcin de dos variables si se consiguen dos !
adyacentes se puede eliminar una de las variables.
100 101, .[ll 110

Dado que la simplificacin por el mtodo algebraico resul-
ta largo, complejo y poco sistemtico se han ideado otros
mtodos de simplificacin ms sencillos como el de Kar-
naugh. Este mtodo es bastante sencillo, sobre todo si lo
aplicamos para 2, 3 o 4 variables de entrada.
La variable que se mantiene es aquella que no cambia de
valor en la agrupacin de unos adyacentes, eliminndose la
que cambia.
En nuestro ejemplo de la Figura 2.9, la variable que no
cambia de valor es la B ya que en las dos celdas adyacentes
figma 2.12. Mapa de Karnaugh para tres variables. Escribe la tabla de la verdad y simplifica la siguiente
funcin de salida:
As, por ejemplo, para la siguiente funcin, la tabla de la
verdad y el mapa de Karnaugh sera el que se representa en s = ABC +Ase+ ABC + ABC
la Figura 2.13.
Solucin: Figura 2.15.
s = ABC + ABC + ABC + ABC + ABC
 11111
000
IIDII
0000
Actividad resuelta 2.6
Disea el circuito lgico de la Figura 2.20 mediante
0001 Realiza la tabla de la verdad y simplifica las siguien- solo puertas NAND.
001
0010 tes funciones:
010
O1 1 0011 a) S = ABC + ABC + AB C + ABC
100 0100 AB
00 b) s = ABCD + ABCD +A.BCD+ A.BCD+ e
B ..oCC 'R.... .:!".'
l>.\
)\T . . . . ...~...
(< A(C+BJ s
1 O1 O1 O1
O11 O + A.BCD+ AB CD+ ABCD +ABCD +ABCD A
11 O 01
11 1 O1 1 1 La solucin a esta Actil'idad propuesta la puedes Figura 2.20.
1000 11 e11co11tmr dentro del MATERIAL WEB elabora-
B 1 OO1 do para este texto. Solucin: Aplicando las leyes de Morgan u observan-
Figura 2.15. (a) Tabla de la verdad. l O1 O 10 do las equivalencias de la Figura 2. 19 llegamos al dia-
(b) Mapa de Karnaugh. 1 O1 1 grama de la Figura 2.21.
1 1 OO CD
La funcin simplificada quedara as: 1 1 O1
111 O
2.4. Diseo ae circuitos e
S=B
1111 com~inacionales A(C+B)
Figura 2.17. Tabla de la verdad y mapa de Karnaugh.
11112.J.J. Ma~a ae Karnau~h con ~uertas NANO ~ NOR B

Actividad resuelta 2.5 A--------'

En la prctica resulta muy til el utilizar en nuestros dise-
~ara cuatro variables Escribe la tabla de la verdad y simplifica la siguiente os lgicos solamente un tipo de puerta, como por ejemplo Figura 2.21. Diagrama lgico con puertas NANO.
funcin de salida: la NAND o la NOR. Aunque esta accin aumente el nme-
CD ro de puertas utilizadas tiene sus ventajas, ya que podemos
AB 00 01 11 10 S = A B CD+ A BCD+ A BCD+ ABCD + ABCD + aprovechar todas las puertas que vienen integradas en el
00 'Aaci5 'Affcv .liicD Jiici5
0000 0001. 0011 0010 + AB CD + ABCD + ABCD + ABCD chip y no ser necesario disponer de todos los tipos de
puertas para realizar un diseo.
21 Diseo ae circuitos
o1 Jscii Xsc:v Jco Xncii
0100. :-0101 .om .ono
'.: .. ,
Solucin: Figura 2.18. Para las conversiones se utilizan las leyes de Morgan. En
la Figura 2.19 se muestra, como ejemplo, las equivalencias
combinacionales
11 ABCD ABD A1cb ABCD
1100 llOl llll
1o Ali AaD Aio
BID
Afro
lmll
0000 o
de las puertas NAND. El diseo de un circuito combinacional con puertas lgicas
que d solucin a un determinado caso prctico constara
IODO JOOl 1011 1010
0001 l de las siguientes fases:
Figura 2.16. Mapa de Karnaugh para cuatro variables. 0010 1 a) Enunciado del problema.
OO1 1 1
Para una funcin de cuatro variables si se consigue: 0100 o AB AH = b) Escribir la tabla de la verdad a partir del enunciado.
Dos 1 adyacentes se puede eliminar una de las varia- O1 O1 o 00
AC A. ."~
.(. ( -... ~ t .. . .
< AB =AB e) Obtencin de la funcin que se corresponda con la sali-
O11 O 1 B ~
bles. 01 da que d como resultado un l lgico.
Cuatro 1 adyacentes se puede eliminar dos de las va- O1 1 1 l
1000 o d) Simplificacin de la funcin.
riables. 11
1 OO1 1 AD e) Conversin de las funciones, si conviene, para el uso
Ocho 1 adyacentes se puede eliminar tres de las varia- 1 O1 O o 10 exclusivo de puertas NAND o NOR.
bles. 1 O1 1 1
16 1 adyacentes el valor de la funcin es siempre l. 1100 o f) Realizacin del diagrama lgico con puertas.
1 1 O1 1 BD g) Seleccin de los circuitos integrados.
As, por ejemplo, pap la siguiente funcin, la tabla de la
verdad y el mapa de Karnaugh sera el que se representa en 1 11 O o A h) Montaje prctico del circuito.
la Figura 2.17. 1111 L.
A .~
.. . -. . . . -.A+B
. A continuacin vamos a llevar a cabo el diseo de un siste-
s=A.BCD+ A.BCD+ A.BCD+ A.BCD+ ABCD + Figura 2.18. Tabla de la verdad y mapa de Karnaugh. B~
ma de alarma que nos sirva como ejemplo del procedi-
B
+ABCD+ABCD miento a seguir.
La funcin simplificada quedara as:
La funcin simplificada queda as: figura 2.19. Equivalencias de diferentes funciones lgicas Se dispone de una alarma (S) y de tres sensores A, B y, C
S= AC+ AD+ BD para su activacin (Figura 2.22).
S = AD + ABC + CD con puertas NANO.
 d) Para esta funcin el diagrama lgico es el que se pre- B4 A4 Y4 83 f\3 Y3
2A Alanna
senta en la Figura 2.25.
e) Simplificamos la funcin con el mapa de Karnaugh de
g B r,,.S la Figura 2.30.
~

~ c---1,,.
BC
Figura 2.22. Sistema de alarma con tres sensores. A 00 01 ll 10
o
Disear un circuito combinacional, de tal forma qne la se-
al de alarma (S) se active cuando se cumplan las siguien- AB
tes condiciones: Al Bl Y! f\2 B2 Y2 GND

figma 2.27. C/ 74HCTOO con cuatro puertas NANO.

BC
0 El sensor A desactivado, el B activado y el C en cual- Figura 2.30. Mapa de Karnaugh.
quier posicin.
0 Los sensores A y B desactivados y el C activado. L..1. Diseo ~e circuito l~ico. ~ara La funcin simplificada queda as:
figura 2.25. Diagrama lgico de la funcin
Todos los sensores activados. simplificada. ~!anta ae~urn~orn S=AB +AC +BC

Una planta depuradora dispone de tres depsitos de agua. d) Vamos a convertir el circuito para poder llevarlo a cabo
Resolucin: solo con puertas NAND. Para ello aplicamos el teore-
e) Vamos a convertir el circuito para utilizar solo puertas En el fondo de cada depsito se dispone de un sensor de

...
a) La tabla de la verdad para que se cumplan las condicio- NAND. Para ello aplicamos el teorema de Morgan a la nivel que se activar cuando se encuentre vaco. Disear el ma de Morgan a la funcin simplificada.
nes del enunciado es la de la Figura 2.23. funcin simplificada. circuito lgico con puertas NAND de dos entradas, de tal
forma que se active una seal de aviso cuando los sensores S = AB + AC + BC = AB AC BC = AB AC BC
S = AB + AC + BC = AB AC BC indiquen que dos depsitos estn vacos (Figura 2.28) .
El diagrama lgico correspondiente con puertas NAND
000 o es el que se muestra en la Figura 2.31.
Esta funcin se puede construir ya con puertas lgicas
001 l NAND. El inconveniente es que necesitamos mezclar
010 1 una puerta NAND de tres entradas con puertas NAND A B C
O11 . l de dos entradas.
100 o s
Seal de
l O1 o Si queremos utilizar solamente puertas NAND de dos aviso
1l O o entradas ser necesario volver a aplicar el teorema de
l 11 Morgan. BC
~ _ j
figura 2.23. Tabla de la verdad. Figura 2.28. Diseo de circuito lgico para planta
S = ABACBC
depuradora. Figura 2.31. Diagrama lgico con puertas NANO.
b) La funcin lgica en forma cannica para S = l, ser: El diagrama lgico correspondiente con puertas NAND
Resolucin:
es el que se muestra en !a Figura 2.26.
S = A BC + ABC + ABC + ABC a) La tabla de la verdad para que se cumplan las condicio- L.a.L. liseo as circuito l~ico ~ara

-
nes del enunciado es la de la Figura 2.29.
e) Simplificamos la funcin con el mapa de Karnaugh de
la Figura 2.24.
rieijo automtico
Se trata de disear el circuito lgico con puertas NAND de
BC 000 O dos entradas que automatice un sistema de riego como el
A 00 01 11 10 001 O mostrado en la Figura 2.32. El circuito deber accionar la
o AB 010 O bomba de riego solamente cuando se cumplan las siguien-
Ol 1 1 tes condiciones.
100 O Solo se riega si la tie1rn est seca.
1 1 O1 J
AC BC Figura 2.26. Diagrama lgico con puertas NANO. Para evitar que la bomba se estropee funcionando en va-
1l O 1 co, esta nunca se accionar cuando el depsito de agua
Figura 2.24. Mapa de Karnaugh. 111 l est vaco.
f) Para el montaje prctico de este circuito necesitamos 7
puertas NAND de dos entradas, para lo que se puede figma 2.29. Tabla de la verdad. Si hay restricciones en el riego (poca de verano), solo
La funcin simplificada queda as:
utilizar dos circuitos integrados 74HCT00 que contie- se podr regar de noche.
S =AB +AC+BC nen 4 pue11as NAND cada uno (Figura 2.27). b) La funcin lgica en forma cannica para S = 1, ser:
En el resto del ao (si no hay restricciones) se podr re-
S = ABC + ABC + ABC + ABC gar de da y de noche.
 Clula fotoelctrica Calendario Sensor de nivel
Da = l Verano = 1 Vaco = I / Con agua= O
Noche=O Inviemo=O
/-,;' Sensor de humedad
2.1. Sistema de alarma con tres sensores. Se trata de que No olvides que para que funcione correctamente el cir-
1;:.. ..,'.. 1
1h" 12Apr 07 27
i iI Seco= I
compruebes de forma prctica el diseo del circuito com- cuito ser necesario que alimentes con +5 V ambos cir-
~.-~ ))D R i! Hmedo= O
binacional de la alarma con tres sensores realizado como cuitos integrados.
V ejemplo en el aparta:lo 2.5 (Figuras 2.22 y 2.26).
'''<e;;,-..,,.,,/J
2.2. Sistema de automatizacin de una planta depurado-
Para el montaje prctico utilizaremos un entrenador di- ra. Realiza el montaje prctico en el entrenador didctico
dctico, como el Universal Trainer, y sern necesarios del circuito lgico de la Figura 2.31 que se dise para el
~----1i ircufrolgio dos circuitos integrados 74HCT00 {4 puertas NAND de
~-----------<Z ,;fpJtibin'icional
dos entradas) y la utilizacin de tres conmutadores (A, B
ejemplo de la planta y comprueba su funcionamiento.
Antes de llevarlo acabo realiza una lista con los compo-
y C) y de cuatro diodos LED (tres para sealizar el esta- nentes que sern necesarios y dibuja un esquema sim-
Figura 2.32. Circuito con puertas lgicas para un riego automtico. do de las entradas y uno para el de salida). plificado para realizar su montaje.
El esquema simplificado para el montaje en el entrena-
Resolucin: 2.3. Sistema de automatizacin para riego automtico.
dor didctico es el que se propone en la Figura 2.36.
Realiza el montaje prctico en el entrenador didctico del
La tabla de la verdad para que se cumplan las condiciones
del enunciado es la de la Figura 2.33. rrr
A B C
circuito lgico de la Figura 2.35 que se dise para el
ejemplo del riego automtico y comprueba su funciona-
DR miento. Al igual que en la actividad prctica anterior, re-
00 01 11 10 1--1--1----,,?i DA
DS
VH dacta una lista con los componentes que sern necesa-
1--+-----~,t! DB

Tierra hmeda
No se riega
l
0000
OOO1
OO1 O
o
o
o
00

01 ( 1 1)
f

\1 VHR
t-----+,,sl DC
rios y dibuja un esquema simplificado para realizar su
montaje.

OO11 o 1

0100 J De noche se riega

en invierno y en verano
11
O1 O1 !O
O11 O l - De da en invierno
De da en invierno -
No se riega
O1 o Se riega
VHD
1000 o Figura 2.34. Mapa de Karnaugh.
1 OO1 o
lo lo o Para conseguir un circuito con puertas NAND de dos en- figura 2.36. Esquema simplificado del circuito de alarma
Tanque vaco
No se riega
1 O11 o en el entrenador didctico.
tradas, volvemos a aplicar el teorema de Morgan en blo-
1100 o
ques de dos:
1 1 O1 o
1 11 O o
1111 o
s = VHDVHR = VHD + VHR
Figura 2.33. Tabla de la verdad.
El diagrama lgico correspondiente con puertas NAND es
La funcin lgica para que la bomba entre en funciona- el que se muestra en la Figura 2.35. 2.1. Simplifica las siguientes funciones y realiza los diagra- 2.2. Convierte las siguientes funciones para que puedan ser
miento (S = 1), ser: mas lgicos antes y despus de la simplificacin. realizadas solo con puertas NAND de dos entradas. Una
S = VHDR = VHDR + VHDR vez realizada la conversin dibuja los diagramas lgicos.
a) S=AB+AB+AB
Simplificamos la funcin con el mapa de Karnaugh de la a) S=A + BC
b) S=ABC+ABC+ABC+ABC+ABC
Figura 2.34. b) S=AC+AD+BD
S=VHD+VHR e) S=ABC+ A BC+ ABC+ ABC+ ABC
e) S = AD+ ABC + CD
Para convertir el circuito para utilizar solo puertas NAND, d) S=ABCD+ABCD+ABCD+ABCD+ABCD
aplicamos el teorema de Morgan una vez a la funcin sim- 2.3. Una trituradora posee dos niveles de trituracin, de tal
plificada. e) S=ABCD+ ABCD+ ABCD+ ABCD+ forma que cuando el depsito de trituracin est a un ni-
S = VHD + VHR = VHD VHR Figura 2.35. Diagrama lgico con puertas NANO. +ABCD+ABCD vel medio (sensor 8) se conecta el motor n. 0 1 (S1).
 Cuando se alcanza un nivel de llenado alto (sensor C) se
conectan a la vez los motores n. 1 y n. 2 (S2). Si el
nivel de llenado est por debajo del mnimo (sensor A)
los dos motores se desconectan. Por otro lado, los moto-
res de la trituradora solo funcionarn si se activa un sen-
sor de temperatura (sensor D) que indica que la mezcla
se realiza a 50 C (Figura 2.37).
Escribe la abla de la verdad y disea el circuito igico
combinacional con puertas lgicas para el funcionamien-
to de los dos motores de la trituradora.
Figura 2.37. Automatizacin de una trituradora.
2.4. Se dispone de una alarma (S) de cuatro sensores A, B, C
y D para su activacin (Figura 2.38).
figma 2.38. Sistema de alarma con cuatro sensores.
Disea el circuito combinacional de tal forma que la se-
al de alarma (S) se active cuando se cumplan las si-
guientes condiciones:
El sensor A desactivado, el 8 activado, el C desactiva-
do y el Den cualquier posicin.
0 Los sensores A y B desactivados y el C y el D acti-
vados.
El sensor A activado, el 8 desactivado, el C desactiva-
do y el D activado.
Todos los sensores activados.

ll A~tivilades ae ampliacin
:;;; 2.1. En Internet se puede encontrar software que nos ayuda con la tarea de simplificacin de funciones lgicas median-
te los mapas de Karnaugh. Introduce las siguientes palabras en tu navegador Web: programas simplificacin
funciones lgicas, selecciona un programa que te parezca adecuado, instlalo en tu ordenador y comprueba su
funcionamiento con algunas de las funciones que ya hemos simplificado en esta unidad.

11 Activiaaries de ovaluacin rnsue!tas

\ 2.1. Actividades resueltas de simplificacin de funciones. Consulta el documento con este mismo nombre que
encontrars dentro del MATERIAL WEB. Aqu podrs encontrar ms ejemplos de cmo se simplifican funciones
lgicas.

11 3.1. Diferencia entre un sistema
com~inacional y otro
secuencial
Los sistemas combinacionales se caracterizan porque sus
salidas solo dependen del valor que adquieran sus entradas,
como por ejemplo, las puertas lgicas y los circuitos lgi
cos construidos a partir de ellas que hemos estudiado en
anteriores unidades. En estos circuitos la salida no depende
de los estados anteriores que posean las entradas o la sali-
da, por lo que se puede decir que carecen de realimenta-
cin o de memoria.
A diferencia, los sistemas secuenciales, que estudiaremos
en la siguiente unidad, los valores de las salidas en un de
terminado momento dependen no solamente de las entra-
das en ese momento, sino del estado en que se encuentra el
sistema, el cual depende de los valores de las entradas en
momentos anteriores, lo que indica que los circuitos se-
cuenciales poseen memoria.
Los circuitos secuenciales son capaces de recordar
nmeros que han recibido anteriormente.
g A
"'g Be s que aparecer en la salida S solo la entrada que haya sido
" D
lll
S=f(A,B,C,D)
Figura 3.1. En un circuito combinacional las salidas
so/o dependen del valar que posean sus entradas
en ese instante.
11 3.2. Multiplexores
Un circuito multiplexor es un circuito que permite selec-
cionar cul de varias lneas de entrada de datos debe apare-
cer en una nica lnea de salida, segn la configuracin
presente en unas lneas de control o entradas de seleccin
(Figura 3.2).
Eo
Entrada de E1
datos E,
S Salida de
datos
E,
A B
Seleccin de datos
Figura 3.2. El multiplexor permite seleccionar
cul de las entradas aparecer en la salida.
Bsicamente, se podra decir que un multiplexor es un con-
mutador de varias posiciones con diferentes entradas y una
salida, de tal forma que, al situar el selector en una de las
entradas, solo esta aparecer en la salida (Figura 3.3).
Entrada de
oatos
Seleccin
de datos
Salida de
datos
E,<>--.,.....--s.'-
E,
E1
E,
Figura 3.3. Un multiplexor es similar a un conmutador.
Los multiplexores son circuitos lgicos muy utilizados. Su
principal aplicacin es el envo, en serie, de una forma or-
denada, y a travs de una sola lnea de salida, de varias
informaciones digitales que pueden aparecer simultnea-
mente en distintas entradas. Como ejemplo tenemos el en-
vo de informacin de un ordenador a otro, envo de una
comunicaciu telefnica, etc.
Para que lo entiendas mejor, imagina que deseas que 16
lneas de telfono se transmitan por un solo cable. Para lo
cual instalas un conmutador telefnico con un multiplexor.
Si por ejemplo, deseas que los datos de la lnea n.0 7 (0111
en base 2) aparezca en la salida del multiplexor tendrs que
aplicar dicho cdigo (0111) a las entradas de seleccin.
3.2.1. Diseo de un multiplexor
de dos entradas
El nmero de entradas de seleccin (n) de un multiplexor
depende del nmero de canales de entrada, de tal forma
que se cumpla la siguiente expresin:
Nmero de canales de entrada = 2"
De esta forma necesitaremos de una entrada de seleccin
para dos entradas, dos para cuatro entradas, tres para ocho
entradas, cuatro para diecisis entradas, etc.
Para el diseo de un multiplexor de dos entradas (E0, E1)
necesitaremos de una entrada de seleccin (A), tal como se
muestra en la Figura 3.4.
E,-u--
Entrada de
datos
Eo-f:l_s Salida de
datos
1 de dos entradas con puertas NANO.
A
Seleccin de datos
Figura 3.4. Multiplexar de das entradas.
Para realizar la tabla de la verdad tendremos en cuenta que O lgico a la entrada de seleccin A, mientras que si desea
cuando la entrada de seleccin A posea el valor O apare-
cer el valor de la entrada E0 en la salida, y cuando posea
mos que sea la entrada E1 la que aparezca en la salida tendre
mos que aplicar un 1 lgico a dicha entrada de seleccin.
el valor! ser el valor de la entrada E1 el que alcance la
-
salida (Figura 3.5).
3.2.2. Diseo de un multiplexor
, o oo 'o' de cuatro entradas
O 01 :,O
O I O :il Siguiendo el mismo procedimiento de diseo que para dos
entradas, podramos disear un multiplexor de cuatro en-
O 11 :, 1
1 oo ''o tradas, para lo cual necesitamos de dos entradas de selec-
cin. En la Figura 3.8 se muestra la tabla de la verdad co-
1 O1 1
rrespondiente a un multiplexor de cuatro entradas (E0, E1,
: :~ :i E2 , E3) y dos entradas de seleccin (A, B).
Figura 3.5. Tabla de la verdad de un multiplexor
de das entradas. ii--1
00 O X X X iJ
De la tabla de la verdad se obtiene la siguiente funcin 16- OOIXXX'J
01 xoxx o
gica: 01 XI X X 1
S = AE0 E1 + AE0 E1 + AE0 E1 + AE0 E1 IOXXOX,O
10 X XI X '. .. l
Comprueba cmo aplicando la simplificacin con el mapa 11 xxxo O
de Karnaugh la funcin queda as: 11 X X X 1; 1.
S = E0 A+E1A Figura 3.8. Tabla de la verdad para un multiplexar
de cuatro entradas.
El diagrama lgico con puertas con el que se consigue lle-
var a cabo esta funcin es el de la Figura 3.6.
En esta tabla de la verdad no se han escrito todas las com-
binaciones posibles para seis bits, ya que la condicin es
E,
seleccionada con la entrada de seleccin, colocando una X
s
para aquellos valores de entrada que son indiferentes (da
E,
igual que sea 1 o O). De esta forma, si los dos bits de
la entrada de seleccin AB son:
00 aparece el valor de E0 en la salida
Figura 3.6. Diagrama lgica de un multiplexar
de das entradas. O1 aparece el valor de E I en la salida
En la prctica, sera ms sencillo realizar este circuito con
10 aparece el valor de E2 en la salida
11 aparece el valor de E3 en la salida
puertas NANO, tal como se muestra en la Figura 3.7.
El diagrama lgico para llevar a cabo este multiplexor con
puertas NANO sera el que se muestra en la Figura 3.9.
Eo
s
E,
A
Figura 3.7. Diagrama lgico de un multiplexar
1
Con este multiplexor hemos conseguido que cuando desea- Figura 3.9. Diagrama lgica de un multiplexor
mos que aparezca la seal E0 en la salida basta con aplicar un de cuatro entradas con puertas NAND.
 JJl fl multiplexor como oloijue EN

Vcc
Eo
E, MUX 11111o
Eo
comainacional E,
E,
E.,
000 -Eo
- E,
001
Tal como ya habamos expuesto al principio de esta uni- E,
A B
o] o - E,
dad, el circuito de un multiplexor se puede integrar en un E, MUX s ol l ] - EJ
solo bloque dentro de un circuito integrado especfico. As, E,
s E, 1 00 o - E,
por ejemplo, para un multiplexor de cuatro entradas, como MUX 1 O1 o - E5
el de la Figura 3.9 integrado en un solo chip, el circuito a
E.1 e 11 O o - E,
utilizar podra ser el de la Figura 3.10. E, B
11 l l - E,
E, A A B
MUX s
E, Figura 3.15. Tabla de la verdad.
Eo o MUX A B C E, 1
MUX
E,o C D La funcin lgica que responde a esta tabla ser:
(a) Smbolo lgico b) Diagrama de conexiones del CI
Entrada de E, s Salida de E11
datos E, 2 datos
flgma 3.12. Multiplexor de 8 entradas 74HC151. S = A BC + ABC + ABC + ABC
E, A B
o Ahora conectamos las entradas del multiplexor al nivel
Este mulQplexor dispone de una salida de datos (S) y de su E12 lgico resultante de la tabla de la verdad (E0 = O,
Eu E1 = l, E2 = 1, E3 = 1, E4 = O, E5 = O, E6 = O,
A B negada (S) con el fin de utilizar la que ms convenga en MUX
E" E7 = !). Una forma sencilla de hacerlo es conectar las
Seleccin de datos funcin de las especificaciones del diseo. En la Figu- E5
ra 3.13 se expone su tabla de la verdad. entradas con un nivel lgico l a la tensin de ali-
Figura 3. HI. Multiplexor de cuatro entradas mentacin Vce y a masa las que posean el nivel lgico
A B
como bloque combinacional. O, tal como se muestra en la Figura 3.16.
Figura 3.14. Multiplexor de 16 entradas construido
con multiplexores de 4 entradas. Vcc
En la Figura 3.11 se muestra cmo los datos de entrada se O 000 O X X X X X X X'O I
presentan en la salida en funcin de los bits que se intro- O 000 l X X X X X X X 1 O
O 001 xoxxxxxxo 1 O Eo
duzcan por las entradas de seleccin.
J.2.6. Generacin de funciones

~u
O 001 XIXXXXXXI O 1 E,
O 010 xxoxxxxxo 1
1 E,
O 010 XXIXXXXXJ O
l~icas con multi~lexorns
C,J
E,
E A B
~
E,- a
L:,

EAB
1:38, E:!gs
J:,
E,
EAB
J:,
E,-
EAB
Multiplexor habilitado O Oll XXXOXXXX.O
O 011 XXXIXXXXI
O 100 xxxxoxxxo
O 100 XXXXIXXXI
O 101 xxxxxoxxo
1
O
l
O
1
Una aplicacin prctica que se puede hacer de los multi-
plexores consiste en la posibilidad de generar una determi-
nada funcin lgica perteneciente a un determinado circui-
1 E,
O E,
O Es
O E,
MUX
s

! 1 ; : ! 1 1 ! O lOl XXXXXIXXI O to combinacional, siempre y cuando esta se presente como

O O O 1 1 O
figura 3.11. Conmutacin de la seales de entrada
en un multiplexor.
J.t.4. Multi~lexor M~I ae ~ entradas
Con la referencia 74HC151 se fabrica un multiplexor de
ocho entradas de datos (E0 - E7 ) y tres lneas de entrada
de seleccin de datos (A, B y C). Para realizar la seleccin
de las ocho entradas de datos se necesitan tres bits (Figu-
ra 3.12). ' Actividad resuelta 3.1
A este circuito se le aade una entrada de inhibicin-habi-
litacin EN (Enable) que acta a modo de intenuptor de
encendido. Dado que su entrada es negada (Figura 3.12), el
multiplexor conectar los datos de entrada con la salida si
a este terminal le introducimos un O lgico, y los desco-
nectar si lo hacernos con !.
l l O l l O X X X X X X O X' O 1 suma de productos. De esta fonna podemos construir un 1
E1
O 110 XXXXXXIXI O
O 111 X X X X X X X O; O l circuito lgico de una manera ms sencilla y sin tener que
O 111 XXXXXXX!l O utilizar puertas, reduciendo considerablemente el nmero A B C
Multiplexor inhabilitado I XXXXXXXXXXXO 1 de circuitos integrados.
figura 3.16. Diagrama lgico del multiplexor
Figura 3.13. Tabla de la verdad As, por ejemplo, utilizando un multiplexor de 8 entradas, funcionando como circuito combinacional.
del multiplexor 74HCl51. como el 74HC151, se puede llevar a cabo cualquier fun-
cin lgica de 3 variables. Para hacerlo hay que conectar
las variables a las entradas de seleccin y conectar a cada
J.n. Aumento de la capacidad entrada de datos el nivel lgico (O o!) que resulte en
la tabla de la verdad para dicha funcin. Disea un circuito combinacional con un multiplexor
~e un multi~lexor de 8 entradas para la planta depuradora del aparta-
do 2.5.1. Recuerda que la funcin lgica obtenida para
Dado que el nmero de entradas de las que se dispone en
dicho circuito fue:
los multiplexores comerciales est limitado a 16 y 4 lneas Disea un circuito combinacional con un multiplexor
de seleccin de datos, para poder aumentar la capacidad de de 8 entradas para la alarma con tres sensores que dise- S = ABC + ABC + ABC + ABC
un multiplexor es posible interconectar varios entre s. As, arnos en el apartado 2.5 de la unidad anterior.
La solucin a esta ActMdad propuesta la puedes
por ejemplo, para aumentar la capacidad de un multiplexor La tabla de la verdad resultante para este circuito resul- encontrar dentro del MATERIAL WEB elaborado
de 4 entradas hasta 16, sera necesario interconectar 4 uni- ta ser la de la Figura 3.15 para este texto.
dades tal como se muestra en la Figura 3.14.
 En la Figura 3.22 se muestra su tabla de la verdad. Observa
J.J. Oemulti~lexores 14. Decoaificaaores que cuando la combinacin binaria de la entrada no se co-
rresponde a ninguna combinacin del cdigo BCD, todas
Un demultiplexor realiza la operacin contraria al multi- Los decodificadores son circuitos lgicos combinacionales las salidas se ponen a nivel bajo (O lgico).
plexor, posee una nica entrada de datos y varias salidas de que se construyen en un solo bloque con el fin de conse-
datos con n entradas de seleccin. El demultiplexor lleva guir transformar una informacin codificada en sistema Es muy comn encontrarse con decodificadores con salida
los datos de la entrada a una dete1minada salida segn la binario, corno por ejemplo el BCD, a otro tipo ele cdigo, activa baja, lo que indica que las salidas tornan el valor
Lnea de
configuracin en las entradas de seleccin. transmisin corno por ejemplo el ~ecimal. lgico O en vez de 1 en la funcin de decodificacin.
En la Figura 3.23 se muestra un decodificador de salida
La funcin que tiene un codificador es traducir el lenguaje activa baja, como el 74HC42 de cuatro entradas binarias y
S11 Seleccin binario en el que trabajan los sistemas digitales (las mqui-
Seleccin 1Osalidas, y en la Figura 3.24 su tabla de la verdad.
de datos de datos nas) al lenguaje que entienden las personas (nmeros deci-
S, Salida de
En~:!~de E
s2 datos Figurn 3.19. Sistema de transmisin de datos por una sola males, letras, etc.).
s, lnea entre ordenadores mediante un multiplexor
Existen dos tipos de decodificadores, excitadores y no ex- s;,
y demultiplexor. BCD/DEC Si
tA B
citadores, en funcin de que sus salidas puedan, o no, po-
ner en funcionamiento un indicador numrico, como por
ejemplo un display de 7 segmentos.
Eo
E,
s,
Si
S,
E1
E,
Seleccin de datos
En la Figura 3.21 se muestra el diagrama de bloques de un E, Ss E1
Figura 3.17. El demultiplexor permite seleccionar en
qu salida aparecern los datos presentes en la entrada.
DEMUX So decodificador decimal, utilizado para la conversin de un s; s,
Si cdigo BCD a decimal. Al aplicar a las entradas (E0 E3)
E.1 s, s;
S2 una combinacin del cdigo BCD natural, solo una de las
s;
Al demultiplexor se le puede comparar tambin con un s, s,
conmutador que es capaz de seleccionar dnde aparecern s, Salida de
salidas S0 a S9 toma el valor lgico 1. A cada una de
los datos de la entrada. En la Figura 3.18 se muestra el smil Entrada E S, datos estas salidas se le asigna el valor decimal correspondiente.
de datos (a) Smbolo lgico (b) Diagrama de conexin del CI
con conmutadores de seleccin de un multiplexor conectado S., Salida de

....
Entrada de datos
con un dem\1ltiplexor. Los datos de entrada del multiplexor s; datos binarios dccimul
Figura 3.23. Decodificador 74HC42 de cuatro entradas
pasan a una sola lnea de transmisin de salida por donde BCD binarias y 10 salidas con salida activa baja.
transcurren todos los datos. El demultiplexor retorna estos s, S, o
0000 s, 1
datos y los vuelve a canalizar por diferentes salidas. 0001 S1 2
A E C OO1 0 Er,
S1 3
Entrada de datos Salida de datos Seleccin
de datos
ini E, s,
s,
4
o oooo o 1
O I OI E, 5
Seleccin
de datos
Seleccin
de datos
figma 3.20. Demultiplexor de 8 salidas O 11 O S, 6 I O O O 1 1 o 1
y 3 lneas de seleccin. O 1 11 E, s, 7 2 O O 1 O 1 o 1 1 1
1000

...,
S, 8 3 O O l 1 1 O 1 1 1 1 1
1 00 l
S, 9
4 O 1 O O 1 1 O 1 1 1 1
Lnea de Figura 3.21. Decodificador BCD a decimal. 5 O l O 1 1 1 1 o 1 1 1
transmisin
6 O l 1 O 1 1 1 1 O1 1 1
El circuito integrado 74HCl38 es un demultiplexor de 7 O l l 1 1 1 1 1 () 1 1

Figurn 3.18. El demultiplexor funciona de forma

8 salidas y 3 lneas de seleccin, mientras que el
74HC!54 dispone de 16 salidas y 4 de seleccin. Se
trata de que consigas sus hojas de caractersticas, las
o oooo l o o 00 o
I O O O 1 o 1~0 o 00 o o oo
o o 8
9
1
1
1
O
O
O
O
O
I
O
1
O
1 1 1 o 1

inversa que el multiplexor. 2 O O 1 O O O 1 O ci O O O ~ O

estudies y con ellas realices su tabla de la verdad y un 3 OO I O O G 1 O O -O O O O
1 O 1 1
cuadro con sus diagramas de conexin y la disposi- 1 1 O O
La multiplexacin y demultiplexacin se puede utilizar pa- 4 O OO OOOO 1 OOO6 O 1 1 O 1
ra transmitir informacin a travs de una lnea de datos
cin de pines de sus CI. 5 O O 1 o o o o o ~o o o o 1 1 1 O
6 O O. O OOO OO 1 OO O 1 1 l 1
procedente de varias fuentes y que posteriormente se en- Estas hojas de caractersticas las podrs en-
van a diferentes destinos. Un ejemplo de esto podra ser la
7 O 1 o o o o o;o o 1 o o
contrar con facilidad en Internet en las si- 8 1 OO O O O O 0-0 O O O 1 -O Fig11rn 3.24. Tabla de la verdad del decodificador 74HC42
comunicacin entre diferentes ordenadores a travs del
puerto serie, tal como se muestra en la Figura 3.19.
guientes pginas Web: 9 1 OO I
1 O 1 O
o o o o o o o o de salida activa baja.
http://www.clatasheetlocator.corn/es/ 1 O 1 1
En la Figura 3.20 se muestra el esquema del demultiplexor
74HC138 de 8 salidas y 3 lneas de seleccin. Los datos de http://www.clatasheetcatalog.net/es/ 1
1
l
!
O
O
O
1
H.l. Generacin ae funciones
1 1 1 O
la nica entrada E saldrn por las salidas negadas (S0 - S7)
en funcin de la combinacin de bits aplicados a la entrada
''"'' En el MATERIAL WEB elaborado para este 1 1 l 1 l~icas con un aecoaificaaor
texto se i11c/11ye11 las h~jas de caractersticas de
de seleccin (A, B, C). Adems, este CI dispone de dos l- estos circuitos integrados. Figura 3.22. Tabla de la verdad de un codificador decimal Al igual que hacamos con los demultiplexores, un decodi-
neas de habilitacin o inhibicin negadas (EN1 y EN2). de cuatro entradas binarias y 10 salidas con salida activa alta. ficador tambin se puede utilizar para generar una determi-
nada funcin lgica. Para ello, una vez conocida la funcin
lgica a generar y su tabla de la verdad, se puede hacer fun-
cionar el circuito lgico conectando una puerta OR a las sa-
lidas de un decodificador que se con-espondan con aquellas
combinaciones de entrada que hacen l a la funcin, siem-
pre y cuando se trate de un decodificador con salida activa
datos necesarios para poder conectar un display numrico +
de 7 segmentos. De esta forma podremos visualizar en for- +
ma decimal los datos decodificados. a o o ooo oooooo
El display o indicador numrico de 7 segmentos se puede
fabricar a pattir de la combinacin de 7 diodos LED, tal
b
e b r-=b
a

c
a OOO1 1 OO 1 1 l

d
alta. Para un decodificador de salida activa baja, el procedi-
miento se!a el mismo pero conectando una pue1ta NAND.
como se muestra en la Figura 3.27.

J
e e/_~Jc
d
f
figma 3.32. Tabla de la verdad de un decodificador
BCD a 7 segmentos.
g d
a o--,~..!-~
Acfr11i,fad resuelta 3.2 Un ejemplo de este tipo de decodificadores es el 74LS47 (Fi-
b --..:.._- a
b figura 3.29. Display de 7 segmentos con diodos LEO gura 3.33). A este dispositivo se le aaden una serie de l-
Disea un circuito combinacional con un decodificador
e con nodo comn. neas de control con la siguiente funcin:
que cumpla con la tabla de la verdad de la Figu-
ra 3.25. d
e
f Entrada de comprobacin. Al activarse con nivel
f 0-1,~---l
g bajo (O lgico) se activan todas las salidas y se
000 o -S11 .,,","'''"'>,J::,., 1 iluminan los 7 segmentos del display.
,f-.-S1 g
ool 0-IJ.!>li-'--

O1 O (f_,-S1 Se utiliza con el fin de que no se visualice en el

O1 l <J--s., Fgura 3.27. Display de 7 segmentos con diodos LEO display el cero en ciertas circunstancias. Al
l 00 o - S, con ctodo comn. activarse con nivel bajo, se visualiza el cdigo de
1 Ol o - Ss entrada, siempre y cuando este sea diferente a
l 1o o -s, Alimentando simultneamente las combinaciones de dio- cero. Cuando el cdigo de entrada sea cero, se
desactivan todas las salidas, apagndose todos
l 11 J- S7
1 dos se pueden representar los diez dgitos del sistema deci- figura 3.30. Display de 7 segmentos LCD.
los segmentos a la vez.
mal, tal como se muestra en la Figura 3.28.
figura 3.25. Tabla de la verdad del circuito combinacional.
En la Figura 3.31 se muestra el smbolo lgico de un deco- ", Puede funcionar como entrada o como salida. En
dificador BCD a 7 segmentos con ctodo comn y otro con el funcionamiento como entrada, cuando se
Para realizar el circuito lgico que cumpla con esta ta- nodo comn. activa a nivel bajo se produce la desactivacin de
bla de la verdad necesitaremos un decodificador que todos los segmentos del display. Cuando
posea tantas entradas como variables. En nuestro caso funciona como salida, nos informa cuando el
BCD/7seg BCD/7seg cdigo de entrada es cero cuando el terminal est
tomaremos un decodificador de 3 entradas y 8 salidas,
de salida activa alta, al que conectaremos una puerta Eo Eo -; activado.
OR a todas aquellas saiidas que presenten un 1 lgi- E1 E1 e
d d
co, tal como se muestra en la Figura 3.26(a). En la Fi- E, E,
gura 3.26(b) se presenta la solucin con un decodifica-
dor de salida activa baja, al que se le ha conectado una E.1 /
g
f 'g
T
p
/Ice
Vcc

f
puerta NAND a las salidas que cumplen la funcin. u Eo
a
;
Figura 3.28. Generacin de nmeros decimales E, T, g
~
con el display de 7 segmentos. (a) Ctodo comn -o
(b) nodo comn
g E, e
;
figura 3.31. Smbolo lgico del decodificador BCD Ul E, b
A A Para la configuracin en ctodo comn se requiere de un a 7 segmentos. BIIRBO
e
B B decodificador que proporcione un nivel de salida alto (1 iiBI l
g
e e lgico) para la activacin de los diodos LED. Ahora bien,
en el caso de que el decodificador sea de nivel bajo de sali-
u Eo d

da (O lgico), para que los diodos se polaricen adecuada- GND

(a) (b)
figura 3.26, a) Solucin con decodificador
de salida activa a/la. b) Solucin con decodificador
de salida activa baja.
J.4.L. Decoficador Brn a 7se~mentos
Este tipo de decodificadores pertenece al grupo de los ex-
citadores, ya que es capaz de proporcionar a su salida los
mente, ser necesario utilizar un display en el que estn
conectados en nodo comn, tal como se muestra en la Fi-
gura 3.29.
Aunque el uso del display con diodos LED se sigue utili-
zando, en la actualidad es muy comn encontrarse con dis-
play que reemplazan los diodos por 7 segmentos de cristal
lquido (LCD). Los LCD poseen un consumo de potencia
mucho menor, pero en su contra tienen que no se pueden
ver en la oscuridad, ya que funcionan polarizando la luz
que incide en cada uno de los segmentos activados.
Completa la tabla de la verdad de la Figura 3.32
correspondiente a un decodificador a 7 segmentos de (a) Smbolo lgico (b) Diagrama de conexiones del CI
nodo comn. Para ello, observa la Figura 3.27" donde
Figma 3.33. Decodificador BCD a 7 segmentos 74LS47.
puedes comprobar qu diodos LED se tienen que ilu-
minar para fon-nar los distintos nmeros decimales
cuando aparezca un O lgico en las salidas a, b, e, d,
e, f y g del decodificador.
La solucin a esta Actividad propuesta la puedes Consulta las hojas de caractersticas del circuito inte-
eitco11trar dentro del MATERIAL WEB elabora- grado 74LS47, analiza sus caractersticas ms relevan-
do para este texto. tes, y realiza su tabla de la verdad.
 Estas hojas de caractersticas las podrs en-
contrar con facilidad en Internet en las si-
guientes pginas Web:
http://www.clatasheetlocator.com/es/
o http://vvv/\V.datasheetcatalog.net/es/
,,,,, En el MATERUL WEB elaborado para este
texto se incluyen lts hojas de l'aractersticas de
este circuito integrado.
J.5. ~oficaaores
J.a. l. ~oaificaaor con ~rioriaaa
aecimal a BCD
3.1 Comprobacin del funcionamiento de un decodifica-
Para que un codificador funcione correctamente sera ne- dor BCD a decimal. Para la realizacin de esta actividad
Vcc + 5 V
cesario asegurarse que solo una entrada est activa a la utilizaremos el decodificador integrado 74HCT42 (Figura
vez. Para evitar los problemas que se podran ocasionar en 3.37) y 1O diodos l,ED que conectaremos a las salidas.
el caso de que se presentasen varias entradas con un 1 En la Figura 3.38 se muestra el esquema del circuito para
lgico, se han desarrollado los codificadores con prioridad. su montaje en el entrenador didctico.
Er E, E1 Eo
Estos dispositivos producen una salida BCD con-espon-
74HC42 Vcc l'-16=----~
diente al dgito decimal de entrada de ms alto orden que - - - -8c..iGND
se encuentre activo. As, por ejemplo, si se encuentran ac-
tivas las entradas 4 y 7, el codificador proporcionar a la BCDIDEC
So
s,
Vcc
E11
S, S, S, S, Ss S, Si S1 S1 So

Los codificadores realizan la funcin contraria que los de-

salida el cdigo BCD Oll l, que se con-esponde con el d- El!
s, E,
codificadores, codifican en forma binaria la informacin s:; E,
numrica o alfanumrica que se le aplica a su entrada. gito de ms peso, que en este caso es el 7. E, s,
S; E.1
Un codificador es un circuito combinacional con una serie En la Figura 3.36 se muestra la tabla de la verdad de un f
de entradas por donde conectaremos la informacin num- codificador decimal a BCD con prioridad. EJ
Sr,
s, s.
rica a codificar. Cuando una de ellas adopta el estado lgi- s,
co l, en las lneas de salida se genera el cdigo de varios s.
bits que con-esponda con la informacin a codificar. En la
Figura 3.34 se muestra el diagrama de bloques de un codi-
ficador decimal a BCD.
0000000001
OOOOOOOO!XOOOI
(a) Smbolo lgico (b) Diagrama de conexin del CI Figura 3.39. Esquema del decodificador BCD a decimal
para montaje en placa protoboard.
0000000 XXOO!O Figura 3.37. Decodificador 74HC42 de cuatro entradas
Entrada de Salida binarias y 10 salidas con salida activa baja.
datos OOOOOO!XXXOO!l vas en funcin del nmero de diodo que se enciende.
datos binarios
decimal BCD 4 OOOOOIXXXX 0100
Con los datos obtenidos completa la tabla de la verdad
5 OOOOIXXXXX 0101 DO DI DO D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9
o Eo
0000 O O O I xxxxxx 0110 de la figura.
E,
0001 O O 1 X X X X X X X 0)1.1
2 E, 0010 3.2. Comprobacin de un multiplexor de 8 entradas. Para
So 8 O 1 xxxxxxxx 10.00
3 f s, OO l 1 9 1 xxxxxxxxx 1001 la realizacin de esta actividad utilizaremos el multiplexor
4 E, 0100
s, O1 O 1 /15Eo integrado 74HC151 (Figura 3.40).
E, Figura 3.36. Tabla de la verdad de un codificador decimal
O11 O ~
6 E, s, O1 1 1 a BCD con prioridad. /14E U
7 E, 1000 >~13 E1 ;'!: '= 6
EN

Vcc
8 E, l OO1 E11
9 E') /12Ei E,
E,
Figura 3.34. Codificador decimal a BCD. E1 E,

En la Figura 3.35 se muestra la tabla de la verdad de un Ei MUX s E,

codificador decimal a BCD. E, s E,

Figma 3.38. Esquema del decodificador BCD a decimal E., e

O 0000000001
11111
0000
para montaje en entrenador didctico.
E, B

l 0000000010 0001
En el caso de realizar el montaje sobre una placa proto- E,
OOOOO OO I OO O O 10 board necesitaremos adems cuatro conmutadores para
0000001000 0011 la entrada de datos y 1O resistencias de 330 Q para la A B e
4 0000010000 0100
conexin de los diodos LEO, tal como se muestra en el (a) Smbolo lgico b) Diagrama de conexiones del CI
5 0000100000 0101
6 0001000000 0!10 esquema de la Figura 3.39.
Figura 3.40. Multiplexor de 8 entradas 74HC151.
7 O O 1 O O O O O O O' O l. 1 1
Una vez montado el circuito consigue las diferentes
8 0100000000 1000
9 1000000000 1001 combinaciones del cdigo BCD abriendo y cerrando los En la Figura 3.41 se muestra el esquema del circuito pa-
conmutadores de entrada y comprueba las salidas acti- ra su montaje en el entrenador didctico.
Figura 3.35. Tabla de la verdad de un codificador decimal
a BCD.
 +5V +5V
+5V Una vez montado el circuito consigue las diferentes
combinaciones del cdigo BCD abriendo y cerrando los
5r;' 16 8
16 8 16
; l3
Vcc +5V
conmutadores de entrada y comprueba que el cdigo bi-
4 Vcc GND Vcc
~ Eo Vcc GND nario introducido se corresponde con el nmero decimal
b 12
-~ E, E, E,
e ll visualizado en el display.
~ E, E,

__ d 10
~,,,./ E, s DI E1 MUX s Di
e 9
MUX 15
15 E, s
14
E, s D2 14
E,
D2
l 15
>~ Es l3
g 14
13
>~ Eo 12 7 xJJO n
12
B e E e
JO ll figtm, 3.45. Esquema del decodificador BCD
)~ 10 11 a 7 segmentos.
x-/
x-/
Figura 3.43. Esquema para el diseo
Fig,ua 3-4,. Esquema del multiplexor para
su montaje en el entrenador didctico. de una alarma con el multiplexor 74HC151.

Una vez montado, comprueba cmo se traslada la infor-
macin presente en las entradas hacia la salida, en fun-
cin del nmero binario que activemos en las 3 lineas de
seleccin de datos. Con los datos obtenidos completa la
tabla de la verdad de la Figura 3.42.
3.1. Los sistemas combinacionales se caracterizan porque: 3.6. La funcin de un demultiplexor es:
3.5. Decodificador BCD a 7 segmentos. Para la realizacin
a) Sus salidas solo dependen del valor que adquieran a) Seleccionar a qu salida de datos deben transmitirse
de esta actividad utilizaremos el decodificador integrado
sus entradas. los datos de la entrada.
74LS47 (Figura 3.44).
b) Poseen realimentacin. b) Seleccionar qu entrada de datos debe transmitirse
a varias la salida.
e) Las salidas permanecen constantes.
Vcc
E1 /Ice e) Convertir un cdigo binario a decimal.

W fflftlall1
M
3.2. La funcin de un multiplexor es:
1 :
u
E, T 3.7. Cuntas lneas de seleccin de datos tendr un de-
o-x
O OOO XXXXX O 1
.
ro fo
~
E,
-: E,
(/

T, g a) Seleccionar qu salida de datos debe transmitirse a la

entrada.
multiplexor de 16 salidas?

"U'
e a
a) 2.
Figura 3.42. Tabla de la verdad. RBI b b) Seleccionar qu entrada de datos debe transmitirse a
-- e
8/!RBO ~ una nica salida. b) 4.
E,
3.3. Diseo de una alarma con un multiplexor. En la Activi- RBI Lg e) 8.
-
LT Eo d e) Convertir un cdigo binario a decimal.
dad resuelta 3.1 hemos diseado un circuito combinacio-
nal con un multiplexor de 8 entradas para poner en fun- GND
1
3.3. Cuntas entradas de seleccin sern necesarias en un 3.8. La funcin de un decodificador es:
cionamiento una alarma de tres entradas. Se trata de multiplexor de 16 entradas? a) Convertir un cdigo decimal a binario.
(a} Smbolo lgico (b) Diagrama de conexiones del CI
que compruebes de forma prctica el funcionamiento del
a) 2. b) Seleccionar qu entrada de datos debe transmitirse
circuito. Para ello puedes utilizar el multiplexor 74HC151. fig1.nra 3.44. Decodificador BCD a 7 segmentos 74LS47.
b) 3. a varias la salida.
Con la ayuda de la Figura 3.43 y el profesor, dibuja el e) Convertir un cdigo binario a decimal.
a) 4.
esquema de conexiones para llevar a cabo esta actividad Dado que este decodificador pone sus salidas activas a
en el entrenador didctico y, una vez comprobado su nivel bajo (O lgico), necesitaremos un display de sie- 3.4. Para qu sirve la entrada de inhibicin (Enable) en un 3.9. Disea un circuito combinacional con un decodificador
funcionamiento, escribe la tabla de la verdad. te segmentos con los diodos conectados en nodo co- multiplexor? que cumpla con la siguiente funcin lgica:
mn. Para la alimentacin correcta de los 7 diodos LEO
a) Invierte la multiplexin. S = A BC + ABC + ABC + ABC
3.4. Comprobacin del funcionamiento de un demultiple- de cada segmento, necesitaremos conectar a cada uno
xor. Consigue las hojas de caractersticas del multiple- de ellos una resistencia de 330 Q, por lo que necesitare- b) Lo convierte en demultiplexor. 3.10. Qu diodos LED se tendrn que activar en un display de
xor integrado 74HC138 (las puedes encontrar en el MA- mos un mdulo de 7 x 330 Q. En la Figura 3.45 se mues- 7 segmentos para poder visualizar el nmero 3?
e) Hace que funcione o no funcione el multiplexor.
TERIAL WEB) y con ayuda del profesor comprueba de tra el esquema del circuito para su montaje en el entrena-
a) a, b, c, d, g.
forma prctica el funcionamiento de este demultiplexor. dor didctico. 3.5, Disea un circuito combinacional con un multiplexor de 8
entradas que cumpla con la siguiente funcin lgica: ti) d, f, e, d, g.
-- - -
S = A BC + ABC + ABC e) a, b, c, d, e, f, g.
3.11. Para que se activen los diodos en un display de 7 seg- 3.14. La funcin del codificador es:
mentos con nodo comn es necesario aplicar un nivel a) Convertir un cdigo decimal a binario.
lgico a su entrada de:
b) Seleccionar qu entrada de datos debe transmitirse
a) 1. b) O. c) Indiferente. a varias la salida.
3.12. Para que se activen los diodos en un display de 7 seg- e) Convertir un cdigo binario a decimal.
mentos con ctodo comn es necesario conectarlo a un
decodificador que posea sus salidas activas para un ni- 3.15. En un codificador con prioridad:
vel lgico igual a: a) En el caso de que varias entradas se activen a la
a) 1. b) O. c) Indiferente. vez, solo atiende al dgito decimal ms bajo.
b) En el caso de que varias entradas se activen a la
3.13. La entrada de comprobacin de un decodificador BCD
vez, desactiva el codificador.
a 7 segmentos, que es capaz de activar a la vez los 7
segmentos del display, tiene el nombre de: e) En el caso de que varias entradas se activen a la
vez, solo atiende al dgito decimal ms alto.
a) RBI. b) LT. c) BI/RBO.

fi Activida~es ~e amp!ia~in
3.1. Anlisis de la hoja de caractersticas del CI 74LS147.
INPUTS OUTPUTS
El 74LS147 es un codificador con prioridad con entradas
a nivel bajo para los nmeros decimales del Oal 9, y sali-
, 2 3 4 5 6 7 8 9 D e B A

das BCD activas a nivel bajo. Consulta las hojas de ca- H H H H H H H H H H H H H

X X X X X X X X L L H H L
ractersticas de este circuito integrado, analiza el diagra- H H
X X X X X X X L H L H
ma de terminales del CI (Figura 3.46) y su tabla de la X X X X X X L H H H L L L
verdad (Figura 3.47). X X X X X L H H H H L L H
X X X X L H H H H H L H L
X X X L H H H H H H L H H
OUTPUT ~ OUTPUT
X X L H H H H H H H H L L
NC D A X L H H H H H H H H H L H
L H H H H H H H H H H H L
H = HIGH Logic Level, L = LOW logic Level, X = lrrelevant

Figura 3.47. Tabla de la verdad del codificador 74LS147.

es mediante la letra H (HIGH Logic Level, que se tra-

5 6 L,,!,
INPUT$ OUTPUTS
Figura 3.46. Conexiones del codificador 74LS147.
Lo primero que se observa es que existen 9 entradas (in-
puts) numeradas' del 1 al 9 y que se activan a nivel bajo
(con un O lgico). Adems existen cuatro salidas (out-
puts) A, B, C y D de lgica negativa y que proporcionan
un O lgico cuando se activan.
Como habrs podido comprobar, en las hojas de carac-
tersticas que facilitan los fabricantes de circuitos inte-
grados, la forma habitual de representar un 1 lgico
duce por nivel lgico alto). Para representar el 0 lgi-
co se utiliza la letra L (LOW Logic Level, que se tradu-
ce por nivel lgico bajo). La letra X se utiliza para
indicar que es igual que el estado de la variable sea 1
o O (alto H o bajo L ).
As, por ejemplo, para introducir por la entrada el nme-
ro decimal 8, habra que poner a nivel bajo (L), (O
lgico) la entrada 8, adems de poner a nivel alto (H),
(1 lgico) la entrada 9. El resto de las entradas es indi-
ferente si estn a nivel alto o bajo (X). En la salida obten-
dramos el cdigo digital 0111 (LHHH); como estamos
trabajando con lgica negativa, en realidad lo que he-
mos obtenido es el nmero binario con las cifras inverti-
das: 1000, que se corresponde con el 8 en BCD.
 rr,
El funcionamiento se podra resumir as:
4.1. Realimentacin Figura 4.2(a): inicialmente y sin pulsar E1, la salida per-
,-,,,Ei
+Ve~
rr,f,
[ ~ - - - - - - ~

manece inactiva y la lmpara apagada.

en un circuito ai~ital o Figura 4.3(b): al accionar el pulsador E 1, la salida se ac-
+Ve~-

Q,
,,J~
El principio de funcionamiento de un biestable se basa en tiva y la lmpara se enciende.
la realimentacin, que consiste en tomar parte de la infor- e Figura 4.3(c): al dejar de pulsar E1, la salida sigue activa
macin de la seal presente en la salida (Q,) e introducirla (Q,+ 1 = 1) gracias a la realimentacin (Q, = 1) que al Fig:Jra 1-.4. Diagr~ma de bloques para el apagado
en alguna de las entradas del circuito combinacional, de tal estar conectada a una de las entradas de la puerta OR y encendido de la lmpara con dos pulsadores. Figura 4. 7. Circuito simplificado.
forma que la nueva salida (Q,+ 1) que se produzca depende- consigue un l lgico en la salida y mantiene la lmpa-
r del estado anterior de la salida (Q,) (Figura 4.1). ra encendida. En la Figura 4.5 se ha realizado la tabla de la verdad que se
corresponde con el funcionamiento deseado para este cir-
o Figura 4.2(d): aunque volvamos a pulsar E1, la salida no
cuito.
Entradas - - - - " ' " Salida
cambia y la lmpara permanece encendida de forma in-
, - - - - Q1+! definida. s
Entradas Salida
Q, En la Figura 4.3 se muestra la tabla de la verdad de este
circuito en la misma secuencia que hemos explicado su
r&IBI LapagadaEstado de la salida
o o o . o
Realimentacin funcionamiento. Aclararemos que: Q, es el estado de la sa- 1 O O 1 Se pulsa EI y L se enciende
figma 4.1. Realimentacin en un circuito
lida en el momento de accionar el pulsador de entrada; y oo l Aunque no se pulse Ei, L sigue encendida
1 O l l Si se vuelve a pulsar E1, L sigue encendida Figura 4.8. Circuito con puertas NAND.
combinacional. Q, + 1 es el cambio que se produce en la salida una vez ac-
O I l O Se pulsa E, y L se apaga
cionado dicho pulsador, es decir un tiempo despus. 1 O I O Si se vuelve a pulsar f, L sigue apagada
l I O X
En la prctica resulta ms habitual encontrarnos este tipo
Estado prohibido
de circuito ordenado como en la Figura 4.9(a). Aqu se han
4.1.1. Realimentacin en Fig.
Entradas Salida
m1111 Eslado de la salida
1 1 1 X Estado prohibido
Q, = salida en el momento de accionar uno de los pulsadores
dispuesto dos posibilidades de salida, S y S que toman va-
lores opuestos. En la Figura 4.9(b) se muestra el circuito
un circuito esta~le (a)
(b)
O O
1 O
O
]
L apagada
Se pulsa E, y L se enciende
Q1H = salida un tiempo despus de accionar uno de los pulsadores
resuelto con puertas NOR.
Figura 4.5. Tabla de la verdad para un circuito
Para entender mejor estos conceptos vamos a poner un (e) O 1 l Aunque no se pulse E1, L sigue encendida
(d) 1 1 I Si se vuelve a pulsar E1, L sigue encendida con dos estados de salida.
ejemplo muy sencillo. En la Figura 4.2 se ha conectado un
pulsador E1 a una puerta GR de dos entradas y se ha toma- Q1 = salida en el momento de accionar el pulsador Ei Para implementar el circuito lgico que cumpla con esta
,.;e;;
E , ~ ....,
... .
s E , ~. . ,
.,.,: s
do la seal de salida y se ha conectado a la otra entrada de Q1, 1 = salida un tiempo despus de accionare! pulsador E1 tabla de la verdad, pasaremos primero a simplificar la fun-
la puerta lgica, estableciendo una red de realimentacin. cin obtenida mediante ei mapa de Karnaugh, tai como se
Hgura 4.3. Tabla de la verdad del circuito realimentado.
muestra en la Figura 4.6, obtenindose la siguiente funcin E, . ,: S E, .... ... S
,..,.., E, de salida.
El circuito que acabamos de estudiar podramos decir que
+Ve.....
~ 0 Q,.,
~L
posee memoria, ya que es capaz de recordar la accin del (a) (b)
(a) Q, o
pulsador, aun despus de haberlo dejado de pulsar. Tam- Figu.-a 4.9. Circuito interno de un biestable.
..J,.,
bin se podra afirmar que, es un circuito estable de un solo (a) Con puertas NAND. (b) Con puertas NOR.
estado y que una vez que la salida se pone a 1 (lmpara
+ Vcc encendida), ese 1 ya no se puede borrar (la lmpara no A los circuitos conseguidos en la Figura 4.9 se les conoce
o se puede apagar.
(b) por el nombre de biestables o flip-flop. El nombre se debe
a que tienen la posibilidad de alcanzar dos estados es-
tables.
rnE,
4.1.2. Realimentacin en
+Vc~~Q,.,. L
un circuito biestable
(e) 'Q,~1-1 Cmo podramos apagar la lmpara del circuito de la Fi-
gura 4.2, una vez de activado el pulsador E1?
figura 4.6. Mapa de Karnaugh para la simplifiacin
de la funcin.
4.2. Biestaale R-S
En la Figura 4.10 se muestra un biestable R-S asncrono
Para ello deberamos conseguir que el circuito tuviese dos construido como un solo bloque. Su circuito interno es el
+ Vcc En la Figura 4. 7 se muestra el circuito que implementa esta
o estados posibles (biestable), uno para encendido y otro "que ya hemos analizado en la Figura 4.9. Es un circuito
(d) para apagado. En la Figura 4.4 se muestra el circuito que funcin. que posee dos entradas R (reset - borrar) y S (set - grabar)
se propone para dar solucin a este planteamiento. La idea Si ahora aplicamos los teoremas de Morgan podramos y dos salidas, Q y Q, que toman valores opuestos. Estas sali-
es aadir un pulsador E2, de tal forma que al accionarlo realizar este mismo circuito con puertas NAND, el resulta- das son complementarias, de tal forma que cuando una est
Figura 4.2. Puerta OR realimentada. apague la lmpara. do es el que se muestra en la Figura 4.8. en alto(! lgico), la otra estar en bajo (O lgico).

Salidas
Figura 4. O. Biestable asncrono R-S.
Su funcionamiento es como sigue:
Al activarse la entrada R (reseteado), la salida Q pasa a
nivel bajo o puesta a O.
Al activarse la entrada S (grabado), la salida Q pasa a
nivel alto o puesta a l.
Nunca deben activarse las dos entradas a la vez, ya que
las dos salidas, Q y Q, tienden a tomar el mismo valor,
por lo que no se puede asegurar en qu estado queda la
salida.
4.L.l. Biestaale R-S sncrono
activaao por nivel
A los biestables sncronos se les aade una entrada ms
(Ck), conocida por el nombre de sincronismo o reloj (Figu-
ra 4.13). La seal de sincronismo consta de un treh de im-
pulsos que fija la frecuencia de funcionamiento del biesta-
ble, de tal forma que las seales de entrada solo pueden
provocar una variacin en el estado de la salida si hay pre-
sente seal de sincronismo, tal como se muestra en el cro-
nograma de la Figura 4.15.
JUUL
Seal de reloj
seal de sincronismo, lo mismo ocurre con la entrada R.
Mientras que la seal del reloj permanezca a nivel bajo, el
Estos biestables se construyen de tal forma que solo se ac-
tivan cuando se da la transicin de un flanco de subida o de
biestable no bascular, incluso aunque haya cambio de ni-
vel en las entradas.
uno de bajada. Solo es sensible a un tipo de flanco, bien de
subida o de bajada. En la Figura 4.18 se muestra el smbo-
lo utilizado para representar un biestable activado por flan-
Biestable sncrono: las seales de entrada solo pueden cos de reloj.
provocar una variacin en el estado de la salida si hay
presente seal de sincronismo del reloj.
Biestable asncrono: las seales de entrada pueden
provocar una variacin en el estado de la salida en todo
instante.
(a) Activado por flanco (b) Activado por flanco
Si analizamos la tabla de la verdad de la Figura 4.16, se- de subida de bajada
guimos observando un estado de inestabilidad en la salida
de este biestable, qne se produce cuando la seal de sincro- Figura 4.18. Smbolo de un biestable R-S activado
nismo del reloj y las dos entradas estn a nivel alto. Cuan- por flancos de reloj.
do se da esta coincidencia no se puede asegurar qu nivel

...
Figura 4.13. Smbolo del biestable R-S sncrono. adoptar la salida.
En la Figura 4.11 se muestra su tabla de la verdad, y en la
Figura 4.12 un cronograma con las seales de entrada y las En la Figura 4.14 se muestra el circuito interno con puertas Q1+1
4.3. Biestanle J-K asncrono
seales obtenidas en las salidas en funcin de las primeras lgicas de un biestable R-S sncrono, al que se le han aa- Entradas Salida
El biestable J-K es muy similar al R-S, con la importante
y en el transcurso del tiempo. dido dos puertas NAND para conectar la entrada Ck de sin-
modificacin de eliminar la condicin de salida no pe1mi-
cronismo. o XX Q, ----> No hay seal de sincronismo
tida que se da cuando ambas entradas se encuentran a nivel
l o o Q,
l ,~7,.
11111111
o o
s
l o l
l l o o
Funcin Set - grabado
Funcin Reset - borrado
alto.
o Q l l l X Estado indeterminado El biestable J-K se puede disear a partir de un biestable
o o --7 Funcin Set - grabado R-S. Para ello basta con conectar dos puertas AND a las
Q, = nivel de saiida anterior al pulso de reloj
1 o o 1 -~o. Funcin Reset - borrado Ck entradas, tal como se muestra en la Figura 4.19. Tal como
1 X X .,_, Estado indeterminado (prohibido) Figura 4.16. Tabla de la verdad de un biestable R-S estn conectadas, ser imposible que las dos salidas de es-
Q sncrono. tas puertas AND, que alimentan a las entradas S y R, se
Figura 4.11. Tabla de la verdad de un biestable R-S. 11 encuentren a nivel l, ya que estn conectadas a las sali-
das complementarias Q y Q. Cuando una est a nivel 1
figura 4.14. Estructura interna de un biestable R-S
sncrono.
11114.L.L. Biestaale R-S sncrono la otra lo estar en O.

activaao ~ar flancos ~e reloj

s 1
Una forma de evitar que los biestables sncronos presenten
1
funcionamientos inesperados sera la de acortar el tiempo Q Q
~-----/ o de los pulsos de sincronismo todo lo que sea posible. La
forma de hacerlo es poner la condicin de que el biestable Q Q
Q o solo tenga en cuenta los flancos de subida o de bajada
(transiciones) de la seal de sincronismo para producir la
activacin. En la Figura 4.17 se muestran los parmetros
tpicos de una seal de sincronismo. Figura 4.19. Biestable asncrono J-K a partir
de un R-S.
Set Reset , Set
Figura 4.12. Cronograma de seales de un biestable R-S. Flanco de Flanco d~ Ancho del
subida bajada pulso
Set Reset

Tal como hemos podido comprobar, el biestable R-S asn-

crono posee un estado indefinido cuando ambas entra-
Figura 4.15. Cronograma de un biestable R-S sncrono.
~
das estn a nivel alto. Para evitar esta situacin existen
otros biestables como los 1-K que estudiaremos ms ade-
lante.
En el cronograma de este biestable podemos observar
cmo la entrada S solo produce un cambio en la salida Q
cuando coincide con una seal activa de nivel alto en la Figura 4.17. Seal de sincronismo.
-LJ-
Figura 4.20. Smbolo del biestable asncrono J-K.
 4.11. Biestaale J.K sncrona
Si aadimos una entrada de reloj a un biestable J-K este
pasar a funcionar en modo sncrono. Su funcionamiento
ser el mismo que el biestable R-S sncrono, al que se le ha
eliminado la condicin de salida no permitida. En la Figura
4.21 se muestra su tabla de la verdad y su smbolo.
C/r _lJULJUULJlJL
ques funcionales: el maestro y el esclavo. El maestro es
bsicamente igual a un biestable J-K con entrada de reloj.
Por otro lado, el esclavo es bsicamente igual pero al que
se le ha invertido el pulso del reloj y sus entradas son con-
troladas por las salidas del maestro.
En la Figura 4.26 se muestra la tabla de la verdad de este
biestable. figura 4.28. Diagrama lgico de un biestable sncrono D.

-- n
Q- Q,1-1
"'
Entradas Salida

1 OX OX
1 O l
l l O
Q,
Q,
1
'k

Figura 4.23. Dibujar la seal de salida Q.

Solucin: Vese Figura 4.24.

Entradas Salida

rama
oo
o
l
l
o
Q,
o

Q, --'s,
No hay cambio
Funcin Reset - borrado
Funcin Set - grabado
il il k
Q

(a) Activado por flanco

de subida
k
Q

(b) Activado por flanco

de bajada
1 1 l Q,
Q, == nivel de salida anterior al pulso de reloj
Ck JLJU1JUULJUL l 1 Basculacin

Q1 = nivel de salida anterior a! pulso de reloj

Figura 4.29. Smbolo lgico de un biestable D
activado por flanco.

figura 4.21. Tabla de la verdad y smbolo de un biestable

n n : nl____,.
J __J;. L......_J ~
Q,+1 = nivel de salida despus del pulso de reloj

figura 4.26. Tabla de la verdad de un biestable J-K Su funcionamiento es muy simple, ya que el nivel de la
J-K sncrono.
maestro-esclavo. seal de salida Q es exactamente igual a la de la entrada de
K ~ datos D, siempre y cuando ocurra mientras exista un flanco
De la tabla de la verdad se deduce que el problema de la ' .. ,.1
'
,, '' ' ' El funcionamiento de este biestable es muy parecido al activo de la seal de reloj.
inestabilidad todava existe, ya que cuando se da la condi- J-K activado por flanco de reloj: en el nivel alto (o bajo) se
cin de que las entradas J y K estn a nivel 1, los estados (a) o
- , : , 1 / aceptan los valores de las entradas J y K y en el flanco de En la Figura 4.30 se muestra la tabla de la verdad que des-
internos S y R irn cambiando de l a O y de O a ! bajada (o de subida) se transfieren a la salida. Para el caso cribe el funcionamiento de este biestable.

Q_J

--
segn lo hagan las salidas. ,_,_ _ _ ___,~ t de que las dos entradas estn a nivel!, la salida bascula
(b) de forma consecutiva entre el O y el l. Entradas Salida
Este biestable tambin se puede construir para que solo sea
sensible a seales de reloj por flancos, bien de subida o de Hr--1. En la Figura 4.27 se muestran los smbolos utilizados para
bajada. En la Figura 4.22 se muestran sus smbolos. (e) Q __ :~ ~ / este biestable, que puede ser activado mediante flanco de
reloj de nivel alto o bajo.
1
o o
.,_, Funcin Set - memoriza un 1
Funcin Reset - memoriza un O
figura 4.24. Salida Q para un biestable activado por:

Il Il fi fi
(a) nivel, (b) flanco de subida, (c) flanco de bajada. Figurn 4.30. Tabla de la verdad del biestable D sncrono.

Q
. 'k
Q
'k .

Q Q
(a) Activado por flanco (b) Activado por flanco
4.3.2. Biesta~l0 J.K maestro-ssclavo Actividad resuella 4.2
de subida (a) Activado a nivel alto (b) Activado a nivel bajo A un biestable D sncrono se le aplica la seal de entra-
de bajada
Este biestable se disea de tal forma que se evite el proble- da de datos que se muestra en la Figura 4.3 l. Dibuja la
Figura 4.22. Smbolo de un biestable J-K activado ma de inestabilidad que se presenta en la salida cuando las Figura 4.27. Smbolos lgicos de un biestable J-K seal de salida Q si el biestable se encuentra inicial-
por flancos de reloj. dos entradas proporcionan un mismo nivel igual l. maestro-esclavo.
mente en reset para los siguientes casos de activacin:
En la Figura 4.25 se muestra el circuito interno de un bies- a) Por flanco de subida.

Actividad resuelta 4.1

table J-K maestro-esclavo. Este biestable consta de blo-
4.4. Biestaale D sncrono b) Por flanco de bajada.

A un biestable J-K sncrono se le aplican las seales de

entrada que se mufstran en la Figura 4.23. Dibuja la J activaao por flanco Ck JlJUUULJLJLJl
seal de salida Q si el biestable se encuentra inicial- Este biestable solo posee una entrada de datos D y una de
mente en reset para los siguientes casos de activacin: reloj, y se puede construir a partir de un R-S sncrono, tal
a) Por nivel. [( Q como se muestra en la Figura 4.28.
Se pueden construir para ser activados por flanco de subida
b) Por flanco de subida. MAESTRO ESCLAVO o por flanco de bajada de la seal de reloj. En la Figura Q-----

i e) Por flanco de bajada. Figura 4.25. Diagrama lgico de un biestable J-K 4.29 se muestran los smbolos lgicos utilizados para este figura 4.31. Dibujar la seal de salida Q.
maestro-esclavo. biestable.
 Solucin: Vese Figura 4.32.
41 Biestaales sncronos e) Dibuja su smbolo lgico y la disposicin de termi-
nales de este CI.
1 i 11
inte~raaos con seales J Q Solucin:
Ck ILl-lJU0LJWl_ ae rreset ~ ~lear a) Despus de leer el cuadro de texto de la Figura 4.39

D
__I:'Uf7
1

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1 1

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i 1 t Lo habitual es que los circuitos que conforman los biesta-
extrado de las hojas de caractersticas, se concluye
que este circuito integrado pertenece a la familia
'I 11 , ,, i 11 ble sncronos se integren en un solo chip o circuito integra- CMOS de alta velocidad.
' do. Con el fin de tener ms control sobre el biestable, estos
(a) o
- ,1 1 . 1 , --..1 circuitos suelen disponer de un par de entradas asncronas Figura 4.37. Biestablej-K con entrada de inicializacin
(Preset y Clear) que tienen como fin poner al biestable en (Preset) y de borrado (C/ear) activas a nivel bajo. DESCRIPTION
estado l o estado O, independientemente de las sea-
(b)
les del reloj (Figura 4.35): The 74AHC/AHCT74 are high-speed
Con la referencia 74HCI 12 se fabrica un doble biestable Si-gate CMOS devices and are pin
figura 4.32. Salida Q para un biestable D activado Preset: pone el biestable a l. J-K sncrono de tecnologa CMOS. Este circuito integrado
por: (a) flanco de subida, (b) flanco de bajada. compatible with low power Schottky
Clear: pone el biestable a O. contiene dos biestables iguales para ser activados por flan- TTL (LSTTL). They are specilied in
co de bajada:, al que se le han aadido dos entradas de ini- compliance with JEDEC standard
Preset cializacin (Preset) y de borrado (C/ear) activas a nivel No. 7A.
bajo. En la Figura 4.38 se muestra el smbolo lgico y la

4.a. Biestaale sncrono f

disposicin de terminales de este CI.
',.
~

Si unimos las dos entradas de datos de un biestable sncro-

Entradas
sincromis , Ck
,,,,.,.,...,.
> Entrad11s
asncronas
Figura 4.39.

_no J-K se forma un biestable tipo T (Figura 4.33). b) Segn se desprende del cuadro de texto de la Figura
11 4.40 extrado de las hojas de caractersticas, se pue-
lQ
T= l Clear 1Ck de afirmar que se trata de un circuito integrado que

-O
lQ contiene dos biestables tipo D sncrono, activados
Figura 4.35. Biestable sncrono con entradas 1K
por flancos de bajada, con terminales de Preset y
de Preset y Clear. ICLR
'k 2K Clear.
Q 2CLR
2J
Para entender mejor estos conceptos, en la Figura 4.36 se 2J
muestra el efecto de las seales Preset y C/ear, inde-
2Q The 74AHC/AHCT74 dual
Figura 4.33. Biestable T a partir de un J-K disparado pendientemente de cmo sean las seales sncronas de en- 2Ck positive-edge triggered, Dtype
por flanco de subida. trada. 2K
2Q flip-flops with individual data (D)
inputs, clock (CP) inputs, set (80 ) and
reset (Ro) inputs; also
La entrada T se fija a nivel alto l. Cada vez que recibe
un flanco activo a travs de la seal del reloj, la seal de
e,, JlJlJUlJlJLlJL 2PRE complementary Q and Q outputs.
(a) Simbolo lgico (b) Conexiones del CI
salida Q cambia de estado. El nombre de T proviene del The set and reset are asynchronous
trmino en ingls Toggling que significa cambiar de estado
o bascular. Una de las aplicaciones que tienen estos biesta-
Prest/_J7'----------~ 1 Figura 4.38. Doble biestable J-K 74HC112. active LOW inputs and operate
independently of the clock input.
lnformation on the data input is
Clear -~------n'-----1>-~
bles es la construccin de contadores asncronos.
t
Eu el IVIATERIAL WEB elaborado paro es/e te.,w se i11- transferred to the Q output on the
En la Figura 4.34 se explica el funcionamiento de un bies- cfuye11 las lu~jas de caractersticas de este circuito ;ilfe- LOW-to-HIGH transition of the clock
table T a travs de su cronograma. ~ 1 grado. pulse. The D inputs musl be stable
one set-up time prior to the
figura 4.36. Efecto de las seales Preset y Clear
1 '
LOW-to-HIGH clock transition for
Ck JlJlJULJlJLJlJL
1 i 1 1 1 i J !
en un biestable sncrono. Actividad resuelta 4.3
Busca en Internet las hojas de caractersticas del circui-
predictable operation.
En la Figura 4.37 se muestra el smbolo lgico de un bies-
QhJiJ7h_t table J-K sncrono con entradas de Preset y Clear. Observa
cmo estas entradas se activan a nivel bajo (con un O
to integrado 74AHC74 y contesta a las siguientes pre-
guntas:
Figura 4.40.

Figura 4.34 Cronograma de un biestable T activado lgico), por lo que para el funcionamiento del biestable de- a) A qu familia lgica pertenece?
e) En la Figura 4.41 se muestra un recorte de las hojas
por flanco de subida. ben mantenerse a nivel alto (con un l lgico). b) Qu tipo de circuito contiene? de caractersticas de este integrado.
 Tabla 4.1. Cuadro resumen de la clasificacin Inicio
de los biestables. Pu1:st11 n cero Actividad resmclta 4.4
PIN SYMBOL DESCRIPTION
Qu frecuencia resultara en la cuarta salida de un
1 and 13 1Ro and 2Ro asynchronous reset-direct input (active LOW) R-S .lJlilllJ1WH contador asncrono, si se le inyecta una seal de reloj
2 and 12 1D and 2D data inputs Reloj
3 and 11 1CP and 2CP dock input (LOW-loHIGH, edge-triggered) de 1.000 Hz?
4 and rn 150 and 280 asynchronous set-direct input (active LOW)
5 and 9 1Qand 20 true flip-f!op outputs J-K maestro esclavo ., .
So/11c1011. F,, 1,ct,,
= freloj = 1.000
2' = 6_,5
?
Q, 2,, Hz
6and 8 10 and 20 complement flip-ffop outputs
'
7
14
GND ground (O V)
DC supply voltage
IU11.J1 flJl_ J7
Vcc
figura 4A3. Contador asncrono ascendente de tres bits. Los contadores asncronos presentan el inconveniente de
ser lentos, ya que cada uno de los biestables bascula uno
o Asncronos: las seales de entrada
actun en todo instante. flanco de bajada, con sus seales de reloj conectadas en detrs de otro, por lo que se van acumulando un cierto
cascada. tiempo de propagacin de la seal.
1Q 5 Sncronos: las seales de entrada solo
pueden provocar una variacin en el Su funcionamiento es muy sencillo, cada vez que se produ-
74 estado de la salida si hay presente seal ce un flanco de bajada en la seal del reloj, se van activan-
de sincronismo del reloj. do de forma consecutiva uno tras otro los diferentes biesta- 4.7 .L. ~ontadorns sncronos
bles. Esto es consecuencia de que la salida del primer
biestable est conectada con la entrada de reloj del segun- En los contadores sncronos, la seal de reloj se aplica de
1Fi0f2Fi 0 forma simultnea a todos los biestables del contador, por
2Q do biestable, y as consecutivamente.
I
1 13 MNA418
Flanco de subida.
lo que los mismos basculan al mismo tiempo y eliminan el
Flanco de bajada. En la Figura 4.44 se muestra el cronograma de este con- problema del retraso de la propagacin de la seal.
tador y en el que se puede observar los 8 estados posi-
figura 4.41. bles, de 000 a 111 y su correspondencia en el sistema En la Figura 4.45 se muestra un contador sncrono de tres
decimal. bits compuesto por tres biestables J-K activados por flanco
de subida. El primer biestable, c01Tespondiente al bit de sa-
Una vez analizados los datos aportados en la Figu-
ra 4.41, dibujamos el smbolo lgico y la disposi- 4.1. ~ontadorns Ck
lida de menor peso, se conecta para que tenga de forma
permanente en su entrada 10 un l. Observa cmo la sali-
cin de terminales, tal como se muestra en la Figu- da del primer biestable Q0 se conecta directamente a la en-
ra 4.42 Una de las aplicaciones prcticas de los biestables es la
construccin de contadores. Un contador digital es un cir- trada 11 del segundo biestable, de esta forma solo se acti-
var el segundo biestable cuando la salida del primero est
iPRE
cuito secuencial constituido por biestables que es capaz de
contar los pulsos de una seal de reloj y expresar el resul- a i. De la misma fom1a, para que bascule el tercer bies-
table, tendrn que estar a 1, tanto la salida Q0 del pri-
tado en su salida en un determinado cdigo binario. Este o o
ID dispositivo digital tiene mltiples aplicaciones, como por mer biestable como la Q 1 del segundo. Esto es debido a
Q IQ fice
ejemplo la divisin de frecuencias, secuenciacin de ope- la interconexin de dichas salidas a travs de una puer-
ICk
Q
2CLR
2D
raciones, construccin de relojes digitales, etc. Q, o o o o h+1 ta AND.
De aqu se concluye que, para que bascule un biestable,
ICLR 2Ck Cuantas ms salidas tenga un contador, mayor ser la ca- o 2 4 6 7 O
2CLR pacidad que posea para contar pulsos. Adems se cons- debe ser condicin indispensable que los anteriores estn a
O 2PRE Seal de salida en decimal Comienzo de un
2D truyen contadores con diferentes cdigos binarios de sali- nuevo ciclo 1 y que el pulso de reloj sea descendente, consiguiendo
2Q
2Q as que el circuito realice las operaciones contar. El crono-
2Ck da, como por ejemplo el natural o el BCD, pudiendo
Q GND iQ realizar el cmputo en sentido ascendente o descendente. Figura 4.44. Cronograma de un contador asncrono grama resultante resulta ser el mismo que el del contador
2Q
ascendente de 3 bits. asncrono de la Figura 4.44.
Dependiendo de cmo se activen con la seal de reloj el
2PRE conjunto de biestables que constituye un contador, estos Observa cmo el periodo de la seal de la primera salida se
(a) Smbolo lgico (b) Conexiones del CI podrn ser asncronos (los biestables se activan en cascada, ve multiplicado por dos respecto al del reloj, la de la se-
uno detrs de otro) o asncronos (todos los biestables se gunda seal por cuatro y la de la tercera por och. De lo
Figura 4.42. Doble biestable D 74AHC74. activan a la vez). que se concluye que la frecuencia de cada una de las sea-
les de salida lo hace de forma inversa. Es decir, la frecuen-

Para terminar proponemos, a modo de resumen, una cla-

4.7.1. ~ontadorns asncronos cia de la primera seal de salida ser la mitad de la del
reloj, la de la segunda seal ser la cuarta parte y la de la Q,
sificacin de los biestables estudiados en esta unidad (Ta- En la Figura 4.43 se muestra un contador asncrono ascen- tercera la octava parte. De aqu que, los contadores puedan "
bla 4.1). dente compuesto de tres biestables tipo T, activados por utilizarse como divisores de frecuencia. Figura 4.45. Contador sncrono ascendente de tres bits.
 !PRE T=l

lJ nn
4.1. Biestable R-S asncrono con puertas NOR. Se trata
de que compruebes de forma prctica el circuito de un
que para el circuito anterior, no olvides que para que fun-
cione correctamente el circuito ser necesario que ali-
!Ck
JUUl .
lK
biestable asncrono construido con puertas NOR. mentescon +5 V a la patilla 14 y GND a la 7..
lCLR 1

Para el montaje prctico utilizaremos el entrenador di-

dctico, y ser necesario un circuito integrado 74HCT02 SET
2CLR
21 Ck JlJlJlJlJLJLJUl
l 1 1 1 l 1 1 1

~
nnnn.-l>t
1 1 1 1 1 ; 1
(4 puertas NOR de dos entradas), la utilizacin de dos 2Ck
conmutadores (Set y Reset) y de dos diodos LEO.
El esquema simplificado para el montaje en el entrena-
Q
2K
dor didctico es el que se propone en la Figura 4.46. No Figura 4.52. Divisor de frecuencia de reloj por 2.
2PRE
olvides que para que funcione correctamente el circuito RESET

~
(a) Smbolo lgico (b) Conexiones del CI
ser necesario que alimentes con +5 V a la patilla 14 y
GND a la 7. figura 4.50. Doble biestable J-K 74HC112.

SET
Figura 4.48. Esquema simplificado del biestable JUUl
sncrono R-S en el entrenador didctico.
>+-/_____,.
y./:3/ Biestable A Biestable B

....
Una vez montado el circuito completa la tabla de la ver- 4
dad del la Figura 4.49. ~ J
Q
1 1

RESET Entradas Salidas x---5Y Ck JUUULlJUUl

i ' 1 1 1 1 1 1
Q 1 l 1 1 1 1

~ 2 K
Q,DnnJl___l>t
ooo 15
~
74HC02
oo l 74HCll2 1 1

figura 4.46. Esquema simplificado del biestable

asncrono R-S en e/ entrenador didctico.
Una vez montado el circuito completa la tabla de la ver-
dad del la Figura 4.47.
11111111
o o
o l
o rador de funciones.
l una determinada frecuencia proveniente de un genera-
figura 4.47. Completa la tabla de la verdad.
4.2. Biestable R-S sncrono con puertas NANO. Se trata
de que compruebes de forma prctica el circuito de un
biestable sncrono construido con puertas NANO.
Para el montaje prctico utilizaremos el entrenador di
dctico, y ser necesario un circuito integrado 74HCTOO
(4 puertas NANO de dos entradas), la utilizacin de tres
conmutadores (Set, Reset y Ck) y de dos diodos LEO.
El esquema simplificado para el montaje en el entrenador
didctico es el que se propone en la Figura 4.48. Al igual
OI O
O 1 l
1 OO
1 O 1
1 1 O
1 1 1
Figura 4.49. Completa la tabla de la verdad.
4.3 Biestable integrado J-K. Se trata de que compruebes de
forma prctica el circuito de un biestable integrado J-K
Para el montaje prctico utilizaremos el entrenador didc-
tico, y ser necesario un circuito integrado 74HC112 (dos
4.4. Divisor de frecuencia. Si hacemos trabajar a un biesta-
biestables J-K activados por flanco de bajada) (Figura
4.50), la utilizacin de cinco conmutadores (J, K, Ck, Pre-
set y C/eatj y de dos diodos LEO.
El esquema simplificado para el montaje en el entrenador
didctico es el que se propone en la Figura 4.51. No olvi-
des que para que funcione correctamente el circuito ser
necesario que alimentes con + 5 V a la patilla 16 y GND a
la 8.
Una vez montado el circuito realiza su tabla de la verdad
y recuerda que este biestable est preparado para ser ac-
tivado por flanco de bajada y que las entradas de ini-
Figura 4.51. Esquema simplificado del biestable
sncrono R-S en el entrenador didctico.
cializacin (PreseQ y de borrado (C/eatj son activas a ni-
vel bajo. Para apreciar mejor el efecto de basculacin
(toggling) que se produce en la salida cuando las dos se-
ales de entrada J y K estn a 1 , sustituye el conmu-
tador Ck por una seal de reloj proveniente de un gene-
ble sncrono J-K en modo T, e introducimos por la entra-
da de reloj Ck una seal de sincronismo con un genera-
4.5. Contador de dcadas. Se trata de que compruebes el
dor de frecuencias, se obtiene a la salida una seal
cuadrada con la mitad de la frecuencia. Si utilizamos uno
de los biestables J-K del integrado 74HC112 activado
por flanco de bajada conseguiremos dividir la frecuencia
de la seal de entrada a la mitad (Figura 4.52).
Ahora bien, si conectamos la salida de uno de los biesta-
bles a la entrada de reloj de otro, la frecuencia se vuelve
a dividir por 2, obtenindose una divisin de frecuencia
de 4 veces (Figura 4.53).
: r:7 : M-i
1--~
Q s ~ - -- - f- - --- ~ - -- -- t
figura 4.53. Divisor de frecuencia de reloj por 4.
Con la ayuda de la Figura 4.50, donde se puede apreciar
la disposicin de las patillas del circuito integrado
74HC112, construye un circuito que divida la frecuencia
de reloj por 2 y otro que lo haga por 4. Para alimentar la
seal de entrada del reloj utiliza una seal cuadrada de
dor de funciones. Para la lectura de la frecuencia de la
seal de entrada y de salida utiliza el osciloscopio.
funcionamiento de un contador comercial y, en combina-
cin de un decodificador BCD a 7 segmentos, puedas vi-
sualizar el cmputo de este contador. Para ello vamos a
utilizar el circuito integrado 74LS90, que es un contador
de dcadas con salida BCD en binario, con cada entrada
de reloj se mueven las 4 salidas para contar en binario
de O(0000) hasta 9 (1001 ). En la Figura 4.54 se muestra
el diagrama de conexiones del CI, y una pequea des-
cripcin de las mismas.
 a un display de siete segmentos de nodo comn que
CKA Enuada A de reloj visualiza los dgitos segn se van contando.
Monta en el entrenador didctico el circuito de la Figura
Puesta a O
R0(2) 4.55 y mediante sucesivas pulsaciones del pulsador EcK
4.4. Qu biestable posee un estado prohibido de funciona- 4.9. Dibuja la seal de salida O que le corresponde a un
miento? biestable J-K sncrono activado por flanco descendente
segn el cronograma de la Figura 4.58.
a) R-S.

NC
comprueba cmo el contador las va contando y mostran-
b) T.

e) D.
Ck JULJUUlJlJlJl
Vcc GND
Salidas
del
contador
do en et display digital de siete segmentos.

Para poner a cero el contador basta con inyectar un 1"

lgico mediante el interruptor E0 . El otro interruptor E9
4.5. Qu biestable hace que el nivel de !a seal de salida Q
sea exactamente igual a la de la entrada de datos, siem-
J ___ n._____n____~.n~ t

R9(1) Q,
Puesta a 9 sirve para poner a 9 el contador. Una vez activados es- pre y cuando ocurra mientras exista un flanco activo de
R9(2)
1(~ /
Q, tos interruptores, debern volver a la posicin de reposo, la seal de reloj?
ya que en caso contrario el contador se bloquea con uno
a) J-K. -----/
figura 4.54. Diagrama de conexiones del contador de estos valores.
de dcadas con salida BCD 74LS90. b) T
Debido a los efectos de rebote que presentan en ocasio- figma 4.58.
nes los pulsadores, puede ocurrir que en el contador e) D.
Dado que las salidas de este integrado aparecen en c- 4.10. Dibuja la seal de salida Q que le corresponde a un
digo BCD binario, utilizaremos un decodificador BCD a cuente ms de un impulso con cada una de las pulsacio- biestable D activado por flanco ascendente segn el
~-.6. La entrada asncrona Preset pone la salida de un biesta-
siete segmentos como el 74LS47. Las entradas de este nes. Para evitar este fenmeno se puede conectar a la cronograma de la Figura 4.59.
ble sncrono en:
decodificador se conectan a las correspondientes sali- entrada de CKA una seal de baja frecuencia mediante
a) 1.
das del contador. Por ltimo, el decodificador se conecta la salida de un generador lgico.
b) o.
Ck JULJUUlJlJlJl
+5V e) Basculacin.
+5V

5 Vcc 16 Vcc +5V 4.7. Dibuja la seal de salida Q que le corresponde a un bies-
EcK Vcc 13
CKB 12 7 En table R-S asncrono segn el cronograma de la Figura

/ "'
a - -i,..

Eo
CKA
Q,
Q,
9 l E,
2 E,
t'-

",;
lfl
b
e
12
11
1(-,b 4.56.
Figura 4.59.
2 d 10
x-/ 11 "'"
t_Jc
RO(I) Qi 6 Ei
3 o 9 4."11. Relaciona los diferentes smbolos lgicos de biestables
E, R0(2) 4 BIIRBO e
./ 6 "'lfl 15 de la Figura 4.60 con su denominacin correspondiente .
~ /19(1) ,; 5 RBI l
7
R9(2)
;! d
UGND 14 a) R-S asncrono.
10 GND 8 S---....1
7 X330 Q b) J-K activado por nivel.
+5V
e) J-K activado por flanco de bajada.
Figura 4.55. Esquema del contador de dcadas para su monta.je en el entrenador didctico.
- el) J-K activado por flanco de subida.
figura 4.56. e) J-K maestro-esclavo activado a nivel alto.
f) D activado por flanco de subida.

o:
4.8. Dibuja la seal de salida Q que le corresponde a un
biestable J-K sncrono activado por nivel segn el cro-
nograma de la Figura 4.57.
4.1. Los sistemas secuenciales se caracterizan porque: a) Asncrono.

a) Sus salidas solo dependen del valor que adquieran b) Sncrono.

Ck
sus entradas. e) R-S. (l) (2) (3)
b) Poseen realimentacin y memoria.
4.3. Cuando las seales de entrada pueden provocar una va-
e) Las salidas permanecen constantes. riacin en el estado de la salida en todo instante, se trata
de un biestable.
4.2. Cuando las seales de entrada solo pueden provocar
una variacin en el estado de la salida si hay presen-
te seal de sincronismo del reloj, se trata de un bies-
table:
a) Asncrono.
b) Sncrono.
e) J-K.
Q_.

Figura 4.57.
--/ (4) (5)

figura 4.60.
4.12. En un contador asncrono: 4.13. En un contador sncrono:
a) Todos los biestables se activan a la vez con la seal a) Todos los biestables se activan a la vez con la seal
de reloj. de reloj.

b) Los biestables se activan en cascada con la seal b) Los biestables se activan en cascada con la seal
de reloj. de reloj.

e) Poseen un reloj interno para la activacin de los e) Poseen un reloj interno para la activacion de los
biestables.
biestables.
4.14. Qu frecuencia resultara en la tercera salida de un
contador sncrono, si se le inyecta una seal de reloj de
800 Hz?

al Normas ~enernles ~ara la
toma ae meninas elctricas
Antes de realizar la medida de una magnitud elctrica ha-
br que tener en cuenta una serie de aspectos previos que
nos garanticen el mejor resultado. Seguidamente, expone-
mos algunas de estas consideraciones:
e Como no todos los aparatos de medida funcionan igual
en C.A. que en C.C. habr que seleccionar el tipo de co-
rriente adecuado en cada caso.
El campo de medida de un aparato de medida nos indica
los valores entre los cuales mide el aparato con exacti-
tud. Antes de realizar una medida habr que prever con
aproximacin el orden de magnitud de la medida y con
ello seleccionar el aparato ms adecuado. Por ejemplo,
supongamos que deseamos medir la tensin de una pila.
Para ello, seleccionaremos un voltmetro de C.C. con un
campo de medida de 0-5 V. Si utilizsemos un voltme-
tro con un campo de medida de 0-300 V, probablemente
no hubiramos apreciado la medida en la escala.
Utilizaremos el aparato de medida de la clase adecuada
segn el orden de precisin que requiera la medida. Hay
que tener en cuenta que cuanto ms preciso sea el apara-
to ms elevada resultar su adquisicin. As, por ejem-
plo, no merecer en ningn caso utilizar un aparato de
clase 0,1 para medir la_tensin en una lnea de suminis-
tro elctrico.
Hay que procurar evitar las prisas y anotar los valores ob-
tenidos de la medida de forma ordenada en el formulario
previamente preparado.
 Conviene controlar peridicamente los instrumentos de
medida, comprobando si mantienen su nivel de precisin.
Si el aparato es de aguja, conviene observar la posicin
en la que debe estar el instrnmento en el momento de
tomar la medida, ya que si no el peso de la aguja podtia
influir en el resultado. La posicin adecuada aparece ins-
crita en la pantalla del instrumento con un smbolo.
n.2. Instrumentos ae meaiaa
anal~icos ~ ai~itales
Los instrumentos de medida analgicos son aquellos que
presentan la medida mediante una aguja mvil que se des-
plaza por una escala graduada (Figura 5.la). En los instru-
mentos de medida digitales el resultado de la medida se
puede leer corno una cifra numrica (dgitos) en una panta-
lla (Figura 5.lb ).
a) b)
Figura 5.1. Instrumento de medida: a) analgico,
b) digital.
Los instrumentos de medida analgicos son los que ms se
han venido utilizando hasta ahora, aunque el abaratamien-
to de los circuitos integrados est haciendo que estos que-
den cada vez ms relegados por los digitales.
5.J. [I ~olmetrn
El polrnetro o rnultmetro es un aparato de medida porttil
que se utiliza para medir diferentes magnitudes elctricas,
como, por ejemplo, tensin y corrientes en C.C. y C.A.,
resistencia, capacidad, prueba de continuidad, prueba de
diodos y transistores. La misma palabra indica su funcin:
polmetro, muchas medidas.
A primera vista da la impresin de que debe existir mucha
diferencia entre manejar un modelo de polrnetro u otro.
Pero no es as, ya que en el momento que se adquiere una
cierta prctica en el manejo de uno de los modelos, prcti-
camente ya se saben manejar todos.
Los polrnetros digitales presentan una lectura en forma de
cifras numricas que facilita bastante la interpretacin de
la medida. En los polmetros analgicos o de aguja hay que
elegir la escala adecuada y tener cuidado en no equivocar-
se con la constante de escala a aplicar.
En la Figura 5.2 se muestra la disposicin de un polmetro
genrico de laboratorio, cuyas paites son las siguientes:
l. Conmutador tipo de corriente: selecciona corriente
continua o alterna.
2. Selector de magnitud a medir: selecciona tensin,
intensidad, resistencia, capacidad, etc.).
3. Continuidad: selecciona continuidad de circuitos y
verificacin del estado de diodos, as como de su pola-
rizacin.
4. Seleccin de escala: selecciona el campo de medida
que podemos medir con el polmetro.
5. Interruptor de encendido.
6. Conexin de las puntas de prueba, entrada: termi-
nal negro al negativo y el rojo al positivo.
7. Conexin para medida de capacidades en conden-
sadores.
8. Pantalla.
funcin del orden de magnitud de la seal a medir (tensin
Figura 5.2. Po/metro genrico de laboratorio.
el nombre iV!amwl del usuario del pol111etro digi-
tal (Fluke). Una vez ledo dicho documento indi-
ca qu medidas se pueden realizar con este polme-
tro, as corno los rangos de medida del mismo.
~.4. fl oscilosco~io
El osciloscopio es un aparato de medida que nos va a ser
indispensable para el anlisis y comprobacin de los valo-
res que se dan en una tensin vmiable. Su aplicacin en el
campo de la electrnica se hace indispensable. Un oscilos-
copio lo que hace es mostrar en su pantalla la forma que
posee una determinada tensin o corriente elctrica. Es
decir, representa en un eje de coordenadas las variaciones
de estas magnitudes en funcin del tiempo.
As, por ejemplo, la imagen que aparecera en la pantalla
del mismo al aplicarle una tensin alterna senoidal sera la
mostrada en la Figura 5.3.
El circuito de base de tiempos de un osciloscopio es el que
leccionar las diferentes escalas de tiempos con las que nos
figura 5.3. Imagen de una tensin senoida/
en un osciloscopio.
El osciloscopio se vale de un tubo de rayos catdicos, so-
bre el cual incide un haz electrnico proyectado por el c-
todo, para reproducir la imagen visual, tal corno se muestra
en la Figura 5.4.
Mediante la seccin de disparo y la seccin horizontal se
consigue generar una seal que es capaz de mover el haz
de electrones, proyectado por el ctodo, de izquierda a de-
recha a una determinada frecuencia, produciendo en la ca-
pa fluorescente de la pantalla del tubo una lnea horizontal.
Mediante la base de tiempos se puede ajustar la frecuencia
de barrido del haz electrnico.
La sonda del osciloscopio toma la seal a medir, que se
prepara en la seccin vertical, para atacar las placas de de-
flexin vertical. Esto hace que el haz de electrones tienda a
desviarse de arriba abajo en el tubo de rayos catdicos en
en voltios). Mediante el amplificador vertical se consigue
atenuar ms o menos la seal a medir. Si la tensin a medir
es positiva, el trazo presentado en la pantalla aparece por
encima de la lnea de referencia GND, y si es negativa, por
debajo de dicha lnea.
La combinacin del trazo vertical y el horizontal producen
en la pantalla la representacin grfica de la seal a medir.
Ctodo
---
i Atenuador,, r~
Circuito a
medir
BASE DE TIEMPOS
figura 5.4. Funcionamiento bsico de un osciloscopio
analgico.
5.4.1. Base de tiem~os ~ am~lificaaor
~orizon!al
hace posible que la tensin que nosotros querernos repre-
sentar aparezca en funcin del tiempo transcurrido. Me-
diante el circuito del amplificador horizontal podemos se-
interese trabajar en cada momento sobre el eje X, para lo
que hacemos girar el selector de ajuste de la base de tiem-
pos (Timebase ). Para hacernos una idea del campo de
medida de este circuito, se muestran, a continuacin, los
grados de desviacin de un osciloscopio comercial: desde
1 a 500 ms/divisin, desde 1 a 500 s/div y desde 100 a
500 ns/div (Figura 5.5).
Figura 5.5. Selector de ajuste de la base de tiempos.
1111 ~.4.2. Am~lificaaor vertical
Este circuito se encarga de que aparezcan representados
los valores de tensin en el eje Y de la pantalla del oscilos-
- copio. Mediante este circuito tambin podemos seleccio-
nar diferentes escalas de tensin como, por ejemplo, 1 a
10 V/iv y de 2 a 500 mV/div (Figura 5.6).
Figura 5.6. Seleccin del atenuador de entrada vertical.
Presentamos a continuacin (Figura 5.7) lo que podra ser
un osciloscopio genrico, con sus controles ms caracters-
ticos, de forma que nos permita familiarizarnos con estos:
l. Desplazamiento vertical de canal 1: permite des-
plazar la seal del canal 1 en sentido vertical.
2. Atenuador vertical (CH!): permite atenuar la seal
de entrada del canal 1 y seleccionar la constante de
medida en voltios/divisin.
3. Selector AC-GND-DC de canal 1: con este conmu-
tador podemos seleccionar el tipo de seal de entra-
da para el canal 1: AC para corriente alterna, CC para
corriente continua y GND para seal de entrada des-
conectada (entrada conectada a masa; aqu podemos
situar la seal de referencia con el mando de despla-
zamiento vertical (1) donde deseemos).
'V
Figura 5.7. Osciloscopio genrico de laboratorio.
4. Atenuador vertical (CH2): permite atenuar la seal
de entrada del canal 2 y seleccionar la constante de
medida en voltios/divisin.
5. Selector AC-GND-DC de canal 2: con este conmu-
tador podemos seleccionar el tipo de seal de entrada
para el canal 2 AC para corriente alterna, CC para
corriente continua y GND para seal de entrada des-
conectada (entrada conectada a masa; aqu podemos
situar la seal de referencia con el mando de despla-
zamiento vertical (7) donde deseemos).
6. Entrada vertical (CHl): entrada para seal del ca-
nal l.
7. Desplazamiento vertical de canal 2: permite des-
plazar la seal de! canal 2 en sentido vertical.
8. Inversor de la seal: con este conmutador inverti-
mos la seal del canal 1 o 2 en los modos de funcio-
namiento CH! o CH2 (9). Si pulsamos CH! y CH2
simultneamente, obtenemos la diferencia de las dos
seales.
9. Modos de funcionamiento: permite seleccionar la
seal a visualizar en pantalla. CH! para el canal 1;
CH2 para el canal 2; CH! y CH2 simultneamente
para sumar ambas seales; ALT para visualizar las
dos seales a la vez; CHOP para conseguir que el ba-
rrido se realice ms despacio.
10. Selector de la fuente de barrido: permite seleccio-
nar la fuente de disparo: v.mode (propia); chl (seal
del canal !); ch2 (seal del canal 2); line (seal exte-
rior de la red); ext (seal exterior).
11. Nivel (comienzo del trazo): mediante este control se
puede seleccionar el punto de la seal donde comien-
ce el trazo.
12. Modos de disparo: permite seleccionar el modo de
disparo: Auto (los impulsos de barrido se producen
internamente); Norm (mientras no conectemos una
seal a la entrada no aparecer ninguna imagen en la
pantalla); x/y (el canal I produce la deflexin verti-
cal, y el canal 2 la deflexin horizontal).
13. Desplazamiento horizontal: con este control pode- remos los mandos del atenuador vertical (volts/div) y de la
mos variar la posicin horizontal del trazo. base de tiempos (TIMEBASE) hasta conseguir encajar en
14. Entrada vertical (CH2): entrada para seal del ca- la pantalla un ciclo completo de la seal (al manejar estos
nal 2. dos mandos se debe observar que el mando de ajuste fino
se encuentra en posicin desconectada CAL).
15. Base de tiempos: selecciona la constante del eje de
tiempos. Para la medida de corrientes continuas colocaremos el se-
lector de entrada en DC.
16. Brillo: da ms o menos brillo al trazo de la seal en
pantalla.
17. Foco: enfocamos el trazo de la seal en pantalla. Actividad resuella 5.1
18. Interruptor de encendido. Al realizar una medida de una tensin alterna con un
En la actualidad, se estn imponiendo los osciloscopios di- osciloscopio aparece en la pantalla la imagen que se
gitales debido a las ventajas que presentan frente a los ana- muestra en la Figura 5.8. Si los grados de desviacin
lgicos. En estos tendremos ms opciones a la hora de ana- seleccionados fuesen: atenuador vertical (2 V/div),
lizar una seal, que normalmente aparecern mediante base de tiempos (5 ms/div), averigua el valor mximo
mens en pantalla. y eficaz de la tensin, as como el periodo y la fre-
cuencia.
el nombre Ejemplo de Ma1111a/ del us11ario de 1111
osciloscopio analgico (Hameg). Una vez ledo
dicho documento indica qu medidas se pueden
r
4 div
,,,__,,___,>-+-+--'l-+-l+--
<tt--+-+->-+---+---<-+H- VOLTS/DIV
realizar con este osciloscopio. as corno los rangos 2 V/div
de medida del mismo. L ...a,....+-+-11-1-+
TIMEBASE
5 ms/div
5. 4J Manejo ~el osciloscopio
Como medida de precaucin general, antes de conectar un Figura 5.8.
osciloscopio a la red elctrica hay que asegurarse de que
este est debidamente conectado a tierra. Adems ajustare- Solucin:
mos el brillo en un punto intermedio para evitar daar la
pantalla con una intensidad del haz electrnico demasiado Vmx = 4 div 2 V/div = 8V
elevada.
T = 6 div 5 ms/div = 30 ms = 0,03 s
Una vez que se ha puesto en marcha el osciloscopio con el
interruptor de encendido, seleccionaremos el conmutador vmx 8
de entrada de seal vertical en la posicin GND y, con los V,ficaz = ji. = ji. = 5,66 V
controles de posicin (POSITION), desplazaremos el trazo
hasta el centro de la pantalla. Seguidamente se ajustan la 1 1
intensidad y el foco del trazo en pantalla. f= T= 0,03 = 33,33 Hz
Tanto para medida de seales de C.A. como de C.C. lo pri-
mero que haremos ser introducir la sonda en el conector
correspondiente (INPUT). Si deseamos medir tensions de Actividad resuelta 5.2
entrada elevada, tendremos que utilizar sondas especiales
atenuadoras con el fin de rebajar estas tensiones hasta un Al realizar una medida con un osciloscopio de una ten-
nivel aceptable para la entrada del osciloscopio. sin continua aparece en la pantalla la imagen que se
muestra en la Figura 5.9. Si los grados de desviacin
Para la medida de corrientes alternas colocaremos el selec- seleccionados fuesen: atenuador vertical (10 V/div),
tor de entrada en AC. Adems nos aseguraremos que la base de tiempos (0,1 ms/div), averigua el valor medio
fuente de barrido (SOURCE) del circuito de disparo de la tensin continua.
(TRIGGER) seleccionada es correcta. Seguidamente situa-

. los laboratorios, ya que se pueden usar en cualquier tipo de
3 div 1
1 VOLTS/DIV
IOV/div
t
TIMEBASE
0,1 ms/div
Figura 5.9.
Solucin: Vcc = 3 div 10 V/div = 30 V
el nombre Manejo del osciloscopio (Tektroni.r) >>.
Leer este manual te ayudar a ampliar los conoci-
mientos de cmo funciona un osciloscopio y enten-
der los controles bsicos.
1111 a.4.4. fl osciloscopio digital
Los osciloscopios analgicns estn siendo sustituidos poco
a poco por los osciloscopios digitales, como consecuencia
de las mejores prestaciones de estos ltimos.
Los osciloscopios analgicos presentan alguna limitacin
en su funcionamiento, como por ejemplo:
Las seales a medir deben ser peridicas (la seal tiene
que variar siempre de la misma forma).
Una seal de alta frecuencia tiende a reducir el brillo de
la pantalla, ya que las rpidas variaciones de la seal re-
ducen el tiempo de refresco de la pantalla.
Una seal de baja frecuencia no consigue formar un tra-
zo en la pantalla, observndose solo un punto en movi-
miento.
Si se producen fenmenos transitorios (alteraciones
bruscas de la seal en un tiempo muy corto), estos no
aparecen en la sell de la pantalla a no ser que sean re-
petitivos.
El osciloscopio digital toma la seal analgica presente en
la sonda y muestrea la tensin a medir, convirtindola en
una seal digital mediante un conversor analgico-digital
(ADC). De esta forma el osciloscopio trabaja internamente
con seales digitales que luego deber reconstruir para po-
der ser presentada en su pantalla (Figura 5.10).
Figura 5.10. Osciloscopio digital comercial de cuatro
canales (CDS).
El procedimiento de medida de los osciloscopios digitales
es bsicamente igual a los analgicos, pero con mayo-
res posibilidades y facilidad para la medida, como por
ejemplo:
Visualizar transitorios de corta duracin.
Memorizar las seales para su poste1ior anlisis en la
pantalla del osciloscopio.
Transferencia de los datos memorizados a un ordenador.
Visualizacin de varias seales a la vez.
Medida automtica de diferentes parmetros de la seal:
valores mximo y mnimo, verdadero valor eficaz, fre-
cuencia, etc.
Busca en el MATERIAL WEB el documento con
el nombre Ejemplo de Mcmual del usuario de un
osciloscopio digital (Tektronix)". Una vez ledo di-
cho documento indica qu medidas se pueden rea-
lizar con este osciloscopio, as como los rangos de
medida del mismo.
5.5. Generador ~e funciones
Se puede decir que un generador de funciones o de seales
es un dispositivo elaborado para producir seales elctricas
de unas determinadas caractersticas, las cuales podremos
aplicar a un circuito en el que se desee analizar los efectos
causados por las mismas.
Los generadores de seales se pueden utilizar como excita-
dores de un determinado circuito electrnico, con el fin de
imitar una determinada condicin de entrada que suela dar-
se habitualmente en el mismo y as poder realizar un anli-
sis total de la respuesta de dicho circuito.
Los generadores de seales son instrumentos muy tiles en
prueba y medida, como por ejemplo:
Anlisis de circuitos electrnicos.
Verificacin de amplificadores (respuesta de frecuencia,
distorsin, etc.).
Ajus,e de etapas de amplificadores, as como receptores
y emisoras de radiofrecuencia.
Fundamentalmente, los generadores de seales se elaboran
a partir de un circuito oscilador que tiene la propiedad de
producir una determinada forma de onda, cuya frecuencia
se regula mediante un mando situado en el panel de control
del mismo. Los generadores de seales tambin incorporan
un dispositivo de medicin de la frecuencia, de tal forma
que al manipular el mando de seleccin, podamos saber la
frecuencia de la seal obtenida en la salida.
Los tipos de onda que puede proporcionar un generador de
seales pueden ser variados: senoidal, triangular, cuadrada,
impulsos. Entre todas ellas, la que cuenta con ms aplica-
ciones es indudablemente, la senoida/, sobre todo en equi-
pos de audio.
En la Figura 5.11 se muestra el aspecto de un generador de
seales genrico con sus partes ms significativas.
-~
0 La sonda lgica es un instrumento que nos permite detectar
POWER
mili> 600 O /fllio\
OUTPUT 1\;."ii1 OUTPUT ,'f!!,
1
Figura 5.11. Generador de sea/es de laboratorio.
l. Interruptor de encendido.
2. Selector de banda de frecuencia: permite seleccionar
el poder multiplicador del selector de frecuencias.
3. Selector de la forma de onda: podemos seleccionar el
tipo de onda a generar: cuadrada, senoidal o triangular.
4. Selector de frecuencias: seleccionamos la frecuencia
de la seal generada teniendo en cuenta el margen de
frecuencias seleccionado en el selector de banda de
frecuencias (la frecuencia generada ser el producto
de la frecuencia seleccionada por el poder multiplicador
seleccionado en el selector de banda de frecuencia).
5. Control de la amplitud: aumentamos o disminuimos
la tensin de salida de la seal generada.
6. Terminal para seales TTL: aqu aparece una seal
de salida en forma de impulsos TTL.
7. Terminal de salida: aqu aparece la seal de salida
generada.
El funcionamiento del generador de funciones es muy sim-
ple: primero se selecciona la forma de onda y la banda de
frecuencias. Seguidamente se ajusta la frecuencia de salida
que deseemos aplicar a la seal de salida y por ltimo la
amplitud.
.6. Instrumentacin ~i~ital
Para el anlisis y reparacin de circuitos digitales, aparte
del polmetro, el osciloscopio y el generador de funciones
se utiliza una instrumentacin especfica, nos referimos a:
La sonda lgica.
El inyector lgico.
El analizador lgico.
fllH.6.1. la son~a l~ica
el nivel lgico en cualquier punto de un circuito digital. Es
muy til para la verificacin del funcionamiento correcto
de un circuito y para la localizacin de averas, ya quepo-
demos medir, si el nivel en un punto concreto de un circui-
to posee nivel alto o bajo de tensin, y si la seal se da a
impulsos repetitivos. En la Figura 5.12 se muestra el as-
pecto de una sonda lgica comercial.
i
/ / LED nivel bajo
/-
1
Selector TTL - CMOS
Punta de prueba
figura 5.12. Sonda lgica para detectar el nivel lgico
de un circuito digital.
Para medir el estado lgico de una parte de un circuito bas-
ta con poner en contacto la punta conductora de la sonda.
El nivel lgico se obtiene mediante unos LEO de diferente
color y un avisador acstico con un tono especial para cada
caso. As, por ejemplo, lo ms comn es encontrarse con:
LED rojo = nivel alto.
LED verde = nivel bajo.
LED amarillo = impulsos repetitivos.
Las sondas lgicas pueden ser utilizadas tanto para el diag-
nstico de circuitos digitales con tecnologa TTL o con
tecnologa CMOS, para lo cual habr que situar el selector
correspondiente en funcin del circuito a analizar.
11111 ~.6.1. fl inyector opulsaaor l~ico
El inyector lgico es un instrumento que sirve para generar
una seal cuadrada y ser aplicada a cualquier punto de un
circuito digital. El inyector lgico se puede utilizar en
combinacin con la sonda lgica; con el primero inyecta-
mos los impulsos y con el segundo comprobamos el efecto
producido en el circuito digital (Figura 5.13).
Figura 5.13. Utilizacin combinada de inyector y sonda
lgica para e/ diagnstico de un circuito digital.
1111 ~JJ. fl analizaaor l~ico
El analizador lgico permite visualizar a la vez en una pan-
talla varias seales digitales con el fin de poder analizarlas
y realizar as un diagnstico preciso del funcionamiento de
un circuito digital. Este dispositivo posee la capacidad de
almacenar una secuencia de estados lgicos a partir de un
momento determinado para su posterior anlisis (Figu-
ra 5.14).
Figura 5.14. Analizador lgico.
A diferencia del osciloscopio, el analizador lgico no mi-
de los datos analgicos, sino que solamente detecta los
dos niveles lgicos: nivel alto de tensin = l y nivel
bajo = O, presentando la informacin en la pantalla de
forma similar a los cronogramas estudiados en los circuitos
secuenciales. Adems, estos instrumentos tienen la capaci-
dad para registrar seales digitales de alta frecuencia.
el nombre /vlmwal tcnico del anali:ador lgico
(Tektroni.r)>,. Leer este manual te ayudar a am-
pliar los conocimientos de cmo funciona un anali-
zador lgico. entender los controles bsicos y a en-
contrar ejemplos de aplicacin de los analizadores
lgicos.
5.1. Identificacin de aparatos de medida. Consigue dile-
.rentes modelos de aparatos de medida, observa todas
las indicaciones que aparecen en pantalla o en sus ins-
trucciones de manejo y con ellas indica: magnitud a me-
dir, campo de medicin, posicin de funcionamiento, sis-
tema de medicin empleado, tipo de corriente, clase del
instrumento, as como la constante de la escala.
5.2. Manejo del polmetro. Consigue un polmetro comer-
cial, analiza sus caractersticas y sus diferentes campos
de medida, comprobando su funcionamiento en la verifi-
cacin de un circuito elctrico. Ahora selecciona la posi-
cin de medida de resistencias, mide la resistencia elc-
trica de diferentes dispositivos elctricos. No olvides que
para la medida de resistencias elctricas, estas tienen
que estar separadas de la alimentacin elctrica.
5.3. Manejo del osciloscopio. Consigue un osciloscopio,
analiza sus caractersticas y con la ayuda de un gene-
rador de funciones comprueba los valores de las magni-
tudes asociadas a seales senoidales de diferentes fre-
cuencias (Figura 5.15).
"i;o
~ lJ '\JI\
10 1()'.J !K lflK 100K !M
=- DODDJO 1111111
[I] <O ~AMPUTIJDE Tri.
Ol/TI'!JT,
!J liOOO (t.
QUTPl/T,
@
.~-;;;:,:e
..'?...
Figura 5.15. Esquema de conexiones de un
osciloscopio midiendo las magnitudes asociadas
a tensiones senoidales proporcionadas por un
generador de funciones.
Consigue la informacin tcnica sobre el osciloscopio
que vayas a utilizar para realizar este ejercicio prctico e
identifica todos los controles del mismo.
Pasaremos ahora a realizar la actividad propuesta al prin-
cipio de este apartado. Para hacerlo correctamente sigue
atentamente las siguientes recomendaciones:
a) Poner en marcha el osciloscopio siguiendo las ins-
trucciones que aparecen en el manual de funciona-
miento.
b) Situar el mando del amplificador vertical en su valor
mximo. De esta forma evitaremos que la tensin que
deseamos medir sea superior a la que est preparado
el osciloscopio.
e) Situar el conmutador de entrada en C.A.
d) Aplicar la tensin alterna a medir a la entrada vertical.
e) Girar el mando del atenuador vertical hasta que sea
fcilmente visible la seal senoidal en la pantalla.
f) Girar el selector de la base de tiempos hasta que se
pueda ver claramente un ciclo completo de la seal
alterna en la pantalla.
g) Estabilizar la imagen mediante el control de sincro-
nismo.
h) Tomar las lecturas de la pantalla y determinar el valor
mximo y el periodo. Con estos datos se puede calcu-
lar el valor eficaz y la frecuencia.
5.4. Manejo de instrumentacin digital. Consigue una son-
da lgica, un inyector lgico y un analizador lgico, anali-
za sus caractersticas y comprueba con ellos el funciona-
miento de un circuito lgico secuencial.
Al finalizar cada una de estas actividades debers elaborar un
informe-memoria sobre la actividad desarrollada, indicando
los resultados obtenidos y estructurndolos en los apartados
necesarios para una adecuada documentacin de las mismas
(descripcin del proceso seguido, medios utilizados, esque-
mas y planos utilizados, clculos, medidas, etc.).
5.1. En un osciloscopio la tensin se mide con: 5.5. Indica cul de las siguientes afirmaciones sobre un osci-
loscopio analgico es falsa:
a) La base de tiempos.
a) Las seales de alta frecuencia reducen el brillo de la
b) El amplificador vertical.
seal en pantalla.
e) El selector de disparo.
l:J) Puede medir de forma automtica el valor mximo y
5.2. En un osciloscopio el periodo de una seal se mide con: el eficaz.

a) La base de tiempos. e) Representa con problemas las seales de baja fre-

cuencia.
b) El amplificador vertical.
e) El selector de disparo. 5.6. Indica cul de las siguientes afirmaciones sobre una son-
da lgica es falsa:
5.3. En un osciloscopio si el selector est en GND.
a) Sirve para inyectar un tren de impulsos digitales a un
a) Se muestra una seal de corriente alterna. circuito.
b) Se muestra una seal de corriente continua. b) Detecta el nivel lgico en un punto de un circuito.
e) Se muestra una seal de referencia a masa. e) Posee un avisador acstico.

5.4. Indica cul de las siguientes afirmaciones sobre un osci- 5.7. Indica cul de las siguientes afirmaciones sobre un
loscopio digital es falsa: inyector lgico es falsa:
a) No es posible registrar fenmenos transitorios. a) Sirve para inyectar un tren de impulsos digitales a un
b) Puede memorizar los datos obtenidos. circuito.

e) Puede representar sin problemas seales de baja fre- b) Detecta el nivel lgico en un punto de un circuito.
cuencia. c) Posee un pulsador para la inyeccin de seales.

5.1. Busca en Internet fabricantes de instrumental para el laboratorio de electrnica, y realiza una lista detallada de los equipos
que nos ofrecen. Describe sus caractersticas y su campo de aplicacin.

figura 5.16. Instrumental para el laboratorio de electrnica.

 los que estar comprendida la resistencia. Estos valores se Valor numrico Multiplicador Tol. En el caso de 5 anillos, los tres primeros (A, B, C) dan el
6.1. Resistencias para expresan como un porcentaje del valor en ohmios asignado
tericamente.
'--
A B C
__/ ...L
valor numrico, el cuarto (D) el multiplicador y el quinto
(E) la tolerancia (Figura 6.3).
circuitos electrnicos Valor numrico Multiplicador Tol.
En electricidad, las resistencias cumplen una misin que '\....__ l._ ...L

ya todos conocemos, la de oponerse al paso de la corriente
y transformar la energa elctrica en calor. En unos casos
este efecto es beneficioso (resistencias calefactoras de es-
tufas y cocinas elctricas, filamentos de lmparas incan-
descentes, etc.) y en otros perjudicial (calentamiento de
conductores y prdida de potencia).
Actividad resuelta 6.1
Se quieren determinar los valores en que puede estar
comprendida una resistencia de 100 Q, si el fabricante
asegura que esta posee una tolerancia del 8 %.
Solucin: El 8 % de 100 Q es exactamente 8 Q. Los
valores buscados son:
Figura 6.2. Las resistencias poseen una serie de anillos A B C D
de color que nos indican el valor hmico.
En la Tabla 6.1 est representado el cdigo de colores:
Figura 6.3. Resistencia con 5 anillos de color.
Tabla 6.1. Cdigo de colores para resistencias.

En los circuitos electrnicos, las resistencias cumplen un 100 + 8 = 108 Q y 100 - 8 = 92 Q En el caso de las resistencias que se identifican con
papel mucho ms especial: permiten distribuir adecuada- 6 anillos, el ltimo de estos nos indica el coeficiente de
mente la tensin y la corriente elctrica en los diferentes Si nosotros realizsemos ahora una verificacin del va- temperatura a.
puntos del circuito. Para realizar esta correcta distribu- lor hmico de esta resistencia con un hmetro de preci-
cin se basan, en todo momento, en la ley de Ohm. sin y obtuvisemos un resultado menor que 92 Q o
mayor que 108 Q, la medida mostrara que dicha resis-
Actividad resuelta 6.3
tencia no cumple con la tolerancia marcada.
_jefi!'f8=-~-- Las tolerancias estn normalizadas, de tal forma que
Deternna el valor hnco y la tolerancia de una resis-
tencia que aparece con los colores: Amarillo-Azul-
solo existen en el mercado resistencias con los siguien- Rojo-Naranja-Marrn.
tes valores:
Solucin: Situamos las cifras que van asociadas a los
0,5%, 1%, 2%, 5%, 10% 20%, 50% colores en el orden en que aparecen inscritos:
0,5 % y 1 % para resistencias de gran precisin.
A B e D Tol.
2 %, 5 % y 10 % son las ms utilizadas en la
Gris 8 8 x iO0OO0OO0 Amarillo - Azul - Rojo - Naranja - Marrn
prctica.
Figura 6.1. Resistencias para circuitos electrnicos. (4) (6) (2) (X 1.000) (! %)
20 % y 50 % estn prcticamente en desuso. Blanco 9 9 X 1000000000
462 1.000 = 462.000 Q = 462 kQ 1 %
Oro X 0,1 5%
En los circuitos electrnicos, estas corrientes y tensiones
suelen ser muy pequeas y, por tanto, las potencias que de- Plata x0,0l 10%
ben disipar tambin lo sern. Estas bajas potencias permi-
ten construir las resistencias de pequeos tamaos con otro 6.J. Lai~o ae colores para Sin color 20%

tipo de materiales ms baratos y sencillos de manejar, tales

como el carbn finamente troceado. resistencias Actvidad resuelta 6.2 Resuelve los ejercicios planteados en la Tabla 6.2.
La forma de inscribir el valor de una resistencia para que Determina el valor hmico y la tolerancia de una re-
Tabla 6.2.
11 6.2. Tolerancia ae una
sea fcilmente identificable a simple vista, es la de utilizar
una serie de anillos de colores pintados sobre la superficie
del cuerpo de la resistencia, que, mediante un cdigo, per-
sistencia que aparece con los colores: Rojo-Azul-Na-
ranja-Plata. Colores Valores

resistencia mite cubrir toda la gama de valores de resistencias existen-

tes en el mercado.
Solucin: Situamos las cifras que van asociadas a los
colores en el orden en que aparecen inscritos:
R To!.

Como ya sabemos, la unidad de medida que caracteriza a

una resistencia es el ohmio. Las resistencias se construyen La razn de utilizar este sistema es debido a que el reduci- A B e Tol. 250kQ 1%
con diferentes valores hncos, pero, son exactos los va- do tamao de estas impide que sobre ellas puedan inscri- Rojo - Azul - Naranja - Plata
lores que, segn los fabricantes, poseen las resistencias? birse cifras que sean legibles.
(2) (6) ( X 1.000) ( 10 o/o) 100 kO 5%
Obtener, en un proceso de fabricacin, una resistencia con Toma una resistencia y obsrvala. Apreciars que existen 26 1.000 = 26.000 Q = 26 kQ 10 %
un valor exacto es muy difcil. Es ms, cuanto mayor sea la tres anillos de diferentes colores y un cuarto un poco ms
100 Q 2%
exactitud que se puede asegurar que tiene una resistencia, separado de estos. Los tres primeros anillos que vamos a
ms se encarece el producto. De aqu nace el concepto de denominar: A, B y C dan la clave del valor hmico y el El cdigo de colores puede incluir 4, 5 y hasta 6 anillos de
tolerancia. Este indica los valores mximo y mnimo entre cuarto representa la tolerancia (Figura 6.2). color.
 Tabla 6.3. Ejemplos de resistencias SMD
6.J.1. la0ntificacin ue resistencias con tres dgitos.
Tabla 6.4. Series normalizadas de resistencias.

~ara montaje su~erficial (~MU) ::;;> 1,0 1,5 2,2 3,3 1

4,7
1
6,8
En este ejemplo la
1 Cifra = 1er: nmero resistencia tiene un ;,4 1,0 1,2 i,5 1,8 2,2 'i 2,7 3,3 3,9 4,7 5,6 6,8 8,2
La tendencia a reducir cada vez ms el tamao de los cir- 2 Cifra = 2: nmero
3' Cifra = Multiplicador
valor de: ;,, 1,0 ! 1,1 1,2 ! l,3 1,5 1,6
1 1

1.s 2.0 2,2 2,4 ! 2,7 ! 3,0 ! 3,313,6 3,914,3 l 4.7 15,1 5,6 ! 6.2 6.8 i 7.5 8.2 l 9.l
cuitos electrnicos, ha llevado a la industria a producir re- l.500 Q = 1,5 kQ 1

1,47 i l,54
sistencias de pequeo tamao conocidas por el nombre de 1 Cifra= er: nmero En este ejemplo la
1.i.// 1,0 1,05 1,10 l,15 1,21 1
1,27
! 2,26
1,33 1,40
1

! 2,61
1.62 1.69
SMD o para montaje superficial. La caracterstica princi- La R indica la coma ,, 1,78 1,87 1,96 2,05 2,15 2,37 2,49 2,74 2,87 3,0i
resistencia tiene un 1
>
1 1
pal de estos componentes es que se conectan directamente decimal valor de: 1,8 Q 3,16 3,32 3,48 3,65 3,83 4,02 4,22 ! 4,42 4,64 i 4,87 5,11 5,36
a la superficie del circuito impreso a travs de soldadura 3' Cifra = 2: nmero ,'
1
1 1
sin necesidad de realizar taladros en la placa. Los compo- La R indica O En este ejemplo la
5,62 5,90 6,19 6,49 6,81
1
7,15 7,50
! 7,87 ! 8,25 i
8.66 9,09 9,53
'
nentes SMD hacen posible un alto grado de automatiza- 2' Cifra = 2: nmero resistencia tiene un Tolerancias de las series : E6 20 % - E 12 l O% - E24 5 % E48 2 %
cin en la construccin de circuitos. 3 Cifra= 3er: nmero valor de: 0,33 Q
1 Valores de las resistencias en Q, kQ, MQ
1

Para tolerancias ms bajas, como por ejemplo el 1 %, se

utilizan cdigos con 4 dgitos, en los que las tres primeras
cifras indican los tres ptimeros dgitos del valor, y el cuar-
to dgito indica el multiplicador.
As, por ejemplo, si en una resistencia SMD aparecie-
se la leyenda: 1783, el valor de la resistencia sera de
178103 Q= 178kQ.
Soldadura sin taladros
Cuanto mayor sea la potencia a la que deba trabajar una
Adivicfad resuelta 6.4
resistencia, mayor ser el calentamiento, por lo que se
Comprueba si se pueden encontrar en el mercado los corre el riesgo de que se queme, si no se disea de for-
siguientes valores de resistencias: ma adecuada.

Figura 6.4. Montaje de resistencia SMD. a) 15 kQ 5 %.

El tamao de estas resistencias puede llegar a ser menor
que l mm, por lo que no queda suficiente espacio para im-
primir las bandas de colores, por lo que para su identifica-
cin se utiliza un cdigo alfanumrico de tres o cuatro d-
gitos (Figura 6.5).
Figma 6.5. Marcado alfanumrico de resistencias SMD.
En la Tabla 6.3 se muestran varios ejemplos para cdigos
de tres dgitos.
6.JJ ~eries ae resistencias
normaliza~as
Se puede encontrar en el mercado un valor cualquiera
de resistencia, como por ejemplo una resistencia de va-
lor 14.487 Q? La respuesta es no. Los valores de resis-
tencia que se fabrican son limitados y vienen fijados por
una norma, consiguiendo as reducir los costes de pro-
duccin.
Adems, si por ejemplo, tenemos una resistencia de 10 k Q
con un 5 % de tolerancia, su valor podra estar comprendi-
do entre 9,5 kQ y 10,5 kQ. Qu sentido tendra fabticar,
por ejemplo, resistencias de 9,3 kQ al 5 %, si con la de 10
ya se cubre ese rango de resistencia. As que para evitar el
solapamiento de valores, se fabrican resistencias con series
numricas que contengan a todos los posibles valores de
resistencias.
Cada una de las series normalizadas se corresponde con un
valor de tolerancia diferente, de tal forma que cuanto me-
nor sea la tolerancia mayor ser el nmero de valores de la
serie.
En la Tabla 6.4 se indican las series normalizadas y los
valores que aparecen se corresponden con los mltiplos de
los valores a formar.
Lgicamente, cuanto mayor sea el tamao de la resisten-
Esta resistencia pertenece a la serie normalizada
E24 5 %. Consultando en la Tabla 6.4, encontramos
cia, mejor podr evacuar o disipar el calor que produce. Es
por esta razn que se fabrican resistencias de varios tama-
el valor I ,5, por lo que s podemos obtener nues-
tro valor: 1,5 104 = 15.000 Q.
os. De tal forma que las resistencias aumentan de tamao
de acuerdo con la potencia a disipar.
b) 165 Q 5 %. En el mercado existen resistencias que van desde 1/8 de
Al consultar la tabla para la serie E24, comproba- vatio (0,125 V-/) hasta ms de 100 VI (Figura 6.6).
mos que no aparece el valor 165, por lo que esta
resistencia no se fabrica para esta tolerancia.
e) 1.690 Q 2 %.
Al consultar la tabla para la serie E48 2 %, compro-
bamos que aparece el valor 1,69, por lo que s po-
demos obtener nuestro valor: 1,69 103 = 1.690 Q
figura 6.6. Tamao de las resistencias
en funcin de su potencia.
6.4. Potencia ae aisi~acin
ae una resistencia 6.5. Llasificacin
La misin de una resistencia en un circuito electrnico no
es precisamente la de calentarse, pero resulta inevitable
ae las resistencias
que se produzca este fenmeno. Este calentamiento depen- Existen en el mercado varios tipos de resistencias confec-
der de la mayor o menor potencia a que esta resistencia cionadas con diferentes procesos de fabricacin. Esta am-
trabaje. Dicha potencia, a su vez, depender de los valores plia gama permite la eleccin del tipo ms idneo para ca-
de tensin e intensidad a que est sometida. da aplicacin especfica.
En la Tabla 6.5 se muestra una clasificacin de los diferen- Sobre este conjunto se deposita la capa de esmalte y se
tes tipos de resistencias. pintan los anillos de colores.
Resistencias de pelcula metlica: estas resistencias son
Tabla 6.5. Clasificacin de /as resistencias.
bsicamente iguales que las anteriores, con la diferencia de
que utilizan una pelcula de una aleacin metlica que las
hace muy estables con la temperatura. Con ellas_ se consi-
guen unas tolerancias muy bajas.
- Aglomeradas - Potencimetros de -NTC
Resistencias bobinadas: estn fabricadas a base de bobi-
- De pelcula de capa de carbn -PTC nar hilo resistivo (generalmente una aleacin de Ni-Cr-Al)
carbn - Potencimetros -LDR sobre un cilindro aislante hasta obtener el valor hmico de-
- De pelcula bobinados seado. Se utilizan para grandes potencias, por lo que el
-VDR
metlica
- Bobinadas
- Potencimetros
multivuelta
-MDR
recubrimiento exterior es de porcelana o esteatita. La tole-
rancia habitual es del 10 % y son capaces de disipar poten-
- Bandas cias por encima de los 100 vatios (Figura 6.8).
- Potencimetros
miniatura
extensiomtricas
6.6. Resistencias fijas
Como su nombre indica, poseen un valor de resistencia fijo. __ J
Resistencias aglomeradas: estn constituidas por una
mezcla de grafito (o carbn), y un material aislante (resina,
talco, etc.), en las proporciones adecuadas para obtener
una determinada gama de valores. figura 6.8. Resistencias bobinadas.
En los extremos del cilindro se colocan unos casquillos a
presin donde van soldados los hilos. Por ltimo, se recu-
bre el conjunto por una resina o se plastifica y se pintan los
colores que indicarn el valor de la resistencia.
11 6.7. Resistencias varia~les
Son resistencias a las que se les puede modificar su valor
El inconveniente que presentan es que su valor cambia en
hmico desde cero hasta su valor nominal.
exceso con la temperatura, por lo que son poco empleadas.
Estas resistencias, tambin llamadas potencimetros, se
Resistencias de pelcula de carbn: son las ms usadas
utilizan para ajustar las magnitudes elctricas de los circui-
para pequeas potencias. Consisten en un cilindro aislado
tos, o bien como control externo de aparatos electrnicos
en el que se deposita una delgada pelcula de carbn con
de uso general, tales como control de volumen, luminosi-
dos casquillos metlicos en los extremos (Figura 6.7).
dad de una pantalla de televisin, etc.
Cilindro cermico Hlice de carbn La estructura de estas resistencias consiste en una resis-
tencia fija (que puede ser de pelcula de carbn o bobina-
da) construida sobre un soporte circular por el cual se
desplaza un contacto mvil o cursor (Figura 6.9). Este
contacto est unido a un tercer terminal de conexin. De
esta forma, puede obtenerse el valor hmico que se desee
entre cualquiera de los extremos del potencimetro y el
Casquillo con ~ennnales Pintura aislante punto mvil.
Figura 6.7. Resistencia de pelcula de carbn.
Para obtener el valor hmico de la resistencia, se practican 61 Resistencias ae~enaientes
unos surcos en espiral a lo largo de la pelcula de carbn.
Con un control preciso del paso de la espiral, se fabrican Existen algunas aplicaciones prcticas en las que es de
resistencias de muchos valores y de buena precisin. gran utilidad el disponer de componentes cuya resistencia
l.
J
RI'
2
+t"
La PTC aumenta su
resistencia con la temperatura
..
Figura 6:10.
Potencimetro Potencimetro
Resistencia
de carbn bobinado ajustable
Repit~ ; ~istmi ~xperiencia con un resistencia PTC.
Figura 6.9. Resistencias variables.
Como sus siglas nos indican (NTC, Negative Temperature
hmica se modifique bajo la accin de una variable fsica, Coefficient), las NTC (Figura 6.11) son resistencias que
como la temperatura, la luz, la tensin, la presin, la trac- poseen un coeficiente de temperatura negativo, lo que sig-
nifica que su valor hmico disminuye rpidamente cuando
cin mecnica, etc.
aumenta la temperatura.
o.8.1. Resistencias de~endientes
de la tem~eratura
Por lo general, las resistencias fabricadas con materiales
metlicos modifican su valor hmico con la temperatura.
En la mayora de los metales, el coeficiente de temperatura
es positivo, lo que significa que la resistencia tiende a
aumentar un poco con la temperatura. Pues bien, se pueden
fabricar resistencias a base de xidos semiconductores que
exageren esta dependencia del valor hmico con la tempe-
ratura. De esta forma, se pueden construir resistencias con
figura 6.11. Resistencias NTC.
coeficiente de temperatura negativo (NTC) y resistencias
con coeficiente de temperatura positivo (PTC).
El valor nominal de la resistencia de estos componentes se
Este tipo de resistencias ser de gran utilidad para aplica- especifica habitualmente para una temperatura de 25 C.
ciones en las que sea necesario el control, la compensa- En la Figura 6.12, se puede apreciar la dependencia del va-
cin, la regulacin y la medida de la temperatura. lor hmico de una NTC y de una PTC en funcin de la
temperatura.
Actividad experimental 6.1 La sensibilidad de las resistencias NTC es bastante ms
elevada que la de los termmetros y termopares conven-
Consig11:'un ft)sjs/~ri~\a~Cf, lllediartie el)unetrn; cionales. Se pueden fabricar resistencias NTC que modifi-
1\
m.ide s1;1valdr ?liiC~ i temperatfa ambente. conti- quen su valor hmico en varios miles de ohmios por cada
nuciqn, y sin deminei:tar el apaito de med da, acerca grado centgrado de temperatura, por lo que son ideales pa-
&
pa~Itilla!Ilen.t~. ~ !{ s,uperfiie ,a: NTC:: upa 1npara ra la construccin de termmetros de precisin en los que
incand~scente e~c1;nd\da, par~ i1~~eguir $ ll\lllle~tar sea importante la medicin de pequeas variaciones de
.s temperatura (Figura 6.10):pmprueba cm.o el va:
1.,.
temperatura.
lor .hmico de)a t~sistejci se haelilS l)queo COil
los au1:!leniosde l t~mpertu~a. '. .. . . Las aplicaciones prcticas que se hacen de las resistencias
NTC son, por ejemplo, la construccin de termmetros de
i
 10'
R mide su valor hmico, procur_~ndo que n llegbe na_da
n de luz. A continuacin, ysin desconectar el aparato
JO'
JO'
JQl
10'
20 40 60 80 100 120 140 160
t'C----->-
figura 6.12. Caracterstica de una NTC y de una PTC.
resistencia, la compensacin ttmica de instrumentos de
medida, las alaimas, la construccin de sistemas de regula-
cin y control, etc.
Al contrario que las NTC, las l'TC son resistencias que
poseen un coeficiente de temperatura positivo (PTC, Posi-
tiue Temperature Coefficient). Estas resistencias aumentan
rpidamente su valor hmico al aumentar la temperatura.
Las aplicaciones prcticas de las resistencias PTC son si-
milares a las de las NTC.
6.B.2. Resistencias ~0~endi0ntes
~e la luz (lDR)
Las resistencias LDR (Light Dependen/ Resistor) (Figu-
ra 6.13) son componentes que modifican su resistencia
elctrica de acuerdo con la intensidad luminosa que incide
sobre su superficie. Esta interesante propiedad es de gran
utilidad para la fabricacin de dispositivos de control, re-
gulacin y medida, que estn relacionados con la luz, co-
mo son: regulacin automtica del contraste y brillo de los
televisores en funcin de la intensidad de la luz de la estan-
cia, medida de la intensidad luminosa para cmaras foto-
grficas (fotmetros), conexin y desconexin de la ilu-
minacin urbana segn la intensidad de la luz solar, detec-
tores para alarmas, 'etc.
Figura 6.13. WR.
.Actividad experimental 6_.2
ConsigUe una resiste~da LpR y, mediante el hmetro,
de medid_a: somete a .'. LDR a illtensidads de lu;i,
credente (Figura 6J4); Comprebil friio el valor h-
IIll_co de'la_resisie_ncia chlnbia con las diferentei, ilumi-
,. ., < ,,
' :,:, '-,-,.-=-="
Figilril6.14,.
la LD/1 df~minliye ;; ~esis~enfia con
foteiisidad la luz:
de
En conclusin, una resistencia LDR posee una resistencia
muy elevada en completa oscuridad y su resistencia elc-
trica disminuye segn se aumenta la intensidad luminosa
(lux). En la Figura 6.15, se muestra la curva caracterstica
de una LDR.
R sin, canalizando la energa producida por la bobina a tra-
kn
Intensidad luminosa Lux ---1>
figura 6.15. Caracterstica de una LDR.
BJJ. Resistencias d0~0nai0nl0s
~e la tensin (VOR)
Las resistencias VDR (Voltage Dependen/ Resistor) son
componentes que modifican su resistencia elctrica de
acuerdo con la tensin que se aplica entre sus extremos. El
valor de la resistencia disminuye al aumentar la tensin
aplicada entre los extremos de la VDR, tal como se puede
apreciar en la curva caracterstica de la Figura 6.16.
R
KQ
V(V)
Figura 6.16. Caracterstica de una VDR.
,',, ', Las resistencias VDR se utilizan para la estabilizacin de
tensiones; pueden evitar las chispas que se producen en los
contactos de los elementos de accionamiento cuando estos
se abren con cargas inductivas, y con ello, el desgaste itre-
gular que esto produce.
En la Figura 6.17, se muestra el circuito correspondiente a
la extincin de arcos en contactos mediante una VDR.
Cuando se abre el contacto del interruptor, la bobina de-
sarrolla una fuerza electromotriz elevada debido al fuerte
coeficiente de autoinduccin que esta posee; esta elevada
tensin provoca un arco entre los contactos que, con el
tiempo, se acaba deteriorando; la VDR disminuye su valor
hmico drsticamente cuando se produce esta sobreten-
vs de la VDR, con lo que se evita as dicho arco.
Figura 6.17. Extincin de arcos mediante VDR.
~14. Ma~netorresistorns (MOR)
~ ~al~as extensiomtricas
Por ltimo, queda por indicar que las resistencias MDR o
magnetorresistores son componentes en los que su resis-
tencia depende del valor de la induccin magntica a la
que son sometidos. Esto puede tener aplicaciones como:
elementos sensibles o detectores de campos magnticos,
detectores de proximidad magnticos, etc. As, por ejem-
plo, la cabeza lectora del disco duro de un ordenador per-
sana! est compuesta por un conjunto de elementos con
propiedades magnetonesistivas, de tal forma que su resis-
tencia elcttica depende del campo magntico que las atra-
viese. Dado que las unidades de informacin (bits) se al-
macenan en el disco duro como si de un pequeo imn se
tratase, al pasar la cabeza lectora magnetorresistiva por en-
cima de un bit, esta vara su :-esistencia y puede enviar la
informacin leda al procesador (Figura 6.18) .
Cabeza lectora
magnetorresistiva
Figura 6.18. Disco duro para PC con
magnetorresistencia.
Por otro lado, las galgas extensiomtricas modifican su va-
lor hmico en funcin de las deformaciones y tensiones
mecnicas a las que son sometidas.
Se te ocurre alguna aplicacin prctica ms que se pue-
da llevar a cabo con estas dos ltimas resistencias depen-
dientes?
6.9. los conaensaaores
El condensador es un dispositivo muy utilizado en electri-
cidad, sobre todo en aplicaciones de circuitos electrnicos.
Pero, qu funcin cumple el condensador en un circuito?
Se puede decir que un condensador es un elemento capaz
de almacenar pequeas cantidades de energa elctrica pa-
ra devolverla cuando sea necesaria.
Las aplicaciones de los condensadores son muy amplias. A
continuacin, se indican algunas de ellas:
Aprovechando el tiempo que tardan en cargaise se pue-
den construir circuitos de accin retardada (temporiza-
dores electrnicos, etc.).
Como ya estudiaremos ms adelante, se utilizan como
filtros en los rectificadores (dispositivos que convierten
la C.A. en C.C.). Con ellos se consigue que la tensin
obtenida sea ms continua.
Realizacin de los circuitos llamados oscilantes y del fe-
nmeno de resonancia. Sintona en radiodifusin.
 Supresin de parsitos en radiodifusin (ruidos que pro-
ducen los motores de explosin de los automviles).
Correccin del factor de potencia en los sistemas de co-
rriente alterna.
11116.9.1. funcionamiento de un condensador
Los fundamentos del condensador se estudian con ms
profundidad en el mdulo de Electrotecnia, repasaremos
aqu su caracterstica ms relevante como componente
electrnico.
La primera parte de la Actividad experimental 6.3 demues-
tra que al conectar la pila con el condensador, este se carga
de energa elctrica y que la tensin con que ha sido carga-
do dicho condensador coincide con la tensin de la pila. La
segunda parte de esta experiencia hace patente la descarga
del condensador a travs del diodo LEO que se enciende
durante el pequeo instante que dura la descarga.
Para construir un condensador basta con montar dos
placas metlicas conductoras separadas por un material
aislante, denominado dielctrico, como aire, papel, cer-
mica, mica, plstico, etc. (Figura 6.20).
Annaduras ~
figura 6.20. Constitucin de un condensador.
Normalmente, este dielctrico se dispone en forma de l-
mina muy fina para conseguir que las placas metlicas, de-
nominadas armaduras, se encuentren lo ms prximas unas
de otras.
El condensador se carga de electricidad, segn los siguien-
tes fundamentos. Si conectamos las armaduras de un con-
densador como se indica en el circuito de la Figura 6.21,
los electrones en exceso del polo negativo de la pila se di-
rigirn a la armadura A, cargndola negativamente. A su
vez, en la parte interna de la armadura B se producir una
acumulacin de cargas positivas por induccin electrostti-
ca (recuerda que las placas estn muy prximas y, que por
tanto, existe una gran atraccin entre las cargas elctricas
de ambas armaduras debido a la accin del campo elctri-
co). Por otro lado, la carga negativa acumulada en la parte
externa de la armadura B es atrada por el polo positivo de
la pila, lo que completa la carga del condensador. Una vez
que esto suceda, ya no habr ms movimiento de electro-
nes, a no ser que se aumente la tensin de la pila.
Figura 6.21. Carga de un condensador.
Una vez cargado el condensador, si se le desconecta de la
fuente de energa elctrica, la acumulacin de cargas se
mantiene gracias a que sigue existiendo la fuerza de atrac-
cin entre las armaduras cargadas debido a la diferencia de
cargas (Figura 6.22).
Fueras del
campo elctrico B
Figura 6.22. Condensador cargado.
6.9.2. ~a~acidad de un condensador
Se denomina capacidad de un condensador a la propiedad
que este posee de almacenar mayor o menor cantidad de
electricidad.
La cantidad de cargas que puede almacenar un conden-
sador depende, fundamentalmente, de la tensin aplica-
da entre sus armaduras y de sus caractersticas cons-
tructivas.
Si llamamos Q a la cantidad de carga almacenada por el
condensador, C a la capacidad del condensador y V a la
tensin entre las armaduras, resulta que:
Q=CV
Q = Culombios
C = Faradios
V= Voltios
La unidad de capacidad es el faradio (F). Se puede decir
que un condensador posee la capacidad de un faradio cuan-
do almacena una carga de un culombio al aplicar una ten-
sin de un voltio entre sus placas.
El faradio es una unidad muy grande, por lo que se utilizan
submltiplos, correspondientes a su millonsima parte,
milmillonsima parte y billonsima parte, que reciben los
nombres de:
Microfaradio (F)
1 electroltico.
1 F=---=0000001 = 10- 6
1.000.000 '
Nanofaradio (nF)
1
1 nF = - - - - = 0000000001 = 10- 9
1.000.000.000 '
Picofaradio (pF)
1
1 pF= - - - - - = 0000000000001 = 10- 12
l. 000.000.000.000 '
~.9.l [s~ecificacionss tcnicas
ae los condensadoes
Los condensadores, al igual que cualquier otro componen-
te electrnico, vienen definidos por una serie de caracters-
ticas. Estas siempre se pueden encontrar en las hojas de
especificaciones que nos facilita el fabricante:
Capacidad nominal: El valor de la capacidad de un
condensador puede cambiar con la frecuencia de trabajo
(Hz) y con la temperatura ambiente, por lo que los fabri-
cantes facilitan la capacidad junto con estos ltimos pa-
rmetros.
Tensin de perforacin del dielctrico o tensin
pico (Vp): Recuerdas cmo el globo descrito anterior-
mente estallaba en pedazos al aumentar la presin? De
igual forma, si un condensador es sometido a una ten-
sin excesiva, el dielctrico no podr sop011arlo y se per-
forar. Tngase en cuenta que las armaduras estn muy
prximas y un aumento de la tensin produce, a su vez,
un aumento de atraccin entre las cargas de ambas arma-
duras.
De aqu surge el concepto de tensin de perforacin, que
se define como la tensin mxima que es capaz de so-
portar un condensador sin que se destruya su dielctrico.
Tensin de trabajo o nominal (V,.): Por supuesto, no es
recomendable que la tensin a la que trabaja un conden-
sador sea mayor que la de perforacin. De aqu nace el
concepto de tensin de trabajo, que se define como la
tensin a la que puede funcionar un condensador de for-
ma permanente sin sufrir daos. Esta tensin es la que se
encuentra indicada en la superficie de los condensadores
(Figura 6.23).
_ _ _ _ _ _ Capucidad nominal =-1.000 f
Tensin nominal :: 50 V
(+)
(-)
Figura 6.23. Caractersticas de un condensador
La tensin de trabajo de un condensador tiene una gran
incidencia en las dimensiones de estos. Cuanta ms ten-
sin de trabajo posea el condensador, mayor tiene que
ser el espesor del dielctrico, lo que hace que haya que
aumentar, en estos casos, la superficie de las placas para
conseguir una capacidad considerable. De tal forma que
podremos encontrar condensadores de baja tensin y
elevada capacidad que presenten un tamao similar al de
otros de elevada tensin y pequea capacidad.
 Coelicienle de temperatura (Te): Al igual que ocurra
con las resistencias, la capacidad de un condensador
puede variar con la temperatura. Este coeficiente puede
ser positivo o negativo, aunque en la mayora de los con-
densadores resulta negativo.
Tolerancia(%): Nos indica en tantos por ciento los va-
lores en los que se encuentra la capacidad indicada por
el fabricante. Las tolerancias ms comunes son del 5, el
10 y el 20 % para todos los modelos de condensadores.
Por ltimo, vamos a dar unos consejos para conseguir que
los condensadores tengan una larga vida, una vez estn co-
nectados al circuito:
Procurar que no queden expuestos a fuentes de calor (re-
sistencias de mucha potencia, transformadores, etc.).
Evitar daar la envolvente del condensador, ya que, de
debilitarse su estanqueidad, podra penetrar la humedad
ambiente en el dielctrico. Esto suele producir muchos
fallos en los condensadores por perforacin del dielctri-
co. Dicha estanqueidad puede verse afectada simple-
mente al realizar una manipulacin o soldadura incmTec-
ta durante el montaje en la placa del circuito impreso.
No someter al condensador a sobretensiones.
No conviene almacenar los condensadores con carga.
Para descargarlos, hacerlo siempre a travs de una resis-
tencia, evitando las descargas mediante cortocircuitos.
6.1 O. Tipos de condensadorns
Existe una gran variedad de tipos de condensadores en el
mercado, de los que conviene conocer sus principales ca-
ractersticas, con objeto de poder utilizarlos para la aplica-
cin ms idnea.
Al igual que las resistencias, existen condensadores varia-
bles a los que se les puede modificar su valor capacitivo.
Estudiaremos aqu algunos de los condensadores fijos, que
son los de ms extendida aplicacin.
~-10.1. Condensadores de pa~el
i~prngnaao
Se fabrican enrollando dos lminas delgadas de aluminio
de unos 0,006 mm de espesor (armaduras), separadas por
otras dos de un papel impregnado con cera o aceite (dielc-
trico) (Figura 6.24 ). De esta forma se consigue aumentar la
superficie de las armaduras sin aumentar excesivamente el
tamao del condensador. La tensin de trabajo depende del
espesor del papel.
Dielctrico d:
papel impregnado
~ Armaduras metlicas
figura 6.24. Condensador de papel impregnado.
~-10.L. ~anaensaaores ae ~a~el
metaliza~o
En este caso, el papel es metalizado con el fin de evitar que
se formen vacos entre las placas y el dielctrico. De esta
forma se consigue reducir su tamao. Adems poseen la
propiedad de auto-regeneracin del dielctrico despus
de sufrir una perforacin del mismo. Tambin se fabrica
una versin similar de este condensador utilizando plstico
en vez de papel, lo que da como resultado condensadores
de plstico metalizado (condensadores film o MK), que
mejoran las caractetistcas de los de papel (Figura 6.25).
~-1 O.J. ~onensaorns e plstico
Actualmente son muy utilizados. Estos condensadores uti-
lizan normalmente como dielctrico el polister, policar-
bonatos, estiroflex, etc. Su utilizacin tiene la ventaja de
conseguir capacidades relativamente elevadas a tensiones
que lleguen hasta 1.000 V y capacidades desde un nanofa-
radio hasta algunos microfaradios (Figura 6.26).
Figura 6.26. Condensadores de plstico.
~-
~-1 O. 4. LOnaensadorns cermicos ni por tanto, aplicarse con"iente alterna. En caso contrario,
el condensador se perfora. En la actualidad, se fabrican
Estos condensadores utilizan como dielctrico compuestos condensadores electro.lticos de tntalo que reducen el
cermicos de una constante dielctrica muy elevada. Con tamao para la misma capacidad que uno de aluminio.
ellos se consiguen valores desde los pocos picofaradios Adems, el electrlito suele ser seco (Figura 6.29).
hasta los 100 nF. Soportan poca tensin (Figura 6.27).
+ + +
l ~
J_
T1T
figura 6.27. Condensadores cermicos.
(a) (b) (e)
~-1 ~- Conaensaaorns ~e mica
Figura 6.29. Condensadores electrolticos:
Aprovechando la facilidad con la que se pueden fabricar
(a) de aluminio, (b) de tntalo, (e) smbolos.
lminas de mineral de mica de pequeo espesor uniforme,
se pueden construir condensadores, intercalando lminas ~-1 ~.7. Con~ensa~orns variaales
de mica como dielctrico y lminas de estao o aluminio Son condensadores que se los puede variar la capacidad.
como placas. Se suelen emplear en circuitos de transmi- Estos componentes se fabrican con unas armaduras fijas y
sin y recepcin de radio (radiofrecuencia RF ). otras mviles que pueden desplazarse en sentido circular,
consiguiendo el efecto de variacin de capacidad segn es-
~-101 ~on~0nsaaorns electrolticos tn ms o menos enfrentadas las superficies de ambas ar-
maduras (Figura 6.30).
ae aluminio
Estos condensadores se diferencian bastante del resto por
sus caractersticas constructivas. Estn constituidos por
una lmina de aluminio y otra de plomo sumergidas en una
solucin de cloruro de amonio (electrlito) (Figura 6.28).
Bobina
Papel absorbente empapado
con lquido electroltico
Pelcula de (a) (b)
aluminio con
electrodo auxiliar Figura 6.30. (a) Condensador variable. (b) Smbolo.
Al igual que ocurra con las resistencias, tambin se fabri-
can condensadores ajustables o trinuners, los cuales vienen
provistos de un mecanismo de ajuste de la capacidad a tra-
vs de un pequeo tornillo (Figura 6.3 l ).
Los condensadores variables y ajustables se utilizan en los
+
Figura 6.28. Condensador electroltico seco.
receptores de rado y antenas.
Son condensadores con los que se consiguen capacidades
elevadas en un volumen reducido (desde 1 F hasta dece-
nas de miles de microfaradios). Una de las caractersticas
que diferencia a los condensadores electrolticos de los de- (b)
ms es que tienen polaridad, es decir, no pueden invertirse
las conexiones indicadas en la superficie del componente, Figura 6.31. (a) Condensadores ajustables. (b) Smbolo.
 r

Otra forma de identificacin consiste en utilizar un cdigo

11 ~.11. Identificacin de los de colores similar al de las resistencias, pero incluyendo
una banda de color adicional para marcar la tensin de tra- A'-.
Cara
anterior
--
Cara
Posterior
Actividad rest1elta 6.5
F '-....::;._ Cules son las caractersticas del condensador de tn-
valores de los bajo. B-+:...,__;
e/\_,__ ;
D_.~ talo de la Figura 6.34?
En la Tabla 6.6 se muestran los cdigos de colores para
condensadores condensadores en pF.

Por lo general, los valores de capacidad y tensin de traba- Nota: Cuando en un condensador no se utiliza el cdigo de colo- Disco Disco pequeo
res, la tolerancia se suele indicar con un cdigo de una letra tal
j aparecen inscritos en la superficie del condensador.
como se indica en la Tabla 6.7.
Cuando se trata de valores de capacidad con decimales no As por ejemplo, si encontramos un condensador con la in-
se marca la coma, sino que en su lugar se pone la letra p dicacin !00 J, nos indicar una capacidad de 100 pF y una
(pico) o n (nano). As, por ejemplo, un condensador de tolerancia del 5 %.
3,9 nF se puede identificar como 3n9 y uno de 0,56 pF
como p56. En la Figura 6.32 incluimos para los diferentes tipos de Figura 6.34.
condensadores el significado de cada banda de color. La Disco Tubulares
En otras ocasiones se marca solo la letra K, que significa banda marcada con la letra F nos indica el coeficiente de
1.000 picofaradios, es decir, 1 nF. Por ejemplo, un conden- Condensadores cermicos
Solucin: Siguiendo la disposicin de las cifras segn
temperatura del condensador.
sador de !00 K se identifica como !00 nF. la Figura 6.34.

(A) (B) (C)

Rojo (2)- Negro (0) -Azul ( x 1.000.000)

20 1.000.000 = 20.000.000 pF = 20 F
Tabla 6.6. Cdigo de colores para condensadores.
(E)
A-B c
D E Tensin nominal = (Verde) = 18 V
Color Cifras Tolerancia Tensin Polister metalizado Tntalo
Multiplicador
significativas
Figura 6.32. Cdigos para diferentes tipos
de condensadores.

Actividad res11elta 6.4 el nombre jcmplos prcticos de ident(ficacin

de co11de11sudores!,. Aqu podrs encontrar multi-
Determina las caractersticas del condensador de po- llld de casos prcticos de identificacin de conden-
lister metalizado que aparece en la Figura 6.33. sadores que te ayudarn a entender mejor esta dif-
cil tarea. Adems tambin se aade el documento
Amarillo Cdigo J/S JJC!l'll ident(tlcacin de condensado-
Azul res en el que se explica los cdigos utilizados por
Rojo los fabricantes japoneses.
Blanco
Rojo
Gris 8 xo,01 0,25 pF 25 V

Blanco 9 xo,1 1 pF 10% 2,5 V

Figura 6.33.

Solucin: Situarnos las cifras que van asociadas a los

Tabla 6.7. Valor de la tolerancia. colores en el orden en que aparecen inscritos:
(A) (B) (C) (D) (E)
Amarillo -Azul - Rojo - Blanco - Rojo
(4) (6) ( X 100) ( !O %) (250 V)

5,5 2 2,5 10 20
46 !00 = 4.600 pF = 4,6 nF, JO %, 250 V

1
6.1. Clasificacin de resistencias. Consigue resistencias
de todos los tipos (SMD, fijas de carbn y pelcula metli-
ca, bobinadas, potencimetros, resistencias ajustables,
PTC, NTC, LDR, etc.), comprueba sus caractersticas y
realiza una clasificacin de las mismas.
6.3. Identificacin y medida de condensadores. Consigue
diferentes tipos de condensadores e identifica su carac-
tersticas ms relevantes. Para ello tendrs que utilizar el
cdigo de colores o el cdigo allanmerico segn sea el
caso.
6.1. Determina el valor hmico de las siguientes resistencias
que aparecen con los colores:
R1 : (rojo, violeta, naranja, plata)
R2 : (marrn, rojo, naranja, rojo)
R3 : (marrn, verde, gris, oro)
6.7. Cules son las caractersticas que hay que conocer
para definir un condensador comercial?
a) Capacidad y potencia.
l:J) Capacidad, tipo de dielctrico y separacin entre
placas.

6.2. Determina el valor hmico de las siguientes resistencias: e) Tipo, capacidad, tensin nominal, tolerancia y coefi-
R, = 24 kQ + 5 % ciente de temperatura.

R2 = 68kf!+ 10% 6.8. Qu ventajas conlleva el uso de condensadores elec-

R3 = 110kn+2% trolticos?

G.3. Determina el valor hmico de las siguientes resistencias a) Soportan tensiones de trabajo fuertes.
SMD que aparecen con el siguiente cdigo alfanumrico: b) Se consiguen altas capacidades y se pueden em-
plear en C.A.

'
R1 : (102)
R2 : (122) e) Se consiguen altas capacidades.
R3 : (154)
6.9. Qu puede ocurrir cuando se supera la tensin de tra-
R4 : (3R9)
bajo de un condensador?
R5 : (R56)
Figura 6.35. Clasificacin de resistencias. figura 6.37. Identificacin de condensadores. a) El condensador se calienta.
R6 : (5621}
6.2. Identificacin de resistencias. Consigue en el labora- b) El condensador cambia la capacidad nominal.
R7 : (7152)
Una vez identificado, comprueba con el polmetro el valor
torio un buen nmero de resistencias, comprueba su va- e) El condensador se puede perforar y destruir.
de la capacidad leda. Para ello nos valdremos de los ter- 6.4. Averigua si las siguientes resistencias pertenecen a al-
lor hmico mediante e cdigo de colores y contrasta los
minales de conexin (Cx) que dispone nuestro polmetro
resultados midiendo la resistencia mediante el polmetro. gunas de las series normalizadas (E6-E12-E24-E48) y 6.10. Calcula la carga elctrica que almacena un condensa-
(Figura 6.38). si se fabrican con ese valor. dor de 1.000 ,F cuando es sometido a las siguientes
R1 : (2,7 kQ 5 %) tensiones: 4 V, 20 V y 100 V respectivamente.

R2 : (237 kQ 5 %) 6.11. Determina las caractersticas de los condensadores de

Selecciona la escala ms adecuada R3 : (14 kQ 10 %} polister metalizado que aparecen con los colores:
para medir cada capacidad
R4 : (249 Q 2 %} C1 : (rojo, violeta, naranja, verde, azul)
Selecciona la escala ms adecuada
para medir cada resistencia
R5 : (14 kn 5 %)
(!i MY~65 C2 : (marrn, rojo, naranja, marrn, rojo)
~ :<l:;~): R6 : (2,4 kQ 2 %)

1
; OWfROH
Q
C3 : (rojo, verde, rojo, blanco, amarillo)
R7 : (2,7 kQ 10 %)
IIWW@

6.12. Determina las caractersticas de los condensadores de

6.5. En una resistencia NTC:
1 cermica que aparecen en la Figura 6.39.
1
a) La resistencia aumenta con la temperatura.
b) La resistencia aumenta con la tensin.
e) La resistencia disminuye con la temperatura.

6.6. En una resistencia LDR:

a) La resistencia aumenta con la luz.

b) La resistencia aumenta con la temperatura. Disco Tubular

Figura 6.36. Medida de resistencias. Figura 6.38. Medida de capacidad de condensadores. e) La resistencia disminuye con la luz. figura 6.39.
6.13. Qu colores les correspondera a los siguientes con- 6.14. Determina las caractersticas de los condensadores que
densadores de tntalo? aparecen con los siguientes cdigos alfanumricos:

e,= 3,3 F/10 v e,: (0,047/J/630)

C2 = 57 F/25 V C2 : (0,068/K/500)

C3 = 150 F/4 V C3 : (Cermico/403)

c.: (22/J)
C5 : (10 K/ 10 %/400 V)
C6 : (n47/J)
Cy: (1/250)
C8 : (Cermico/473/J/100 V)

C9 : (22/M/)

6. 1. Identifica las caractersticas de los condensadores con Si en la cifra se puede leer la unidad (n = nF; p = pF;
marcado alfanumrico de la Tabla 6.8. ,=F; K=nF) esta letra hace las veces de coma decimal.

Para ello seguiremos los siguientes criterios: Para condensadores cermicos, la cifra podra estar com-
puesta por tres dgitos. La ltima cifra nos indica el mulli
Si la cifra aparece inscrita con una coma decimal, y no
plicador (nmero de ceros despus de las dos primeras
figura ninguna unidad, la capacidad vendr expresada
cifras). El resultado se expresa en picofaradios (pF).
en microfaradios (F) ..
Los valores de tolerancia son los que figuran en la Ta-
Si en la cifra no aparece ni coma decimal ni unidad, la
bla 6.7.
capacidad vendr expresada en picofaradios (pF).

Tabla 6.8.

0,056 F = 56 nF 0,1 tF
0,056 J=5% K= 10%
J 630 V= 630V V= 250 V

Cermico con tres cifras 48 pF

50 103 = 50.000 pF = 50 nF ]=5%

0,53 nF 48K=48nF
J=5% 48K V= 250 V
V= 250 V 250V
 7. 1. los semiconductores
Los semiconductores han revolucionado el mundo de la
electrnica. Con ellos han aparecido los diodos, los transis-
tores, los tiristores y los dems componentes electrnicos
construidos gracias a los semiconductores que han sustitui-
do a las vlvulas electrnicas. Por otro lado, con la aparicin
de los circuitos integrados, que suplen la funcin de grandes
cantidades de diodos, transistores, resistencias, condensado-
res y cualquier tipo de componente electrnico, se ha dado
el gran paso hacia el futuro de la electrnica. La ventaja
que poseen los semiconductores es que son de reducido ta-
mao, pequeo consumo y bajo precio. En la Figura 7.1 se
muestran los smbolos elctricos de los semiconductores
ms comunes y en la Figura 7.2 el aspecto de los mismos.
!1
1.2. fl diodo una raya en el componente) _eri el polo egativc:, de la
pila, observars que dicha lamparita ~e enciende. Sin
embargo; si inviertes las coiexiones del qiodo, la .lam-
como semiconductor parita no se encender. .
El diodo es un elemento semiconductor que solo permite la Endefinitivtel diqcl ac\tla como uninterruptor que
circulacin de la con-iente en un sentido nico (Figura 7.3). estar c~n-ado en caso oe estar bi~npolarizado y abierc
fo cuando la plarizadn.est invertida.
Esta propiedad es muy interesante y est motivada por la
estructura interna del diodo. En efecto, este componente
est constituido por la unin de dos cristales semiconduc-
tores, uno de tipo P y otro de tipo N (Figura 7.5).
Figura 7.6. Enlaces covalentes en el silicio.
figura 7.3. N p
completas. El resultado de la combinacin del silicio con la
Su aplicacin es especialmente interesante en aquellos dis- impureza de antimonio es un cristal denominado silicio tipo
I_ N, ya que existen cargas negativas libres (Figura 7.7).

.;~;;) .:i~r
positivos en que sea necesaria esta cualidad, como, por

* * * *
Diodo Diodozener Diodo Led Fotodiodo
ejemplo, en los rectificadores, que son capaces de conver-
tir la C.A. en C.C.
Antes de pasar a estudiar los diodos de unin, conviene te-
FiguO"a 7.5. Unin de dos cristales de tipo P y N.

-K -t< \"K -1=

Transistor NPN Transistor PNP Fototransistor JFETN
ner una idea muy clara de lo que es un semiconductor.
Existen ciertos cuerpos como, por ejemplo, el selenio, el
gen-nanio y el silicio que, en condiciones normales, son
Estos cristales son de silicio o de germanio con la adicin
de algn otro elemeTJto que les confiere una cierta polari- :)j ;J\.J;(\f\
dad, ya sea P (exceso de crugas positivas) o N (exceso de { ~ ~ Electrn libre
aislantes, pero con ciertas modificaciones de su organiza- negativas).
~ J~ 4 ,,J:.-}i;:_<f-,~<,'
J~
:~: d":
cin molecular se pueden convertir en conductores. Esto es
Cmo se forman estos cristales?
debido a que su estructura cristalina no dispone de electro-
JFETP MosfetN MosfetP UJTN nes libres capaces de establecer una corriente elctrica; sin Estudiemos el caso del silicio como cuerpo semiconductor,
embargo, los electrones de sus ltimas rbitas pueden ser por ser el ms utilizado.
:)~ --<t :),r-\t.
_J
* -*
liberados artificialmente, por lo que se convierten en cuer-
pos conductores. El procedimiento ms habitual para conse-

UJTP SCR DIAC TRIAC

guirlo consiste en introducir, en el interior de estos mate-
riales sustancias con una estructura atmica determinada. 7J ~arnctersticas atmicas figura 7.7. Enlaces covalentes incompletos
de un cristal de silicio tipo N.

Figura 7.1. Smbolos elctricos de los semiconductores.

Activid~d experimental 7j del silicio Silicio tipo P: de la misma forma que en el caso anterior,

-,
si al silicio en estado puro se le introducen impurezas que,
Consiglle un diodo ycnctalo intercalado eri el circui- Es un cuerpo cristalino cuyas molculas tienen formas en vez de tener 5 electrones de valencia, solo dispongan de 3,
to ele una pi!; y unalrunpfrita (Figura7,4). Si ~onectas geomtricas regulares. Por otro lado, posee 4 electrones de como el indio, el aluminio, el galio, el boro, etc., el enlace-
el _ctodo del diodo (termin~l-. ~egativo indicado_. por valencia, es decir, que en su rbita exterior solo existen covalente ser, otra vez, incompleto (Figura 7.8).
cuatro electrones (Figura 7.6). Como se sabe, todo cuerpo
precisa de 8 electrones de valencia para que mantenga una
Diodos Diodo Led Fotodiodo \i/ estabilidad normal. El silicio es un cuerpo estable con solo
}'.-~'</ \;f}<>
_.,
Ctodo(-) nodo(+) 4 electrones de valencia, ya que se complementa con 4
m
,.... electrones de los tomos vecinos (enlace covalente) y as :~ :,~;

Transistores SCR

"~-,'
nodo(+) Ctodo().
__ __AIRlr\---
suma los 8 electrones precisos para su estabilidad.
En estas condiciones, el tomo de silicio es completamente
aislante, ya que no existen en su seno electrones libres ca-
paces de establecer una con-iente elctrica.
Silicio tipo N: existen elementos, como el antimonio, el
arsnico, etc., que poseen 5 electrones de valencia. Si uni 0
,:~I:7
,~: :~
Triac Circuito integrado
mas uno de estos elementos con el silicio, se producirn
enlaces covalentes incompletos, ya que uno de los electro-
/>f\\\ :)1--- e\\
figura 7.4.
Figura 7.2. Aspecto de los semiconductores. nes de estos elementos quedar libre por estar las rbitas Figura 7.8. Enlaces cova/entes incompletos en un cristal P.
El tomo de impureza, al tener slo 3 electrones, no llega a Veamos ahora qu pasara si conectsemos la batera en
rellenar todos los huecos, pues solo satisface las necesida- sentido contrario (Figura 7.11 ).
des de 3 de los 4 tomos de silicio. Se necesita, pues, un
electrn ms para rellenar ese hueco.

qr:~ ~::
N p
A
Estos huecos representan una falta de electrones y produ-
cen una naturaleza positiva al cristal, que en este caso se
denomina silicio tipo P. Rs
~~1
l
Figura 7.12. Circuito para obtener la curva Figura 7.14. Circuito para obtener la caracterstica
inversa de un diodo.
IJ 7.4. fl aioao ae unin - de polarizacin directa de un diodo.

En la Figura 7.13 se puede apreciar la curva caracterstica versa. Esta corriente es del orden de unos (LA o nA, tal co-
El diodo de unin se forma al juntar un cristal tipo P con Figura 7.11. Polarizacin inversa del diodo mo se puede apreciar en la curva de la Figura 7.15 corres-
de unin. de polarizacin del diodo ensayado. La curva tiene forma
otro tipo N (Figura 7.9). Da la impresin de que, al juntar pondiente a la caracterstica inversa del diodo.
exponencial en las proximidades del cero y se acerca al va-
estos dos cristales de cargas opuestas, en la unin AB se
lor de la intensidad de co1Tiente mxima admisible a medi-
producir una neutralizacin de cargas, pero no es as, ya Los electrones libres del cristal N se sentirn atrados por da que aumenta la tensin. Esto indica que la resistencia - Vn(V
que en dicha unin aparece una pequea barrera por efecto el polo positivo de la batera y los huecos por el polo nega- del diodo es de muy bajo valor y que disminuye rpida- 100 Vz 80 60 40 20
de la repulsin que evita este fenmeno. tivo de esta, por lo que se crea en la unin AB una especie mente al aumentar la tensin. !
de vaco que evita la circulacin de corriente a travs del ! 10 nA
diodo. En este caso se ha conectado el diodo en sentido
N p
inverso. A pesar de ello, siempre existe una pequea co-
rriente de fuga que recibe el nombre de corriente inversa
del diodo (IR).
t !Oj
s
100 nA
! 1 A
; lOA
111

+
[.- 6:
, 1ooA
Para que el diodo conduzca polarizado en sentido directo, (mA) 4:
necesita ser sometido a una tensin mnima de polariza- 1 mA
il 2:
Barrerade
potencial
V
1
: cin, que en el caso del germanio es de 0,2 V y de 0,6 V
para el silicio.
O;.....----~~~~=---
0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 l
Figura 7.15. Caracterstica inversa de un diodo.

Figura 7.9. Barrera de potencial en una unin PN.
Ahora bien, si conectamos una batera al diodo (Figura
7.10), de tal forma que el polo positivo de este coincida
con el cristal tipo P y el negativo con el cristal tipo N, las
cargas negativas sern repelidas hacia la superficie de la
unin con gran fuerza y vencern de este modo la barre-
ra AB. Por tanto, se producir una corriente elctrica IF a
travs del diodo, neutralizndose los electrones con los
huecos.
Las caractersticas de los diodos semiconductores varan
grandemente con la temperatura. De tal forma que, cuanto
mayor sea la temperatura de la unin, mayor ser el nme-
ro de electrones libres y, por tanto, aumentar la corriente
de conduccin. En el germanio estas variaciones son exce-
sivas, por encima de los 75 C se hace difcil su utilizacin,
mientras que el silicio puede emplearse hasta los 200 C
aproximadamente. En la actualidad, la gran mayora de se-
miconductores es de silicio.
V,(V -+,
Figura 7.13. Curva de polarizacin directa de un diodo.
ejemplo, la serie de diodos con la referencia 1N4001 a
Cuando polarizamos directamente un diodo, este no co-
mienza a conducir de una forma apreciable hasta que le
aplicamos la mnima diferencia de potencial de barrera,
conocida por el nombre de tensin umbral. En el caso del
germanio esta tensin es de 0,2 V y en el del silicio 0,6 V.
Por debajo de esta tensin, la corriente es muy pequea y
por encima aumenta considerablemente.
Los fabricantes de diodos expresan el valor de la corriente
inversa en sus hojas de especificaciones tcnicas. As, por
1N4007 establece una corriente inversa de 10 A cuando
son polarizados inversamente.
Observa que, segn se aumenta la tensin inversa, tambin
lo hace la corriente, hasta que se llega a un valor V2 , llama-
do tensin de ruptura del diodo. En este momento aparece
un efecto de avalancha y aumenta bruscamente la intensi-
dad de corriente inversa, lo que provoca la destruccin del
diodo por la excesiva disipacin de calor.

N A p 11111.4.1. Laractersticas en ~olarizacin Para que esto no ocurra, es necesario disear las condicio-
i.,_,.. ~ '-- ~<ll ~<ll ~.1 1.4.L. Laractersticas en ~olarizacin nes de trabajo del diodo con una tensin inversa siempre
i.,-+- ~ .,... ~ ~~ -<ll ~ i1;.-,.. airecta ae un aioao menor a su tensin de ruptura.
(,--,,.. (,-. e,,-,.. ~ ~-.1 ~;; inversa ae un aioao
t b,--,,.. brl> i.,-+ "',j) ~~ "',j) l Obtener las caracteiisticas de polarizacin de un diodo sig-
Los fabricantes de diodos especifican los valores de la ten-
sin inversa pico en sus hojas de especificaciones tcnicas.
r
~
i B nifica determinar la relacin existente entre los diferentes Para obtener la curva caracteiistica inversa bastar con in- As, por ejemplo, mientras el diodo con la referencia
Corriente de
electrones libres
Corriente de
huecos
valores de la tensin de polarizacin (VF) y la corriente di-
recta (IF).
vertir la corriente del diodo, de tal forma que el cristal N
est conectado al positivo de la pila y el P al negativo (Fi-
1N4001 soporta una tensin mxima inversa de 50 V, el
+
-~ 1N4007 llega a soportar 1.000 V.
(f'

t--.i> +-.l ~ -a Para obtener experimentalmente esta relacin habiia que

gura 7.14).
Corrientc de electrones realizar el ensayo que se muestra en la Figura 7.12. En Ya se dijo anteriormente que cuando el diodo queda some- *''E11 el MATERIAL WEB elaborado para este texto
ella, la lectura de VF indica la tensin de polarizacin di- tido a una tensin inversa VR, aparece una pequea co- se i11cluye11 las hojas de caractersticas de la familia
Figura 7.1 O. Polarizacin directa de un diodo de unin. recta en voltios y la lectura de la corriente directa IF" rriente de fuga IR, a la cual denominbamos corriente in- de diodos JN4001-IN4007.

l
 En la Figura 7.16, se muestra la curva caracte1istica com-
pleta de un diodo de unin. 1.4.4. lnea ae car~a ~e un ~io~o Para realizar una representacin grfica de esta ecua-
cin, basta con dar valores a VF y obtener diferentes
sn inversa, este se comporta como un inten-uptor abierto
y no deja pasar ninguna corriente elctrica.
Mediante el conocimiento de la lnea de carga, podremos puntos de la lnea.

30mA
encontrar el valor exacto de la corriente y la tensin del
diodo para una carga determinada.
En el caso de que
1,2 -o
ti
_jj,_
20mA
En el circuito de la Figura 7.17 se puede apreciar una fuen- VF = O V, lp = -- = 0,007 A = 7 mA
Puluriinci6n te de tensin V que suministra energa a una resistencia Rs 175
dir~cta
IOmA en serie con un diodo. La tensin que aparecer en l es En el caso de que
VF. La tensin que aparece en los bornes de R5 ser igual a
v, 1,2 - 1,2
la tensin total V menos la cada de tensin VF que provoca VF= l,2V,IF=---=0
el diodo. 175
1 A ! 0,7 Vp(V) ~
Pol:1riroci11 En el caso de que la curva caracterstica del diodo sea
inver:,a Rs la que se representa en la Figura 7.19, la lnea de carga figura 7.20. Caracterstica aproximada de un diodo.
ser una recta que corte los puntos de 1,2 V y 7 mA. El
3 A punto .de interseccin de estas dos curvas nos indica los
.3ov .20v .1ov 1,1 1v 2v JV Por otro lado, se considera que se necesitan aproximada-
valores de la tensin y corriente del diodo para una ten-
mente unos O, 7 V para que un diodo de silicio conduzca
Figura 7.16. Curva caracterstica de un diodo sin de 1,2 V y una resistencia limtadora de 175 n. como un interruptor cerrado. Se supone que, hasta que no
de unin. se alcance esa tensin, la corriente directa es nula.

Figura 7.1 7. Circuito para trazar la lnea de carga

de un diodo.
r;1 De esta explicacin se podran sacar los esquemas equiva-
lentes de las Figuras 7.2l(a) y (b).

11117.4.3. rotencia y corriente nominal Ir 6

(mA) 4
Cuando el diodo es polarizado directamente se comporta co-
mo un intenuptor cerrado en serie con una fuente de tensin
Aplicando la ley de Ohm, obtenemos la corriente del cir-
cuito: de 0,7 V. De tal forma que, si la tensin de polarizacin es
Un diodo se disea para trabajar ptimamente en unas con- 2
superior a 0,7 V, el interruptor se cierra [Figura 7.2l(a)].
diciones nominales determinadas. Existen dos formas de
provocar la destruccin de un diodo:
o'---------
0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6~----
0,7 0,8 0,9 1 l,l 1,2 S se invierte la tensin de polarizacin del diodo, este se
VF(V) __.,. comporta como un interruptor abierto [Figura 7.2l(b)].
Exceder la tensin inversa de ruptura.
Figura 7.19. Recta de carga del diodo.
Esta corriente se puede representar mediante una recta que + +
Exceder !a potencia mxima nominal. nos ayudar a determinar el punto de trabajo del diodo para
En nuestro ejemplo se obtiene una corriente de 3,6 mA
o>----1,,..-----0
-'1 O>----lid~II--,- - o
unos valores determinados de tensin V y resistencia R5
Como ocurra con las resistencias, los diodos poseen una y una tensin de polarizacin directa en el diodo de 0,7V
~~
cierta capacidad de disipar el calor que se produce en su 0,62 V. A este punto se lo denomina punto de funcio-
unin. Este calor depende de la potencia a la que trabaja el Actividad resuelta 7.1 namiento del diodo.
diodo, que depende, a su vez, del producto de la corriente El valor de la corriente en el circuito de la Figura 7.18 a)
por la tensin de este. es: figura 7.21. (a) Diodo polarizado directamente.
Si la potencia que se produce en el diodo es superior a su J=--
F
1,2 - Vp
175
1. 4.5. ~arncterstica a~roximaaa (b) Diodo polarizado inversamente.
capacidad de disipacin, este aumentar excesivamente su
temperatura y acabar deteriorndose. ~e un aio~o Actividad resuelta 7.2
Rs Al estudiar las resistencias y condensadores, hemos tenido Cul ser la corriente directa del diodo del circuito de
. Existen algunos fabricantes que especifican la potencia no-
oportunidad de comprobar que los valores de la resistencia la Figura 7.22?
minal de sus diodos en las hojas de informacin tcnica.
No obstante, lo normal es que en estas informaciones ni-
11s n Yla capacidad de estos dispositivos poseen un cierto mar-
camente aparezca la corriente mxima de polarizacin di-
gen de tolerancia. Lo mismo ocurre con los valores carac- Rs
tersticos de un diodo, de los cuales no se puede afirmar
recta. Bastar con J\o sobrepasar este valor para que en nin-
que sean exactos. Por esta razn, se puede encontrar una 8kQ
gn caso se supere la potencia mxima nominal.
curva caracterstica aproximada de trabajo de un diodo sin
cometer, por nuestra parte, grandes errores. Adems, este 0,7V
As, por ejemplo, la gama de diodos con la referencia figura 7.18. 8V
1N4001 a 1N4007 permite una corriente directa nominal hecho simplifica notablemente la resolucin de !os circuitos
del A, mientras que el diodo 1N418 permite una corrien- con diodos.
Observa cmo aparece una relacin lineal entre la co-
te directa de 150 mA y una disipacin de potencia a rriente y la tensin. En la Figura 7.20, se muestra dicha curva aproximada. Se
Figura 7.22.
T,mb = 25 C de 500 mW. supone que cuando el diodo est polarizado con una ten-
 r
'

MAXIMUU RATINGS (Al TA 25'C unless otherwise noted)

Soluci6n: Para resolver este ejercicio, basta con tener
en cuenta la curva caracterstica aproximada, aplicando
Maxtmum Recurren! Peak Reverse Vollage
UNfTS
Volts
11 7.5. Dispositivos
la ley de Ohm: Maxlmum RMS Voltage
Maximum OC Blocklng VCiltage
VollS
Volts optoelectrnicos
8 V- 0,7 V Maxlmum Average Forward Recllfied Current
Amps
/ = - - - =000091 = 091 mA at TA 75C Dentro de la denominacin de dispositivos optoelectrni-
s.ooo n cos se incluyen todos aquellos elementos semiconductores
capaces de producir una radiacin luminosa comprendida
Tensin inversa efica, mxima (CA)
dentro del espectro visible o fuera de l (infrarrojos), como
Tensin inversa continua mxima CC)
lo son los diodos LED. Tambin se incluyen los compo-
Corriente mxima directa
;\ctividad propuesta 7.1 nentes sensibles a la luz, como, por ejemplo, los fotodiodos.
Figura 7.24. Valores mximos.
Qu valor debera poseer Rs en el circuito de la Acti-
vidad resuelta 7.2 para conseguir una corriente directa Del recorte de la Figura 7.25 se deduce que la tensin de 7.5.1. Diodos luminiscentes (lfD)
por el diodo de 7,3 mA? polarizacin directa mxima a una corriente de 1 A, es de Seguro que ya conoces este tipo de dispositivo electrnico,
Resultado: 1 kl 1,1 V. Adems, la corriente inversa es de 5 A a 25 C. ya que poseen una gran aplicacin como elementos seali- Los diodos LED se fabrican mediante la unin de dos cris-
zadores del encendido de cualquier equipo electrnico, tales semiconductores PN, a los que se les ha contaminado
como puede ser: un equipo de sonido, un ordenador, etc. de una forma especial. Cuando una unin de este tipo se
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (At TA 25'C unless othelwlse noted) Haciendo combinaciones con ellos, tambin pueden ser polariza con una tensin directa, al igual que ocurra con
empleados para visualizar nmeros y letras en pequeos los diodos convencionales, los electrones de valencia del
7.4.6. Hoja de caractersticas indicadores luminosos (displays), con los cuales se pueden
presentar los resultados en equipos de medida, calculado-
cristal tipo N atraviesan la unin y se recombinan con los
huecos del cristal tipo P. Dado que dichos electrones se
de un diodo ras, etc. trasladan de un nivel de energa ms alto a uno ms bajo,
En la Figura 7.27(a) se muestra el aspecto de un diodo se produce una liberacin de energa, que en este tipo de
Corriente inversa mxima a 25C en CC
Partiendo de la hoja de caractersticas del diodo 1N4004 Corriente inversa mxima a IOO'C en CC) LED y en la Figura 7.27(jJ) su representacin esquemtica. diodos se manifiesta en forma de radiaciones electromag-
vamos a analizar los principales parmetros que figuran en nticas dentro del espectro luminoso.
las mismas. Figura 7.25. Caractersticas elctricas. Lente Epxico Los diodos LED se fabrican con elementos especiales, co-
En la Figura 7.23 se muestra el encapsulado y las medidas UninPN
mo arseniuro de galio (GaAs) y fsforo. Para conseguir
del diodo. En la Figura 7.26 se muestra la curva de polarizacin di- modificar la longitud de onda de la radiacin de la onda
recta de este diodo. luminosa y as conseguir diodos con emisiones de diferen-
tes colores (roja, naranja, verde, amarilla, azul, o infrarro-
Ctodo ja), se contaminan los cristales de una forma adecuada. As
por ejemplo, los diodos luminiscentes fabricados con galio
- 1N4004 --~_,, / FIG. 2 TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD
CHARACTERISTICS nodo y fsforo (GaP) emiten luz roja cuando se les aade xido !
-,, ~ O I A . ~- ,.,-~ @) 20 a) b) de cinc y emiten luz verde con la adicin de nitrgeno.
.... ~
:f
t
1.0(25.4) .828(0.7) 10
Figura 7.27. Diodo LED. (a) Aspecto fsico. (b) Smbolo. ,S,

1 o
"'
~

111111 Caractersticas de los na

-~ _1011,.n
~1 1ABO(tO) DIA.
Encapsulado del diodo ~
~? 1.0
, i,

Aparte del color de los diodos luminiscentes, sus caracte-

"',.:
l --- ::, z rsticas ms relevantes son similares a las de los diodos
1.0(25A)
MIN.
@~ .4 I
convencionales:
Medidas en pulgadas (mm) z<>: 1/
~ } .2
z .1 TJ25'c La tensin directa (VF) es la cada de tensin que se produ-
~
"'~ .04
PulseWidth=300p.s
1%DutyCycle El
,__ ce entre los extremos del diodo LED cuando por l fluye la
' ' corriente directa. Esta tensin suele ser del orden de 1,5 a
Figura 7.23. Encapsulado y medidas del diodo 1N4004. .02 ,/ 1 1
2,2 V para la mayor parte de los modelos. Cuando se des-
.01 conoce la tensin directa exacta, bastar con tomar como
.6 ,8 1.0 1.2 1.4 1.5

1
Como se puede observar, del recorte extrado de las hojas INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE, (V)
valor aproximado 2 V.
de caractersticas, la tensin pico mxima que soporta este La corriente de excitacin directa (IF) es la corriente que
diodo en corriente alterna es de 400 V, y la corriente direc- Figura 7.26. Curva de polarizacin directa. debe circular por el diodo LED para alcanzar la intensidad
ta mxima es de 1 A. luminosa esperada. Para la mayora de los modelos, esta ,, ,
1
corriente est comprendida entre 1Oy 50 mA.

--
i,.
La corriente inversa (IR) es la mxima corriente que puede tensin directa es de 2 V y que con 20 mA de corriente En la actualidad, los indicadores de cristal lquido (LCD) 0,4 4.000 lux
fluir por el diodo luminiscente cuando a este se le aplica directa se consigue una emisin luminosa aceptable. estn desplazando a los indicadores con diodos luminis-
una tensin de polarizacin inversa. Este valor suele estar centes a campos de aplicacin ms reducidos.
en torno a los 10 tA. Solucin: Aplicando la ley de Ohm al circuito, tendre- L.3 3.000 lux
rnos que: 111
La disipacin de potencia es aquella parte de la potencia
que el diodo luminiscente no convierte en luz y que acaba
V-V 12-2
R = - - F =--=S00Q
. ' IF 0,020
H.2. foto~ioaos (mA)

0,2
2.0000 lux

degradndose en calor, por lo que tiene que evacuarla al Este dispositivo es un diodo especialmente diseado para
exterior. Por esta razn, los diodos LEO se conectan err se- !.000 lux
que sea sensible a las radiaciones luminosas que en l inci-
rie con una resistencia, con el fin de limitar la corriente dan, de tal forma que al aumentar estas, tambin lo haga la 0,1
500 lux
que fluye por ellos. Para calcular dicha resistencia, se apli- corriente inversa que fluya por el fotodiodo. Una de las
ca la ley de Ohm al circuito de la Figura 7.29: aplicaciones fundamentales de este dispositivo es como fo- Olux
Cul tendra que ser el valor de la resistencia de la
todetector, elemento capaz de transformar una magnitud 10 20 30 40 50 60 70 V,dVJ --'i>
V- V Actividad resuelta 7.3, si la tensin de la fuente fuese
R =--F 9 V? luminosa en elctrica.
' lp figui'a 7.32. Curvas caractersticas de un fotodiodo.
Resultado: 350 Q Veamos cmo funciona este dispositivo: recuerda cmo
cuando a un diodo unin PN se le aplicaba energa trmica
V se rompa un nmero determinado de enlaces covalentes y, Una de las aplicaciones que se puede hacer del fotodiodo,
Las ventajas que poseen los diodos LED, para aplicaciones por tanto, apareca en ambos cristales un nmero determi- en combinacin con el diodo luminiscente, es la fabrica-
de sealizacin, frente a las pequeas lmparas incandes- nado de portadores de carga minoritarios. Pues bien, en es- cin de un optoacoplador, tal como se muestra en la Figu-
centes son innumerables, tales corno pueden ser: gran du- te tipo de diodos adems aparece un aumento de portado- ra 7.33. Estos dos elementos se integran en un solo ele-
racin, elevada resistencia mecnica frente a los impactos res minoritarios cuando se aplica energa en forma de mento.
y las vibraciones, tamao reducido y pequeo consumo, radiaciones luminosas. De esta forma, si conectamos un
que los hacen ideales para aplicaciones en combinacin Con un optoacoplador se pueden aislar elctricamente dos
fotodiodo con una tensin de polarizacin inversa, fluir
con otros semiconductores. circuitos entre los que hay que intercambiar una determi-
una pequea corriente inversa por l. Los fotodiodos se fa-
nada seal. La seal de entrada se aplica al diodo LED,
Una de las aplicaciones que se puede hacer de los diodos brican de tal fo1ma que la luz pueda incidir en ellos, de tal
Figura 7.29. Conexin de un diodo LEO. con lo que este genera una intensidad luminosa que estar
LEO, es la fabricacin de indicadores numricos de siete manera que cuando la intensidad de la radiacin luminosa
se hace ms grande, aumentan los portadores minoritarios en funcin de la corriente entregada por la seal. Esta ra-
segmentos (displays). Mediante siete diodos luminiscentes
En la Tabla 7.1 se muestran las caractersticas de algunos y con ellos la co1Tiente inversa. As se consigue que exista diacin luminosa incide en el fotodiodo, el cual generar
dispuestos corno se indica en la Figura 7.30, se pueden re-
tipos de diodos LEO. presentar dgitos del O al 9. Para ello, se excitan simult- una relacin determinada entre la luz y la corriente. una corriente en la salida proporcional a la entregada a la
neamente las combinaciones de diodos que se correspon- entrada del optoacoplador. Con el uso de optoacopladores
Tabla 7.1. Caractersticas de diodos LEO. En la Figura 7.31, se muestra el circuito de un fotodiodo se eliminan todos los riesgos que pueden surgir al conec-
dR.n Pn r~rb rot:.O.
polarizado inversamente. Las flechas, que apuntan hacia el
tar circuitos que trabajan con seales de muy pequeas
+ componente, indican que el diodo aprovecha la incidencia
tensiones, con otros circuitos que lo hacen con tensiones
+ de la luz en l para funcionar.
elevadas. Por ejemplo, se utilizan para aislar la salida de
Tipo indicador Rojo
~ 1,2 V 5 mA ao-.,.+,S---j
bo-~!!----1
V
un ordenador con circuitos exteriores que estn alimenta-
dos con tensiones peligrosas. Tambin se utilizan en elec-
a
b
IJ
Alta luminosidad Rojo .
1,2V 20mA
e o-c.-kaili--j
da-'-l<l!ll----1
e c-.,.+,lii!--j
e
d
e
trornedicina para aislar los circuitos de los electrodos que
se han de aplicar al cuerpo humano y en otras muchas
aplicaciones.
Verde Amarillo

Tipo indicador
oDAzul Blanco
1,6 V SmA
f o--'--l<lli!l,--l
g o--'-~~
f
g

Figma 7.30. Indicador de siete segmentos

Figura 7.31. Circuito con fotodiodo.
V""LJ----.
f
/ .....\
\J
R,
!",'

: _,
i..
-

-.-.-------.c::,--, V'"1
.,
\',";6,.-,
'!:t..
',:

. ',:
,:
1
R,

/
/\
\ '
con diodos LEO. En la Figura 7.32 se muestra la curva de polarizacin in- \ . ..:
~ D
.
,j
Alta luminosidad 3,7 V 20mA versa de un fotodiodo . 1 .' , 1
- ~ - - - - _-, -s - - - - - -

Observa cmo, al aumentar la intensidad de la radiacin Figura 7.33. Optoacoplador.

Actividad resuelta 7.3
. Se quiere determinar la resistencia que hay que canec-
tar en serie con un diodo LEO para una tensin de
fuente de 12 V. Para ello, tendremos en cuenta que su
luminosa (su unidad de medida es el lux), tambin lo hace
la corriente inversa.
Qu diodos habr que excitar simultneamente en el
indicador de siete segmentos de la Figura 7.30 para
que se ilumine el nmero 5?
Resultado: a, f, g, c, d

7.1. Comprobacin de un diodo con polmetro analgico.
Consigue un diodo y un polmetro. Para comprobar si el
estado de la unin del diodo es perfecto, basta con co-
nectar el polmetro utilizado como hmetro entre sus ter-
minales, de tal forma que la punta de prueba negra ( - )
est unida al nodo del diodo y la roja ( +) al ctodo (Fi-
gura 7.34).
figura 7.34. Comprobacin de un diodo
mediante polmetro analgico.
Si el resultado de la medida es O ohmios ser seal de
que el diodo est en buen estado (la fuente de alimenta-
cin del hmetro ha polarizado directamente al diodo).
Una vez que hayas comprobado esto ltimo, invierte las
conexiones. Si el polimetro indica infinito (en este caso la
fuente de alimentacin polariza inversamente al diodo),
el diodo est en perfecto estado.
Si al realizar estas comprobaciones se mide una resis-
tencia alta con ambas polarizaciones, nos indicar que el
diodo est abierto. En el caso de que se mida una resis-
tencia baja con ambas polarizaciones estaremos ante un
diodo en cortocircuito. En el caso de que se mida una re-
sistencia relativamente baja con la polarizacin inversa
estaremos ante un diodo con fugas.
Conviene tomar ciertas precauciones cuando se trata de
comprobar diodos de pequea potencia, ya que se pue-
de dar el caso de que la corriente que proporciona el h-
metro para tomar la medida sea suficiente para destruir
el diodo. En estos casos, es aconsejable el uso de las
escalas ms altas del hmetro, ya que estas reducen la
corriente de medida. valores aceptables.
7.2. Comprobacin de un diodo con polimetro digital. Es-
tos aparatos de medida poseen un campo de medida es-
pecfico para medir diodos, y que aparece representado
con el smbolo del diodo. Si conectamos la punta de
prueba negra ( - ) al ctodo del diodo y la roja ( +) al
car dispositivos semiconductores y comprueba las refe- 2) Para realizar el ensayo necesitaremos una fuente de
rencias dadas por los fabricantes de los diodos. alimentacin variable de O a 30 V, dos polmetros
(uno, utilizado como voltmetro, para medir la tensin
. , <:.; En las siguientes direcciones de Internet podrs directa y otro, utilizado como miliampermetro, para la
nodo, el polmetro muestra en la pantalla digital la ten-
encontrar las caractersticas que necesites de medida de la corriente directa), y una resistencia de
sin de polarizacin directa, por ejemplo 0,476 V.
cualquier componente electrnico (diodos, tran- 100 Q. En la Figura 7.37 se muestra el esquema de
sistores, CI, etc.):
En el caso de invertir los cables de conexin (polariza- montaje prctico sobre placa protoboard.
cin inversa), en la pantalla se lee 1, lo que nos indica http://www.datasheetlocator.com/es/ 3) Comenzar el ensayo con una tensin de O voltios; ir
que el diodo no conduce y que est en buen estado. Si http://www.datasheetcatalog.net/es/ aumentando los valores de tensin de la fuente hasta
en ambas comprobaciones, aparece 1 en la pantalla, es- conseguir una tensin directa en el diodo de O, 1 V.
tamos ante un diodo defectuoso que se encuentra abier- 7.4. Obtencin de curva de polarizacin directa de un Tomar la lectura del miliampermetro y anotar los re-
to. En el caso de que apareciese Oen ambas comproba- diodo. Mediante el circuito de la Figura 7.36 vamos a sultados en la siguiente tabla de datos.
ciones, el diodo estara en cortocircuito. determinar la curva caracterstica del diodo 1N4001. Pa- Tabla de datos
ra hacerlo correctamente, ten en cuenta las siguientes
consideraciones:
0,1
0,2
Sita el selector en el campo
(f) MY-65
para medir diodos (*> 0,3
~Uf0?0WER0/f IIClll
0,4
@i1i) )
tr<1G o 0,5
Rs 100 O
0,6
0,7
Figura 7.36. Circuito para obtener la curva
nodo (+) Ctodo(-) caracterstica de un diodo. 0,8
---e~-
1) Consultar las caractersticas del diodo por ensayar 4) Seguir aumentando la tensin de la fuente para con-
que facilitan los fabricantes en las hojas de especifi- seguir incrementos en la tensin del diodo de O, 1 V
caciones tcnicas y tener en cuenta los valores mxi- hasta llegar a los 0,8 V e ir anotando las lecturas de
mos de tensin inversa y corriente directa del mismo. los diferentes aparatos de medida.
Figura 7.35. Comprobacin de un diodo mediante
e/ polmetro digital.
+ I ' 0000 0000 0000 0000
ooo~ooo;;PHJ]l:;jDOooooc
.;~~:~~~;:
7.3. Identificacin de las caractersticas de los diodos se- BBB~BtfflF 8~ BBBBBBt
ooor oooo_oc ' lOOOO~[F_DOOOOC
miconductores. Toma un conjunto de diferentes diodos oodi 000000 11 1ooootl:1oc:iooooc .
semiconductores, determina su polaridad y comprueba - .,. .. ,,
con el polmetro su estado. A continuacin, identifica su 000
ooo
000
000000 r
JOC'ODD[c
000000
DDOO[IDDODOD[
JDDOO' ooooorn
0000 000000[ :?'\..i;:f{t
referencia y consigue las hojas de especificaciones tc- 000
000
000000 1
000000 U Ji
0000 000000[
OCJOO COOOODC
1""~,,,!,.,
nicas que facilita su fabricante. Con ellas determina sus ,
caractersticas ms relevantes. Una vez hecho esto, ob- ~------~L~OOD 0000 U'~ O DO D 0000
serva las diferencias existentes entre las siguientes ca-
ractersticas de dichos diodos: corriente y potencia nomi-
nal, tensin de ruptura y corriente inversa. Para facilitar
la tarea de identificacin de los diodos, consigue los cdi-
Figura 7.37. Montaje prctico sobre placa protoboard.
gos y normas internacionales ms usuales para identifi-
 5) Invertir la polaridad de la fuente de alimentacin y to-
mar varios puntos de medida, procurando no sobre-
pasar el valor mximo de la tensin mxima de ruptu-
ra del diodo.
4) Con los puntos obtenidos, trazar la curva caractersti-
ca del diodo. Comparar la curva obtenida con la facili-
tada por el fabricante.
7.5. Circuito para dos niveles de iluminacin. Se trata de
aprovechar la propiedad que posee el diodo semiconduc-
tor de conducir en un solo sentido. El circuito consiste,
bsicamente, en conectar en serie un diodo a una lmpa-
ra sometida a corriente alterna, tal como se indica en la
Figura 7.38. Dado que el diodo solo permite el paso de la
corriente en un solo sentido, los semiciclos negativos de
la red de C.A. quedan anulados para la lmpara. De esta
forma, la tensin que aparece en ella ser igual al valor
medio de los semiciclos positivos. Esta tensin viene a
ser un poco menor de la mitad del valor eficaz de la ten-
sin alterna original. Con este circuito, podemos conse-
guir reducir aproximadamente a la mitad la tensin a que
sometemos a la lmpara y con ello reducir la potencia y
la luminosidad que esta produce.
figura 7.38. El diodo hace que la lmpara solo
funcione durante la mitad del ciclo.
Para conseguir que la lmpara trabaje a dos niveles di-
ferentes de iluminacin se propone el circuito de la Fi-
gura 7.39.
Su funcionamiento es como sigue: estando el interrup-
tor /1 cerrado y el /2 abierto, toda la corriente debe fluir
por el diodo, por lo que, teniendo en cuenta que el valor
eficaz de la C.A. es de 230 V, la tensin que aparece en
la lmpara es igual a:
. Vm, v.n,a, j2 230 j2 325
Vm,o,o=--=---- = ---=-:- = 104 V
n n n n
por lo que esta se enciende a media luz. Si ahora cerra-
mos el interruptor /2 , el diodo queda puenteado y anula-
do, con lo que en la lmpara aparece toda la tensin y
funciona a plena potencia.
Monta el circuito propuesto en la Figura 7.39 y com-
prueba su funcionamiento, midiendo las diferentes ten-
siones que aparecen en l para las dos posibilidades de
iluminacin.
El diodo que se utilizar para este montaje deber ser
capaz de soportar la corriente nominal del circuito, as
como tener una tensin inversa de ruptura superior a la
tensin mxima que bloquea (en este caso tendr que
ser mayor a 325 V). De los diodos que se exponen en la
Tabla 7.2, cul se podra utilizar para esta aplicacin?
Tabla 7.2.
1N4003 200 V 1A
1N4004 400 V 1A
1N5406 600V 3A
El diodo conectado en serie como reductor de la tensin
en circuitos de C.A. para cargas resistivas tambin se
puede utilizar para adaptar receptores de 11 OV a redes
de 230 V. Tambin se suele usar para conseguir dos
7:1. A qu tensin de polarizacin comienzan a conducir los 7,6. En la Tabla 7.3 se muestran algunas de las especifica-
diodos de silicio? ciones de una serie de diodos. Cul de estos diodos
a) 0,3 V. trabajara en ptimas condiciones en el circuito de la Fi-
gura 7.41?
b) 1 v.
Tabla .3.
e) 0,6 V.
7.2.. A qu se debe una corriente inversa elevada por el 1N914 75 V 200 mA
diodo?
1N5404 400 V 3A
a) A la aplicacin de una tensin directa tambin elevada.
1N4003 200 V 1A
b) A la aplicacin de una tensin inversa tambin ele-
vada.
Rs
e) A la elevacin de la corriente por el diodo.
1000
7.3. Cul es la disipacin de potencia en un diodo de silicio
polarizado directamente, si la tensin del diodo es de 0,7 V 50V
y la corriente es 500 mA?
7.1!-. Determina la corriente que se establece por un diodo de
silicio que se conecta en serie con una resistencia Figura 7.41.
de 1 kQ al ser polarizado directamente por una fuente de
7.7. Qu valor deber tener la resistencia R, en el circuito
tensin de 10 V.
de la Figura 7.41 para poder utilizar el diodo 1N914.
7.5. En la Figura 7.40 est representada la curva caractersti-
7.8. En el circuito de la Figura 7.41 se mide con un voltme-
ca del diodo comercial 1N4007. En el caso de que ali-
tro una tensin de O V entre os ierminaes dei diodo y
mentemos a este diodo con una fuente de tensin de 5 V 50 V entre los terminales de la fuente de alimentacin,
y a travs de una resistencia !imitadora de 5 Q, determi- cul es la posible causa de esta anomala?
na la lnea de carga, los valores de Vy de/, en el punto
a) La unin del diodo est en cortocircuito.
de trabajo del diodo, para una temperatura de 25 C y la
b) La unin del diodo ha quedado abierta.
disipacin de potencia de este.
e) Ninguna anomala. El funcionamiento es el ade-
t 1,6
cuado.

7.9. En el circuito de la Figura 7.41 se mide con un voltme-

niveles de potencia en un calefactor elctrico. !,.
(/\) 1,2 tro una tensin de 50 V entre los terminales del diodo,
7.6. Identificacin de componentes optoelectrnicos. cul es la razn de esta anomala?
Consigue los esquemas de algn circuito electrnico 0,8 a) La unin del diodo est en cortocircuito.
/1 ,- donde aparezcan diodos LED, fotodiodos y optoacopla-
b) La unin del diodo ha quedado abierta.
J+Blill>I-+-- dores. Reconoce su ubicacin en el circuito, comprueba

MT,iov
0,4
su polarizacin y examina su funcin en dicho circuito. e) Ninguna anomala. El funcionamiento es el ade-
Lmpara cuado.
Al finalizar cada una de estas actividades, debers elaborar o
230V O 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1.2
un informe-memoria sobre la actividad desarrollada, indican- 7.10. Qu resistencia comercial habr que conectar a un
JOOW Vi(V-e,.
do los resultados obtenidos y estructurndolos en los aparta- diodo LED para que este trabaje con una corriente di-
dos necesarios para su adecuada documentacin (descrip- Figura 7.40. Curva caracterstica del diodo recta de unos 18 mA y una tensin directa de 2 V, si se
1N4007. le conecta a una tensin de 50 V?
figura 7.39. Circuito para conseguir dos niveles cin del proceso seguido, medios utilizados, esquemas y
de iluminacin. planos utilizados, clculos, medidas, etc.).

i
!l
!
7.1. Busca en Internet una relacin complP.ta de los diferentes encapsulados en los que se fabrican los diodos. Describe sus
caractersticas, tamao y el uso que se les da para las diferentes aplicaciones.
A modo de ejemplo, en la Figura 7.42 se muestra una tabla resumen de los encapsulados para los diodos ms comunes .

'

D0-41 D0-35 T0-220AC SOT-223

PWRTAB SOD-27 SOD-57 SOD-80

SMA Dpak
,." -
j, - . - -

SOD-123
,.
CJ

D618s1
u
'

D0-5 T0-3 T0-200AB T0-48

Figura 7.42. Encapsulados para los diodos.

~.1. Lircuitos de rectificacin
Como circuito rectificador se conoce aquel que tiene la
funcin de convertir o rectificar la C.A. en C.C. Depen-
diendo del nmero de diodos que utilicemos y cmo los
conectemos, se pueden construir rectificadores de media
onda y de onda completa.
Por lo general, los circuitos de rectificacin suelen ser una
parte importante de las fuentes de alimentacin. Estas
fuentes suelen disponer de un transformador con el objeto
de reducir la tensin de la red elctrica a valores ms ade-
cuados para los equipos que se van a alimentar.
Adems de estos elementos, las fuentes de alimentacin
suelen incorporar en su etapa final un circuito de filtrado,
con el fin de conseguir una corriente lo ms continua po-
sible.
En la Figura 8.1 se muestran, de una forma esquemtica,
las diferentes etapas de las fuentes de alimentacin que va-
mos a estudiar en esta unidad.
~ Transfonnador Rectific::ldor Filtro
C.A e.e
figura 8.1. Etapas de una fuente de alimentacin simple.
ij.2. Lircuito rectificador
de media onda
Cuando se introduce una tensin de C.A. a la entrada del
circuito, mostrado en la Figura 8.2, en la salida aparece
una tensin de C.C. pulsante. La resistencia RL representa
al receptor al que se le suministra C.C.
Este circuito funciona de la siguiente forma: en el momen-
to en que los valores de la tensin instantnea son positivos
~:J.tvL
e.e.
C.A. A K
figura (1.2. Circuito rectificador de media onda.
y superiores a la tensin umbral del diodo (recuerda: 0,7 V
para el silicio y 0,3 V para el germanio), este se polariza
directamente y, por tanto, aparece una corriente elctrica
por RL. En el instante en que la tensin de C.A. cambia de
positiva a negativa (siguiente semiciclo), el diodo queda
polarizado inversamente y, no teniendo en cuenta la co-
rriente de fuga, la corriente por RL se interrumpe, Por esta
razn, este semiciclo no aparece en la curva de la tensin
continua de la salida.
En el caso de que se invirtiese la polaridad del diodo, el re-
sultado obtenido sera el que se muestra en la Figura 8.3.
C.A. K A
figma 8.3. Al invertir el diodo aparece en la salida
el semicido negativo.
Valor medio de tensin rectificada
de media onda
-A~ti;idad exp~dmen.Bj
Co{ayld~- ctdet;e[)ac!bi dic!rtico\~rri?~ (o~fone~,.
c\e ua>fom~a.expeq!Il~rtal,)arelacin exist~rte :~nt!'e
1e
el valor pi~o !IlximCJ_' deja tensin_ ,C.A,>aplicilda a
fa ~ntrada y-~\valor ~edio' d et.
de.la te~srr d(l
salid,a"tCJrresi,qrWent~;llui.ciruito. ~ecfificadr:de !Ile:
_dia qnd_~- Para ello, i;rinfa el. cjrcuitd de la Figura
/\ cc1it~i~ci11, qtide con' un voltriletto de elva:
' lor,lficaz\jefatensn c\e entiada'(V)Y: COI ,uny~J.tc '
ndro c\e C;C. el \talof.medi de la terisiri de ~alidi(d~l
' rectifipadilr, W2k .
<..,.-,\,.. '-.," '', ' '-,;. .~.,~'-. ::",
~:fl~J~
-F,~~rf~J'
T~h\irif'in cueii(a qiit'\ar~illin &~istee entre el
valr_pico .111ximo d~J C,A:Y
~!l _ crrspodien(e Y~:
lor eficaz es: V~,. ~:j2
y.~ca/cietrminala relacin
ilpniximad enir(etialot :W.edj(llelapnd;ectifipda.
(V2) y el valor piconxiip.o:> ...
En el caso de que se desprecie la cada de tensin produci-
da por el diodo y considerando que el valor mximo de la
Tensin imersa mxima idiel idiio1fo
En el semiciclo en el que d diodo no conduce, este se pola-
tensin no vara, se puede demostrar matemticamente que
el valor medio de la seal de media onda es igual a: riza inversamente y se comporta como un inte1TUptor abier-
to. Si ahora analizamos la malla cerrada que se forma en el
circuito de la Figura 8.5, observaremos que toda la tensin
que ha sido bloqueada aparece en los terminales de dicho
diodo. Como es lgico, deberemos evitar a toda costa que el
diodo trabaje con tensiones inversas mayores que su tensin
A este valor tambin se lo denomina de C.C., ya que va a inversa pico, de lo contrario se alcanzmia la rnptura de este.
Este aspecto ser de vital importancia a la hora de dimensio-
ser el que aparezca en la lectura de un voltmetro de C.C.
nar los diodos necesarios para un circuito de rectificacin
(Vmed = Vccl-
(vase la Prctica de laboratorio 8.2, dentro de las Activida-
e.e. Si tenemos en cuenta que en el diodo aparece una cada des finales, propuesta al final de esta unidad).
de tensin de unos 0,7 V, tendremos una tensin para la
carga de: - Vmiix
0,7 vmx - lcc=O 1-1
Vcc=----
n
Actividad resuelta 8, 1 f ~ -/,';[,~:],,,_r!c.c-=O
- Vml~ r--+--t1-t-t-1 t
Cul ser la lectura de un voltmetro de C.C. conecta- t~~~
do a la salida de un rectificador de media onda si a
su entrada se le aplica una tensin alterna senoidal de Figura 8.5. En polarizacin inversa e/ diodo soporta
la tensin mxima de la C.A.
230 V de valor eficaz?
Solucin: Primero calculamos el valor mximo de la
tensin:
Vmx = V,fi .Ji. = 230 .Ji. = 325,27 V
li ~.J. Lircuito rectificaaor
325,27 - 0,7 de onda com~leta
Vcc=----= 103,31 V
0
El circuito rectificador de media onda no proporciona una
,8A.
corriente continua demasiado perfecta. Esto es debido a
que solo es rectificada la mitad de un ciclo de la corriente
f.A. Intensidad de corriente por el diodo alterna.
Para determinar esta corriente, lo nico que hay que hacer Para mejorar la rectificacin, de tal forma que queden rec-
tificados tanto los semiciclos positivos como los negativos,
es tener en cuenta la tensin de C.C., la resistencia de car-
...... _ .' ga RL: se hace necesm-io utilizar otro tipo de circuitos, como el
rectificador de onda completa mediante el transformador
Vcc
lcc=- con toma intermedia o el puente rectificador de onda com-
RL pleta.
Hay que tener en cuenta que, en este tipo de rectificadores,
la corriente que atraviesa al diodo rectificador es la misma
que fluye por la carga. IHI ~J 1. Rectifica~or 00 onaa completa
Es muy importante conocer el valor de la corriente de C.C.
por el diodo, ya que esta no debe ser mayor, en ningn
meaiante translorma~or
caso, a la corriente nominal que aparece en las hojas de con toma intermeaia
especificaciones tcnicas que proporciona el fabricante de
diodos. En caso contrario, pond1amos en peligro al diodo, Para realizar este circuito, es necesario disponer de un
por no poder disipar el calor generado por efecto Joule en transformador especial que posea una toma intermedia en su
el mismo (vase la Prctica de laboratorio 8.3, dentro de bobinado secundario y un par de diodos semiconductores.
las Actividades finales, propuesta al final de esta unidad). El circuito quedara tal como se muestra en la Figura 8.6.
 D, (conduce
........
D, ( no conduce)
,
' !'
'' ' ''
''
,''' ' 1
(b) '
1 completa
\ 11
,\ /l
D, (conduce)
figura 8.6. Circuito rectificador de onda completa.
En la Figura 8.6 se puede apreciar la forma de la tensin
rectificada en la salida.
Al realizar la conexin en el punto intermedio del bobinado
del secundario, se consigue dividir a la mitad la tensin que
aparece en cada una de ias dos pa1tes de dicho bobinado.
En el circuito rectificador de la Figura 8.6(a), se puede
apreciar cmo en el primer semiciclo la tensin de salida
de la parte superior del bobinado del secundario del trans-
formador polariza directamente al diodo D 1 y hace que cir-
cule una intensidad / por la resistencia RL (R hace las ve-
ces de receptor o carga). Durante este semiciclo, el diodo
D2 permanece polarizado inversamente y, por consiguien-
te, no conduce ninguna corriente.
En el siguiente serniciclo la tensin cambia de polaridad y
la tensin de salida de la parte inferior del bobinado polari-
za ahora directamente al diodo D2, mientras que el diodo
D I queda polarizado inversamente. Por tanto, ahora circula
_la corriente por D2 y por la resistencia de carga RL segn se
indica en la Figura 8.6(b ).
A la vista de los resultados, se puede observar que la co-
rriente que atravies~ a la resistencia de carga fluye siempre
en el mismo sentido, tanto si conduce D 1 como si lo hace
D2 , por lo que la tensin que aparecer en la resistencia de
carga (tensin de salida del rectificador) es de onda com-
pleta, tal como se muestra en la Figura 8.7.
La tensin que aparece en cada una de las dos mitades del
secundario corresponde a la mitad de la tensin que surge
en el conjunto de los terminales de salida del transformador.
Figma 8.7. Tensin rectificada en R;
Hay que hacer notar que, mediante este sistema, el trans-
formador deber disponer de un bobinado secundario con
el doble de espiras. Esto encarece sensiblemente el sistema.
Valor medio de te111sin rectificada dle omfa
Si comparamos las curvas correspondientes a los dos tipos
de rectificadores, estudiados hasta ahora, enseguida pode-
mos comprobar que el valor medio de la tensin de salida
de un rectificador de onda completa es el doble que el de
media onda.
(Vm,x - 0,7)
Vcc= 2
n
Corriente nominal por los diodos
Para calcular la con-iente de C.C. que atraviesa la resisten-
cia de carga se opera como en el caso de la media onda,
tomando como tensin de C.C. la proporcionada entre la
toma media y uno de los extremos del bobinado secundario
del transformador.
Sin embargo, si observamos detenidamente el proceso de
conduccin de los diodos (Figura 8.6), podremos compro-
bar cmo cada uno de los diodos solo conduce durante la
mitad de un ciclo de la C.A., por lo que la corriente media
que fluye por cada uno de ellos ser la mitad.
En la carga:
y en los diodos:
Tensin inversa pico de los diodos
Cuando el diodo D 1 conduce, segn se puede apreciar en la
Figura 8.8, cortocircuita sus bornes, por lo que la cada de
tensin que aparece en l es despreciable. Mientras, el otro
diodo no conduce y bloquea la tensin en sus bornes. Si
aplicamos la segunda ley de Kirchhoff a la malla que se
forma, podremos comprobar cmo ahora toda la tensin La intensidad de corriente de C.C. que fluye por la re-
(Vr), correspondiente al secundario, aparece en sentido de sistencia de carga se calcula aplicando la ley de Ohm:
bloqueo en los bornes del diodo D2
Vcc 8,56
Di (conduce) lec= - = - = 0,171 A= 171 mA
RL 50
La corriente que atraviesa a cada uno de los diodos co-
+ rresponder a la mitad de la corriente por la carga:
1 ~
Re
Vr
+ 171 mA
2-
/DI = fo2 = - - = 85,5 mA
Vr
_
1-1 En el caso de tener que seleccionar un diodo entre los
que figuran en las especificaciones tcnicas que pro-
D, ( no conduce)
porcionan los fabricantes, bastar con uno que tenga
Figura 8.8. Tensin inversa por los diodos. una corriente nominal de 100 mA o superior.
Por esta razn, los diodos de un rectificador de onda com- Por ltimo, la tensin inversa pico de los diodos deber
ser superior al valor mximo de la tensin del secunda-
pleta con transformador de toma intermedia deben ser ca-
rio, es decir:
paces de soportar, como mnimo, una tensin inversa pico
mayor que Vr- Observa que esta tensin es el doble que la V;aversapi,o = 28,28 V
que corresponde a la mitad de cada uno de los bobinados
del secundario del transformador.
Adividad resuelta 8.2
En el circuito rectificador de onda completa de la Figu-
ra 8.8 el transformador proporciona una tensin en el Qu valor debera poseer la resistencia de carga de la
secundario de 20 V. Teniendo en cuenta la cada de Actividad resuelta 8.2 para que la corriente por los
tensin producida en los diodos, determina la tensin diodos quedase limitada a 50 mA?
de C.C. a que quedar sometida la resistencia de carga Resultado: 85,6 Q
de 50 Q, as como la corriente que recorrer a la mis-
ma. Averigua tambin la corriente nominal de los dio-
dos, as como su tensin inversa pico.
Solucin: La tensin pico mxima que aparece en el 1111 ~.J.2. fl ~uente rectilica~or
secundario es:
Esta otra forma de obtener una tensin rectificada de onda
Vmx = Vji. = 20-ji. = 28,28 V completa es mucho ms empleada que la anterior, ya que
resulta ms econmica, posee un gran rendimiento y no
La tensin que hay que tener en cuenta para determinar necesita un transformador de toma intermedia.
la tensin rectificada ser la que corresponda a la mitad
del bobinado, es decir: El puente rectificador consta de cuatro diodos (Figura 8.9),
que en muchos casos se encierran en un componente com-
28,28 V pacto, tal como se muestra en la Figura 8.10.
- - = 1414V
2 '
C.A. e.e.
Teniendo en cuenta que cada vez que cor.duce uno de
los diodos se produce una cada de tensin en el mismo
de 0,7 V, el valor medio de la tensin de C.C. rectifica-
da ser entonces:
vmx - 0,7 14,14 - 0,7
Vcc = 2 _::::,:___:_ = 2 - - - = 8,56 V
n n
figura 8.9. Puente rectificador.
 Vcc 9,91 duce durante un tercio de la corriente de salida. Para calcu-
lec= - = - = 0,991 A= 991 mA lar la corriente por cada uno de los diodos habr que divi-
RL IO dir por tres la corriente por la carga.
Los diodos conducen durante un semiciclo, para dejar
de hacerlo al siguiente, por lo que el valor medio de su V Vio V20 Vio
corriente ser la mitad que en la carga.
Tensin en la carga (Re,)
' 1
figura IU O. Puente rectificador integrado. flg~ra 8.12. Tensin de salida lec 991
de un puente rectificador. lo= 2 = 2 = 496mA i V:
Veamos a continuacin en qu consiste su funciona-
~/~
teniendo en cuenta que el circuito siempre se conduce por La tensin inversa pico que soporta cada diodo ser 1
miento.
dos de los diodos en serie y, por tanto, se ha tomado una igual a la mxima suministrada por el secundario del 1
En el semiciclo positivo los diodos D2 y D3 se polarizan cada de tensin doble en ellos (2 0,7 = 1,4 V). transformador.
directamente, lo que provoca la circulacin de una corrien-
te por la carga RL en la direccin que se muestra en la Fi- nversapico = 16,97 V
gura 8.ll(a). Por otro lado, los diodos D, y D4 quedan po- vmx -- 1,4
larizados inversamente y no conducen.
Vcc =2 Figura 8.14. Tensin de entrada y salida de un rectificador
n
trifsico de media onda.
En el semiciclo negativo los diodos D 1 y D4 comienzan a
conducir por estar polarizados directamente y dejan de Dado que las corrientes que circulan por cada pareja de ~.4. Rectificaaorns trifsicos
hacerlo D2 y D3 La direccin de la corriente que se esta- diodos solo lo hacen en la mitad de un periodo de la C.A.,
Cuando se quieren obtener grandes potencias de salida de
blece por RL es la misma que en el caso anterior [Figura
8.1 l(b)].
la corriente de C.C. ser la mitad que la calculada para la
resistencia de carga. Hay que tener en cuenta que estamos
C.C. resulta ms conveniente la utilizacin de circuitos ~.4.2. ~ircuilo rectificaoor trifsico
rectificadores trifsicos. Mediante estos circuitos se consi-
hablando de valores medios (vase la Prctica de laborato-
rio 8.3, dentro de las Actividades finales, propuesta al final
gue mejorar sensiblemente la uniformidad de la tensin ae onaa com~leta
continua de salida.

fl--/--.\.--.,
]
de esta unidad). Al igual que ocurra con los monofsicos, con este circuito
i/\
,' Para calcular la tensin inversa pico a que quedan someti- rectificador se consigue una tensin continua de salida mu-
(a) 1
1
r,
,1
1
1
t
I
dos los diodos bastar con tener en cuenta la tensin del ij.4. l. ~ircuito rnctifica~or trilsico cho ms uniforme que con el de media onda. Adems no
requiere del neutro para su conexin. Por estas razones, el
1 ,1
,,: 1 I secundario de alimentacin (en el caso de que exista trans-
de media onaa
\/
\, \1
formador). rectificador de onda completa es el que se emplea en apli-
caciones industriales.
En la Figura 8.13 se muestra el circuito correspondiente a
, Actividad resueita 8.3 un rectificador trifsico de media onda. En l se conectan En la Figura 8.15 se muestra el circuito correspondiente a
En el circuito rectificador de onda completa de la Figu- tres diodos a la salida de un transformador trifsico con el un rectificador trifsico de onda completa, donde se conec-

]
I" ra 8.11, el transformador proporciona una tensin en el secundario conectado en estrella. De esta forma, los diodos tan tres pares de diodos rectificadores en paralelo con la
,,
I\
I''
: \ 1: \ secundario de 12 V. Teniendo en cuenta la cada de se conectan a cada una de las tensiones de fase del trans- carga a alimentar, conectndose los puntos de intercone-
1 ' , '
(b) formador, constituyendo tres circuitos monofsicos de me- xin de los mismos a cada uno de los terminales de salida
!__'v--~--. ..
!
1
1
1
1
tensin producida en los diodos, calcula la tensin y
corriente de C.C. de la resistencia de carga de 24 Q. dia onda. del transformador trifsico.
! \/ Averigua tambin la corriente nominal de los diodos,
as como su tensin inversa pico. Como se puede comprobar en la Figura 8.16 cada pareja de
diodos se va sucediendo en la conduccin, apareciendo en
figura 8.11. Funcionamiento del puente rectificador. Solucin: La tensin pico mxima que aparece en el la salida una tensin continua con seis pulsos por periodo.
(a)Conducen los diodos D2 y D3 mientras que D 1 y D4 secundario de transformador es:
permanecen bloqueados. (b) Conducen D 1 y D4 mientras
que D2 y D3 bloquean la corriente. V.
max =V -..JL
i=I2 -JI..
0=1697V
,
Teniendo en cuenta que los diodos conducen de dos en figura 8.13. Circuito de un rectificador trifsico
En conclusin, la t~nsin que aparece en la carga posee
dos en conexin serie, y que se produce una cada de de media onda.
siempre la misma polaridad, igual que ocurra en el otro
rectificador de onda completa. En la Figura 8.12 se puede tensin en cada uno de 0,7 V (20,7 V= 1,4 V), el
valor medio de la tensin de C.C. rectificada y de la Como se aprecia en la Figura 8.14, correspondiente a la
apreciar la forma de la tensin de salida del puente rectifi-
corriente por la carga ser entonces: tensin de salida del rectificador, cada uno de los diodos
cador, as como los tiempos de conduccin para cada uno
conduce durante el tiempo que la tensin de fase corres-
de los cuatro diodos.
vmx - 1,4 16,97 - 1,4 pondiente posee un valor ms alto que las otras dos. La
El valor medio de la tensin rectificada de onda completa Vcc = 2 =2 = 9,91 V co1Tiente fluye por cada uno de los diodos alternativa- Figura 8.15. Circuito de un rectificador trifsico
n n
se calcula de la misma forma que en el caso anterior, pero mente, de tal forma que cada uno de los mismos solo con- de onda completa.

Figura 8.16. Tensin de entrada y salida de un rectificador
trifsico de onda completa.
11 ~.5. fI filtra~o
La coniente de salida de un rectificador no se corresponde
a una corriente continua ideal, como por ejemplo la que
. proporcionan las pilas y acumuladores. Normalmente esta
corriente es de tipo pulsatorio, lo cual implica que existen
variaciones de amplitud en ella. Este tipo de corriente no
es muy recomendable en la mayolia de las aplicaciones,
sobre todo para la alimentacin de equipos electrnicos.
As, por ejemplo, si alimentsemos un amplificador de so-
nido, o un receptor de radio, con un circuito rectificador
sin filtrado podramos comprobar cmo aparece un zumbi-
do de baja frecuencia en la salida del altavoz.
En la Figura 8.17(a) se muestra el aspecto de una C.C. pu-
ra, tal como la proporciona una pila. En contraste, en la
Figura 8.l 7(b) aparece una C.C. pulsatmia procedente de
un rectificador de onda completa.
La misin de los circuitos de filtrado es la de reducir las
variaciones de amplitud de la corriente y conseguir que la
corriente sea lo ms constante posible en la carga a alimen-
tar. Cuando se consigue esto se dice que se ha reducido la
componente de corriente alterna de la comente de salida
del rectificador o que se ha reducido ei rizado.
vt~--
1 1 . ,. .
. . . . . . t
(a) (b)
Figura 8.17. Aspecto de una corriente continua.
(a) Pura. (b) Pulsatoria.
r
Los circuitos de filtrado se pueden realizar con: a) un con-
densador, b) redes formadas por inductancias y condensa-
dores.
vAC .
.
t
El rizado que todava perdura en la tensin de salida del
filtro es debido a la carga y descarga del condensador. Un
modo de aminorar el rizado consiste en aumentar el tiempo
de descarga del condensador, lo cual se consigue con con-
densadores de gran capacidad o lo que es lo mismo,
aumentando la constante de tiempo de descarga, la cual es-
llli ~11. filtra con conaensaaor Figura 8.19. Tensin de salida de un rectificador t en funcin del producto de RL C.
con condensador de filtro.
Para conseguir los efectos de filtrado con este sistema se
conecta un condensador de gran capacidad (normalmente El rizado
Para poder explicar cmo acta el condensador en el filtra-
electroltico) en paralelo con la salida del rectificador. Evi-
do, en la Figura 8.20 se muestra la tensin de salida del A las vaiiaciones de tensin que aparecen en la salida del
dentemente, el rizado que aparece en la tensin de salida
filtro en superposicin con la tensin de rectificacin de filtro se las denomina tensin de rizado. La tensin de ri-
ser mucho ms acentuado en el caso del rectificador de
onda completa aplicada a la entrada de dicho filtro. zado se debe a las sucesivas cargas y descargas del con-
media onda que en el de onda completa. Por esta razn,
nos concentraremos en el estudio de los filtros para estos Oa 11 --> el rectificador conduce y se carga el condensador. densador. Segn la Figura 8.21 la tensin de rizado ser
igual a la diferencia de las tensiones V1 - V2 y es V1 el
ltimos rectificadores, ya que son los que tienen ms apli- t 1 a 12 --> el condensador se descarga y deja de conducir el
caciones prcticas. valor ms alto de la tensin de salida y adems correspon-
rectificador. de con el valor instantneo de la tensin a la que comienza
12 a 13 --> elrectificador conduce y se carga el condensador. a descaigarse el condensador (t) y V2 el valor ms bajo de
13 a 14 --> el condensador se descarga y deja de conducir el
rectificador.
dicha tensin y se corresponde con el valor instantneo de
la tensin a la que termina la descarga del condensador (t2).
14 a 15 --> etc.
V,
~:~ Vnz
o t t,t,
Figura 8.20. Tiempos de carga y descarga /2[] /4/5
del condensador de filtro.
Figura 8.21. Tensin de rizado.
El funcionamiento de este filtro es como sigue:
. .sarna,yisull!i'.?!anclo
::e ~9rr 4ifq~s2otid1~t~11sf
1 en
la mid~-. -~._co11ti, En el primer instante (0 a 11), los diodos del rectificador se
Es posible establecer una relacin matemtica entre la ten-
sin de rizado y la capacidad del condensador mediante la
polarizan directamente y el condensador se carga de ener-
. ,, . . A~ensa1;deh90,Q,F (il1 p~f siguiente expresin:
>!e.lii.~9n.ac~ .... ... tpa
megidt,:C 9Ic;jlos~9pfo. el ga mientras la tensin aplicada a sus bornes vaya en
!s
Qompi-f ,te~\(dqs.'pbten\dQ~ ambp~ css (Fe en aumento. Una vez superada la tensin mxima ( 1) y mien-
tras la tensin desciende de valor, los diodos del rectifica- v.=-
I
gptSt~);f.J: "' JC
dor se polarizan inversamente, ya que la tensin con que
Ha~}~_-p~didp'fanripiC1b#;iidf,Ji'o"sidnqep\rrece ha quedado cargado el condensador es algo superior a la
V,;, = Tensin de rizado en voltios.
lllio~~-~ll la:pa11t;1)l1,1 d~l _o~~i!<Jscop\o'ya;n(}pos~~ .ta11tas aplicada a estos. En consecuencia, los diodos dejan de con-
(}rtdiJa:9i~11~syque ~txalr
mediq .ae1a tensin tle s1i- ducir (1 1 a 12) y el condensador descarga la energa acumu- I = Con'iente de C.C. por la carga en amperios.
1ta:aJ.1menrac10/(.; .- . . . . .
,r,,~,:~i~:~
lada por la resistencia de carga RL'
J = Frecuencia del rizado en hertzios.
Este fenmeno se repite continuamente en cada uno de los C = Capacidad del condensador en faradios.
' y . ciclos de tensin pulsatoria de salida del rectificador,
';' ;. ,.,. . ~Iirefi~s ~'
laforma ala te11si11(ie
'.~aldi1/~cinrespecfo~lani~ridh :tt:J ,,.:_::///
manteniendo as la tensin en la carga a un valor ms
constante.
Esta expresin nos indica que es posible reducir la tensin
de rizado con condensadores de gran capacidad. Por otro
lado, tambin nos indica que, segn aumenta la corriente
por la carga, al ser ms rpidas las descargas del condensa-
Cuanto ms constante sea la tensin de salida, ms cali- dor, la tensin de rizado aumenta, disminuyendo, por tan-
El aspecto que tiene la tensin de salida en un circuito rec- dad de C.C. poseer la tensin rectificada. Se dice, en-
tificador de onda completa con condensador de filtrado es to, el valor medio de la tensin de salida de la fuente de
tonces, que se reduce su rizado.
como el que se muestra en la Figura 8.19. alimentacin.
Esta ltima apreciacin es muy importante a la hora de di-
sear una fuente de alimentacin que tenga que alimentar a
cargas de potencia variable, ya que la tensin de salida se
har ms pequea para corrientes de carga elevadas. En
posteriores unidades estudiaremos los circuitos estabiliza-
dores (reguladores de tensin) que consiguen mantener la
tensin dentro de un margen razonablemente estable.
i Actividad resuelta 8.4
Determina la tensin de rizado de un puente rectifica-
dor al que se le alimenta con C.A. de la red a 50 Hz, si
al conectar un condensador electroltico de 600 tF cir-
cula por la carga una corriente de 100 mA.
, Solucin: Dado que se trata de un rectificador de onda
' completa, la frecuencia de rizado ser el doble que la
de la alimentacin de C.A., es decir, 100 Hz.
l 0,1
v . = - = - - - - = 167V
"' /C 100600 10- 6 '
Para un rectificador de media onda la frecuencia de liza-
do coincide con la de la red. En este caso seran 50 Hz.
Por lo general, se disea el condensador para conseguir
una tensin de iizado correspondiente al 10 % de la ten-
sin pico mxima.
Por ltimo indicar que, cuando se utilizan condensadores
de alta capacidad, el valor medio de la tensin de C.C. en
la carga se aproxima bastante a la tensin pico mxima. En
la prctica, para determinar este valor bastar con restar a
esta cantidad la mitad de la tensin de rizado, es decir:
Actividad resuelta 8.5
Determina la tensin de C.C. en la carga de un rectifi-
cador con filtro por condensador, si la tensin mxima
en la salida es de 12 V.
Solucin: Aplicando la regla de diseo del JO %, la
tensin de rizado ser el 10 % de la tensin mxima:
10
V,z = 12 lOO = 1,2 V
Ve;, 1,2
Vcc - Vmx 2 - 12 2 - 11,4 V
Actividad resuelta 8.6
En la Figura 8.22 se muestra un puente rectificador con
filuo por condensador. Disea el condensador de filtra-
do siguiendo la regla del 1O %. Determina tambin la
tensin de C.C. en la carga. la tensin de rizado, as
como la cmriente por la carga.
Figura 8.22.
Solucin: La tensin pico mxima de la C.A. aplicada
al puente es:
0 = 24 y1.,0 = 33 '94 V
Vmax. = V V.L.
La tensin de rizado ser el 10 % de esta cantidad:
JO 10
V,,z = Vmx lO0 = 33,94 IO0 = 3,39 V
Para determinar la tensin de C.C. en la carga sustrae-
remos a la tensin pico mxima el valor cmrespon-
diente a la mitad de la tensin de rizado. Para ser ms
exactos tambin podemos sustraer la cada de tensin ya que recuerda a la letra giiega pi (n). Este tipo de filtros
de los diodos, que en este caso ser de 1,4 V.
L 3.39
Vcc=Vmx- ~'"-1,4 V=33,94-~-l,4=30,85V
Para esta tensin, la corriente por la carga ser:
I
Vcc 30,85
=-=--=015A
ce R 200 '
Para determinar la capacidad del condensador, aplica-
mos la expresin conocida y despejamos C:
1 1 0,15
V- =--->C=-=---=
nz /C JV,,z 100 3,39
=44210- 6 F=442F
1111812. filtros con in~uctancias
y conaensaaorns
Dado que el filtro por condensador todava presenta en su
salida una pequea tensin de iizado, se han desarrollado
otros tipos de filtros ms complejos para conseguir que el
rizado quede prcticamente eliminado. Uno de estos filtros
consiste en conectar a la salida del rectificador una induc- Con el conjunto de contenidos estudiados en esta unidad,
tancia en serie y un condensador en paralelo con la carga, ya nos podemos hacer a la idea de lo que es capaz de con-
tal como se muestra en la Figura 8.23. seguir una fuente de alimentacin. No obstante, ampliare-
mos algunas ideas ms sobre estos equipos en la Unidad
L 13, donde se estudiar el concepto de regulacin de una
~1*rJ,,,,
fuente de alimentacin con el diodo Zener. Adems, se es-
tudiarn otros tipos de fuentes de alimentacin ms co-
merciales, como pueden ser: fuentes estabilizadas construi-
das con diodos Zener y transistores, fuentes estabilizadas
con reguladores de tensin integrados que incluyen la posi-
bilidad de ajustar la tensin en la salida y las fuentes con-
Figura 8.23. filtro con bobina y condensador. mutadas.
El efecto que produce la bobina, al estar en serie con la
carga, es el de reducir la tensin de rizado a valores prcti-
camente despreciables, por lo que se obtiene una tensin
de C.C. en la salida muy similar a la que producen las pilas
~J ~onstruccin ael circuito
y bateras. La explicacin de este fenmeno es la siguiente:
al pasar la corriente por la bobina, esta se opone a las va-
im~reso f montaje
riaciones de corriente debido al efecto de la autoinduccin,
lo que provoca una cada de tensin en la componente de
ne sus com~onentes
C.A., que corresponde a la tensin de rizado. El efecto Antes de pasar a las actividades, donde vamos a proponer
combinado de la inductancia y el condensador dan como el diseo y montaje en una placa de circuito impreso de un
resultado una tensin sin apenas rizado. circuito rectificador de onda completa con filtro por con-
Un filtro con inductancias muy conocido es elfiltro pi, co- densador, vamos a estudiar los procedimientos para su
mo el que se muesua en la Figura 8.24. El nombre provie- construccin y montaje.
ne de la forma que adquiere el esquema del circuito, Hasta ahora hemos realizado el montaje de nuestras activi-
dades en el entrenador didctico. En la prctica, se utilizan
consigue mejorar sensiblemente la calidad de la tensin circuitos impresos como el de la Figura 8.25.
de e.e. El circuito impreso est formado por una placa base de
material aislante (donde se sitan los componentes electr-
tf=+
L
nicos) en la que se adhiere una fina lmina de cobre (donde
1v] *
se conectan los componentes una vez que se hayan forma-
do las pistas de conexin) (Figura 8.26).
e, ,,, Existen diversas tcnicas para conseguir un circuito impre-
so como el de la Figura 8.25, donde se ha disgregado la
lmina de cobre en pistas de conexin y se han realizado
Figura 8.24. Filtro en pi con bobina y condensadores.
Taladros para Pistas de Puntos de
terminales cobre soldadura
/ /
Este tipo de filtros fue empleado hace unos aos por su
gran efectividad en la reduccin del rizado. Sin embargo,
presentan algunos inconvenientes, como un gran tama-
o, un considerable peso y ser poco econmicos, lo que
los hace tiles solo en aquellas aplicaciones donde se
necesite suministrar grandes potencias.
En la actualidad, para fuentes de alimentacin de pequeas
tensiones, los filtros con inductancias se han sustituido por 1
reguladores de tensin integrados, los cuales consiguen re- Taladros Soporte
de fijacin aislante
ducir el iizado y proporcionan en su salida una tensin de
C.C. prcticamente constante. En posteriores unidades es- Figura 8.25. Circuito impreso visto por la cara
tudiaremos este tipo de circuitos. de las pistas de cobre.

Cara de
pistas de cobre==~==
Cara de
componentes
Figura 8.26. Partes de un circuito impreso.
taladros para la conexin de los terminales de los compo-
nentes. Ahora bien, todas tienen algo en comn:
Hay que hacer un diseo previo de la ubicacin y forma
de las pistas de cobre y los taladros.
Hay que conseguir eliminar de la lmina de cobre el ma-
terial que no va a formar parte de las pistas de cobre de
conexin.
tlll ~J l. Oiseo ~e los circuitos
impresos
En cuanto al diseo del circuito impreso, hoy en da exis-
ten multitud de programas de diseo asistido por ordena-
dor, como el Oread o el Workbench Mutisim, en los
cuales basta con realizar el esquema elctrico para con-
seguir obtener un diseo ael circuito impreso como el de
la Figura 8.25.
Para realizar este diseo de forma manual nos podemos va-
ler de una hoja de papel cuadticulado en dcimas de pulga-
da como ei que se muestra en la Figura 8.27.
Hay que tener en cuenta que los componentes electrnicos
se fabrican con una separacin de 1/1 O de pulgada o en
mltiplos de esta medida (1/10 de pulgada"' 2,54 mm).
Figura 8.27. Diseo de circuito impreso con hoja de papel
cuadriculado.
En la prctica se fabrican las lminas de cobre de diferen-
tes espesores. Las que ms se utilizan son de 35 m y 70 rn.
La seleccin del espesor depender de la intensidad de co-
rriente que vaya a fluir por las pistas de cobre.
En el diseo tambin es importante la seleccin del ancho de
pista ms adecuado. Este depender tambin de la intensidad
de coniente que fluya por ellas. El grfico mostrado en la
Figura 8.28 nos ayudar a la seleccin del ancho de pista ms
adecuado para una temperatura ambiente de 20 C.
As, por ejemplo, para una comente de 3 A en un circuito
impreso de 35 rn de espesor la anchura mnima a utilizar
ser de 1 mm.
I1: ,_______~
i '~--,,~---------~
;;;
<( 0,51--+--+--------~
Figura 8.28. Anchura de las pistas de cobre en funcin
de la intensidad del circuito.
La distancia a la que habrn de separarse las pistas de co-
bre en el diseo va a depender de la tensin entre ellas,
y es suficiente una separacin de I mm por cada 100 V de
tensin.
!tlll ~.6.2. Transferencia ael aiseo a placa
Una vez realizado el diseo en el papel, hay que trasladarlo
a la placa de cobre del circuito impreso. Para lo cual exis-
ten diversas tcnicas:
Manual: consiste en dibujar, con un rotulador de tinta re-
sistente al cido, el circuito diseado en la lmina de co-
bre. Para eliminar el cobre sobrante y que no est protegi-
do con el rotulador, se sumerge la placa en una solucin
corrosiva, corno por ejemplo cloruro f1Tico disuelto en
1
agua (unos 500 gramos por cada litro de agua). En unos cucharadas de caf por cada litro de agua). En unos mi-
minutos tendremos el resultado perseguido. nutos la solucin ataca la placa de cobre y disuelve ni-
camente aquellas zonas de la placa donde incidi la luz
Fotogrfico: con este procedimiento podemos realizar cir-
de la insoladora, lo que da como resultado el circuito di-
cuitos mucho ms complejos, sobre todo los que se disean
seado (Figura 8.31 ).
con programas informticos. Las placas que se utilizan con
este procedimiento deben ser sensibles a la luz (placas para
positivos o placas para regativos). El sistema sigue un pro-
ceso muy similar al de la fotografa:
o Primero se obtiene nuestro diseo dibujado en un papel
vegetal o directamente desde el ordenador se imp1irne en
una hoja de papel de plstico transparente (acetato).
o Para trasladar nuestro diseo a nuestra placa de positi-
vos, se desprende la proteccin plstica que lleva incor-
porada nuestra placa virgen y se sujeta nuestro diseo en
papel transparente a esta (Figura 8.29). Figura 8.31. Revelado de la placa.
~.61 ~olaaaurn ~ montaje
ae com~onentes
Placa de cobre
Para unir elctricamente los terminales de los componentes
virgen a los puntos de soldadura del circuito impreso se utiliza la
soldadura blanda a partir del estao. Esta soldadura se rea-
liza a temperaturas relativamente bajas (por debajo de
200 C) con el fin de no daar los componentes o las pistas
de cobre del circuito impreso.
figura 8.29. Positivo sobre placa.
El material que se aporta en la soldadura est formado por
un hilo compuesto de una aleacin de estao-plomo. El
Posteriormente se introduce la placa en una insoladora
(caja hermtica con un conjunto de fluorescentes de luz interior del hilo est relleno de un ncleo de una sustancia
resinosa que, al fundirse, consigue limpiar la zona a soldar
ultravioleta), procurando que la placa sensible de cobre
quede sobre la luz. El tiempo de exposicin a la luz vie- y facilita que el estao penetre y se difunda con facilidad
ne a estar en torno a los dos minutos y depende del mo- entre las dos partes a soldar.
delo de insoladora (Figura 8.30). Para elevar la temperatura de la conexin a soldar, se utili-
za el soldador. El que ms se utiliza para soldaduras en
circuitos impresos es el recto tipo lpiz (Figura 8.32) con
una punta de 2 a 3 mm de dimetro y potencia de 30 a
40 W. Lo ideal es utilizar soldadores de temperatura con-
trolada para evitar sobrecalentamientos en los compo-
nentes.
' Positivo sobre
placa
Figura 8.30. Insolado de la placa.
Por ltimo, se procede al revelado de la placa. Para ello,
se introduce la placa en una solucin de sosa custica
cuya concentracin nos indica el fabricante (unas cuatro Figura 8.32. Proceso de soldadura.

8.1. Diseo y montaje de un rectificador de onda comple-
ta en circuito impreso. Vamos a montar el circuito recti-
ficador de media onda con filtro por condensador que se
propone en el esquema de la Figura 8.33.
C.A.
6V >--o--o + e.e.
C 1.000 F
Figura 8.33.
1. Se toman las medidas de los componentes corres-
pondientes al circuito a montar, para lo cual se puede
consultar en las especificaciones tcnicas que los fa-
bricantes nos facilitan.
2. Se dibujan los componentes a escala real en un papel
cuadriculado, teniencfo en cuenta que su posicin re-
lativa sea la adecuada para posteriormente facilitar
las conexiones. Los puntos de soldadura se dimensio-
nan segn la seccin de los terminales de conexin
de los componentes (Figura 8.34).
n
o O+
C.A. e.e.
u
o -
Figura 8.34.
3. A continuacin se dibujan las pistas de cobre, de tal
forma que conecten adecuadamente los componen-
tes segn el esquema de conexiones (Figura 8.35).
Dado que no hay problemas de espacio, se ha optado
por trazar pistas de algo ms de 1 mm. A la hora de
trazar pistas con cambios de direccin, conviene sua-
vizar los ngulos muy agudos.
C.
figura 8.35.
4. Se corta la placa en las dimensiones previstas (para
ello se puede utilizar una sierra metlica o una ciza-
lla) y se limpia bien con un estropajo, agua y jabn.
5. Se fija el diseo de nuestro circuito sobre la placa de
cobre y con un punzn y un martillo perforamos el
papel y marcamos los puntos de soldadura.
6. Se taladran los puntos de soldadura segn las di-
mensiones previstas.
7. Se dibujan las pistas con un rotulador de tinta indele-
8.2. Estudio de un rectificador de media onda. Vamos a
ble siguiendo nuestro diseo. Conviene manipular
con cuidado la placa de cobre, evitando tocarla con
los dedos. De esta forma prevenimos que se man-
che de grasa.
8. Se sumerge la placa en la solucin corrosiva, si-
guiendo las recomendaciones que facilitan los fabri-
cantes de placas y productos qumicos.
9. Una vez acabado este proceso, se toma el circuito
con unas pinzas de plstico y se aclara con abun-
dante agua. Despus se limpia con agua y jabn (o
alcohol) hasta que no quede ningn resto del trazo
del rotulador.
10. Se insertan los componentes por el lado aislante, se-
gn el diseo del circuito impreso. Previamente se
habrn preparado los terminales de los componen-
tes. Esta operacin se realiza con un alicate peque-
o de puntas planas, haciendo presin con l sobre
el punto de doblado y desplazando con la mano el
!
extremo del terminal. As evitamos realizar una pre-
sin excesiva sobre el cuerpo del componente, que
podra daarse. Adems, conviene practicar el do-
blado del terminal a una distancia suficiente entre l y
el cuerpo del componente para que no se desprenda.
11. Se sueldan los terminales a los puntos de soldadura.
Para ello ten en cuenta las siguientes recomendacio-
nes:
Comprobar el estado de limpieza del soldador. De
no ser suficiente, limpiarlo con una esponja hume-
decida en agua. De la misma forma, tambin con-
viene comprobar que las partes a soldar estn li-
bres de xidos o grasas.
Una vez caliente el soldador, aplicar la punta del
mismo a las dos partes a soldar simultneamente
durante un instante. Seguidamente, apoyar el ex-
tremo del hilo de estao al punto de unin hasta
conseguir que el estao fluya por la unin de una
forma uniforme y suficiente.
La soldadura obtenida debe presentar un aspecto
limpio y brillante. Si se observa algn tipo de crista-
lizacin o granulado, habr sido por no haber apli-
cado el soldador durante el tiempo suficiente, o
bien por haber movido el terminal soldado antes de
su total enfriamiento. En el caso de obtenerse un
color gris mate, habr sido por haber sobrecalenta-
do ia unin, io que tampoco es recomendable.
montar con ayuda de un entrenador didctico el circuito
de la Figura 8.36. La resistencia de carga de 100 Q ac-
tuar como receptor de la e.e. obtenida en la etapa final
por la fuente de alimentacin. El diodo a utilizar podra
ser el 1N4001, que, segn las caractersticas facilitadas
por el fabricante, posee una intensidad nominal de 1 A.
Ice. JRi
12V
:;: 1000
Figura 8.36.
Calcularemos la corriente por el diodo para comprobar
que es inferior a la nominal:
tas ondulaciones y que el valor medio de la tensin de
Vm, = 12J2 = 16,97V
16,97 - 0,7
Vcc=---- 5,18 V
1[
Vcc 5,18
I =- =- = O052 = 52 mA
ce RL 100 '
Consigue las especificaciones tcnicas del diodo y com-
prueba que posee una tensin inversa pico superior a
16,97 v.
Monta el circuito y realiza las siguientes medidas de
comprobacin:
a) Con el polmetro, mide la corriente por el diodo (A), la
tensin alterna de entrada al circuito de rectificacin
(V1 ), as como la tensin continua en el diodo (V,) y
en la resistencia de carga (V3 ) (Figura 8.37).
figura 8.37.
Con los resultados obtenidos, comprueba las relacio-
nes calculadas con anterioridad.
b) Mide con un osciloscopfo !a tensin en !a resistencia
de carga, visualizando la onda y sacando consecuen-
cias de los tiempos de conduccin del diodo (Figu-
ra 8.38).
Si seleccionamos el atenuador vertical en 5 V/div y la
base de tiempos en 5 ms/div, los valores obtenidos de
valor mximo y frecuencia sern (Figura 8.39):
Vmx = 3,4 div 5 V/div = 17 V
T = 4 div 5 ms/div = 20 ms = 0,02 s
1
f=-=50 Hz
0,02
c) Conecta un condensador electrolitico de 100 F, cui-
dando de realizar las conexiones con su correspon-
diente polaridad y vuelve a repetir las medidas.
Habrs podido comprobar que la tensin que aparece
ahora en la pantalla del osciloscopio ya no posee tan-
salida ha aumentado.
 Figura 8.41. Montaje en placa protoboard y medida con osciloscopio.
Figma 8.38. Montaje en placa protoboard y medida con osciloscopio.

nido, etc. Todo es cuestin de calcular y dimensionar las

-4 div vmx -1,4 16,97 -1,4 -4div
Vcc=2---=2 =9,91 V caractersticas que deben poseer los componentes inte-
- " n grantes del circuito rectificador en funcin de la tensin y
___ ___ -
+
3,4div L~
,I'\ ,.!-,
/ I' ,--+; VOLTS/DIV
5 V/div
Vcc 9,91
lec=-=-= 0099 = 99 mA
RL 100 '
+ /'"l 7
3,4div
t
,h.
1 I
I'\ / r..
' / ' I '
1r.. VOLTS/DIV
5V/div
potencia del aparato a alimentar.

8.5. Localizacin de las averas en una fuente de alimen-

t >-- - -
1

i--- La corriente que circula por los diodos ser la mitad que
. -,- TIMEBASE
5 ms/div la que circula por la carga, es decir:
7 10 = 99/2 = 49,5 mA, corriente ms baja que la nominal
de los diodos.
Figura 8.39.
Comprueba que el diodo posee una tensin inversa pi-
Despus conecta un condensador de 1.000 tF y compa- co superior a la tensin mxima de 16,97 V.
ra los resultados de las medidas en los diferentes casos. Monta el circuito de la Figura 8.40 y realiza las sguen-
tes medidas de comprobacin:
8.3. Estudio de un puente rectificador. Vamos a montar
con ayuda del entrenador didctico el circuito de rectifi- a) Con el polmetro: mide la corriente por un diodo, la
cacin en puente de la Figura 8.40. La resistencia de car- corriente por la resistencia de carga, la tensin alter-
ga de 100 f! actuar como receptor del C.C. cedida en la na de entrada al circuito de rectificacin, as como la
etapa final por la fuente de alimentacin. El diodo a utili- tensin continua en la resistencia de carga. Con los
zar podra ser, tambin en este caso, el 1N4001. resultados obtenidos, CO!flprueba las relaciones cal-
culadas con anterioridad.
b) Mide con un osciloscopio la tensin en la resistencia
de carga, visualizando la onda y comparando los re-
sultados obtenidos con el rectificador de media onda
(Figura 8.41).
Al igual que se hizo para el rectificador de media on-
Ri,
da, si seleccionamos el atenuador vortcal en 5 V/
100n
div y la base de tiempos en 5 ms/dv, los valores ob
tenidos de valor mximo y frecuencia sern (Figura
8.42):
Figura 8.40.
Vmx = 3,4 dv 5 V/dv = 17 V
Calcularemos la corriente por el diodo para comprobar T= 4 dvS ms/dv = 20 ms = 0,02 s
que es nferor a la nominal (1 A):
1 El aparato a que nos estamos refiriendo podra ser un re-
f=-=50 Hz
Vmx = 12 )2 = 16,97 V 0,02
TIMEBASE
5 ms/div
Figura 8.42.
c) Conecta un condensador de 1.000 F en paralelo con
la carga, repite todas las medidas y compara los re-
sultados.
d) Retira la resstenca de carga de 100 Q y conecta aho-
ra una carga de 1OQ. Repite las medidas y comprue-
ba cmo aumenta la tensin de rizado y dsmnuye el
valor meda de la tensin de C.C. en la carga.
8.4. Identificacin de las caractersticas de puentes recti-
ficadores encapsulados. Consigue unos cuantos puen-
tes rectificadores encapsulados de diferentes tipos, iden-
tifica su referencia y, con ayuda de las especificaciones
tcnicas que facltan los fabricantes de los mismos, ob-
tn sus caractersticas ms relevantes.
De los puentes identificados, cul sera el ms adecua-
do para la realizacin de la actividad anterior?
Con los circuitos aqu montados, podemos alimentar con
e.e. a cualquier aparato electrnico que funcione a la
tensin Vcc, obtenida en la salida de dichos circuitos.
Por supuesto, la resistencia de carga habr que eliminar-
la previamente, ya que su funcin es solo simular el apa-
rato que realmente deseamos alimentar.
ceptor de rado, un cargador de bateras, un equipo de so-
tacin. Se trata de que detectes y repares alguna de las
averas que hayan podido surgir en las fuentes de al-
mentacn montadas en las actividades anteriores.
La localizacin de las averas y su posterior reparacin
es un ejercicio muy importante que hay que r desarro-
llando y dominando paulatinamente. Seguidamente ex-
ponemos algunos consejos que sern de gran utilidad
para conseguir el objetivo marcado.
El proceso de localizacin de las averas de cualquier
equipo podra ordenarse en las siguientes fases:
a) Observacin de los sntomas que aparecen por un
mal funcionamiento del equipo.
b) Estudio de las causas que producen tales sntomas.
c) Reduccin de las posibles causas, mediante pruebas
y medidas, hasta encontrar la verdadera causa de la
avera.
d) Reparacin o sustitucin de los componentes o par-
tes defectuosas.
Siguiendo este proceso ordenado es ms fcil detectar
la posible avera.
A modo de ejemplo, vamos a estudiar cul sera el pro-
cedimiento a seguir para localizar las averas en una
fuente de alimentacin.
Las fuentes de alimentacin, como cualquier sistema de-
fectuoso, suelen presentar sntomas muy concretos. Pa-
ra definirlos, hay que conocer previamente cmo se
comportan normalmente.
 Los sntomas que se pueden apreciar en una fuente de
alimentacin como la de la Figura 8.43 son:
a) Ausencia de tensin en la salida.
b) Tensin de salida baja.
e) Rizado excesivo.
' FIF
J
A B
r,\j
figura 8.43.
Una vez que se han determinado los sntomas, habr
que estudiar las posibles causas de la avera.
a) Ausencia de tensin en la salida. Las causas pue-
den ser:
Un fusible fundido.
Un interruptor defectuoso.
Conductores de alimentacin o toma de corriente
defectuosos.
Un transformador defectuoso.
Diodos abiertos.
Condensador del filtro perforado.
Una vez hecho esto, el siguiente paso es reducir las
posibilidades a una de las causas. Para ello, hay que
realizar unas cuantas medidas de comprobacin. En
el caso del circuito mostrado en la Figura 8.43 estas
medidas pueden consistir en medir la tensin que
aparece en los puntos A, B, C, D y E. Pudiendo sa-
car de los datos obtenidos en las mediciones, las si-
guientes conclusiones:
1. Tensin en A igual a cero--, Conductores de ali-
mentacin, toma de corriente o transformador de-
fectuoso.
2. Si hay tensin en A pero no en B..., Interruptor
defectuoso.
3. Si hay tensin en B pero no en C..., Fusible fundi-
do.
4. Si hay tensin en C y no en O-, Puente rectifica-
dor defectuoso.
En el caso de que el fusible est fundido, no es con-
veniente sustituirlo de inmediato, ya que la causa
puede deberse a otro componente defectuoso. En
estos casos es recomendable verificar el estado de
los diodos y del condensador, ya que algunos de es-
tos podran estar cortocircuitados.
Para comprobar los diodos, lo mejor es separar uno
pm uno los terminales del circuito impreso y verifica1
su resistencia interna con el hmetro.
Conviene tomar unas pequeas medidas de seguri-
dad antes de realizar esta operacin, como desco-
nectar la alimentacin de la red y comprobar que el
condensador de filtrado est descargado. Tambin
se puede comprobar el estado de un diodo sin sepa-
rarlo del circuito, para lo cual tendremos que utilizar
el osciloscopio.
b) Baja tensin en la salida. Las causas pueden ser:
Corriente de carga excesiva.
Baja tensin en la red.
Condensador de filtro defectuoso.
Rectificadores defectuosos.
Las dos ltimas causas pueden consistir en la prdi-
da de capacidad del condensador o diodos defec-
tuosos.
e) Rizado excesivo. Puede estar motivado por los
condensadores de filtros defectuosos.
Recambio de los componentes defectuosos
Una vez que se han localizado los componentes defec-
tuosos, hay que sustituirlos por otros. Lo ms recomen-
dable es sustituirlos por recambios exactos, aunque si
no se dispone de ellos se puede recurrir a los equiva-
lentes.
Estos equivalentes deben poseer, al menos, las mis-
mas caractersticas nominales que los originales. No se
podr sustituir, por ejemplo, una resistencia de 1 W por
una de 1/2 W, ya que con el tiempo acabara por des-
truirse.
Tambin es muy importante que los recambios equiva-
lentes posean las mismas dimensiones, ya que en caso
contrario no podran encajar correctamente en el circui-
to impreso.
Las guas de equivalentes de semiconductores son
muy tiles para encontrar los recambios adecuados. Se
puede decir que el repuesto ms seguro es aquel que
posee los mismos valores nominales y dimensiones
que el componente al que sustituye.
8.1. Para la construccin de un rectificador trifsico de onda corriente por la carga en cada uno de los casos. Por lti-
completa se necesitan: mo, dibuja los esquemas elctricos correspondientes a
cada uno de los circuitos indica.dos.
a) 4 diodos.
b) 3 diodos. 8.7. Se quiere determinar cul de los diodos que se exponen
en la Tabla 8.1 ser el ms adecuado para utilizarlo en un
e) 6 diodos.
rectificador de media onda de las siguientes caractersti-
8.2. Qu rectificador consigue una menor tensin de rizado cas: tensin eficaz alterna de entrada igual a 50 V, resis-
tencia de la carga igual a 500 n.
a iguales condiciones de filtrado?
a) El rectificador de onda completa. Tabla 8.1.
b) El rectificador de media onda.
e) El puente rectificador.
1N914 75 V 200 mA
8.3. Si el valor eficaz de la tensin alterna aplicada a la entra- 1N1185 120V 35 A
da de un rectificador en puente es de 200 V, averigua
1N4001 50 V 1A
cul ser la tensin mxima que debern soportar los
diodos.
8.8. Y para un puente rectificador al que se le aplican 30 V
8.4. El valor eficaz de la tensin alterna a la entrada a un rec-
de tensin alterna de entrada y se le conecta una resis-
tificador de media onda es de 17 V. Cul ser la lectura
tencia de carga de 25 m
de un voltmetro de continua conectado a la salida?
8.9. A un puente rectificador, con filtro por condensador, se
8.5. El valor mximo de la tensin alterna de entrada a un
le aplica una tensin senoidal de 50 Hz y 12 V. Disea
puente de rectificadores es de 100 V. Cul ser la lectu-
el condensador de filtrado siguiendo la regla del 1O %
ra de un volimetro de continua conectado a la salida?
para una carga de 100 n. Determina tambin la tensin
8.6. Encuentra la corriente nominal de los diodos de silicio,
de e.e. en la carga, la tensin de rizado, as como la
corriente por la carga.
asi como su tensin inversa pico mxima, para los dife-
rentes tipos de circuitos rectificadores: a) rectificador de
8.10. A un puente rectificador, con filtro por condensador, se
media onda, b) rectificador de onda completa con trans-
le aplica una tensin alterna senoidal de 50 Hz y 24 V.
formador de toma intermedia, c) puente rectificador.
Se trata de averiguar la tensin de rizado, as como su
Las caractersticas a las que se someten dichos circui-
porcentaje respecto a la tensin de C.C. ( factor de
tos rectificadores son en todos los casos: tensin eficaz
rizado) si la resistencia de carga es de 240 !1 y la capa-
en el secundario del transformador = 24 V, resistencia
cidad del condensador 500 F.
de la carga = 100 l. Determina tambin la tensin y la
8.1. Consulta en Internet sobre los temas relacionados con 8.2. Busca en Internet software para el diseo y la simulacin
esta unidad e intenta contrastar y ampliar la informacin de circuitos electrnicos, instala alguno de los programas
obtenida. Adems, busca un fabricante de puentes de en tu ordenador y aprende a realizar tus propios diseos
diodos para circuitos electrnicos y analiza las caracte- y simulaciones.
rsticas de los diferentes tipos fabricados.
 A modo de ejemplo, a continuacin presentamos una re-
lacin de programas de diseo y simulacin:

Tabla 8.2. Programas de diseo electrnico y simulacin.

Altium designer B2 Spice

Bartels AutoEngineer BSch3V
Cadstar CIRCAD
CircSchema Circuit Shop
Crocodrile clips Designworks
Figura 8.45. Proteus.
Diptrace Eagle
Edison EDWinXP
ExpressPCB FreePCB
fi'_t='l:h;!f#_t:' ti'!.Ni ~ ~
,:.i:lil a f.",_~ C::::-':~ffl'iim:,ii

GEDA KTechlab
Livewire Micro-Cap
MultiSim (Electronics Workbench) ORCAD
Oregano Pad2pad
PCB 123 PCB artist
PCB elegance PCB Wizard P0,21~ i~~~~ ~I~ ~: ~ ~ ~g~ tl.20

:~x~1 ;~::!
ProSchematic Proteus Pl.1~
~cz
P0.15
P~c<L---1--1
\IDDA \/SS
Qucs Rimu PCB P1.18
P0.25
P0.14
Pl.22
~ ~~!!
Rimu Schematic Simetrix
Simulador de Circuitos Digitales Splan Figura 8.46. OrCAD.
Sprint-Layout Super spice
Tina TinyCad
..... ,,,,,. ...,,,,,.,.......
_iiga;-,_i:,,:.---.:- ;- .--~,--t-fio.-,,-;,,_-. --.--..
TopSPICE VirtualBreadboard
Visua!Spice WinCircuit
WinQcad WinSchema
XCircuit Yenka Electronics

;'"
!'' -
'l'lo,ld' .J.J

Figura 8.47. Livewire.

Figura 8.44. MultiSim.


~.1. lransistorns aipolares
Al igual que los diodos de unin, los transistores bipolares
se construyen gracias a la unin de los cristales semicon-
ductores de tipo P y de tipo N.
El transistor es un componente fcilmente identificable por
sus tres terminales de conexin que asoman al exteiior a
travs de una de las bases de su cpsula (Figura 9.1). Estos
suelen estar dispuestos en lnea o segn los vrtices de un
tringulo imaginario.
figura 9.1. Aspectos de transistores con diferentes
encapsulados.
Cada uno de estos terminales est unido a un cristal semi-
conductor de tipo P o tipo N. De esta forma, nos encontra-
mos con un terminal de emisor, un terminal de base y otro
de colector.
Existen dos tipos de transistores, los PNP y los NPN. En la
Figura 9.2 se muestra la disposicin de los cristales en ca-
da uno de los tipos, as como su smbolo correspondiente.
Obsrvese que si el transistor es PNP (PeNetra) la flecha
correspondiente al emisor se dibuja hacia dentro y si es
NPN (No PeNetra) dicha flecha se dibuja hacia fuera.
Colector Colector
Base-< Base~
Emisor Emisor
Figura 9.2. Transistores NPN y PNP.
La disposicin de los terminales de un transistor depende
del tipo de encapsulado con el que se haya construido. Esta
informacin siempre se puede obtener consultado las hojas
de caractersticas que facilitan los fabricantes. En la Figura
9.3 se muestran algunos ejemplos de dnde se encuentra el
emisor, la base y el colector de algunos encapsulados de
transistores.
T0-92 T0-18 TO-220
E B C C E B BCE
figura 9.3. Ejemplos de disposicin de terminales
de un transistor.
En el proceso de fabricacin de un transistor NPN, se ha-
ce que el cristal semiconductor correspondiente al emisor
est muy contaminado, por lo que contendr un exceso de
portadores de carga; su tarea consistir en enviar o emitir
estos portadores de carga (electrones) a la base. El cristal
semiconductor de la base se fabrica extremadamente del-
gado y con un grado tenue de contaminacin; los electro-
nes emitidos por el emisor atraviesan, prcticamente en
su totalidad, a este cristal, para acabar dirigindose al co-
lector. La misin de la base consistir en controlar dicho
flujo de electrones. E! crista! semiconductor del colector
se fabrica con un grado de contaminacin intermedio y
recibe este nombre por recoger los electrones enviados
por el emisor.
~J funcionamiento
nel transistor
Para estudiar el funcionamiento del transistor, nos vamos a
referir exclusivamente al tipo NPN.
::\. \:. '". :"\' :: '
;~fividad expe;irn'l:!ntal 9;1 ....
'~-
~;Lrn:i&;~ u tr~ni;st~f ~r-hl~1 ciiI11pJti~~~~ de '
comppnente{ileJ entr~nador c.tidctico, pr' ejemplo el i
SCIQ7 y mqi:t~ ei :cirG~iio de la Figu~a 9.4 mediarite :
Uffdiodb LED one~tadd ~n serie COff una resistencia .
de470 Q y aiireta el foijunto por.una pila o. fuente
de alimentacin.de. 9 V. '
 El transistor es capaz de controlar la corriente principal
que fluye entre el colector y el emisor gracias a la peque-
a corriente aplicada a 1a base.
Si la corriente por la base es nula, tambin lo ser la co-
rriente entre el emisor y el colector, quedando el transis-
tor en corte.
Si la corriente por la base es grande, la corriente entre el
emisor y el colector se hace mxima, entrando el transis-
tor en saturacin.
Figura 9.13. Polarizaciones en un transistor PNP.
Si hacemos variar la pequea corriente aplicada a la ba-
se entre los valores que producen el corte y la satura-
~.2.1. ~mil hiarulico ael cin, la corriente principal entre el emisor y el colector se-
guir estas variaciones pero con corrientes ms fuertes
!uncionamiento ael transistor (efecto de amplificacin).

Para ayudamos a entender mejor el funcionamiento de un

transistor, vamos a hacer una comparacin entre un circuito
hidrulico y un circuito elctrico (Figura 9.14 y Tabla 9.1).

Vlvula de control

Corriente del emisor Transistor Coniente del colector

E C
Este fenmeno nos permitir que, con la dbil corriente
que puede tener cualquier forma de variacin en el tiempo,
como pueden ser seales de radio, TV, sonido, etc., poda-
B l Corriente de
la base Motor
mos obtener la misma forma de variacin en el tiempo so- Motor M. elctrico
bre una corriente mayor, procedente de una fuente de ali- hidrulico
mentacin, lo que da lugar a poder transformar seales
dbiles en otras suficientemente fuertes para producir, por
ejemplo, sonido en un altavoz, imagen en un televisor, etc.
(Figura 9.12).
Circuito elctrico
Circuito hidralico
Figura 9.14. Comparacin entre un circuito hidrulico y un circuito con transistor.

Tabla 9.1. Smil hidrulico del funcionamiento del transistor.

Entrada

Si la llave de paso est cerrada, la Si variamos la resistencia del

Figura 9.12. El transistor como amplificador. fr=O E C fr=O potencimetro R, hasta conseguir
vlvula de control tambin est

El estudio que se ha hecho para el transistor NPN es igual-

mente vlido para el PNP, con la nica diferencia de que
en el caso del transistor PNP la conduccin se produce
cerrada gracias al muelle de cierre
de la misma, por lo que el motor
hidrulico no se mueve. T,Transitor en corte
que la intensidad por la base (/8 )
sea nula, la unin base emisor no
est polarizada, por lo que, tanto la
corriente de emisor ([E) como la
de colector se anulan (/el
cuando se aplica una tensin negativa en el colector con Vlvula cerrada (funcionamiento del transistor en
respecto al emisor y una tensin igualmente negativa, aun- corte) y el motor no se mueve.
que de inferior valor a la base, con respecto al emisor (Fi-
(continta)
gura 9.1~).
 (Continuacin)

Si abrimos ms o menos la llave

de paso, la presin qne llega a la
vlvula de control empuja el
m~elle y hce que esta se habr
tambin ms o menos. El caudal
.E~-C. Si variamos ms o menos la
resistencia del potencimetro
hasta conseguir que la pequea
intensidad por la base sea
suficiente para polarizar la nin
Activid~J ~~ptrinie~t.tl:9,7.,,.

I~~:i ,i \i:~i~i :i :~~d~~iJ1;i \t!s~tilit

.meiei se)x 9n~il
' - , . .<o,,,,
!gimisidea~ p~ra onseguirl()i ..
v;.c.. P'/,,_., __ ..... '-~- ',-., ', ,, \",,:,_:\ > '. - ,:<:
::, ,;--

etp_ii9~les d~l. ~ah-'

~.J.1. ~om~ro~acin ael esta~o
ae un transistor
P8ra comprobar si un transistor est en buen estado utiliza-
remos el hmetro. Con l verificaremos la resistencia entre
por la tubera principal se har base nsor, se conseguir que los terminales del transistor con las diferentes posibilida-
''iwiguf~di~n~o
ms. o rnenoS grnnde y e1 motor aparezca un valor de intensidad de "s difeten(es trini" des de polarizacin, leniendo en cuenta que: a) con cual-
Transitor en regulacin'
hidrulico se mover con ms o corriente en el emisor y colector lo
menos velocidad. Con un pequeo suficiente grande para mover el
En ,uf< fr~9s1i1]~ &.. ..
~~i'ii~e~istencia quier polaridad, la resistencia obtenida, al aplicar el hme-
tro entre el colector y el emisor, es siempre muy alta para
. .. lcolectCJry~l~uii~cj(~s sieJnpfe 1Rt1ytlta,uF.
aumento del caudal en la tubera motor .elctrico (fuizciona1niento un transistor en buen estado; b) al polaiizar directamente
de la llave de paso se ~onsigue un del transistor en regulacin). Con ~t1iera.gu,{~ea lro~~?~~ pHpa~~.pPCfl. lh.mftro;
aumento ms grande en la tubera un pequeo aumento en la
cuari~asi. haga .est~
;vlifiAt:a;iii,; qjCltrq:tepnir;a.\CO' cualquiera de las uniones entre base-colector y base-emi-
sor, la resistencia obtenida para un transistor en buen esta-
principal. De esta fonna, corriente de base se consiguen
conseguimos regular la velocidad aumentos ms grandes en las J!?~~!{2~~l[[!ei~:~~s,~;14t~ij~J/;l ';Jn1i' 1d;:: do debe ser baja.
del motor hidrlico con un corrientes de. emisor y ~olector pru~bapq~itj?~ ~n Qlla yj~ \l~~~t\v.i i Mlg . .(lo~/ Por otro lado, los polmetros digitales suelen ir equipados
pequeo esfuerzo en la llave de (amplificacin).
paso (amplificacin). .~at~dps,di9~ds.
9
;~~,~11i[tk;~htiil~1~~i~n:dii1J:1i
con un dispositivo, llamado transistmetro, para poder co-
nectar el transistor y as poder determinar su ganancia. Pa-

.E C.
los. cto d~;la't~n~inpqsit/y~):lli\;a,cla>

( ra ello dispone de dos filas de tres conexiones, una para
Si abrimos la llave de paso los Si variamos la resistencia del orrefo . . .. . ... . .... Js~~tade.pctran#st~f.t/P? transistores PNP y otra para NPN, tal como se muestra en
suficiente para conseguir que la potencimetro hasta conseguir que la Figura 9.16.
. . anzad~:t~'j5f'lft{~lj1i~t-~!ht!t~}~~~'
presin sobre el muelle se la c01riente de base polarice el

~w~
desplace hasta su posicin transistor hasta el mximo, la

Vlvula abierta
mxima, la vlvula principal se
abrir totalmente. El caudal por la
tubera principal se har ahora
mximo y el motor hidrulico se
mover a la mxima velocidad.
7f.
Transitor en saturacin
intensidad del colector se har
mxima (funcionamiento del
transistor en saturacin) y el
motor elctrico se mover a la
mxima velocidad.
Por si te sirve de ayuda, en la Tabla 9.2 se indican las me-
didas de resistencia que se dan en cada caso para los dos
tipos de transistores.
Con este sencillo procedimiento tambin se puede llegar a
averiguar cul de los tenninales corresponde al emisor y
cul al colector. Para ello, hay que tener en cuenta que:

La resistencia y tensin de barrera de la unin base-co-

~.J. laentificacin Sita el selector en el campo
lector es algo menor que la correspondiente a la unin
base-emisor.
figura 9.16. Medida de la ganancia mediante
polmetro digital.
ae transistores para medir ohmios

Tabla 9.2.
Con este dispositivo podemos medir la ganancia de un
La mejor forma de identificar un transistor es anotar su transistor una vez conectado en el apartado que le corres-
referencia y, posteriormente, consultar sus caractersticas ponde, segn su tipo y en el orden de terminales correcto.
en las hojas de especificaciones tcnicas del fabricante, o Aprovechando el transistmetro, se puede verificar el esta-
en un libro de caractersticas de transistores. do de un transistor, ya que si este est en buen estado ten-
dr que medirse una ganancia aceptable. Con este sistema
Mediante un mtodo muy sencillo se puede determinar si colector emisor Ra!ta Ralta
tambin es posible comprobar la disposicin de los tres ter-
un transistor desconocido es del tipo PNP o NPN. Este m-
emisor colector Ralla Ralea
minales del transistor, ya que hasta que este no se conecta
todo consiste en tomar varias medidas, con el polmetro
adecuadamente al transistmetro no se mide ganancia al-
utilizado como hmetro en el rango de x 100, de las resis- emisor base Rbn.ja Ralea guna.
tencias que aparece!\ entre los diferentes terminales del
base emisor
transistor (Figura 9.15). Ralta Rbaja

base colector
Figura 9.15. Identificacin del tipo de transistor colector base
Ralta

Rbaja
Rbaja

Ra11a
IHI U.2. fnca~sulaao ~e !ransistores
mediante un polmetro.
El tamao de la capsula de un transistor depende de la po-
Esta diferencia es ms apreciable si medimos la tensin de tencia que es capaz de disipar. Los transistores se fabrican
barrera con un polmetro digital. en diferentes tipos de encapsulados normalizados en fun-
cin de la aplicacin. En la Tabla 9.3 se muestra un resu-
men de los encapsulados ms utilizados y la disposicin de
sus terminales.
Tabla 9.3. Encapsulado de transistores.
Se emplea para transistores de peque-
a seal. El cuerpo est formado por
una carcasa metlica.
Muy uti!izdo en transistores de pe-
quea seal. El cuerpo es de plstico.
E B C
Se emplean para transistores de pe-
quea potencia y existe la posibili-
dad de fijarlos a aletas de refrigera-
cin mediante un tornillo, gracias al
'
orificio central con el que viene dis-
puesto.
CB
Se utilizan para transistores de algo
ms de potencia que los anteriores.
Aqu tambin es posible la fijacin de
una aleta de refrigeracin.
Se emplean en transistores de gran
potencia. Su cuerpo es metlico y se
suelen fijar a aletas de refrigeracin
a travs de dos tornillos. Solo dis-
pone de dos terminales, ya que el
colector se conecta directamente al
cuerpo metlico.
U.l ldenlificacin de com~onentes
semiconduclores
Para identificar a los semiconductores se inscribe en su en-
capsulado un cdigo de designacin normalizado, como
por ejemplo el BC107. Este cdigo nos proporciona infor-
macin bsica sobre el tipo de componente semiconductor.
En la actualidad existen tres tipos de cdigos segn el pas
de origen:
Europa
Estados Unidos
Japn
Averigua el significado de los siguientes cdigos de de-
signacin: BC107-BSX51-1N4001-2Nl025-2SB984.
Para poder resolver esta actividad consulta en el
MATERIAL WEB que se ha elaborado para este
texto el documento: Identificacin de componen-
tes semiconductores>>, donde podrs encontrar el
significado de cada uno de los cdigos segn el
pas.
ll ~.4. lntensiaaaes ae corriente
en el transistor
En los apartados anteriores hemos estudiado, de una forma
experimental, el funcionamiento del transistor. Completa-
remos a continuacin algunos otros aspectos ms particu-
lares del mismo, como son la relacin de intensidades de
corriente que aparecen en cada uno de los terminales del
transistor. Pero antes vamos a realizar un pequeo repaso
de los conocimientos ya adquiridos, intentando, a su vez,
dar una mayor profundidad a los mismos.
Este estudio lo realizaremos tambin sobre un transistor
NPN. Este tipo es ms utilizado que el PNP, ya que acta
algo ms rpido y se adapta mejor a los sistemas donde se
conecta el negativo a masa. No obstante, es fcil encontrar
los dos tipos de transistores en un mismo circuito, ya que
su combinacin ampla las posibilidades del diseador.
Tal como est polarizado el transistor NPN (Figura 9.17),
el diodo formado por la unin del emisor y la base queda
polarizado directamente con la tensin V8E. Para que esto
ocurra, ser suficiente con una tensin mnima, superior a
la umbral, que en el caso del silicio ser de 0,6 V a O, 7 V.
Este fenmeno de polarizacin directa hace que la resisten-
cia base-emisor (R8E) disminuya a un valor muy reducido
(por debajo de los 100 Q).
Por otro lado, el diodo formado por la unin de la base y el
colector aparece polarizado inversamente por la tensin
Vca, que es de un valor mucho ms alto que VaE De aqu,
se deduce que la resistencia entre el colector y la base
(Real sea de un valor elevado (unos 10 kQ).
N p i N
Base
h le
lo
VBE Ven
1111
VCE
----..
VBE\,: )ve,
h le
In
VBE Ven
1111
Figura 9.17.
Sin embargo, tal como se pudo apreciar en las experien-
cias llevadas a cabo, la corriente es capaz de atravesar
tanto la unin polarizada directamente como la polariza-
da inversamente. De tal forma que el valor de la corriente
que entra por el emisor l E se acerca bastante a la del co-
lector le, por tanto la corriente que sale de la base ser
muy pequea.
Efectivamente, la regin que ocupa la base del transistor es
muy reducida y est mnimamente impurificada, por lo que
posee muy pocos huecos. De esta forma, los electrones que
emite el emisor superan sin dificultad la unin emisor-base,
por estar polarizada directamente. Pero es probable que
uno de estos electrones encuentre en la base un hueco libre
con el que combinarse. Por ello, la corriente de base ser
muy dbil. Sin embargo, estos electrones, una vez que supe-
ran la barrera de emisor-base, se sienten fuertemente atra-
dos por el potencial elctrico positivo del colector, por lo que
se establece un valor considerable de corriente de colector le-
Lo normal es que el 99 % de la corriente del emisor se
dirija directamente al colector y que el 1 % restante lo ha-
ga a la base.
Se puede establecer una ecuacin que relacione estas tres
corrientes, de tal forma que:
lee en sus hojas de caractersticas una hFE entre 150 y 290;
A pesar de que la corriente de base es muy dbil, esta es
muy valiosa, ya que gracias a ella se puede gobernar la
gran corriente que aparece en el colector. De tal forma que,
si la corriente de base fuese nula, no habra corriente de
colector. Tngase en cuenta que, al desaparecer la tensin
de polarizacin de la unin emisor-base, los electrones del
emisor no pueden superar esta barrera.
11 ~.5. Ganancia ae corriente
o ~armetro aeta (p)
ae un transistor
La circunstancia de que una pequea corriente de base
controle las corrientes de emisor y colector mucho ms
elevadas, indica la capacidad que posee un transistor para
conseguir una gran ganancia de corriente. As, la ganancia
de corriente de un transistor es la relacin que existe entre
la variacin o incremento de la corriente de colector y la
variacin de la corriente de base.
, Actividad resuelta 9.1
En el caso de que en un transistor se obtenga una varia-
cin de corriente de colector de 8 mA y de 0,08 mA en
la corriente de base, la ganancia ser:
8
P=-=100
0,08
La ganancia de corriente de los transistores comerciales
vara bastante de unos a otros. As, nos podemos encontrar
transistores de potencia que poseen una p de tan solo 20.
Por otro lado, los transistores de pequea seal pueden lle-
gar a tener una Pde 400. Por todo ello, se puede considerar
que los valores normales de este parmetro se encuentran
entre 50 y 300.
En las hojas de especificaciones tcnicas, que facilitan los
fabricantes de transistores, en vez de utilizarse ppara iden-
tificar la ganancia de corriente, se suele utilizar hFE. As
por ejemplo, para el transistor con referencia BC 108, se
lo que nos indica que la ganancia de corriente de este tran-
sistor puede encontrarse entre estos valores.
La ganancia de corriente vara notablemente con la co-
rriente de colector. Adems, la temperatura ambiente in-
fluye positivamente en el aumento de dicha corriente. Hay
que pensar que, al aumentar la temperatura de la unin del
diodo colector, aumenta el nmero de portadores minorita-
rios y, por tanto, se produce un aumento de la corriente de
colector.

9.6. Tensiones ~e ru~turn
Al igual que ocurra con los diodos, cuando se polariza in-
versamente cualquiera de las uniones de un transistor, apa-
recen pequeas corrientes inversas, que no provocarn la
ruptura de dichas uniones, si la tensin que se aplica no
supera los valores mximos fijados en las hojas de especi-
ficaciones tcnicas. Se pueden dar dos casos diferentes a
tener en cuenta:
a) Tensin inversa colector-base (Vcnol con el emisor
abierto: en la Figura 9.18 se ha abierto el circuito del emi-
sor; observa cmo la unin formada por la base y el colec-
tor estn polarizadas inversamente con la tensin Vca Co-
mo ocurra con los diodos, esto provoca la circulacin de
una pequea corriente de fuga (ICB 0 ) que no ser pe-
ligrosa hasta que no se alcance la tensin de ruptura de
la unin. Normalmente esta tensin suele ser elevada (del
orden de 20 a 300 V).
lom
Figura 9.18. Transistor con el emisor abierto.
Nunca deb~r trabajarse, por supuesto, con una tensin su-
perior a la indicada por el fabricante en sus hojas tcnicas.
Este dato suele aparecer indicado con las siglas Veso
b) Tensin inversa colector-emisor (VCE0 ) con la base
abierta: en este otro caso, se ha abierto la base y, por tan-
to, se aplica una tensin entre el colector y el emisor que es
igual a la suma de las tensiones de las dos fuentes (Figura
9.19). Esta fuerte diferencia de potencial provoca un pe-
queo flujo de electrones que emite el emisor y que se
sienten fuertemente atrados por el potencial positivo de la
fuente. El resultado es una pequea coniente de fuga de
emisor a colector IcEo Al igual que ocurra anteriormente,
el valor de esta corriente est determinado por la tensin
colector-emisor CVcEOl aplicada. En las hojas tcnicas tam-
bin aparece la tensin mxima de funcionamiento (VCE 0 ),
que en ningn caso debe ser superada, para evitar el peli-
gro de destruccin del semiconductor.
As, por ejemplo, para el transistor BC 108, en las hojas de
especificaciones tcnicas aparecen los siguientes valores
para las tensiones de ruptura: Vcno = 30 V y VCEo = 20 V,
lo que significa que este transistor nunca deber operar con
tensiones superiores a estos valores especificados.
l'igurn 9.1'L Transistor con la base abierta.
9.1. Larnctersticas ~e los
transistores ~i~olarns
Las curvas caractersticas del transistor relacionan entre s
todas las magnitudes de tensin e intensidad de corriente
que se dan en l, como son: la tensin colector-emisor
(VCE), la tensin base-emisor (V8E), la tensin colector-ba-
se (Vcal, la corriente de base (la), la corriente de colector
Ucl y la corriente de emisor ([E)- De esta forma, conocien-
do las curvas caractersticas, se puede entender el funcio-
namiento del transistor, as como determinar la mayor par-
te de los aspectos que lo definen, como pueden ser:
parmetro p, resistencia de entrada y resistencia de salida,
ganancia de tensin, determinacin del punto de funciona-
miento de un transistor y otras ms.
~.7. 1. ~urvas caractersticas con
01 emisor comn (f ~)
La mayora de los circuitos con transistores utiliza el emi-
sor como terminal comn entre la entrada y la salida, en
vez de la base. En la Figura 9.20 se muestra el circuito b-
sico con la configuracin en emisor comn (EC).
Ahora la base hace de electrodo de entrada y el colector de
electrodo de salida.
le
Rn
Van Vcc
Figura 9.20. Transistor en emisor comn.
El funcionamiento del transistor en este circuito es similar
al de la configuracin BC. Cuando la tensin de polariza-
cin directa VBE del diodo emisor-base supera los 0,7 V
(para transistores de silicio), los electrones libres, que pro-
vienen del emisor, traspasan la delgada capa de la base, en
direccin al colector, empujados por el fuerte potencial
elctrico causado por la polarizacin inversa VCE. Como
podremos comprobar e11 las curvas caractersticas, el valor
de la corriente de colector depender casi exclusivamen-
te de la corriente de base.
Caractersticas le= f WcE) para 111 = cte
Estas caractersticas tambin son conocidas como familia
de colector, ya que son las correspondientes a la tensin e
intensidad del colector. En la Figura 9.21 se muestra una
familia de curvas de colector para diferentes valores cons-
tantes de la corriente de base.
100
le
(mA)60
40
20
O 10 20 30 40 50
VCE(V) ___,...
Figura 9.21. Curvas le= f(Vc,J para 18 constante.
Estas curvas representan, en cierto modo, la forma de fun-
cionamiento del transistor. Se puede comprobar que, para
una tensin constante de colector-emisor, si se producen
pequeas variaciones de la corriente de base (del orden
de A) se originan unas variaciones en la corriente del co-
lector mucho ms elevadas (del orden de mA). De lo cual
se deduce la capacidad del transistor para amplificar co-
rrientes.
Observa que, en la mayor parte de las curvas, la tensin
VcE afecta muy poco a la corriente de colector le. Si se
aumenta VCE demasiado (por encima de VCE0 ), la unin del
colector entra en la regin de ruptura y este puede llegar a
destruirse. Sin embargo, si la tensin VCE es muy pequea
(por debajo de O, 7 V), la corriente de colector ser muy
dbil, por lo que se obtiene una ganancia de corriente muy
baja. En conclusin, para conseguir que el transistor traba-
je como amplificador de corriente, la tensin de polariza-
cin inversa VCE debe mantenerse por encima de 0,7 V y
por debajo de la tensin de ruptura.
Caracterstica 111 = fW11d para VcE = cte
Mediante esta curva podemos determinar los efectos que
producen las variaciones de la tensin de polarizacin VaE
sobre la corriente de base I8 . Estas grficas reciben el nom-
bre de curvas caractersticas de transferencia. Las curvas
que se obtienen son muy similares a las de un diodo cuan-
do se le polariza directamente. En la Figura 9.22 se mues-
tra la diferencia existente entre la caracterstica de un tran-
sistor de germanio y uno de silicio. El transistor de germa-
nio comienza a conducir cerca de los 0,2 V y el de silicio a
los 0,6 V, aproximadamente.
8 60
{;LA )40 L - - - - ' - -
20
oL__J.,..,,,::__J___;_.,o::.._J_____J
o 0,2 0,4 0,6 0,8
V8E(V) ----.,..
figura 9.22. Curvas 18 = f(V8,) para Ve, constante.
Estas tensiones permanecen prcticamente constantes, por
lo que sern de gran ayuda para localizar averias en circui-
tos con transistores.
Los transistores de germanio se han ido dejando de utilizar
paulatinamente, lo que ha dado paso a los de silicio, que
son ms baratos y responden mejor a las altas temperatu-
ras. No obstante, el germanio ofrece algunas ventajas en
determinadas aplicaciones.
U.2. Curva ae ~olencia mxima
~e un transistor
na de las aplicaciones de las curvas caractersticas de un
transistor es que, a partir de estas, se pueden determinar
sus lmites de funcionamiento. Estos lmites estn determi-
nados por la potencia mxima que puede desarrollar un
transistor sin provocar su destruccin.
Veamos en qu consiste este fenmeno: el transistor posee
una resistencia entre el colector y el emisor, que vara en
funcin de la intensidad que se le aplique a su base l B Por
esta resistencia variable circula una corriente le, relativa-
mente grande, que provoca en ella una potencia calorfica,
debido al efecto Joule. Esta potencia se calcula realizando
el producto de la tensin VCE, aplicada entre el colector y
el emisor, por la intensidad de colector le.
Como esta potencia se transforma ntegramente en calor,
provoca un aumento de la temperatura en el transistor que,
en el caso de salirse de los lmites admisibles, provocar la
destruccin de este.
La potencia mxima de trabajo de un transistor es un dato
que proporcionan los fabricantes en las hojas de especifi-
caciones tcnicas.
Actividad resuelta 9.2
Supongamos que poseemos un transistor con una po-
tencia mxima de 600 mW.
Con este dato se puede trazar una curva de potencia
mxima sobre la familia de curvas de colector, para as
poder determinar para qu tensin de colector-emisor y
corriente de colector es posible trabajar con el transis-
tor sin que se deteriore.
De esta forma, para no superar los valores lmite en
nuestro ejemplo se deber cumplir en todo momento la
expresin:
Luego la curva de potencia mxima para este transis-
tor ser tal que el producto de Vce por le sea igual a
0,6W.
En la Figura 9.23 se muestran las curvas correspon-
dientes a la familia de colector del transistor de nuestro
ejemplo, y en las que se ha aadido la curva de poten-
cia mxima. Para trazarla, se ha procedido de la si-
guiente forma: '
Primero, se fijan una serie de tensiones de colector-
emisor; por ejemplo: OV, 5 V, 10 V, 15 V, 20 V, 25 V,
30 V, 35 V, 40 V y 45 V. Seguidamente, se calculan
las corrientes mximas que podrn circular por el
colector para cada una de estas tensiones, sin que se
sobrepase la potencia mxima de 0,6 W. Los diferentes Influencia de la temperatura ambiente se consigue que el calor se evace con mayor facilidad ha-
valores de le vendrn dados por la frmula: en la potencia mxima de un transistor cia el aire exterior. En otras ocasiones se une, mediante
tomillos, la cpsula del transistor con el chasis, que en este
p mx La potencia mxima que un transistor puede disipar en for- caso acta como disipador de calor, por tener una gran su-
lc=- ma de calor depende de la temperatura mxima permitida perficie (Figura 9.25).
VcE
en la unin del colector T1 (mx). Esta temperatura nunca
De esta .forma tendremos que: debe ser superada, ya que a partir de ella se puede destruir
0,6 el transistor. Este dato aparece en las hojas de caractersti-
Para VCE =0V ' Ie=-=ooA cas del componente. As, por ejemplo, el transistor BC 107
0
posee una T1 ( mx) de 175 C.
0,6 La potencia mxima a que puede trabajar un transistor
Para Vce = 5 V, le= - = 0,120 A= 120 mA tambin depende de la temperatura ambiente. Hay que te-
5
ner en cuenta que el calor producido en las uniones se con-
Siguiendo este mismo proceso, podrs comprobar que duce a travs del encapsulado del transistor y se disipa al
aparecen las siguientes parejas de valores: aire que lo rodea. Cuanto mayor sea la temperatura de este
aire (temperatura ambiente), peor ser la ventilacin del
Figura 9.25. Aletas de refrigeracin.
o JO 15 20 25 30 35 40 45 transistor y, por tanto, menor la potencia mxima que se le
00 60 40 30 24 20 17 15 13 puede exigir.
Por lo general, en las hojas tcnicas se indica la potencia
Una vez hecho esto, se llevan los valores obtenidos a la
familia de curvas de colector, formando el resultado de
mxima para una temperatura ambiente de 25 C. 11119.1.J. Recta ae car~a ae un transistor
En el caso de que la temperatura ambiente fuese superior,
la unin de los puntos una hiprbola como la que se habra que encontrar la potencia mxima de funcionamien- En apartados anteriores hemos estudiado el comportamien-
muestra en la Figura 9.23. to para que el transistor trabaje dentro de sus lmites de to de un transistor en todas sus posibilidades de funciona-
miento mediante las curvas caractersticas. Pero, cmo se
temperatura admisibles. En algunas hojas de especificacio-
nes tcnicas aparece una curva de relacin, como la que se comportara este en el caso de que trabaje con una determi-
muestra en la Figura 9.24. nada resistencia de carga RL? La solucin est en trazar
una lnea de carga en las curvas de colector para poder de-
La curva de la Figura 9.24 nos indica que para una tempe- terminar los puntos de funcionamiento.
ratura ambiente de 25 C la potencia mxima es de
le 125 mW. Sin embargo, para 55 C, la potencia disminuye a En la Figura 9.26 se muestra un transistor NPN en configu-
(mA) 60 50mW. racin de emisor comn. Para determinar la corriente que
t
circula por el colector, podemos aplicar la ley de Ohm en-
tre los extremos de la resistencia de carga Rv La tensin
40 125 aplicada a esta resistencia se corresponder con la ten-
sin total aplicada por la fuente Vce menos la cada de
100
Pm;, ' tensin que se produce entre el colector y el emisor VCE
20 '
(mW) 75 '
----:---- 1
De esta manera obtendremos la siguiente expresin, que se
corresponder con la ecuacin de la recta de carga:
----+----
' 1
50 ---.-. 1
O 10 20 30 40 50 '
' ' 'I ' '
1 1
VCE(V) __.. 25 ----+---- 1 ----+----
'
figura 9.23. Curva de potencia mxima
de un transistor. 25 35 45 55 65 75
T,mb(C)---i\l!>- Para dibujar esta recta sobre la curva caracterstica, tal co-
Esta hiprbola divide la caracterstica en dos zonas cla- mo se muestra en la Figura 9.27, lo primero que hay que
ramente diferenciadas: la zona prohibida de funciona- figura 9.24 Relacin de la potencia mxima hacer es encontrar sus extremos Uc = O y Vce = O):
miento, que queda por encima de ella y en la cual la de un transistor con la temperatura ambiente.
potencia es superior a 600 mW y, por tanto, es ah don-
de el transistor corre peligro de destruccin por la ac- Aletas de refrigeracin
cin del calor; y la zona de trabajo, que queda por de-
bajo de la hiprbola y en la cual la potencia es inferior En el caso de que se desee aumentar la potencia de un tran-
sistor, se puede acoplar un disipador de calor, o aleta de
a600mW.
refrigeracin en la superficie de la cpsula. De esta forma
 T

punto de corte se da en la interseccin de la recta de carga

BCI07
fe
con el eje horizontal, es decir, cuando: El punto de corte de la lnea de carga con el eje vertical U.4. Hoja ae caractersticas
Is CVa = O) ser entonces:
tflCE Vcc 40
~e un transistor
Rs
tVar
-
h
Ri
400 El punto de saturacin aparece donde la lnea de cirga
corta a la" intensidad de base de saturacin (Figura 9.27).
fe = -
RL
= -
500
= O080 A = 80 mA
'
Llevando estos valores a las curvas de la Figura 9.27,
Partiendo de la hoja de caractersticas del transistor BC546
vamos a analizar los principales parmetros que figuran en
las mismas.
En este punto la corriente de colector es la mxima que se dibujamos la lnea de carga. En la Figura 9.30 se muestra el encapsulado del transistor.
puede dar para la operacin del transistor, dentro de los l- Se observa que se fabrica con la encapsulado TO-92, que
mites de la recta de carga. Haciendo una aproximacin, se El punto Q de trabajo del transistor para una corrien-
te de base de O, 15 mA ser el que determine la in- es NPN y que las hojas de caractersticas se dan para la
puede decir que el punto de saturacin aparece en la inter- gama BC546 a BC550.
seccin de la recta de carga con el eje vertical, es decir, terseccin de la recta de carga con la curva de dicha
figura 9.26. Transistor NPN en emisor comn. cuando: corriente, habiendo resultado los siguientes valores
Uc = 45 mA, VcE = 17 V).
BC546/547f548/549/550
Llevando estos valores a las curvas caractersticas de co- El punto de corte (el transistor se comporta como un
lector, obtenemos la recta de carga de la Figura 9.29 para interruptor abierto, le ~ 0) se da cuando la tensin de Switching am:I Applications
una determinada resistencia de carga RL y una tensin de colector-emisor es de 40 V. High Voltage: BC546, VcE0=65V
Para corrientes de base superiores a la de saturacin se pro- Low Noise: BC549, BC550
fuente Vcc duce tambin el efecto de saturacin en el transistor. El punto de saturacin del transistor (cuando se llega a Complement to BC556 ... BC560
El punto de trabajo es aquel en donde el transistor trabaja este extremo de funcionamiento el transistor se com-
de una forma nonnal y que, habitualmente, se encuentra en- porta como un interruptor cerrado, con lo que no res-
tre la zona de corte y saturacin. Para determinar el punto de ponde en ningn caso a las variaciones de la corriente T0-92

trabajo (Q) del transistor para una determinada corriente de de base; le = mx) se da cuando la corriente de co- 1. Collector 2. Base 3. Emitter
base (l8 ), se busca el punto de interseccin de la recta de lector es 80 mA y la corriente de base es superior a
0,45 mA. NPN Epitaxial smcon Transistor
carga con la curva correspondiente a dicha corriente de base.
Por ltimo, hay que indicar que cuando se disea un Figura 9.30. Encapsulado.
circuito para un transistor hay que procurar que el tran-
Actividad resuelta 9.3
le sistor nunca opere por encima de la curva de potencia
Como se puede observar, del recorte extrado de las hojas
(mA) 40 Se trata de determinar la recta de carga para el circuito mxima. Esto se consigue seleccionando valores ade-
de caractersticas de la Figura 9.31, para el transistor
de la Figura 9.28 y determinar el punto de trabajo del cuados de la tensin de fuente Vce y de la resistencia
BC546 la tensin inversa colector-base CVc80 ) es de 80 V,
transistor para una corriente de base de 0,15 mA, as de carga Ru de tai forma que ia recta de carga trazada
la tensin inversa colector-emisor CVcwl es de 65 V y la
20 como los puntos de corte y saturacin. con estos est siempre por debajo de la curva de poten-
tensin inversa emisor-base (VEB 0 ) de 6 V. La corriente
cia mxima. En la Figura 9.29 se muestra un ejemplo mxima por el colector es de 100 mA y la potencia mxi-
fe al respecto. ma de 500 mW.
[
O lO 20 30 fice 50
flCE(V)--!!> tflCE Absolute Maximum Ratings T,=25'C

figura 9.27. Recta de carga de un transistor.

Rn
t VBe
-
f
lcm.r Symbol
Vcea Collector-Base Voltage
Parameter
: BC546
Value
80
Units
V

t
fr : BC547/550 50 V
40V
: BC5481549 30 V li
VcEO Collector-Emitter Voltage : BC546 65 V
A lo largo de la recta de carga se pueden distinguir tres
: BC5471550 45 V
partes fundamentales: punto de corte, punto de satura- le
: BC5481549 30 V
cin, punto de trabajo. (mA)
VEBO Emitter-Base Voltage : BC546/547 6 V
: BC548/549/550 5 V
Figura 9.28. le Collector Curren! (DC) 100 mA
El punto de corte es donde la lnea de carga corta a la Pe Collector Power Oissipation 500 mW
curva correspondiente a la corriente de base igual a cero Solucin: Suponiendo que la familia de curvas de colec- TJ Junction Temperature 150 'C
(/8 = O). Dada la escasa polarizacin directa a que queda tor del transistor es la que se expone en la Figura 9.27,
sometido el diodo de emisor-base, la corriente que aparece el punto de corte de la lnea de carga con el eje hori- Figura 9.31. Valores mximos.
por el colector es prcticamente nula (solo circula una zontal Uc = 0) vendr determinado por: flce(V) --{:>- fice
pequesima corriente de fuga ICE0 ). Haciendo una apro-
VCE = Vcc = 40 V Figura 9.29. Zona de trabajo del transistor. Del recorte de la Figura 9.32 se deduce que la ganancia de
ximacin, se puede decir, sin equivocarse mucho, que el
corriente se encuentra entre 100 y 800, que la tensin base
emisor que hay que aplicar para poner el transistor en satu-
racin es de 900 mV (en este caso, la intensidad por la ba-
En la Figura 9.34 se muestra el ejemplo de un transistor
NPN con polaiizacin mediante dos fuentes de alimenta-
i Paia determinar los puntos de interseccin de la recta Una vez hecho esto, ya solo nos falta determinar la re-
se es de 5 mA y la corriente por el colector llega a 100 mA, de carga con los ejes de coordenadas de VCE e le de las sistencia de polarizacin R8 para un determinado punto
cin.
que se corresponde con la mxima). curvas caractersticas de colector, se procede como en de trabajo del transistor.
Aqu se ha conectado el transistor en configuracin emisor otras ocasiones:
comn. La tensin V88 que proporciona la fuente de 1,5 V El punto de trabajo del transistor debe situarse aproxi-
polariza directamente la unin base-emisor a travs de la Para le= O-> VeEmx = Vee (punto de corte) madamente en el centro de la recta de carga (equidis-
Electrical Characteristics T,=25c j tante de la zona de corte y de la de saturacin). Recuer-
Symbol
resistencia de polarizacin R8 . Por otro lado, la fuente de V
Parameter Test Condition Min. Typ . Max . Units~ da que en el punto de saturacin Uem,) el transistor se
nA ; 4 V proporciona la tensin Vee que polariza inversamente Para VCE = O-> lem~ = _Q:_ (punto de saturacin)
leso Collector Cut-off Vcs=30V, le=O 15 Re
Current el colector a travs de la resistencia Re- El objetivo que se comporta como un interruptor cerrado, no respondien-
hFE DC Current Gain Vce=5V, lc=2mA 110 800 persigue es determinar los valores de la resistencia Re y los Para el circuito qne se mostr como ejemplo en la Fi- do a las variaciones de la coniente de base; y que en el
V0 e(sat) Col!ector-Emitter lc=10mA. I8=0.5mA 90 250 mV punto de corte CVeEmxl el transistor se comporta como
Saturation Voltage lc=100mA, I8=5mA de la resistencia R8 para que la polarizacin del transistor gura 9.34, el punto de corte de la recta de carga se da
200 600 mV
sea correcta, o sea, para que la forma de seal introducida para el valor de VCE = Vee = 4 V. un interruptor abierto, y la corriente por el colector es
V8e(sat) Base-Emitter lc=10mA, I8=0.5mA 700 mV
Saturation Voltage le= 1OOmA. I8=5mA 900 mV a la entrada del circuito no resulte deformada a su salida. aproximadamente igual a cero.
Para encontrar el valor adecuado de lemx habr que ob-
V8e (on) Base-Emltter Vce=5V, lc=2mA 580 660 700 mV
On Vollage Vce=5V. lc=10mA 720 mV En un amplificador la seal de entrada suele ser de carcter servar las curvas caractersticas de colector del transis- En el ejemplo que nos ocupa, se ha fijado el punto de
l;s.ll.,-.;_',\" '"'-'&
.. .,..,_ n OC\('~v~--' O ,~--~=./IM.db~~=~-,,,~ variable, por ejemplo, la seal elctrica de un micrfono o tor, que se corresponden con las indicadas en la Figura trabajo para una corriente de base de 250 A, tal como
la aguja de un tocadiscos. 9.35, de tal forma qne la recta de carga a trazar no so- se puede apreciar en la Figura 9.35.
Figura 9.32. Caractersticas elctricas. brepase en ningn caso a la curva de potencia mxima.
El condensador C1 de la Figura 9.34 sirve para acoplar la En caso contrario entraramos en la zona prohibida de La razn por la cual se fija el punto de trabajo Q en el
En la Figura 9.33 se muestran las curvas caractersticas de entrada al transistor. Este condensador elimina la compo- funcionamiento del transistor, con riesgo de destruccin centro de la recta de carga es muy simple: tngase en
la familia de colector. nente de corriente continua que pudiera aparecer en la se- de este por sobrecalentamiento. Segn estos consejos y cuenta que la seal que se aplica por la base para ser
al de entrada. observando detenidamente las curvas de la Figura 9.35, amplificada es variable y, por tanto, habr que procurar
se ha seleccionado una corriente de colector de 100 mA que esta corriente no llegue a las zonas de corte y satu-
o
e, para el punto de saturacin de la recta de carga. racin del transistor. En caso contrario, se podra dis-

~
1 e, torsionar la seal de salida.
le=fOA
Una vez determinados los puntos de corte y saturacin
_,,L---
o

o
~
L---
,,,- L---
1.....---
- -
~=350A
IB=300A

1,=210A -
~
Rn
Re
Salida
CVeE = 4 V, le= 100 mA) se dibuja la recta de carga.
Ya podemos determinar el valor Re:
Vee Vee 4
Para entender mejor esta idea, a continuacin se mues-
tran tres formas en las que puede llegar a trabajar un
amplificador con transistores.

0J
18 =200A
.,..-
Entrada le . = - -, Re = - - = - - = 40 O En el ejemplo mostrado en la Figura 9.36 el punto de
1
max Re lemx 0,100
Y'iA- funcionamiento que se ha seleccionado se encuentra
1,-
,,,oor ~ Vnn Vcc muy prximo al punto de saturacin del transistor, por
1,5 V 4V
lo que se produce un recortamiento o distorsin en la
lj=50;A seal de salida, al variar la corriente de base segn
10 12 14 16 18 20
la seal de entrada aplicada.
figura 9.34. Polarizacin de transistor NPN mediante
VceM, COLLECTOR-EMlTTER VOLTAGE dos fuentes de alimentacin.

Figura 9.33. Curvas caractersticas de la familia de colector. La resistencia de polaiizacin de base R8 se elige de f01ma
que la corriente de base sea pequea y de un valor determi-
nado. La resistencia de carga del colector hace posible que
entre el colector y el emisor apaiezca una tensin variable
11 ~.8. rolarizacin ael transistor en la salida.

Para conseguir que un transistor funcione adecuadamente,

dentro de los lmites indicados en el diseo, es preciso po- Actividad resuelta 9.4 Corte
larizado correctamente. Seguidamente resolveremos el circuito presentado en 25 .r-VCE
la Figura 9.34 y trazaremos la recta de carga para de-
terminar el punto de trabajo idneo del transistor. Seal de
Polarizar un transistor consiste en suministrar las tensio-
nes adecuadas de alimentacin y conectar resistencias Aplicando la segunda ley de Kirchhoff en la malla del
VcE(V)
4 ___.
___
Distorsin
.,.. salida

en el circuito con los valores oportunos, de forma que la 2 3

colector obtendremos la siguiente ecuacin:
seal introducida a la entrada del circuito no resulte de- figura 9.35. Determinacin de fcmx mediante Figura 9.36. Distorsin de la seal de salida
formada a la salida. las curvas caractersticas. por saturacin.
En el ejemplo de la Figura 9.37 se ha optado por un
punto de trabajo muy prximo al punto de corte, por lo
que tambin se produce distorsin en la seal de salida.
Saturacin
le
Seal de
saiida
Figura 9.37. Distorsin en la salida por proximidad
a la zona de corte.
En el ejemplo mostrado en la Figura 9.38 el punto de
funcionamiento que se ha seleccionado parece el co-
rrecto, ya que no se produce distorsin en la seal de
salida, al variar la corriente de base segn la seal
de entrada aplicada.
Figura 9.38. Sea! sin distorsin.
Vol viendo al ejemplo de aplicacin que estamos re-
solviendo, ahora tenemos que calcular el valor de la re-
sistencia de base R8 para que la corriente de base !8
sea de 250 A. Para ello aplicamos la segunda ley de
Kirchhoff a la malla de la base del circuito de la Figu-
ra 9.39:
VBB = RB Is + VBE
de esta expresin se deduce que:
VBB - VBE
Rs=---
ls
Tomando como valor aproximado la tensin de polari-
zacin directa del diodo emisor V8 E = 0,7 V, la resis-
tencia de polarizacin ser igual a: Seguidamente, vamos a analizar las magnitudes que se
1,5 - 0,7
Rs = 250. 10-6 = 3.200 Q
En la prctica escogeremos valores comerciales pa-
ra las resistencias calculadas, siendo R8 = 3,3 kQ y
Re= 39 fi.
El punto de funcionamiento del transistor, polarizado de
esta manera, vara excesivamente con py con la tempera-
tura, por lo que esta forma de polarizacin no es muy ade-
cuada para los transistores que trabajan de una forma
lineal.
~J 1. rolarizacin ~el transistor
~or realimentacin ~el emisor
con ~ivisor ae tensin
A este tipo de polaiizacin tambin se la denomina univer-
sal y es la que ms se emplea en circuitos lineales de am-
plificacin. En la Figura 9.39 se indica el esquema corres-
pondiente a un circuito de polaiizacin universal. Observa
cmo existe un divisor de tensin formado por R1 y R2. La
tensin que aparece en R2 es la que polariza directamente
la unin base-emisor. Este circuito constituye un buen am-
plificador lineal y responde muy bien a las pequeas varia-
ciones de p, y adems es estable entre amplios mrgenes
de temperatura.
Figura 9.39. Polarizacin por divisor de tensin.
Actividad resuelta 95 Dado q'.le estamos trabajando con un transistor de sili-
cio, se puede suponer con aproximacin que la tensin
de polarizacin directa del diodo emisor-base es de
dan en un circuito de este tipo. Para ello resolveremos
unos 0,7 V. Aplicando estos valores a la ltima ecua-
el circuito ejemplo que se muestra en la Figura 9.40,
cin concluida, tendremos que:
para encontrar el punto aproximado de funcionamiento
del transistor. VE= 1,176 - 0,7 = 0,476 V
Aplicando la ley de Ohm a la resistencia de emisor RE,
~-------o+ Vcc podremos calcular la corriente de emisor I
IOV
VE 0,476
I =-=--=476mA
E RE 100 '
Dado que la intensidad de base es muy pequea se pue-
de suponer que las intensidades de colector y emisor
son iguales:
le"" JE , le= 4,76 mA
A continuacin, calcularemos la tensin que aparece
en el colector Ve (tensin de colector respecto a masa),
que ser igual a la tensin Vcc de la fuente de alimen-
tacin menos la cada de tensin (Re le) que aparece
Figura 9.40.
en Re:
El primer paso es determinar la cada de tensin que Ve= Vec - Re le= 10- (l.0000,00476) = 5,24 V
aparece en la resistencia de base R2 A esta tensin se
la conoce por el nombre de tensin de base V8 (tensin Por ltimo, calcularemos la tensin que aparece entre
de la base respecto a masa). Para ello, vamos a despre- el colector-emisor, la cual nos indicar el punto de tra-
ciar el pequeo valor de la corriente de base que atra- bajo del transistor. Esta tensin ser igual a la diferen-
viesa R1 En este caso, la corriente que fluye por R2 cia de tensiones que aparece entre el colector y el emi-
estar delimitada por Vce y la suma de R1 y R2: sor, es decir:
Vec VCE = Ve - VE= 5,24 - 0,476 = 4,76 V
l=--
R +R2 Observa cmo la tensin VCE ha quedado a un valor
muy prximo a la mitad de la tensin de alimentacin
Si ahora aplicamos la ley de Ohm entre los extremos
CVcc = 10 V). Esto significa que el punto Q de trabajo
de R2 , tendremos que: se encontrar aproximadamente en la mitad de la recta
VB = R2 / de carga, lo cual nos indica que el transistor trabaja en
un punto estable de operacin.
Sustituyendo este valor en la primera ecuacin, tendre-
mos que: Conviene resaltar el hecho de que se han utilizado, pa-
Rz ra este circuito, las tensiones de base V8 , emisor VE y
V =--V colector Ve respecto a masa. El conocimiento de estas
B R1 + R2 ce
tensiones es siempre muy til para la localizacin de
Si ahora aplicamos los valores correspondientes al cir- las averas en un circuito, dada la facilidad con la que
cuito de nuestro ejemplo, resultar que: se pueden medir y contrastar con las originales aporta-
das por el diseador.
2.000
V = - - - - 1 0 = 1176V
B 15.000 + 2.000 ,
Para calcular la tensin VE que aparece en el emisor
(tensin del emisor respecto a masa), aplicamos la se-
gunda ley de Kirchhoff a la malla correspondiente:
91 fototransistores
Al igual que ocurra con los diodos fotoemisores, tambin
VE= VB - VBE se fabrican transistores que son sensibles a la radiacin lu-
minosa; nos referimos a los fototransistores.
En la Figura 9.41 se puede apreciar el smbolo del foto-
transistor.
Figura 9.41. Smbolo del fototransistor.
El fototransistor se fabrica de tal forma que pueda llegar la
luz hasta el cristal de la base. Cuando esto ocurre, se pro-
duce un aumento de portadores minoritarios que hacen que
fluya una corriente elctrica desde el emisor al colector. El
valor de esta corriente depende de la intensidad. de la radia-
cin luminosa que incide en la base, tal como se puede
apreciar en las curvas caractersticas de colector de la Fi-
gura 9.42.
--------3.000 lwc
Dado que los fotransistores son ms sensibles que los foto-
diodos, ya que pueden producir una cierta amplificacin de
la seal luminosa aplicada a su base, se utilizan mucho
ms frecuentemente en la fabricacin de optoacopladores.
9.1. Identificacin de transistores mediante polmetro di-
En la Figura 9.43 se puede apreciar la estructura de uncir-
gital. Consigue varios transistores y comprueba con el
cuito optoacoplador en el que se combinan las propiedades
polmetro digital cules son NPN y cules son PNP, as
de un diodo fotoemisor con las de un fototransistor. NPN
como la disposicin de sus terminales.
Para poder llevar a cabo esta tarea con xito tendrs que
tener en cuenta las siguientes consideraciones:
Sita el selector del polmetro digital en el campo para
medir diodos. Recuerda que en esta posicin, el polme-
tro muestra en la pantalla digital la tensin de barrera di-
recta.
E B C
En un transistor en buen estado, entre los terminales de
Figura 9.43. Optoacoplador con fototransistor. colector y emisor no aparece ninguna tensn de polariza-
cin. En cualquier orden en el que pongamos las puntas

t 20
10 1.000 lux
En la Figura 9.44, se expone el circuito de un optoacopla-
dor con fototransistor. La seal de entrada produce en el
fotodiodo una radiacin luminosa dependiente de la inten-
sidad de corriente de dicha seal. Esta radiacin incide en
de prueba entre estos dos terminales, el polmetro indi-
car "1 , tal como se muestra en la Figura 9.45.

le 5 la base del fototransistor, lo que produce una seal en la

LCJ
(mA) salida que es proporcional a la aplicada a la entrada. Esta Sita el selector en el campo
300 lux para medir diodos (...i,.- J.
2 transferencia de la seal se realiza sin la intervencin de Figura 9.46. Polarizacin base emisor.
ningn contacto elctrico, por lo que se consigue aislar
100 lux elctricamente los circuitos de entrada y salida. Si colocarnos la punta roja en la base y la negra en el
0,2 i G MY-65 ,. colectm, para un transistor NPN en buen estado el pol
30 lux R, R., ~OVIHHlff MalO :@: metro indicar la tensin de barrera directa del diodo ba-

'~IfL~
' #11('0
0,1 se-colector. En el ejemplo de la Figura 9.47, indica que

o 5 10 15
VCE(V)---.i,- ' '
1 _________________ EBC
NPN
Figura 9.42. Curvas de colector de un fototransistor. Figura 9.44. Circuito de optoacoplador con transistor.

Ji~~ MY-65 MIi,.

' AIJTOPOY/fftDf~ ffQlO 1 1

!~G !1@) :@:

figura 9.45. Entre e/ emisor y el colector E B C

no hay polarizacin.

Si colocamos la punta roja en la base y la negra en el

emisor, para un transistor NPN en buen estado el poli-
metro indicar la tensin de barrera directa del diodo ba-
se-emisor. En el ejemplo de la Figura 9.46, indica que es-
te valor es de 0,75 V.
Para un transistor PNP habra que cambiar el orden de
las puntas de prueba para obtener el mismo resultado. Figura 9.47. Polarizacin base colector.

J
 este valor es de 0,745 V. Observa cmo la tensin deba-
rrera en el diodo base-colector es algo inferior al de ba-
se-emisor. Esto nos servir para definir cul es el termi-
nal emisor y cul es el de colector.
Una vez hecho esto conctalos al transistmetro y deter-
mina la ganancia de corriente [3. En el ejemplo de la Figu-
ra 9.48, el polmetro indica una ganancia de 476.
Fgura 9.48. Medida de la ganancia de corriente.
9.2. interruptor crepuscular. Se trata de realizar un circuito
que sea capaz de activar una lmpara cuando el nivel de
iluminacin se reduce hasta valores propios de ia oscuri-
dad de la noche. Este circuito es muy til para el encen-
dido automtico del alumbrado pblico en los cambios de
da-noche. En la Figura 9.49 se muestra el esquema co-
rrespondiente al circuito en cuestin.
+9V
~ LED
A parte de la resistencia de polarizacin, para su montaje
necesitaremos:
0 Una LDR, que es la que va a hacer las veces de sensor
luminoso.
' Un transistor BC 547 o similar, que es el que va a ser
capaz de aportar la suficiente corriente para excitar ilu-
minar el diodo LED.
0 Un diodo LED que va a representar el alumbrado p-
blico.
El funcionamiento de este circuito es muy sencillo: en
presencia de luz la LOR posee una resistencia relativa-
mente baja, por lo que en el divisor de tensin, formado
por R1 y la LOR, la mayor parte de la tensin aparece en
los extremos de la resistencia R1 , quedando muy poca
tensin en la LOR, por lo que el transistor recibe una ten-
sin de base muy reducida e insuficiente para polarizarlo.
El transistor est en corte y el diodo LEO no luce.
Por el contrario, en el caso de que en LOR reciba una
cantidad de luz suficiente, su valor hmico aumenta y
tambin lo hace la tensin en sus extremos, consiguien-
do polarizar al transistor con una corriente de base sufi-
ciente para que este entre en saturacin y el diodo LEO
se encienda.
Monta el circuito propuesto en la Figura 9.49 y comprue-
ba su funcionamiento. Una vez montado el circuito y
comprobado su funcionamiento, contesta a las siguien-
9.4. Circuito temporizador a la desconexin. Se trata de
tes cuestiones:
a) Mide las diferentes tensiones del circuito para distin-
tos niveles de iluminacin. En qu condiciones tra-
baja el transistor en corte y en saturacin?
b) Qu tipo de polarizacin se ha empleado en el cir-
cuito?
c) Qu dispositivo hace las veces de resistencia de
carga del transistor?
+9V
; LED
~
Ri
LDR 330 Q
Fgura 9.50. Circuito de encendido por presencia
de luz.
Por el contrario, en el caso de que en LOR reciba una
cantidad de luz insuficiente, su valor hmco aumenta y
tambin lo hace la tensin en sus extremos, quedando
muy poca tensin en la R,, por lo que el transistor recibe
una tensin de base muy reducida e insuficiente para
polarizarlo. El transistor est en corte y el diodo LEO no
luce.
Monta el circuito de la Figura 9.50 y comprueba las dife-
rentes magnitudes que se dan en l mediante el polme-
tro en ausencia y presencia de luz.
conseguir que un diodo LED se encienda a travs de un
transistor cuando accionemos un pulsador, y que perma-
nezca encendido solamente durante el tiempo predeter- Monta el circuito y comprueba las diferentes magnitudes
minado por un circuito temporizador construido a base
de una red RC (Figura 9.51 ). sador.
+9V
p [--
2.200 F
Figura 9.51. Circuito de temporizador a la desconexin
de luz.
El funcionamiento de este circuito es as: dado que en un
principio, no existe corriente por la base del transistor, el
transistor permanece en corte y el diodo LED est apa-
gado. Al cerrar el pulsador P, el condensador se carga y
toda la tensin aparece en la base del transistor, por lo
que este se polariza y el diodo LEO se enciende.
En el momento que soltamos el pulsador, el condensador
se descarga a travs de la resistencia de base R, y la
base del transistor durante un tiempo. Una vez descarga-
do el condensador, el transistor entra en corte y el diodo
LEO se apaga. El tiempo de retardo de la desconexin
ser mayor cuanto mayor sea la capacidad del canden~
sador.
que se dan en l mediante el polmetro al accionar el pul-

Ri 9.3. Circuito de encendido por presencia de luz. Se trata

330 Q de conseguir que un diodo LEO se encienda a travs de
un transistor cuando la luz que incide en una LOR se ha-
ce intensa (Figura 9.50).
El circuito funciona a la inversa que el anterior: en pre-
~ sencia de luz la LOR posee una resistencia relativamente
LDR baja, por lo que en el divisor de tensin, formado por R1 y
la LDR, la mayor parte de la tensin aparece en los ex-
tremos de la resistencia R1, quedando muy poca tensin
en la LOR, por lo que el transistor recibe una tensin de
fgma 9.49. Circuito de un interruptor accionado base suficiente para polarizarlo. El transistor est satura-
por la luz. cin y el diodo LEO luce.
 carga y determina los valores de le, VcEe l8 en el punto 9.14. Indica cul de las siguientes afirmaciones es cierta:
de corte, en el punto de saturacin y en el punto de tra-
a) Cuando se disea un circuito de polarizacin de un
bajo para 18 = 300 ,A.
transistor conviene que el punto de trabajo del tran-
9.1. Qu ocurre con la corriente de colector al aumentar la 9.8. En un circuito con transistor montado en configuracin sistor quede fijado en las proximidades del centro de
tensin de polarizacin directa V8 E aplicada entre la base emisor comn, cul es el electrodo donde se aplica la la recta de carga.
y el emisor de un transistor? seal de entrada y por cul aparece la salida? R
b) La polarizacin de un transistor en un circuito lineal
a) Aumenta. a) Entrada a la base y colector a la salida. 30Q debe fijar un punto de trabajo con el que se consiga
Ro distorsin en la seal de salida.
b) Disminuye. b) Entrada al emisor y colector a la salida.
e) Se mantiene constante. e) Los aumentos de temperatura de un transistor ha-
e) Entrada a la base y emisor a la salida.
cen disminuir su ganancia de corriente.
9.2. Qu ocurre con la corriente de colector al disminuir la 9.9. Indica cul de las siguientes afirmaciones es cierta: figura 9.52.
corriente de base de un transistor? 9.15. En el caso de que el transistor que aparece en el circui-
a) En un transistor, con pequeas modificaciones de la
a) Aumenta. to de la Figura 9.54 sea de silicio, determina la corriente
corriente de base, se consiguen grandes variaciones 125 - - - - - - - ~ de colector y la tensin colector-emisor, as como los

t
b) Disminuye. en la corriente de colector.
valores de V8 , VE y V0
e) Se mantiene constante. b) Cuando un transistor trabaja en la zona de satura-
100
cin, los aumentos de corriente de base no produ- fe
9.3. Cmo debe ser la resistencia que presenta un transistor
cen aumentos en la corriente de colector. (mA)
--------o+ Vcc
en buen estado entre su colector y su emisor? 12V
e) Cuando un transistor trabaja en la zona de corte, se 75 Re
a) Alta. lkQ
puede considerar que opera como si fuese un inte-
b) Baja. rruptor abierto.
e) Nula. d) Para que un transistor trabaje de una forma normal
se polariza la unin base-emisor con tensin directa,
9.4. Cul de las corrientes de un transistor es ms elevada? 25
mientras que la unin base-colector se hace con
a) La del emisor. tensin inversa.
RE
100 n
b) La de la base. e) Conocida la curva de potencia mxima de un tran- VCE(V)
e) Son todas iguales. sistor, la zona prohibida se sita en la parte inferior 2 3 4--,,.-
de la misma. Figura 9.53. Figura 9.54.
9;5. El parmetro pde un transistor relaciona
a) La corriente de base y del emisor. 9.10. Cmo se puede conseguir aumentar la potencia de un
transistor?
b) La corriente de base y del colector.
a) No es posible.
e) Las tensiones de base.
b) Conectando un condensador entre la base y el
9.6. En un transistor se ha medido una variacin de corrien- emisor.
te de colector de 98 mA y una variacin de 100 mA en la
e) Unindolo a una aleta de refrigeracin.
corriente de emisor. Teniendo en cuenta que en un tran-
sistor se cumple que IE = le+ 18 , determina el parme- 9. 1;. Determina la potencia mxima de un transistor si la co-
tro p. rriente nominal de colector es de 50 mA y la tensin no-
minal de colector-emisor es de 5 V.
9.7. Qu significan las siglas Veeo y VeEo en un transistor?
Indica las relacion,es correctas. 9.12. El transistor BC 548 posee una potencia mxima de
a) Veeo = Tensin directa colector-base con el colector 500 mW a Tamb = 25 C. Cul ser la corriente mxi-
abierto. ma que podr fluir por el colector si la tensin colector-
b) VeEO = Tensin inversa colector-emisor con la base emisor es de 5 V?
abierta.
e) Veeo = Tensin inversa colector-base con el emisor
abierto.
9.13. En la Figura 9.52 se muestra el circuito en configura'.
cin emisor comn de un transistor. Valindose de las
curvas de colector de la Figura 9.53, dibuja la recta de
l _J~

i
j
9.1. Busca en Internet las hojas de caractersticas de algunos transistores de potencia y analiza los principales parmetros que
figuran en las mismas; como por ejemplo: encapsulado, disposicin de terminales, corriente mxima por el colector, poten-
cia mxima, tensiones inversas, ganancia de corriente, etc.

A modo de ejemplo, en la Figura 9.55 se muestran unos recortes pertenecientes a la hoja de caractersticas del transistor
de potencia 2N3055.

15 AMPERE
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY
SILICON
~ CASE 1-07
NPN 60VOLTS TO-204AA
2N3055 115WATIS (TO-3)

MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol Value Un!
eollector-Emitter Voltage VeEO 60 Vdc
Collector-Emitter Voltage VeER 70 Vdc
Collector-Base Voltage Ves 100 Vdc
Emitter-Base Voltage VEB 7 Vdc o o o
eallector Curren! - eantinuous le 15 Adc
Base Curren! IB 7 Adc
Total Power Dissipation@ Te = 25'C Po 115 Watts
Derate above 25'e 0.657 W/'e
Operating and Storage Junction Temperature TJ, Tstg -65 to +200 'e
Range

iJf 2.0 500 1 11 11

~ 1 1 1
11 111 VcE=4.0V
~ TJ =25'C :oo 1 1
~

11 111 TJ = 150'C
~ 1.6 '.00 1 ,..,
~ le= 1.0A 4.0A 8.0A z 1--- +--- ,__ 25'C
:.:
~
a: 1.2
~ 00 ,___. "--
; ~ 70

+--- -55'C
.......
~

~ 08 50
11 g 30 """' r'I
g
&l
t.4
w
\..
1
-- - i 20
10
7.0
~ o
5.0 10 20 50 100 200 500 1000 2000 5000
5 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10
Is, BASE CURRENT (mA) le, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Collector Saturation Region DC Curren! Gain
Figura 9.55. Hoja de caractersticas del transistor de potencia 2N3055.
 V 1
10.1. Laractersticas l0.1.1. Ganancia ~e un Actividad resuelta 10.1 Z =
sal
~= -
id

ael am~lificaaor
En los amplificadores, gracias a los transistores, se consi-
gue elevar la intensidad de los sonidos y de las seales en
general. El amplificador posee una entrada por donde se
introduce la seal dbil y otra por donde se alimenta con
C.C. La seal de salida se ve aumentada gracias a la apor-
tacin de esta alimentacin, siguiendo las mismas varia-
ciones que la de entrada (Figura 10.1).
Fi.ientede
alimentacin
figura 10.1. El amplificador eleva el nivel de la seal
aplicada a su entrada.
En la Figura I0.2 se muestra la disposicin bsica de un
amplificador de sonido. La seal de entrada, de bajo nivel
(del orden de unos pocos milivoltios), la aportan dispositi-
vos como: el micrfono (transforma las ondas sonoras en
seales elctricas que siguen las mismas variaciones que
/,alida 0,01
= 100 Q
La seal de entrada de un amplificador es de 10 mV y
amplifica~or
Cuando un amplificador realiza la funcin de elevar la se-
1 mA. Determina la ganancia de tensin, potencia y
corriente de este amplificador, si la seal que se obtie- La impedancia de entrada de un amplificador (Zen,l limita
al que ha sido aplicada a su entrada, se dice que ha produ- ne en la salida es de 1 V y 10 mA. el paso de corriente proporcionado por el generador de se-
cido una determinada ganancia. Solucin: ales, de tal forma que se podiia decir que es la carga que
presenta a dicho generador de seales.
Se puede decir que la ganancia de un amplificador es la
v id
A = --'.'!..!...". =-
1
= 100
relacin que existe entre el valor de la seal obtenida a la " ventrada 0,01
salida y el de la entrada.
/salida lO
A-=--=-= lO
Dependiendo de la magnitud elctrica que estemos tratan- l ]entrada 1
do, se pueden observar tres tipos de ganancias (Figura 10.3):
AP = A,A; = 100 IO = 1.000
Ganancia de tensin: que se obtiene midiendo el valor
de la tensin de entrada y el de salida y realizando su En decibelios:
Figura 10.4. Impedancia de entrada del amplificador
cociente. a,= 20logA, = 20 log 100 = 40 dB y del generador de seales.
a;= 20logA; = 20 log lO = 20 dB
vsalida
A=-- aP = 10 logAP = 10 log !000 = 30 dB
v ventrada
Los generadores de seal tambin poseen una impedancia
En conclusin, con este amplificador hemos consegui-
caracterstica, dependiendo este valor del tipo de genera-
Ganancia de corriente: se obtiene midiendo el valor de do una ganancia de 100 veces para la tensin y de lO dor. As, por ejemplo, para un receptor de radio, la antena
la intensidad de salida y el de entrada, efectuando su co- para la corriente, por lo que se ha conseguido multipli- es el generador de seales y su impedancia es de unos 50 n.
ciente. car por 1.000 la potencia de la seal de entrada. En el caso de que el generador de seales fuera un micrfono,
la impedancia podra ser algo mayor, del orden de los 10 kQ.
A-= J,alida
1

las primeras), el reprodnctor de discos (transforma las se-

ales grabadas en los surcos del disco en seales elctri-
cas), el magnetfono (transforma las seales grabadas
magnticamente en una cinta, en seales elctricas), etc. El
amplificador de audio toma estas seales elctricas y, man-
teniendo intacta sus cualidades, las eleva de valor (del or-
den de unos cuantos voltios). Estas seales ya son lo sufi-
cientemente fuertes como para poder ser transformadas en
sonidos audibles por parte del altavoz.
Figura 10.2. Amplificador de audio.
Estudiaremos a continuacin algunas de las caractersticas
de los amplificadores que nos ayudarn a entender la fun-
cin propia de estos.
[entrada
l0.1.2. A~a~tacin ae im~eaancias Para que un sistema posea un rendimiento mximo, la im-
pedancia del generador debe ser igual a la entrada del am-
Ganancia de potencia: se obtiene, al dividir la potencia
obtenida en la salida, entre la potencia entregada a la en-
en un amplificaaor plificador. Esto es lo que se conoce como adaptacin de
impedancias.
trada. Se puede comprobar con facilidad que, al realizar Los amplificadores poseen una caracterstica fundamental,
esta operacin, el resultado que se obtiene coincide con que es la impedancia que presentan a su entrada y a su
el producto de las ganancias de tensin y corriente. salida.
Impedancia de entrada: es la impedancia que ofrece un Actividad resuelta 10.2
amplificador a la entrada, y se calcula aplicando la ley Para entender el concepto de adaptacin de forma
de Ohm entre sus extremos: prctica vamos a suponer los siguientes tres casos:
fcmrmh1
z = ventrada a) En el primer caso, tal como se muestra en la Figura
t Ventrada e /entrada 10.5, tenemos un generador de seales de 10 V con
una impedancia Za de 50 Q. La impedancia de en-
Figura 10.3. El amplificador produce g,mancia 0 Impedancia de salida: es la impedancia que ofrece el trada del amplificador zent es tambin de 50 n.
en la seal de entrada. amplificador a su salida:
Za Amplificador
Es corriente encontrarnos con la ganancia expresada en z = v,aiida
decibelios (dB). El decibelio es una unidad que se emplea s /salida
para medir el nivel sonoro. Para calcular la ganancia de un
amplificador en dB aplicamos las siguientes expresiones: Para el amplificador del ejemplo anterior, la impedancia de Entrada
entrada y salida sera:
Ganancia de tensin: a,. = 20 log A,
Ganancia de corriente: a; = 20 log A; z ventrada
= - - = - - = JOQ
0,01
Figura 10.5. Impedancias iguales.
Ganancia de potencia: aP = IO logAP ent /entrada 0,001
 Las dos impedancias quedan en serie, por lo que la Tabla 10.1. Clasificacin de los amplificadores. Los amplificadores de pequea seal se utilizan en etapas Los amplificadores de radiofrecuencia o de alta frecuencia,
corriente que se establece en e! circuito es igual a: previas y poseen una ganancia muy grande de tensin. Este se utilizan en sistemas de transmisin de seales de radio y
De pequea seal
tipo de amplificadores posee una respuesta lineal, es decir, manejan frecuencias del orden de 200 kHz a 300 MHz.
V 10
I=-=--=0IA De seales fuertes o de potencia debe ser fiel y no distorsionar las seales.
Z 50 + 50 ' Los de VHF y UHF trabajan en frecuencias de cientos o
Un amplificador de potencia maneja seales ms fuertes y miles de MHz y se utilizan para la transmisin de seales
Emisor comn
Suponiendo que las dos impedancias son resistivas, se emplea en las etapas finales. En este amplificador la zo- de audio y televisin.
la potencia que aparece en el amplificador es: Colector comn na de trabajo es del tod~ lineal.
p = z,n,1 2 = 50. 0,1 2 = 0,5 w Base comn
Por su configuracin (Figura 10.7).
b) En el caso de que la impedancia de entrada del am-
plificador hubiese sido de 10 Q, la potencia que De corriente continua
1l.2. Am~lificadores
aparecera en el amplificador se calculara de la
misma forma:
De audiofrecuencia (AF) de ~e~uea seal
I=
V
- = --=
10
O 166 A
De videofrecuencia (VF) con transistores
Z 50 + 10 ' De radiofrecuencia (RF) Una vez que ya conocemos las distintas polarizaciones y
p = z,n/ 2 = 10 0,1662 = 0,27 w Base comn caractersticas de un amplificador, vamos a estudiar, con
De VHFy UHF detenimiento, los procesos que se dan en los amplificado-
e) Veamos qu ocmTe cuando la impedancia de entra- res de pequea seal en sus tres configuraciones posibles.
da del amplificador sea superior a la del generador.
En este caso hemos supuesto que dicha impedancia Dependiendo de la seal: existen muchas aplicaciones Por otro lado, gracias al acoplamiento entre diferentes eta-
es igual a 100 Q. donde el uso de una sola etapa amplificadora no es sufi- pas amplificadoras podemos conseguir las caractersticas
ciente para elevar la seal de entrada al nivel deseado. Por deseadas del amplificador a disear.
V 10
l=-=---=0066A esta razn, se emplean varias etapas amplificadoras aco-
Z 50+100 ' pladas adecuadamente, con el fin de imprimir en cada una
P= z,n/2 = 100 0,066 2 = 0,44 W de ellas el nivel de amplificacin adecuado y, as, conse- 10.2.1. Amplificador de emisor
guir una seal de salida sin distorsin y con el mximo
En conclusin, la mxima potencia en el amplifica- rendimiento por parte del conjunto del amplificador.
Colector comn comn
dor se consigue cuando las dos impedancias son
iguales. As, por ejemplo, la seal de audio proporcionada por un Este tipo de amplificador es muy empleado en etapas pre-
micrfono o !a sea! recogida en !a antena de un receptor vias en los amplificadores de audio, ya que proporciona
una respuesta lineal.
de radio posee un nivel que en la mayora de las ocasiones
La impedancia de entrada de los amplificadores depende
no alcanza unos pocos milivoltios o incluso microvoltios. En la Figura 10.8 se muestra un amplificador de emisor
fundamentalmente del tipo de configuracin que se em-
En estos casos, se hace necesario por lo menos de dos, tres comn.
plee. Seguidamente, proporcionamos una relacin aproxi-
o ms etapas amplificadoras. Este es el caso del ejemplo
mada de estos valores:
mostrado en la Figura 10.6, donde se aprecia la estructura + Vcc
de un amplificador de audio en un diagrama de bloques. Emisor comn
Existe un amplificador previo, o preamplificador de peque-
Gran impedancia Figura 10. 7. Clasificacin de los amplificadores
Muy pequea Valor intermedio a seal. que toma la dbil seal proveniente del micrfo-
de entrada impedancia por su configuracin.
de impedancia no y la eleva hasta un nivel adecuado. Esta seal se vuelve
de entrada de entrada a amplificar en la etapa excitadora hasta obtener el nivel C1
Por la frecuencia de la seal: Como las seales que se
(Z,"' ~ 300 kQ) (Z,"' ~ 500) (Z,a1 ~ 50 kf!) suficiente para excitar la etapa correspondiente al amplifi- quieren amplificar son alternativas, es necesario disear Veo, ~ 1---+----1'
cador de potencia. Esta ltima etapa consigue elevar el ni- los circuitos amplificadores, teniendo en cuenta el valor de
vel de la seal suficientemente como para excitar el alta- la frecuencia de estas.
voz de salida.
IHll l 0.1.J. ~lasificacin Los amplificadores de corriente continua trabajan con se-
ales no alternativas y, por tanto, poseen una frecuencia
de los amplificadores Micrfono ~ Altavoz cero.
No todos los amplificadores son iguales; existen diferen-
cias entre unos y otros, dependiendo de la magnitud de la [yJ~,~-am-pli-fic-ad_o_, Excitador -. ~:::!::~' ! ;(]
Los de audiofrecuencia o de baja frecuencia trabajan con
frecuencias audibles en un margen de 20 Hz a 20 k:Hz.
Figura 10.8. Amplificador de emisor comn.

seal que se va a amplificar, configuracin, clase, acopla- . !~--~~---~

Los amplificadores de videofrecuencia se utilizan para Este circuito es similar al que ya estudiamos en los circui-
miento y aplicaciones. En la Tabla 10.l se hace una clasifi- figl!ra 10.6. Diagrama de bloques de las diferentes etapas seales en un margen de frecuencias de entre 20 Hz y tos de polarizacin de la Unidad 9, con la nica diferencia
cacin de estos: amplificadoras de un amplificador de audio. 15MHz. de que aqu aparece un condensador CE conectado en para-
lelo con la resistencia de emisor RE. A este se lo conoce
por el nombre de condensador de paso.
La seal de entrada se introduce al amplificador a travs
del condensador de acoplamiento C 1 y la seal de salida
aparece amplificada entre los terminales del colector y
masa.
La tensin Vce de la fuente de alimentacin y las resisten-
cias R1, R2 y RE consiguen fijar y estabilizar el punto de
trabajo del transistor, sin intervenir en la amplificacin de
la seal inyectada a la entrada.
El transistor debe estar polarizado adecuadamente con un
punto Q de funcionamiento prximo a la mitad de la recta
de carga. De esta forma, conseguimos que el amplificador
opere de una forma lineal o de alta fidelidad (sin distorsin
en la salida).
Para que el transistor trabaje dentro de la zona lineal, las
fluctuaciones de la seal deben abarcar una pequea
parte de la recta de carga. En el caso de que esta seal
fuese demasiado grande, el transistor entrara en las zo-
nas de corte y saturacin y la seal de salida aparecera
distorsionada.
As, por ejemplo, si un amplificador de audio distorsiona la
seal, en el altavoz aparece un sonido no deseado, que ya
no se corresponde con el sonido original.
La sea! que aparece en la salida de este amplificador que-
da desfasada 180 respecto a la seal de entrada; es decir,
cuando la seal de entrada crece en sentido positivo, la se-
al de salida lo hace en sentido negativo. A este fenmeno
se lo conoce por inversin de fase.
A continuacin, vamos a ocuparnos de la misin de los
condensadores de acoplamiento y de paso, as como a de-
terminar las ganancias de tensin, resistencias de entrada y
salida mediante circuitos equivalentes.
Condensador de acoplamiento
Al estudiar las polarizaciones del transistor ya indicamos
cmo este condensador permite el paso de la seal de C.A.
proveniente del generador de seales y bloquea la compo-
nente continua que pudiese contener esta.
As, por ejemplo, si realizamos un circuito equivalente,
como el que se muestra en la Figura 10.9, donde nica-
mente aparezca la i~pedancia del generador de seales, el
condensador de acoplamiento y la impedancia de entrada
del amplificador, podremos analizar ms fcilmente los fe-
nmenos que se producen.
Se ha supuesto que tanto la impedancia del generador co-
mo la de entrada del amplificador son resistencias, de ah
que aparezcan con las notaciones Re y R00 ,.
Condensador
de acoplamiento
r'
Entrada
Figura 10.9. Circuito equivalente con condensador
de acoplamiento.
Como el circuito est en serie, la resistencia total ser:
R = Re + R, 0 ,. Para calcular la corriente que se establece
en este circuito, aplicamos la ley de Ohm para C.A.:
V V
I=-=----
z JR 2 +X~
Como el condensador no debe bloquear el paso de la co-
rriente elctrica, la reactancia capacitiva Xc deber serbas-
tante menor que la resistencia total del circuito R.
Para un buen diseo, Xc debe ser menor o igual que el
10 % de R para la frecuencia ms baja de trabajo del am-
plificador, es decir Xc ,s; O, 1 R. Cumpliendo esta norma se
consigue que la corriente disminuya solo un 1 %.
Actividad resuelta 10.3
Determina la capacidad del condensador de acopla-
miento, si el amplificador que se muestra en la Figura
10.10 trabaja dentro de las frecuencias de audio (20 Hz
1
a20 kHz).
Figura 10.10.
Solucin: La resistencia en serie del circuito es:
R = 1.000 + 1.000 = 2.000 Q
y para la frecuencia ms baja la reactancia del conden-
sador ser:
Xc = 0,1 2.000 = 200 Q
Determinaremos ahora la capacidad del condensador
para una frecuencia de 20 Hz.
1 1
C = - - = - - - - = 398 10- 5 F=398 F
2nfXc 2n20200 ' '
Consultando en un catlogo comercial encontraremos
que el condensador ms aproximado por exceso es el
de47 F.
Determina el valor de la corriente por el circuito con
el condensador de 47 F y sin l. Se cumple la re-
lacin mnima del 1 % indicada en la exposicin te-
rica?
Resultado: 4,98 mA con C y 5 mA sin C; s, se cumple.
Condensador de paso
El condensador de paso CE se conecta en paralelo con la
resistencia de emisor RE, de tal forma que esta quede prc-
ticamente cortocircuitada para la seal de C.A. Sin embar-
go, la componente continua fluye por Re como si no hubie-
se condensador.
En la Figura IO.l l(a), se muestra cmo el condensador ha-
ce que la componente alterna de la corriente de emisor se
derive directamente a masa, mientras que la continua atra-
viesa a la resistencia RE.
En la Figura 10.ll(b) se ha hecho un circuito equivalente
para la C.C. El condensador acta para la C.C. como un
interruptor abierto.
En el circuito equivalente para la C.A. de la Figura 10.1 l(c),
el condensador cortocircuita Re y pone el emisor directa-
mente a masa. Por esta razn, cuando a un amplificador
de emisor comn se le conecta un condensador de paso
(a) (b) (e)
Figura 1 0.11. (a) Condensador de paso. (b) Circuito
equivalente de C.C. (c) Circuito equivalente de C.A.
entre el emisor y masa, se lo conoce como amplificador
con emisor a masa. Como ya veremos ms adelante, este
condensador mejora notablemente la ganancia del amplifi-
cador.
Recuerda que la funcin primordial que posee el conden-
sador de paso CE es la de aumentar la ganancia del am-
plificador.
El uso de condensadores de paso resulta ventajoso para
aquellos casos en que la frecuencia no es muy baja. Hay
que tener en cuenta que cuanto ms baja es la frecuencia
mayor es la reactancia del condensador, aspecto que no
interesa, ya que se recomienda que para que este sea efecti-
vo Xc ,s; 0,1 Re.
Impedancia de entrada y salida
Resulta muy interesante conocer la impedancia de entrada
y salida de un amplificador, sobre todo en los casos en que
se desea acoplar diferentes etapas en serie.
En un amplificador de emisor comn este valor viene a ser
del orden de 50 kQ.
Por otro lado, la impedancia de salida de C.A. es del orden
{le 1 kQ, dependiendo fundamentalmente de la resistencia
de colector Re.
Por ltimo, haremos un resumen de los aspectos de ms
inters del amplificador de emisor comn:
a) En este amplificador el emisor del transistor es comn a
la seal de entrada y a la de salida.
b) La seal alterna de entrada hace que varen la corriente
de base y colector y la tensin de salida.
e) La tensin de salida aparece amplificada segn la ganan-
cia (V,a1 = -A, V, 0 ,) y con una inversin de fase de 180.
d) El punto esttico de funcionamiento del amplificador
debe estar en el centro de la recta de carga y la varia-
cin pico a pico de la corriente de colector deber ser
menor del lO % del valor esttico. As, se elimina la
posibilidad de distorsin.
e) La ganancia de tensin depende de los valores de la re-
sistencia de colector y de emisor.
f) El condensador de paso del emisor aumenta la ganancia
de tensin.
11111 O.U. Amplificador de colector
comn (CC)
Este circuito amplificador, del cual se muestra el esquema
en la Figura I0.12, tambin se conoce por el nombre de
seguidor de emisor.
 Veni o---,--,--;;
J + Vcc Este amplificador es ideal en aquellas aplicaciones en las
que el generador de seales posee una impedancia caracte-
rstica muy alta, ya que su gran impedancia de entrada re-
presenta una carga muy leve para este. En estas circunstan-
cias, la con-iente que debe ceder el generador es muy
C1 Tabla 10.2. Caractersticas de los amplificadores.

V~a1 pequea, con lo que este se ve aislado de la carga que su- flent S S No
pondra el resto del circuito. Intermedia Muy grande Pequea
Por ltimo indicar que, al poseer este amplificador una ga-
e~, kDl ( ~ 300 kQ) {~ 50Q)

nancia cercana a la unidad, habr que utilizarlo en combi- Intermedia Pequea Muy grande
( ~ 50 kQ) { ~ 300 Q) (~!MQ)
nacin con los amplificadores de emisor comn para con-
Figura 10.12. Amplificador de colector comn. seguir los efectos de amplificacin deseados, tal como se S No No
muestra en el ejemplo de la Figura 10.13. figura 10.14. Amplificador de base comn.
Estos amplificadores poseen una impedancia de entrada Amplificador Amplificador
muy elevada, del orden de cientos de miles de ohmios. Es- Universal de aislamiento deRF
ta caracterstica hace que el amplificador de colector co- La ganancia de tensin de este amplificador es bastan-
te buena, muy parecida a la del amplificador de emisor
mn sea ideal en los casos en que el generador de seales
comn.
posea una impedancia caracterstica muy elevada. De esta
forma, se consigue que la seal de C.A. no se pierda en la
impedancia alta de dicho generador. Despus de este am-
Tambin responde excelentemente a las frecuencias altas, 1~.3. Acoplamiento
por lo que constituye un buen amplificador de radiofre-
plificador, puede seguir una etapa amplificadora con emi-
sor comn, que posee una mayor ganancia de tensin.
cuencia (RF). En los sistemas de recepcin de RF el gene-
rador de seales es la propia antena del receptor. Esta
de amplificadores
Veamos cmo opera este amplificador. proporciona una seal muy dbil y su impedancia caracte- Normalmente la ganancia producida por una sola etapa
rstica es baja, de unos 50 Q, lo que hace que la impedan- amplificadora es insuficiente para producir la amplifica-
Segn se puede apreciar en la Figura 10.12, la tensin de
cia de entrada de un amplificador de BC se adapte perfec- cin deseada. En estos casos se acoplan dos, tres o ms
entrada se aplica directamente a la base del transistor y la
tamente a ella. En la Figura 10.15, se muestra el circuito de etapas en cascada, tal como se indica en el diagrama de
tensin de salida aparece en el emisor. Esta tensin es
un amplificador de radiofrecuencia con base comn. bloques de la Figura 10. 16.
siempre algo inferior a la de entrada, tal como se deduce
de la siguiente relacin: Etapa de coiector Etapa de emisor
comn comn
Antena
v,.1 = v,nt - VBE
Figura 10.13. Combinacin de un amplificador de colector e,
As, por ejemplo, si V, 0 , = 10 V, como V8 E en un transistor comn de gran impedancia de entrada con uno de emisor
de silicio es 0,7 V: comn de gran ganancia. ,--------; h1,e/
V,.1 = 10 - 0,7 = 9,3 V C4 de RF

De aqu se deduce que la ganancia de tensin en este am-

plificador siempre ser menor que la unidad.
10.2.J. Amplificador de base Figura 10.16. Diagrama de bloques del acoplamiento

La tensin de salida sigue las mismas variaciones que la de comn (BC) de amplificadores.

entrada, por lo que se puede afirmar que no existe desfase
entre las mismas.
Este amplificador apenas provoca distorsin en la salida.
Por lo que, si se aplica una tensin senoidal a la entrada, se
puede comprobar cmo aparece en la salida una tensin de
tipo senoidal sin distorsin.
La ganancia total que se consigue con este acoplamiento es:
En este amplificador, la base es comn a las seales de en-
trada y salida, tal como se muestra en el circuito de la Fi-
gura 10.14. La seal de entrada se aplica al emisor y la
Figura 10.15. Amplificador de radiofrecuencia
v,.1
seal de salida se obtiene en el colector. Las resistencias
A,r=-
en configuracin base comn. Vent
R1 y R2 forman un divisor de tensin que poiariza la base.
El condensador C3 conecta la seal de C.A. de la base a Teniendo en cuenta que las ganancias que se consiguen en

Utilidad del amplificador de colector comn

masa.
1~.2.4. Cuadro resumen ae las cada una de las etapas se calculan as:

La impedancia de entrada de este amplificador es extrema-

La impedancia de entrada de un amplificador de base co-
mn es muy baja, del orden de decenas de ohmios (aproxi-
caractersticas de los Avi=V
v,al
damente elevada, mientras que la impedancia de salida del
mismo es muy baja, del orden de unas decenas de ohmios.
madamente se cumple que Z,n, = r,). Esto lo hace muy til
para las etapas de amplificacin en las que existen genera-
amplifica~orns Operando, llegamos a la conclusin de que:
2

Por esta razn, este amplificador posee un gran campo de dores de baja impedancia. En la Tabla 10.2 se expone un cuadro comparativo de las
aplicacin como adaptador de impedancias; a veces tambin diferentes caractersticas de los amplificadores en sus dis-
se lo conoce por el nombre de amplificador de aislamiento. Sin embargo, la impedancia de salida es muy elevada. tintas configuraciones bsicas.
El resultado obtenido nos indica que la ganancia de un am-
plificador con varias etapas en cascada es igual al producto
de las ganancias de cada una de ellas.
Actividad resuelta 10.4
As, por ejemplo, si se acoplasen dos etapas en cascada
que poseyeran una ganancia de 100 cada una, se conse-
guira una ganancia en conjunto igual a:
A"= 100 100 = 10.000
Para realizar este acoplamiento pueden utilizarse conden-
sadores, transformadores, un acoplamiento directo y otros
sistemas que estudiaremos a continuacin.
11111 OJ 1. Acoplamiento
con condensador o RC
En la Figura 10.17 se muestra el acoplamiento de dos am-
plificadores de emisor comn mediante el condensador C2
Esta forma de acoplamiento es vlida cuando las seales
de entrada son de corriente alterna. El condensador blo-
quea las seales de C.C. de un amplificador a otro y permi-
te el paso de la seal de C.A. De esta forma, se consigue
que las diferentes etapas queden aisladas en lo que se refie-
re a la C.C. y, as, se evita el desplazamiento de los puntos
Q de funcionamiento del transistor de cada etapa.
+ Vcc
Figura 10.17. Acoplamiento de amplificadores
con condensador.
Actividad resuelta 10.5
Para entender mejor esto, tomemos como ejemplo el
amplificador en cascada de la Figura 10.17. Al medir
la tensin esttica del colector de T1, nos da una ten-
sin de 10 V. Sin embargo, la tensin esttica de la ba-
se de T2 es algo inferior, unos 7 V. En este caso, cada
uno de estos transistores posee un punto de funciona-
miento independiente. Esto se consigue gracias al ais-
lamiento que produce el condensador a la C.C.
En el caso de que se cortocircuite el condensador de
acoplamiento C2, la tensin de 10 V quedara aplicada
a la base de T2, llevando a este transistor a la saturacin
y la respuesta de este ltimo ya no sera lineal.
El tipo de condensadores que se suelen utilizar para este
tipo de acoplamiento son los electrolticos. Con ellos, se
consigue un valor elevado de la capacidad; que resulta un
aspecto de gran inters para reducir la reactancia de estos a
las bajas frecuencias de las seales de C.A. No obstante,
este tipo de acoplamiento deja de ser ventajoso para fre-
cuencias demasiado bajas, por Jo que se puede afirmar que
su aplicacin es aceptable para frecuencias de seal de
C.A. superiores a los 10 Hz.
IIHI 1O.J.2. Acoplamiento directo
En la Figura 10.18 se muestra un acoplamiento directo de
dos etapas amplificadoras. Este tipo de acoplamiento se
utiliza cuando la frecuencia de la seal es inferior a 10 Hz.
Para estas frecuencias tan bajas, los condensadores ten-
dran que poseer una capacidad elevada; lo que es inviable
en la mayora de los casos.
+ Vcc
t de ~otencia
Vsu!
Figura 10.18. Acoplamiento directo de amplificadores.
El acoplamiento directo tambin se aplica para trabajar
con seales de C.C., como es el caso de los instrumentos
de medida y los osciloscopios, que en algunos casos ope-
ran con este tipo de corriente.
Estos amplificadores han de disearse de forma que las co-
nexiones directas no desven los puntos de trabajo de cada
transistor. As, por ejemplo, en el amplificador de la Figu-
ra 10.18 hay que tener en cuenta que la tensin de emisor
Actividad resuelta f6
de T1 es la misma que la ba5e de T2 Todas las etapas nece-
sitan puntos de funcionamiento con tensiones comunes, lo As, por ejemplo, si los transistores de un par Darling-
que complica el diseo en los casos en que hay que acoplar ton tienen una ganancia de 150 cada uno, se conseguir
muchas etapas. una ganancia de conjunto igual a:
Con este acoplamiento se aumenta la sensibilidad a los
cambios de temperaturi. Por ejemplo, si aumenta la tempe- A;= 150 150 = 22.500
ratura en la primera etapa, la corriente de fuga se eleva,
aumentando tambin /J; esto hace desplazar el punto de
La gran ventaja de este circuito es que posee una impedan-
funcionamiento del transistor de la siguiente etapa, hacien-
do al sistema muy inestable.
cia de entrada muy grande y una impedancia de salida pe-
quea. Este hecho, unido a la gran ganancia de corriente,
Otro inconveniente es que se amplifican las variaciones de hace que este circuito sea de gran inters en aquellas apli-
tensin que se producen en la alimentacin. caciones en donde sea necesario aislar las fuentes de seal
Tanto en el acoplamiento RC como en el directo, la rela- con impedancia elevada de las cargas con pequea impe-
cin de fase entre la entrada y la salida depender del n- dancia.
mero de etapas y del desfase que produzca cada una de
Las parejas de transistores que forman el circuito Darling-
ellas sobre la seal de entrada. As, por ejemplo, en el caso
de que todas las etapas estn en configuracin EC, la salida ton se suelen fabricar en una sola cpsula con solo tres ter-
minales, tal como se muestra en la Figura 10.20.
estar en fase con la entrada para un nmero par de etapas,
producindose un desfase de 180, si es impar.
Colector
1O.JJ Amplificador Darlington
En la Figura 10.19, se muestra un procedimiento amplia-
Base
mente utilizado para acoplar directamente dos transistores
en configuracin colector comn. A este circuito se lo co-
noce como conexin Darlingion. La ganancia de tensin
que se obtiene del conjunto es aproximadamente la unidad.
Sin embargo, se consigue una gran ganancia de corriente,
Emisor
ya que esta es aproximadamente igual al producto de las
ganancias de cada uno de los transistores. Figura 10.20. Transistor Darlington.
Ai (Darlington) = P1 P2
+ Vcc
l0.4. Am~lificadores
Los amplificadores de potencia son necesarios en aquellos
circuitos donde sea necesario entregar una gran cantidad
de energa a la salida, como puede ser un altavoz, un rel,
Vem
un tubo de rayos catdicos, etc.
1111 rn.4.1. Diagrama ae olo~ues
de un amplificador ae audio
En la Figura 10.21 se representan en un diagrama de blo-
ques simplificado las diferentes etapas amplificadoras de
Figura 10.19. Amplificador Darlington. que se compone un equipo bsico de audio.

figura 10.21. Diagrama de bloques de un amplificador
de audio.
El micrfono proporciona una pequea seal de C.A. pro-
porcional a las modulaciones de la presin sonora a l apli-
cada. Como esta seal es muy pequea, se eleva posterior-
mente mediante dos etapas amplificadoras de pequea
seal y, por ltimo, para poder excitar el altavoz, se
aumenta la potencia de la misma mediante una etapa final
amplificadora de potencia.
Las piimeras etapas previas de amplificacin poseen la
funcin de elevar todo lo posible la pequea tensin apli-
cada a ellas, por lo que han de tener una ganancia de ten-
sin elevada. Sin embargo, en las etapas finales se trata de
elevar la potencia de seal para que se pueda mover la
membrana del altavoz. Para conseguirlo, se emplean los
amplificadores de potencia.
En definitiva, un amplificador de potencia tambin es un
amplificador de tensin, con la diferencia de que, debido a
que la resistencia de la carga en las ltimas etapas es bas-
tante baja (corno por ejemplo un altavoz de 4 Q), las co-
mentes de colector han de ser ms elevadas.
Los transistores utilizados para este tipo de amplificado-
res poseen una potencia nominal superior a los empleados
en amplificadores de pequea seal (para los primeros
PN > 1/2 VI, para los segundos PN < 1/2 W).
10.4.2. Rendimiento
de un amplifica~or
Corno ya sabernos, el objeto de un amplificador es ceder
una potencia a la seal de salida a costa de la potencia de
comente continua entregada por la fuente de alimentacin
de C.C. (Figura 10.22).
Potencia de ( \
salida (P~,) .V
ji>, ~
Figura 10.22. La fuente de alimentacin proporciona
energa para el amplificador de potencia.
En un amplificador de potencia es muy importante que la
potencia que entrega la fuente sea aprovechada al mximo
para conseguir la mayor potencia de seal de salida. Es
decir, que el rendimiento de un amplificador se determina
mediante la siguiente relacin:
psal
17% =-100
pee
17 % = Rendimiento en tantos por ciento.
P,al = Potencia de la seal de salida.
Pee = Potencia de C.C. cedida por la fuente.
Actividad resuelta 10.7
As, por ejemplo, si para que el amplificador de la Fi-
gura 10.35 proporcione al altavoz una potencia de
10 W se necesita suministrar por la fuente 20 W, el
rendimiento ser entonces:
lOW
1%=--100=50%
20W
El rendimiento de un amplificador de potencia es mucho
ms importante que uno de pequea seal.
Actividad resuelta 0.8
Supongamos que un amplificador de audio posee una
potencia de salida de 200 W y un rendimiento de tan
solo el 10 %. La potencia que deber entregar la fuente
en este caso ser:
P,.1 200
P =-100 = -100 = 2.000 W
ce 17% 10
Para esta potencia tan grande, es necesario una fuente
de alimentacin muy voluminosa y cara; aparte dei
gran inconveniente de los calentamientos produci-
dos, ya que de los 2.000 W entregados por la fuente,
1.800 W se convierten en calor.
10.4.J. Amplificaaor de potencia
push-pull
Una forma de aumentar el rendimiento de un amplificador
es conseguir que el transistor tenga su punto de trabajo en
la zona de corte, as se logra que este no conduzca hasta
que no aparezca seal en la entrada. A esta forma de hacer
trabajar a un amplificador se la conoce como clase B (Fi-
gura 10.23).
le
. VcE
~ Punto de funcionamieno
al cmte (fe= 0)
Seal de 1
salida recortada 1
figura 10.23. Punto de funcionamiento
de un amplificador de clase B.
Para conseguir este punto de operacin, la polarizacin de
la unin base emisor debe ser nula. En consecuencia, el
transistor no comenzar a conducir hasta que la seal de
entrada proporcione la polaiizacin adecuada. Con esta
forma de trabajo se consigue eliminar el consumo constan-
te de potencia suministrado por la fuente de alimentacin,
por lo que el rendimiento aumenta considerablemente. Sin
embargo, se presenta un inconveniente: la tensin que apa-
rece en la salida es nicamente la correspondiente a los se-
miciclos positivos de la seal de entrada y, en consecuen-
cia, la distorsin que se produce es muy grande.
La forma de evitar el problema de la distorsin es utilizar
dos transistores en contrafase o en conexin push-pul/.
En la Figura 10.24 se muestra un amplificador de potencia
push-pull trabajando en clase B.
+ Vcc
h
1
Figura 10.24. Amplificador push-pull de clase B.
Uno de los transistores amplifica la mitad positiva de la
seal de entrada y el otro la negativa. Los transistores utili-
zados para este circuito son dos NPN, siendo necesario
tambin el uso de dos transfomadores, el T, 1 (transforma-
dor de entrada) y el T,.2 (transformador de salida). Este cir-
cuito funciona as: mientras no exista seal de entrada, los
transistores T I y T2 permanecen en corte y no fluye co-
rriente alguna por ellos. Cuando se aplica una seal senoi-
dal a la entrada, la parte positiva de esta polariza adecua-
damente, a travs del secundario del transformador de
entrada, al transistor T 1, el cual hace circular una comente
! 1 a travs del primario del transformador de salida. En el
secundario de este transformador aparece entonces el se-
miciclo positivo de la seal de salida. Mientras tanto, el
transistor T2 permanece en corte.
En el siguiente semiciclo, cuando se invierte la seal alter-
na aplicada a la entrada, en el secundario de T, 1 aparece el
semiciclo negativo, que hace que el transistor T 1 entre en
corte y el T2 se polarice correctamente, proporcionando
una corriente !2 al transformador de salida que, a su vez,
produce la apaiicin del semiciclo negativo amplificado en
la salida. En conclusin, este circuito amplifica la seal de
entrada completa.
Existen otros circuitos push-pull que evitan el uso de trans-
formadores. En la Figura 10.25 se muestra un ejemplo de
uno de ellos.
~----.----o + Vcc
t
Figura 10.25. Amplificador push-pull sin transformadores.
En este caso se han conectado en contrafase un transistor
NPN y un PNP. Las resistencias de polarizacin se calcu-
lan de tal forma que los transistores consigan su punto de
funcionamiento esttico en el punto de corte de la recta de
carga. Adems, existe una simetra en el circuito de polari-
 zacin que hace que la cada de tensin en cada uno de los
transistores sea la mitad de la tensin de alimentacin. Los
condensadores C1 y C2 desacoplan la componente continua
de la seal de entrada y el C3 asla la seal de salida de la
tensin continua de la fuente de alimentacin.
Debido a que los dos transistores trabajan en configuracin
emisor comn, este amplificador presenta una impedancia
alta a la entrada y muy baja a la salida, lo que le hace ideal
para funcionar en etapas finales de audio, donde los altavo-
ces presentan una impedancia de 4 a 8 ohmios.
tan solo unos minutos. Merece la pena esta inversin de
tiempo, antes de desmontar el aparato de su caja.
En el caso de que sea necesario desmontar el aparato, con-
viene seguir unas mnimas medidas de seguridad, como son: !
I
o Desenchufar el equipo de la red.
Figura 0.28. Verificacin de un altavoz.
Una vez desenchufado, accionar el interruptor de puesta
en marcha del equipo durante un pequeo tiempo. As,
BYPASS 1 !4Vs En el caso de que el altavoz est en buen estado, emitir un
se descargarn los condensadores electrolticos y se evi-
NOfHNVERTINGINPUT 2 13 NC pequeo sonido. Esta comprobacin tambin se puede rea-
tarn descargas molestas.
lizar con el polmetro utilizado como hmetro, aprove-
.,..; LM384 11 GND

IHll 1~.4.4. Am~lificaoorns integraoos
oe ~otencia
Hoy en da es posible sustituir por un solo circuito integra-
do, tanto la etapa final de potencia de un amplificador de
audio, como la mayor parte de los componentes que cons-
tituyen el conjunto del amplificador. As, se consiguen
simplificar satisfactoriamente los circuitos y obtener unas
caractersticas de funcionamiento muy aceptables. En el
. mercado existe una amplia gama de amplificadores inte-
grados que satisfacen ampliamente la mayor parte de las
necesidades, cuyas caractersticas se pueden consultar en
los data books que editan los fabricantes.
l~1 localizacin ae averas
"/
Seguir las instrucciones de desmontaje sealadas en los
manuales por el fabricante. As, evitaremos errores que
chando la pila que este lleva en su interior.
En el caso de que el altavoz y la fuente de alimentacin se
10 puedan ocasionar nuevas averas.
INVERTING INPUT 6 g NC
Emplear herramientas adecuadas para cada operacin.
encuentren en buen estado, habr que encontrar la avera
en alguna de las etapas del amplificador. En la Figura
GNU 1 e Vou1 10.29 se muestra el diagrama de bloques de un amplifica-
Ordenar y guardar las piezas de sujecin y dems com-
dor de audio de tres etapas.
ponentes del equipo que se desea desmontar.
Figura 10.27. lM384.
Una vez desmontado el equipo, conviene realizar una ex-
ploracin visual del circuito con objeto de detectar alguna Etapa l Etapa3
En el MATERIAL WEB que se ha preparado para este anomala evidente, como puede ser:
texto, se incluyen las hojas de caractersticas del am-
plificador integrado LM384. Cables y componentes rotos.
Componentes quemados o sin color.
Figura 10.29. Diagrama de bloques de un amplificador
Objetos extraos que ocasionan cortocircuitos, como de tres etapas.
tomillos, clips, etc.
Placas de circuito impreso quemadas o agrietadas. Cualquier interrupcin en una parte del circuito dejar la

Un ejemplo de amplificador integrado es el LM384, que
proporciona una potencia de salida de 5,5 W y una ganan-
cia de tensin de 50. En la Figura 10.26, se muestra un
ejemplo de aplicacin de este tipo de amplificador integra-
do, en el que se puede apreciar la pequea cantidad de
componentes que se necesitan para completar el circuito.
+ Vcc
~ re~aracin en un
am~lificaaor
Los pasos a seguir para reparar un amplificador son simila-
res para todos los tipos. Lo principal es conocer el funcio-
namiento bsico de los circuitos y la experiencia ser la
que dicte, en cualquier caso, cul ser el mtodo ms ade-
cuado a seguir.
Terminales de componentes en contacto, por estar do-
blados.
En caso de no encontrar la causa de la avera, habr que
observar los sntomas. Estos pueden ser:
Ausencia de seal de salida.
Seal de salida dbil.
Distorsin y ruido en la seal de salida.
salida sin seal. El mtodo a seguir, en este caso, para lo-
calizar la avera es encontrar la etapa defectuosa y aislarla
para determinar, posteriormente, el fallo de algn compo-
nente de esta. Para realizar esta operacin, se pueden utili-
zar dos mtodos:
Por inyeccin de la seal.
Por seguimiento de la seal. I'Ji

Para localizar una avera hay que seguir siempre los si- Comencemos por el primero. Localizacin de averas por inyeccin de seal
Vent
guientes pasos: Este mtodo se basa en la inyeccin de una seal de prueba 1
a) Observar los sntomas que provoca el mal funciona-
11111011. Ausencia de seal
de 1.000 Hz mediante un generador de seales. i
miento. El procedimiento a seguir es: se comienza inyectando una 1
b) Estudiar las posibles causas de la avera. de salioa seal de prueba a la ltima etapa amplificadora. Si el alta- :
voz percibe la seal, esto ser indicativo de que la etapa
e) Reducir las posibilidades. La falta de salida en un amplificador puede ser debida a: est en correcto estado (Figura 10.30). Seguidamente, se 1

Figura 10.26. Amplificador integrado lM384.
En la Figura 10.27 se muestra el aspecto del circuito inte-
grado LM384 y la disposicin de sus terminales.
Junto con la observacin de los sntomas, antes de comen-
zar a estudiar las causas posibles de la avera, conviene
comprobar si todos los mandos y conexiones del equipo
amplificador estn en buen estado. En muchas ocasiones la
avera puede estar en un fusible fundido o en una conexin
de la alimentacin mal hecha; incluso podra ser debida a
una mala conexin de los altavoces o de la seleccin de
entrada de seales (micrfono, giradiscos, pletina, etc.).
Para realizar estas comprobaciones, es necesario dedicar
Un fallo en la fuente de alimentacin.
Altavoces defectuosos.
Una etapa amplificadora defectuosa.
Para localizar el posible fallo de la fuente de alimentacin,
seguiremos las recomendaciones dadas en la Unidad 8.
Para comprobar si un altavoz est defectuoso, es suficiente
con conectar una pila de 1,5 V en sus bornes (Figura 10.28).
prueba con la siguiente etapa y, as, sucesivamente, hasta
encontrar la etapa defectuosa que no produce salida en el
altavoz.
-Para realizar esta comprobacin con correccin, es conve-
niente tener en cuenta las siguientes consideraciones.
Seleccionar adecuadamente el nivel de la tensin de
prueba, ya que una seal demasiado fuerte puede estro-
pear un altavoz o algn otro componente.
 Antes de inyectar la seal, comprobar el esquema del
circuito. As, evitaremos conexiones incorrectas. En
ciertos circuitos el chasis no se utiliza como masa del
circuito, por lo que sera errneo conectar el cable de
masa del generador al chasis.
Osciloscopio
Etapa 1 Etapa3 r:J
1
1
L __, -0)-i Generador
de seales
figura 10.30. localizacin de averas en un amplificador
por inyeccin de seal.
Loralzadlil de averas por seg111imielilto
id!e fa serial
Para seguir este mtodo, es necesario un polmetro o un
osciloscopio. Consiste en ir_comprobando si la seal apare-
ce despus de cada una de las etapas, realizando esta ope-
racin desde la primera hasta la ltima etapa. El fallo esta-
r en aquella etapa amplificadora que no proporcione seal
de salida.
Para conseguir buenos resultados con este mtodo es muy
importante seleccionar para cada circuito la sensibilidad
adecuada del aparato de medida destinado al seguimiento
de la seal. As, por ejemplo, si las seales son de radiofre-
cuencia habr que utilizar un osciloscopio que sea capaz
de medir altas frecuencias. Por todo ello, es muy importan-
te conocer el origen de la seal antes de comenzar con las
medidas.
Una vez que se ha determinado cul es la etapa averiada, el
siguiente paso ser encontrar el componente o componen-
tes defectuosos de la misma. El mtodo ms utilizado para
estos casos es el anlisis de tensin.
Localizacin de averas por amilisis de tensin
Este mtodo se basa en ir comprobando todas las tensiones
que aparecen en los diferentes puntos del circuito de la eta-
pa amplificadora defectuosa. Las tensiones correctas las
suele indicar el fabricante en los esquemas. Una vez detec-
tada la tensin incorrecta, habr que aplicar las leyes de los
circuitos para determinar el componente averiado. Veamos
seguidamente un ejemplo:
En la Figura 10.31 se muestra un amplificador de dos eta-
pas, acoplado por condensador.
+ Vcc
/] I'
Figura 10.31. Amplificador de dos etapas acoplado
por condensador.
Supongamos que en el colector del transistor T2 se miden
12 V respecto a masa y, sin embargo, el fabricante indica
que esta tensin debe ser de 6 V. Si toda la tensin de la
fuente aparece en el colector, ser porque por R7 no fluye
corriente alguna, ni por el transistor. Lo que nos indica que
T2 est en corte. Esta avera puede estar causada por los
siguientes componentes:
El transistor puede estar estropeado.
R5 puede estar abierta. Con lo cual se despolariza la base
de T2 y este entra en corte. Esto se puede comprobar mi-
diendo la tensin en la base, que ser cero si R5 est
efectivamente abierta.
R6 puede estar cortocircuitada. Esto es muy poco proba-
ble, pero de ser as, desaparece la tensin de polmiza-
cin y el transistor entra en corte. En este caso tambin
la tensin de base es cero.
R8 puede estar abierta. En este caso la tensin de 12 V de
la alimentacin aparecer en los bornes de dicha resis-
tencia.
En conclusin, lo ms importante para localizar el compo-
nente estropeado es conocer cmo opera el circuito y las
leyes que se dan en l.
Tambin se da la posibilidad de que exista una avera en el
circuito de la seal de C.A. que interrumpa la evolucin de
esta sin modificar sustancialmente las tensiones de C.C.
Este tipo de averas pueden ser causadas por:
Condensadores de acoplamiento abiertos.
o Transformadores de acoplamiento defectuosos.
Para encontrar el componente averiado, lo ms habitual es
emplear la inyeccin o seguimiento de la seal.
A continuacin, estudiaremos el siguiente sntoma que se
puede dar en un equipo amplificador averiado.
1~.5.2. Seal DB saliaa a~il
Este sntoma es fcil de apreciar en un equipo de audio.
Los altavoces producen un sonido muy dbil aunque se si-
te el potencimetro de volumen al mximo.
Antes de comenzar con ninguna comprobacin compleja,
conviene realizar todas las inspecciones rutinarias descri-
tas al comienzo de este apmtado.
Una seal de salida dbil puede ser debida a:
Una entrada baja de la fuente de seal.
0 Un dispositivo de salida defectuoso.
0 Una etapa amplificadora con baja ganancia.
Entrada baja de la fuente de sei.al
La entrada baja puede ser ocasionada por un deterioro en
el micrfono, cpsulas fonocaptoras del giradiscos, etc.
Para comprobar si la avera es causada por estos elemen-
tos, es suficiente con probar con otras fuentes de seal o
con un generador de seales de prueba.
Dispositivo de salida defectuoso
En un equipo de audio el dispositivo de salida es el alta-
voz. Este puede haberse estropeado y haber aumentado su
impedancia. Una forma de comprobarlo puede ser la de
sustituir el altavoz del equipo por otro de las mismas ca-
ractersticas. Tambin se puede sustituir el altavoz por una
ser ms fcil localizar la avera. Estos ruidos pueden ser:
carga resistiva conocida.
amplificaid!rnra con
En el caso de que la seal de entrada y el dispositivo de
salida funcionen correctamente, la avera puede estar cau-
sada por una o varias etapas que proporcionan una ganan-
cia ms baja de la especificada.
La localizacin de una avera de este tipo es un poco ms
complicada que cuando existe una interrupcin de seal.
Para ello, se necesita conocer muy bien el circuito y saber
previamente cmo responde cada etapa. En estos casos, los
esquemas y boletines de asistencia tcnica sern de una
gran ayuda, ya que suelen incluir en la informacin diagra-
mas de las ondas que deben aparecer en un osciloscopio en
las distintas partes del circuito.
En el caso de tratarse de amplificadores estreos, el mto-
do es ms simple, ya que existen dos circuitos idnticos,
uno para cada canal, que podrn ir comparando hasta dar
con la etapa de baja ganancia.
El seguimiento de la seal se hace, en cualquiera de los
casos, avanzando desde la entrada hasta la salida.
Una vez que se ha detectado la etapa de baja ganancia, hay
que localizar cul de sus componentes es el que est defec-
tuoso. Las causas que pueden llegar a provocar baja ganan-
cia son:
o Condensador de paso abierto.
Condensador de acoplamiento defectuoso.
Tensin de alimentacin inferior a la normal.
Transistor mal polarizado.
Transistor defectuoso.
En caso de sospechar que alguno de los componentes est
defectuoso, se pueden realizar sustituciones. As, por ejem-
plo, puede conectarse un condensador en paralelo con el
que se cree que est abierto. Si la ganancia se mejora, ser
prueba de que este era el causante de la avera. Este mto-
do no se podr realizar en aquellos casos en que las tensio-
nes del circuito sean elevadas, ya que pueden ocasionar ac-
cidentes indeseables.
1~.5.3. Distorsin f ruiao
en la seal ~e saliaa
Este sntoma se caracteriza por un ruido desagradable que
aparece en los altavoces de salida. La seal de salida se
presenta distorsionada debido a algn fallo del circuito.
Los ruidos que se pueden presentar en un amplificador de
audio son muy variados. Si aprendemos a distinguirlos,
Zumbido.
Sonido de frotacin.
Ruido constante (como de fritura o silbante).
Zm11bid()
Este ruido puede aparecer ocasionado por las siguientes
causas:
Rizado excesivo de la fuente de alimentacin.
Rotura de alguna conexin a masa.
Cable apantallado defectuoso.
Para encontrar los fallos producidos por un excesivo riza-
do, es conveniente realizar medidas con el osciloscopio en
los diferentes puntos de la alimentacin.
Los cables apantallados se utilizan para evitar que se in-
duzcan en los mismos seales de la frecuencia alterna de la
red. Conviene comprobar el trenzado de estos cables, ya
que un defecto en el mismo puede ocasionar zumbido en la
seal de salida.
Tambin habr que comprobar el estado de todas las cone-
xiones a masa y de los blindajes, en caso de que los hubiese.
Sonido de frotacin
El sonido de frotacin suele estar ocasionado por los di-
ferentes potencimetros del circuito (volumen, tono,
etc.). Detectar este fallo es bien sencillo, basta con mo-
ver los potencimetros hasta detectar el que causa la dis-
torsin.
Esta avera se puede reparar momentneamente, aplican-
do una sustancia limpiadora en las pistas del potencime-
tro averiado, aunque lo ms seguro es sustituirlo por uno
nuevo.
Ruido constante
10.1. Verificacin de un amplificador. Consigue un amplifi-
Este ruido puede ser debido a un transistor o circuito inte-
grado defectuoso. Para localizar este tipo de averas, es de
gran utilidad el mtodo de inyeccin y seguimiento de una
seal de prueba.
En ocasiones el ruido puede ser debido a una polarizacin
inadecuada que distorsiona la seal (distorsin de cruce,
recortamiento de la seal, etc.). En estos casos se inyecta
una seal triangular, ya que es ms fcil detectar una dis-
torsin en ella.
Con estas consideraciones, ya nos podemos hacer una idea
general de cmo son los procesos que se siguen para la lo-
calizacin de averas de un amplificador de audio.
cador de audio comercial y, con el esquema del circuito,
identifica las diferentes etapas amplificadoras, as como
los aspectos ms sgnilicativos del mismo: caractersti-
cas tcnicas, posibilidades de conexin, etc.
10.2. Verificacin de un amplificador de emisor comn.
Figura 10.32.
Prueba del circuito: consigue un elemento para apli-
car una seal de entrada al amplificador, como, por
ejemplo, un reproductor de discos, un magnetfono, un
sintonizador, o un simple micrfono. Adems necesita-
rs un altavoz para conectar a la salida del amplificador.
As, podrs probar si el funcionamiento del amplificador
y todos sus controles es correcto.
Verificacin del circuito amplificador: esta prueba
consistir en introducir una seal de audiofrecuencia
por una de las entradas e ir comprobando mediante el
osciloscopio las modificaciones que se dan en la misma
al transcurrir por los diferentes circuitos y llegar a la sali-
da. Esta seal no podr ser proporcionada por un mag-
netfono o por un plato, debido a que sus variaciones
de nivel de frecuencia son difciles de lijar. Por esta ra-
zn, es necesario inyectar una seal que sea .fcil de
medir y con una frecuencia lija, como puede ser la pro-
porcionada por un generador de seales de baja fre-
cuencia. La seal empleada para estos casos es la se-
noidal, con una frecuencia de 1.000 Hz (un buen odo
humano es capaz de percibir seales desde 20 Hz has-
ta 20 kHz). La seal de 1.000 Hz cubre parte de las ba-
jas frecuencias y de las altas.
El altavoz que normalmente se conecta a la salida del
amplificador conviene que sea sustituido por una resis-
tencia hmica que posea los mismos valores de impe-
dancia y potencia. As evitaremos los ruidos molestos
que emitira dicho altavoz.
Una vez hechas estas consideraciones previas, inyecta
a la entrada del amplificador una seal senoidal de
1.000 Hz y 3 mV y, con el osciloscopio, comprueba el
nivel de la seal en las diferentes etapas amplificado-
ras. Una vez hecho esto, eleva el nivel de la seal de
entrada hasta provocar la distorsin de dicha seal en
la salida y anota los resultados, comprobando la rela-
cin de fase de las diferentes etapas, as como la ga-
nancia y el nivel de distorsin.
Consigue el circuito de un amplificador de emisor co-
mn, o en su defecto monta en el entrenador didctico
o en una placa de circuito impreso el circuito que se
muestra en la Figura 10.33.
. - - -.....---o+ Vcc
12V
figura 10.33.
Antes de realizar la verificacin experimental del cir-
cuito, determina tericamente los siguientes valores
que se dan en el circuito: V8 , V0 , VE, VcE, as como la
ganancia de tensin con el condensador de paso y
sin l.
Seguidamente, comprueba mediante un voltmetro si
los valores calculados anteriormente, de una formate-
rica coinciden aproximadamente con los resultados de
las medidas obtenidas en el circuito.
Una vez hecho esto, mediante un generador de sea-
les, inyecta a la entrada del amplificador una seal se-
noidal de bajo nivel y de 1 kHz. Con un osciloscopio,
 visualiza la seal de salida en el canal B y la de entrada
en el A, ajustando el nivel de entrada de dicho genera-
dor de seales hasta obtener una seal de salida sin
distorsin.
Ahora, dibuja los oscilogramas obtenidos, comproban-
do el des/ase entre las seales de entrada y salida. De
termina la ganancia de tensin. Retira el condensador
de paso y comprueba el efecto producido sobre ia ga
nancia.
En el MATERIAL WEB que se ha preparado para es-
te texto se incluyen las hojas de carne/ersticas del
transistor BC108A.
10.3. Acoplamiento de amplificadores. Se trata de com-
probar la respuesta de un amplificador de dos etapas
acopladas mediante RC, para posteriormente compa
rar los resultados obtenidos con un acoplamiento di
recto.
10.4. Circuito amplificador de audio de 1OW con circuito
Para empezar, consigue un amplificador constituido por
dos etapas en emisor comn acopladas mediante RC,
identificando la situacin y funcin de cada uno de los
componentes del circuito. En su defecto, monta en el
entrenador didctico el circuito que se sugiere en la Fi
gura 10.34.
Al igual que se hizo en la Prctica de laboratorio 10.2
mediante un generador de seales, inyecta a la entrada
del amplificador una seal senoidal de bajo nivel y de
1 kHz. Con un osciloscopio, visualiza la seal de salida
en el canal B y la de entrada en el A, ajustando el nivel
de entrada de dicho generador de seales hasta obte-
ner una seal de salida sin distorsin.
Generador
de seales
Figura "I0.34.
Seguidamente, dibuja los oscilogramas obtenidos, com- + Vcc= 18V
probando el desfase entre las seales de entrada y sali-
da. Ahora, conecta el canal B del osciloscopio a la sali-
da de la primera etapa amplificadora. Dibuja los
Vent
oscilogramas y determina la ganancia de tensin en la
primera etapa y en el conjunto.
En estas condiciones, comienza a reducir la frecuencia
de la seai de entrada hasta valores inferiores a 10 Hz.
Comprueba hasta qu frecuencia el amplificador man-
tiene la seal en la salida sin distorsin.
Ahora, cortocircuita el condensador de acoplamiento
C2 , con lo que los amplificadores quedarn acoplados
directamente. Repite todas las medidas realizadas an-
teriormente para este tipo de acoplamiento, comparan-
do los resultados obtenidos. Por ltimo, indica las ven- figura 10.35.
tajas e inconvenientes que observas en cada una de
estas dos tcnicas de acoplamiento de amplificadores.
dor integrado con una potencia de salida de 1OW y que 10.5. Amplificador audio estreo de 2X10 W con circuito
integrado TDA2003. Se trata de conseguir, mediante
habr que montar un disipador de calor adecuado para integrado TDA2009. Se trata de conseguir, mediante
solo un circuito integrado como elemento activo, un am-
evitar que se destruya por excesos de temperatura. Pa solo un circuito integrado como elemento activo, un am
plificador de audio que sea capaz de proporcionar una
ra conseguir estos 1O W de potencia, se recomienda plificador de audio estreo que sea capaz de proporcio-
potencia de 1OW sobre un altavoz con un rango de im
conectar un altavoz de 4 ohmios de impedancia, siendo nar una potencia de 2X10 W en ambos canales.
pedancia de 2 a 8 ohmios.
el nivel de la seal de entrada recomendada de 1 Vpp.
En la Figura 10.37 se muestra el circuito para el monta-
En la Figura 10.35 se muestra el circuito para el monta-
En la Figura 10.36 se muestra el aspecto del circuito in- je de este amplificador.
je de este amplificador.
tegrado y la disposicin de sus terminales.
En la Figura 10.38 se muestra el aspecto del circuito in
La fuente de alimentacin que suministra la corriente
tegrado y !a disposicin de sus terminales.
continua a este circuito deber de poder entregar, como
mnimo, una intensidad de corriente de 2 A. Monta el circuito y comprueba las diferentes magnitu-
des que se dan en l mediante el polmetro y el oscilos
El circuito integrado TDA2003, del cual se adjuntan sus
copio y un generador de seal.
caractersticas en el MATERIAL WEB, es un amplifica-
+ Vcc 2
figura 10.36. TDA2003.
Monta el circuito y comprueba las diferentes magnitu-
des que se dan en l mediante el polmetro y el oscilos-
copio y un generador de seal.
Osciloscopio
 IOOF } Ci + Vcc= 18V

~ i--------<ilOO
nF 10.i. Cul de las configuraciones sera ms adecuada para
disear un amplificador que tuviese a su entrada un ge-
a) Elimina la componente continua de la seal a am-
plificar.

-I
nerador de seales de alta impedancia?
b) Elimina la componente alterna de la seal a amplifi-
C11 a) Base comn. car.
1~ Salida Izquierda
C1 b) Colector comn.
1--------.....-!li 35 V r.J__J_ Altavoz (4 Q) e) Aumenta la ganancia del amplificador.
~ e) Emisor comn.
35V J !Q/3W 10.8. Qu aplicaciones se pueden hacer del amplificador
10.2. Por qu se caracteriza un amplificador de clase A? en colector comn? Cmo son su impedancia de en-
a) La seal de salida est distorsionada. trada y su ganancia? Y para el amplificador de base
comn?
b) Solo aparece en la salida la parte positiva de la se-
al. a) Aquellas que requieran de una gran ganancia de
tensin.
e) Aporta a su salida una seal sin distorsin.
Salida Derecha
b) Aquellas que requieran de una gran ganancia de
Altavoz (4n) 10.3. La seal de entrada de un amplificador es de 6 mV y
corriente.
2 mA. Determina la ganancia de tensin, potencia y co-
rriente de este amplificador, si la seal que se obtiene e) Aquellas en las que el generador de seales posea
en la salida es de 2 V y 20 mA. una impedancia muy alta.

10.4. En un amplificador de audio, debido a un error se ha
polarizado al transistor, correspondiente a una de las
etapas del mismo, en un punto muy prximo a la zona
de corte. Cul piensas que puede ser el electo creado
en la salida del altavoz cuando se aplique una seal de
Figura 10.37.
audio de nivel medio a la entrada del amplificador?
a) Se produce un recorte y distorsin en la audicin.
b) No se produce ningn electo apreciable.
e) Aporta a su salida una seal sin distorsin.
10.5. Qu desfase se produce entre la seal de entrada y
de salida en un amplificador de emisor comn?
a) Ninguno.
b) 180.
c) 90.
2 10.6. Qu electo se produce al eliminar el condensador de
paso del emisor de un amplificador de emisor comn?
figura 10.38. TDA2009.
a) Aumenta la ganancia del amplificador.
b) Solo aparece en la salida la parte positiva de la se-
al.
e) Se reduce la ganancia del amplificador.
10.9. Cmo son las impedancias de entrada y salida para
un amplificador de base comn?
a) Impedancias de entrada y salida altas.
b) Impedancia de entrada baja y alta de salida.
e) Impedancia de entrada alta y baja de salida.
10.1 O. Un circuito amplificador de pequea seal tiene co-
nectado a su entrada un micrfono de 1O kfl de resis-
tencia interna. Averigua la capacidad recomendable
para el condensador de acoplamiento con el amplifica-
dor si este posee una resistencia de entrada de 11 kfl
y se desea que trabaje dentro de las frecuencias de
10 Hz y 30 kHz.
10.11. Un amplificador proporciona una potencia en su salida
de 10 W. Para ello, la fuente de alimentacin de 12 V
proporciona una corriente de 4 A. Cul ser el rendi-
miento del amplificador?
10.12. Un amplificador posee un rendimiento del 25 %. Deter-
mina la corriente que debe proporcionar una fuente de
alimentacin de 1O V al circuito, si la potencia de sali-
da es de 15 W.

10.7. Qu electo produce la conexin de un condensador 10.13. Cul es la ganancia de potencia de un amplificador,
de acoplamiento a la entrada de un amplificador? si Av= 200 y A;= 150?
10.1. Habrs podido comprobar cmo con un solo circuito integrado es posible construir un amplificador de forma sencilla. Entra
en Internet y busca en un datasheet, como por ejemplo: hitp://www.datasheetcatalog.com, circuitos integrados para apli-
caciones en amplificadores de audio y realiza una clasificacin de los mismos. A su vez, busca en Internet circuitos prcti-
cos de amplificadores y analiza su composicin y funcionamiento.
A modo de ejemplo, en la Figura 10.39 se muestran unos recortes pertenecientes a la hoja de caractersticas del amplifi-
cador de audio integrado TDA1011.

2 to 6 W audio power amplifier TDA1011

The TDA 1011 is a monolithic integrated audio amplifier circuit in a 9-lead single in-line (SIL) plastic package. The device
is especially designed for portable radio and recorder applications and delivers up to 4 W in a 4 D. load impedance. The
device can deliver up to 6 W into 4 D. at 16 V loaded supply in mains-fed applications. The maximum permissible sup
voltage of 24 V makes this circuit very suitable for d.c. and a.c. apparatus, while the very low applicable supply voila
of 3,6 V permits 6 V applications. Special features are:

QUICK REFERENCE DATA

Supply voltage ranga Vp 3,6to20 V
Peak output current loM max. 3 A
Output power at d101 = 10%
Vp=16V;RL=4D. P, typ, 6,5 w
Vp=12V;RL=4D. Po typ. 4,2 w
Vp= 9V;RL=4D. Po typ, 2,3 w
Vp= 6V;RL=4D. Po typ. 1,0 W
Total harmonic distortion at PO = 1 W; RL = 4 D. diot typ, 0,2 %
Input impedance
preamplifier (pin 8) IZrl > 100 kD.
power amplifier (pin 6) IZ;I typ, 20 kD.
Total quiescent current ltot typ, 14 mA
Operating ambient temperature Tamb -25 to+ 150 C
Storage temperatura Tstg -55to+150 C
APPUCATION IN.FORMATION

+ ClO
,,
680
v,

v,
.,
rn

Circuitdiagramofa4Wampl:lier.

figura 10.39. Hoja de caractersticas del amplificador de audio integrado TDA1011.


1111.1. fI transistor fH
El FET, transistor de efecto de campo o transistor unipolar,
fue inventado en 1948, al mismo tiempo que el transistor
normal o bipolar, pero no fue posible su implantacin has-
ta 1970 debido a la alta tecnologa necesaria para formar
sus uniones.
No es muy comn encontrarse en un circuito un transistor
FET aislado, estos suelen aparecer, ms bien, insertos en
circuitos integrados. Otras veces aparecen incorporados,
por ejemplo, en las cpsulas microfnicas, como un peque-
o preamplificador de la seal dbil que se produce en
estas.
Un FET rene las caractersticas ms interesantes de las
vlvulas electrnicas, con las grandes ventajas de los
componentes semiconductores. Segn su composicin,
existen dos tipos de transistores FET, los FET de canal N
y los FET de canal P.
En la Figura 11.1 se muestra la estructura de un transistor
. unipolar FET de canal N con su smbolo correspondiente.
Compuerta
Drenador
o graduador
Graduado~
Surtidor
Fuente Sumidero
o surtidor o drenador
p regin se encontrar para los valores de 3 a 16 V de Vos
Figura 11.1. Transistor FET de canal N.
Este componente est formado por una delgada capa de
material semiconductor tipo N denominado canal. A los la-
dos de este aparecen dos regiones de material semiconduc-
tor tipo P. En cada uno de los extremos del canal se sita
un terminal. As, tenemos un terminal de fuente o surtidor
(del ingls source) y otro de sumidero o drenador (drain).
Las dos regiones P se interconectan entre s y, exterior-
mente en el terminal de compuerta o graduador (gate).
Este componente funciona de la siguiente forma: en los
transistores de unin' bipolares, la corriente colector emisor
se controlaba gracias a la variacin de la pequea corriente
que se aplica a la base, realizndose la conduccin tanto
por electrones como por huecos. Sin embargo, los transis-
tores de efecto de campo funcionan solamente con un tipo
de portadores de carga: huecos o electrones, segn el tipo
de canal. As, por ejemplo, en un FET de canal N los por-
tadores son los electrones.
El transistor de la Figura 11.2 conduce siempre del termi-
nal de surtidor al de drenador (sentido electrnico de la co-
rriente). El canal N posee suficientes electrones libres para
que se pueda establecer un paso de corriente. Si ahora so-
metemos el terminal de graduador a una tensin negativa,
los electrones libres sern expulsados por repulsin fuera
del canal. Esto hace que el canal se quede con menos por-
tadores de carga y, por tanto, su resistencia aumente consi-
derablemente, lo que provoca una disminucin de la co-
rriente que atraviesa el canal del surtidor al de drenaje. En
el caso de que la tensin sea suficientemente negativa, la
corriente puede dejar de fluir.
FET de canal N, y en la Figura 11.5 el circuito correspon-
D
Voo
figura 11.2. funcionamiento de un FET de canal N.
A esta forma de trabajo se la denomina de empobrecimien-
to, es decir, que la tensin de control aplicada al graduador
empobrece o extrae los portadores del canal, lo que hace
que este se estreche al paso de la corriente.
En el FET de canal P de la Figura 11.3 se utiliza material
semiconductor P para el canal y N para la puerta.
Compuerta
o graduador Graduador-e Drenador
Surtidor
N polarizado inversamente, por lo que la corriente inversa
Fuente Sumidero
Cana!P o drenador
o surtidor
N cuenta una corriente, la f 0 .
Figura 11.3. Transistor FET de canal P.
Observa que en este caso, la flecha del canal, en el smbo-
lo, apunta hacia fuera. La tensin aplicada a la puerta se
hace ahora positiva, con lo que se consigue as repeler los
huecos existentes en el canal P y controlar de esta forma la
corriente del surtidor. En cualquiera de los dos tipos de
transistores unipolares, la tensin de polarizacin del diodo
formado por la puerta y el canal se polariza inversamente.
De esta forma evita que por esta unin fluya corriente elc-
trica.
Todo el estudio del FET que vamos a realizar a continua-
cin lo haremos para el de canal tipo N.
IIB 11.1.1. Curvas caractersticas
de drnnador de un m
En la Figura 11.4 se muestra un ejemplo de la familia de
curvas caractersticas de surtidor comn de un transistor
diente con el que se han obtenido dichas curvas.
t
fo
(rnA)
O 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Vos(V) _ .
Figura 11.4. Curvas de drenador.
Vaa Vvv
Figura 11.5. FET en surtidor comn de un FET.
Examinando estas curvas podemos observar que la corrien-
te de drenaje ([0 ) se hace ms pequea a medida que
aumenta la tensin negativa aplicada entre el graduador y
el surtidor (Vas).
Al igual que ocurra con los transistores bipolares, en estas
curvas se pueden apreciar cuatro zonas de operacin: re-
gin de ruptura, regin activa, regin de corte y regin de
saturacin.
En la regin de ruptura, cuando la tensin drenador-surti-
dor (V0 5 ) aumenta excesivamente, el FET entra en la re-
gin de ruptura y se produce una avalancha que puede des-
truir el transistor. En las curvas tomadas como ejemplo de
la Figura 11.4 esca tensin es del orden de 16 V.
En la regin de corte, el transistor entra en corte, es decir,
no conduce (se comporta como un interruptor abierto). Es-
to ocmTe cuando la tensin negativa del graduador o puerta
es suficiente para estrangular totalmente el canal. As, por
ejemplo, en el transistor FET del circuito de la Figura 11.6
esta tensin Vas es de - 1,2 V. A esta tensin se la repre-
senta por VGS (apag)
En la regin de saturacin, el transistor se convierte en un
buen conductor (se comporta como un interruptor cerrado).
Esto ocurre cuando se cortocircuitan los terminales de
compuerta y fuente y Ves= O. Para este valor (observa
las curvas caractersticas de la Figura 11.4), la corriente
se mantiene prcticamente constante (aproximadamente
f0 = 4 mA) a partir del codo de la curva (aproximada-
mente V0 s = 3 V).
A esta corriente se la conoce por f oss y es la mxima que
se puede dar en el drenador de un FET con la puerta en
cortocircuito.
La regin activa del FET se encuentra entre las regiones
de saturacin y ruptura. Segn las curvas expuestas, esta
111111.1.2. Corriente de fuga de
graduador o com~uerta
La unin que se establece entre los cristales del graduador
y el surtidor se comporta como si fuese un diodo de silicio
que fluye por el graduador es muy pequea, prcticamente
despreciable. Esta es la razn por la que solo se tiene en
IHI 11.1.3. lm~edancia de entrada
Debido a que la corriente que circula por el terminal gra-
duador es prcticamente cero, la resistencia o impedancia
de entrada se hace elevadsima, del orden de miles de
kilohmios. Por esta razn, este transistor se emplea ms en
aquellos casos en que se requiera una mayor impedancia
de entrada.
 11.1.4. ~urvas ae transferencia 11.11 Diferencias entrn un transistor
o transconauctancia aipolar ~ uno unipolar
Estas curvas nos indican los valores que toma la intensidad Un transistor bipolar no conduce hasta que se aplica co-
de drenador (ID) en funcin de las variaciones que experi- rriente a la base, mientras que uno unipolar conduce hasta
menta la tensin de graduador-surtidor CVesl para valores que la tensin ele compuerta o graduador se hace lo sufi-
de VDs constantes.
En general, la curva de transconductancia de cualquier
cientemente grande para hacer desaparecer totalmente los
portadores del canal.
0 El transistor bipolar est controlado por corriente, mien-
FET posee la forma de una parbola, tal como se muestra
tras que el unipolar lo es por tensin.
en la Figura l 1.6. Esta grfica se corresponde con las cur-
vas de drenador del FET de la Figura 11.4. 0 El transistor bipolar posee menor impedancia ele entrada
que el unipolar.
La alta impedancia de entrada ele los transistores unipo-
lares hace que estos posean una menor ganancia ele ten-
sin que un bipolar.
0 Los FET son inmunes a las radiaciones y a los ruidos
lo
(mA) 3
elctricos. Adems son muy estables con la temperatura,
no influyendo los cambios trmicos en la co1Tiente que
fluye a travs del canal.
0,2 0,4 0,6 0,8 I VGs ,.,,..,,,
11. l J Aplicaciones ael m 11.2.1. MOSfH ae ti~o
Vas (V) ---,.. El FET posee bastantes aplicaciones, como son: interrupto-
res analgicos, multiplexores, control automtico de ga-
figura 11.6. Curvas de transconductancia de un FET. nancia (CAG) en receptores de radio, amplificadores de
pequea seal en receptores ele rado y televisin, trocea-
dores, etc.
Esta curva se corresponde con la siguiente ecuacin:
En la Figura 11.7 se muestra un ejemplo de un interruptor
analgico con FET.
2 de fuga que apareca en dicho terminal en los transistores
ID=JDSS [ 1 - -Ves
- -]
VGs(apag) + VDD
De esta fonna, conociendo los valores de IDss y Ves(apag)
(datos que suele proporcionar el fabricante en las hojas tc-
nicas) se puede determinar el valor de la corriente / D para
cualquier valor de la tensin Vas aplicada al graduador.
VGs
Actividad resuelta 11.1
Se sabe que en un FET, IDss = 4 mA y Ves(apag) = Figura 11.7. Interruptor analgico con FET.
= - 1,2 V. Cul s~r la comente que fluye del surti-
dor a la fuente si la tensin Ves = - 0,5 V? Si a este circuito se le aplica una tensin Ves = O, el tran-
sistor entrar en saturacin y se comportar como un
Solucin: Aplicando la ecuacin ya conocida interruptor cerrado. Por otro lado, si la tensin aplicada es
Vas = VGs lapagJ' el transistor se pondr en corte y actuar
-o
ID= 0,004 [ 1 - _ / 2
5] = 2
0,0014 A= 1,4 mA
como un interruptor abierto.
Cuando se utiliza un FET como inte1rnptor, se le hace tra-
bajar nicamente en dos estados, corte y saturacin.
11.2. fl transistor Ml~fn
Los MOSFET, o simplemente MOS (Metal-Oxide Semi-
conductor, Fielcl Effect Transistor), son muy parecidos a
los FET. La diferencia entre estos estriba en que en los
MOS, el graduador o la puerta est aislado del canal, con
lo que se consigue ele esta forma que la corriente ele dicho
terminal sea muy pequea, prcticameme despreciable.
Debido a este hecho, la impedancia ele entrada de este tipo
ele transistores es elevadsima, del orden ele 10.000 MQ a
10.000.000 MQ, lo que les convierte en componentes idea-
les para amplificar seales muy dbiles.
Existen dos tipos de MOSFET en funcin de su estructura
interna: los ele empobrecimiento y los de enriquecimiento.
Los primeros tienen un gran campo de aplicacin como
amplificadores de seales dbiles en altas frecuencias o ra-
diofrecuencia (RF), debido a su baja reactancia capacitiva
ele entrada. Los segundos tienen una mayor aplicacin en
circuitos digitales y, sobre todo, en la construccin ele cir-
cuitos integrados, debido a su pequeo consumo y al redu-
cido espacio que ocupan.
~B
em~o~rncimiento
Para que un transistor de efecto ele campo funcione, no es
necesario suministrar comente al terminal del graduador o
compuerta. Teniendo en cuenta esto, se puede aislar total-
mente la estructura del graduador de la del canal. Con esta
disposicin se consigue eliminar prcticamente la corriente
FET. En la Figura 11.8 se puede apreciar la estructura de
un MOSFET de canal N.
Graduador Drenador
Graduador
Jt::::_Sustrato
~ Curvas carnctel'stnrns
Surtidor
Surtidor Drenador
Sustrato
Figura 11.8. MOSFET del tipo de empobrecimiento.
El graduador suele ser metlico y est aislado del canal
mediante una fina capa ele xido de silicio.
Este componente puede funcionar tanto en la forma de em-
pobrecimiento [Figura l 1.9(a)], como ele enriquecimiento
[Figura l l.9(b )].
Vea VGG
.___~
~- 1 Voo
L.-'==:_-,r~--~
(a) Modo de empobrecimiento (b) Modo de enriquecimiento
figura 11.9. Funcionamiento de un MOSFET.
La forma ele trabajo ele empobrecimiento se explica como
sigue [Figura l l.9(a)]: los electrones de la fuente pueden
circular desde el surtidor hacia el drenaclor a travs del ca-
nal estrecho del material semiconductor tipo N. Cuanto
mayor sea la diferencia ele potencial VDD aplicada por la
fuente, mayor ser esta corriente. Como ocurra con el
FET, la tensin negativa, aplicada al graduador, produce
un estrechamiento en el canal debido al empobrecimiento
ele portadores, lo que hace que se reduzca la corriente ele
clrenaclor. Aqu se aprecia claramente que el fenmeno ele
control se realiza a travs del efecto del campo elctrico
generado por la tensin Vaa del graduador.
Debido a que el graduador est aislado del canal, se le pue-
de aplicar una tensin positiva de polarizacin [Figura
l l.9(b)]. De esta manera se consigue hacer trabajar al
MOSFET en enriquecimiento. Efectivamente, la tensin
positiva del graduador provoca un aumento o enriqueci-
miento de electrones libres o portadores del canal, ele tal
forma que, al aumentar la tensin positiva Vae, aumenta
tambin la corriente ele clrenador.
En la Figura l l. l O, se muestra la familia de curvas de dre-
nador de un MOSFET de empobrecimiento ele canal N.
Observa cmo en esta curva aparecen tanto tensiones ne-
gativas de Ves (trabajo en modo de empobrecimiento),
como positivas (trabajo en modo de enriquecimiento). La
corriente ms elevada se consigue con la tensin ms posi-
tiva de Ves y el corte se consigue con tensin negativa
Ves(apag)
De esta familia de curvas se puede obtener la curva ele
transconductancia, que nos indica la relacin que existe
entre Ves e ID. Tiene la forma que se muestra en la Figu-
ra 11.11.
 transistor queda siempre en conduccin o, normalmente,
flll 11.2.J. rroteccin de los
t
fo
encendido.

Smbolos de los MOSFET

5

(mA) 4
En la Figura l l .12(a), podemos ver un transistor MOSFET
(mAJ
de canal N (punta hacia adentro) con cuatro terminales dis-
ponibles. El terminal de sustrato est libre, en algunos ca-
sos, para dar al transistor un mayor control sobre la co-
rriente de drenador.
Normalmente, el terminal del sustrato se conecta interna-
mente con el surtidor, con lo que queda as un componente
de tres terminales, tal como se muestra en las Figuras
l l.12(b) (transistor MOSFET de empobrecimiento de ca-
6 10 nal N con tres terminales) y 11.12(c) (transistor MOSFET
de canal P).
Vns(V) - i >
figura 11.1 O. Curvas de drenador de un MOSFET. Drenador Drenador Drenador
MOSfH
Tanto los MOSFET de empobrecimiento como los de
lo
enriquecimiento poseen una capa extremadamente del-
gada de aislante que separa el graduador del canal. Esta
capa se destruye con suma facilidad, si se aplica una
tensin Vas por encima de la mxima soportable. Por
2 esta razn, nunca debe operarse con una tensin supe-
rior a la Vas (mx) prescrita en las caractersticas del
MOSFET.
An as, dicha capa aislante es tan delicada que puede des-
truirse por otras causas, como pueden ser las sobretensio-
nes provocadas, al insertar o retirar un MOSFET del cir-
o 2 4 6 8 10
cuito sin haber desconectado la fuente de alimentacin.
Vos(V) ---.. Tambin puede ocurrir, en ciertos casos, que al tocar con
las manos los terminales de un MOSFET se produzca una
figura 11.13. Curvas de drenador
de un MOSFET. descarga electrosttica entre ellos que los destruyan. En la

Modo de'
In
Modo de
Gradua
;J~-
Surtidor
0000~~

enpobrecimien~<? :; :
Surtidor
,--~~ Smtidor
Figura 11.16, se muestra a un operario soldando un MOS-
FET a un circuito impreso. Observa las precauciones que
se han tomado: puesta a tierra del equipo de soldadura y de
la mueca del operario.
enriquecimiento

(a) (b) (c) Circuito Puesta a tierra

Vos(-) Vas(+) Mesa aislante impreso de mesa
\
Figura 11.12. Smbolos del MOSFET de empobrecimiento: lo
(a) de canal N con cuatro terminales; (b) de canal N (mA)J
con tres terminaies; (c) de canal P.

Vcsrapag) 2 i
/
Figura 11.11. Curva de transconductancia 11111112. MOSHT de Puesta a tierra

de un MOSFET.
Observa cmo esta curva aparece dibujada en los dos
cuadrantes del eje de tensiones. Esto es debido a que el
MOSFET puede operar tanto con tensiones positivas como
negativas. Por esta razn, la corriente Inss, correspondiente
a la interseccin de la curva con el eje de In, ya no es la de
saturacin.
Como ocurra con el FET, esta curva de transconductancia
es 'parablica y la ecuacin que la define es tambin:
In , [1-
= Inss - Vas
- -]
Vas(apag)
2 no-conduccin o apagado.
Segn se puede apreciar en la curva de transconductancia
de un MOSFET, este tipo de transistor es muy fcil de po-
larizar, ya que se puede escoger el punto correspondiente a
V05 = O, In= Inss Cuando este queda polarizado as, el
enri~uecimiento
Este tipo de MOSFET est diseado de tal forma que solo
admite la forma de trabajo en modo de enriquecimiento. o 2 3 4 5 Figura 11.16. Medidas de seguridad para
La aplicacin fundamental de este transistor se realiza en MOSFET.
circuitos digitales, microprocesadores, etc.
Figura 11.14. Curvas de transconductancia
En la Figura 1l. 13, se muestran las curvas de drenador de un MOSFET.
y en la 11.14 las de transconductancia de este tipo de
MOSFET. 11 11.3. Am~lifica~ores con
Como se podr observar en las curvas caractersticas, este
transistor solo conduce cuando son aplicadas tensiones
Drenador Drenador transistores Hl
J
J9J
positivas al drenador, por lo que normalmente estar en Los transistores FET ofrecen algunas ventajas que los ha-
Los smbolos que representan al MOSFET de enriqueci-
Graduador Graduador J9 cen ms adecuados en ciertas aplicaciones. Seguidamente,
se exponen algunos de estos casos:
miento son los que se indican en las Figuras l l.15(a) Surtidor Surtidor La alta impedancia de entrada los hace ideales para apli-
(MOSFET de enriquecimiento canal N) y ll.15(b) (MOS- caciones en voltmetros electrnicos, osciloscopios y
(a) (b)
FET de enriquecimiento canal P). otros instrumentos que requieran una alta impedancia de
Observa cmo la lnea del canal en estos transistores se re- Figura 11.15. Smbolos del MOSFET de enriquecimiento: entrada para evitar cargar el circuito al que se le aplica la
presenta como una lnea punteada. (a) Canal N. (b) Canal P. medida.
 Poseen una salida de ruido bastante baja, lo que hace que
sean muy tiles en circuitos amplificadores previos de
pequea seal. -
Poseen una capacidad entre sus electrodos bastante redu-
cida. Por esta razn, el FET es muy adecuado en ampli-
ficadores de radiofrecuencia, donde las altas frecuencias
de funcionamiento pueden hacer que dicha capacidad al-
tere el funcionamiento normal del transistor.
Como ocurra con los transistores bipolares, los FET se
pueden conectar en tres configuraciones diferentes, como
son: surtidor comn (SC), drenador comn (DC) y gradua-
dor comn (GC). Las dos primeras configuraciones poseen
una alta impedancia de entrada, lo que los hace muy reco-
mendables para amplificadores de seales dbiles. Sin em-
bargo, el ltimo amplificador (GC) posee muy pocas apli-
caciones.
Seguidamente, vamos a estudiar el amplificador de surti-
dor comn, por ser el de ms uso.
11.J.1. Amplificaor ~e surti~or
comn (~C)
En la Figura 11.17, se muestra un amplificador con FET en
configuracin surtidor comn.
Este circuito es muy similar al del amplificador de emisor
comn con transistores bipolares. La tensin Ves polariza
inversamente la unin graduador-surtidor a travs de la re-
sistencia Re. Esta debe poseer un valor muy elevado (del
orden de 1 MQ), ya que de ello depende el valor de la im-
pedancia de entrada. Por otro lado, como apenas circula
corriente por esta resistencia, la cada de tensin que se
+ Voo
V~a1
e Io=----
D Ro
V,m~
s para 10 =Ose cumple que V0 s = V00 = 16 V.
Salida
V'
Entrada
Figura 11.17. Amplificador con FETen configuracin
surtidor comn.
producir en ella se hace prcticamente despreciable y no
afectar a la polarizacin del graduador. 11 J2. Am~lificador con surtidor
La tensin de alimentacin V00 es positiva respecto a comn con polarizacin
masa, por lo que la corriente del surtidor circular hacia el
drenador a travs del canal N. La resistencia R0 limita el
paso de esta corriente y produce una ganancia de tensin
t
fo
de una sola fuente
Existe la posibilidad de eliminar la fuente de polarizacin
en la salida. (mA) del graduador, tal como se muestra en la Figura 11.20.
Para comprender mejor cmo se realiza ei proceso de am-
plificacin ser necesario dibujar la recta de carga sobre la
curva caracterstica del drenador. Seguidamente, expone-
mos un ejemplo de cmo se traza dicha recta de carga.
Actividad resuelta 11.2 C G
En la Figura 11.18, se muestra un amplificador FET en V,m~,.___ __,
SC con polaiizacin fija.
+ Voo= 16V
O 2 4
f;M--,..
6 8 10 12 14 16 18 20
figura 11.19. Recta de carga del amplificador
e V~a1 y punto de funcionamiento. Figura 11.20. Amplificador FET en SC con polarizacin
G D de una sola fuente.
V,,,,~
s Salida En este caso, el punto de funcionamiento del FET lo A cambio de la fuente eliminada se conecta una resistencia
determina la interseccin de la recta de carga con la Rs en serie con el surtidor. Al circular la coniente de surti-
Ro
Entrada
Vos
0,4 V
V' curva de la tensin Ves = - 0,4 V de polarizacin de
puerta. Segn se puede apreciar en la Figura 11.19, pa-
ra este punto la tensin V0s es igual a 8 V. Lo que es
bastante aceptable, ya que se encuentra situado aproxi-
dor por Rs, provoca una cada de tensin que hace que este
terminal se haga positivo respecto al graduador. De esta
forma, se consigue que dicho graduador quede sometido a
una tensin de polarizacin negativa respecto al surtidor.
madamente en la mitad de la tensin de alimentacin El clculo de esta resistencia es muy sencillo, lo nico que
y, por tanto, el transistor puede funcionar linealmente. necesitamos conocer es la tensin de polarizacin y la co-
Figura 11.18. Amplificador con FET en SO, con
rriente del surtidor en el punto de trabajo del transistor.
polarizacin fija.
Si en estas condiciones inyectamos una seal alterna Como Is= 10 e le"" O, aplicando las leyes de Kirchhoff a
senoidal en la entrada con una variacin entre picos de la malla formada por Rs, graduador-surtidor y Re, tendre-
Para trazar la recta de carga hay que encontrar sus ex-
0,4 V, la tensin Ves de polarizacin variar a lo largo mos que:
tremos. Como siempre, el extremo inferior coincidir
con el valor de la tensin de la fuente, ya que segn la de la lnea de carga entre los valores de - 0,2 V y
ecuacin de la recta: -0,6 V (Figura 11.19). Esto ocasiona que la tensin
V0 s, que aparece en la salida, vare entre 4,8 y 11,5 V.
Voo - Vos
Es decir, 6,7 V entre picos.
Actividad resuelta 11.3
La ganancia de tensin en este caso ser:
Se desea sustituir la fuente de polarizacin de la Acti-
El extremo superior de la lnea de carga se encontrar vidad resuelta 11.2 por una resistencia Rs Determina
V,, 1 6,7 V su valor hmico.
para V0 s = O, es decir: Av=-=--= 1675
Ven, 0,4 V '
V00 16 Solucin: Recordemos que las coordenadas del pun-
10 = - = - - = 0,004 A = 4 mA to de trabajo en aquel caso eran Ves = -0,4 V y
R0 4.000 Si observas atentamente la seal de entrada y la com- 10 = 2 mA. Por tanto, el valor de la resistencia Rs ser:
Si llevamos ahora estos valores a las curvas caracters- paras con la de salida, apreciars que esta ltima apare-
ticas de drenador, podremos trazar la recta de carga, tal ce con una inversin de fase de 180, igual que ocurre 0,4
Rs = --= 200[!
como se muestra en la Figura 11.19. en un amplificador de emisor comn. 2-10- 3
Esta forma de polarizacin es ms econmica que la de
dos fuentes, pero aparece un pequeo inconveniente. La
ganancia de tensin se modifica sensiblemente con los
cambios de corriente del sm1idor. Veamos cmo ocurre
esto:
Cuando se aplica una seal positiva a la entrada del gra-
duador, la corriente del surtidor aumenta y con ella tam-
bin lo hace la cada de tensin de Rs, lo que provoca un
aumento de la tensin negativa de polarizacin del gradua-
dor y, por tanto, una disminucin de la corriente. En conse-
cuencia, se reduce el efecto de amplificacin de la seal de
entrada y con ella la ganancia.
Cuando ocurre este efecto, se dice que el amplificador est
realimentado. Si esta realimentacin provoca disminucin
del efecto de la seal de entrada, se dice entonces que la
realimentacin es negativa.
La realimentacin negativa provoca una disminucin de la
ganancia. Sin embargo, puede ser interesante en aquellas
aplicaciones en que se quiera reducir la distorsin a costa
de perder ganancia. As, por ejemplo, si aumentamos la co-
rriente a unos lmites cercanos a la distorsin, la realimen-
tacin negativa la reducira y la mantendra siempre en la
zona de operacin sin distorsin.
Existen otras aplicaciones en las que interesa obtener una
ganancia mxima de tensin. Para conseguirlo, es necesa-
rio eliminar la realimentacin negativa mediante la cone-
xin de un condensador de desacoplo o de paso en deriva-
cin con R5, tal como se muestra en la Figura 11.21 (al
igual que se haca en los amplificadores de emisor comn).
Este condensador cortocircuita a masa la seal de C.A. y
elimina el efecto de realimentacin. Sin embargo, la pola-
rizacin se mantiene fijada por R5, ya que en este caso es la
componente de C.C. la que acta (la C.C. queda bloqueada
C1
G
v,,,, ~ !----+---
Figura 11.21. Condensador de paso en un amplificador
enSC.
por el condensador). Al igual que se haca en el amplifica-
dor de emisor comn, este condensador debe poseer una
capacidad considerable para que su reactancia sea baja a la
frecuencia de la seal de entrada.
IHI 11.J.3. Amplifica~or con surti~or
comn con polarizacin
por divisor de tensin
Lo mismo que ocun'a con los transistores bipolares, los
FET no poseen una caracterstica exacta de trabajo y, por
tanto, se hace necesario disear un circuito que trabaje
dentro de los lmites de las caractersticas del transistor. En
este caso, el circuito de polarizacin fija mediante dos
fuentes no es muy aconsejable, ya que posee un punto de
trabajo fijo y en el instante en que varen los valores carac-
tersticos del transistor, este no responder adecuadamente.
Por otro lado, el circuito de polarizacin por fuente es ms
interesante, ya que, debido al efecto de R5 , existe una esta-
bilizacin del punto de trabajo en un determinado margen
de actuacin. As, por ejemplo, si el transistor condujese
ms corriente de la esperada, aumentara la tensin negati-
va de polarizacin y dicha corriente tendera a reducirse.
No obstante, para que este efecto sea ptimo, se hace nece-
sario que la resistencia del surtidor sea lo ms alta posible,
para que, as, se haga ms notable el efecto de estabiliza-
cin. El problema que se plantea con una Rs demasiado
alta es que la tensin de polarizacin VGs se puede hacer
tan elevada que ponga en corte al transistor. Este fenme-
no se puede evitar con un circuito de polarizacin por divi-
sor de tensin, tal como se muestra en la Figura 11.22.
Con el circuito de la Figura 11.22, se somete al terminal de
graduador a una tensin positiva fija que evita que el tran-
Figura 11.22.
sistor entre en corte por efecto de una tensin demasiado
negativa respecto al surtidor. En definitiva, la tensin de
polarizacin se establece por combinacin entre el poten-
cial positivo del divisor y el negativo que se produce a cau-
sa de R5 En consecuencia, con este circuito s que es posi-
ble utilizar una resistencia de surtidor de gran valor para
conseguir el efecto de estabilizacin deseado.
Actividad resuelta 11.4
Analiza los valores que se dan en el circuito de polari-
zacin por divisor de tensin de la Figura 11.23.
+ Voo=20V
C1
Figura 11.23.
Supongamos que el punto de funcionamiento de este
circuito se encuentra para una corriente de 3,8 mA.
Veamos cul es la tensin de polarizacin en este caso.
La tensin que aparece en el surtidor es:
Vs = R,- Is = 2 kl 3,8 mA = 7,6 V
En el caso de que no existiese divisor de tensin, todo
este potencial se convertira en negativo respecto al
graduador y pondra en corte a cualquier FET. Sin em-
bargo, al existir dicho divisor de tensin, aparece una
tensin positiva en el graduador igual a:
VG = RG2 /(/ = corriente del divisor)
V
Como I = - -0 -0 - , la ecuacin resultante es:
RGl + RG2
6 20 V
=5110 - - - - - = 5 6 4 V
' 13 106 + 5,1 106 '
La tensin VGs de polarizacin ser entonces:
VGs = VG - V5 = 5,64 - 7,6 = -1,96 V
Lo que hace que el punto de trabajo no entre en la re-
gin de corte.
111111.J.4. Am~lificador de drnnador
comn (DL)
En la Figura 11.24, se muestra un amplificador de drena-
dor comn. Observa que es similar al amplificador de co-
lector comn.
figura 11.24. Amplificador fET de drenador comn DC.
Este amplificador funciona de forma muy similar a la del
colector comn. La tensin que aparece en la salida es una
reproduccin exacta de la de entrada, por lo que la ganan-
cia es prcticamente igual a la unidad. Adems, no existe
inversin de fase.
Este circuito posee la ventaja de presentar una impedancia
alta a su entrada y una impedancia baja a la salida, lo que
le convierte en un circuito ideal en aplicaciones como en-
tradas de instrumentos de medida electrnicos.
En definitiva, este amplificador cumple la funcin de aisla-
miento entre dos etapas. Tambin se le conoce por el nom-
bre ingls de biif.fer.
11 11.4. Amplificaaores con MO~fH
Dado que en los transistores MOSFET el terminal de gra-
duador est aislado del canal y que su corriente es prctica-
mente nula, estos semiconductores son ideales en aquellas
aplicaciones donde se necesite un consumo de potencia re-
ducido. Si a estas caractersticas les aadirnos el pequeo
espacio que puede llegar a ocupar en la elaboracin de un
circuito integrado, podremos encontrar con frecuencia C.I.
construidos con transistores MOSFET, donde se utiliza la
integracin a gran escala (un solo chip puede llegar a con-
tener miles de transistores). Aplicaciones tpicas de estos
componentes son: elaboracin de microprocesadores y me-
morias que posteriormente se utilizan para la fabricacin
de ordenadores. calculadoras. sistemas de automatizacin
complejos, etc.
En la Figura 11.25, se muestra un amplificador con MOSFET
Vc,;tC~~----
de empobrecimiento en surtidor comn.
Con el circuito de la Figura 11.25, se consigue un funcio-
namiento lineal, ya que la polarizacin es nula. En este ca-
so el terminal del graduador permanece aislado de la fuen-
te de alimentacin de C.C., lo que hace que la corriente por
este terminal sea prcticamente nula. En estas condiciones,
si la seal de entrada es positiva, la corriente por el drena-
Figma 11.25. Amplificador con MOSFET.
dor y el sumidero aumenta; por el contrario, si la seal se
convierte en negativa, dicha corriente disminuye.
~ +Voo
LlRD 11. i. Identificacin de transistores unipolares. Consigue
varios transistores FET y MOSFET, comprueba su as-
e pecto y, con las hojas de caractersticas de los fabrican-
tes de estos, identifica sus valores caractersticos ms
significativos.
1.2. Verificacin de un amplificador con FET. Vamos a
comprobar la respuesta de un amplificador en configu-
racin surtidor comn. Para ello, consigue un circuito de
este tipo, o en su defecto, monta el que se propone en
la Figura 11.27.
Al igual que se hizo en las actividades de la Unidad 1O,
inyecta una seal senoidal a la entrada de 1 kHz y de
un nivel tal que no se produzca distorsin en la salida.
Con un osciloscopio visualiza los oscilogramas de en-
trada y salida, determinando la ganancia del amplifica-
dor, as como la relacin de fase entre las seales de
entrada y salida. Con l, mide tambin los potenciales
Va, V0 Y V8
Para comprobar la cualidad que poseen estos amplifica-
dores para trabajar con altas frecuencias, eleva la fre-
cuencia de la seal de entrada y comprueba la respues-
ta del amplificador. Cul es el lmite sin distorsin?
E11 el MATERIA.L WEB que se ha preparado para este
texto se inc/11ye11 las hojas de caractersticas del tra11-
sistor 2N5484.

Busca en Internet circuitos amplificadores con MOSFET y describe sus aplicaciones y caractersticas.
A modo de ejemplo, en la Figura 11.26 se muestra el circuito de un amplificador de audio de 25 W con salida MOSFET.
Este amplificador se le puede inyectar directamente por la entrada la salida procedente de un reproductor de CD,
sintonizadores de radio, etc. El potencimetro de entrada de 5 K permite nivelar la seal de entrada para evitar que se
sature la etapa previa del amplificador.
100 kQ 0,05 F G
Cules son los transistores de tipo MOSFET?
Son los transistores MOSFET de potencia?
En qu configuracin trabajan dichos transistores? !OMQ
1 kHz
Se deben montar disipadores de calor para los transistores Q6 a Q9?

Figura 11.27.

input

11.1. Cul es la ventaja principal que poseen los transisto-
res unipolares frente a los bipolares?
a) La impedancia de entrada es muy elevada.
b) Son ms robustos y fciles de manipular.
11.2. Qu tipo de dispositivo ser ms conveniente para
utilizar en el circuito de entrada de seal de un oscilos-
copio?
a) Transistor bipolar.

e) Su conduccin depende nicamente del efecto de la b) Transistor unipolar.

corriente de base.
Figura 11.26. Amplificador de audio de 25 W con salida MOSFET.
 11.8. Un FET posee la curva de transconductancia que se
11.3. Cmo influye en la corriente de drenador el aumento
de la tensin de polarizacin inversa aplicado a la puer-
ta de un FET?
a) Produce un aumento de dicha corriente.
b) La corriente de drenador permanece fija en todo mo-
mento.
e) Produce una disminucin de dicha corriente.
11.4. Qu diferencia fundamental existe entre un FET y un
MOSFET del tipo de empobrecimiento?
a) La impedancia de entrada del MOSFET es mucho
ms elevada que en el FET.
b) La impedancia de entrada del FET es mucho ms
11.9. Qu aplicaciones se pueden hacer de los amplifica-
elevada que en el MOSFET.
e) La corriente por el graduador del MOSFET es mu-
cho ms pequea que en el FET.
11.5. Puede trabajar un MOSFET del tipo de enriquecimien-
to de canal N con una tensin de polarizacin VGs ne-
gativa?
a) No.
11.10. Cmo es la impedancia de entrada de los amplifica-
b) S.
c) Es indiferente.
11.6. En la Figura 11.28, se muestran una serie de smbolos.
Indica al lado de cada uno de ellos de qu componente
se trata y el nombre de cada uno de sus terminales.
11.11. Qu relacin de fase existe entre las seales de en-
11.13. Dibuja el circuito de un amplificador con FET y con 11.16. Determina la tensin de surtidor, de graduador y la
muestra en la Figura 11.29. Qu valores les corres- polarizacin de una sola fuente. Posteriormente, de- tensin de polarizacin graduador-surtidor para el am-
ponde a loss y VGS(apag)? termina el valor de la resistencia de polarizacin (R8 ), plificador de la Figura 11.29 y para una corriente de
si el punto de trabajo de este se encuentra para los surtidor de 5 mA.
/n(mA) valores: VGs = -3 V e /0 = 2 mA.
12 11.14. Qu mtodo es conveniente utilizar en el amplifica- +Voo=40V
dor del ejercicio anterior para limitar el electo de la
realimentacin negativa sobre la ganancia? Ro
a) Conectar un condensador entre los terminales de
,_.....,,,_,:__ _ _1 -_ _ Vas (V) graduador y surtidor del FET.
-5 -4 -3 -2 -l b) Conectar un condensador en derivacin con la re-
figura 11.29. sistencia del surtidor (R8 ).
e) Eliminar la resistencia de surtidor (R8 ).
1.15. De qu tipo es el amplificador que se muestra en la
dores con transistores unipolares de efecto de campo?
Figura 11.30?
a) Etapas de amplificacin de potencia. a) Graduador comn con polarizacin por divisor de
b) Circuitos amplificadores previos de pequea seal. tensin. Figura 11.30.
b) Surtidor comn con polarizacin de una sola fuente.
e) Circuitos de entrada de osciloscopios e instrumen-
tacin electrnica de precisin. c) Surtidor comn con polarizacin por divisor de ten-
sin.
dores con transistores de efecto de campo?
a) Muy elevada.
b) Muy reducida.
e) De valor intermedio.
11.1. Como en otras ocasiones, consulta en Internet sobre los temas relacionados con esta unidad e intenta contrastar y am-
pliar la informacin obtenida. Adems, estudia el funcionamiento y la composicin de diferentes circuitos prcticos de

~ -K
trada y salida de un amplificador con FET en surtidor amplificadores de pequea seal con amplificadores de efecto de campo, que puedas encontrar en Internet.

J~ -1= comn? 1 1 .2. Busca en Internet las hojas de caractersticas de algunos transistores MOSFET y analiza los principales parmetros que
(a) (b) (e) (d) a) 90. figuran en las mismas, como por ejemplo: encapsulado, disposicin de terminales, corriente mxima por el drenador,
potencia mxima, tensiones inversas, ganancia de corriente, etc.
b) 180.
A modo de ejemplo, en la Figura 11.31 se muestran unos recortes pertenecientes a la hoja de caractersticas del transistor

J~
(e)
J~
(t)
~
(g)
-< (h)
e) O.

1"1.12. Qu ventajas aportan los transistores MOSFET en

los amplificadores?
MOSFET IRF9530.

, Figura 11.28. a) Reduccin de consumo y una elevadisima impe-

dancia de entrada.
11.7. Cul ser el valor de la corriente de drenador de un
FET, si VGs= -1 V, sabiendo que /088 = 12 mA y b) Una impedancia de entrada muy pequea que limi-
VGS(apag) = -3 V? ta su consumo.
 IRF9530 Packaging SOURCE
DRAIN
TO-220AB GATE
12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power
DRAIN (FLANGE)
MOSFETs
~

Absoluta Maximum Ra!ings Te= 25C, Unless Otherwise Specified

IRF9530,
RF1S9530SM UNITS
Drain to Source Breakdown Voltage (Note 1) Vos 100 V
Orain to Gate Voltage (Ras = 20kQ) (Note 1) . ... VoaR -100 V
Continuous Orain Current ............. lo -12 A
Tc=100C .. .... lo -7.5 A
Pulsed Drain Current (Note 3) . -48 A
loM
Gate to Source Voltage .. . Vas 20 V
Maximum Power Dissipation .... PD 75 w
Dissipation Derating Factor . 0.6 wf'c
Single Pulse Ava!anche Energy Rating (Note 4) . EAs 500 mJ
Operating and Storage Temperature . .. TJ, TsrG -55 to 150 e
Maximum Temperature far Soldering
Leads at 0.063in (1.6mm) from Case far 10s .. .. r, 300 e
Package Body far 10s, See Techbrief 334 . . .Tpkg 260 e

Electrical Specifications Te= 2sc, Unless Otherwise Specified

PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS
Drain to Source Breakdown Vo!tage BVoss lo= 250A, VGs 0V, (Figure 10) -100 V
Gate Threshold Voltage Vas(TH) v8 s Vos, 10 = -250A -2 4 V
Zero Gate Vo!tage Drain Current loss Vos= Rated BVoss, VGs = ov -25 A
v08 =o.ax Aated BVoss, v 88 = ov, Te= 12s0 c 250 A
On-State Drain Current (Note 2) lo(ON) Vos> lo(ON) x ros(ON)MAX, V0s = 10V, 12 A
(Figure 7)
Gate to Source Leakc1:ge Current IGSS VGs=20V 100 nA
Drain to Source On Resistance (Note 2) lo 6.5A, VGs 10V, (Figures s, 9) 0.250 0.300 Q
-- --------- _r~o_N)_ --~--------
-20
Vas= -9V
hvos=_,lov
~ 16
.
a: -12
a:
:,
rf

PULSE DURATION S0s
1 CVCLE =10.5% MAX
OUTY
= VGs =-8V

VGs =-7V
"z ., ~

~
VGs =-6V
e
E -4
VGs=5V 1 - - -

VGs =-4V

10 -20 -30 -40 -50

Vos, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Vos, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)

OUTPUT CHARACTERISTICS SATURATION CHARACTERISTICS

Figura 11.31. Hoja de caractersticas del transistor MOSFET /RF9530.


11 12.1. Distorsin
en los amplificadores
Corno ya se pudo comprobar en unidades anteriores, sin un
adecuado diseo del amplificador, la seal de salida de es-
te puede que no responda exactamente a la aplicada a la
entrada, en este caso nos encontrarnos ante el efecto inde-
seable de la distorsin.
La distorsin en la seal de salida es debida, bsicamente,
a que los componentes con los que se disea el amplifica-
dor poseen unas caractersticas que no son del todo linea-
les. A esto hay que aadir las capacidades parsitas que se
originan en los diferentes elementos del amplificador, as
corno las que corresponden a los condensadores utilizados
en el circuito.
Dependiendo del factor que origina la distorsin, esta pue-
de modificar algunas de las magnitudes propias de la seal.
As, tenernos tres tipos de distorsin: distorsin alinea!,
distorsin de frecuencia y distorsin de fase.
111112.1.1. Distorsin alinea!
Esta se produce por la alinealidad de los componentes uti-
lizados, sobre todo, con los cambios de temperatura, lo que
da corno resultado una amplitud de la seal en la salida que
no se corresponde exactamente con la de entrada en algu-
nas partes del ciclo.
111112.1.2. Ois!orsin de frecuencia
~ ancha de ~anda
de un am~lificadar
Por lo general, cuando se amplifica una seal, esta no
consta nicamente de una sola frecuencia, sino que est
compuesta por la suma de un gran nmero de seales de
diforentes frecuencias. Este es el caso, por ejemplo, de una
seal de audio que provenga de un micrfono: las seales
elctricas que este produce recogen sonidos a muy distin-
tas frecuencias, corno el de las diferentes voces, instrumen-
tos de cuerda y de viento, percusin, etc. Para que el am-
plificador sea fiel con la seal de entrada, deber aplicar la
misma ganancia a las distintas frecuencias para, posterior-
mente, aplicarlas a un altavoz. En el caso de que el ampli-
ficador no consiga amplificar adecuadamente las muy ba-
jas frecuencias o las muy altas, se producir una distorsin
de frecuencia, que dar corno resultado una prdida de ca-
lidad en el sonido entregado por el altavoz.
Esta distorsin es debida, fundamentalmente, a las capaci-
dades que aparecen en los circuitos del amplificador, y que
limitan su campo de actuacin a una determinada gama de
frecuencias. As, tenernos que la ganancia de un amplifica-
dor se mantiene igual para un margen de frecuencias inter-
medias contenidas entre dos lmites: superior ifc1) e infe-
rior (fc2), denominadas frecuencias de corte. A la gama de
frecuencias comprendida entre estos dos lmites se la deno-
mina ancho de banda (Figura 12.1).
A(dB)
!.
~ un cierto ngulo respecto a la de entrada. Al igual que la
~ Por otro lado, en el interior del transistor se forman una
l serie de capacidades entre sus electrodos, que actan como
,,___________,__->1.._,,.,.
. , /(Hz)
;,
Figura 12.1. Ancho de banda de un amplificador.
Seguidamente, vamos a estudiar un ejemplo de cmo un
amplificador puede provocar distorsin de frecuencia.
En la Figura 12.2, se muestra un amplificador de emisor
comn.
.----,-----<J + Vcc
e,
r
Vem
1
Figura 12.2. Amplificador de emisor comn.
El condensador de entrada C1, el de salida C2 y el de aco-
plamiento del emisor CE presentan una alta reactancia ca-
pacitiva para las bajas frecuencias (Xc = l/2rrfC). Dado
que estos estn acoplados en serie con la seal de salida,
esta queda atenuada para dichas frecuencias, con lo que
queda reducida la ganancia del amplificador para las bajas
frecuencias (Figura 12.3). Llamaremos fc1 a la frecuencia
de corte inferior; por debajo de esta la ganancia es inferior
a la de las frecuencias intermedias, tal corno se muestra en Los amplificadores de banda ancha son aquellos que son
el grfico de la Figura 12.1. capaces de amplificar una gran variedad de frecuencias sin
provocar distorsin, como por ejemplo 15 MHz.
X e elevada para
bajas frecuencias ~
C Los amplificadores de banda estrecha poseen un pequeo
ancho de banda. Tal es el caso de los amplificadores sinto-
nizados utilizados en radiofrecuencia.
ll!ll 12.1.3. Ois!arsin de fase
figura 12.3. Reactancia equivalente a los condensadores
Esta distorsin hace que la seal de salida quede desfasada
de paso y acoplamiento.
distorsin de frecuencia, este tipo de distorsin est provo-
cada por las capacidades del circuito. Aqu tambin existe
si fuesen condensadores conectados en paralelo con la car-
un ancho de banda entre el cual no se produce la distor-
sin. En la Figura 12.5, se muestra un diagrama en el que
ga (Figura 12.4). Para las frecuencias bajas, la reactancia
se relaciona el ngulo de desfase entre la seal de salida y
capacitiva generada (X'c = 1/2rrfC') se hace muy alta y,
por tanto, esta no interfiere en la seal de salida. Sin em- la de entrada en funcin de la frecuencia de la seal.
bargo, cuando la frecuencia aumenta por encima de la fre-
cuencia de corte superior fc 2 , dicha reactancia disminuye y
provoca una especie de cortocircuito de la seal en la sali-
da. En conclusin, la ganancia del amplificador disminuye
al superarse esta frecuencia, por lo que puede llegar a anu-
lar la seal en la salida para muy altas frecuencias.
X e muy baja para
altas frecuencias \
1
Figura 12.5. Diagrama donde se aprecia la distorsin
de fase.
v~,11
Para las frecuencias inferiores a fc1, la seal de salida se
adelanta respecto a la de entrada. Para frecuencias altas,
figura 12.4. Reactancia capacitiva equivalente
superiores a fc 2, la seal de salida se retrasa respecto a la
a la formada entre los electrodos del transistor.
de entrada.
En resumen, un amplificador posee una ganancia mxima
en la banda media, es decir entre las frecuencias de corte
fc1 y fc 2 As, podemos definir el ancho de banda de un
amplificador corno: 11 12.2. Realimentacin
Ancho de banda = fc 2 - fc1 en los amplificadores
La ganancia de un amplificador depende de las caracters-
As, por ejemplo, si un amplificador posee una fc 1 = 20 Hz ticas de sus componentes. De tal forma que si, por alguna
y una fc 2 = 20 kHz, su ancho de banda ser: razn, un componente modifica su valor (cambios de tem-
peratura, inexactitud en los valores de los componentes al
Ancho de banda= 20.000 - 20 = 19.980 Hz
ser sustituidos, etc.), el amplificador modifica su ganancia,
entregando una seal en la carga diferente a la esperada.
En funcin de este criterio se pueden clasificar los ampli- Adems, se pueden producir fenmenos que causen distor-
ficadores en amplificadores de banda ancha y amplifica-
sin en la seal de salida, como ruidos, atenuacin de se-
dores de banda estrecha.
ales de baja o alta frecuencia, etc.
Un procedimiento para reducir estos fenmenos es la in-
clusin de una red de realimentacin. La realimentacin
toma parte de la seal de salida y la retorna de nuevo a la
entrada, consiguiendo que la seal de salida no dependa
exclusivamente de las caractersticas de los componentes
del amplificador (Figura 12.6). De esta forma se consigue
eliminar la distorsin y estabilizar el funcionamiento del
amplificador.
Vent
figura 12.6. Realimentacin en un amplificador.
El procedimiento que ms se emplea para conseguir re-
ducir la distorsin es la realimentacin negativa. Consis-
te en tomar una parte de la tensin o corriente de la sali-
da del amplificador y aplicarla, a travs de la red de
realimentacin, en oposicin de fase con la seal de en-
trada a amplificar.
De esta manera, si la seal de salida se incrementa, este
incremento es aplicado en oposicin de fase, a travs de la
red de realimentacin, a la entrada, produciendo una dis-
minucin de la seal de entrada y, en definitiva, una com-
pensacin de esa tendencia al incremento de la seal de
salida.
11111 L.2.1. Principio ~e realimentacin
La realimentacin consiste en introducir, intencionada-
mente o no, parte de la seal de salida de un amplificador
(tensin o corriente) en la entrada del mismo.
En la Figura 12.7 se muestra en un diagrama de bloques el
sistema empleado en un amplificador realimentado.
~?mparador 1 1-----
VentVreal
Figura 12.7. Diagrama de bloques de un amplificador
realimentado.
V,nt es la seal que se introduce a la entrada del amplifica-
dor realimentado.
El amplificador proporciona a la salida una seal igual a
V~a1
La red de realimentacin, compuesta generalmente por
componentes pasivos, toma parte de la seal de salida del
amplificador (V,.eai) y la vuelve a introducir a la entrada.
El comparador es la va por donde la seal Vce,i se acopla a
la entrada del amplificador.
Cuando la seal que se introduce en la entrada mediante la
red de realimentacin se resta con la seal de entrada, ha-
ciendo que esta disminuya su valor, nos encontramos ante
una realimentacin negativa. En este caso la ganancia del
amplificador realimentado disminuye respecto a la del am-
plificador sin realimentar.
En el caso de que la seal realimentada se sume a la seal
de entrada, el amplificador aumenta la tensin de salida,
proporcionando una realimentacin positiva, lo que hace
que la ganancia del amplificador realimentado aumente
respecto al no realimentado.
La realimentacin que ms se utiliza para circuitos con
fines amplificadores es la negativa, dejando la realimen-
tacin positiva para los osciladores (circuitos capaces de
generar una seal alterna en la salida a partir de la ali-
mentacin de C.C.; estos circuitos se estudiarn con dete- do introducido.
nimiento en la Unidad 14).
12.2.2. Ventajas ~e la realimentacin
Por ser la realimentacin negativa la utilizada para conse-
guir efectos beneficiosos en los amplificadores, nos referi-
remos a ella en este caso. Las ventajas que se obtienen con
el uso de la realimentacin negativa son:
a) Mejora de ia distorsin alinea!
Dado que la ganancia de un amplificador depende de las
caractersticas de sus componentes y que estos no son li-
neales, se produce una distorsin en la seal de salida del
amplificador.
b) Mejora de la distorsin en frecuencia
Al reducir la realimentacin negativa la ganancia de un
amplificador, esta pe1manece ms estable para un mayor
margen de frecuencias, con fo que se consigue aumentar el
ancho de banda del amplificador. En la Figura 12.8, se
muestra el diagrama de respuesta en frecuencia de un am-
plificador con realimentacin y la del mismo amplificador
sin la realimentacin. Observa cmo se consigue un ancho
de banda ms amplio con realimentacin (,-c2 - ,-c1) res-
pecto al amplificador sin realimentacin Ucz - fc 1).
Sin realimentacin
Con realimentacin
_l;.1 ;,
figura 12.8. Respuesta en frecuencia de un amplificador
con realimentacin y sin ella.
e) Disminucin del ruido
Supongamos que estamos trabajando con un amplificador
de audio y que la seal recoge algn ruido (por ejemplo,
el proveniente de una fuente de alimentacin con rizado
excesivo), por lo que dicho ruido aparecer amplificado
en la salida. Con la realimentacin negativa, parte de este
ruido es realimentado en oposicin de fase con la seal de
entrada, con lo que se consigue reducir gran parte del rui-
d) Mejora de las impedancias de salida y entrada
En muchos casos interesa proporcionar al amplificador una
impedancia de salida o de entrada adecuada a la aplicacin
que se va a hacer de l. As, por ejemplo, un amplificador
de audio deber poseer una baja impedancia de salida en
su etapa final; de esta forma podremos entregar la mxima
potencia a los altavoces que poseen una impedancia entre
4y sn.
12.3. [I amplificador
operacional
Una de las grandes aplicaciones que se hace de la reali-
mentacin, tanto negativa, como positiva, es en los ampli-
ficadores operacionales (AO).
Un amplificador operacional es un ejemplo de un amplifi-
cador fabricado con las tcnicas de los circuitos integra-
dos. Este tipo de circuito ofrece a los diseadores unas ex-
celentes caractersticas a un precio reducido.
Con el uso de amplificadores operacionales se pueden con-
seguir grandes ganancias de tensin para aplicaciones de
baja potencia, con lo que se puede trabajar en un amplio
margen de frecuencias. Las aplicaciones que encuentra es-
te tipo de amplificadores son mltiples: amplificacin, fil-
tros, fuentes de alimentacin, generadores de seal, com-
paradores, reguladores de tensin, temporizadores, etc.
El AO es un elemento que posee una entrada diferencial, lo
que significa que tiene dos entradas en oposicin de fase.
En la Figura 12.9, se muestra el smbolo que se emplea
para representar el AO, junto con uno de los encapsulados
tpicos en C.L
t;>-
+Vi:c
Entrada inversora
Salida
Entrada no inversora +
-Vcc
Figura 12.9. Representacin esquemtica
del amplificador operacional y encapsulado.
Si aplicamos una seal a la entrada ( - ) inversora, ob-
tendremos una seal en la salida en oposicin de fase
respecto a la aplicada a dicha entrada. Al contrario, si
aplicamos la seal a la entrada ( + ) no inversora, la
seai que se obtiene en la salida se mantiene en fase
con la de entrada. Por otro lado, si aplicamos una se-
al entre ambos terminales de entrada, la seal obteni
da en la salida es proporcional a la diferencia entre
ambas seales.
Un amplificador operacional est compuesto por diferentes
etapas, tal como se muestra en el diagrama de bloques de
la Figura 12.1 O.
Entrada
Amplificador Salida
colector comn
Entrada no
inversora
Figura 12.1 O. Diagrama de bloques de un amplificador
operacional.
La primera etapa consta de un amplificador diferencial;
elemento esencial para conseguir que la seal de salida de-
penda de la diferencia de las seales aplicadas a la entrada.
La segunda etapa amplificadora es la que proporciona una
alta ganancia. Por ltimo, existe una etapa amplificado-

ra, habitualmente en colector comn, que proporciona una
baja impedancia de salida. En la Figura 12.11, se puede
apreciar los circuitos tpicos de un AO.
~ Vcc
Amplificador Amplificador de Amplificador
diferencial gran ganancia de salida
Figura 12.11. Circuitos tpicos de un amplificador
operacional.
Bll 12.3.1. [I amplificador diferencial
El amplificador diferencial posee dos entradas y una sali-
da. La seal que se obtiene a su salida es el resultado de la
diferencia de las seales que se aplican a las entradas. En
cierta forma este amplificador elimina o rechaza las partes
comunes de las seales aplicadas a su entrada.
En la Figura 12.12, se muestra el circuito de un amplifica-
dor diferencial elemental.
- Vcc
Figura 12.12. Amplificador diferencial.
Para la alimentacin del circuito, es necesario utilizar una
fuente de alimentacin doble que proporciona las tensiones
+ Vce y - Vce de diferente polaridad y que proporcione
una intensidad constante. Los transistores T1 y T2 son exac-
!amente iguales y estn polarizados en el mismo punto de
trabajo.
La tensin que aparece en la salida (Vsalid.) del amplifica-
dor se obtiene de la diferencia de las tensiones de salida
V,1 y V,2 que aparecen en cada uno de los colectores de los
transistores T y T2
Vsalicta = V,1 - V,2
Dado que la ganancia de los dos transistores es idntica, en
la salida se obtiene una tensin proporcional a la diferencia
de las tensiones de entrada.
Ganancia diferencial (Act;r): es la que consigue el amplifi-
cador, trabajando con la diferencia de seales de entrada.
Esta ganancia suele ser muy elevada.
Ganancia en modo comn (Acom): dado que es imposible
construir amplificadores diferenciales que estn perfecta-
mente equilibrados, es posible que aparezca una pequesi-
ma tensin en la salida, aunque las tensiones de entrada
sean exactamente iguales. De esta forma, la ganancia en
modo comn es la que se produce con las seales que son
comunes a las entradas del amplificador operacional. Por
supuesto, esta ganancia suele ser muy pequea.
Rechazo en modo comn (CMRR): es evidente que la
calidad de un amplificador diferencial ser mayor cuanto
menor ganancia en modo comn posea. Para poder medir
el grado de rechazo de las seales de modo comn se utili-
za el parmetro rechazo en modo comn que se obtiene Impedancia de salida (Ouput impedance ). Este valor sue-
de la relacin entre la ganancia de tensin diferencial y la
ganancia de tensin comn. La expresin para calcularla
en decibelios quedara as:
CMRR = 20 log Act;r
Acom
111112.31 ~aractersticas del amplificador
operacional
Un amplificador operacional ideal posee unas caractersti-
cas muy similares a uno real. Veamos cules son estas.
11111111 Caractersticas de un A ideal
Ganancia de tensin infinita.
Impedancia de entrada infinita.
Impedancia de salida cero.
Ancho de banda infinito (responde por igual a todas las
frecuencias).
La seal de salida no se ve alterada por cambios de tem-
peratura.
Tensin de salida cero en ausencia de tensiones de entra-
da o lo que es lo mismo factor de rechazo comn igual a
cero.
Caractersticas de un A real
En un amplificador operacional real estas caractersticas se
acercan bastante. Para poder conocer con detalles a estas,
tendremos que consultar las hojas de especificaciones tc-
nicas que nos facilitan los fabricantes. Seguidamente, ex-
plicamos las ms significativas, tomando como ejemplo el
AO comercial 741C.
Ganancia de tensin en lazo abierto (Open loop voltaje
gain). Nos indica la ganancia del AO sin el uso de reali-
mentacin. Esta ganancia suele variar con la temperatura
ambiente y con la frecuencia. Para el AO 741C la ganancia
suele estar en torno a 200.000.
Impedancia de entrada (Input impedance). El valor de la
impedancia de entrada de un AO es muy elevada, as por
ejemplo para el 741C tenemos una impedancia de unos
2 M!l Esta impedancia tiende a crecer con la frecuencia,
por lo que los fabricantes nos facilitan unas grficas para
consultar esta dependencia.
le ser muy bajo.
Ancho de banda (Frecuency response). El ancho de banda
disminuye al aumentar la ganancia de tensin. As por
ejemplo, para el AO 741C el ancho de banda para una ga-
nancia igual a la unidad (0 dB) es de 1 MHz, mientras que
para una ganancia de 10.000 (80 dB) se reduce hasta los
100 kHz.
Rechazo en modo comn CMRR (Common-Mode Rejec-
tion Ratio). Esta caracterstica tpica de los amplificadores
diferenciales mide la capacidad del amplificador de recha-
zar las seales de modo comn que aparecen en la entrada.
El AO 741C posee un CMRR de 90 dB, lo que nos indica
que el amplificador posee una ganancia 31.625 veces supe-
rior para las seales diferenciales que para las de modo co-
mn.
Tensin offset de entrada (Input offset voltage). A poco
desequilibrio que exista en el amplificador diferencial del
AO, este presentar una muy dbil tensin de salida en
ausencia de tensin de entrada. La tensin de offset de en-
trada es la tensin que hay que aplicar a la.entrada para eli-
minar dicha tensin de salida y hacer que la misma sea cero.
I!
rn
r,;
i
As, por ejemplo, para el AO 741C la tensin offset de en-
trada es de 2 mV.
La mayor parte de los AO comerciales llevan incluidos un
par de terminales para conectar un circuito de correccin
de offset, tal como se indica en la Figura 12. 13. Hoy en da
existen AO comerciales que corrigen automticamente es-
te efecto.
IOK
Figura 12.13. AO con circuito de correccin de offset.
Corriente offset de entrada (Input offset current). Es la
diferencia de corrientes de entrada cuando la tensin de sa-
lida es cero. Al igual que la tensin de offset, se produce
por los desequilibrios del amplificador diferencial. Para el
AO 741C esta corriente es de 20 nA.
Corriente de polarizacin media de entrada (Input bias
current). Es la pequea corriente que necesita el amplifica-
dor diferencial para polarizarse. En el AO 741C estaco-
rriente est en torno a los 80 nA. El uso de transistores
FET en esta etapa amplificadora reduce sensiblemente es-
tos valores.
Corriente de salida en cortocircuito (Output short-cir-
cuit current). Es la corriente mxima que puede proporcio-
nar el AO. Para el AO 741 Cesta corriente es de 25 mA.
Tensiones de alimentacin (Supply voltage). Son las ten-
siones con las que se alimenta al AO. Para el AO 741C
estas tensiones son de 18 V.
Seguidamente, incluimos como ejemplo algunas caracte-
rsticas ms del AO 741C.
Tensin diferencial de entrada (Diferential input volta-
ge): 30 V.
Tensin de entrada (Input voltage range): 15 V.
Potencia disipada: (Power dissipation): 500 mW.
,Rango de temperaturas de funcionamiento (Operating
free-air temperature range): Oa 70 C.
En la Figura 12.14 se muestra, a modo de ejemplo, el as-
pecto de un AO 741 C encapsulado en forma de circuito
integrado, con la denominacin de todos sus terminales.
 en un AO sin realimentar, la ganancia disminuye drstica- sin de salida. As, se consigue que la tensin V,eal' que
Ajuste offset Electrical Characteristies
mente para frecuencias superiores a 10 Hz, mientras que si aparece en los terminales de R,., sea proporcional a la de
LM741C
Entrada inversora Alimentacin+ Vcc
Parameter Conditions Units hay realimentacin, la ganancia se mantiene estable hasta salida.
Min Typ Max
los 100 kHz.
Entrada no inversora Salida
Output Vollage Swing Vs = 20V Esta forma de realimentacin es una de las ms sencillas y
AL?.: 10 kfi V con ella se consigue una buena estabilidad, una resistencia
AL?: 2k!l V 120
Ajuste offset de entrada alta y una resistencia de salida baja, lo que le
Vs = 15V
AL~ 10kfi 12 14 V
convierte en un sistema muy adecuado para amplificadores
100,
RL 2 2kn 10 13 V lineales.
Figura 12.14. Conexiones internas Output Short Circuit TA= 25C 25 mA
de/AO 741C. Current TAMIN STA ,s:: TAMAX mA
li 80 i La ganancia de tensin de un amplificador operacional sin

~
realimentacin es bastante elevada. Con la realimentacin

A modo de ejemplo, en las Figuras 12.15, 12.16 y 12.17, se

muestran unos recortes extrados de las hojas de caracters-
Common-Mode
Rejection Ratio
TAMJN STA S. TAMAX
As S 10 kn, VcM = 12V
As s son, VcM = 12v
70 90 dB
dB
.
io
:::!. 60

1 40
negativa se consigue estabilizar la ganancia y aumentar el
ancho de banda a costa de reducir esta ganancia. La ganan-
SupplyVoltage TAMfN STAS TAMAX, cia a bucle cerrado depende en gran manera de la red de
ticas del amplificador operacional comercial LM741C. Rejection Ratio Vs= 20VtoVs= SV c3 Bucle cerrado realimentacin, pudindose decir, con bastante aproxima-
As s son dB
Rs S 10 kn 77 96 dB
20 cin, que:
Bandwidlh TA= 25C MHz
Con realimentacin
Absolute Maximum Ratings oi Ri
Slew Aate TA = 25C, Unity Gain 0.5 V/s l 10 100 lk 10 k 100 k lM Av<LCJ ~ 1+-
LM741C Supply Current TA-25C 1.7 2.8 mA Frecuencia (Hz) ~-----p.- R,.
Supply Voltage 18V
Power Dissipation 500mW
Figura 12.17. Caractersticas elctricas del LM741C Figura 12.18. Ganancia de una AO con realimentacin
Differential Input Voltage 30V
(continuacin). y sin ella. Actividad resuelta 12.1
Input Voltage 15V
Operating Temperature Aange O"Cto +70C
Al igual que ocurra con los amplificadores construidos Se desea calcular el valor que habr de tener la resistencia
Storage Temperature Range -65Cto +1SOC
Junction Temperature toOC con transistores de unin, existen cuatro tcnicas diferentes de realimentacin del circuito amplificador con realimen-
l 2J Realimentacin para la realimentacin negativa de un AO. tacin no inversora de tensin de la Figura 12.20, si
deseamos obtener a la salida una tensin de 1OV cuan-
Figurn 12.15. Valores mximos
para el LM741C.
en los am~lifica~orns lL.4.1. AO con rnalimenlacin
do apliquemos una seal de entrada de 99 mV.

o~eracionales no inversora de tensin

Electricai Characteristics La forma habitual de trabajo de un AO es mediante las tc- En la Figura 12.19 se muestra el circuito correspondiente a
LM741C nicas de realimentacin negativa, dejando la realimenta- esta tcnica de realimentacin. V~nt 99 mV
Parameter Conditions Units
Min Typ Max cin positiva para los circuitos en los que se desea generar
Input Offset Voltage TA= 25C
As :s: 10kn 2.0 6.0 mV
un estado de oscilacin, como es el caso de los generado-
res de seal.
R, I' '"'
IOV
Rss son mV
TAMIN :S: TA :S: TAMAX
La ganancia de un amplificador operacional integrado para

, ,.
As :s: son mV
As S 10kfl 7.5 mV seales de baja frecuencia es muy elevada, pero muy ines-
Average Input Offset
VoltageDrift JJ,VlC table a los cambios de dicha frecuencia. Por esta razn, figura 12.20.
Input Offset Vo!lage TA= 25C, Vs = 20V conviene disponer de menor ganancia a cambio de una
15 mV
Adjustment Aange mayor estabilidad dentro de unos lmites de frecuencia ms Solucin: Primero calculamos la ganancia de tensin a
Input Offset Curren! TA= 25C 20 200 nA grandes. La forma de conseguir esto ltimo es utilizando la
TAM!N :S: TAS TAMAX 300 nA
realimentacin negativa. Esta tcnica consiste en tomar '-------->--~ la que debe trabajar el amplificador:
Average Input Offset
CurrenlDrift nA/C una parte de la seal de la salida del amplificador e intro- Figura 12.19. AO con realimentacin no inversora v,,1 10
Input Bias Curren! TA=25C 80 500 nA ducirla de nuevo por la entrada inversora. de tensin. A = - = ~ = 101
V(LC) Vent 0,099
TAMlN :S: TA :S: TAMAX 0.8 A
lnputResistance TA= 25"C, Vs = 20V 0.3 2.0 Mn En el caso de que la seal de realimentacin se introdujese
La seal a amplificar (Ven,) se aplica a la entrada no inver- De la expresin de la ganancia a bucle cerrado expues-
TAM!N :S: TA:,;; TAMAX, por la entrada no inversora se tratara entonces de una rea-
Vs = 20V
Mll sora de tensin y la realimentacin (Vte, 1) se realiza toman- ta para este amplificador se deduce que la resistencia
limentacin positiva.
Input Vollage Range TA= 25C 12 +13 V do una parte de la tensin de salida (V,.1), que es aplicada a de realimentacin es igual a:
TAMIN :S: TA$ TAMAX V En la Figura 12.18, se muestra la relacin existente entre la la entrada inversora del amplificador operacional. Como se
'''Sd-,.,.X:..l.'..........;.1.o'-"--'
frecuencia y la ganancia de un amplificador operacional puede apreciar en el circuito de la Figura 12.19, la tensin R1 1.000
Figura 12.16. Caractersticas elctricas sin realimentacin (bucle abierto) y con realimentacin ne- de realimentacin se consigue mediante el divisor de ten- R = - - - = - - = lOQ
r Av(LC) - 1 101 - 1
del LM741C. gativa (bucle cerrado). En este diagrama se observa cmo, sin formado por R1 y R,, al que se le ha aplicado la ten-

IHI l 2.4.2. AO con realimentacin
inversora ~e tensin
En la Figura 12.21, se muestra un amplificador con reali-
mentacin inversora de tensin.
La seal a amplificar (Ventl se aplica a la entrada inversora
a travs de la resistencia R1, por lo que la seal de salida
aparecer invertida. La resistencia Rr toma una muestra de
la tensin de salida y la introduce por la entrada inversora.
Este sistema de realimentacin posee una impedancia de
entrada bastante baja y por esta razn se le conecta, en se-
rie con el generador de seales, una resistencia R 1 que evi-
ta las sobrecargas de este.
R,-
Figura 12.21. AO con realimentacin inversora de tensin.
La ganancia de tensin a lazo cerrado est condicionada en
este caso por las resisencjas RI y R,., de tai forma que se
cumple la siguiente relacin:
El signo negativo indica que existe inversin de fase entre
la entrada y la salida.
Actividad resuelta 12.2
Al amplificador de la Figura 12.22, se aplica una ten-
sin de entrada de 10 mV. Calcula la tensin que apa-
recer en la resistencia de carga de la salida.
R,
!OmV
l.
Figura 12.22.
Solucin: La ganancia obtenida con este amplificador
ser igual a:
Rr 100
AV(LC) = - - = - - = 100
R1 I
La tensin en la salida ser igual a
v,., = Av(LC) vent = - 100 0,01 = -1 V
Si al AO de la Figura 12.21 se le suprime la resistencia R1,
su impedancia de entrada tiende a cero. Dado que su impe-
dancia de salida es tambin muy prxima a cero, este se
comporta como un convertidor ideal de corriente a tensin.
En la Figura 12.23, se muestra el circuito mencionado.
En estas condiciones se cumple que:
R,
.1
Figura 12.23. AO como convertidor ideal de corriente
a tensin.
Actividad resuelta 12.3
Aprovechando las propiedades del convertidor de co-
rriente a tensin del AO con realimentacin inversora
de tensin, se puede disear un ampermetro electrni-
co, tal como se muestra en la Figura 12.24.
Supongamos que las intensidades que deseamos medir
sean de 100 A. Para este valor tan bajo de corriente,
sera necesario un ampermetro de gran sensibilidad,
IOOkil
lcnt
Figura 12.24. Ampermetro electrnico con AO.
con el consiguiente coste adicional. Utilizando la en- Este tipo de circuito se utiliza en instrumentacin para la
trada del amplificador operacional de la Figura 12.24 construccin de voltmetros muy sensibles como converti-
dor de tensin a corriente. En la Figura 12.26 se muestra
como puntas de prueba de un ampermetro, se pueden
obtener tensiones proporcionales a la corriente a travs un ejemplo.
de un voltmetro.
En este caso el mximo alcance del voltmetro a utili-
zar ser:
V" 1 = R,.Ien, = 100 103 100 10- 6 = 10 V
La constante del voltmetro ser:
10 V
K=--=01 V/A
100 A '
Es decir, por cada O, 1 V que indica el voltmetro, la
corriente medida es de l A. Figura 12.26. Voltmetro sensible con AO.
111112.4.J. AO con realimentacin 111112.4.4. AO con realimentacin
no inversora ~e corriente inversora ~e corriente
En la Figura 12.25, se muestra un circuito con este tipo de
realimentacin. En este caso (Figura 12.27) la seal se aplica a la entrada
inversora del amplificador operacional. La realimentacin
La seal del generador se aplica a la entrada no inversora se consigue, corno en el caso anterior, tornando una mues-
del amplificador operacional. En la salida se obtiene una tra de la seal de salida proporcional a la corriente e intro-
seal no invertida. En serie con la resistencia de carga Rv se
conecta una resistencia R,, de la cual se toma la tensin de
ducindola por la entrada inversora.
realimentacin V"' que, corno en otras ocasiones, es aplica-
da por la entrada inversora. La realimentacin que se consi-
gue, es proporcional a la corriente de salida (V,..1 = R,1,,1).
V.::111
Figura 12.27. AO con realimentacin inversora
de corriente.
Este tipo de realimentacin hace que el amplificador traba-
Figura 12.25. AO con realimentacin no inversora
je corno un amplificador de corriente ideal y su impedan-
de corriente. cia de entrada es cero e infinita la de salida.
Un amplificador con realimentacin no inversora de co- En este amplificador se cumple la siguiente relacin:
rriente posee una resistencia de entrada y salida muy ele-
vada, por lo que se puede considerar como un convertidor
ideal de tensin corriente. Adems, se cumple que:
Expresin que nos indica que la corriente de salida es pro-
porcional a la de entrada.
-----------------------------------------------------------------------------------------------
Actividad resuelta 12.4
Con este sistema de realimentacin se puede construir
un ampermetro sensible, tal como se muestra en la Fi-
gura 12.28.
Figura 12.28. Ampermetro sensible con AO.
As, por ejemplo, en el caso de que la corriente de en-
trada de este amperimetro sea 1 A, en la salida apare-
cern:
490 ) Estos circuitos son capaces de constituir una barrera para
1,.1 ~ l A ( !O + 1 = 50 A
Lo que nos indica que para medir 1 A es necesario
situar un amperimetro de fondo de escala igual a 50 LA
en la salida.
12.5. Aplicaciones
de los amplificadores
operacionales
Existe una gran multitud de aplicaciones con amplificado-
res operacionales, dado que estos poseen unas excelentes
prestaciones y resultan muy econmicos en la mayor parte
de los casos.
Este tipo de amplificadores responde bien a las bajas fre-
cuencias y su ganancia de tensin se puede ajustar, de una
forma muy simple, utilizando las tcnicas de realimenta-
cin negativa. Para aplicaciones en altas frecuencias, ya no
son tan eficaces, pero existe una gama especial para estos
casos que da muy buenos resultados.
Una de las aplicaciones que poseen los amplificadores
operacionales es la de realizar operaciones matemticas,
como la de suma, resta, diferenciacin e integracin.
1n.1. Am~lificaaor suma~or
Con este circuito se puede construir, por ejemplo, un mez-
clador de audio. Para ello inyectaramos a las entradas las
seales variables provenientes de micrfonos, lectores de
discos, etc.; consiguiendo a la salida del amplificador la
mezcla o surna de dichas seales.
En la Figura 12.29, se muestrn el esquema de un amplifica-
dor sumador, en el que la tensin de salida (V"1) propor-
cionada por el circuito resulta ser proporcional a la suma
de las tensiones aplicadas a la entrada (V,,, 1, V"" 2).
R,-
Figura 12.29. AO sumador.
Si observamos detenidamente el circuito, se puede apreciar
que este est formado por un amplificador inversor por ca-
da una de las entradas. En este caso se cumple la expre-
sin:
R,. R,\
v,, = - ( vent IR,+ v,nt2 Ri)
En el caso de que las dos resistencias de la entrada sean
iguales (R 1 = R2 = R), tendremos que:
v,.1 = -
R,.
R (Vent J + v,n,2l
As, por ejemplo, para construir un mezclador de seales
de audio, sustituiramos las resistencias fijas de entrada R1
y R2 por potencimetros, consiguiendo as diferentes ga-
nancias para cada una de las seales de entrada.
12.5.2. Amplificador restador
En el circuito de la Figura 12.30, se consigue que la ten-
sin de salida sea proporcional a la resta de las tensiones
aplicadas a la entrada.
En este caso la tensin de salida cumple la siguiente expre-
sin:
R,- En este circuito se cumple que, cuando la tensin de entra-
da es superior a la de referencia que hemos fijado, la ten-
sin de salida se hace mxima (Vmxl (entre uno y dos vol-
tios inferior a la tensin de alimentacin Vccl- En este caso
se dice que el amplificador se ha saturado. Para tensiones
de entrada inferiores a la de referencia, en la salida del am-
plificador se presenta una tensin cercana a la tensin ne-
gativa de la alimentan ( - ~,,.,)-
La razn por la que esto ocurre es porque el amplificador
operacional produce a su salida una tensin amplificada,
que es proporcional la diferencia entre la tensin de entra-
Figura 12.30. AO restador.
da y la de referencia. Dado que el amplificador no dispone
de realimentacin negativa, la ganancia del mismo es tan
Si hacemos que se igualen las resistencias: R1 = R2 y alta que, a poca que sea la tensin diferencial a la entrada,
Rx = R,, tendremos que: esta produce una tensin tan elevada a la salida que tiende
a saturar el amplificador, proporcionando una tensin muy
R,. prxima a la de alimentacin.
v,.1 = R (V,n,2 - v,n, )
1
l n.4. filtros activos
Donde se consigue que la seal de salida sea proporcional
a la diferencia de las seales de entrada.
determinadas frecuencias, dejando pasar la seal de la ga-
Qu habra que hacer para conseguir que esta propor- ma de frecuencias que nos interese y eliminando o ate-
cin sea igual a la unidad?
nuando el resto. Si estos filtros los constituimos con com-
ponentes pasivos (resistencias, bobinas y condensadores)
la seal de salida obtenida en los mismos ser siempre in-
12.5.l ~om~arndorns ferior a la de entrada. Con los filtros activos, construidos a
partir de amplificadores operacionales, podemos conseguir
Este tipo de circuitos construidos a partir de amplificado- aumentar con una cierta ganancia !a seal de salida una
res operacionales, como el de la Figura 12.31, consigue es- vez filtrada.
tablecer una comparacin entre una tensin de entrada
(V,nt) y una tensin de referencia <Vrerl que fijamos con el
Una aplicacin tpica de estos circuitos son los filtros que
se colocan entre la salida de los amplificadores de audio y
divisor de tensin formado por las resistencias R1 y R2:
los altavoces. Estos filtros se disean para que solo dejen
pasar a los altavoces la gama de frecuencias para la que
Vref-=Vce -
R2
R-
+R -
responden adecuadamente, con lo que se elimina el resto.
2 As, podriamos tener altavoces especializados en tonos
graves, agudos, medios, etc.
Existen tres tipos de filtros:
Filtro paso bajo: este filtro solo deja pasar las seales de
+ V"'. una frecuencia que sea inferior a una de referencia marca-
Ri da, denominada frecuencia de corte u;.), tal como
se muestra en la caracteristica de transferencia de la Figu-
ra 12.32.
o En la Figura 12.33, se muestra el circuito de un filtro de
v~r
R2 paso bajo con amplificador operacional.
- Vcc
Jv. En este circuito se ha utilizado el montaje tpico de un am-
plificador no inversor, al que se le ha conectado un circuito
.J.,, .J,,. con una resistencia R y un condensador C (RC) a la entrada
Figura 12.31. AO comparador. no inversora.
 A (dB) Actividad restaelta 12.5
A A partir del circuito de la Figura 12.33, se desea dise-
ar un filtro de paso bajo para una frecuencia de corte
superior de I kHz. Calcula el valor de R para un con-
densador C de 1OnF.
Solucin:
1 1
J, = - - - > R = - - =
e 2nRC 2nfcC
1
=
2 n 1.000 10 10-
9 = 15.915
Figura 12.32. Caracterstica de transferencia
de filtro paso bajo.
Filtro paso alto: este filtro se caracteriza porque solo deja
pasar las seales de una frecuencia superior a la de corte,
tal como se muestra en la caracterstica de transferencia de
R, la Figura 12.34.
A(dB)
v. 1 Actividad resuelta 12.6
Figura 12.33. Filtro paso bajo con AO.
,__.____.__ _ _ _ _","' f(Hz)
Para seales de entrada cuya frecuencia sea muy baja, la ;_.
reactancia Xc del condensador se hace muy elevada
Figura 12.34. Caracterstica de transferencia de filtro
(Xc = l/2nfC) si la comparamos con el valor de R, por lo
de paso alto.
que prcticamente toda la seal de entrada aparece entre
los terminales de C, con lo que se obtiene a la salida del
En este caso se ha invertido la posicin del condensador y
amplificador una seal alta (obsrvese que el condensador
est conectado directamente a la entrada no inversora del la resistencia conectada a la entrada no inversora, tal como
se muestra en el circuito de la Figura 12.35.
AO). Por el contrario, si la frecuencia es alta, la reactancia
del condensador se hace muy baja y, por tanto, la tensin
en este elemento se reduce drsticamente y, con ella, la R,
tensin de salida del amplificador.
El valor de la frecuencia de corte (f,) se establece cuando
se igualan la reactai;tcia del condensador Xc con el valor
hmico de la resistencia R.
Xc = R, de donde resulta que:
Figura 12.35. Filtro paso alto con AO.
R,
n
Figura 12.36. Filtro paso banda con AO.
Aplicando el mismo razonamiento que para el filtro de pa- A(dB)
so bajo, ahora el condensador acta como un cortocircuito ,\
para las seales de entrada de alta frecuencia. Sin embargo,
para las frecuencias inferiores a la de corte, la reactancia se
hace muy elevada, por lo que la seal aplicada a la entrada
queda bloqueada por este. La frecuencia de corte se calcula
exactamente igual que en filtro de paso bajo.
A partir del circuito de la Figura 12.35, disea un filtro
' - - - - ' - - - - - - - - - - ' - - - L - - - ' ; , > /Hz)
frl fr2
de paso alto para una frecuencia de corte inferior de 50 Figura 12.37. Caracterstica de transferencia
kHz. Calcula el valor de R para un condensador C de de un filtro de paso banda.
10 nF.
Solucin: Actividad resuelta 12. 7
A un filtro de paso banda como el de la Figura 12.36,
1 1
f =----,R=--= se le aplica una seal de audio a su entrada con una
e 2nRC 2nfcC gama de frecuencias que va desde los 2 Hz hasta los
20 kHz. Se desea aplicar la seal a unos altavoces para
1 que se realce el sonido de los tonos bajos. Qu valor
= 2n50 103 10 10- 9 = 318 Q debern poseer las redes RC del filtro, si queremos que
el altavoz realce los tonos entre 25 Hz y 100 Hz?
Filtro paso banda: el filtro paso banda se construye con Solucin: Para el paso alto, la frecuencia de corte debe
una combinacin del filtro paso alto y el filtro paso bajo estar en 25 Hz.
como el de la Figura 12.36.
Aqu se consigue que solo aparezcan en la salida las sea-
les de entrada que estn comprendidas entre la frecuencia
de corte inferior (fc 1) y la superior (fc 2), tal como se mues-
tra en la caracterstica de transferencia de la Figura 12.37. Si tomamos para el condensador C1 una capacidad de
1 F, tendremos que:
La frecuencia de corte inferior fc 1 se calcula como siem-
pre, pero teniendo en cuenta los valores de R 1 y C 1 De 6,37. 10- 3 6,37 10- 3
igual forma se calcula la superior fc 2 con los valores de R2 R1=---- - 1 -_1-0-_6- = 6.370 n
C1
y C2.
 Para el paso bajo la frecuencia de corte est en 100 Hz:
1
2nR2C2
l 1
c2=----->R2C2=--=---=l,5910- 3
2nfc2 2 n 100

Para una capacidad de C2 = 1 F, tendremos que:

(a)
't1 '""'t ) 2.1. Anlisis de un AO con realimentacin inversora de
tensin. Mediante este ejercicio prctico se pretende
En la Figura 12.43 se muestran las seales obteni-
das en la pantalla del osciloscopio. Observa cmo la
,.,t. comprobar experimentalmente la dependencia de la ga- tensin de salida queda invertida en relacin a la de

J~-=---
1,59 I0- 3
R,- = - - - = 1.590 Q
.o-6 (b) nancia del amplificador operacional comercial 741 al co- salida.
nectar una red de realimentacin, as como comprobar
su ancho de banda. V
Figura 12.39. Respuesta de un integrador a una sea/ El circuito con el que realizaremos las comprobaciones -
1n.5. Amplificadores inte~rndares de entrada constante. es el de la Figura 12.42.

~ aifernnciadorns Difenmcirulor
V,"'111:.JOmV
{\ ~
r (\ 1\
"
Con los AO se pueden construir circuitos que realicen las En este circuito se conecta el condensador a la entrada no
operaciones matemticas de integral y derivada. Este tipo inversora, tal como se observa en la Figura 12.40. En este
de circuitos proporciona a su salida una seal no lineal res- circuito la tensin de salida es proporcional a la derivada
pecto a la entrada, por lo que pueden ser muy tiles para la de la tensin de entrada: V \/ V V \ V

generacin de seales. dV,"'

u.set= -RC--
dt
Integrador R V \ V

En la Figura 12.38, se muestra el circuito de un integrador
con AO, donde se ha sustituido la resistencia de realimen-
tacin en un amplificador no inversor por un condensador
C. Aqu se cumple que la tensin de salida es proporcional
a la integral de la tensin de entrada:
As por ejemplo, si la tensin que aplicamos a la entrada
fuese constante, la tensin que obtenemos a la salida, una
vez realizada la operacin matemtica de integracin, sera
la siguiente:
vent
v,al = - RC t
e el diferenciador se pueden generar seales rectangulares a
~-x.,
rlc~
v,,,
figura 12.40. AO diferenciador.
As por ejemplo, si la tensin que aplicamos a la entrada
fuese proporcional al tiempo (forma de rampa), la tensin
que obtenemos a la salida, una vez realizada la operacin
matemtica de derivacin, sera la siguiente:
vsa 1 = - RCV,n,
Por lo que para una seal de entrada en rampa, como la de
la Figura 12.4l(a), la seal de salida que se obtiene es un
escaln como el de la Figura 12.4l(b). En conclusin, con
partir de seales en rampa.
Vcnt
Figura 12.43.
tv,,, d) Una vez hecho esto, ve variando la frecuencia de la
seal de entrada (desde unos pocos hertzios hasta
l
Figura 12.42. Circuito para el anlisis de un AO.
unos cuantos miles), sin variar la amplitud. Mide la
amplitud de la seal de salida para diferentes valo-
res de frecuencia, determinando, aproximadamente,
a) Para comenzar, monta el circuito de la Figura 12.42 las frecuencias de corte inferior y superior ( fe, y fe,)
y el ancho de banda del amplificador. Seguida-
en el entrenador didctico, reservando un lugar para
mente, dibuja sobre el papel la curva de respuesta
colocar diferentes valores hmicos a la resistencia
R1 de 1/2 W. del amplificador.
b) Sita una resistencia R, = 10 kQ; conecta el canal B e) Cambia la resistencia R, por los valores 22 kQ,
de un osciloscopio a la salida del amplificador opera- 47 kQ y 100 kQ, comprobando el efecto que produce
en la ganancia para una seal senoidal de 1 kHz.
cional y el canal A a la entrada.
e) Mediante un generador de seales, introduce una
12.2. Mezclador para audio. En la Figura 12.44 se muestra
seal senoidal de 1 kHz y de 1OmV de tal forma que

Figura 12.38. AO integrador.
Lo que nos indica que para una seal de entrada constante,
como la de la Figura 12.39(a), la seal de salida que se
obtiene es una rampa como la de la Figura 12.39(b). De
aqu se deduce que el integrador se puede utilizar como
generador de seales en rampa y triangulares.
() 'l,,,/
el circuito correspondiente a un mezclador de audio.
no llegue a generar distorsin en la salida. Dibuja los
oscilogramas correspondientes a la seal de salida y Tal como se puede observar en el circuito, con este
entrada, determinandc la ganancia obtenida por el mezclador podremos introducir tres seales de audio
1111-1 AO con los valores pico a pico. Compara este valor diferentes, con lo que se consigue a su salida una seal
con el calculado tericamente (AvcLCI = - R,IR1). que ser la suma de estas. La utilidad de este pequeo
l!Jol mezclador es muy variada, ya que puede introducir se-
La ganancia y la tensin de salida para este amplifi-
ales preamplificadas provenientes de diferentes fuen-
.,_J..._____I cador sera de:
tes: una cabeza lectora de una pletina, un sintonizador,
R, 100
Av(LC) =- R, = 10 = 10 un micrfono, instrumentos musicales, etc. Un ejemplo
Figura 12.41. Respuesta de un diferenciador de aplicacin podra ser el poder hablar por un micrfo-
para una seal de entrada en rampa. Vsal = Av(LC) v.n, = 10-10 = 100 mV no durante un evento mientras se escucha la msica, o
 Para obtener ms informacin sobre este integrado,
consulta en las especificaciones tcnicas que nos facili
ta su fabricante (este circuito integrado tambin se pue-
de encontrar en el mercado con las denor,inaciones:
e, I F TL071-A771-LF351).
produce en la seal de salida al modificar los potenci-
metros R1 y R2 correspondientes a la regulacin de las
seales de entrada uno y dos.
12.3. Interruptor crepuscular con A.O. En la Unidad 9 ya

(631 "En el MATERIAL WEB que se ha preparado

para este texto se incluyen las hojos de caracte-
Salida
rsticas del integrado TL081.
.l
Realiza una lista con los materiales necesarios y monta
el circuito del mezclador de audio de la Figura 12.44.
Prueba del mezclador: para probar el mezclador, co-
nectamos a su salida una resistencia de 1OkQ, que ha-
r las funciones de carga. Por la entrada n. 1 introduci-
mos con un generador de funciones una seal senoidal
de 1 kHz de bajo nivel y por la entrada n. 2 otra seal
de idnticas caractersticas que la primera. A la salida,
se conecta un osciloscopio y se observa el aspecto de
la seal de salida. Ahora comprobamos el efecto que se
Figura 12.44. Mezclador de audio.
se propuso la realizacin de un interruptor crepuscular
en la Actividad 9.2. El circuito que ahora se propone es
muy similar en su funcionamiento, pero se le aade un
amplificador operacional que consigue una mayor sen-
sibilidad para las variaciones obtenidas por el sensor lu-
minoso LDR. En la Figura 12.46, se muestra el esque-
ma del circuito y en la Figura 12.47, el diseo del
circuito en circuito impreso.
Para su montaje necesitaremos:
Una LDR, que es la que va a hacer las veces de sen-
sor luminoso.
0 Un transistor BC 337, que es el que va a ser capaz de
aportar la suficiente corriente para excitar la bobina
del rel electromagntico.

la mezcla que se produce de los diferentes instrumen-
tos musicales en un concierto.
Este circuito consta bsicamente de los siguientes ele
mentos: tres entradas a las que se les conecta las dife-
rentes seales a mezclar, tres potencimetros (R1 , R2 ,
R3} que se encargan de nivelar las seales de entrada
segn el efecto que se desee conseguir en el mezclado
y un amplificador operacional (/C1} que realiza la suma
de todas las seales.
El amplificador operacional trabaja con realimentacin
inversora de tensin. Dicha realimentacin se produce
a travs de la resistencia R9 de 150 kn. Como las resis-
tencias ( R4 , R5 , R6 ) aplicadas a la entrada son del mis-
mo valor, la ganancia obtenida por el amplificador ser
de la unidad:
nar nuestro mezclador aprovechando la alimentacin
de un equipo de audio, que casi siempre resulta ser
mono polar.
Este problema se ha solucionado en nuestro circuito co-
nectando el terminal 4 de /C1 a masa y el 7 a la tensin
positiva de alimentacin. Adems se ha polarizado el
terminal 3 (entrada no inversora} con la mitad de la ten
sin de alimentacin. Para realizar esta ltima opera-
cin se ha dispuesto un divisor de tensin formado por
las resistencias R7 y R6 del mismo valor.
El amplificador operacional /C1 es un integrado TL081
de la serie JFET, lo que nos indica que posee una ele figura 12.46. Circuito de un interruptor crepuscular con AO.
vada impedancia de entrada.
En la Figura 12.45 se muestran las conexiones del en-
capsulado de este integrado.

La alimentacin ,de este circuito se puede realizar con Ajuste offset

una tensin continua que est comprendida entre 1Oy Vcc
Entrada inversora Alimentacin + Ve{ +
30 V. Sin embargo, la mayora de los circuitos que utili-
za amplificadores operacionales necesita de una fuen- Salida
te de alimentacin simtrica que suministre una ten-
Alimentacin~ Vcc Ajuste offset
sin doble de + Vcc (por ejemplo, + 15 V y -15 V).
Este hecho complica notablemente el empleo de estos
amplificadores, sobre todo si queremos hacer funcio- Figura 12.45. TL081 en cpsula CB-98. Figura "12.47. Diseo del circuito en circuito impreso. a) Disposicin de componentes. b) Trazado de pistas de conexin.
' Un rel, que es el que va a abrir y cerrar el circuito
principal de las lmparas de alumbrado.
0 Un potencimetro R2 de 470 kQ, el cual se ajustar
para conseguir la activacin del rel para una deter-
minada iluminacin.
Un condensador C2 de 100 F que se encarga de fil-
trar la tensin de alimentacin. Un condensador C1 de
1O ,,F que evita que cambios bruscos en la LDR pro-
vocados por destellos luminosos activen el operacio-
nal. Un condensador C3 de 470 F que evita cambios
bruscos en la polarizacin del transistor.
Un diodo D, 1N4001 para evitar la destruccin del
transistor cuando se desconecte el rel (al desconec-
tarse la bobina del rel, la energa acumulada por la
misma, por el efecto de autoinduccin, se manifiesta
como una sobretensin inversa de descarga que pue-
de llegar a destruir las uniones del transistor; el diodo
conectado en derivacin con dicha bobina descarga
esta energa por s mismo, protegiendo al transistor).
12.4. Sealizacin luminosa por aumento de temperatu-
El funcionamiento de este circuito es como sigue:
El amplificador operacional est funcionando como un
comparador. A la entrada no inversora se ie conecta a
una tensin de referencia que proporciona el divisor de
tensin formado por R2 y R3 , y que compara con la ten-
sin de entrada gracias al divisor de tensin formado
por la LDR y R,.
Para niveles de iluminacin elevados (luz de da), la
LDR reduce su valor hmico, por lo que la tensin que
aparece en la LDR baja y la de R, sube. Esto hace que
la tensin por la entrada inversora sea mayor que por la
no inversora, produciendo a la salida del operacional
una saturacin hacia la tensin negativa de alimenta-
cin. En estas condiciones, la base del transistor NPN
queda sometida a una tensin negativa y por tanto tra-
baja en corte y el rel permanece desconectado. Como
la lmpara est conectada a un contacto normalmente
abierto,.esta se mantendr apagada.
Para niveles de iluminacin bajos (luz de noche), ocurre
lo contrario. La LDR sube de valor hmico, lo que hace
que la tensin a la entrada no inversora se reduzca por
debajo de la tensin de referencia, haciendo que el ope-
racional proporcione a la salida una tensin positiva
cercana a la de alimentacin y suficiente para poner el
transistor en saturacin, activar el rel y encender la
lmpara.
, '* E11 el MATERIAL WEB que se ha preparado
para este texto se i11cluye11 las hojas de caracters-
ticas del /ra11sistor BC337 y del operacional 741.
ra. Se trata de conseguir que una lmpara de sealiza-
cin se encienda cuando se supere un determinado ni-
vel de temperatura. El circuito que se propone es el que
se muestra en la Figura 12.48.
El circuito funciona de forma muy similar al de la prcti-
ca anterior, haciendo trabajar al operacional como un
comparador.
Al aumentar la temperatura la resistencia NTC, esta re-
duce su valor hmico, por lo que en el divisor de ten-
sin, formado por esta resistencia y R2 , aparece la ten-
sin ms alta en R2 y la ms baja en la NTC. Este
aumento de la tensin en R2 hace que la tensin aplica-
da a la entrada no inversora ( +) aumente, de tal forma Gracias a la resistencia variable R, podemos seleccio-
que, cuando (V+) sea mayor que la de la entrada inver- nar la temperatura a la que se desee activar la lmpara.
sora (V-), el amplificador operacional proporcionar Monta el circuito eh el entrenador didctico y comprue-
una tensin de salida suficiente para hacer que el tran- ba las diferentes magnitudes que se dan en l mediante
sistor T1 trabaje en saturacin y haga que la lmpara se el polmetro con diferentes temperaturas.
encienda.
12.1. La realimentacin negativa en los amplificadores con-
sigue:
a) Reducir la distorsin en la frecuencia de la seal.
b) Aumentar el ruido de la seal de salida. Vcnt
e) Aumentar la ganancia del amplificador.
12.2. Un amplificador operacional posee:
a) Una impedancia de entrada elevada.
b) Una impedancia de salida elevada.
e) Un ancho de banda muy amplio. figura 12.49.
12.3. En un amplificador operacional con realimentacin in- 12.6. Qu tipo de realimentacin es el que utiliza el amplifi-
versora de tensin, la ganancia depende: cador operacional de la Figura 12.50?
a) De la tensin de alimentacin.
R, 200 kf!
b) De la ganancia a lazo abierto que indican los fabri-
cantes.
e) De la relacin entre las resistencias de entrada y de
realimentacin.
12.4. Cmo se denomina a la tensin que hay que aplicar a
la entrada de un amplificador para conseguir una ten-
sin de salida nula en ausencia de seales de entrada?
a) Tensin de offset. figura 12.50.

b) Tensin en modo de rechazo comn. a) Realimentacin inversora de tensin.

c) Tensin diferencial de entrada.
12.5. En la Figura 12.49 se muestra un amplificador operacio-
nal realimentado.
a) De qu tipo de realimentacin se trata?
R1
a) Realimentacin inversora de tensin.
10 kf! b) Realimentacin no inversora de tensin.
e) Realimentacin inversora de corriente.
b) Realimentacin no inversora de tensin.
c) Realimentacin inversora de corriente.
Cul es la tensin que indicar el voltmetro de la Fi-
gura 12.50 conectado a la salida si se aplica a la entra-
da 8 ,A?
12.7. Qu tipo de realimentacin utiliza el AO de la Figura
12.51?

b) Cul ser la ganancia de tensin a lazo cerrado? a) Realimentacin inversora de tensin.

b) Realimentacin no inversora de tensin.
e) Qu tensin aparecer en la salida, si se aplican
figura 12.48. 1OmV en la entrada? e) Realimentacin inversora de corriente.
 fcnt
12.10. Cul ser la tensin que aparecer a la salida del cir-
cuito de la Figura 12.53?

R, IOOkQ

Figura 12.51.

Cul ser la corriente que aparecer en la salida del

circuito de la Figura 12.51, si en la entrada se aplica figura 12.53.
una corriente de 2 A?
12.11. En la Figura 12.54 se muestra el circuito con un ampli-
12.8. Se trata de construir un microampermetro de Oa 1O ftA ficador operacional.
mediante un voltmetro de O a 20 V y un amplificador
R,
operacional. Dibuja el circuito con el que se puede con-
seguir tal objetivo, determinando el valor de la resisten-
cia de realimentacin, as como la constante del volt-
metro. Qu corriente medir este dispositivo, si el
voltmetro indica 5 V?

12.9. En el amplificador de la Figura 12.52 se desea conocer

el valor que tendr que tener la resistencia de realimen-
tacin para conseguir a la salida una tensin de 0,5 V I318nF
cuando se le aplique a la entrada una tensin de 10 mV.

R, Figura 12.54.

1) De qu tipo de circuito se trata?

a) Filtro de paso alto.

b) Filtro de paso bajo.

lOmV e) Filtro de paso banda.
2) Calcula la frecuencia de corte del filtro .
.l
Figura 12.52.
 1J1, fI aioao lener
Para reducir al mximo la tensin de rizado de la salida, y
as conseguir una tensin de e.e. lo ms constante posible,
se utilizan los circuitos estabilizadores (Figura 13.1 ). Una
de las formas de conseguir este tipo de circuitos es con la
utilizacin del diodo Zener.
f\; Circuito
estabilizador
Figura 13.1. Circuito estabilizador de la tensin.
13.1.1. Carnctersticas del aio~o
lener
Al estudiar las caractetisticas de los diodos de unin, pudi-
mos comprobar que, al aplicar una tensin de polarizacin
inversa a un diodo de unin PN, la cmTiente inversa que
fluye por la unin es muy dbil (del orden de unos pocos
A o nA) y que, aunque se aumente la tensin inversa apli-
cada, esta cotTiente apenas se modifica. Por otro lado, al
aumentar gradualmente la tensin inversa, se llega a pro-
vocar un aumento brusco de la corriente (efecto de ava-
lancha).
A este efecto de ruptura de la unin se lo conoce con el
nombre de efecto Zener y a la tensin inversa a la que se
produce se lo denomina tensin Zener (V2). En la Figura
13.2 se pueden apreciar las diferentes partes de la curva
caracterstica de un Zener con V2 = 8 V.
,,..
I
VF Vz(Tensin Zener)
directa
- --;,-===~-----,!"'------
PolariZllciim
inversa
8V 6V 4V 2V /11 IV
Figura 13.2. Curva caracterstica del diodo Zener.
Existe un tipo de diodo fabricado de una fmma especial,
llamado Zener, que puede trabajar en estas condiciones de
funcionamiento sin que la unin se destruya.
En la Figura 13.3, se puede ver el smbolo utilizado para la
representacin del diodo Zener.
figura 13.3. Smbolo del diodo Zener.
El diodo Zener se comporta como un diodo normal al estar
polarizado directamente, y comienza a conducir, aproxi-
madamente, a una tensin de 0,7 V. Hay que indicar que
este tipo de funcionamiento en los diodos Zener no es el
habitual, ya que estn diseados para trabajar en polariza-
cin inversa.
Los diodos Zener se fabrican a base de silicio y en una
gama de tensiones Zener escalonadas desde 2 hasta 200 V.
Corriente Zenel' mxima
La corriente Zener (l) que puede soportar un diodo Zener,
trabajando en polarizacin inversa, depender de la poten-
cia (P.) que este pueda disipar trmicamente. Esta corrien-
te aparece normalmente en las hojas de especificaciones
tcnicas que facilita el fabricante.
p_
I =---"
z v.
Actividad resuelta 13.1
La potencia nominal del diodo Zener con la referencia
ZPD3 es de 448 mW para una temperatura ambiente de
25 y una tensin Zener de 3,2 V. Averigua cul ser la
corriente Zener mxima admisible.
30mA
Solucin: Aplicando la expresin deducida con ante-
rioridad, tendremos que:
2()mf\
P. 0,448
I =--" = - - = O 14 A As, por ejemplo, vamos a determinar el punto de funcio-
-
10m\
' Vz 3' 2 ' namiento del diodo Zener BZX85-e3V9 cuando la tensin
V11
Resistencia Zener
l(lmA
Si observas atentamente la curva inversa de un diodo Ze-
20mJ\ ner, podrs apreciar que no es del todo vertical. Esto indica
que, al aumentar la cotTiente inversa, aparece un pequeo
30mA
2V
aumento de la tensin. Este fenmeno aparece provocado
por una pequea resistencia dinmica, denominada resis-
tencia Zener (RJ
111.L. fl lener como m~ulaaor tiende a reducirse para mantener as una tensin constante
entre sus terminales. Esto provoca una disminucin en la
ae tensin corriente por la resistencia R, y, por tanto, una disminucin
de la cada de tensin en ella. El resultado es que la tensin
en la carga no se reduce debido a esta disminucin en la
Una de las aplicaciones ms extendidas del diodo Zener
cada de tensin.
es la de estabilizador de tensin para fuentes de alimenta-
cin. Eso se consigue aprovechando la propiedad quepo-
seen dichos diodos de conducir con tensiones de polariza- Para estudiar con ms detalle cmo acta este circuito, pre-
cin inversa, manteniendo la tensin entre sus extremos viamente vamos a eliminar la resistencia RL que representa
prcticamente constante, aunque se modifique apreciable- a la carga.
mente la intensidad de corriente inversa que fluye por los
Cuando se conecta un diodo Zener (polarizado inversa-
mismos.
En la Figura 13.4, se muestra el esquema correspondiente a
mente) en serie con una resistencia R_, se puede conseguir
que la tensin que aparece en sus bornes, permanezca
un regulador de tensin conectado a la salida de un puente prcticamente constante (Figura 13.5).
rectificador. El diodo Zener consigue mantener la tensin
en la carga (VL) a valores constantes, aunque existan valia-
O
ciones de tensin (V) a la salida del circuito rectificador y Rs
aunque se modifique la corriente por la carga(/)- La resis- +
tencia de polalizacin del Zener (Rs), que se conecta en
serie con el circuito de regulacin, tiene como misin man-
V _Vz
tener la tensin de polaiizacin del Zener entre unos valo-
res aceptables, valindose para ello de las cadas de tensin Figma 13.5. El Zener como regulador de tensin.
que se producen en ella cuando la CotTiente que la atravie-
sa tiende a modificarse.
La resistencia R, cumple la funcin de !imitadora de co-
rriente. Para que el Zener comience a trabajar en la regin
de ruptura, hay que aplicar una tensin de fuente V supe-
1ior a la de ruptura V,.
La corriente que se establece en el circuito de la Figu-
ra 13.5 se calcula de la siguiente forma:
Figura 13.4. Estabilizacin de tensin mediante
V-V.
diodo Zener. I=---
z R,
Los procesos que se dan en este circuito de regulacin son
los siguientes:
Igual que se haca para el diodo de unin, aqu tambin se
La tensin Vi que aparece en la carga y en el diodo Zener puede trazar una lnea de carga en la con-espondiente curva
es el resultado de sustraer a la tensin de entrada (V) del caracterstica de polarizacin que nos defina el punto de
regulador la cada de tensin que se produce en la resisten- trabajo del diodo Zener para una determinada resistencia
cia de polarizacin (R,). R, y una tensin de fuente.
En el caso de que la tensin de entrada se eleve, el diodo
Zener aumenta su corriente inversa(/_) para evitar, en todo
momento, que la tensin del Zener s modifique.
de la fuente es de 7 V y la resistencia !imitadora de 50 Q
Esto trae consigo un aumento de corriente por la resisten- (Figura 13.6).
cia R, y, por tanto, un aumento de la cada de tensin que
CJ
esta produce en el circuito. De esta manera se consigue que son
el aumento de tensin de entrada quede compensado por
+
dicha cada de tensin, mantenindose la tensin en la car-
7V Vz
ga <Vi) a un valor prcticamente constante.
-
En el caso de que la tensin de entrada disminuya, los pro-
cesos que se dan son similares; la corriente por el diodo Figura 13.6.
 ,1
'i

Actividad resuelta 13.2 Para V,= O: cin de con-iente ocasionada Af, por la resistencia del Se puede comprobar que los mrgenes de con-iente en
Zener R,: los que trabaja el Zener son menores a la con-iente m-
En la Figura 13.7, se ha dibujado la curva caracterstica V-V_ 9-0 xima admisible de 33 mA.
en polarizacin inversa del Zener en un cuadrante dife- l.=--= - - = O 180 A= 180 mA
rente al que le con-esponde en realidad. Esto es debido ' R, 50 '
a que en algunas hojas de especificaciones tcnicas
Para I, = O:
aparece de esta forma, ya que as es ms fcil leer los
datos. 9-V
O=--' :o- V,=9V 111 J. lJ fI diodo lener ideal 11 lJ.2. fu entes ae alimentacin
BZX85
50
Debido a que R, es de muy pequeo valor y a que, por este
estaailizaaas en serie
En la Figura 13.8 se muestra la nueva lnea de carga.
hecho, las variaciones de tensin de Zener V_, al variar/,,
y ~aralelo
t:::r BZX85
240 -- - - ----- - - - -
son muy pequeas, se puede suponer, sin equivocarse mti"-
cho, que la tensin V, permanece siempre constante. Por La necesidad de las fuentes de alimentacin estabilizadas
lz 160 !
(mA) i
t 200:
T=25'Cj
supuesto, esto se cumplir siempre que el Zener trabaje
con tensiones y con-ientes de polarizacin inversa que es-
tn en torno a los valores nominales.
se debe a que la tensin de salida de una fuente de alimen-
tacin sufre variaciones, que pueden afectar al buen fun-
cionamiento del receptor al que alimentan. Estas variacio-

j ]]
fz 160, nes pueden ser causadas por dos factores:
(mA) i o
Variaciones en la tensin de la red de C.A. que produ-
120! Actividad resuelta 13.3

JJ
cen, a su vez, variaciones del mismo carcter en la ten-
El regulador, mostrado en la Figura 13.9, consta de un sin de salida.
o diodo Zener BZX85-C33, que segn las hojas de espe-
O l 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 Debido a que la fuente de alimentacin posee una deter-
cificaciones tcnicas posee una tensin Zener V, de
Vz(V) --!,,>- minada resistencia interna, la con-iente de carga produce
33 V y una corriente mxima admisible de 33 mA. En
o una cada de tensin en ella, con lo que se producen va-
Figura 13.7. Recta de carga del Zener. O l 2 3 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 el caso de que la tensin de entrada al regulador vare
riaciones en la tensin de salida al variar la demanda de
Vz(V)..........,,. de 45 a 55 V, trabajar el diodo Zener por debajo de
energa de la carga.
su corriente mxima admisible cuando la resistencia de
Para determinar el punto de trabajo Q 1, es necesario di- figura 13.8. Nueva lnea de carga del Zener. polarizacin sea 1.000 D.? La funcin que poseen los circuitos estabilizadores es la de
bujar previamente la recta de carga, para lo cual habr mantener constante la tensin de salida de la fuente de ali-
que caicular los puntos .de interseccin de dicha recta mentacin, aunque vare la corriente de carga o la tensin
El punto Q2 viene determinado por los valores:
con los ejes X e Y. lkQ
de la red. Para conseguirlo y en funcin de cmo se conec-
+ + ten entre la fuente y la carga, existen dos tipos de circuitos
Para V,= O: I, = 98 mA Rs +
Vz estabilizadores (tambin llamados reguladores): los estabi-
V,= 4,2 V Ven!
33V
V~a1
lizadores en paralelo [Figura 13.IO(a)] y los estabilizado-
V-V. 7-0
!.=-- =--=O 14A = 140mA Se puede apreciar claramente cmo se realiza el proce- res en serie [Figura 13.lO(b)].
Rs
e 50 '
so de estabilizacin de la tensin y cmo esta se man- Figura 13.9.
tiene prcticamente constante gracias a la variacin de
Para I, = O: la corriente provocada por el Zener (la tensin en el dio- Estabilizacin
do Zener solo se incrementa de 4 a 4,2 V a pesar de que Solucin: Utilizando la aproximacin del diodo ideal, paralelo
7-V tenemos que V, va a permanecer con un valor constan-
O=--' :o- Vz=7V la tensin de la fuente aumenta de 7 a 9 V; por supuesto,
50 esto se consigue a costa del aumento experimentado de te de 33 V.
60 a 98 mA en la corriente por el Zener). (a)
Llevando estos valores a la curva, obtenemos la recta La corriente mnima por el Zener se dar para la ten-
.de carga y, en la interseccin, el punto de trabajo Q 1 La pequea variacin que se produce en la tensin Ze- sin de entrada ms baja de 45 V.
Este punto nos indica que el diodo Zener trabaja con ner es debida a que la curva caracterstica est ligera-
una I, = 60 mA y V, = 4 V, tal como se puede deducir mente inclinada o, lo que es lo mismo, que la resisten- V- V 45 - 33
en la Figura 13.7. , cia Zener R, ejerce su influencia. f,(mn) = ~ = l.OOO = 0,012 A= 12.mA Estabilizacin
serie
Habrs podido observar que, para conseguir una mayor C.A.
Para entender cmo trabaja el Zener en el proceso de
estabilidad de la tensin, conviene trabajar en las zonas Y la corriente mxima para la tensin de entrada ms
estabilizacin de la tensin, vamos a suponer que, por
menos pendientes de la curva caracterstica, evitando elevada de 55 V:
cualquier causa, la tensin de la fuente se desestabiliza
siempre el codo de la misma.
y se eleva de 7 a 9 V. Para encontrar el nuevo punto de (b)
trabajo del Zener, hay que determinar, previamente, la La pequea variacin de tensin ti V, que produce un 55 - 33
l,(mx) = l.OOO = 0,022 A= 22 mA Figura 13.1 O. (a) Estabilizador en paralelo.
nueva recta de carga. diodo Zener se puede calcular multiplicando la varia-
(b) Estabilizador en serie.
 13.2.1. fstabilizaaorns en paralelo
Un ejemplo de estabilizadores en paralelo es el que hemos
realizado con el diodo Zener como regulador de tensin.
En la Figura 13.11, se observa un circuito de este tipo. El
diodo Zener, conectado en paralelo con la carga, consigue
mantener la tensin Zener (V_) en dicha carga a costa de
desviar parte de la corriente por s mismo cuando la ten-
sin se eleva por encima de V,.
Este tipo de regulador es muy poco utilizado, ya que se
necesitan diodos Zener capaces de soportar grandes co-
rrientes; adems, la impedancia de salida que se obtiene
con este tipo de regulador es algo elevada.
Figura 13.11. Estabilizador en paralelo con Zener.
112.2. [stabiliza~orns en serie
En los estabilizadores en serie el circuito de estabilizacin
se coloca en serie con la carga. Este circuito variar su re-
sistencia interna en funcin de la tensin que se presente
en la carga, de tal forma que, si la tensin tiende a reducir-
se, dicha resistencia interna disminuye con el fin de que la
cada de tensin que en ella se produce disminuya, com-
pensando la reduccin inicial; al contrario, si la tensin en
la carga tiende a elevarse, se produce un aumento de resis-
tencia interna del estabilizador, y con ella un aumento de
la cada de tensin en la misma que da como resultado una
compensacin del aumento inicial.
Actividad resuelta 13.4
El rectificador de una fuente de alimentacin propor-
ciona una tensin de 16 V a una carga con un consumo
de 100 mA. Determina la resistencia que deber poseer
el estabilizador en serie para conseguir una tensin es-
table de 12 V en la carga (Figura 13.12).
lt. 100111A
Estabilizacin
* t 16V
L..~__1-'-----_j
enserie
:Ri
figura 13.12.
Solucin: En cualquier caso, se cumplir siempre que
la tensin en la carga sea igual a la proporcionada por
el rectificador menos la cada de tensin que se pro-
duzca en la resistencia interna del estabilizado;:
En este caso la resistencia interna del estabilizador de-
be absorber 4 V para mantener la tensin en la carga a
12 V (12 V = 16 V - 4 V). Luego la resistencia inter-
na se calcula aplicando la ley de Ohm:
4V
r.=--=40O
' 0,1 A
Qu valor deber tomar la resistencia interna del esta-
bilizador, si la carga aumenta su demanda de corriente
hasta 150 mA?
Solucin: Como es lgico, para que se mantenga la
tensin en la carga, la cada de tensin producida en el
estabilizador debe mantenerse en los 4 V. Para que esto
ocurra, la resistencia interna del estabilizador deber
disminuir hasta:
4V
,-.=--=2670
' 0,15 A '
Para conseguir un regulador en serie necesitaremos, por un
lado, de un elemento que pueda modificar su resistencia
interna (dispositivo de control) y de un elemento sensible a
los cambios de tensin (tensin de referencia), tal como se
muestra en el diagrama de bloques de la Figura 13.13.
~--
Disp~sitivo
C.A. de c9ntrol
Tensin de
, referencia
t
Figura 13.13. Diagrama de bloques de un estabilizador
en serie.
12V Uno de los componentes que puede modificar su resisten-
cia interna es el transistor. Mediante un elemento detector
de los cambios de tensin, como un diodo Zener y un tran-
sistor, es posible constmir un modelo sencillo de regulador
en serie como el que se muestra en la Figura 13.14.
VcE
A-
C.A. t T1
* Vcm Rs
Is fa
Vsr:
1
1
,.
Ri
,,
h
Dz
t
V,
figura 13.14. Regulador en serie simple.
El transistor T, est dispuesto en configuracin colector
comn, lo que nos indica que es un seguidor de emisor.
Segn se puede apreciar en la Figura 13.14, la tensin de
entrada del transistor, que se corresponde con la tensin
del Zener, se aplica directamente a la base del transistor y
la tensin de salida aparece en el emisor. La tensin de sa-
lida de este estabilizador es siempre algo inferior a la de
entrada del Zener, tal como se deduce de la siguiente rela-
cin:
De esta forma, si la tensin de entrada aplicada al estabili-
zador se modifica, la tensin Zener permanece constante,
mantenindose tambin constante la tensin de salida en la
carga.
Hay que tener en cuenta que la tensin base-emisor del
transistor es: V8 E = V, - V'" 1, por lo que si, por ejemplo, la
tensin de salida tiende a disminuir por un aumento de la
corriente en la carga, como la tensin V. de referencia se
mantiene al mismo valor, la tensin base-emisor tiende a
aumentar; lo que provoca un aumento en la conduccin del
transistor y, por tanto, una disminucin de la cada de ten-
sin entre colector y emisor que compensa la disminucin
inicial de vsaJ
El efecto de estabilizacin de la tensin se consigue gra-
cias a la variacin que se produce en la resistencia colec-
tor-emisor del transistor. Observa que dicha resistencia se
encuentra en serie con la carga y que produce una cada de
tensin VcE que se resta a la tensin de entrada del.estabili-
zador:
v,al = v,., - VCE
El diodo Zener est conectado en serie con la resistencia
Rs. El valor hmico de esta resistencia debe ser el adecua-
do para que el Zener trabaje siempre en la zona de ruptura
dentro de unos lmites de tensin preestablecidos.
Para entender mejor cmo funciona este circuito de estabi-
lizacin en serie, supongamos que la tensin de entrada
V,m tiende a aumentar. En este caso, el diodo Zener tende-
r a mantener la tensin V, a costa de producir un aumento
de la corriente /_ que fluye por s mismo. Este aumento de
I, se traduce en ~m aumento de corriente por la resistencia
!imitadora R_, y, por consiguiente, en un aumento de la ca-
da de tensin entre sus terminales. Como esta resistencia
est conectada entre los terminales de colector y base, al
aumentar dicha cada de tensin se produce un aumento de
la polarizacin negativa colector-base, que trae como con-
secuencia un aumento de la resistencia colector-emisor. En
definitiva, la tensin Vce se hace mayor y el aumento de
tensin de entrada inicial queda compensado, mantenin-
dose estable la tensin de salida.
Otro de los fenmenos de inestabilidad que se puede dar en
la fuente de alimentacin es que la carga sea variable. Su-
pongamos que la con-iente de carga [L tiende a aumentar
por una disminucin de RL. Como la corriente de emisor IE
es la misma que la de la carga, tambin aumenta, provo-
cando una elevacin de la cada de tensin VCE entre colec-
tor y emisor, que trae consigo una disminucin de la ten-
sin de salida v,.1 A la vez que se produce el aumento de
la corriente de emisor, la intensidad de base tambin tiende
a aumentar (/8 = IE//3), provocando una elevacin de la ten-
sin de polarizacin Vse Esto hace que la resistencia de co-
lector-emisor se reduzca y con ella la cada de tensin VCE,
mantenindose constante la tensin de salida en la carga.
Adividad -esue!ta 13.5
El puente rectificador de una fuente de alimentacin
proporciona una tensin continua de 14 V al estabiliza-
dor en serie de la Figura 13.15. Para conseguir una ten-
sin estable en la salida, se conecta un diodo Zener de
8,2 V con una resistencia !imitadora de 100 O. Si el
transistor posee una ganancia f3 = 80, determina la ten-
sin y corriente para una carga de 75 n, la corriente
VCE
A-
*
t
T,
Rs h
Vmr= 14\f IOOQ Vin:
1
h
"' 1 Rt !V<;a1
'1.
Dz
t
Vz=8,2 V
Figura 13.15.
 Temperaturas de trabajo, temperatura mxima de la

*
por el Zener, as como la potencia que disipa el tran-
unin.
sistor.
Solucin: La tensin en la carga ser igual a:
C.A. V,m t Entrada
IN
LM7805

OUT
Salida
Tensin de entrada mxima y mnima.
Tensin de salida mxima, nominal y mnima.
vsal = v, - VBE = 8,2 - 0,7 = 7,5 V GND
Comn Tensin de rizado en la salida.
La corriente por la carga la calculamos con la ley de Entrada ; Salida ,
Ohm: En el mercado existen una gran variedad de reguladores de
IN, ;our
GND
tensin integrados. Seguidamente, vamos a estudiar, a mo-
I = V,,i = 7'5 = O 1 A= 100 mA Comn do de ejemplo, las caractersticas de alguno de los regula-
L RL 75 '
Figura 13.16. Estabilizador serie con AO. dores ms representativos.
Figura 13.18. Regulador de tensin integrado LM7805.
La corriente por el Zener la calculamos aplicando la l.'
ley de Kirchhoff: Esta fuente de alimentacin es muy sencilla, ya que, aparte
lllll 13.3.1. la serie ne re~ulaaores 7~~~
f, = I, - Is
La corriente por la resistencia !imitadora es igual a:
11 13.3. fuentes ae alimentacin de los componentes habituales (transformador, diodos rec-
tificadores y condensador C1 de alta capacidad, que hace
Dentro de esta serie, existe una variedad que proporciona
las fnciones de filtro), se compone del C.I. del regulador
V - V 14 - 8 2
con re~ulaaores al que se le aaden un condensador C2 de baja capacidad a tensiones fijas desde 5 hasta 24 V, tal como se muestra en
la Tabla 13.1.
I = ~ = - - - ' = O058 A = 58 mA la entrada del regulador y otro C3 a la salida. Estos conden-
' R, 100 ' ae tensin inte~raaos sadores poseen la funcin de proporcionar una tensin a la
entrada y salida del regulador ms estable para ruidos de Tabla 13.1. Tensiones del regulador 7800.
La corriente por la base la determinamos a partir de la Debido al gran avance de las nuevas tecnologas en la inte- alta frecuencia.
ganancia del transistor: gracin de circuitos, hoy en da se fabrican una gran varie- Los reguladores de tensin integrados ofrecen muy buenas
dad de reguladores de tensin en forma de circuito integrado caractersticas para las diferentes aplicaciones. Seguida-
/E 100
Como IE = IL , Is = p = 80 = 1,25 mA de tan solo tres terminales. Estos circuitos, que permiten in-
tegrar una gran cantidad de componentes discretos en una
mente, indicamos una clasificacin de las caractersticas
7805 +5V 7 25
ms relevantes de estos segn su aplicacin:
nica cpsula (C.L), hacen ms fcil el trabajo del proyec- 7806 +6V 8 25
I, = 58 - 1,25 = 56,75 mA tista y abaratan considerablemente e! producto final. a) Segn su polaridad:
Salida positiva (negativo a masa). 7808 +8V !0,5 25
La potencia de disipacin del transistor ser igual a: En la Figura 13.17 se muestra el circuito de una fuente de Salida negativa (positivo a masa). 7885 +8,5 V !0,5 25
alimentacin estabilizada mediante un regulador integrado.
p = VCE [E= (V,n, - v,.1l. le= b) Segn la corriente que pueden controlar: 7812 +12V 14,5 30
= (14 - 7,5) 0,1 = 0,65 W De potencia.
~---;e_n~ti Regulador 1--s_a1_ _-<1 7815 +15V 17,5 30
De seal.
! integrado 7818 +18V 21 33
comn e) Segn la amplitud de la tensin de salida:
11112.J. fstaailizaaor en serie V<:11
Tensin de salida fija.
7824 +24 V 27 38

con realimentacin Tensin de salida ajustable.

Este tipo de estabilizador mejora las caractersticas del es-
tudiado con anterioridad, al aadir un dispositivo de com-
paracin (comparador). Este dispositivo compara la ten-
sin de salida con la de referencia del Zener, dando como
resultado una tensin diferencial de realimentacin que ac-
tiva el dispositivo de control, y que consigue mantener la
tensin de salida a un ,valor estable.
En el circuito de estabilizacin de la Figura 13.16, se ha
empleado un amplificador operacional como elemento
comparador. La tensin de realimentacin se aplica a la
entrada inversora y la de referencia del Zener a la no-in-
Figura 13.17. Fuente de alimentacin con regulador
integrado.
El regulador integrado consta de tres terminales: uno se co-
rresponde con el de entrada de la tensin sin estabilizar y
otro con el de salida de tensin estabilizada. El tercero se
corresponde con el terminal comn a la entrada y salida
que, por lo general, se conecta a masa.
Corriente de salida mxima: 1,5 A.
d) Segn sus protecciones:
Con limitacin de corriente. Potencia mxima de disipacin: 15 W.
Sin limitacin de corriente. Temperaturas de trabajo: 0C-150C.
Con limitacin ajustable de corriente.
Polaridad positiva (negativo a masa).
En las hojas de especificaciones tcnicas que proporcionan
los fabricantes de reguladores integrados (Data Book) se Limitacin de coniente de cortocircuito.
pueden encontrar las caractersticas ms significativas de
estos, como son: Proteccin contra sobrecarga trmica.
Corriente mxima de salida. Se fabrican en dos tipos de encapsulado:
Tensin de regulacin.
En metal, con la cpsula tipo TO-3 [Figura 13.19(b)].

1
versora. En la salida del amplificador operacional se ob- A modo de ejemplo, en la Figura 13.18 se muestra el as- Protecciones internas (al cortocircuito, sobrecargas, so-
tiene una tensin diferencial que activa al transistor de pecto del regulador integrado LM7805 y la disposicin de brecalentamientos, etc.). En plstico, con la cpsula tipo TO-220AB [Figura
control. sus terminales. Tipo de encapsulado. 13.19(a)].
 Comlln la tensin mxima que se puede obtener en la salida al A pesar de que se puede construir una fuente de alimenta-
,,---,/ ajustar el potencimetro R2 a su valor mximo. cin con tensin regulable con cualquier regulador integra-
~
'
El terminal comn del regulador no se ha conectado a ma- do, existen en el mercado reguladores de tensin integra-
/ u sa, sino a la resistencia R2 . Por otro lado, la tensin nomi- dos especficos para realizar esta tarea de una forma ms
Entrada \
nal del regulador V,, aparecer de forma casi invariable en- adecuada y que sean capaces de cubrir un mayor rango de
Salidn
/ tre el terminal comn y el de salida, por lo que esta tensin regulacin de tensin, como por ejemplo el LM3 l 7T. Este
Salida
queda aplicada entre los extremos de la resistencia R1 regulador posee una tensin nominal de tan solo 1,25 V.
(a) (b) Todos los reguladores 'integrados derivan por su terminal De esta forma puede entregar a la salida una tensin ajus-
comn una pequea corriente, conocida por el nombre de table entre 1,25 V y 37 V.
Figura 13.19. Encapsulados de reguladores integrados.
(a) T0-220AB. (b) T0-3.
corriente de reposo /Q. Esta corriente suele ser muy peque- La corriente mxima que puede proporcionar es de 1,5 A y
a (casi nunca supera los 8 mA) y permanece prctica- es necesario el uso de un disipador de calor para evitar el
mente constante para las diferentes condiciones de trabajo. exceso de temperatura. Incluye proteccin por sobrecarga
As, tenemos que la tensin de salida del regulador ser de corriente y exceso de temperatura. En la Figura 13.22 se
igual a la suma de la tensin en R1 y R2: muestra el aspecto del regulador integrado LM73 l 7T y la
Electrical Characteristics LM7805
disposicin de sus terminales.
Parameler Symbol Conditions Min. Typ. Max. Unit V,.;= vn + RzlRz
TJ =+25C 4.8 5.0 5.2
Output Voltage Vo 5.0mA,; lo,; 1.0A, Po,; 15W V ,. Tensin de salida Como IR 2 = IQ + IR 1
v.
= IQ + - , tenemos que:
'.,
VI = 7Vto 20V 4.75 5.0 5.25 R1 LM317T
Vo = 7Vto 25V 4.0 100 Variaciones en la tensin de salida
Line Regulation Regline TJ=+25C mV ;:
V= 6Vto 12V
lo= 5.0mA to1.5A
1.6
9
50
100 V,a1 = V,,
V,,)
+ R2 (IQ + R
Entrada
1N OUT
Salida
Variaciones en la tensin de salida
Load Regulation Regload TJ=+25C lo =250mAto mV: ADJ
4 50
750mA Ajuste
Quiescent Current la TJ =+25C 5.0 8.0 mA Ji
Corriente de reposo Donde queda clara la dependencia que posee la tensin de
lo= 5mA to 1.0A 0.03 0.5 Variaciones en la corriente de reposo
salida con las resistencias R1 y R2
Quiescent Current
IIIQ mA ::
Change VI=7Vto25V 0.3 1.3 Deriva de la tensin de salida
Output Voltage Drift l\Vo/1\T lo=5mA .(J.8 mV/ 0 :! con la temoeratura
Corriente de cortocircuito
Short Circuit Curren! lsc V= 35V, TA =+25 C 230 mA i Figura 13.22. Regulador integrado
Corriente mxima de salida
Peak Current IPK TJ =+25C 2.2 A -,, de tensin ajustable LM317T.
,.,.... -----
figura 13.20. Hoja de caractersticas del regulador integrado LM7805. Para el clculo de la tensin a la salida de este regulador se
aplican los mismos conceptos ya estudiados, con la dife-
rencia de que el LM3 l 7T posee una corriente de reposo de
figura 13.21. Fuente de alimentacin con regulador 100 ~LA.
de tensin ajustable.
Actividad resuella 13.7
Con el encapsulado metlico se consigue mayor potencia
de trabajo que con el de plstico, con lo que se pueden 111113.J.2. Ae~ula~orns inte~rn~os Actividad resuelta 13.6 En la Figura 13.23 se muestra el circuito tpico de una
En nuestro ejemplo de la Figura 13.21, tomando 8 mA fuente de alimentacin con el regulador LM3 l 7T. Cal-
aumentar considerablemente estas potencias incorporando
aletas de refrigeracin.
con tensin ajustable como corriente de reposo, obtendremos una tensin cula la mxima tensin de salida.
mxima igual a:
Mediante un regulador integrado es posible obtener en la
Ut serie de reguladores de tensin 7900 posee polaridad
salida una tensin ajustable a la salida. Para ello, se in- V,ai = 1,25 + 5.000 ( 0,0001 + 1,25)
240 = 32,29 V
negativa y las mismas caractersticas elctricas que la serie
7800. cluye entre los terminales de salida y comn del regulador V,ai = 5 + 1.000 ( 0,008 + 5~0) = 23 V
una resistencia fija R I y un potencimetro R2, tal como se
A modo de ejemplo, en la Figura 13.20 se muestra un re- muestra en el circuito de la Figura 13.21.
corte de la hoja de caractersticas del regulador integrado
Con este sistema, es posible ajustar el valor de la tensin
LM7805 con la interpretacin de las especificaciones ms
de salida por encima de la tensin nominal del regulador.
relevantes.
Estudiaremos detenidamente cmo se consigue esto.
A qu valor habr que ajustar el potencimetro R2
,:,,, Consulta en el MATERIAL WEB que se ha prepa En el circuito de la Figura 13.21 se ha tomado el regulador para conseguir una tensin de salida de JO V?
rado para este texto, las hojas de caractersticas de la integrado LM7805, lo que implica que su tensin nominal Resultado: 278 Q
serie de reguladores LM7800 y LM7900. de regulacin es V,, = 5 V. Se trata de averiguar cul ser Figura 13.23.
111113.J.3. fuente de corriente
con re~ulador inte~rado
Conectando una resistencia R1 en serie con la carga y co-
nectando el terminal comn del regulador integrado entre
esta resistencia y la carga, se puede conseguir que la co-
rriente que entregue el regulador a la carga sea fija, inde-
pendientemente del valor hmico que tome la resistencia
de carga RL" En la Figura 13.24, se muestra el circuito de
este tipo.
Figura 13.24. Fuente de corriente con regulador integrado.
Aparte de los reguladores integrados 78XX y 79XX existe
una gran variedad de los mismos, como, por ejemplo, para
tensiones fijas con tres terminales: LM109, LM209, LM309,
LM123, LM223, LM323; para tensiones ajustables con
tres terminales: LMll 7, LM217, LM317, LM137, LM237,
LM337, LM138, LM238, LM338; reguladores con ms de
tres terminales: L200, LM105, LM205, LM305, TEA5110;
A723, TEA7028, TEA7034 y otros muchos ms, que ha-
cen posible el diseo de fuentes de alimentacin adecuadas
a las necesidades del proyectista.
ll 13.4. fuentes ae alimentacin
conmutaaas
Dado el gran avance de la integracin de circuitos, hoy en
da se incorporan a la mayora de los equipos de consumo
del sector electrnico las fuentes de alimentacin conmuta-
das. En un principio, este tipo de alimentacin es mucho
ms compleja y cara, pero posee un rendimiento mucho
mayor que las fuentes de alimentacin convencionales (las
fuentes de alimentacin conmutadas consiguen hasta un
En la Figura 13.25 se muestra en un diagrama de bloques
las partes fundamentales de que consta una fuente de ali-
mentacin conmutada.
cuitos o componentes causantes de la radiacin.
Cicuito de
regulacin
y control
Figura 13.25. Diagrama de bloques de una fuente
de alimentacin conmutada.
En un primer paso, al igual que se hace en una fuente de
alimentacin convencional, aparece el circuito de rectifica-
namiento de otras partes importantes del equipo al que se
le suministra energa o provocar molestos ruidos parsitos
en equipos de recepcin de radio o televisin. Para evitar
estos inconvenientes se aade a la entrada de la fuente de
alimentacin un filtro; adems se apantallan aquellos cir-
Las fuentes conmutadas se estn imponiendo en el merca-
do gracias a la utilizacin de reguladores de conmutacin
integrados, que incluyen, entre otros componentes, oscila-
dores, amplificadores operacionales, comparadores y cir-
cuitos digitales.
Un ejemplo de estos circuitos integrados es el TEA2018A
(Figura 13.26) que en combinacin con un transistor exte-
rior de control puede proporcionar potencias superiores a
los 90 W. Se aplica fundamentalmente en equipos de tele-
visin, amplificadores Hi-Fi, generadores de funciones, vi-
deojuegos, ordenadores, etc.
E+
Is
+ Vcc

En este circuito, se cumple que la intensidad IL por la carga
es igual a la suma de la corriente de reposo I ms la que
fluye por la resistencia !imitadora R1 Como la tensin de
regulacin queda aplicada en dicha resistencia, se cumple
que:
Actividad resuelta 13.8
As, por ejemplo, si en el regulador LM7815 conecta-
mos una resistencia !imitadora de 20 Q, la corriente
quedar fijada para un valor aproximado de:
15
! = 0,008 + - = 0,758 A = 758 mA
20
.Este valor se mantendr fijo para diferentes valores h-
micos de carga.
De qu potencia deber ser como mnimo la resisten-
cia !imitadora en este caso? Qu tensin aparecer en
una carga de 30 Q?
Resultado: 11,25 W; 22,74 V
rendimiento del 80 % frente al 40 o 50 % de las convencio-
nales).
En las fuentes de alimentacin convencionales, tanto los
transistores de control como los reguladores de tensin in-
tegrados que se conectan en serie con la carga, consiguen
controlar la tensin a un valor estable a costa de producir
una cada de tensin entre los terminales de entrada y sali-
da. De esta forma, estos elementos tienen que disipar una
potencia igual a dicha cada de tensin por la intensidad
mxima que fluye hacia la carga. Esta potencia se conside-
ra una prdida y se transforma ntegramente en calor, por
lo que el rendimiento que se consigue es bajo, aparte del
inconveniente aadido de tener que deshacerse del calor
generado con voluminosas aletas de refrigeracin o, inclu-
so, ventiladores.
Las fuentes de alimentacin conmutadas utilizan otro m-
todo de trabajo, ya que hacen trabajar al transistor de con-
trol, que queda en serie con la carga, en forma de conmuta-
cin. Esto significa que dicho transistor va a trabajar
nicamente en dos estados: en corte o en saturacin (como
un interruptor abierto o como un interruptor cerrado). De
esta forma, se consigue que la disipacin de potencia en el
transistor de control en cualquiera de los dos estados sea
mnima (en corte, la corriente es prcticamente nula, mien-
tras que la resistencia colector-emisor es elevada; en satu-
racin, la corriente es elevada pero la resistencia colector-
emisor es muy pequea), lo que puede aumentar la corrien-
te que controla dicho transistor respecto al utilizado en una
fuente de alimentacin convencional.
cin y filtrado. Posteriormente, se dispone del circuito de Yo
conmutacin, al que se le aade un transformador con n-
cleo de ferrita. A la salida de dicho circuito de conmutacin
se le conecta una nueva etapa de rectificacin y filtrado. El figura 13.26. Circuito integrado TEA2018A para fuentes
de alimentacin conmutadas.
circuito de control y regulacin toma parte de la tensin de
salida y la realimenta al circuito de conmutacin.
En la Figura 13.27 se muestra el aspecto de una fuente
El funcionamiento simplificado de este sistema viene a ser
de la siguiente forma: una vez rectificada y filtrada la ten- conmutada comercial.
sin de entrada de C.A., el transistor de control conmuta
(todo o nada) esta tensin continua a una frecuencia entre
20 y 50 kHz, con lo que se obtiene una tensin alterna de
tipo triangular en su salida. Para conseguir la tensin esta-
ble deseada en la salida, el circuito de regulacin gobierna
al transistor de control, modificando la frecuencia de con-
mutacin o variando el tiempo de conduccin de dicho
transistor. El transformador de ferrita, que se incluye en el
circuito de conmutacin, proporciona la tensin de salida
adecuada y realiza funciones de separacin con la red. Por
ltimo, se rectifica y filtra la onda cuadrada proveniente
del circuito de conmutacin, obteniendo al final una ten-
sin continua estable del valor deseado.
Para cualquier desestabilizacin de la tensin de salida, el
circuito de control y regulacin ajusta automticamente e!
funcionamiento del circuito de conmutacin hasta conse-
guir el valor prefijado.
Uno de los problemas que suelen presentar las fuentes con- Figura 13.27. Fuente de alimentacin conmutada.
mutadas son las radiaciones electromagnticas que genera
la onda rectangular de alta frecuencia del circuito de con- Una de las particularidades de estas fuentes es que se con-
mutacin. Estas radiaciones pueden interferir en el funcio- sigue reducir de forma considerable el tamao del transfor-
mador. El ingenio consiste en hacer funcionar al transfor-
mador a una frecuencia elevada, por encima de la audible
(para evitar ruidos molestos) entre 100 y 500 kHz. Cuando
se aumenta la frecuencia de trabajo de un transformador, el
nivel de induccin entre el primario y el secundario se ha-
ce mucho mayor, por lo que se necesita mucho menos flujo
magntico para la transferencia de energa entre ambos bo-
binados. De esta forma se puede reducir el tamao del n-
cleo magntico y el del nmero de espiras de los bobinados.
El inconveniente que se presenta, al trabajar el transforma-
dor a una frecuencia tan elevada, es que se produce un
aumento exagerado en las prdidas por con-ientes induci-
das (con-ientes parsitas) en el ncleo magntico, que ha-
cen inviable su funcionamiento para ncleos conductores
de la electricidad, como el hie1rn. La solucin ha este pro-
blema es emplear ncleos que no sean conductores, como
lo son los de fen-ita.
13.1. Verificacin de un diodo Zener. Para comprobar si un El diodo Zener utilizado como regulador podra ser el
diodo Zener est en buen estado es necesario someter- BZX85C6V2 o el BZY96-C6V2, es decir, un diodo que
lo al ensayo que se indica a continuacin: posea unos 6,2 V de tensin Zener. Para comprobar el
Toma un diodo Zener, por ejemplo uno de V2 = 12 V, y efecto de estabilizacin cuando la carga se modifica, se
mediante una fuente de alimentacin de tensin ajusta- ha utilizado un potencimetro de 1O kn conectado a
ble (O a 30 V, 0,5 A) y una resistencia !imitadora de una resistencia fija de 1 kn.
2 kQ/1 W, monta el circuito de la Figura 13.30.
a) Consigue el Zener, observa su aspecto e identifica
sus terminales. Seguidamente, consulta en las es-
Rs
pecificaciones tcnicas que facilita su fabricante y
Figura 13.28. Transformador con ncleo de ferrita.
anota los valores caractersticos ms relevantes del
+ diodo seleccionado.

b) Monta el circuito de la Figura 13.30 en el entrenador

didctico y, antes de suministrar energa al primario
Entra en Internet y busca fabricantes de fuentes de alimentacin conmutadas, consigue catlogos de las mismas y del transformador, sita en su mxima resistencia al
realiza una clasificacin de las mismas segn sus caractersticas tcnicas y prestaciones.
potencimetro que simula a la carga variable.
Figura 13.30. Verificacin de un Zener.
A modo de ejemplo, en la Figura 13 .29 se muestra el extracto de un catlogo comercial de fuentes conmutadas.
e) Suministra energa al circuito y mediante un oscilos-
Ahora, aumenta paulatinamente la tensin de la fuente
El G3 Series copio comprueba el aspecto de la tensin de salida
y mediante el ampermetro y el voltmetro comprueba en el puente rectificador (puntos A-B). Realiza la
:1sw-1sow
Mlniature size, nonRPFC en cada momento las medidas de /2 y V,. Para un Zener misma operacin para la tensin de salida del regu
High reliabi!ity, SG vibraton, 70'C operation en buen estado, se debe mantener la tensin V, a un
Features ~ 300VAC input surge, all using lOS~Ccapacitors lador (puntos C-D) y compara los resultados obteni-
Suitab!e far critlcal applications valor estable, en torno a los 12 V, siempre que en la dos, poniendo especial atencin en la disminucin
2 outputs are isolated for RID series
fuente se suministre una tensin algo superior. Com- que el regulador produce en el rizado. Con un volt-
Single RS-15 / RS-25 / RS-35 / RS-50 / RS-75 / RS-100 / RS-150
- . - D I R0-35 / R0-50 / R0-65 / R0-85 / R0-125 prueba cmo aumenta la corriente por el diodo Zener
metro de C.C. mide tambin las tensiones en dichos
~!!~::. -'~~--. RID-50 / R!D-65 / RIDR85 / PJD-125
-Triple RT-50 / RT-65 / RT-85 / RT-125
cuando se aumenta la tensin de alimentacin por enci- puntos.
ma de los 12 V nominales del Zener, teniendo en cuen-
:Quad RQ-50 / RQ-65 / RQ-85 / RQ-125
DSESeries ta que nunca se deber superar la /z(mx) recomendada d) Vara la carga mediante el potencimetro, haciendo
Wattage _200WNJ500W por el fabricante. que su resistencia sea cada vez ms pequea. Re-
: o Non-PFC, complete protections pite las medidas del apartado (c) en cada una de las
Featut'es o Economical medium to high power mode/s with safety 13.2. Fuente de alimentacin estabilizada con diodo Ze-
i- -~:...' ., i_:,,: modificaciones de la carga y comprueba el efecto
~-- ... - ... ,. - - certificate
ner. En la Figura 13.31 se muestra el circuito corres
Moif~I:' - estabilizador del diodo Zener para cualquier rgimen
SE-200 / SE-350 / SE-450 / SE-600 / SE-1000 / SE-1S00 pondiente a una fuente de alimentacin estabilizada. El
Data Link
de carga.
D RSP Series puente rectificador y el filtro con condensador consi-
11\attage 320WN3QOOW guen una tensin continua con una tensin de rizado
13.3. Verificacin de una fuente de alimentacin. Com

~,:::::::.
Low profile with PFC function determinada. El efecto combinado del diodo Zener y la
, With complete functions for 750WN 3000W prueba a qu tipo pertenece la fuente de alimentacin
, Built-in parallel function for 1000WN3000W resistencia de polarizacin consigue reducir la tensin
del laboratorio de electrnica y observa si existe en su
RSP-320 / RSP-750 / RSP-1000 / RSP-1500 / RSP2000 / de rizado a valores muy pequeos y estabilizar la ten-
Data Link RSP-2400 / RSP-3000 circuito algn regulador de tensin integrado. Si es as,
sin en la carga, aunque esta se modifique.
D SOR Series identifcalo y con la ayuda de un Data Book, obtn las
Wattage 120WN480W caractersticas ms significativas del mismo.
o Slim design and high efficiency up to 94% A 6,8kQ e lkn
" Built-in active PFC functlon
o Assemble on Industria! rail TS35 / 7.5 or 15 Seguidamente, conecta una carga a la salida de la
Built-in OC OK relay contact fuente de alimentacin y observa con un osciloscopio la
e 150% peak load capabllity
Model No. calidad de la corriente continua en las diferentes etapas
SOR-120 / SOR-240 / SOR-480 / SOR-480P
Data Link
de la fuente de alimentacin: despus de los rectifica-
B D
dores, despus del filtrado y despus del regulador in-
Figura 13.29. Fuentes de alimentacin conmutadas (cortesa MEAN WELL).
figura 13.31. tegrado.
 A continuacin, conecta a la salida un restato (resis-
tencia variable de potencia) (Figura 13.32) y modifica la
corriente de carga suministrada por la fuente de alimen-
tacin, comprobando el grado de estabilidad de la ten-
sin en la carga y calcula el porcentaje de regulacin
obtenido, as como su resistencia interna.
Rectificacin Filtrado Estabilizacin
Figura 13.32. Verificacin de una fuente de alimentacin.
Por ltimo, somete a la fuente de alimentacin a co-
rrientes de carga superiores a la nominal y comprueba
cmo acta el sistema de limitacin de corriente.
13.4. Diseo de una fuente de alimentacin regulada. Se
trata de disear el circuito para una fuente de alimenta-
cin estabilizada mediante un regulador de tensin inte-
grado de la serie 78XX.
Para dar mayor versati_lidad a la fuente, se le podr in-
corporar un potencimetro con el fin de poder ajustar la
tensin de salida dentro de unos valores determinados.
De esta forma, el esquema del circuito podra ser el de
la Figura 13.33.
]
Figura 13.33.
El primer paso que habr que dar ser elegir la tensin
y corriente nominal de salida. Con estos datos y con la
ayuda de las especificaciones tcnicas de los regulado-
res de tensin integrados, seleccionaremos el regulador
que ms se ajuste a nuestras necesidades.
Los valores del potencimetro de ajuste R2 y de la re-
sistencia R1 del divisor de tensin se calcularn para
obtener las tensiones de ajustes deseadas en la salida.
Para el filtro C1 ser necesario un condensador de
2.200 F o superior. Los condensadores antiparasita-
rios C2 y C3 podrn ser de 220 nF y 100 F, respectiva-
mente. Para la seleccin de los diodos de rectificacin
habr que tener en cuenta la corriente nominal que van
a suministrar, as como la tensin inversa que han de
soportar. El transformador tendr unas caractersticas
tales que sea capaz de entregar la corriente nominal,
as como la tensin requerida a la entrada del puente
rectificador.
No olvidar que los reguladores de tensin integrados se
calientan cuando realizan el proceso de estabilizacin.
Por esta razn, es importante tener este factor en cuen-
ta y fijar la cpsula del regulador a una aleta de refrige-
racin adecuada.
Para dar ms calidad al diseo, se sugiere aadir las
siguientes mejoras:
Incluir un interruptor para cortar la alimentacin del
primario del transformador.
Incluir un fusible de calibre adecuado a la salida del
transformador, con el fin de proteger el rectificador y
los filtros contra posibles cortocircuitos.
Incluir un diodo LED, con su adecuada resistencia !i-
mitadora, a la salida del puente rectificador, con el fin
de sealizar el encendido de la fuente de alimenta-
cin.
Para el montaje de los componentes, ser necesario el
diseo de una placa de circuito impreso, donde se co-
nectarn los mismos mediante soldadura.
Una vez encontrados los valores adecuados de los
componentes necesarios para esta fuente de alimenta-
cin y diseada la placa del circuito impreso, monta y
conexiona las diferentes partes del circuito y prepara la
fuente para realizar las pruebas de verificacin.
Verificacin de la fuente de alimentacin
Conecta una carga y un ampermetro a la salida de la fuente
de alimentacin y, mediante un osciloscopio, comprueba la
calidad de la corriente continua en las diferentes etapas de la
fuente de alimentacin: despus de los rectificadores y del fil-
trado y despus del regulador integrado.
Comprueba cmo la tensin de salida se modifica al actuar
sobre el potencimetro de ajuste.
A continuacin, conecta a la salida un restato y modifica la
corriente de carga suministrada por la fuente de alimentacin,
comprobando el grado de estabilidad de la tensin en la carga
y calcula el porcentaje de regulacin obtenido, as como su
resistencia interna.
Por ltimo, somete a la fuente de alimentacin a corrientes de
carga superiores a la nominal y comprueba cmo acta el sis-
tema de limitacin de corriente.
En el caso de surgir algn inconveniente de funcionamiento o
una posible avera del circuito, consulta el apartado dedicado
Figura 13.34. fuente de alimentacin conmutada.
a la reparacin de fuentes de alimentacin incluido en la Uni-
dad 8.
13.6. Fuente de alimentacin simtrica. Se trata de cons-
truir una fuente de alimentacin con salida simtrica de
13.5. Verificacin del funcionamiento de una fuente con-
15 V y 1 A con la ayuda de los reguladores integrados
mutada. Consigue una fuente de alimentacin conmu-
LM815 y LM915. Estos reguladores proporcionan a su
tada y realiza las siguientes operaciones:
salida 15 V estabilizados, debiendo proporcionar a su
Analiza sus partes y explica la funcin que cumplen entrada una tensin 3 V superior como mnimo para
en el circuito. que se pueda producir el proceso de regulacin (Figu-
ra 13.35).
Identifica los componentes ms relevantes y busca
en Internet sus hojas de caractersticas. Aqu se puede observar cmo se ha utilizado el LM815
para la alimentacin positiva y el LM915 para la nega-
Conecta la fuente a la alimentacin elctrica y com-
tiva.
prueba con el polmetro y el osciloscopio las tensio-
Monta el circuito en el entrenador didctico y comprue-
nes que aparecen en las diferentes etapas de rectifi-
ba las diferentes magnitudes que se dan en l mediante
cacin.
el polmetro y el osciloscopio.
230/18 + 18 V
2,5A
ent9sal ----o
comn
1, +!5V
1 F
OV
e,
comn
ent sal
i----+----o -15 V
Figura 13.35. Fuente de alimentacin simtrica de 15 V.
13.1. El diodo Zener en un circuito de estabilizacin trabaja
con polarizacin:
a) Directa.
b) Inversa.
e) Por debajo de O, 7 V.
13.2. De los diodos Zener expuestos, cul sera ms ade-
cuado si aplicamos una tensin de entrada de 9 V en un
circuito de estabilizacin en paralelo?
a) BZX85-C8.
b) BZX85-C9.
e) BZX85-C16.
13.3. Los reguladores de tensin integrados:
a) Solo son tiles en muy limitadas aplicaciones.
b) Encarecen las fuentes de alimentacin.
e) Consiguen un buen efecto de estabilizacin en la
tensin de salida y simplifican enormemente los cir-
cuitos.
13.8. Dibuja el circuito de una fuente de alimentacin con un
estabilizador en serie simple a base de un transistor de
control y un diodo Zener. Si la tensin de salida del
puente rectificador es de 22 V y se utiliza un transistor
de potencia con una ganancia de 100, determina las
caractersticas del diodo Zener, para una resistencia li-
mitadora de 1,2 kn, para obtener una tensin estable
de 11,4 V en la salida y una corriente de 200 mA. Cal-
cula tambin la potencia que disipa el transistor de po-
tencia.
13.9. En el regulador de tensin integrado de la Figura 13.37
la corriente de reposo /0 es de 6 mA. De qu valor
tendr que ser el potencimetro R2 para conseguir
ajustar la tensin a un valor mximo de 16 V? Qu
tensin se conseguira con un potencimetro de 1 kl1?
Qu potencia tendr que disipar el regulador para
una carga de 100 mA, si en la entrada se le aplica una
tensin rectificada de 30 V y en la salida se obtienen
los 16 V?

13.4. Cul es la potencia que disipa un diodo Zener al que

se le aplican 20 V y p6r el que circula una corriente de
30mA?

13.5. Determina la variacin de tensin que se provocar en

un diodo Zener, si este posee una resistencia Zener de
7 n cuando la corriente flucta entre 15 y 40 mA.
Contenidos
13.6. Si el Zener del circuito de la Figura 13.36 posee una po-
figura 13.37.
tencia nominal de 300 mW, determina el valor mnimo
de Rs para que el diodo Zener no se destruya.
13.10. Mediante un regulador LM7805, disea un circuito pa-
ra conseguir que este entregue a la carga una corrien-
Rs
te fija de 508 mA.

,'(IV+l
-r 13.11. Qu fuente de alimentacin posee mejor rendimiento
y menor tamao?
a) Fuente de alimentacin con regulador de tensin
integrado.
Figura 13.36. b) Fuente de alimentacin con Zener y transistor.
e) Fuente de alimentacin conmutada.
13.7. Cul ser la potencia a la que trabajar el diodo Ze-
ner del circuito de la Figura 13.36, si incluimos ahora
en el circuito una resistencia de polarizacin Rs de
1 kn?

lll 14.1. Generaaores senoiaales
Un generador de onda senoidal es un instrumento que su-
ministra una seal alterna de tipo senoidal de amplitudes y
frecuencias regulables y que se pueden conocer en todo
momento.
Los generadores de seales proporcionan una gama de fre-
cuencias de seal bastante amplia; aun as, es necesario es-
pecializar esta gama segn el uso que se le vaya a dar al
instrumento. De esta forma, tenemos: los generadores de
baja frecuencia, que proporcionan seales comprendidas
entre 1 Hz y 100 kHz (las seales audibles se encuentran
entre 20 Hz y 20 kHz) y que son de gran utilidad para el
anlisis de equipos de audio; y los generadores de alta fre-
cuencia o radiofrecuencia, que pueden llegar a aportar se-
ales comprendidas entre 100 kHz y 1.000 MHz y que son
imprescindibles para medir las caractersticas de los sinto-
nizadores y las emisoras de radio.
Las seales que se suelen utilizar con ms frecuencia con
este tipo de generadores son siempre las de forma senoidal.
Los tipos de osciladores que se utilizan para obtener la se-
. al senoidal suelen ser los RC para las bajas frecuencias y
los LC y los de cristal para las altas. Los osciladores pro-
porcionan una frecuencia variable gracias a la incorpo-
racin de condensadores o bobinas variables. A continua-
cin, estudiaremos el principio de oscilacin y los diferen-
tes tipos de osciladores senoidales.
1111 14.1.1. rrinci~io ~eneral
~e oscilacin
Pod1iamos decir que un oscilador es un dispositivo electr-
nico dotado para generar una seal alterna, partiendo de
una alimentacin de corriente continua (Figura 14.1).
~~
Fuente de
alimentacin
osmAbORI--_c._A_. -<O
Figurn 14.1. Oscilador.
Para la generacin de la seal alterna se utilizan circuitos
resonantes.
Recuerda que los circuitos resonantes se forman funda-
mentalmente mediante bobinas y condensadores conecta-
dos en serie o paralelo.
Un circuito resonante, aprovechando el intercami:io de
energa entre el condensador y la bobina, genera una se-
al de C.A. de frecuencia igual a la resonante, la cual se
mantendra de forma indefinida, si tanto el condensador
como la bobina fueran ideales.
Como caba suponer, al no ser ideales estos componentes
(ya que poseen una cierta resistencia hmica), las prdidas
producidas por el condensador y la bobina provocan una
oscilacin en el circuito LC que se va atenuando con el
tiempo, tal como se muestra en la Figura 14.2.
V
Figura 14.2. Oscilacin amortiguada de un circuito
resonante.
Para evitar la atenuacin de la seal generada por el circui-
to resonante LC, y poder mantener su nivel de forma per-
manente, es necesario inyectar en cada ciclo de la seal la
energa perdida, produciendo un efecto constante y regene-
rativo de la seal.
La regeneracin de la seal se consigue gracias a un ampli-
ficador con una realimentacin adecuada (habitualmente
se utiliza la realimentacin positiva). De esta forma, ten-
dremos que un oscilador se compone bsicamente de un
circuito generador de la seal (circuito resonante) y de un
amplificador con una realimentacin que consigue regene-
rar la seal del circuito oscilante (Figura 14.3).
En principio, cualquier amplificador al que se le propor-
cione ua red de realimentacin positiva de la seal se
Alimentacin
e.e.
Circuito generador
dela seal
Figura 14.3. Diagrama de bloques de un oscilador.
puede convertir en un oscilador senoidal. Un ejemplo de de nuevo en la entrada, tal como se muestra en la Figu-
esto podra ser el efecto que se produce cuando acercamos
excesivamente el micrfono al altavoz de un amplificador
ra 14.4. El tipo de amplificador del que estamos hablando
podra ser el de emisor comn.
de audio; en este caso se produce una especie de sonido
vibratorio, que procede de la realimentacin positiva que
se produce al ser amplificados de nuevo los sonidos prove-
nientes del altavoz. El efecto de oscilacin de un amplifi-
cador realimentado positivamente se debe a que este es ca-
paz de generar y mantener su propia seal de entrada en un
ciclo continuo y oscilante.
Para que un amplificador realimentado se convierta en un
oscilador se deben dar dos condiciones imprescindibles:
1Ar ,....__Re_a_fim_.e-n-tac-io-n~
l. Que la seal proporcionada por la red de realimentacin
est en fase con la entrada del amplificador. Figura 14.4. Diagrama de bloque de un oscilador RC.
2. Que la ganancia conseguida entre el amplificador y la
red de realimentacin sea mayor o igual a la unidad. En la Figura 14.5 se muestra el aspecto de una red de reali-
mentacin por desplazamiento de fase y en la 14.6 el dia-
En el caso de que la seal realimentada no estuviese en grama vectorial de los sucesivos desfasamientos de la se-
fase con la de entrada del amplificador, la seal se ira ate- al de salida.
nuando (esto ocurrira con una realimentacin que propor-
cionase una inversin de fase en la salida, como, por ejem-
plo, en un amplificador de emisor comn si conectamos su
salida directamente con su entrada) .
Si el conjunto formado por el amplificador y la red de rea-
limentacin poseen una realimentacin igual a la unidad,
la seal se auto-regenerar, lo que da como resultado una
seal senoidal en la salida; sin embargo, si dicha ganancia
es bastante superior a la unidad, el amplificador trabaja en
los niveles extremos de corte y saturacin, lo que produce , __ _1-'._eo-ll Afupliic~dqr ,------4--oVs,,
una distorsin en la seal de salida que da como resultado
una onda cuadrada.
De hecho, para que un oscilador senoidal consiga su pro-
Figura 14.5. Circuito de un oscilador RC por
desplazamiento de fase.
psito, debe ser capaz de poseer una ganancia superior a la
unidad en el momento en que se le conecta a la alimenta- Su funcionamiento es como sigue: al aplicar la seal de
cin de C.C., para as conseguir que la seal oscilante vaya salida, con tensin V,,1., al circuito formado por R1 y C1,
creciendo. Posteriormente, conforme la amplitud de la se- aparece por dicho circuito una corriente / 1, que quedar
al va aumentando, dicha ganancia va disminuyendo hasta desfasada un ngulo <p en adelanto sobre dicha tensin. A
alcanzar la estabilidad en el valor igual a la unidad. su vez, esta corriente produce en R 1 una cada de tensin
V1, que quedar igualmente desfasada un ngulo <p, talco-
Una condicin importante que deben cumplir los amplifi-
mo se puede comprobar en la Figura 14.6. De la misma
cadores utilizados en los osciladores es que deben tener
forma, las tensiones V2 y V3 van quedando desfasadas en
una impedancia de entrada lo ms elevada posible. De esta
un determinado ngulo. Si escogemos adecuadamente las
forma se consigue que la seal realimentada se vea influida
por dicha impedancia. Por esta razn se utilizan, en multitud
clulas RC, se puede conseguir una seal de realimenta-
cin en la entrada que quede desfasada 180 con respecto a
de ocasiones, circuitos osciladores con transistores de efecto
la de salida.
de campo JFET y amplificadores operacionales.
V,
111114.1.2. Osciladores RC
Los osciladores RC se construyen partiendo de un amplifi- VJ = Vcnt
cador de inversin de fase y una red de realimentacin que
es capaz de desfasar la seal de salida 180 e introducirla Figura 14.6. Diagrama vectorial de un oscilador RC.
En la prctica se escogen clulas RC que provoquen un n-
gulo de desfase de aproximadamente 60. El desfase total
de 180 de la red de realimentacin se produce exclusiva-
mente para una frecuencia determinada.
Las redes de realimentacin RC se utilizan para oscilado-
res de baja frecuencia y dejan las redes LC y los cristales
para las altas frecuencias.
En el circuito de la Figura 14.7, se muestra el circuito de
un oscilador RC por desplazamiento de fase mediante am-
plificador con FET y tres clulas idnticas RC.
+ VDD
Para que un oscilador RC por desplazamiento de fase fun-
cione de forma coTI"ecta se debe de cumplir la condicin de
que la ganancia de tensin que genere el amplificador rea-
limentado sea superior a 29.
En la Figura 14.8 se muestra un oscilador RC por despla-
zamiento de fase diseado con un amplificador operacio-
nal con realimentacin inversora de tensin. La salida del
operacional proporciona una tensin invertida 180, a los
que se les aade otros 180, gracias a la red RC. Una vez
desfasada la salida 360 se la conecta a la entrada inverso-
ra, consiguiendo as el efecto de realimentacin positiva.
Para que la ganancia sea superior a 29, se tiene que cum-
plir que R,/R1 > 29.
En la Figura 14.9, se muestra un oscilador formado por una
red de realimentacin en puente de Wien y un amplifica-
dor operacional. Para que la realimentacin sea positiva, es
necesario conectar la red de realimentacin a la entrada no
inversora de tensin. El circuito oscilante en puente de
Wien consta de un circuito serie RC conectado con un cir-
cuito paralelo RC del mismo valor.
Al puente de Wien tambin se lo conoce como red de ade-
lanto-atraso, ya que consigue un ngulo <p de desfase en-
tre la seal aplicada (V) y la seal obtenida (V) que
depende de la frecuencia, tal como se expresa en la Figu-
ra 14.11. Para frecuencias muy bajas el ngulo de desfase
entre las seales es positivo, mientras que para las muy al-
tas es negativo. En la frecuencia de resonancia, se consigue
que las seales estn en fase.

Vsal
R,

Figura 14.11. Desplazamiento de fase.

figura 14.9. Oscilador en puente de Wien con AO.

Figura 14.7. Oscilador RC mediante amplificador con FET.
La frecuencia de la seal de salida de este circuito oscilan-
te se obtiene mediante la siguiente expresin:
1 res para conseguir una frecuencia de oscilacin de
f=----=
2nRCjiN
Donde N es el nmero de clulas RC (en este caso N = 3).
De esta expresin se deduce que para modificar la frecuen-
cia entregada por el oscilador basta con variar los valores
de las capacidades de los condensadores a la vez o de las
resistencias.
Actividad resuelta 14.1
Determina la frecuencia de la seal de salida de un os-
cilador RC por desplazamiento de fase si este consta de
3 clulas RC de igual valor: R = 10 kQ y C = 5 nF.
Solucin: La frecuencia obtenida por las tres clulas
RC ser igual a:
1
f = - - - - - - = = 1.300 Hz
2n l0.0005 l0- 9 ft3
Figura 14.8. Oscilador RC con amplificador operacional.
Actividad resuelta 14.2
Se dispone de un oscilador RC con operacional como
el de ia Figura 14.8. Si los valores de R = R1 = I kQ,
calcula los valores de la capacidad de los condensado-
5 kHz. Qu valor deber poseer como mnimo la re-
sistencia de realimentacin R, para que el oscilador
funcione coTI"ectamente.
Solucin:
1 1
e - ----= - - - - - - = =
- 2nJRjiN- 2n5.000 l.000ft3
= 1.299 10-s F = 12,99 nF
R, n ,.
Av(LCJ = - - > 29 --> R, = 29 R1 = 29 1 = 29 b,
R,
Oscilador en puente de Wien
Se puede decir que este oscilador tambin pertenece a los
osciladores RC, ya que su red de realimentacin consta
tambin de redes RC, pero difieren considerablemente de
las de desplazamiento de fase.
El puente de Wien funciona de la siguiente forma: para
frecuencias muy bajas el condensador en serie adquiere
una gran reactancia capacitiva (Xc = I/2n f C), lo que hace
que este se comporte como un circuito abierto para la seal
(V) que deseamos realimentar y que proviene de la salida
del amplificador. A frecuencias muy altas, la reactancia
capacitiva se hace muy pequea, por lo que el condensador
que est conectado en paralelo cortocircuita la seal (Val-
De esta forma, en ninguno de los dos casos se consigue
seal (V) de realimentacin. Sin embargo, para una fre-
cuencia intermedia (!,.) se consigue una seal mxima de Una vez alcanzado el nivel de seal adecuado, entra en ac-
realimentacin (Vom,) (Figura 14.10).
Vrca!imcntacin
Vormix
-+--"'--~--"'---- f
Figura 14.1 O. Ganancia de tensin.
Esta frecuencia coincide con la de resonancia del circuito,
que viene expresada por la relacin:
l blemente su valor hmico, aumentando tambin la cada
f, = 2nRC de tensin en la misma y provocando, por tanto, un aumen-
En el momento de conectar el oscilador de la Figura 14.9,
se obtiene una ganancia mayor que la unidad en la salida
del amplificador gracias a la realimentacin positiva a tra-
vs de la red RC. Como siempre existen pequeas seales
elctricas con un gran espectro de frecuencias en los ele-
mentos conductores del amplificador, una de ellas (la de
resonancia), que es la que se coTI"esponde con la fase exac-
ta de la entrada no inversora, es amplificada en repetidos
ciclos de autorreforzamiento, por lo que en un tiempo muy
reducido, aparece una seal oscilante senoidal en la salida
del amplificador.
cin la realimentacin negativa, con el fin de que la seal
no alcance niveles de saturacin.
Esto se puede conseguir de varias formas; una de ellas es
la expuesta en el circuito de la Figura 14.9: la resistencia
R' forma un divisor de tensin con la 2R' y la tensin que
aparece en R' es aplicada a la entrada con realimentacin
negativa. La resistencia R' debe tener un coeficiente de
temperatura muy elevado, de tal forma que, al fluir co-
TI"iente por ella, su calentamiento aumente mucho su valor
hmico.
A tal efecto se han venido utilizando lmparas con fila-
mento de volframio. Al conectar en un primer momento el
oscilador, el valor hmico de R' es muy pequeo y, por
tanto, su tensin tambin lo es, dando como resultado una
relimentacin negativa muy reducida. Al pasar corriente
por dicha resistencia, esta se caldea y aumenta considera-
to de la realimentacin negativa. De esta manera, se consi-
gue alcanzar un equilibrio entre la realimentacin positiva
y la negativa, alcanzndose en la estabilidad del sistema
una ganancia igual a la unidad.
Variando la capacidad o el valor hmico de las resistencias
del puente de Wien, es posible variar la frecuencia de la
seal de salida en mrgenes bastante amplios.
Actividad resuelta 14.3
Determina el margen obtenido en la frecuencia de la
seal de salida de un oscilador en puente de Wien co-
mo el de la Figura 14.9, si la red de realimentacin
posee un valor de R = 20 kQ y una capacidad variable
C entre 50 pF y 1 nF.
Solucin: Aplicando la expresin de frecuencia de re-
sonancia para los dos valores posibles de capacidad,
tendremos que:
1 Este oscilador es muy utilizado para generar altas frecuen-
r(mx) = lrrlO l03SO l0- 2 = 159.155 Hz cias y su circuito es el que se muestra en la Figura 14J2.
1 C3 y CE son los tpicos elementos de un amplificador de
- = ----- = 7.958 Hz
lr(mm) 2rr 20- 103 1 10- 9
Qu valor debera poseer la capacidad variable para
conseguir que el oscilador de la Actividad resuel-
ta 14.2 obtuviera su salida un margen de frecuencia de
1 a 10 kHz?
Resultado: entre 7,96 nF y 0,796 nF
Para la generacin de frecuencias por encima de 1 MHz,
los osciladores RC necesitan del uso de condensadores de
muy baja capacidad y de resistencias de muy bajo valor
hmico, y en consecuencia se hace difcil conseguir oscila-
dores fiables.
14.1.3. Osciladores lC
Como ya se indic en el apartado anterior, los osciladores
RC trabajan bien en la generacin de bajas frecuencias
(BF). Para seales de alta frecuencia (AF) es necesario di-
sear otro tipo de circuitos oscilantes y uno de ellos es el
circuito resonante LC. Este tipo de osciladores, tambin
conocidos como amplificadores sintonizados, funciona
bien hasta frecuencias del orden de MHz, es decir en la
banda de radiofrecuencia (RF).
El principio de funcionamiento de este tipo de osciladores
es similar a los ya estudiados. Ahora se combina una red
de realimentacin LC con un amplificador con el fin de
que se mantenga la oscilacin. Basndose en este principio
se pueden construir diferentes clases de osciladores, como
el oscilador Hartley y el oscilador Colpitts.
Tanto el oscilador Hartley como el Colpitts se basan en
una red de realimentacin, formada por un circuito tanque
con bobinas y condensadores. Como ya se indic al princi-
pio de esta unidad, al acoplar circuitos LC se puede encon-
trar una frecuencia de resonancia, en la que las bobinas
intercambian su energa con los condensadores generando
una seal senoidaL Como los componentes poseen una
cierta resistencia hmica, la seal generada ira amorti-
gundose, si no fuese por la accin auto-regeneradora de
un amplificador con realimentacin positiva.
Oscilador Co!pitts
Como los dos condensadores estn en serie, la capacidad
Las resistencias R1, R2 y RE, as como los condensadores
emisor comn, cuyo fin es el de polarizar correctamente al
transistor.
El circuito oscilante en fo1ma de tanque de la Figura 14J2
est compuesto por los condensadores C, C2 y la bobina L.
+ Vcc
L,
R,
e,
,-~
L tante del circuito serie C1 y C2 :
R2
t 1
,_L_-
__-_-
__-_-
__-_-
__-_-------------
__-__-_-
__-_-
__-_-'
... '
Realimentacin
Figura 14.12. Oscilador Colpitts.
Dado que la configuracin del amplificador con transistor
bipolar es de emisor comn, la tensin de salida queda des-
fasada 180 respecto de la de entrada, por lo que la red de
realimentacin tendr que estar dispuesta de tal modo que
haga girar a la seal otros 180. Esto se consigue gracias al
circuito resonante en paralelo, que logra la inversin de fa-
se cuando se alcanza la frecuencia de resonancia.
Se puede observar que la seal de salida del amplificador
es aplicada al condensador C1, mientras que la seal de
realimentacin, aplicada a la base a travs de C3, se obtie-
ne de la tensin correspondiente al condensador C2. En es-
tas circunstancias, la seal realimentada positivamente sus-
tenta las oscilaciones generadas por el circuito tanque
mientras que el amplificador proporcione suficiente ganan-
cia en la frecuencia de oscilacin del circuito resonante.
En el circuito del colector se aade una bobina L 1, conoci-
da por el nombre de ch~que de RF, y que proporciona alta
impedancia para la conexin del colector con la alimenta-
cin; de esta forma se consigue que la seal de alta fre-
cuencia no se desve hacia la fuente de alimentacin.
La frecuencia de resonancia de este oscilador se puede
calcular con bastante aproximacin mediante la expresin
ya conocida:
1
J,=--
r 2rrju
equivalente se puede calcular as:
ctividad resuelta 4.4
Determina la frecuencia de la seal obtenida en un os-
cilador tipo Colpitts como el de la Figura 14.12, si
L = 1 mH, C1 = 10 pF y C2 = 100 pF.
Solucin: Antes de calcular la frecuencia de resonancia
del circuito tanque, calcularemos la capacidad resul-
10 100
C = lO + lOO = 9,1 pF
r =
2rr
J0,001-9,1-10- 12 =
= 1,668 106 Hz= 1,668 MHz
Qu valor deber poseer la inductancia de la bobina que); adems se pueden producir variaciones en la frecuen-
del oscilador de la Actividad resuelta 14.3 para conse-
guir una frecuencia de resonancia de 1 MHz?
Resultado: 2,78 mH
Oscilador Hartley
Otra configuracin posible mediante circuito tanque LC
es el oscilador Hartley, como el que se muestra en la Figu-
ra 14.13. Su funcionamiento es bsicamente idntico al
Colpitts, con la diferencia de que ahora el circuito resonan-
te est formado por dos bobinas L1 y L2 en serie y un con-
densador C en paralelo.
+ Vcc
V~a1
L1
e
..................... ..... .'
,
Realimentacin
Figura 14.13. Oscilador Hartley.
En la prctica, se utiliza una sola bobina con una toma
intermedia. La frecuencia de oscilacin viene determinada
por la resonancia del circuito tanque y se puede calcular
segn la expresin:
1
!,=--;====
r 2rrJC(L1 + l,i)
111114.1.4. Osciladores de cristal
Existen multitud de aplicaciones en las que es necesario
que la frecuencia de la seal generada por el oscilador sea
mucho ms estable que la generada por los osciladores LC
(puede comprobarse cmo en un oscilador de alta frecuen-
cia es fcil que se modifique la frecuencia de la seal de
~alida simplemente acercando un objeto al circuito tan-
cia de oscilacin debido al envejecimiento de los elemen-
tos activos y pasivos con la temperatura. En estos casos,
los osciladores de cristal proporcionan una frecuencia de
oscilacin muy estable.
En la Figura 14.14(a) se muestra el aspecto externo de un
cristal de cuarzo y en la 14,14(b) su smbolo,
Cristal de
cuarzo
Contactos
(a) (b)
Figura 14, 14, Cristal de cuarzo oscilador. (a) Estructura.
(b) Smbolo.
Los cristales osciladores se construyen mediante sustan-
cias, como el cuarzo, que poseen propiedades piezoelctri-
cas, El cristal suele ser muy delgado, fundamentalmente
para trabajar en altas frecuencias y se encapsula en un reci-
piente metlico, haciendo las conexiones a ambos lados
del cristal mediante un par de electrodos (Figura 14,15),
Figura 14,15. Aspecto de cristales de cuarzo comercia/es.
La propiedad piezolelctrica del oscilador de cuarzo consi-
gue el siguiente efecto: si aplicamos una tensin elctrica
entre las caras del cristal, este tiende a expandirse (Figu-
ra 14, l 6(b )), Al retirar la tensin elctrica aplicada, el cris-
tal tiende a volver a su estado original, producindose una
contraccin del mismo (Figura 14,16(c) ). Esta contraccin
mecnica genera una tensin elctrica entre las caras de
cristal de polaridad cntraria a la primeramente aplicada,
devolviendo as la energa elctrica entregada,
De esta forma si aplicamos a un cristal de cuarzo una ten-
sin alterna de una determinada frecuencia, ste tiende a
vibrar a dicha frecuencia.
Se trata de una frecuencia propia de vibracin muy estable
y que se corresponde a la frecuencia propia de resonancia.
Expansin al Contraccin
Cristal en reposo Devuelve la energa
aplicar tensin
(b) (e)
Figura 14.16. Funcionamiento del oscilador de cristal.
La frecuencia de resonancia de un cristal depende en gran
manera del espesor del cristal; de tal forma que cuanto ms
grueso es el mismo, menor es dicha frecuencia,
En la Figura 14,17 se muestra el circuito resonante equiva-
lente al comportamiento de un cristal de cuarzo, La red se-
rie compuesta por L1 y C1 forma el circuito resonante serie
del cristal, La resistencia en serie R1 representa las prdi-
das en el cuarzo y el condensador C2 la capacidad que se
establece entre los electrodos que se encuentran en ambas
caras del cristal, Si no tenemos en cuenta la pequea capa-
cidad C2, la frecuencia de resonancia del cristal se determi-
na cuando se igualan las reactancias del circuito serie
(Xi, = Xc,), En la prctica, el valor de la frecuencia de re-
sonancia es algo inferior debido al efecto del condensador
C2 en paralelo,
1 bretono, Estos cristales se tallan especficamente para utili-
D ma, se obtiene un efecto multiplicador de la frecuencia que
T
Cristal
Cicuito equivalente
zar una gama amplia de frecuencias a partir de un cristal de
Figura 14.17. Circuito resonante equivalente de un cristal
de cuarzo.
En la Figura 14.18 se muestra el circuito correspondiente a
un oscilador de cristal. Obsrvese que la configuracin es
similar al Colpitts, con la diferencia de que ahora se ha
sustituido la bobina por el cristal de cuarzo (XTAL), consi-
guiendo que el mismo resuene con los condensadores C1
y C2 El funcionamiento de este circuito es igual al estudia-
do para el Colpitts, con la diferencia de que, eligiendo el
cristal adecuado, podemos obtener una frecuencia exacta
en la salida con una gran estabilidad,
-+ Vcc
o
.~ L
IIIXTAL
-----------------.....a------------------'
1
Realimentacin
figura 14,18. Oscilador con cristal de cuarzo.
En este caso, cuando los condensadores se descargan con-
tra el cristal, este se expande y se carga de electricidad,
Cuando el cristal se contrae, devuelve la carga al conden-
sador, generndose un estado de oscilacin,
Dada la gran estabilidad en la frecuencia de un oscilador a
cristal (el desplazamiento de frecuencia de un cristal es
menor a 1 Hz por cada 106 Hz), estos encuentran gran apli-
cacin en: relojes, emisores y receptores de radio, telefona
mvil, micrfonos inalmbricos, etc
Los cristales de cuarzo pueden proporcionar frecuencias de
hasta 10 MHz sin gran dificultad, Para frecuencias ms al-
tas es necesario disminuir drsticamente el espesor del
cristal, por lo que el cristal se vuelve muy frgil y difcil
de manejar; en estos casos se recurre a los cristales de so-
zar aimnicos de la frecuencia fundamental, De esta for-
da como resultado cristales capaces de oscilar hasta unos
150 MHz,
Dado el gran avance de la electrnica digital, los cristales
de cuarzo se han ido sustituyendo por sintetizadores de fre-
cuencia digitales (circuitos digitales diseados para sinteti-
cuarzo).
1114.2. Multivi~raaorns
A diferencia de los osciladores senoidales, los multivibra-
dores son unos circuitos osciladores que son capaces de
generar seales cuadradas o impulsos a partir de una ali-
mentacin de C,C,
A este tipo de osciladores se los conoce por el nombre de
osciladores de relajacin,
Otro oscilador de este tipo es el generador de pulsos en
diente de sierra mediante UJT, que ya estudiaremos en la
Unidad 15, como elemento controlador del disparo de tiris~
tores,
Dentro de los multivibradores existen tres tipos fundamen-
tales:
Multivibraclor astable: es un circuito que no posee dos
estados estables, por lo que genera un estado de oscila-
cin (conduccin, no-conduccin) constante,
Multivibrador monoestable: es un circuito que mantie-
ne un estado de conduccin estable una vez aplicada una
seal externa; transcurrido un tiempo, se recupera el es-
tado iniciaL
Multivibrador biestable: es un circuito que posee dos
estados estables de conduccin; mientras no se aplique
un disparo externo, permanece en uno de los estados, sa-
liendo de l al aplicar un nuevo disparo, A este circuito
tambin se lo conoce como flip-flop y tiene gran aplica-
cin en circuitos que utilizan tcnicas digitales,
Realmente el nico que posee la condicin de oscilador es
el multivibrador astable, que pasaremos a estudiar a conti-
nuacin,
111114.2.1. Multivi~ra~or aslaale
En la Figura 14.l 9 se muestra el circuito de un multivibra-
dor astable,
Figura 14.19. Multivibrador astable.
Con este circuito, es posible conseguir una seal cuadrada
en cualquiera de los colectores de ambos transistores, tal

como se puede comprobar en los diagramas de la Figu-
ra 14.20, de tal forma que mientras uno de los transistores
conduzca el otro no lo haga y viceversa, despus de un
cierto periodo de tiempo.
Vc1
Vee
sat corte
't, 't,,
Va ~ que si el terminal R presenta un nivel alto y el S uno bajo,
Vce
corte sat.
Figura 14.20. Diagramas de oscilacin de un
multivibrador astable.
Su funcionamiento es como sigue: en el momento de co-
nectar el circuito a la fuente de alimentacin, los transisto-
res T1 y T2 tendern a conducir y, como estos no son exac-
tamente iguales, uno de ellos tender a conducir en mayor
grado. Supongamos que es T1 el que se inicia con la mayor
conductividad, con lo que su colector pasa de ser positivo a
negativo. Esta tensin negativa aparece en el condensador
C1 y queda acoplada, a travs del mismo, a la base del
transistor T2, por lo que este transistor pasa al corte. El po-
tencial del condensador C1 mantiene al corte al transistor
T2 hasta que la resistencia R1 proporciona a dicho conden-
sador una carga positiva capaz de polarizar la base de T2
Ahora es el transistor T2 el que conduce, mientras que se
repite el mismo proceso para T1, pasando este ahora al cor-
te. As tenemos que, si T1 conduce, T2 no conduce; transcu-
rrido un periodo de tiempo el circuito bascula y T2 conduce
mientras que T1 no conduce, repitindose este proceso de
oscilaciones mientras se tenga conectada la fuente de ali-
mentacin.
En los diagramas de la Figura 14.20 se muestra cmo fluc-
tan las tensiones Ve, y Ve, correspondientes a los colec-
tores de los transistores T1 y T2 respectivamente. Observa
cmo la tensin Ve, a~quiere el valor de la fuente de ali-
mentacin durante el periodo de tiempo 11, posteriormente
ser Ve, la que adquiera dicho valor durante t2
Los periodos de tiempo (11 y 12) que los transistores se
mantienen en corte y en saturacin dependen de las cons-
tantes de tiempo de las redes de temporizacin formadas
por R1-C1 y R2-C2. De esta forma, el tiempo en que el tran-
sistor T1 se mantiene en corte est en funcin de la cons-
tante de tiempo de R2 y C2; de la misma forma T2 se man-
tiene en corte en funcin de la constante de tiempo de RI y
C1. As, tendremos que un periodo T de la onda cuadrada
consta de los tiempos 11 y 12 .
Se puede afirmar, con una cierta aproximacin, que el cir-
cuito RC necesita 0,693 constantes de tiempo para conse-
guir la tensin suficiente como para polarizar la base del
transistor. Por ello, se puede establecer que el tiempo que
se mantendr cada transistor en corte ser igual a:
t = 0,693 R C
Actividad resuelta 14.5
Determina la frecuencia de la onda cuadrada del multi-
vibrador astable de la Figura 14.19, si
R1 = R2 = 25 kQ y C1 = C2 = 1 nF
Solucin: Como las resistencias y los condensadores
son iguales, obtendremos unos tiempos t 1 = t2 = T/2,
que se correspondern con medio periodo de una onda
cuadrada.
T/2 = 0,693RC = 0,693 25 103 1 10- 9 =
= 1,7325 10-s segundos
El perodo completo de la seal ser igual a:
T = 2 1,7325 10- 5 = 3,465 10- 5
La frecuencia se calcula partiendo del valor del perodo:
1 1
f= - = - - - = 28.860 Hz
T 3,465 10-s
- , ;)\cfiviclad prorfues_ta 14.3 : - f
En relacin con la Actividad resuelta 14.5, qu ocu-
rrira si los valores de R2 y C2 fuesen 24 kQ y 2 nF,
respectivamente y R1y C1 se mantuviesen en los valo-
res anteriores de 25 kQ y 1 nF? Seguira siendo la
onda cuadrada? Cul sera la frecuencia de la seal el disparo o inicio de la temporizacin, un terminal de Re-
obtenida?
Resultado: 19.767 Hz
1114.3. fl circuito inte~raao nnn
El circuito integrado 555, tambin llamado temporizador
integrado, es muy conocido por todos los diseadores de
circuitos electrnicos; ya que con l se pueden construir
multitud de circuitos de temporizacin de una forma senci-
lla y econmica, como: multivibradores astables y mono-
estables, temporizadores electrnicos desde microsegun-
dos hasta horas, etc. (vanse las prximas actividades re-
sueltas).
En la Figura 14.21, se puede apreciar la disposicin y nu-
meracin de los diferentes terminales del CI 555.
Figura 14.21. Encapsulado del C/ 555.
En la Figura 14.22, se muestra el diagrama de bloques del
circuito integrado 555.
+ Vcc
El funcionamiento de todos estos bloques entre s es como
Umbral , o,-,,---,
Control
Masa
Figura 14.22. Diagrama de bloques del circuito
integrado 555.
aplicada a (6) sea superior a 2/3 de la de alimentacin, la
El 555 contiene dos comparadores: el de umbral (comp. U)
y el de disparo (comp. D); adems incorpora un multivi-
brador biestable o flip-flop, una entrada (2) para provocar
da invierte la seal, apareciendo entonces una tensin de
set o puesta a cero (4), una etapa de salida (3), y un transis-
tor que provoca la descarga del condensador p1incipal de
temporizacin.
Veamos cmo se comportan estos circuitos:
Los comparadores son circuitos que proporcionan una sa-
lida alta o baja dependiendo del valor de las tensiones apli-
cadas a sus entradas, de tal forma que si la tensin aplicada
al te1minal (+) es mayor que la aplicada al terminal(-), en
la salida aparece una tensin de nivel alto; al contrario, si
la tensin al terminal(-) es mayor que la aplicada al ter-
minal(+), en la salida obtenemos una tensin de nivel bajo.
El biestable posee dos entradas (R y S) y una salida Q que
presenta un nivel de tensin alto o bajo en funcin del ni-
vel de tensin que apliquemos a sus entradas, de tal forma
se obtiene una salida de nivel alto; al contrario si el termi-
nal de entrada R presenta un nivel bajo y el S uno alto, en
la salida Q tendremos un nivel bajo.
El biestable tambin posee un terminal de Reset que se co-
necta a la patilla 4 del integrado (puesta a cero). Si este
terminal se conecta a masa en la salida del biestable, apa-
rece una tensin de nivel alto, sean cuales sean los niveles
de las tensiones de entrada por R y S.
La etapa de salida la constituye un inversor que hace que
la salida Q del biestable se invierta (si se le aplica un nivel
de tensin alto, aparece un nivel bajo en su salida; al con-
trario, si se le aplica a su entrada un nivel bajo, proporcio-
na a la salida un nivel alto). Observa cmo la salida del
inversor se conecta a la patilla (3) del integrado y que es
aqu donde obtenemos la seal de salida del CI.
sigue:
Las resistencias R1, R2 y R3 son de igual valor (5 kfl) y se
conectan entre el terminal positivo de alimentacin +Vce
y masa formando un divisor de tensin, apareciendo en ca-
da una de ellas 1/3 de la tensin Vce de alimentacin.
El comparador umbral (Comp. U) toma como tensin de
referencia en su terminal de entrada (-) la proporcionada
por el punto de unin de R 1 y R,, que coincide con 2/3 de
la de alimentacin.
De esta forma, mientras que la tensin aplicada a la entra-
da umbral (6) permanezca a un nivel que sea inferior a 2/3
de la tensin de alimentacin, la tensin de salida de
Comp. U se mantendr baja. Ahora bien, cuando la tensin
salida de este comparador pasar a ser alta. En este mo-
mento la entrada R del biestable se hace alta y por tanto la
salida Q del mismo se hace tambin alta. La etapa de sali-
salida en (3) de nivel bajo. En conclusin, se puede decir
que con el terminal (6) umbral conseguimos finalizar el ci-
clo de temporizacin.
El comparador de disparo (Comp. D) obtiene la tensin
de referencia en su terminal de entrada (+) del punto de
conexin de R2 y R3, que proporciona 1/3 de la tensin de
alimentacin.
En este caso, cuando la tensin proporcionada por el termi-
como un multivibrador astable. En la Figura 14.23, se + Vcc
muestra el circuito para hacer funcionar el CI 555 en modo
astable.
Con este circuito se consigue una seal cuadrada como la
de la Figura 14.24, en la que los tiempos 11 y t2 depen-
R,

rOJJ,,.,
-- n
nal (2) de disparo es inferior a 1/3 de la tensin de alimen-
tacin, la salida de Comp. D toma un valor alto, que apli-
cado al terminal S de entrada del biestable hace que este
bascule y proporcione una tensin de salida en Q de nivel
bajo. En este caso el inversor de la etapa de salida propor-
den de los ciclos de carga y descarga del condensador prin-
cipal de temporizacin C.
El tiempo t 1 de carga viene determinado por la constante
de tiempo de la red formada por las resistencias R1 + R2 y
u __
: ti ti
L.J._L

ciona en (3) una tensin de nivel alto. el condensador C, mientras que el tiempo 12 de descarga f Vrnsparo;;:: Ve
depende de la red formada por R2 y C.
Hay que hacer notar que cuando la tensin en la salida (3)
se hace baja, el transistor de descarga se polariza directa-
mente y entra en estado de saturacin. Por el contrario, 11 = 0,693 (R 1 + R2)C
cuando dicha tensin se hace alta, este se pone en corte. 12 = 0,693 R2 C
Figura 14.23. C/ 555 funcionando en modo astable.
En el caso de que conectemos el terminal (4) de Reset a
Observa cmo en este circuito se han unido las entradas de
masa, la salida Qpasa inmediatamente a nivel alto sea cual
disparo (2) y de umbral (6), por lo que ambas quedan so-

sea la entrada del biestable, apareciendo en la salida (3)
una tensin de nivel bajo. A su vez, el transistor de descar-
ga pasa a saturacin. Esto hace que se interrumpa el ciclo
de temporizacin.
Si aplicamos una cierta tensin al terminal (5) de control
podemos modificar la tensin de referencia del compara-
dor de umbral (tngase en cuenta que dicha tensin de re-
ferencia en un principio es fija y viene determinada por el
divisor de tensin formado por las tres resistencias en se-
rie). En el caso de no hacer-uso de esta opcin, es conve-
niente conectar un condensador de 10 nF entre el terminal
(5) y masa. As se eliminan las posibles perturbaciones o
ruidos que pudiesen surgir.
El CI 555 puede funcionar en un amplio margen de tensio-
nes de alimentacin, entre 4,5 y 16 voltios. La corriente
que este circuito puede proporcionar a la salida (terminal 3)
viene a ser de unos 200 mA a una tensin que se aproxima
mucho a la de alimentacin.
De todas las aplicaciones que se pueden hacer del 555 pa-
saremos a estudiar su funcionamiento en modo astable y en
+:~
metidas a la misma tensin. De esta forma, al conectar la
12 = 0,693 R2 C = 0,693 2-103 1 10- 6 =
tensin de alimentacin, si el condensador C est descar-
1,386 10- 3 s = 1,4 ms
gado, ambos terminales se encuentran a una tensin igual a ?)7) ,,, =
la de masa, por lo que la tensin que aparece por el termi-
nal (3) de salida ser de nivel alto. Adems, el transistor de
descarga se pondr en corte. Con esta disposicin, el con-
densador C comenzar su ciclo de carga a travs de las re-
+VIT vy_.v. ~,
Vsalida /4. ' ' : .V
T= t1 + t2 = 2,079 10- 3 + 1,386 10- 3 =
= 3,465. 10- 3 s
1 1
sistencias conectadas en serie R1 + R2 f = T= 3,465 . 103 = 288,6 Hz
Vcc --- '
Cuando la tensin en el condensador <Vcl alcanza un valor
igual a 2/3 de la de alimentacin (perodo de tiempo 11), la El diagrama de oscilacin de la tensin de salida sera
el que se muestra en la Figura 14.25.
tensin de salida por el terminal (3) se hace baja y el tran-
sistor de descarga entra en saturacin. A partir de este mo-
mento comienza la descarga del condensador C a travs de Vsalida A
la resistencia R1 (perodo de tiempo 12) hasta que la tensin
de dicho condensador sea igual a 1/3 de la de alimentacin. 12 V
En este instante la tensin de entrada S del biestable se ha- Figura 14.24. Tensin del condensador Wc) y tensin
ce alta y este bascula para comenzar un nuevo ciclo. de salida Ws,ud.> del 555 en modo astable. /= 288,6 Hz
Estos ciclos de carga y descarga se repiten indefinidamente
hasta que se desactive la alimentacin y producen una se- '----!-..,...._--+--+---'--'---,-,7 t
al cuadrada en el terminal de salida, tal como se muestra 2,1 ms 1,4ms

modo monoestable. Actividad resuelta 14.6

en la Figura 14.24.
Figura 14.25.
El multivibrador astable con CI 555 de la Figura 14.23
En el MATERIAL WEB que se /,a preparado para este La duracin de un ciclo ser igual a la suma de los tiempos posee los siguientes componentes exteriores: R1 = 1 kl;
texto se incluye11 las hojas de caractersticas del tempo- de carga y descarga del condensador: R2 = 2 kl y C = 1 F. Si la tensin de alimentacin es
rizador integrado 555. de 12 V, dibuja la seal de salida y calcula la fre~uen-
T = t1 + t2 = 0,693(R 1 + 2R2)C cia de oscilacin.
Solucin: Calculamos primero los tiempos de carga y
111114.J.1. funcionamiento del Siendo la frecuencia de oscilacin:
descarga del condensador C: En relacin con la Actividad resuelta 14.6, qu valor
debera tener el condensador C para conseguir que es-
= 0,693(R 1 + R2)C =
~I 555 en modo astable 11
= 0,693(1 103 + 2. !03)1. 10- 6 =
te multivibrador astable trabaje con una frecuencia de
1 kHz?
I 1,44
Con este modo de funcionamiento conseguimos generar
J= T= (R + 2R2)C = 2,079 10- 3 s = 2,1 ms Resultado: 288 nF
una onda cuadrada de frecuencia fija, es decir, se comporta
lllll 14.JJ funcionamiento del CI ~~~
en moao monoestable
En este modo de funcionamiento podemos hacer funcionar
al 555 como si fuese un temporizador, de tal forma que
podemos hacer que se active la salida (3) durante un tiem-
po determinado cuando enviemos un impulso de disparo al
terminal (2). En la Figura 14.26, se muestra el circuito para
hacer funcionar el CI 555 en modo monoestable.
Con este circuito se consigue un ciclo de temporizacin,
mantenindose la salida activada durante un tiempo t des-
pus de un impulso de disparo, tal como se muestra en los
diagramas de la Figura 14.27. El tiempo t de temporiza-
cin depende de los valores del condensador C y de la re-
sistencia R y se calcula de la siguiente forma:
t=l,lRC
Veamos cmo funciona este circuito:
Mientras la entrada de disparo (2) se encuentre a un nivel
superior a 1/3 de la tensin de alimentacin, la tensin de
salida <Vs, 1) por (3) se mantiene a un nivel bajo, que hace
que el transistor de descarga se sature y mantenga descar-
gado el condensador C. Ahora bien, cuando dicha tensin
de disparo se reduce por debajo de i/3 Vcc, ei biestable del
555 bascula y hace que el terminal de salida (3) aparezca a
un nivel de tensin alto (comienzo del ciclo de temporiza-
cin). A su vez, el transistor de descarga pasa a corte y
hace que el condensador C comience su ciclo de carga a
travs de la resistencia R. Este proceso contina hasta que
Figura 14.26. C/ 555 funcionando en modo monoestable.
Ve A
1..vcc
3 Solucin: De la expresin t = 1, 1 R C
Vsaiicta t
Vcc --------...: - - - - -
'----l------+--:'.1i,- t En relacin con la Actividad resuelta 14.7, qu valor
__, T debera tener el condensador C y R para conseguir que
Figura 14,27. Impulso de disparo Wo;,p.,,), tensin
del condensador Wc) y tensin de salida Ws,ud)
del 555 en modo monoestable.
la tensin que aparece en el terminal umbral (6) se hace
igual o superior a 2/3 de la tensin de alimentacin (fin
del ciclo de temporizacin). En este momento, el biesta-
ble vuelve a bascular, produce un nivel de tensin de sali-
da baja y hace que el transistor se sature y se descargue,
dejando preparado el circuito para un nuevo ciclo de
temporizacin y a la espera de un nuevo pulso de dispa-
ro (Vrn,parol-
---- T
Actividad resuelta 14. 7 Un ejemplo de este tipo de osciladores es el ICL8038, que
proporciona seales con un nivel bajo de distorsin. En la
Se desea construir un temporizador con el multivibra-
dor monoestable con CI 555 de la Figura 14.26 con un
Figura 14.28, se muestra un ejemplo de aplicacin de este
oscilador integrado.
condensador de temporizacin C = 10 F. Se trata de
calcular el valor de la resistencia R para conseguir que
la tensin en la salida durante un ciclo de temporiza-
cin sea de 11 segundos.
t 11
R = -11 C = O _6 = 1.000.000 l = 1 Ml
, ,1-1 10
Figura 14.28, Oscilador integrado ICLB038.
este multivibrador monostable trabaje con un ciclo de
temporizacin de 1 minuto?
La frecuencia de oscilacin de la seal de salida la pode-
Resultado: 54,54 F y I Ml
mos fijar seleccionando valores adecuados para ello de las
resistencias R1, R2 y del condensador C:
1114.4. Oscilaaores inte~raaos f=5 ( 1 R )
Al igual que ocurre con la mayor parte de los circuitos, hoy -R 1C 1 +--1-
3 2R 1 - R2
en da existe en el mercado toda una gama de osciladores
construidos en un solo circuito integrado. Un CI de estas
caractersticas puede generar distintos tipos de seales, co- Si deseamos conseguir una frecuencia variable, se elimina
mo senoidales, triangulares, cuadradas, etc., y dentro de el cortocircuito entre los terminales 7 y 8. Ahora podremos
una amplia gama de frecuencias (desde menos de una mi- variar la frecuencia de salida sometiendo al terminal 8 a
lsima de Hz hasta varios cientos de kHz). diferentes tensiones.
14.1. Caractersticas de los generadores de seal. Consi-
gue los manuales tcnicos de los generadores de sea!
incluidos en el instrumental del laboratorio de electrni-
ca, comprueba sus caractersticas tcnicas, as como
sus posibilidades de funcionamiento.
14.2. Verificacin de un oscilador. Se trata de conseguir ya
montado alguno de los osciladores senoidales estudia-
dos en esta unidad, analiza sus componentes y deter-
mina su esquema elctrico, as como identifica el tipo
de oscilador que es. En cualquier caso, de no disponer
de estos circuitos, se puede montar en placa de circuito
impreso el oscilador de la Figura 14.29.
Figura 14.29.
De qu tipo es este oscilador?
Cul tendra que ser la frecuencia de fa seal senoidal
obtenida en fa salida?
Mide con un osciloscopio la seal de salida, determi-
nando los valores de amplitud y frecuencia de la seal.
Compara los resultados obtenidos tericamente con el
resultado de la medida.
Modifica cualquier~ de los valores de los componentes
del circuito tanque (L, e, o C2 Jyrepite las medidas.
14.3. Verificacin de un multivibrador astable. Consigue
el circuito de un multivibrador astable o, en su defecto,
monta el propuesto en la Figura 14.30.
figura 14.31.
Figura 14.30. De qu tipo es este oscilador? 14.6. Circuito de un temporizador monoestable con 555.
Cul es fa frecuencia terica obtenida a la salida? Se trata de la tpica aplicacin del temporizador 555 tra-
a) Conecta el circuito a la alimentacin y mide con un
bajando como temporizador monoestable, al que se le
osciloscopio la forma de onda en el colector de T, y Dibuja los oscilogramas obtenidos en el osciloscopio,
ha incorporado una resistencia variable de 1oo kQ con
T2 , as como en la base de T, y T2 Conviene dispo- determina la frecuencia real obtenida y compara este
resultado con el terico. el fin de poder regular el tiempo del impulso de tempori-
ner de un osciloscopio de dos canales para poder
zacin a la salida (Figura 14.32).
medir y comparar las diferentes seales medidas. Cambia el condensador C, por uno de menos capaci-
dad, como por ejemplo 47 nF y vuelve a medir con el Recuerda que este tiempo se calcula mediante la ex-
b) Teniendo en cuenta los componentes utilizados en presin:
osciloscopio la frecuencia conseguida.
el circuito, calcula el valor terico de la frecuencia de
Sustituye la resistencia R1 por un potencimetro de 1=1,1 RC
este multivibrador y comprala con la medida obteni-
100 kQ y comprueba el efecto de variacin de la fre-
da por el osciloscopio.
cuencia que se produce al modificar su valor hmico.
En nuestro circuito, R = R, + R2 , y C = e,
e) Sustituye la resistencia R1 por un potencimetro.
Ajusta dicho potencimetro a diferentes valores h-
micos, observando el efecto que produce en las for- +J2V
mas de onda del colector de uno de los transistores.
14.4. Luces para semforo. Se trata de que disees un cir-
cuito de dos luces (una verde y otra roja) para semfo-
ro. Para ello puedes utilizar el circuito tpico de un multi-
vibrador astable, sustituyendo las resistencias de carga
por diodos LED polarizados adecuadamente (tambin
se pueden colocar rels que accionen lmparas incan-
descentes). Mientras la luz roja est encendida, la luz
verde permanecer apagada y viceversa. Los tiempos
de encendido y apagado de cada una de las lmparas
se podrn controlar con un par de potencimetros. Se-
lecciona los componentes adecuados para una alimen-
tacin de 12 V.
DL2
14.5. Verificacin de oscilador con CI 555. Se trata de que
montes en el entrenador didctico el circuito de la Fi-
[-yulsador
gura 14.31 y analices su funcionamiento con el oscilos-
copio. Figura 14.32.
 En estado de reposo, el diodo LEO DL 1 permanece en-
cendido, mientras que el DL2 est apagado, ya que la
salida (3) se encuentra en un nivel bajo. Al accionar el
pulsador se conecta a masa el terminal (2) de disparo,
lo que introduce un pulso de disparo que produce una
seal de salida por el terminal (3), que hace que el LEO
DL 1 se apague y el DL2 se encienda durante el tiempo
de temporizacin ",,.
Para variar el tiempo de temporizacin basta con ajus-
tar el valor de la resistencia R, al valor deseado.
Monta el circuito en el entrenador didctico y comprue-
ba las diferentes magnitudes que se dan en l median-
te el polmetro y el osciloscopio. Modifica el valor de
R1 y comprueba cmo cambia ahora el tiempo de tem-
porizacin.
14.7. Circuito de alarma activada por luz. Se trata de cons-
truir una alarma que se activa mediante el fotodiodo D1
ante la presencia de luz. Este pone en marcha un multi-
vibrador estable basado en el CI 555. l mismo est
+Vcc=5V
2N3906
Figura 14.33.
configurado para producir una seal audible de unos
480 Hz en un altavoz (Figura 14.33).
El !otodiodo D1 se encuentra en polarizacin inversa a
travs de la resistencia R3 . Al incidir la luz en l, aumen-
ta su corriente inversa y la base del transistor PNP se
hace ms negativa respecto a su emisor, lo que .produ-
ce que el transistor T1 entre en conduccin y el CI 555
quede debidamente alimentado con los 5 V de la ali-
mentacin. Al activarse el multivibrador estable, se pro-
duce una seal de oscilacin que queda aplicada al al-
tavoz, logrando que este emita una seal audible. En
ausencia de luz, el transisor T1 entra en corte y apaga
el oscilador.
Monta el circuito en el entrenador didctico y comprue-
ba su funcionamiento. Observa los valores de R,, R2 y
e, y calcula la frecuencia terica de oscilacin del multi-
vibrador.
Cmo se podra cambiar la tonalidad del sonido emiti-
do por el altavoz?
Ir
100 nF
Altavoz
14.1. Qu requisitos debe reunir un amplificador para con- 14.7. Determina la frecuencia de la seal de salida de un os-
vertirse en un oscilador? cilador RC por desplazamiento de fase, como el de la
Figura 14.8, si consta de una red de realimentacin
a) Poseer una impedancia de entrada elevada y una
con tres clulas RC de valores R = 25 kQ y C = 18 pF.
red de realimentacin positiva.
b) Poseer una impedancia de entrada reducida y una 14.8. Cul ser el valor capacitivo que debern poseer los
red de realimentacin negativa. condensadores de un puente de Wien, como el de la Fi-
gura 14.9, para conseguir una seal de salida de frecuen-
e) Poseer una impedancia de entrada elevada y una
cia igual a 1 kHz, teniendo en cuenta que R= 50 kQ?
red de realimentacin negativa.
14.9. Calcula la frecuencia de la seal de salida de un os-
14.2. Qu red de realimentacin se utiliza ms para conse-
cilador Colpitts, como el de la Figura 14.12, si los
guir osciladores de alta frecuencia?
componentes del circuito tanque son: L = 20 H y
a) La red RC. C, = C2 = 100 pF.
b) La red LC.
14.10. De qu valor tendr que ser la suma de inductancias
e) La red simtrica. de un oscilador Hartley, como el de la Figu-
ra 14.13, para conseguir una seal senoidal en la sali-
14.3. Qu oscilador consigue una frecuencia ms es- da de 1OMHz, si el condensador del circuito tanque es
table? igual a 1OpF?
a) El oscilador RC.
14.11. Calcula los tiempos 11 y 12 que permanecern en satu-
b) El oscilador LC. racin los transistores T, y T2 del multivibrador estable
e) El oscilador de cristal. de la Figura 14.34, as como la frecuencia de la onda
cuadrada asimtrica obtenida.
14.4. Qu valor posee la tensin de referencia del compara-
dor umbral del CI 555?
+ Vcc=l2V
a) 1/2 de la de alimentacin.
b) 1/3 de la de alimentacin.
e) 2/3 de la de alimentacin.
14.5. Qu valor posee la tensin de referencia del compara-
dor de disparo del CI 555?
a) 1/2 de la de alimentacin.
b) 1/3 de la de alimentacin.
e) 2/3 de la de alimentacin.
4.6. En el circuito de la Figura 14.26 se hace funcionar al CI
Figura 14.34.
555 como monoestable. Qu ocurre si se conecta a
masa el terminal (2) de disparo?
14.12. Observa el circuito de la Figura 14.35 y contesta a las
a) Aparece un nivel de tensin alto en el terminal (3) de siguientes preguntas:
salida.
a) Qu utilidad tiene este circuito?
b) Aparece un nivel de tensin bajo en el terminal (3)
a) Genera una onda cuadrada asimtrica.
de salida.
e) Aparece una seal cuadrada en el terminal (3) de b) Genera un pulso de temporizacin.
salida. c) Funciona como multivibrador monoestable.
 + Vcc~ IOV b} Calcula la frecuencia de oscilacin.
c De qu valor tendr que ser el condensador C pa-
ra conseguir una frecuencia de 1 MHz?

Figura 14.35.

fl Activldaaes ~e amp!iacin
14.1. Busca en Internet la hoja de caractersticas del temporizador integrado 555 y analiza los principales parmetros que figu-
ran en la misma.

A modo de ejemplo, en la Figura 14.36 se muestran unos recortes pertenecientes a la hoja de caractersticas del tempori-
zador integrado 555.

LM 555/N E555/SA555
Single Timer
Absolute Maximum Ratings (TA"' 25C)
Para meter Symbol Value Unit
Supply Voltage Vcc 16 V
Lead Temperature (Soldering 10sec) TLEAD 300 C
Power Dissipation PD 600 mW
Operating Temperature Range
LM5551NE555 o-+10
SA555 TOPR
-40- +85
C
Storage Temperature Range TsTG -65- +150 C

Electrical Characterisf:s
(TA= 25C, Vcc = 5-15V, unless otherwise specified)

Para meter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Unit

Supply Voltage Vcc 4.5 16 V
Vcc = 5V, RL= 6 mA
Supply Current *1{Low Stable) Ice
Vcc=15V,RL= 7.5 15 mA
vcc= 15V 9.0 10.0 11.0 V
Co~trol Voltage Ve
vcc= sv 2.6 3.33 4.0 V
Vcc= 15V 10.0 V
Threshold Voltage VTH
vcc=5V 3.33 V
Threshold Current * 1TH 0.1 0.25 A
Vcc=5V 1.1 1.67 2.2 V
Trigger Voltage Vrn
Vcc= 15V 4.5 5.6 V
Trigger Current ITR VTR = OV 0.01 2.0 A

Figura 14.36. Hoja de caractersticas del C/ 555.


111 a.l. Tiristores
Los tiristores trabajan en forma de conmutacin; es de-
cir, poseen dos estados de funcionamiento: conducen o no
conducen. De esta forma es posible controlar grandes co-
rrientes elctricas sin que el semiconductor se caliente
excesivamente. Como ejemplo de tiristores tenemos el rec-
tificador controlador de silicio (SCR) y el triac. El SCR es
similar a un diodo rectificador, pero al que se le ha aadido
un tercer terminal de puerta con el que se consigue iniciar
la conduccin del mismo [Figura 15.l(a)]. El triac tambin
posee un tercer terminal de puerta, pero est preparado pa-
ra conducir en ambos sentidos, a diferencia del SCR que
conduce en uno solo, por lo que es capaz de controlar los
dos semiciclos de la C.A. [Figura 15.l(b)].
SCR TRIC
Terminal
J'
nodo
J:
Puerta Puerta
Ctodo Terminal
principal2
(a) (b)
Figura 15.1. Representacin esquemtica de tiristores.
(a) El SCR. (b) El triac.
Los tiristores son unos componentes semiconductores que
poseen tres uniones, a diferencia de las dos con las que se
construyen los transistores comunes. Estudiaremos prime-
ro el diodo PNPN de cuatro capas, y posteriormente pasa-
remos al estudio concreto del tiristor o rectificador contro-
lado de silicio (SCR).
A partir de este elemento, aparecen otros con algunas va-
riantes, como son los diac, triac y UJT.
111 a.2. fl rectificaaor controlaao
ae silicio (~tR)
Este elemento constituye uno de los dispositivos electrni-
cos ms adecuados para, sustituir al rel electromagntico.
Su funcionamiento es muy rpido, seguro y, al no poseer
contactos mviles, de gran duracin.
Para entender mejor el funcionamiento de este dispositivo,
vamos a ocuparnos primero de analizar un circuito deno-
minado candado, o cerrojo, formado por dos transistores
bipolares y que acta de una forma similar al SCR. En la
Figura 15.2, se muestra dicho circuito.
+ Vcc
figura 15.2. Candado a base de dos transistores.
En este circuito, existen dos transistores, uno PNP y otro
NPN. El emisor de T1 se conecta directamente con la base
de T2 y, a su vez, el colector de T2 est conectado con la
base de T1 Este conjunto forma un elemento de memoria,
que acta de la siguiente forma:
Si aplicamos una tensin positiva al terminal libre de la
base del transistor T2, este entra en conduccin, lo que ha-
ce que la corriente de su colector aumente y ponga en con-
duccin al transistor T1 Esto provoca, a su vez, la apari-
cin de corriente en el emisor de T1, que por estar
conectado a la base de T2, hace que T2 conduzca ms, por
tanto, tambin lo har T1 Este aumento alternativo de las
corrientes en ambos transistores contina hasta que estos
se saturan. Si en estas condiciones retiramos la tensin de
polarizacin de la base de T2, los transistores no cambiarn
de estado de conduccin, ya que existe un ciclo continuo
de realimentacin de corriente. En este momento se dice
que el candado est cerrado. Por esta razn, para cerrar un
candado es suficiente con aplicar al terminal de la base de
T2 un pequeo impulso de corriente de polarizacin direc-
ta, tal como se muestra en la Figura 15.3.
Otra forma de cerrar el candado formado por T1 y T2 es
aplicando una tensin de alimentacin Vce muy grande.
As se consigue forzar a los transistores a entrar en ruptura.
+ Vcc
Figura 15.3. El candado se cierra con un impulso
de polarizacin directa.
En el momento en que cualquiera de estos comience a con-
ducir, aparecer un ciclo continuo de realimentacin que
los pondr en saturacin. Es decir, se cerrar el candado y
fluir corriente por la resistencia de carga.
Para abrir el candado, es suficiente con interrumpir el cir-
cuito de alimentacin; de esta manera se elimina la co-
rriente de regeneracin y los transistores, en un proceso
continuo de disminucin de corriente de polarizacin, en-
tran en corte.
Otra forma de producir la apertura del candado es aplican-
do una tensin de polarizacin negativa a la base de T2 en
forma de impulso de corta duracin.
En resumen, el candado posee dos estados fundamentales
de funcionamiento, uno es en corte y otro en saturacin.
En otras palabras, como interruptor abierto o como inte-
rruptor cerrado.
El circuito candado formado por los transistores T1 y T2
(Figura 15.3) se puede integrar en un solo componente de-
nominado diodo de cuatro capas, o rectificador controlado
de silicio (SCR). En la Figura 15.4 se puede apreciar su
composicin y su smbolo.
nodo (~todo (K)
N ~todo
1 p 1
T
Puerta Puerta (G)
(a) (b)
Figura 15.4. Rectificador controlado de silicio (SCR).
(a) Composicin. (b) Smbolo.
En la Figura 15.5 se muestra el aspecto fsico de algunos
SCR y la disposicin de sus terminales.
algunos miles de amperios, lo que los hace ideales para
K A G
Figura 15.5. SCR.
Este dispositivo conduce nicamente en un sentido cuando
se cumplen las condiciones de disparo que, como en el ca-
so del candado, se darn cuando se excite positivamente la
puerta o cuando se supere la tensin de ruptura del mismo.
En las hojas de especificaciones tcnicas de los SCR se fa-
cilitan los valores de tensin y cmTiente de disparo. As,
por ejemplo, el tiristor 2N689A posee una tensin de dis-
paro de ruptura directa (V80 ) de unos 500 V.
Por lo general, los SCR no estn preparados para ser acti-
vados por tensin de ruptura; por esta razn, estos casi
siempre se disean para cerrarse por disparo de pue1ia.
l~J 1. Curvas caractersticas
ael ~CR
En la Figura 15.6 se muestra la curva caracterstica de ten-
sin-corriente directa de un SCR.
.l,_
+IF
/F(en conduccin)
Polarizacin
directa
h (enganche)
iH (mantenimiento) ~----
l
~--::=====--+.e:========1---_:+:..:v:'
i -V, (tenS1n mversa
-
Vaa (disparo por
1 de ruputura)
tensin directa)
Polanzacion
Figura 15.6. Curva caracterstica del SCR.
En esta curva no se ha tenido en cuenta la corriente de po-
larizacin de puerta (se ha trazado para IG = 0). En ella, se
puede observar que, para que el SCR entre en conduccin,
es necesario aplicar una tensin directa (V80 ) bastante ele-
vada entre el nodo y el ctodo.
Una vez disparado el SCR, este se pone en conduccin y
aumenta su corriente directa, comportndose como un
interruptor cerrado. Por lo general, las corrientes directas
que son capaces de conducir los SCR pueden llegar hasta
aplicaciones de tipo industrial (control de potencia de ele-
mentos de calefaccin, iluminacin, motores elctricos, etc.).
As, por ejemplo, el SCR 2N689A es capaz de conducir
una corriente (IF) de 25 A con una pequea corriente de dis-
paro (la) de 40 mA; o el CRI00AL, que es capaz de mane-
jar una corriente (IF) de 100 A con una corriente de disparo
(la) de !O0mA.
Es importante observar en las curvas que, para que el SCR En las curvas de la Figura 15.7, se le ha aplicado al SCR Observa cmo este SCR se puede utilizar para tensin de la desconexin del SCR es necesario disminuir la corriente
permanezca en el estado de conduccin, es necesario que por una corriente 10 por la puerta, suficiente para que este entre hasta 500 V y corrientes de 7,5 A. Se puede disparar con de carga a un valor inferior al de mantenimiento. Esto se
l circule una corriente nnima de mantenimiento (/H). Para en conduccin. Observa cmo en estas condiciones de fun- una coniente de puerta de entre 2 y 15 mA y una tensin consigue accionando el pulsador P durante un corto pe-
el 2N689, esta corriente es de 50 mA. En la regin de polari- cionamiento el SCR consigue comenzar a conducir con de puerta de entre 0,6 y 1,5 V. La corriente mnima de rodo de tiempo (este tiempo puede llegar a ser menor a
zacin inversa el SCR se comporta como un diodo normal. una tensn de disparo V80 muy pequea. mantenimiento para que el SCR pennanezca en conduc- 50 s).
cin est entre 7 y 20 mA.
+!,..
En resumen, la forma habitual de disparar un SC es
- - k (en conduccin)
aplicando a la puerta un pulso. Para desactivar el SCR
1nJ2. A~licaciones ~el SCR 1~.2.4. Con!rnl ae ~otencia
bastar con reducir la corriente directa de este hasta un
valor inferior a la de mantenimiento. en C.A. con un ~CR
h (enganche) La mayor parte de los SCR son componentes capaces
..,,- Seguidamente, vamos a mostrar un ejemplo de aplicacin
J (mantenimiento) de manejar grandes corrientes, desde un amperio hasta
A modo de ejemplo, en la Figura 15.8 se muestra un recor- algunos miles de amperios. Por esta razn, se emplea del SCR como elemento de control de potencia de una
ivao te de la hoja de caractersticas del rectificador controlado fundamentalmente en aplicaciones donde sea necesario lmpara de C.A. En la Figura 15.10 aparece un circuito de
de silicio BT151-500R, junto a la interpretacin de las es- controlar grandes cantidades de energa, como el control este tipo.
figura 15.7. Disparo del SCR por corriente de puerta (IJ. pecificaciones ms relevantes. de potencia en motores, calefactores, etc.

1~.2.l Control ~e potencia SCR

Thyristors BT151-500R en e.e. con un srn

~ En la Figura 15.9, se muestra el circuito de control de po-
il
GENERAL DESCRIPTION T0220AB tab? Q tencia de una carga (como ejemplo, hemos conectado co- figul'a 15.10. Control de potencia de una carga
1J
1

PIN mo carga la resistencia calefactora de 10 Q correspondien- de C.A. mediante SCR.

Passivated thyristors in a plastic envelope, -- --- te a una estufa elctrica).
-~

rl
intended for use in applications requiring 1 cathode ]

high bidirectional blocking voltage capability

~ En el circuito de la Figura 15.9(a), podemos hacer que el El SCR conduce nicamente cuando se le aplica un impul-
2 anode ) :1 SCR entre en conduccin, aplicando un pequeo impulso, so de corriente de polarizacin en su terminal de puerta y
and high thennal cycling perfonnance.
Typical applications include motor control, 3 gate
R de unos 2 V, a su puerta. Mediante este pequeo impul- se desactiva automticamente cuando la corriente pasa por
l; :l,, so podemos controlar la gran c01Tiente que fluye por e! cero. Para poder controlar el tiempo de disparo del SCR,
industrial and domestic lighting, heating and 1 23
tab anode ', SCR hacia la carga, que ser aproximadamente de unos: hay que accionar el mando ajustable del generador de im-
static switching.
I = V/R = 200/10 = 20 A (para hacer este clculo no se pulsos que activa la puerta.
LIMITING VALUES )l
ha tenido en cuenta la pequea cada de tensin que se pro-
duce entre el nodo y ctodo del SCR, ya que esta es del En el caso de que el SCR se dispare al comenzar el ciclo
SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT
m. Tensn directa mxima orden de 1 V). Por supuesto, las caractersticas nominales positivo, este conducir durante dicho semiciclo hasta que
VoRM VRRM Repelitive peak ofl-state 500 V J del SCR debern ser tales que soporten la intensidad de la la corriente sea inferior a la de mantenimiento del tiristor;
voltages es decir, aproximadamente hasta que esta se haga cero, tal
Corriente mxima directa carga sin sufrir daos.
ITIAV) Average on-state curren! 7.5 A l ~ Corriente mxima en la puerta
como se muestra en la Figura 15.1 l(a). En este caso el
IGM Peak gate curren! 2 A Una vez disparado el SCR, este contina conduciendo, SCR est activado durante el tiempo t 1 y, por tanto, se
V ! Tensin mxima en la puerta aunque el impulso de puerta desaparezca, tal como se
VGM Peak gate voltage 5 comporta como un rectificador de media onda. La potencia
Peak gate power Potencia mxima en la puerta muestra en los grficos de la Figura 15.9(b). Para provocar
PoM 5 W que se transfiere a la lmpara es la mxima y esta luce con
T,,g Storage temperature 150 e toda su intensidad.
T Operating junction 125 e
temperature En la Figura 15.1 l(b) el SCR es disparado despus de co-
Estufa
STATIC CHARACTERISTICS
fr=20A menzado el ciclo, por lo que la corriente circula por la lm-
Corriente para tan solo durante el tiempo 12. En este caso la lmpara
SYMBOL' PARAMETER TYP. MAX. UNIT R ,....;/':...~_;o..J__ ___,d._c carga baja su intensidad luminosa.
Corriente de disparo de puerta IO!l
lor Gate trigger curren! 2 15 mA Corriente de enganche 2V Impulso
En.las Figuras 15. ll(c) y (d), se ha reducido drsticamente
IL Latching curren! 10 40 mA Corriente de mantenimiento
c __ _,_.,__ __,,de,.;,pucrta

IH Holding curren! 7 20 mA' el tiempo de conduccin del SCR, por lo que la potencia
VGT Gate lrigger voitage 0.6 1.5 V " ,. Tensin de disparo de puerta (a) (b)
que se entrega a la lmpara es mnima. De esta forma, con
~- - ~=,_- x r,w.,.;,r ,_v-24--.: 0 y0., .. ~ ; - ,. ~,., ,,, .,_,._,, __\(_ :..:i:'.:iZ.J =.L2'.0r. ;..__; .-
Figura 15.9. Circuito de control de una estufa una pequea corriente de control de los impulsos de dispa-
mediante SCR. (a) Esqu~ma elctrico. ro del SCR podemos controlar grandes cantidades de po-
Figura 15.8. Hoja de caractersticas del SCR BT151-500R. (b) Impulso de disparo del SCR. tencia de la carga.
 El circuito utilizado para la construccin del dimmer po- mayor en cada semiciclo, por lo que el SCR iniciar antes As, por ejemplo, si se aplica a los tenninales de un diac
dra ser el se muestra en la Figura 15.13. El SCR controla su conduccin (ngulo oc ms pequeo) (Figura 14.14(a)), una tensin con la polaridad que se muestra en la Figu-
el ngulo rJ. de disparo de la tensin que llega a la lmpara haciendo que la lmpara luzca con ms intensidad. ra 15. l 7(a), el diodo inferior se disparar y la corriente
I
~t solamente durante los semiclos positvos de la C.A. aplica- fluir por el mismo en el sentido indicado. En el caso de
t1 - '\ I 1 Para conseguir un mayor control sobre los ngulos de con- que la tensin aplicada sea opuesta a la primera, tal como
da (vase la variacin de conduccin del dimmer en la Fi-
1 I 1 I (a) duccin de los tiristores se recurre al uso de redes RC y de se indica en la Figura 15.17(b), el diodo se quedar polari-
'/ '/ gura 15.14).
un nuevo componente, el DIAC.
1Gb D D fijlo-t
zado y ser el superior, y por tanto, la coniente fluir por
el mismo en sentido contrario al anterior.

I
1 111 ~.3. [I ~iac J
,~r-
e,>t V+~
I I
I 1 I A diferencia del SCR, que nicamente admita el paso de +
I \ (b) C.A.
'/ '/ la coniente en un sentido, el diac pennite que esta fluya en V
lo 1 o o o ~t ~ SCR
ambos sentidos. Este dispositivo solo posee dos tenninales.
En la Figura 15.15 se puede observar su aspecto fsico y su
1
(a) (b)
I, 230V BT\51
/ smbolo.
I Figura 15.17. Conduccin del diac.
I

fol o
,,,1
\

o
1
\

o ,- t
(e)
''
=
La forma como deje de conducir un diac, una vez dispara-
do, es reduciendo la corriente directa a un valor inferior al
de mantenimiento.
En la Figura 15.18, se puede apreciar la curva caractersti-
Figura 15.13. Circuito de control de una lmpara con SCR. ca de un diac:
In ,., ,' \ ,' \
I
I I I
I
t,
\
\ I
I
I
I

1
\
I
I
I
'~ t

(d)
Para el circuito de control de disparo del tiristor, se ha uti-
lizado una red de resistencias y un diodo D que solo permi-
te corrientes en la puerta durante los semiciclos positivos.
A1*A2 t!
'/ '~ I Al vaiiar la resistencia del potencimetro R2 se consigue Figura 15.15. Aspecto y smbolo del iac.
/ l
o
IG 1 o o o~"" 1 modificar el punto del semiciclo donde el tiristor comienza
(mA)

a conducir (ms o menos ngulo rJ. de disparo). Cuanta ms La aplicacin fundamental de este dispositivo es la de pro-
-1 , ..... ~..........,......... .
figura 15.11. Impulsos de disparo y tiempos de conduccin resistencias ajustemos en el potencimetro, mayor tendr
de/ SCR.
ducir los impulsos de disparo para los SCR y triacs. -2
que ser la tensin del semiciclo, que consiga una corriente
de puerta (/0 ) suficiente para disparar el tiristor, y por Un diac est constituido por dos diodos de cuatro capas -3
-40 -30 -20 -10 O 10 20 30 40
Al circuito de control de luminosidad de una lmpara elc- tanto se aumentar el ngulo oc en el que comienza a con- conectados en paralelo y en oposicin, a los que se les ha
ducir (Figura 14.14(b)), haciendo que la lmpara luzca desprovisto del tenninal de puerta. En la Figura 15.16, se V(V) ----p,.-
trica mediante tiristores, como el de la Figura 15.10, se le
conoce por el nombre de dimmer. En la Figura 15.12 se con menos intensidad. Si reducimos el valor hmico del muestra su constitucin y su smbolo. Figura 15.18. Curva caracterstica del diac.
muestra un dimmer comercial controlando la potencia de potencimetro, la tensin aplicada a la puerta se har
una lmpara. Aqu se puede comprobar que, hasta que no se supere la ten-
N P N P sin de ruptura V8 0, el diac no entra en conduccin y ade-
ms esta puede ser positiva ( + V80 ) o negativa (- V80 ).
I
I P N P N
I
Si aplicamos un C.A. a un diac, este conduce en ambos
1 1
0.- 1 I 1 sentidos cuando la tensin supere a la de ruptura.
\ I (a) (b)
,J
Figura 15.16. Diac. a) Composicin. b) Representacin La tensin de disparo del diac suele ser bastante inferior a
esquemtica. la del SCR, siendo su valor ms frecuente en torno a 30 V.
/
Vi,impar11 I
I
I El resultado obtenido son dos candados conectados en de-

C.A. o - - - - - - ' --a-- 1

1
1
1
rivacin. Dado que no existe tenninal de puerta, la nica
forma de que exista conduccin en cualquiera de los dos
llllll l a.J. 1. SCR controlado por diac
230V o---------------' diodos es aplicando una tensin directa superior al de rup- En la Figura 15.19, se muestra una de las aplicaciones que
Figura 15.12. Dimmer. Figura 15.14. Variacin del ngulo de conduccin. tura de la unin polarizada. se puede hacer del diac. Se trata de controlar la potencia de
una lmpara mediante un SCR y un diac. Para ello alimen-
tamos al circuito con una CA. senoidal y, mediante el po-
tencimetro R2, regulamos el tiempo de disparo del SCR
gracias al circuito formado por el condensador C y el diac.
CA
SCR
Figura 15.19. Control de potencia de una carga de C.A.
mediante SCR controlado por diac.
Al disminuir el valor hmico de R2, se consigue que el
tiempo de carga del condensador C sea menor. Al alcan-
zarse la tensin de ruptura del diac, este entra en conduc-
cin y descarga el condensador hacia la puerta del SCR,
provocando el disparo del mismo. De esta forma, variando
el valor del potencimetro R2 podemos conseguir variar el
perodo de conduccin del SCR y con l la potencia de la
lmpara. En este circuito el SCR solo conduce durante el
semicic!o negativo, permaneciendo bloqueado durante el
semicic!o positivo. Para conseguir que este circuito ali-
mente al receptor durante los dos semiciclos, ser necesa-
rio el empleo de un nuevo componente: el triac.
11 15.4. fl triac
El triac es un elemento que, al igual que el diac, admite el
paso de la corriente en ambas direcciones. Este dispositivo
posee tres terminales y se comporta como dos SCR inverti-
dos en paralelo.
Al igual que el diac, el triac se forma al conectar en parale-
lo dos diodos de cuatro capas en oposicin, con la diferen-
cia de que ahora se conserva el terminal comn de puerta.
En la Figura 15.20(a), se puede ver su constitucin y en la
15.20(b), su smbolo. '
El funcionamiento de este dispositivo es bsicamente co-
mo el del diac, con la gran diferencia de que ahora se le
puede disparar mediante impulsos aplicados al terminal
de puerta. Por esta razn, la tensin de ruptura de un
triac suele ser bastante elevada.
G triac.
(a) (b)
figma 15.20. Triac. (a) Constitucin. (b) Representacin
esquemtica.
Al A2 G
figura 15.21. Aspecto fsico y disposicin de terminales
del triac.
Segn la polaridad de la tensin aplicada a los terminales
del triac, as ser la polaridad del impulso aplicado al ter-
minal de puerta para que este se dispare. De esta forma, un
triac funciouara como un SCR pero con la particularidad
de poder conducir en dos sentidos. Veamos un ejemplo que
aclare lo expuesto.
Si aplicamos una tensin de la polaridad indicada en la Fi-
gura 15.22(a), ser necesario aplicar un pulso positivo a la
compuerta. As, conseguimos disparar el candado inferior,
siendo el sentido de la corriente el que se indica en la figu-
ra. Por el contrario, si la tensin aplicada al triac es opuesta
(b)
figura 15.22. Conduccin del triac.
a la anterior [Figura 15.22(b)], habr que aplicar un impul-
so negativo a la compue1ta para hacerle disparar. En este
caso, el sentido de la corriente ser opuesto al anteiior.
En la Figura 15.23 se muestra la curva caracterstica del
+].
L:_ _
In
~--.:=:=::;;;::;:;--.._,~,:::::::::::=::'.:=+-_'.+~f/o~
te-Veo _____--:;
-F-
Figura 15.23. Curva caracterstica del triac.
La aplicacin fundamental de los triacs est en el control y
regulacin de potencia en C.A.
En el circuito de la Figura 15.24 se muestra un sencillo
ejemplo de aplicacin de cmo se puede controlar la ilumi-
nacin de una lmpara incandescente de gran potencia en
C.A. Para ello, nos valemos de un triac, un diodo, una re-
sistencia y un conmutador de tres posiciones. Cuando el
conmutador S se sita en la posicin 1, la lmpara perma-
nece apagada, ya que la puerta del triac no ha sido activa-
da. Para la posicin 2 del conmutador, el terminal de puer-
ta del triac recibe corriente a travs del diodo, pero solo en
los semiciclos positivos, lo que provocar que el triac ni-
camente conduzca durante este perodo, dando como re-
sultado una disminucin de la potencia transferida a la
lmpara. En la posicin 3 del conmutador, a la puerta se le
suministra corriente en los dos semiciclos, lo que provoca
la conduccin del triac tanto en los semiciclos positivos
como en los negativos; en este caso la lmpara trabaja a
plena potencia. suministrando una luminosidad mxima.
C.A.
Figura 15.24. Circuito de control de potencia de una
lmpara de C.A. mediante triac controlado por diac.
La misin de la resistencia R conectada en serie con el cir-
cuito de puerta es la de limitar la tensin y corriente de
puerta a unos valores adecuados para su correcto funciona-
miento.
Al igual que un diac puede utilizarse como elemento para
controlar el disparo del SCR, es posible tambin hacerlo
para controlar a un triac. En la Figura 15.25 se muestra el
circuito de control de potencia de una lmpara en C.A. Re-
gulando el valor de la resistencia variable R2 conseguimos
controlar el tiempo de carga del condensador C. Una vez
alcanzada la tensin de ruptura del diac, el triac se dispara
y conduce. El diac puede disparar el triac tanto en el semi-
ciclo positivo como en el negativo, con lo que se puede
controlar la corriente por el triac en todo el ciclo completo.
El resultado es que es posible controlar la potencia de la
carga en un margen mucho ms amplio que con el obteni-
do por el SCR.
C.A.
TRIAC
f\; BTl36
230V
e BRIOO
Figura 15.25. Circuito de control de potencia de una
lmpara de C.A. mediante triac controlado por diac.
En la Figura 15.26 se puede observar como ahora el triac
conduce tanto en los semiciclos positivos como en los ne-
gativos. En la Figura 15.26(a) el ngulo de disparo del
triac es pequeo, por lo que las lmparas lucen con ms
intensidad. En la Figura 15.26(b) se ha aumentado el ngu-
,,
I
I
1-'-1--;,-,.-J...i,-.......-...J-!4~ii'>- t
;. (b)
Figura 15.26. Variacin del ngulo de conduccin
de un triac.
lo a de disparo, y el triac conduce durante menos tiempo,
haciendo que la lmpara luzca con menos intensidad. A es-
te efecto, se puede comprobar cmo este circuito de con-
trol sera ms efectivo para la construccin de un dimmer
que el utilizado con un SCR.
15.5. [I transistor ae
unijuntura (UJT)
Este dispositivo se utiliza, fundamentalmente, como gene-
rador de pulsos de disparo para SCR y triacs.
El UJT es un componente que posee tres terminales: dos
bases y un emisor, tal como se muestra en la Figura 15.27.
En la Figura l5.27(a), se puede apreciar la constitucin de
un UJT, que en realidad est compuesto solamente por dos
cristales. Al cristal P se lo contamina con una gran canti-
dad de impurezas, presentando en su estructura un nmero
elevado de huecos. Sin embargo, al cristal N se lo dopa
con muy pocas impurezas, por lo que existen muy pocos
electrones libres en su estructura. Esto hace que la resisten-
cia entre las dos bases R88 sea muy alta cuando el diodo
del emisor no conduce. Para entender mejor cmo funcio-
na este dispositivo, vamos a valernos del circuito equiva-
lente de la Figura 15.28.
Base 2 Base 1
. 9
Base =-tl'._ __,__N_
Emisor
_,______,~ase
r 1f Emisor
(a) (b)
Figura 15.27. Transistor de unijuntura (UJ1).
(a) Constitucin. (b) Representacin esquemtica.
Vas
12V
V producindose el disparo o encendido del UJT.
+ ,ff
Figura 15.28. Circuito equivalente del UJT.
R1 y R2 equivalen a la resistencia de los tramos de cristal N
comprendidos entre los terminales de las bases. El diodo D
equivale a la unin formada por los cristales P-N entre el
terminal del emisor y el cristal N.
Mientras el diodo del emisor no entre en conduccin, la
P est fuertemente contaminado con impurezas y el N d-
resistencia entre bases es igual a:
Ros= R + Rz
Si en estas condiciones aplicamos una tensin de alirnenta-
cin V8 8 entre las dos bases, la tensin que aparece entre el
emisor y la base 1 ser la que corresponda en el circuito
equivalente a R,; es decir, en el divisor de tensin se cum-
plir que:
VBB R,
V =R - - = - V
1 1 R, + R2 RBB BB
Si llamamos
R,
17=-
RBB
la ecuacin queda:
El trmino 17 representa la relacin intrnseca existente en-
tre las tensiones V1 y V88
Actividad resuelta 15.1
As, por ejemplo, si un UJT posee una relacin intrn-
seca caracterstica igual a 0,85 y queremos determinar la
tensin que aparecer entre el terminal de emisor y la
base I al aplicar 12 V entre bases (Figura 15.28), bastar
con operar de la siguiente forma:
V = rVBB = 0,85 12 = 10,2 V
Al valor de V1 se lo conoce como tensin intrnseca, y
es aquella que hay que aplicar para que el diodo co-
mience a conducir. En nuestro ejemplo, si aplicarnos
una tensin de 8 V al emisor, este no conducir, ya que
en el ctodo del diodo D existe un potencial positivo de
10,2 V, correspondientes a la tensin intrnseca, por lo
que dicho diodo permanecer polarizado inversamen-
te. Sin embargo, si aplicamos una tensin superior a
10,9 V (los 10,2 V de V1 ms 0,7 V de la tensin de
barrera del diodo D), el diodo comenzar a conducir,
En resumen, para conseguir que el UJT entre en estado
de conduccin, es necesario aplicar al emisor una ten-
sin superior a la intrnseca.
Una vez que conseguimos que el diodo conduzca, por
efecto de una tensin de polarizacin directa del emisor
respecto a la base 1, los portadores mayoritarios del cristal +o---,-----,
P (huecos) inundan el tramo de cristal de tipo N compren- Vcc
dido entre el emisor y dicha base (recurdese que el cristal
bilmente). Este efecto produce una disminucin repentina
de la resistencia R, y con ella una reduccin de la cada de
tensin en la base I respecto del emisor, lo que hace que la
corriente de emisor aumente considerablemente.
Mientras la corriente de emisor sea superior a la de mante-
nimiento (I vl, el diodo permanecer en conduccin como
si de un candado se tratase. Esta corriente se especifica Figura 15.30. Generador de pulsos de dientes de sierra
mediante UJT.
normalmente en las hojas de caractersticas y suele ser del
orden de 5 mA.
minuir la corriente de descarga del condensador sobre el
En la Figura 15.29 se muestra el aspecto de una de las cur- emisor del UJT, por debajo de la de mantenimiento, este se
vas caractersticas de un UJT. Vp (punto Q1) nos indica la
desceba y comienza otro nuevo ciclo de carga y descarga
tensin pico que hay que aplicar al emisor para provocar el del condensador. As se consigue que en el terminal de la
estado de encendido del UJT (recordar que Vp = V1 + 0,7).
base I aparezca una seal pulsante en forma de dientes de
sierra, que puede utilizarse para controlar los tiempos de
disparo de un SCR o de un triac. Para regular el tiempo
de disparo, es suficiente con modificar el valor hmico de
la resistencia variable R5, ya que de esta depende la cons-
tante de tiempo de carga del condensador.
En la Figura 15.31, se muestra una tpica aplicacin del
generador de pulsos de dientes de sierra con UJT para con-
[p ... ; ..... . trolar el disparo de un SCR. Mediante este circuito contro-
Vcc lamos la velocidad de un motor en serie (o de cualquier
Vv otro tipo de carga: estufas, lmparas, etc.) gracias a la regu-
lacin de la corriente que realiza sobre medio ciclo el SCR.
Figura 15.29. Curva caracterstica del UJT.
Para controlar la velocidad del motor, basta con modificar
Una vez superada esta tensin, la corriente del emisor
aumenta (se hace mayor que lp), provocndose el desceba-
do del UJT cuando la corriente de mantenimiento es infe-
rior a la de mantenimiento Iv (punto Q2).
la frecuencia de los pulsos en dientes de sierra, lo cual se
consigue variando el valor del potencimetro R5
SCR
111111 1511. A~licaciones ael UJl C.A.
Una de las aplicaciones del UJT ms comn es corno gene-
rador de pulsos en dientes de sierra. Estos pulsos resultan
f\;
muy tiles para controlar el disparo de la puerta de triacs y
SCR.
En la Figura 15.30 se muestra el esquema de uno de estos
circuitos. Figura 15.31. Control de velocidad de un motor mediante
Su funcionamiento es como sigue: al aplicar una tensin SCRy UJT.
Vcc al circuito serie R-C, formado por la resistencia varia-
ble R5 y el condensador C5, este comienza a cargarse. Co-
rno este condensador est conectado al emisor, cuando se
supere la tensin intrnseca, el UJT entrar en conduccin. . 15.o. Moaulacin PWM
Debido a que el valor hmico de la resistencia R1 es muy
pequeo, el condensador se descargar rpidamente, y en Una de las aplicaciones tpicas de los sistemas electrnicos
el terminal de B1 aparecer un impulso de tensin. Al dis- de potencia son los circuitos de conversin C.C./C.A., co-
--- ---------- ----------
nocidos por el nombre de onduladores o inversores (Figu-
ra 15.32).
~-
- -~
" -v
_-~
e.e. e.A.
Figura 15.32. Un inversor convierte la CC. en C.A.
Estos equipos son capaces de generar una corriente alterna
a partir de una fuente de corriente continua. Son muy utili-
zados en:
Sistemas autnomos: obtienen corriente alterna a partir de
bateras, como por ejemplo en un sistema de energa solar
fotovoltica.
SAI: sistemas de alimentacin ininterrumpidas que alimen-
tan equipos, como por ejemplo, un ordenador, aun cuando
falle la alimentacin elctrica. En este caso unas bateras al-
macenan la energa elctrica en forma de e.e. que ser
convertida a C.A. cuando falle la lnea de alimentacin.
Control de velocidad de motores C.A.: la alimentacin
se obtiene a partir de la tensin de red, obteniendo una eta-
pa intermedia de corriente continua. A continuacin se co-
loca el inversor que modificando la frecuencia consigue
variar la velocidad del motor:
Existen diferentes formas para conseguirio, una de las ms
corrientes es la modulacin por ancho de pulso (PWM- Pulse
Width Modulation). Inicialmente, esta tcnica se utilizaba
casi exclusivamente para el control de potencia y veloci-
dad de motores de corriente continua, pero en la actualidad
se ha ido ampliando su campo de aplicacin, por ejemplo,
en las fuentes de alimentacin conmutadas, inversores, etc.
Con ella se ha conseguido realizar dispositivos de mayor
rendimiento y menos voluminosos.
La modulacin por ancho de pulso consigue un alto rendi-
miento gracias a que los semiconductores de potencia ope-
ran omo interruptores, es decir en corte y saturacin, mi-
nimizando as las prdidas de energa.
Este tipo de modulacin consigue generar una seal senoi-
dal partiendo de una seal continua un tanto peculiar. En la
Figura 15.33(a) se muestra la seal senoidal que se desea
conseguir y en la Figura 15.33(b) la seal que realmente se
obtiene con la PWM. A pesar de que la seal obtenida no
es de tipo senoidal sigue siendo igual de til que si lo fue-
se. Adems posee la ventaja de que es muy fcil de regular
su frecuencia.
+ Vcc + Vcc Observa cmo en la seal modulada, la amplitud del pulso
es fija y su anchura es mayor o menor en funcin de la
amplitud de la seal original.
(a)
El circuito electrnico que es capaz de realizar la modula-
cin PWM consiste en un comparador como el que se
muestra en la Figura 15.38. A una de las entradas del com-
Rcarga parador se introduce la seal a reproducir, que en un inver-
sor ser la seal senoidal, y en la otra una seal triangular
de frecuencia elevada y de amplitud constante.
(b)
~
(a) (b)
COMPARADOR
Figura 15.35. Funcionamiento del inversor.
l nn nmnnn
~JLJULJj j ~ LILIL
Sena! de entrada -- - -
Figura 15.33. a) Seal senoida/ pura.
amodular
b)Seal modulada por ancho de pulso. En las tcnicas de codificacin digital lo habitual para co-
dificar una seal es modularla en amplitud; es decir, se to- Seal t r i a n g u l a r ~ -Seal modulada PWM
La base de este mtodo consiste en generar un tren de pul- man muestras de la seal analgica cada cierto tiempo y la de modulacin
seal codificada es proporcional a su amplitud (valor de
sos de altura fija, pero con un ancho que sea proporcional a
la amplitud o altura de la onda senoidal que se desea repro-
ducir.
la tensin en un punto), tal como se muestra en la Figu-
ra 15.36.
MM
Figura 15.38. Modulacin PWM mediante comparador.
En la Figura 15.34 se muestra el esquema bsico de un in-
Seal original
versor. Aqu se ha situado la carga o el receptor en medio Este circuito compara las dos seales de entrada y propor-
de cuatro transistores de potencia alimentados con corrien- Seal modulada ciona a su salida una seal positiva, de tensin fija, cuando
te continua. en amplitud el valor de la tensin de la seal senoidal a reproducir (se-
al de entrada) sea superior a la tensin de la seal triangu-
lar (moduladora).
+ Vcc
En la Figura 15.39 se muestra la modulacin de una se-
al senoidal mediante una seal triangular de mayor fre-
cuencia.
figura 15.36. Seal modulada en amplitud.
Rcar a Como la seal cuadrada PWM est formada por una gran
Observa cmo la seal modulada en amplitud est formada cantidad de frecuencias armnicas, es necesario utilizar un
por pulsos de anchura fija y de amplitud variable en fun- filtro adecuado, para eliminar estas y obtener una seal con
cin del muestreo de la seal original. una nica frecuencia.
Por otro lado, la modulacin de ancho de pulso PWM con-
sigue codificar la informacin de una seal elctrica varia-
ble, en pulsos que varen su anchura en funcin del mdulo
figura 15.34. Esquema bsico de un inversor.
de la seal a codificar, tal como se muestra en la Figu- Seal triangular
ra 15.37.
Estos transistores se polarizan de tal forma que funcionen
en corte o saturacin. Dependiendo de la combinacin de 11 11
1 :: \; 1 Seal original
,,,,,,
su conduccin, la corriente que fluye por la carga tendr
una direccin u otra. As, por ejemplo, si conducen el T1 y
el T4, la corriente fluir de izquierda a derecha [Figura ,,
11 11
15.35(a)], mientras que si lo hacen el T2 y el T3 ir de dere-
i iiiiill IiIiIll&fu~=""
cha a izquierda [Figura !5.35(b)].
Para conseguir que cada transistor conduzca en el momen-
to adecuado se utiliza la tcnica de modulacin de ancho
! ! 11 H ! 1 I JI 1 11 11 1 1 1 11 11 1
de pulso PWM, que consiste en alimentar la base de cada
transistor con la salida de un comparador de tensin. Figura 15.37. Seal modulada de ancho de pulso PWM. Figura 15.39. Modulacin PWM con seal triangular.

15. i. Identificacin de tiristores. Consigue un SCR, un
triac, un diac y un UJT, comprueba la disposicin de
sus terminales y consulta sus caractersticas en las ho-
jas de especificaciones tcnicas que facilita el fabrican-
te de los mismos.
15.3. Rel esttico mediante triac. Mediante el sencillo cir-
figura 15.40. Conjunto de tiristores.
15.2. Circuito de control de la iluminacin de lmparas
incandescentes. En la Figura 15.41 se muestra el cir-
cuito completo para realizar el control de luminosidad
de una o varias lmparas incandescentes. Al realizar
este circuito con un triac, obtendremos un control total
de la potencia entregada a la lmpara en todo el ciclo
completo de C.A. El control del triac lo conseguimos
gracias al diac. Los ciclos de cebado del diac son con-
trolados por la carga del condensador C1 a travs del
potencimetro R1 El resto de componentes se utiliza
para mejorar las prestaciones del circuito; as, por
ejemplo, con la resistencia R2 se evitan los electos que
provocaran un valor excesivamente bajo al ajustar el
potencimetro R1
El condensador C2 y la resistencia R4 hacen las veces
de filtro, consiguiendo que las fuertes variaciones de
C.A.
TRIAC BT!36
230V
Figura 15.41. Circuito de control de la iluminacin
de lmpara incandescente.
tensin entre los nodos del triac se mantengan en
15.4. Termostato electrnico. Se trata de disear un circui-
unos valores aceptables, evitando as el disparo del
triac de forma inesperada.
Consigue los componentes necesarios para la realiza-
cin de este circuito (la seleccin del triac y del diac
depender de las caractersticas de la lmpara o lm-
paras a controlar) y monta el circuito en el entrenador
o en un circuito impreso. Comprueba su funcionamien-
to, y mediante un osciloscopio obtn los oscilogramas
relativos a los ciclos de encendido y apagado del triac
y del diac.
cuito de la Figura 15.42 podemos poner en marcha y
parar un motor de C.A. El circuito trata de sustituir la
accin de un rel o contactar electromagntico por me-
dio de un triac. Al accionar el pulsador de marcha M,
proporcionamos, a travs de R1 , suficiente corriente a
la puerta del triac, provocando el disparo del mismo. Al
estar en estado de conduccin el triac, la red formada
por R2 y C1 es sometida a casi toda la tensin de ali-
mentacin, por lo que la corriente que aparece por di-
cha red queda desfasada prcticamente 90 respecto a
dicha tensin. Debido a este desfase, esta corriente,
que fluye a travs del terminal de puerta, alcanza su va-
lor mximo cuando la tensin es prcticamente nula,
por lo que cada vez que el triac tiende a descebarse,
dicha corriente provoca un nuevo disparo del triac, dan-
do como resultado un encendido continuo del triac. Pa-
ra desactivar el triac basta con accionar el pulsador de
paro P, el cual elimina el autoarranque del triac.
R,
2,2kQ
2JOV
50Hz
Figura 15.42. Circuito de rel mediante triac.
Como en otras ocasiones, consigue los componentes
necesarios para la realizacin de este circuito (la selec-
cin depender de las caractersticas del motor) y mon- Incluir un diodo LED, con su adecuada resistencia !imi-
ta el circuito en el entrenador o en un circuito impreso. tadora, con el fin de sealizar la puesta en marcha de la
Comprueba su funcionamiento. estufa.
Para el montaje de los componentes ser necesario el
diseo de una placa de circuito impreso, donde se co-
to que, aprovechando la sensibilidad de las resistencias
nectarn los mismos mediante soldadura.
NTC a los cambios de temperatura, pueda controlar el
encendido y apagado de una estufa elctrica, de tal for- Una vez encontrados los valores adecuados de los
componentes necesarios para este termostato electr-
ma que la temperatura ambiente de la estancia a cale-
lactar se mantenga a una temperatura prefijada. nico y diseada la placa del circuito impreso, monta y
conecta las diferentes partes del circuito y comprueba
Para entender cmo acta un termostato, estudiaremos
su funcionamiento.
el siguiente ejemplo:
En la Figura 15.43 se muestra el circuito de un termos- 15.5. Oscilador de relajacin con UJT. Se trata de montar
tato bimetlico que controla el encendido y apagado de el circuito de la Figura 15.44 y comprobar mediante el
una estufa. osciloscopio las formas de ondas y la frecuencia obteni-
das a su salida al variar el potencimetro R8 .
+o-------------,
J5V
Tennostato
C.A.
Estufa
Figura 15.43. Circuito de control de una estufa
mediante termostato.
Este termostato posee un contacto, a modo de interrup-
tor, que se acciona por una lmina bimetlica. Esta l-
mina posee la propiedad de deformarse por un fenme-
no de dilatacin con los cambios de temperatura.
Mientras la temperatura ambiente no sea superior a la
fijada en el termostato, el contacto del mismo permane- Figura 15.44. Oscilador de relajacin con UJT.
ce cerrado y la estufa caldea el ambiente. Alcanzada la
temperatura de referencia, el bimetal se deforma y el
contacto se abre, interrumpiendo el funcionamiento de E
dicha estufa hasta que la temperatura ambiente vuelva
a reducirse.
Disea un circuito electrnico que sustituya la funcin B,-~-B,
del termostato bimetlico. Para ello, puedes utilizar
transistores como elementos de amplificacin de los
cambios de resistencia de la NTC con la temperatura,
un potencimetro para ajustar la temperatura de refe-
figura 15.45. Aspecto y disposicin de terminales
rencia y rels o tiristores como elementos de acciona-
del UJT 2N2646.
miento de potencia de la estufa.
15.1. Cmo se suele provocar habitualmente el disparo de
los SCR?
a) Aplicando una tensin directa disruptiva.
b) Aplicando una peque,ia corrienie en el terminal de
puerta.
e) Aplicando una tensin inversa.
15.5. El SCR de la Figura 15.46 posee una corriente caracte-
ristica de disparo de O, 1 A. Determina la tensin V9 que
habr que aplicar a la puerta para que el SCR se dispa-
re, teniendo en cuenta que en el terminal de puerta apa-
rece una cada de tensin de 0,7 V.
+ Vcc

15.2. Cul es la diferencia entre un SCR y un triac?

a) El SCR puede conducir en ambos sentidos, mientras
que el triac solo lo hace en uno.
b) El triac se dispara por tensin directa elevada y el u b) 2.2 a) S = A BC
SCR por tensin inversa. ===-
1.2b)
e) El triac puede conducir en ambos sentidos, mientras b) S=ACADBD
1.3 c)
que el SCR solo lo hace en uno.
Figura 15.46. VI a)
e) S=ADABCCD
15.3. El SCR y el triac consiguen controlar la potencia de una 1.5 e)
2.3 S1 = ABCD + ABCD
carga: 15.6. Si el UJT de la Figura 15.47 posee una relacin intrn- 1.6 a) S2 = ABCD
a) Modificando gradualmente la corriente de disparo. seca de 0,8, determina la tensin Ve que har disparar 1.7 e)
el UJT. 2.4 S = ABCD + ABCD + ABCD + ABC
b) Controlando los tiempos de conduccin y no con- 1.8 VNH = 0,7 V; VNL = 0,3 V
duccin. 1.9 e) 3.1 a)
e) Modificando gradualmente la tensin directa. 1.10 a) y b) 3.2 b)
1.11 e) 3.3 e)
15.4. Cmo se suele provocar habitualmente el disparo de
un diac? 1.12 e) 3.4 e)
a) Aplicando una fuerte corriente. figura 15.47. 1.13 a) 63; b) 341; e) 23 3.6 a)
1.14 a) 10110110010; 3.7 b)
b) Aplicando una pequea corriente en el terminal de
puerta. b) 101000100; 3.8 e)
e) 1010110
c) Aplicando una tensin directa o inversa de ruptura. 3.10 a)
1.15 a) 10100110;
3.11 b)
b) 11101110111100;
e) 100100001011100; 3.12 a)
d) 1010111011001011010; 3.13 b)
e) 10100101100 3.14 a)
1.16 a) 3128; CA 16 ; 10000000108 co 3.15 e)
b) 12568; 2AE 16 ; 110100001108 co
1.19 S=A-BC+A-BC+ABC 4.l b)
1.20 S = A (A- B + C) 4.2 b)
4.3 a)
2.1 a) s = if + ff
4.4 a)
b) S=Aii+BC+BC
e) s = AB + ABC + ifc + BC 4.5 e)
d) S=AD+ BCD 4.6 a)
e) s = ACD + ABCD + iici5 + ifci5 4.11 JE, 2D, 3F, 4A, se, 6B
4.12 b) 6.14 C1: (47 nF/5 %/630 V) 9.9 a), b), c) y d) 11.14 b)
4.13 a) C2: (68 nF/ 10 %/500 V) 9.10 c) 11.15 c)
4.14 a) 100 Hz C3: (40 nF/5 %) 9.11 250 mW 11.16 Vs = 9 V; Va= 5,22 V; Vas= -3,78 V
C4 : (22 pF/5 %) 9.12 100 mA
12.1 a)
5.1 b) C5: (10 nF/ 10/400 V) 9.13 corte Ue = O; Vce = 3 V; l 8 = O);
12.2 a) y e)
5.2 a) C6: (470 pF/5 %) saturacin Ue = 80 mA; Vce = 0,6 V;
l8 = 1.000 A); 12.3 e)
5.3 c) C7: (O, 1 F/250 V)
trabajo Ue = 55 mA; Vce = 1,4 V; [8 = 300 A) 12.4 a)
5.4 a) C8: (47nF/5 %/100) V
9.14 a) 12.5 b),Av(LC) = 11, v,,1 = llOmV
5.5 b) C9: (22 pF/20 %) 12.6 a), lectura del voltmetro = 1,6 V
9.15 le= 10 mA, VeE = 1 V; V8 = 1,7 V; VE= 1 V;
5.6 a) Ve= 2 V 12.7 c), lectura del ampermetro = 22 A
7.1 c)
5.7 b) 12.8 R, = 2 MO; 2,5 1A; K = 2 V /A
7.2 b) 10.l b) 12.9 50 kQ
6.l R1 = 27 kQ 10 %; R2 = 12 kQ 2 %; 7.3 350 mW I0.2 c)
12.10. - 2,5 V
R3 = 1.500 MQ 5 % 7.4 9,3 mA 10.3 A, = 333, A; = 10, Ar = 3.330 12.11. 1) b); 2) 500 Hz
6.2 R1: (rojo, amarillo, naranja, oro), R2: (azul, gris, na- 7.5 0,85 V; 0,83 A, 706 mW 10.4 a)
ranja, plata), R3 : (marrn, marrn, amarillo, rojo). 7.6 IN4003 10.5 b) 13.1 b)
63 R1: (1 kQ) 7.7 246,5 Q 10.6 e) 13.2 b)
R2: (1,2 kil) 7.8 a) 10.7 a) 13.3 c)
R3: (150 kQ) 7.9 b) 10.8 c) 13.4 600 mW
7.10 2,7 kQ/1 W 10.9 b) 13.5 175 mV
R4: (3,9 Q)
10.10 7,6 1F 13.6 750 Q
R5 : (0,56 Q) 8.1 c)
10.11 20,8 % 13.7 225 mW
R6: (5,62 kQ) 8.2 a) y c)
10.12 6A 13.8 V,= 12 V, l, = 6,25 mA, P = 2,12 W
R7: (71,52 kQ) 8.3 283 V
10.13 30.000 13.9 R2 = 533 O; V'" 1 = 24,8 V; P = 1,4 W
6.4 R 1: (S - E24 5 %) 8.4 7,4 V 13.10 R 1 = 10 Q
R2 : (No) 8.5 62,8 V 11.1 a) 13.U c)
R3: (No) 8.6 a) l0 = 106 mA, V,n,ersapico = 33,9 V, V" = 10,6 V, 11.2 b)
lec= 106 mA 11.3 14.1 a)
R4 : (S - E48 2 %) c)
b) lo= 52 mA, V1n,ersapico = 33,9 V, V,,= 10,4 V, 14.2 b)
R5: (No) 11.4 a)yc)
l,, = 104mA 14.3 c)
R6: (No) 11.5 a)
C) lo= 104 mA, V;a,ecsapico = 33,9 V, V,, = 20,7 V, 11.6 a)
MOSFET de empobrecimiento de canal N,
14.4 c)
R7: (S - El2 20 %) l,, = 207 mA 14.5 b)
6.5 c) b)
Transistor bipolar NPN,
8.7 1N914 14.6 a)
c)
MOSFET de empobrecimiento de canal P,
6.6 c) 8.8 IN4001 14.7 144,4 Hz
d)
FET de canal N,
6.7 c) 8.9 C = 865 F, V"= 14,7 V, V,;z = 1,7 V, 14.8 3,18 nF
e)
MOSFET de enriquecimiento de canal N,
6.8 c) l,, = 147 mA 14.9 5,03 MHz
t) MOSFET de enriquecimiento de canal P,
6.9 e) 8JO V,,z = 2,6 V; Factor de rizado= 8,3 % 14.10 25,33 H
g) FET de canal P,
6.10 0,004 C; 0,02 C; 0,1 C 14.li t 1 = 1,39 ms, t2 = 3,53 ms,f = 203 Hz
9.1 a) h) Transistor bipolar PNP.
6.11 C1 = 27 nF 5 %, 630 V 14.12 a) a); b) f= 4,81 Hz; c) 48 pF
9.2 b) 11.7 5,33 mA
C2 = 12 nF 1 %,'250 V 9.3 a) 11.8 9 mA, -4 V 15.1 b)
C3 = 2,5 nF 10 %, 400 V 9.4 a) 11.9 b) y e) 15.2 c)
6.12 Disco = 6,3 nF. Tubular = 3,5 nF; 1 % 9.5 b) 11.10 a) 15.3 b)
6.13 C1 = naranja, naranja, verde, negro 9.6 p = 49 11.11 b) 15.4 c)
C2 = verde, violeta, azul, gris 9.7 b) y c) 11.12 a) 15.5 3,7 V
C3 = marrn, verde, violeta, rojo 9.8 a) 11.13 Rs = 1,5 kQ 15.6 16,7 V
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