PRACTICA No.

TRANSISTORES BIPOLARES

Objetivos:
1. Medir los voltajes y corrientes (punto de operacin) del circuito de polarizacin
independientemente de la beta para el transistor bipolar y comparar estos valores
con los calculados tericamente. Observar, medir y reportar como se modifica el
punto de operacin cuando se usan transistores de diferente beta.
2. Observar y distinguir el comportamiento del transistor bipolar en sus tres regiones
de operacin, corte, activa directa y saturacin. Medir los voltajes y
corrientes (punto de operacin) en cada una de estas regiones.
3. Observar el comportamiento de los circuitos reguladores de corriente y voltaje con
transistor bipolar. Medir y reportar los voltajes y las corrientes a la salida y obtener
los rangos de variacin de la resistencia de carga (Rl), en que se conserva la
regulacin, tanto para el regulador de corriente como para el de voltaje.

Desarrollo Experimental:

Conceptos Bsicos:

Regiones operativas del transistor

- Regin de corte: Un transistor esta en corte cuando: La corriente de colector =

corriente de emisor = 0, (Ic = le = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de
alimentacin del circuito, (como no hay corriente circulando, no hay cada de
voltaje,). Este c^so normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib
0
= )

- Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando: la corriente de colector =

corriente de emisor = corriente mxima, (Ic = le = I mxima)
En ste caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del
circuito y de las resistencia s conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver
Icj Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo
suficientemente grande como para inducir una corriente de colector [5 veces ms
grande, (recordar que Ic = (5 * Ib)
- Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la
regin de corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta
regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base
(Ib), de P (ganancia de corriente de un amplificador, es un dato del fabricante) y de
las resistencias que hayan conectadas en el colector y emisor). Esta regin es la
mas importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador.
Configuraciones: Hay tres tipos de configuraciones tpicas en los amplificadores con
transistores, cada una de ellas con caractersticas especiales que las hacen mejor
para cierto tipo de aplicacin, y se dice que el transistor no est conduciendo.
Normalmente este caso se presenta cuando no hay corriente de base (Ib = 0)
- Emisor comn
- Colector comn
- Base comn

Nota: Corriente de colector y corriente de emisor no son exactamente iguales, pero

se toman como tal, debido a la pequea diferencia que existe entre ellas, y que no
afectan en casi nada a los circuitos hechos con transistores.
 Multmetro analgico y/o digital \
Fuente de voltaje C.D. (variable)
2 Transistores de silicio NPN TIP41 o equivalente.
2 Diodos Zener de 5.6V S 1
Diodo led rojo
4 Transistores de silicio NPN BC547 o equivalente.
4 Resistencias de 1 K a 0.5 W S 1
Resistencia de 100 K a 0.5 W S 3
Resistencias de 2.2 K a 0.5 W S 1
Resistencia de 47 K a 0.5 W S 2
Resistencias de 4.7 K a 0.5 W S 1
Resistencia de 3.3 K a 0.5 W S 1
Resistencia de 820 a 0.5 W
1 Resistencia de 10 K a 0.5 W
4 Resistencias de 100 a 2W
2 Resistencias de 220 a 2W
2 Resistencias de 560a 2 W
1 Resistencia de 56 a 2 W S 1
Resistencia de 10 a 2 W v' 1
Resistencia de 330 a 2 W S 1
Resistencia de 150 a 2 W S 2
Potencimetros de 10 K a 2W S Una
pinza de punta Una pinza de corte
cables caimn - caimn de 50cm. v'' 6
cables caimn - banana de 50cm. v' 6
cables banana - banana de 50cm.
4 cables coaxiales que tengan en un extremo terminacin bnc y en el otro caimanes
Tablilla de conexiones (protoboard)
Experimentos:
1. Es requisito que para antes de realizar la prctica el alumno presente por escrito y
en forma concisa y breve los siguientes puntos:
a) El anlisis
b) El funcionamiento
c) La operacin
d) El comportamiento matemtico
De cada uno de los circuitos propuestos.
El profesor deber revisar que el alumno cumpla con este punto antes de entrar a
laboratorio, as como que se presente con los circuitos correspondientes debidamente
armados, de NO satisfacer estas indicaciones el alumno NO tendr derecho a quedarse
en el laboratorio y se le considerar como falta al mismo.
2. Medir los voltajes y corrientes (punto de operacin) del circuito de polarizacin con
divisor de voltaje independientemente de su beta para el transistor bipolar y
comparar estos valores con los calculados tericamente. Observar, medir y reportar
como se modifica el punto de operacin cuando se usan transistores de diferente
beta.
Armar el circuito de polarizacin conocida como circuito de polarizacin
independientemente de la beta, el cual se muestra en la figura 1, medir los valores de
voltaje y corriente que se solicitan en la tabla 1 y compararlos con los valores calculados
tericamente, (el alumno antes de realizar esta prctica deber haber
 obtener y comparar las curvas caractersticas (v-I), de tres diodos zener de
diferentes voltajes de ruptura, en cada caso medir el voltaje de umbral y el voltaje zener.
Determinar las resistencias estticas y dinmicas e la regin directa de conduccin (en un punto
de operacin QD ) y en la regin de ruptura zener (en punto de operacin QZ).

Armar el circuito mostrado en la figura 1, colocar el diodo de 3.9v y obtener la curva

caracterstica, medir y reportar en la tabla 1 el voltaje de umbral y el voltaje de ruptura del
diodo, dibujar la curva caracterstica que se tiene en el osciloscopio (usando en su modo
XY), mediante las graficas reportadas posteriormente en casa determinar la resistencia
esttica y dinmica tanto en la regin directa de conduccin en un punto de operacin QD,
asi como, en la regin de ruptura en un punto de operacin QZ. Repetir estos pasos para el
diodo de 5.6V y luego para el de 9.1V Nota: Para cada diodo Zener antes de quitarlo realizar
las mediciones indicadas en el punto 3.

Figura 1.a Circuito propuesto para obtener la curva caracterstica del diodo zener
Figura 1.bCurva caracterstica V-I de un diodo Zener

Figura 1

Diodo Zener Voltaje Umbral VU(v) Voltaje de ruptura VZ (V)

Medicin A Medicin A Medicin A Medicin A

T=TA T>TA T=TA T>TA

Diodo 1(3.9V) 0.7 0.4 3.9 3.4

Diodo 2 (5.6V) 0.6 0.4 5.4 5.0

Diodo 3 (9.1V) 0.7 0.2 8.8 9.6

Tabla 1 Voltaje de umbral y voltaje de ruptura de tres diodos zener medido a T=TA y a T>TA
 Figura 2.a..Grafica del diodo 1 (Vz=3.9V)

Figura 2.b grfica del diodo 2 (Vz= 5.6v)

Figura 2.c grfica del diodo 3 (Vz= 9.1 v)

3. Observar y reportar las variaciones que se presentan en la curva caracterstica, en el voltaje

de umbral y en el voltaje de ruptura de los tres diodos zener, por el efecto del aumento en la
temperatura ambiente.

Usando el mismo circuito de la figura 1, observar y reportar en la tabla 1 la variacin que

presenta el voltaje de ruptura y el voltaje de umbral cuando aumenta la temperatura ambiente,
para lograr este aumento, acercar un cerillo encendido o la punta caliente e de un cautn, al
diodo bajo prueba por espacio no mayor a 5 seg. Realizar esta medicin para cada uno de los
diodos en el orden marcado en el punto anterior.

4. observar y reportar las variaciones que presenta el voltaje zenner (voltaje de salida del
circuito), cuando se presentan variaciones del voltaje de entrada y de la corriente en la carga
(RL), en el circuito tpico regulador de voltaje paralelo con zenner.
4.1. Armar el circuito mostrado en la figura 3 (regulador de voltaje paralelo con diodo zenner) y
reportar las variaciones que presenta el voltaje zenner y las variaciones de la corriente en la
carga, cuando se vara el voltaje en la entrada. Variar el voltaje de la fuente E desde 0 hasta
20 volts y reportar las mediciones de voltaje y corriente que se indican en el circuito en la tabla
2.

Voltaje en la entrada Voltaje en el zenner (V) Corriente en la carga (mA)

0 0 0

2 0.99 1

5 2.45 5

8 3.94 14

11 5.19 17

14 5.41 18

17 5.49 18

20 5.47 19

Tabla 2 variaciones del voltaje zenner (voltaje a la salida del regulador) y de la corriente en la
carga (RL) para el diodo con ruptura de 5.6v cuando varia el voltaje 4n la entrada del circuito
regulador.

4.2. Armar el circuito de la figura 4, medir y reportar en la tabla 3 las variaciones que se tengan
para el voltaje de ruptura del dodo (voltaje a la salida del regulador) y para la corriente de
carga (RL) cuando se presentan variaciones en la resistencia de carga.
 Resistencia en la carga () Voltaje en el zener (V) Corriente en la carga (mA)
Circuito abierto (resistencia
infinita)
22k 5.58 65
10k 5.58 1
1k 5.60 0.1
0.56k 5.5 5
0.33k 5.53 19
0.22k 5.54 27
0.10k 4.6 25

Tabla 3 variaciones del voltaje de ruptura del diodo zener (voltaje a la salida) y de la corriente en
la carga (RL) en un circuito regulador de voltaje para diferentes resistencias de carga.

Cuestionario
1. Usando el diodo zenner 9.1 V dibuje la curva caracterstica que se obtendra en el
osciloscopio, si el voltaje pico de la seal de entrada fuera de 5V. Explique por que de la
curva.
Como el voltaje de entrada es de 5 V y el zener trabaja a 9.1 no habr ruptura y no entrara en la
zona de conduccin, por lo tanto se comportara como

2. De los tres diodos zenner que utilizo en los experimentos cul de ellos presento
coeficiente de temperatura positivo, cual negativo y cual aproximadamente cero,
explique por qu?

Pues el 3.9 V tiene coeficiente de temperatura negativo por el voltaje pequeo que
maneja eso le hace q al ponerle calor el coeficiente de temperatura sea negativo, el 5.6
es el casi que presenta coeficiente de temperatura casi igual a cero y el 9.1 es el que
maneja coeficiente de temperatura positivo.

3. Qu tipo de portadores generan la ruptura zenner? en qu condiciones de

impurificacin se presente esta ruptura?

Debido a los portadores minoritarios y en las condiciones de alta contaminacin y al

barrera es ms angosta, al ser de ms angosta es mayor la probabilidad de tuneleo
(efecto tnel).

4. Cul o cules de los tres diodos usados, presenta ruptura tipo zenner (tuneleo de la
barrera de potencial)? Explique

Los tres diodos presentan ruptura tipo zener ya que menor de 10 volts trabaja con alta
contaminacin y ms de 10 trabajan con baja contaminacin.

5. Diga: Qu curva caracterstica obtendra en el osciloscopio para el circuito de la figura 1,

en caso de que se colocara en paralelo los tres diodos zenner? Dibjela y explique
La curva depende una vez ms del voltaje de entrada al circuito pero en este caso como el
voltaje si es suficiente para romper a cada diodo individualmente, debido a q se encuentran en
paralelo, los diodos si entran en conduccin.

6.-Dibuje la curva caracterstica que se obtendra en el osciloscopio, para el circuito de la figura

1, en caso de que colocara en serie los 3 diodos Zener dibjela y explquela.

La grfica depende de que el voltaje de entada sea lo suficientemente grande para pasar el
voltaje de ruptura zener para los tres diodos al mismo tiempo y en este caso como el voltaje es
de 10 volts no lo rompe.

7.-Determine la resistencia esttica en la regin directa de conduccin para cada uno de los
diodos zener usados en el punto 3, considerando un punto de operacin con corriente de 2mA.

Periodo de 3.9V: (3.9V)/(2mA)=1950

Periodo de 5.6V: (5.6V)/(2mA)=2800

Periodo de 9.1V:(9.1V)/(2mA)=4550
8.-detremine la resistencia esttica en la regin directa de conduccin, para cada uno de los
diodos zener usados en el punto 3, compare los 3 clculos e indique cul de ellos tiende a
comportarse mejor como regulador de voltaje. Explique, (para un punto de operacin con
corriente de 2mA)

Como los 3 diodos son de silicio el voltaje necesario para entrar en conduccin en la regin
directa es de 0.7V por lo tanto la resistencia ser:

R=(0.7V)(2mA)=359 Ohms

Por lo tanto es una resistencia pequea la cual no se opondr a cambios bruscos de voltaje de
entrada por lo tanto la mejor regin para la regulacin es en la regin de polarizacin inversa.

9.-En el circuito regulador de voltaje de la figura 3, si el voltaje de la seal de entrada es 20V,

realice los clculos necesarios para determinar a corriente que circula por el diodo zener en una
situacin, compare con el valor medido en la tabla 3.

Por thevenin saemos que la corriente en la resistencia limitadora Rs es:

Obteniendo la corriente y la corriente en la carga podremos utilizar la ley de kirchhoff de

corrientes para obt5ener las corrientes en los diodos.

Por lo tanto:

Para diodo de 3.9V: lz=36.97mA

Para diodo de 5.6V:lz=26.67mA

Para diodo de 9.1V: lz=5.46mA

10.- Cual sera la corriente que circulara por el diodo zener, para el mismo voltaje de 20V a la
entrada, si la resistencia de carga fuera circuito abierto.

Sera la misma corriente en la resistencia limitadora, que en este caso particular ser:

Para diodo de 3.9V:lz=48.78mA

Para el diodo de 5.6V:lz= 43.63mA

Para el diodo de 9.1V:lz= 33.03mA

11.-Determine la potencia que deber disipar el diodo zener en la condicin marcada en el punto
anterior.

Para diodo de 3.9 V : Pz=(48.78mA)(3.9V)=190.24mW

Para diodo de 5.6 V: Pz=(43.63mA)(5.6V)=244.32mW

Para diodo de 9.1V: Pz=(33.03mA)(9.1V)=300.57mW

12.-Para el circuito regulador de voltaje paralelo de la figura 4, determine el valor ms pequeo

de las resistencias de carga, que permite que la regulacin se mantenga. Determine el mximo
valor de la corriente en la resistencia de carga.

14. Dibuje la grafica de resistencia de carga contra voltaje de salida con los datos de la tabla 3.
 15 Proponga un circuito recortador de voltaje con diodo zenner, que recorre la seal negativa
en 5V y la positiva en 0.7 v

16. Proponga un circuito recortador de voltaje con diodo zenner, que recorte la seal negativa y
positiva en 9.1v

17. Anote sus conclusiones

El diodo zener, trabaja de forma un poco diferente al diodo rectificador normal, es decir se
polariza inversamente, es nos indica que se necesita un cierto voltaje para que el diodo
empiece a conducir en la regin de polarizacin inversa, ya sea por efecto de campo elctrico
(efecto zener para diodos zener de mas de 5V) o por la avalancha de portadores minoritarios(
para diodos zener de menos de 4 v).
 Instituto Politcnico Nacional

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERA MECNICA Y ELCTRICA

Ingeniera en Comunicaciones y Electrnica

Unidad Adolfo Lpez Mateos.

Reporte de la Practica 5

Transistor Bipolar