ANALISIS DE UN AMPLIFICADOR BJT

I. OBJETIVOS:

Comparar los resultados reales, de los simulados en proteus.

Identificar los terminales de un transistor bipolar.
Reconocer e identificar los terminales del encapsulado del transistor.
Verificar el funcionamiento del transistor cuando opera como amplificador.
Aplicar un transistor en la implementacin de un circuito amplificador de tensin
de seal AC.
Representar un amplificador Bc por sus circuitos equivalentes en cd y ca.
Analizar la operacin en cd y ca de un amplicador en base comn.

II. MARCO TEORICO:

BJT est constituido bsicamente de silicio y germanio.

Est formado por la unin de material tipo P y tipo N a manera de capas, dando
as la clasificacin del BJT en NPN y PNP

Es un dispositivo que amplifica la intensidad de corriente.

Sus terminales del BJT son: Base, Emisor y Colector.

FIGURA.1.

El transistor de unin bipolar (del ingls bipolar junction transistor, o sus

siglas BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en
dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de
la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que
la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en
gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos
su impedancia de entrada bastante baja.
 Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan
generalmente en electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones
de electrnica digital, como la tecnologa TTL o BICMOS.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.

Tipos:

NPN:

FIGURA.2.

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras
"N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las
diferentes regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares
usados hoy en da son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor
que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores
corrientes y velocidades de operacin.

Los transistores NPN consisten en una capa de material

semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N.
Una pequea corriente ingresando a la base en configuracin emisor-comn es
amplificada en la salida del colector.

La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y

apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el
dispositivo est en funcionamiento activo.
o PNP

FIGURA.3.
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N"
refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del
transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN
brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material
semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los
transistores PNP son comnmente operados con el colector a masa y el emisor
conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de una
carga elctrica externa.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la
direccin n la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est
en funcionamiento activo.
A. CONFIGURACIONES
- EMISOR COMN:
La configuracin en emisor comn (EC) tiene al emisor como terminal comn,
o tierra, ante una seal de ca. Los amplificadores en EC tienen una alta
ganancia de voltaje y una alta ganancia de corriente. La figura 1 muestra un
amplificador en emisor comn con polarizacin utilizando un divisor de voltaje
y capacitores de acoplamiento C1 y C3 en la entrada y salida, y un capacitor
de puenteo, C2, del emisor a tierra. La seal de entrada, Vent est acoplada
capacitivamente a la base; la seal de salida, Vsal, est acoplada
capacitivamente del colector a la carga.
- BASE COMUN
Comparten el mismo terminal de base, dandole una gran ganancia en
volataje con una impedancia de entrada relativamente baja y ganancia de
corriente menor a la unidad

FIGURA.5.

- COLECTOR COMUN

FIGURA.6.

CONFIGURACION COLECTOR COMUN

La terminologa de cc se deriva del hecho de que el colector es comn tanto
a la entrada como a la salida de la configuracin.
El colector se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la
salida.

FIGURA.7.
 Para describir el comportamiento de la configuracin CC, se requiere de dos
conjuntos de caractersticas:
Parmetros de entrada
Se relaciona la corriente de entrada ( ) con el voltaje de entrada ( ) para
varios niveles de voltajes de salida ( )

Parmetros de salida

Se relaciona la corriente de salida ( ) con el voltaje de salida ( ) para

varios niveles de corriente de entrada ( )
CARACTERISTICAS
En este tipo de configuracin de circuito no vamos a conseguir una
amplificacin de tensin, pero si una buena amplificacin de corriente.
Este circuito tambin se llama seguidor de emisor, nombre que le viene
porque el emisor sigue a la base, lo que quiere decir que la tensin que le
apliquemos a la base va a ser reproducida por emisor.
Este tipo de circuitos tiene un comportamiento muy bueno frente a las
variaciones de temperatura y es debido a que tiene conectada una
resistencia, RF.
El problema que puede tener este tipo de circuitos es que disipan mucha
potencia.
La caracterstica ms importante de esta configuracin es que ofrece una
alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida.

CARACTERISTICAS GENERALES
Alta impedancia de entrada ( ), entre el rango de 20k a 50k
Baja impedancia de salida( ) entre el rango de 20 a 1500
Alta ganancia de corriente definido por + 1
No amplifica voltaje, menos de la unidad
DISEO

A. BASE COMUN:

RESULTADOS EN SIMULACIN

V0 IC VC VE VCE Vi
10 0.19uA 18.9v 15.83v 1.97v 18.34v

B. COLECTOR COMUN:
RESULTADOS EN SIMULACIN

Vi IC VC VE VCE VO
15 117uA 11.97v 11.78v 0.11v 11.87v

C. EMISOR COMUN:
V0 IC VC VE VCE Vi
15 0.25uA 20v 14.6v 4.35v 19.87v

CONCLUSIONES:
 En la configuracin en base comn tiene una impedancia de entrada muy baja,
aunque
puede tener una ganancia de voltaje significativa. La ganancia de corriente es
apenas
menor que 1 y la impedancia de salida es simplemente RC.

En la configuracin en colector comn siempre se tendr un voltaje de salida un

poco menor que el voltaje de entrada.

CUESTONARIO
1. Cmo se polariza un transistor BJT para ubicar su punto de operacin
de manera que opere como un amplificador?

Para poder utilizar un transistor BJT como un amplificador es necesario

primeramente polarizarlo, de manera que su punto de operacin se ubique en
la regin activa de sus curvas caractersticas. La razn usual de esta
polarizacin es encender el dispositivo, y en particular, ponerlo a operar en la
regin de su caracterstica en la que funciona con mayor linealidad. El punto en
el cual se alcanzan la corriente de colecto (IC) y el voltaje de colector-emisor
(VCE) deseados, se conoce como punto de operacin o punto Q.

2. Al no tener una resistencia en el colector, en dnde se encuentra la

salida del circuito?
A la resistencia del emisor.

3. Diga una aplicacin del circuito colector comn:

Se usa como adaptador de impedancia entre las fuentes de seal y las
etapas amplificadoras.

4. Cul es la definicin del parmetro del Transistor?

La constante a nos dice cuntas veces la corriente del colector es menor a la
corriente del emisor

5. Tiene el amplificador en base comn una baja o una alta resistencia de

entrada?

Vemos que el amplificador de base comn tiene una impedancia de entrada

muy baja porque re es una pequea resistencia determinada por 26mV/Ie por
esta razn el amplificador de base comn no se usa mucho.

6. Cul de los circuitos su uso es el mas frecuente y porque?

 El amplificador con transistor bipolar en emisor comn (en adelante EC) es uno
de los ms utilizados, debido a sus elevadas ganancias tanto de tensin como
de corriente, como al hecho de tener unas impedancias de entrada y salida con
valores intermedios, lo que le hace ideal para etapas intermedias.

BIBLOGRAFIA:

Boylestad, R. y Nashelsky, L. (2009). Electrnica: teora de circuitos y

dispositivos electrnicos. 8 ed. Mxico: Prentice Hall.
Malvino, A. (2007). Principios de electrnica. (7 Ed.) McGraw Hill. (ISBN:
9788448156190)

Louis Nashelsky. Electrnica: teora de circuitos y dispositivos electrnicos;

Pearson Educacin, 2003 Electronic apparatus and appliances

ENLACES:
http://www.ie.itcr.ac.cr/jocastro/ElementosActivos/lecciones/2Sem2013/lec05.2.pd
f
https://espanol.answers.yahoo.com/question/index?qid=20090509154312AApwx
6n
http://html.rincondelvago.com/amplificador-bjt.html
http://zone.ni.com/devzone/cda/tut/p/id/7829